CN113056117A - 一种只对孔壁进行金属化和电镀的方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种只对孔壁进行金属化和电镀的方法，在覆铜箔板上涂覆一种疏孔金属化活性物质的材料，用以掩蔽板面，钻孔后，仅活化孔壁，并只直接电镀或先化学镀再电镀孔壁至需要的厚度。本发明采用的材料有疏孔金属化活性物质的性能，掩蔽板面，只在孔壁上沉积金属，容易控制镀层厚度，金属化孔质量更好，电路板能更好地满足电气要求，可以制造更精细的导电图案，降低成本，环境友好。本发明适合各种电路板大批量生产，也适合电路板样品及小批量、多品种制作。

Description

一种只对孔壁进行金属化和电镀的方法

技术领域

本发明涉及电路板制作工艺领域，尤其是涉及一种只对孔壁进行金属化和电镀的方法。

背景技术

当今世界，电子产品无所不在。电子产品最重要的部件之一就是电路板，它是各个元器件间的电气连接通道，决定着各自的电气参数和电气逻辑关系；同时，它又是各个元器件的安装和固定载体，是产品的骨架。其中，电气连接通道由导电图案和金属化孔实现，元件安装固定的质量与阻焊图案质量及焊接区的可焊性密切相关，电路板的主要生产过程也是围绕导电图案、金属化孔、阻焊图案及焊接区的可焊性展开。然而，传统制电路板方法，制造导电图形、阻焊图案均靠图形转移完成，制造金属化孔需要用基材铜箔陪镀，本质上都是间接技术，不能满足电子技术对图形精密度和孔质量的要求。

空间上，可以把电路板上的电气连接分成两组：水平方向上的连接，即通常称之为导电图案的部分，处于各层平面之上，用于实现X、Y方向上的连接；垂直方向上的连接，由金属化孔实现，Z向上穿过绝缘层和导电层，用于实现导电图案层层间的电气互连。传统的电路板制造技术，制造水平方向上的导电图案，以减成法为主，即：去掉覆铜箔板上多余的铜箔，用留下的铜箔作为导电图形，作为包括导线、焊盘等有电气连接功能的结构体；制造垂直方向上的层层间的电气互连，以加成法为主，即：向孔内的孔壁上添加导电材料，用导电的孔筒穿过水平方向的金属层实现电气互连。

作为电气连接链路上的重要环节，在制造电路板过程中，理应能够分别控制X、Y方向上导电图形和Z方向上孔壁导电层的厚度，使整个电气通道达到产品的电气要求，特别是要能独立控制孔壁上的导电层厚度，不让其成为连接链路上的薄弱环节。但是，通用的电路板技术中，孔壁铜厚控制与线路铜厚控制相互干涉，不得不在两者之间进行取舍，这是影响电路板电气性能和可靠性的难题之一。

孔金属化，一般采用化学方法。先用化学镀，或其它手段在绝缘的孔壁上沉积薄导电材料层；以此薄层为基础，作为起始导电层，再用电镀方法沉积导电金属到需要的厚度，使穿过金属层的孔具备可靠的层层间电气互连指标。基于不同的孔金属化技术，衍生出了不同的工艺路线，包括掩孔法，图形电镀蚀刻法等。两种工艺路线各有优缺点，其技术方案和关键技术简述如下：

图形电镀蚀刻法，通称反镀法，是制作印制板的经典工艺路线，如图13所示。开料后的制程从步骤(b)钻孔、步骤(c)孔金属化开始，用化学镀或直接电镀方法在孔壁上形成起始导电层，在步骤(d)中用电镀方法继续在孔壁和板面上沉积金属铜至一定厚度后，进行图形转移，通过步骤(e)贴光敏膜、步骤(f)曝光、步骤(g)显影，把非线路部分的铜箔先用一层有机材料薄层，称为抗镀剂，掩蔽起来，而把线路部分，包括导线、焊盘、孔壁等表面裸露出来。这样，需要去除部分的金属铜表面被掩蔽，在电镀过程中不与药液接触，不再继续沉积金属；需要保留的部分，包括导线、焊盘、孔壁表面暴露在外，在步骤(h)电镀时与药液接触，继续电镀铜，然后步骤(i)电镀耐蚀刻金属，比如锡、锡铅合金、镍和金等。随后，在步骤(j)去除有机材料掩蔽层，把非线路部分的铜箔裸露出来，使之在步骤(k)蚀刻过程中与蚀刻剂反应，被氧化后溶入药液后从板面上消失，而导线、焊盘、孔壁等线路部分的表面因为有金属抗蚀剂遮蔽，不与蚀刻剂接触，被保留在板材上，形成需要的导电图形。最后，要在电路板的非焊接区制造阻焊图案，在焊接区域上涂覆可焊性材料。

反镀法制作电路板，成熟稳定但工序步骤多、操作复杂，能对线路部分和非线路部分区别进行电镀处理。其中，孔金属化形成起始导电层后，用电镀方法一次性往孔壁上沉积铜直到要求的最终厚度，同时，也在板面上其余部分增加铜导电层厚度的方法称为全板电镀蚀刻法；而在孔金属化后，在孔壁和板面上先电镀一薄层铜，铜厚控制到刚刚能耐受后续工序即止，在图形转移后，再进行电镀铜至要求的最终厚度，即仅使导电图案部分镀较厚的铜，在非导电图案部分镀较薄的铜的方法称为图形电镀蚀刻法。

掩孔法，是另外一种常用的制作电路板工艺路线，如图14所示。开料后的制程从步骤(b)钻孔、步骤(c)孔金属化开始，用化学镀或直接电镀方法在孔壁上形成起始导电层，在步骤(d)中用电镀方法继续在孔壁和板面上沉积金属铜至最终需要的厚度。然后，进行图形转移，通过步骤(e)贴光敏膜、步骤(f)曝光、步骤(g)显影，用一层有机材料薄层，称为抗蚀剂，把线路部分，包括导线、焊盘、孔掩蔽起来，把非线路部分的铜箔裸露出来。在接下来的步骤(h)蚀刻过程中，铜箔表面裸露的非线路部分接触蚀刻剂，发生氧化反应，溶入药液后从板面上消失，而导线、焊盘、孔壁等线路部分的表面因为有抗蚀剂遮蔽，未与蚀刻剂接触，结果被保留在板材上，形成需要的导电图形。与反镀法一样，掩孔法最后也要在电路板的非焊接区制造阻焊图案，在焊接区域上涂覆可焊性材料。掩孔工艺，特点是在全板电镀加厚铜，相对简单，但在制作导电图形时，因为需要蚀刻较厚的铜箔，更加不利于精细电路结构生产。

在上述现在常用的两种工艺路线中，通过孔金属化制造Z向连接的过程可以分成两个阶段：在绝缘的孔壁上制作初始导电层阶段和对孔壁上的导电层电镀加厚阶段。

制作初始导电层技术可分为化学镀铜和直接电镀两种方法。化学镀铜，也称化学沉铜，过程相对复杂，但更为成熟、稳定、是目前孔金属化的主流技术之一，应用广泛。化学镀铜技术，利用一种自身催化性氧化还原反应，在孔壁上把化学镀铜溶液中的铜(Cu++)离子还原成Cu，而这些被还原的金属铜晶核本身又成为溶液中其它铜离子的催化剂，使铜的还原反应继续在这些新的铜晶核表面上进行，最终在绝缘的孔壁上形成薄薄的一层金属铜层。相比于化学镀铜技术，直接电镀技术过程简单、环境友好，有碳膜法、钯膜法和高聚物膜三种方法，分别适合不同的应用场景。其中，碳膜法、钯膜法的前处理过程均是使孔壁亲水化，在活化时，直接让亲水且导电的碳、钯粒子与孔壁充分接触，附着在孔壁表面上，形成连续的薄层，为后续的电镀沉积提供基础导电膜；高分子法则分敏化、氧化、催化、固化几个阶段，在氧化阶段用高锰酸盐氧化电路板非金属区域表面，生成二氧化锰，在催化阶段二氧化锰参与不导电的单体吡咯聚合反应，被还原成二价锰，而聚合后的约0.1m聚吡咯则具备了导电性质，经固化后成为连续的导电高分子薄层，为后续的电镀沉积提供基础导电膜。这几种方法中，碳膜法更为流行，除了应用于部分刚性电路板制造，在柔性电路板制造领域已经居于主流地位，高分子膜法在部分低层数刚性电路板生产中受到重视，钯膜法由于成本原因应用并不广泛。

从技术实现上、经济上和电气性能上看，直接电镀和化学沉铜技术形成导电层速度慢、物理性质差，不足以满足电子产品对于Z向链路段导电性能和机械性能的要求，所以，加工进程到达薄层导电物呈连续状态且厚度和强度可耐受后续加工后，电路板生产就转用电镀技术，借助外部电源的动力，在孔壁上继续添加性能较好的金属铜。如前所述，有全板电镀和图形电镀两种技术路线可选，虽然两种技术的区别是电镀铜加厚的范围不同，但本质上，两种技术的重要目的，都是为了在孔壁上电镀铜，而为了在孔壁上电镀铜，都不得不用基材上原有的铜箔作为孔壁上镀铜的电源线，从这个角度看，X、Y平面上的导电图案，在电镀孔壁过程中起的仅仅是陪镀作用。

分析现行的用X、Y导电图案为Z向链路陪镀的结果，可以看到，现行的技术会限制Z向链路机、电性能的提高，还会导致后续导电图案制作流程的困难，影响整个电路板的精密度和制造成本。

首先，对比X、Y平面与Z向导电层，可以看到，无论是全板电镀还是图形电镀都没有真正解决电路板连接链路Z向导电层厚度与X、Y向导电层厚度一致的问题，在电镀加厚起始导电层过程中，还会扩大构成Z向链路的孔壁导电层与构成X、Y链路的板面导电层的厚度差。因为，在X、Y平面上，导电层基于基板上固有的导电铜箔，上述的电镀铜加厚孔壁导电层过程，还在板面固有铜箔基础上，与孔壁同步增加导电层厚度，而且，由于电力线分步的因素，还由于电镀过程的深度能力和均镀能力限制，板面沉积层的厚度会大于孔壁沉积层。这与当前和未来的电子产品，对于电路板电气连接性能不断增加的要求，特别是对于Z向链路的越来越高的性能要求背道而驰。因此，有必要开发一种能选择性电镀加厚孔的技术。

其次，分析图形电镀、全板电镀后的在制板板面铜箔和原始绝缘基板板面铜箔，不难知道，铜箔的厚度增加了，质量变差了。IPC-6012标准中，对金属化孔铜厚有明确的要求，至少为20μm。现在的电路板制程，深镀能力有限，当孔壁铜厚达到20μm时，板面增加的铜厚度超出孔壁铜厚，与材料原有铜箔厚度18um相加后，总铜厚超过40μm，甚至达到50um。这样，电路板电镀铜工序产生的导电层，成了未来导电图形导电层的顶层，在趋肤效应的作用下，是频率较高的电信号传输的主要介质。然而，必须看到，电路板生产中用电镀技术沉积出铜层的质量，比材料原有的用电铸或压延技术制造出的铜箔的纯度略低，晶体略粗糙，电气和机械性能质量略差，在这个意义上，导电层厚度的增加反而不利于信号传输。因此，有必要开发一种技术，不用X、Y面上的导电图案作电源线，能独立地电镀增加孔壁导电层。

更进一步，现行的电路板生产技术，不论是图形电镀，还是全板电镀，都会在材料原始铜箔基础上，至少增加厚度达25μm左右的电镀铜层。毫无疑问，如此孔金属化技术的结果大幅度增加了制造导电图案过程的难度。传统技术，用化学蚀刻技术制造导电图案，加工过程中，蚀刻液与铜箔接触进行蚀刻，蚀刻除了垂直向铜箔深度进行，由于蚀刻液与导线两侧面接触，使得蚀刻同时也在导线的两个侧向进行。被蚀刻的铜层越厚，时间越长，侧向蚀刻现象越严重，侧向蚀刻不仅减小了导线宽度，严重时还会产生断线，可见，铜箔厚度及其导致的侧向蚀刻是一种制约导电图案精细度的因素。如此看来，为了制造更精密的导电图案，也有必要开发一种技术，不用在X、Y面上增加铜箔厚度，降低蚀刻制造导电图案的难度。

此外，用激光直接去除非线路区域的导电材料制造导电图案，精度高，步骤少，生产柔性大，环境友好，近年来应用越来越广泛。专利申请DE102010019406A1中，公开了一种去除指定区域金属箔层的方法。先沿相互平行的直线，与已知的导线走向形成的主轴线(X、Y)成22.5°的锐角，用激光把要去除的金属箔层区域分隔成相互绝缘的小块，然后，对分隔成的条状小块加热降低其与基板材料附着力的同时，用与沟道既不平行，又不垂直的流体将条状小块整体去掉，留下的金属箔层部分作为需要的导电图案。德中技术公司的专利申请CN103747626A改善了上述专利的技术方案，先用激光制作线路部分的绝缘包络沟道，再用激光把非线路部分分隔形状互补、颠倒的几何体，最后用激光加热将小块剥离。专利申请CN103769749A则沿与水平线成45°或135°方向，依次用激光将非线路部分分为顶端收窄，底端放宽和顶端放宽，底端收窄的长条形，最后用激光往返加热，剥离小块。这些专利，都需要用激光光蚀去除导电材料，但孔金属化后的导电层厚度不均，施加一定的激光功率，要么导致铜箔厚度较大区域出现激光功率过小，去铜不净，残留铜影响绝缘性能现象，要么导致铜箔厚度较小区域出现激光功率过大，烧蚀铜箔下面的绝缘材料，影响电路板质量现象。如此看来，规模化用直接激光加工替代间接化学蚀刻技术制导电图案，也需要开发一种不用绝缘基材上的原始铜箔陪镀的技术。

公开号为CN101232782A的专利申请公布了一种技术方案，制造导电图形及钻孔以后，再进行孔金属化，结果是在孔壁上形成了初始导电层，但同时也往板面的非线路部分又添加了导电材料铜的薄层，使全板上所有孔都可以与电镀电源电气连通。然后，用光敏材料制造出遮盖板面但裸露出孔体的抗镀图形，借助孔金属化时在非线路区域产生的导电材料铜薄层和制出的导电图形，向孔壁提供电流，进行电镀铜沉积加工，达到只往孔表面上沉积铜加厚孔壁目标。最后，用差分腐蚀法去掉非线路部分导电层。相比传统电路板制造过程，这个技术方案，除了增加一个掩蔽板面裸露孔体制造流程外，还增加了一个差分蚀刻制造流程，流程繁琐。而且，露出孔体制程的任何对位误差、形状误差都会导致电镀加厚孔壁时铜的多余沉积或欠沉积，造成孔环或孔内缺陷；更进一步，差分腐蚀法，在蚀刻去除非线路区域薄铜层时，必定也会蚀刻线路表面铜箔，不仅可能导致铜厚不足，还会增加线路表面粗糙度，不利于电流、特别是高频电流传输。

申请号为CN201410190917.2的发明人公布了一种电路板选择性电镀导电孔的方法，适合于高分子导电膜法直接电镀孔金属化工艺。高分子导电膜直接电镀的机理是，用高锰酸盐氧化处理基板材料，在高聚物粘结剂-环氧树脂和已经敏化处理过的玻璃纤维的表面上生成二氧化锰，在酸性溶液中的二氧化锰(MnO2)作用下，导电聚合物的单体吡咯(3,4-乙氧基噻酚/3,4-Ethylendioxithiophen)发生聚合反应生成导电的高分子聚吡咯，作为以后直接电镀的起始导电层。该专利申请的技术方案为，用抗电镀的，抗生成高分子导电膜的药液处理的，并且可以剥离的材料，即可剥胶和/或涂覆有硅橡胶粘接剂的聚酯薄膜，掩蔽板面所有的区域，钻孔并露出孔壁表面，然后，经高分子导电膜直接电镀流程处理，再电镀，以期实现只往孔壁上沉积铜的电镀加工。

实施这个技术方案的实践中，可以发现三方面不足。问题之一是材料的强度、刚度以及与工件的结合力不够。该技术方案电镀孔需要专用的掩蔽层，即电镀孔掩蔽层。电镀孔掩蔽层与制导电图案的掩蔽层是两种不同的物质，需要在不同的生成流程中涂覆和去除，整个电路板制程既需要专用电镀孔掩蔽层的涂覆和去除两个过程，还需要专用制导电图案掩蔽层的涂覆和去除两个过程。为了掩蔽板面，该技术方案采用了可剥胶和聚酯薄膜，以期抵抗高锰酸盐氧化作用；为了方便去除，该技术方案采用了形态为胶状的可以剥离的材料作为电镀孔掩蔽层材料。可剥胶一般以氯乙烯与醋酸乙烯的共聚物为主要成份，是一种在外力的作用下可以容易地从被粘接工件上剥离的非固态物质，该专利的技术方案在涂覆可剥胶后需要进行钻孔加工，钻头对可剥胶和覆铜箔板的冲击和切削作用产生剪切力会导致孔周围的掩蔽层与覆铜箔分层、离骨。同理，该技术方案的聚酯薄膜是通过硅橡胶胶粘剂附着在覆铜箔板表面上，硅橡胶起着可剥胶的离型作用，钻孔加工也会导致孔周围的掩蔽层与覆铜箔分层、离骨，起不到掩蔽作用。

实施这个技术方案的问题之二是材料的加工耐受能力低。首先，该方案采用机械钻孔技术伴随环氧钻污问题，即高速旋转的钻头对工件产生挤压和研磨作用，导致在孔壁环氧树脂熔化，环氧树脂的重熔物粘附在孔壁及内层铜箔上，因为该物质与孔壁本体环氧树脂结合力不高，而且还遮盖了孔环部分的导电材料，在进行孔金属化前，通常要用强氧化物，比如高锰酸钾，去除环氧钻污(desmear)，及去胶渣，以避免其对后续孔金属化时添加的金属与原金属互连可靠性的影响。其次，高分子导电膜法直接电镀的孔金属化工艺，需要用高锰酸根浓度为100g/L及以上溶液在温度为摄氏90度条件下处理70秒钟。这两个强氧化过程，无论是对可剥胶，还是对粘合聚酯薄膜的胶粘剂都会产生破坏性氧化作用，使与基材附着力本来就不大的掩蔽材料与覆铜箔结合力下降，出现离骨、分层、成缝、开口现象，必将导致掩蔽板面效果差，电镀铜加厚孔壁后，由于溶液渗入、漫流、浸泡等作用，反而会加重覆铜箔板板面铜箔厚薄不一的问题。

这个技术方案的问题之三是孔边缘电镀凸沿。可剥胶和涂覆有硅橡胶胶粘剂的聚酯薄膜，和孔壁表面构成覆铜箔绝缘板的绝缘材料环氧树脂一样，在经过高分子导电膜直接电镀药液的高锰酸盐处理后，孔环表面以及板面也会产生二氧化锰，这些在可剥胶、聚酯薄膜上的二氧化锰同样会导致单体吡咯的聚合，在孔环和板面出现高分子导电膜。这层导电膜，只能在电镀沉积铜前撕掉，否则，就会在可剥胶、聚酯薄膜上电镀沉积铜，特别是在可剥胶和聚酯薄膜层构成的孔环上沉积铜，呈凸沿形状突出于孔盘，达不到选择性只在孔壁上沉积铜的目的。事实上，无论如何，由于尖端放电效应造成的电力线非均匀性集中，电镀后在板面和孔壁交汇的折角处，出现铜超比例沉积，导致工件板面与孔壁交汇区域铜金属向上、向内突出，影响孔的质量。

更重要的是，高分子导电膜法直接电镀孔金属化工艺适用范围十分有限，不适合多层电路板。综合考虑质量、成本等等因素，更需要解决直接沉积导电材料的传统的化学沉铜孔金属化技术、黑孔直接电镀孔金属化技术、钯膜法直接电镀孔金属化技术面临的只金属化和电镀孔壁难题。因为这些技术，在孔金属化前，都需要进行酸、碱或有机溶剂处理，显然，上述应用可剥性胶状材料的技术方案，包括使用可剥胶，包括使用聚酯薄膜作为掩蔽材料，虽然有一定的抗氧化作用，不仅机械强度不足，而且完全不耐传统化学沉铜孔金属化技术、黑孔直接电镀孔金属化技术、钯膜法直接电镀孔金属化技术所需要的用酸、碱和有机物进行的亲水化处理，尚不能应用于主流的孔金属化技术中，必须另外寻找更适合的材料和方法。

发明内容

有鉴于此，针对现有技术不能独立金属化和电镀加厚孔壁的缺陷，以及针对高分子膜直接电镀法新技术方案的不足，本发明旨在提出一种只对孔壁进行金属化和电镀的方法，采用了一种非光敏的疏孔金属化活性物质的材料掩蔽板面，可以只在孔壁上沉积金属到需要的厚度，流程简单，能控制孔壁铜厚，更好地满足电子产品对电路板的电气要求，节约铜材料，适合各种电路板大批量生产，也适合电路板样品及小批量、多品种制作。

为达到上述目的，本发明的技术方案是这样实现的：

一种只对孔壁进行金属化和电镀的方法，其特征在于：在覆铜箔板上涂覆一种疏孔金属化活性物质的材料，用以掩蔽板面；钻孔后，仅活化顶层铜箔至底层铜箔之间的孔壁段，只直接电镀或先化学镀再电镀该段孔壁至需要的厚度，并电解去除孔沿突出物；

具体包括如下步骤：

1)往内部没有或有一层及以上导电图形的双面覆有铜箔的工件板表面上涂覆一种具有耐孔金属化前的酸、碱、有机物处理并抗电镀的疏孔金属化活性物质的材料，形成与板面结合力强的板面抗电镀掩蔽层，用以掩蔽板面；

2)激光直接钻孔或机械钻孔后再用激光清除孔壁胶渣；

3)对顶层铜箔至底层铜箔之间的孔壁段进行导电化处理；

4)电镀铜，往孔壁上沉积铜至需要的厚度；

5)电解去除孔沿突出物，进行电路板生产的后续加工。

现有技术一般采用光致干膜作为抗电镀掩膜，光致干膜为三层结构，光敏胶涂层在载膜和保护膜之间，由胶粘剂和光聚合单体等组成，形成图案过程较复杂，要经过光绘制版、贴膜、曝光、显影工序；而且，价格贵，强度不高且厚度较大，一般在20μm以上，分辨率受限，掩蔽效果较差。

进一步，所述疏孔金属化活性物质的材料为非光敏材料。

进一步，所述疏孔金属化活性物质的材料为树脂及其改性物涂料、聚合物、高分子材料及其改性物薄膜中的一种或两种以上的逐层叠加。

进一步，所述树脂及其改性物涂料包括有机硅及其改性物涂料；所述聚合物包括派瑞林；所述高分子材料及其改性物薄膜包括由PET、PI、PTFE、PP、PA、PPE、PE、PVC、BOPP和EVA中的一种以上及其改性物制造的热固、光固、可热压合附着的薄膜，以及这些薄膜通过粘结剂复合其它材料的热固、光固、可热压合附着形成的薄膜。

掩蔽层不必须具备光敏性能，材料并非经半固化、亚固化的胶粘剂粘接附着，而是以固化状态，直接附着于工件表面，材料本身的刚度、强度都可以选择明显高于传统膏体状态品种，耐受酸、碱、有机溶剂等的性能大幅度提高，遮蔽效果好，特别是具备疏离活性粒子的性质，抗沉积性能好，能很好地达到物理遮蔽板面、电气上与覆铜箔绝缘，阻止活性粒子和金属离子沉积的作用。

进一步，所述涂覆的方法为滚压、热压、印刷、镀覆、喷涂、漏印、喷印、辊涂、帘涂、真空气相沉积中的一种或两种以上的结合；涂覆的板面抗电镀掩蔽层的厚度为0.3μm-1500μm，优选为1μm-100μm；涂覆的材料在钻孔加工时与绝缘基板表面的铜箔不分层、不裂缝。

进一步，所述步骤2)还包括机械手段钻孔后，再用光束为环形的超短脉冲的激光冷加工光蚀去除胶渣层；或包括用大单脉冲能量激光钻孔后，用光束为环形的超短脉冲的激光冷加工扩孔至规定尺寸；所述光束为高斯、平顶、环形、贝塞尔、多点的纳秒紫外波长激光，钻孔激光为皮秒、飞秒激光。

钻孔工具既可以是机械钻头，也可以是聚焦激光光束，还可以是用机械和激光相结合钻孔，即用机械方法钻直径较大的孔，用激光加工钻直径较小的孔。

而采用激光去除材料，大多数情况下，并不会出现伴随机械钻孔的高温重熔，特别是采用紫外等短波长或超快激光钻孔技术，以光化学作用为主，加工界面干净整齐，孔壁上没有熔渣，可以直接进行孔金属化，根本不需要走去钻污流程。

机械方法，适合钻直径较大的孔，但以大于十万转每分钟的速度钻孔，除了刀具磨损钻孔质量不一致外，还伴随环氧钻污问题。本发明中，用机械方法钻孔后，再用光束为环形的或贝塞尔的激光扩孔，以去除环氧钻污，速度快，效果好。

激光加工的速度取决于激光脉冲能量的高低，单脉冲能量越高，加工速度越快；而激光加工的热效应和精细程度与激光的脉冲持续时间相关，脉冲持续时间越短，加工的热效应越小，精细程度越高。一般情况下，很难使激光脉冲同时具备单点脉冲能量大，而脉冲持续时间短的性质。本发明中，用大单脉冲能量激光钻起始孔，以提高加工效率，再用超快环形激光加工孔壁，保证孔壁界面质量。

用激光去除板面抗电镀掩蔽层时，要将聚焦激光光功率密度设置到大于去除该材料所需的最低功率密度，比如，大于该材料所需最低光功率密度的1.2倍，但低于或接近于去除其下所覆盖的金属铜层所需最低光功率密度。

进一步，所述步骤3)的孔壁金属化采用化学镀铜法或直接沉积碳黑、石墨、胶体钯、离子钯中的任一种；

所述步骤3)还包括孔金属化前处理，以及沉积胶体钯活化，及其后化学镀铜形成初始导电层的活化和化学沉铜流程；或包括孔金属化前处理，及其后往孔内沉积活性物质碳黑、石墨、胶体钯、离子钯中的任一种，直接形成初始导电层的直接电镀流程；

所述步骤3)还包括在直接电镀后，或活化之后和化学镀铜之前，用物理手段拂、擦、拭、磨或化学手段去除残留板面上实现孔金属化活性物质的钯、石墨、碳黑。

现有技术在孔壁上制造起始导电层有两类方法：传统的化学沉铜工艺，先在工件表面分散性的沉积有活性的粒子，比如金属钯粒子，然后以活性粒子作为铜金属生长的活性中心，再化学法沉积铜金属直至分散的金属铜生长成连续的起始导电层，用于后续电镀沉积铜的底层；直接电镀工艺，在工件表面上制造连续导电膜，比如碳、石墨、高分子、贵金属钯导电膜，直接用作后续电镀沉积铜的底层。现有技术中两类方法制造的初始导电膜过程，工件表面原有的铜箔与孔壁同时裸露在活化或直接电镀打底溶液中，无论是后续化学沉积金属铜生长初始导电膜，还是直接电镀初始导电层形成后再电镀沉积金属铜，都不可避免的同时在板面铜箔上的沉积并不需要的铜。本发明最重要的创新是用疏孔金属化活性物质的材料，掩蔽板面，将初始导电层形成和后续的电镀铜沉积的范围控制在孔壁范围内。因为实现孔壁导电的物质不一定是金属，在本发明中，为了便于理解，涉及现行技术时仍用孔金属化进行描述；而为了更准确，涉及本发明的过程时用孔壁导电化描述，孔壁导电化既包括用金属实现的孔导电过程，也包括用非金属材料实现孔壁导电的过程。

在步骤3)中，因为板面覆有掩蔽层，且该薄膜外表面具有疏实现孔金属化活性物质，即化学镀活性种子钯，直接电镀起始导电层碳黑、钯等的性能，掩蔽了板面，所以在直接电镀方法的黑孔步骤后，或在化学沉铜方法的活化处理后，板面不会有导电的碳黑、石墨等物质，也不会附着具有催化作用的金属钯活性粒子及化学沉积的铜等物质。这样，本发明不仅产生了只在孔壁上活化及化学镀初始导电层，或只在孔壁上制造初始导电层效果，还能维持板面与覆铜箔导电层处于电气绝缘状态，使得在后续电镀时，不会有金属铜在板面铜箔上沉积，从而达到只在孔壁上沉积铜导电层的目的。

因此，实现步骤3)有两种方法，一种是直接电镀方法，例如，用碳膜法对孔进行黑孔化，经过“前处理→黑孔”步骤后形成起始导电层；另一种是传统化学沉铜工艺，经过“镀前处理→活化处理→化学镀铜”后形成起始导电层。其中，化学镀铜的厚度达到保证过程可靠的下限即可，比如1μm。

进一步，在进行步骤1)之后，在进行步骤2)、3)之前或之后，在进行步骤4)之前，用激光去除板面上电镀夹具夹持点部位板面抗电镀掩蔽层(1)，并露出其下的铜箔(2)，以实现电镀时经电镀夹具、触点处板面铜箔、板面覆铜箔至孔壁导电层的电流通路。

进一步，为了解决电镀孔筒时，总面积过小，电力线分步不均，电流密度不容易控制等问题，可以在工件上制造有助于改善质量的电镀平衡块；即在步骤1)之后并在步骤4)之前，用激光去除非线路且与线路间隔大于30μm以上，优选间隔大于50μm的无电气功能的死铜区域、或导电层需要去除且不对后续去除过程产生负面影响的区域、或铜厚不影响其功能的区域、或增加铜厚对功能有正面影响的区域上的板面抗电镀掩蔽层，并露出其下的铜箔，形成有利于电镀孔壁时电镀电流平衡分布的分散图案即，电镀平衡块。

制造电镀平衡块，仅需去除对应部位铜箔表面的有机材料。此时，所用聚焦激光光斑光功率密度须大于去除有机材料所需的最低功率密度，并且低于或接近于去除其下所覆盖的金属层所需最低光功率密度。优选大于去有机材料所需最低光功率密度的1.2倍。

在步骤4)中，控制点是电镀时间。此时，板面上除孔筒和电镀平衡块以外，全部区域上都有掩膜覆盖，掩膜是绝缘材料，虽然与电镀药液接触，但表面上沉积不上铜，因此，只有孔筒和平衡块在电镀过程中能沉积铜，电镀时间足够，就能在孔筒上获得足够厚度的铜沉积层，达到了选择性控制孔壁铜厚的目的。

孔沿突出物一方面是由于掩蔽材料形成的孔环上有活性物质沉积，经电镀沉积再加厚导致；另一方面是由于电镀沉积本身与电力线分布有关，尖端放电、深度能力、均镀能力都是导致孔边缘镀层厚度大的狗骨状孔，以及凸台的原因。针对这样的现象，本发明采用以下两项措施：一是在进行步骤4)过程中，采用脉冲电源，周期性改变供给工件电流的方向，边电镀边电解，提升电镀沉积质量，消除狗骨现象；一是在结束步骤4)后，使用独立电解槽和电解电源对工件进行电解，将工件作为阳极，利用尖端放电效应，削峰填谷，电解去除孔沿突出物，使孔壁、孔边缘平坦化。

相对于现有技术，本发明所述的只对孔壁进行金属化和电镀的方法具有以下优势：

(1)本发明选用的掩蔽材料及其涂覆方法能直接在基板材料铜箔上形成具备一定刚度、强度的保护层，能耐受钻孔加工的冲击力和剪切力，且不会出现离骨、分层、成缝、开口等现象，掩蔽板面效果好，因此本发明所选取的掩蔽层的材料除了能够有效掩蔽板面，还能便于采用统一的激光参数进行处理，操作简单，简化了工作流程，因为在激光去除的过程中，若掩蔽层与板面分离或掩蔽层缺失，则可能导致激光破坏工件板上的铜箔，而影响后续工作进行，因此，本发明所述的掩蔽层的材料选择、掩蔽层的形成方式及掩蔽层的去除之间是相辅相成，相互存在联系的；而且通过这些的设计可以减少操作步骤，孔金属化变得简单，提高了工作效率，降低了制作成本，保证了电路板的成品率，适合各种电路板大批量生产，也适合电路板样品及小批量、多品种制作。

(2)本发明所述的方法在板面上涂覆一种具有耐孔金属化前的酸、碱、有机物处理以及孔金属化处理并抗电镀、抗蚀刻的疏孔金属化活性物质的材料以形成掩蔽层，适合传统化学沉铜孔金属化工艺，适合碳膜法、钯膜法直接电镀孔金属化工艺，适合激光去除制造图案工艺。掩蔽层可以保证只活化顶层铜箔至底层铜箔之间的孔壁段，并只直接电镀或先化学镀再电镀该段孔壁，容易控制孔壁镀层厚度。

(3)本发明采用滚压、热压、印刷、镀覆、喷涂、漏印、喷印、辊涂、帘涂、真空气相沉积等方式将疏孔金属化材料涂覆在板面上，使得材料与板面直接接触，且结合力更强，而并未采用胶粘接，保证材料能更稳定、更牢固的附着在板面上而不脱落，且该方式操作简单。

(4)本发明实现只电镀孔壁，不增加非线路部分导电层厚度，适合使用激光直接去非线路部位的铜箔制造导电图案，适合蚀刻制造精细导电图案。

(5)本发明用激光加工孔壁，免去了传统去胶渣使用强氧化剂及相关的化学流程和材料。

(6)本发明用电解或脉冲电镀方法对工件进行电解，利用电解的削峰平谷功能，去除电镀产生的孔板拐角凸沿，电路板孔、盘几何形状好。

(7)本发明使用非光敏材料，不用往非线路部分电镀铜，避免了全板电镀铜材料浪费，降低成本，环境友好。

(8)本发明在板面上制造电镀平衡块，解决电镀孔铜时，总面积过小，电力线分步不均，电流密度不容易控制等问题，有助于改善电镀质量。

附图说明

构成本发明的一部分的附图用来提供对本发明的进一步理解，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：

图1为本发明所述的只对孔壁进行金属化和电镀的方法的实施例1的掩蔽层的结构示意图；

图2为本发明所述的只对孔壁进行金属化和电镀的方法的实施例1的钻孔后的结构示意图；

图3为本发明所述的只对孔壁进行金属化和电镀的方法的实施例1的孔壁金属化后的结构示意图；

图4为本发明所述的只对孔壁进行金属化和电镀的方法的实施例1的A处局部放大图；

图5为本发明所述的只对孔壁进行金属化和电镀的方法的实施例1的电镀铜后的结构示意图；

图6为本发明所述的只对孔壁进行金属化和电镀的方法的实施例1的B处局部放大图；

图7为本发明所述的只对孔壁进行金属化和电镀的方法的实施例2的掩蔽层的结构示意图；

图8为本发明所述的只对孔壁进行金属化和电镀的方法的实施例2的钻孔后的结构示意图；

图9为本发明所述的只对孔壁进行金属化和电镀的方法的实施例2的孔壁金属化后的结构示意图；

图10为本发明所述的只对孔壁进行金属化和电镀的方法的实施例2的C处局部放大图；

图11为本发明所述的只对孔壁进行金属化和电镀的方法的实施例2的电镀铜后的结构示意图；

图12为本发明所述的只对孔壁进行金属化和电镀的方法的实施例2的d处局部放大图；

图13为背景技术中图形电镀蚀刻法(反镀法)的制板流程图；

图14为背景技术中掩孔法的制板流程图。

附图标记说明：

1-掩蔽层；2-铜箔；3-初始导电层；4-电镀铜；5-绝缘层；6-电镀薄铜；7-光敏掩膜；8-孔；9-菲林；10-电镀厚铜；11-金属抗蚀层；12-菲林遮光部分；13-菲林透光部分。

具体实施方式

需要说明的是，在不冲突的情况下，本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。

在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”等的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。

在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以通过具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

下面将参考附图并结合实施例来详细说明本发明。

实施例1

本实施例以双面印制电路板为例，具体加工步骤如下：

(1)往双面印制电路板整板沉积派瑞林形成掩蔽层1，如图1所示，

具体地，通过真空气相沉积方法在双面电路板表面沉积夏禹纳米科技生产的派瑞林涂层，涂层厚度约3um。

现有技术一般采用光致干膜作为抗电镀掩膜，光致干膜为三层结构，光敏胶涂层在载膜和保护膜之间，由胶粘剂和光聚合单体等组成，形成图案过程较复杂，要经过光绘制版、贴膜、曝光、显影工序；而且，价格贵，强度不高且厚度较大，一般在20μm以上，分辨率受限，掩蔽效果较差。

本发明的掩蔽膜不需要具备光敏感性能，但其表面需具有疏孔金属化的活性物质的性质，并且耐孔金属化前的酸、碱、有机物等处理，以及耐孔金属化过程，抗电镀。本发明中，由于材料不必须具备光敏性能，材料并非经半固化、亚固化的胶粘剂粘接附着，而是以固化状态，直接附着于工件表面，本身的刚度、强度都可以选择明显高于传统膏体状态品种，耐受酸、碱、有机溶剂等的性能大幅度提高，遮蔽效果好，特别是具备疏离活性粒子的性质，抗沉积性能好，能很好地达到物理遮蔽板面、电气上与覆铜箔绝缘，阻止活性粒子和金属离子沉积的作用。

(2)激光直接钻孔或机械钻孔后再用激光清除孔壁胶渣；如图2所示。

被钻孔材料是导电铜箔和绝缘材料交替叠层而成的复合材料，与传统技术不同，本发明所钻材料增加了贴在板面上的高聚物掩蔽膜。包括机械手段钻起始孔后，再用光束为环形的超短脉冲的激光冷加工光蚀去除胶渣层；包括用大单脉冲能量激光钻孔后，用光束为环形的超短脉冲的激光冷加工扩孔至规定尺寸；包括用光束为高斯、平顶、环形、贝塞尔、多点的纳秒紫外波长激光，皮秒、飞秒激光钻孔。

钻孔工具既可以是机械钻头，也可以是聚焦激光光束，还可以是用机械和激光相结合钻孔，即用机械方法钻直径较大的孔，用激光加工钻直径较小的孔。

而采用激光去除材料，大多数情况下，并不会出现伴随机械钻孔的高温重熔，特别是采用紫外等短波长或超快激光钻孔技术，以光化学作用为主，加工界面干净整齐，孔壁上没有熔渣，可以直接进行孔金属化，根本不需要走去钻污流程。

机械方法，适合钻直径较大的孔，但以大于十万转每分钟的速度钻孔，除了刀具磨损钻孔质量不一致外，还伴随环氧钻污问题。本发明中，用机械方法钻孔后，再用光束为环形的或贝塞尔的激光扩孔，以去除环氧钻污，速度快，效果好。

本实施例中，具体地，使用德中技术公司生产的飞秒紫外激光设备S5按照设计要求打孔。将设计好的数据导入数据处理软件，生成设备可用的打孔数据，并导入激光设备操作软件中，将板子至于设备平台，CCD定位，进行全自动打孔加工。

激光钻孔参数：

波长

脉宽

光斑直径

功率

频率

加工速度

加工次数

355nm

600fs

20μm

12.5w

1200KHz

800mm/s

5次

(3)孔壁金属化，对顶层铜箔至底层铜箔之间的孔壁段进行导电化处理，如图3、图4所示。

本步骤的目的是仅在孔壁上沉积起始导电层，为下一步电镀孔壁加厚导电层打底。

本步骤中，因为板面覆有掩蔽膜，且该薄膜外表面具有疏实现孔金属化活性物质，即化学镀活性种子钯，直接电镀起始导电层碳黑、钯等的性能，掩蔽了板面，所以在直接电镀方法的黑孔步骤后，或在化学沉铜方法的活化处理后，板面不会有导电的碳黑、石墨等物质，也不会附着具有催化作用的金属钯活性粒子及化学沉积的铜等物质。这样，本发明不仅产生了只在孔壁上活化及化学镀初始导电层，或只在孔壁上制造初始导电层效果，还能维持板面与覆铜箔导电层处于电气绝缘状态，使得在后续电镀时，不会有金属铜在板面铜箔上沉积，从而达到只在孔壁上沉积铜导电层的目的。

本步骤中，采用黑孔工艺在孔内沉积导电碳黑作为初始导电层。

具体地，将该双面板进行刷板，去除孔口毛刺，同时对板面进行清洁，然后正常进行黑孔工艺，因板面涂覆的派瑞林涂层能够防止黑孔液在表面沉积，仅在孔壁沉积导电碳黑，碳黑导电层的厚度约为0.5μm。

(4)电镀铜，往孔壁上沉积铜至需要的厚度，如图5、图6所示。

在进行步骤(1)之后，在进行步骤(2)、(3)之前或之后，在进行步骤(4)之前，用激光去除板面上电镀夹具夹持点部位的派瑞林涂层，露出其下的铜箔面，同时将电路板四周板边区域以及死铜区域的派瑞林去除，作为电镀时电流平衡分流区域。

制造电镀平衡块，仅需去除对应部位铜箔表面的有机材料。此时，所用聚焦激光光斑光功率密度须大于去除有机材料所需的最低功率密度，并且低于或接近于去除其下所覆盖的金属层所需最低光功率密度。优选大于去有机材料所需最低光功率密度的1.2倍。

具体地，本实施例采用德中技术公司生产的20W紫外纳秒激光机U6激光去除电镀夹具夹持点部位和电镀平衡块区域的派瑞林：将电路板置于激光设备吸附台上，导入激光加工的工程资料数据，将电路板与加工数据精准对位，激光光蚀去除派瑞林涂层。顶面加工完成后，翻转电路板，同样的方法去除覆铜板底面派瑞林。

加工参数如下：

波长

脉宽

光斑直径

功率

频率

加工速度

加工次数

355nm

20ns

20um

8w

150KHz

800mm/s

3次

此步骤控制点是电镀时间。此时，板面上除孔筒和电镀平衡块以外，全部区域上都有掩膜覆盖，掩膜是绝缘材料，虽然与电镀药液接触，但表面上沉积不上铜，因此，只有孔筒和平衡块在电镀过程中能沉积铜，电镀时间足够，就能在孔筒上获得足够厚度的铜沉积层，达到了选择性控制孔壁铜厚的目的。

具体地，采用脉冲电源，周期性改变供给工件电流的方向，边电镀边电解，提升电镀沉积质量，进一步消除狗骨现象。该步骤电镀铜参数共分为5段，第一段为直流电镀，第二段至第四段为脉冲电镀，最后一段为直流电镀，最终电镀铜厚度约为25um，具体参数如下：

第一段电镀参数：15ASF*10min

第二段电镀参数：20ASF*10min(正反电流比为1:2，正反时间比为：20:1)

第三段电镀参数：20ASF*20min(正反电流比为1:2.5，正反时间比为：40:2)

第四段电镀参数：20ASF*10min(正反电流比为1:2，正反时间比为：20:1)

第五段电镀参数：15ASF*5min。

(5)用激光将双面板上其他区域的派瑞林全部去除，然后进行电路板生产的后续加工；也可以根据需要选择性的去除涂层，比如可以用激光选择性去除涂层以形成导电图形。

实施例2

本实施例以4层印制电路板为例，具体加工步骤如下：

(1)在已经完成内层线路制作，层压后的4层电路板上，双面热压复合RPP薄膜，如图7所示。

具体地，热压复合RPP薄膜，薄膜厚度约10um，贴合参数为：压力15kg/cm²，温度100℃，速度0.1m/min。

(2)激光直接钻孔或机械钻孔后再用激光清除孔壁胶渣，如图8所示。

具体地，本实施例采用先机械钻孔，然后再通过飞秒激光光束扩孔，最终满足孔径要求。机械钻孔使用德中技术公司生产的DCT-DM350设备按照设计要求钻孔。将设计好的数据导入德中CircuitCAM数据处理软件，经此软件处理之后，生成设备可用的打孔数据，并导入DM350设备，将需钻孔的板子至于设备平台，CCD定位，进行全自动打孔加工，根据孔径不同，具体钻孔参数也有所不同，其主要参数范围如下：钻头转速45000转/min-100000转/min，进刀速度15mm/s-30mm/s，退刀速度25mm/s-40mm/s。

机械钻孔后再用飞秒激光进行扩孔。具体地，将设计好的数据导入数据处理软件，生成设备可用的打孔数据，并导入飞秒激光设备操作软件中，将板子至于设备平台，CCD定位，进行全自动打孔加工。具体参数如下：

激光钻孔参数：

波长

脉宽

光斑直径

功率

频率

加工速度

加工次数

355nm

600fs

20μm

12.5w

1200KHz

500mm/s

30次

(3)孔壁金属化，对顶层铜箔至底层铜箔之间的孔壁段进行导电化处理，如图9、10所示。

本步骤中，采用化学沉铜方法制作初始导电层。

只有孔壁部分能与药液接触，其余板面全部被掩蔽层1所覆盖，此复合RPP膜表面具有疏化学活化特性，因此板面不能形成化学沉铜层，而孔壁的表面会形成一层较薄的化学沉铜层。

具体地，在沉铜前可以不进行除胶渣，直接沉铜，为保证药水活性沉铜时需要搭配提高药水活性的负载板，沉铜层的厚度约为0.6um。

(4)电镀铜，往孔壁上沉积铜至需要的厚度，如图11、12所示。

用激光去除板面上电镀夹具夹持点部位的RPP薄膜，露出其下的铜箔面，同时将电路板四周板边区域以及死铜区域的薄膜去除，作为电镀时电流平衡分流区域。

具体地，本实施例采用紫外纳秒激光机去除RPP薄膜，将电路板置于激光设备吸附台上，导入激光加工的工程资料数据，将电路板与加工数据精准对位，激光光蚀去除RPP薄膜。顶面加工完成后，翻转电路板，同样的方法去除底面薄膜。

加工参数如下：

波长

脉宽

光斑直径

功率

频率

加工速度

加工次数

355nm

20ns

20μm

6w

200KHz

600mm/s

1次

进一步的，控制沉铜后不能超时，正常进行直流电镀，电镀铜参数为：10ASF*90min，最终电镀铜厚度约为25μm。

(5)电解去除孔沿突出物，进行电路板生产的后续加工。

孔沿突出物一方面是由于掩蔽材料形成的孔环上有活性物质沉积，经电镀沉积再加厚导致；另一方面是由于电镀沉积本身与电力线分布有关，尖端放电、深镀能力、均镀能力都是导致孔边缘镀层厚度大的狗骨状孔，以及凸台的原因。

本发明采用的薄膜具有疏孔金属化活性物质的功能，只在孔壁上活化及化学镀初始导电层，或只在孔壁上制造初始导电层效果，还能维持板面与覆铜箔导电层处于电气绝缘状态，使得在后续电镀时，不会有金属铜在板面铜箔上沉积，但是由于电力线分布的关系，使用直流电镀时会在孔口处产生凸台，本发明在结束步骤(4)后，使用独立电解槽和电解电源对工件进行电解，将工件作为阳极，利用尖端放电效应，削峰填谷，电解去除孔沿突出物，使孔壁、孔边缘平坦化。具体地，本步骤采用磷酸电解液进行电解，电解参数2ASD*15min。

本发明实现选择性只加厚孔后，后续加工包括用激光全部去除板面上由疏孔金属化活性物质的材料形成的板面抗电镀掩蔽层，包括用激光选择性去除板面上由疏实现孔金属化的活性物质的材料形成的板面抗电镀掩蔽层制造掩蔽层图形。

以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种只对孔壁进行金属化和电镀的方法，其特征在于：在覆铜箔板上涂覆一种疏孔金属化活性物质的材料，用以掩蔽板面；钻孔后，仅活化顶层铜箔至底层铜箔之间的孔壁段，只直接电镀或先化学镀再电镀该段孔壁至需要的厚度，并电解去除孔沿突出物；

具体包括如下步骤：

1)往内部没有或有一层及以上导电图形的双面覆有铜箔(2)的工件板表面上涂覆一种具有耐孔金属化前的酸、碱、有机物处理以及孔金属化处理并抗电镀、抗蚀刻的疏孔金属化活性物质的材料，形成与板面结合力强的板面抗电镀掩蔽层(1)，用以掩蔽板面；

2)激光直接钻孔或机械钻孔后再用激光清除孔壁胶渣；

3)对顶层铜箔至底层铜箔之间的孔壁段进行导电化处理；

4)电镀铜，往孔壁上沉积铜至需要的厚度；

5)电解去除孔沿突出物，进行电路板生产的后续加工。

2.根据权利要求1所述的只对孔壁进行金属化和电镀的方法，其特征在于：所述疏孔金属化活性物质的材料为非光敏材料。

3.根据权利要求1所述的只对孔壁进行金属化和电镀的方法，其特征在于：所述疏孔金属化活性物质的材料为树脂及其改性物涂料、聚合物、高分子材料及其改性物薄膜中的一种或两种以上的逐层叠加。

4.根据权利要求3所述的只对孔壁进行金属化和电镀的方法，其特征在于：所述树脂及其改性物涂料包括有机硅及其改性物涂料；所述聚合物包括派瑞林；所述高分子材料及其改性物薄膜包括由PET、PI、PTFE、PP、PA、PPE、PE、PVC、BOPP、RPP和EVA中的一种以上及其改性物制造的热固、光固、可热压合附着的薄膜，以及这些薄膜通过粘结剂复合其它材料的热固、光固、可热压合附着形成的薄膜。

5.根据权利要求1所述的只对孔壁进行金属化和电镀的方法，其特征在于：所述涂覆的方法为滚压、热压、印刷、镀覆、喷涂、漏印、喷印、辊涂、帘涂、真空气相沉积中的一种或两种以上的结合；涂覆的板面抗电镀掩蔽层(1)的厚度为0.3μm-1500μm，优选为1μm-100μm；涂覆的材料在钻孔加工时与绝缘基板表面的铜箔不分层、不裂缝。

6.根据权利要求1所述的只对孔壁进行金属化和电镀的方法，其特征在于：所述步骤2)还包括机械手段钻孔后，再用光束为环形的超短脉冲的激光冷加工光蚀去除胶渣层；或包括用大单脉冲能量激光钻孔后，用光束为环形的超短脉冲的激光冷加工扩孔至规定尺寸；所述光束为高斯、平顶、环形、贝塞尔、多点的纳秒紫外波长激光，钻孔激光为皮秒、飞秒激光。

7.根据权利要求1所述的只对孔壁进行金属化和电镀的方法，其特征在于：所述步骤3)的孔壁金属化采用化学镀铜法或直接沉积碳黑、石墨、胶体钯、离子钯、导电高分子中的任一种；

所述步骤3)还包括孔金属化前处理，以及沉积胶体钯活化后，化学镀铜形成初始导电层的活化和化学沉铜流程；或包括孔金属化前处理，及其后往孔内沉积活性物质碳黑、石墨、胶体钯、离子钯中的任一种，直接形成初始导电层的直接电镀流程；

所述步骤3)还包括在直接电镀后，或活化之后和化学镀铜之前，用物理手段拂、擦、拭、磨或化学手段去除残留在板面上实现孔金属化活性物质的钯、石墨、碳黑。

8.根据权利要求1所述的只对孔壁进行金属化和电镀的方法，其特征在于：在进行步骤1)之后，在进行步骤2)、3)之前或之后，在进行步骤4)之前，用激光去除板面上电镀夹具夹持点部位板面抗电镀掩蔽层(1)，并露出其下的铜箔(2)，以实现电镀时经电镀夹具、触点处板面铜箔、板面覆铜箔至孔壁导电层的电流通路。

9.根据权利要求1所述的只对孔壁进行金属化和电镀的方法，其特征在于：在进行步骤1)之后，在进行步骤2)、3)之前或之后，用激光去除非线路且与线路间隔大于30μm以上，优选间隔大于50μm的无电气功能的死铜区域、或导电层需要去除且不对后续去除过程产生负面影响的区域、或铜厚不影响其功能的区域、或增加铜厚对功能有正面影响的区域上的板面抗电镀掩蔽层(1)，并露出其下的铜箔(2)，以形成电镀平衡块，有利于电镀孔壁时电镀电流平衡分布。

10.根据权利要求1所述的只对孔壁进行金属化和电镀的方法，其特征在于：所述步骤5)中后续加工包括用激光全部去除板面上由疏孔金属化活性物质的材料形成的板面抗电镀掩蔽层(1)，或用激光选择性去除板面上由疏孔金属化活性物质的材料形成的板面抗电镀掩蔽层(1)制造具有选择性抗蚀、抗镀等功能的掩蔽层图案。

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