CN115812249A - 带天线的半导体封装体和带天线的半导体封装体用树脂组合物 - Google Patents

带天线的半导体封装体和带天线的半导体封装体用树脂组合物 Download PDF

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Abstract

提供一种焊料耐热性优异且传输损耗少的带天线的半导体封装体。所述带天线的半导体封装体(100)在半导体装置部(10)一体形成有天线部(5)，用于连接半导体装置部(10)和天线部(5)的绝缘层(1)、以及天线部内部的绝缘层(1)中的至少一者为树脂组合物的固化物，所述树脂组合物包含(A)具有双键的苯乙烯系弹性体和(B)产生自由基的化合物。

Description

带天线的半导体封装体和带天线的半导体封装体用树脂组 合物
技术领域
本发明涉及带天线的半导体封装体和带天线的半导体封装体用树脂组合物。更详细而言，涉及焊料耐热性()优异且传输损耗少的带天线的半导体封装体和带天线的半导体封装体用树脂组合物。
背景技术
作为下一代的通信技术，5G的标准化正在推进，实现应对高频的产品的市场要求正在提高。多元件天线技术、高速传输等技术开发加速，另外，由于高频带的利用，通信容量也增加，在提高信息处理能力同时，高频噪声、热的产生量也增加，其应对成为大的课题。
在5G毫米波用天线中，关于封装技术，需要缩短天线与IC的布线距离而降低导体损耗(换言之，传输损耗少)的结构。因此，近年来，开发了天线部与半导体装置部一体地形成的带天线的半导体封装体(例如，封装内天线(AiP)、封装上天线(AoP))(例如参照非专利文献1和2)。
现有技术文献
非专利文献
非专利文献1:须藤薫等2名，“实现5G的毫米波用带天线封装技术”，[online]，株式会社村田制作所，[令和2年4月2日检索]，网站＜URL：https：//apmc-mwe.org/mwe2019/pdf/WS＿01/TH5B-2＿1.pdf＞
非专利文献2:村尾麻悠子，“藤仓迈向28GHz频带RF IC研发，与天线一体式”，[online]，EE Times Japan，[令和2年4月2日检索]，网站＜URL：https：//eetimes.jp/ee/articles/1908/09/news033.html＞
发明内容
发明要解决的课题
带天线的半导体封装体的制造中包括用于进行半导体装置部内的焊接的焊料回流工序。因此，对带天线的半导体封装体要求焊料耐热性。当然，对用于连接半导体装置部与天线部的绝缘层、天线部内部的绝缘层也要求焊料耐热性。对于上述绝缘层，还要求高频特性。
本发明是鉴于这样的现有技术所具有的问题点而完成的。本发明提供焊料耐热性优异且传输损耗少的带天线的半导体封装体、以及用于这样的带天线的半导体封装体的带天线的半导体封装体用树脂组合物。
用于解决课题的手段
根据本发明，提供以下所示的带天线的半导体封装体和带天线的半导体封装体用树脂组合物。
[1]一种带天线的半导体封装体，其在半导体装置部一体形成有天线部，
用于连接上述半导体装置部与上述天线部的绝缘层、或者上述天线部内部的绝缘层为树脂组合物的固化物，所述树脂组合物包含(A)具有双键的苯乙烯系弹性体和(B)产生自由基的化合物。
[2]根据上述[1]所述的带天线的半导体封装体，其中，相对于上述(A)具有双键的苯乙烯系弹性体和上述(B)产生自由基的化合物的合计100质量份，上述固化物中的环氧树脂和固化剂的合计质量为5质量份以下。
[3]根据上述[1]或[2]所述的带天线的半导体封装体，其中，上述(A)具有双键的苯乙烯系弹性体包含苯乙烯/丁二烯/丁烯/苯乙烯嵌段共聚物。
[4]根据上述[1]～[3]中任一项所述的带天线的半导体封装体，其中，上述固化物包含PTFE填料。
[5]一种带天线的半导体封装体用树脂组合物，其包含(A)具有双键的苯乙烯系弹性体和(B)产生自由基的化合物。
[6]根据上述[5]所述的带天线的半导体封装体用树脂组合物，其中，相对于上述(A)具有双键的苯乙烯系弹性体和上述(B)产生自由基的化合物的合计100质量份，树脂组合物中的环氧树脂和固化剂的合计质量为5质量份以下。
[7]根据上述[5]或[6]所述的带天线的半导体封装体用树脂组合物，其中，上述(A)具有双键的苯乙烯系弹性体包含苯乙烯/丁二烯/丁烯/苯乙烯嵌段共聚物。
[8]根据上述[5]～[7]中任一项所述的带天线的半导体封装体用树脂组合物，其包含PTFE填料。
[9]一种带天线的半导体封装体用膜，其包含上述[5]～[8]中任一项所述的树脂组合物。
发明效果
本发明的带天线的半导体封装体起到焊料耐热性优异且传输损耗少的效果。另外，本发明的带天线的半导体封装体用树脂组合物起到能够实现焊料耐热性优异且传输损耗少的带天线的半导体封装体的效果。
附图说明
图1是表示本发明的一个实施方式的带天线的半导体封装体的示意性局部截面图。
图2是表示本发明的另一实施方式的带天线的半导体封装体的示意性局部截面图。
具体实施方式
以下，对本发明的实施方式进行说明，但本发明并不限定于以下的实施方式。因此，应当理解，在不脱离本发明的主旨的范围内，基于本领域技术人员的通常知识对以下的实施方式施加适当变更、改良等而得到的实施方式也包括在本发明的范围内。
(1)带天线的半导体封装体：
本发明的带天线的半导体封装体的一个实施方式为图1所示的带天线的半导体封装体100。图1是表示本发明的一个实施方式的带天线的半导体封装体的示意性局部截面图。
如图1所示，本实施方式的带天线的半导体封装体100在半导体装置部10一体形成有天线部5，特别是作为安装有进行5G毫米波的发送·接收的通信的RF(射频)芯片8的高频基板的带天线的半导体封装体100。在半导体装置部10中，天线部5通过具有各种布线图案的布线层4与进行毫米波通信的RF芯片8连接。
图1所示的带天线的半导体封装体100中的半导体装置部10包含：芯基板2、配设于半导体装置部10的一个表面侧的天线部5、用于将半导体装置部10与天线部5连接的绝缘层1(第一绝缘层1A)、配置于芯基板2内的多层结构的布线层4、以及以被覆布线层4中的布线通孔的方式构成的绝缘层1(第二绝缘层1B、第三绝缘层1C、第四绝缘层1D、第五绝缘层1E)。需要说明的是，第一绝缘层1A不仅可以被设置为介于半导体装置部10与天线部5之间，还可以被设置为延伸至天线部5的内部。
在带天线的半导体封装体100中，在半导体装置部10的另一个表面侧，布线层4的一个部位与进行毫米波的发送·接收的通信的RF芯片8连结，并且布线层4的其他部位与电连结金属7连结。在图1所示的例子中，布线层4与RF芯片8经由半球状的连接焊盘9电连接。电连结金属7是用于经由该电连结金属7根据其功能将带天线的半导体封装体100与外部物理连结和/或电连结的端子部。
就绝缘层1而言，在发送时，为了抑制从RF芯片8输出的电流、毫米波信号衰减，并且传送至天线部5而有效地放射至空间，需要减少连接天线部5与RF芯片8的连接部的损耗(传输损耗)。接收时也是同样，为了抑制由天线部5接收到的毫米波信号的反射波衰减，并且传送至作为接收部的RF芯片8，需要减少连接天线部5与RF芯片8的连接部的损耗(传输损耗)。
天线部5作为平面天线即贴片天线而配设于半导体装置部10的一个表面侧。
本实施方式的带天线的半导体封装体100在用于连接半导体装置部10与天线部5的绝缘层1(例如第一绝缘层1A)、或天线部5内部的绝缘层1的构成方面具有特别主要的特征。以下，对本实施方式的带天线的半导体封装体100中的绝缘层1的构成更详细地进行说明。需要说明的是，以下，有时将用于连接半导体装置部10与天线部5的绝缘层1、以及天线部5内部的绝缘层1统称而简称为“绝缘层1”。
在本实施方式的带天线的半导体封装体100中，绝缘层1为包含(A)具有双键的苯乙烯系弹性体和(B)产生自由基的化合物的树脂组合物的固化物。具备如此构成的绝缘层1的带天线的半导体封装体100的焊料耐热性优异，且能够减少传输损耗。在具备5G毫米波用的天线部5的带天线的半导体封装体100中，例如，对于用于连接天线部5的绝缘层1，有时进行288℃的焊料试验，要求以往不需要的耐热温度下的耐焊料耐热性。以往的半导体封装体中的绝缘层使用公知的高频膜，但这样的高频膜有时不满足上述耐焊料耐热性，大量包含无法用于具备5G毫米波用的天线部5的带天线的半导体封装体100的高频膜。本实施方式的带天线的半导体封装体100中，构成绝缘层1的固化物优选利用SPDR(分离介质谐振器)法在频率10GHz下测定的介电损耗角正切(tanδ)为0.0020以下，焊料耐热为290℃2分钟以上。
绝缘层1可以是通过将上述包含(A)具有双键的苯乙烯系弹性体和(B)产生自由基的化合物的树脂组合物进行加热固化而得到的。
作为(A)具有双键的苯乙烯系弹性体，例如可举出包含苯乙烯或其类似物的嵌段作为至少一个末端嵌段、包含共轭二烯的弹性体嵌段作为至少一个中间嵌段的嵌段共聚物。例如，可举出苯乙烯/丁二烯/苯乙烯系弹性体(SBS)、苯乙烯/丁二烯/丁烯/苯乙烯系弹性体(SBBS)等。包含(A)具有双键的苯乙烯系弹性体的树脂组合物的固化物的焊料耐热性优异。特别是从高频特性的观点出发，作为(A)具有双键的苯乙烯系弹性体，可举出包含苯乙烯/丁二烯/丁烯/苯乙烯嵌段共聚物的苯乙烯系弹性体作为优选例。(A)成分可以是赋予了胺等官能团的反应性的弹性体。通过使用赋予了官能团的反应性的弹性体，能够进一步提高粘接强度(剥离强度)。(A)成分的重均分子量优选为20,000～200,000，更优选为30,000～150,000。重均分子量是通过凝胶渗透色谱法(GPC)，使用基于标准聚苯乙烯的标准曲线而得到的值。
作为(A)具有双键的苯乙烯系弹性体的具体例，可举出JSR公司制的商品名“TR2827”、“TR2000”、“TR2003”、“TR2250”、Asahi Kasei Chemicals公司制的商品名“P1083”、“P1500”、“P5051”、“MP10”。
作为(B)产生自由基的化合物，可举出分解性化合物和非分解性化合物。作为分解性化合物，例如可举出有机过氧化物、偶氮化合物等自由基产生剂。作为有机过氧化物，可以使用过氧化苯甲酰、过氧化异丁酰、过氧化异壬酰、过氧化癸酰、过氧化月桂酰、过氧化对氯苯甲酰、过氧化二(3,5,5-三甲基己酰)等二酰基过氧化物类；2,2-二(4,4-二-(二叔丁基过氧基)环己基)丙烷等过氧化缩酮类；过二碳酸异丙基酯、过二碳酸二仲丁基酯、过二碳酸二(2-乙基己基)酯、过二碳酸二(1-甲基庚基)酯、过二碳酸二(3-甲氧基丁基)酯、过二碳酸二环己基酯等过氧化二碳酸酯类；过苯甲酸叔丁酯、过乙酸叔丁酯、过2-乙基己酸叔丁酯、过异丁酸叔丁酯、过特戊酸叔丁酯()、二过己二酸叔丁酯、过氧化新癸酸异丙苯酯、过氧化苯甲酸叔丁酯、2,5-二甲基-2,5二(苯甲酰基过氧基)己烷等过氧化酯类；甲基乙基酮过氧化物、环己酮过氧化物等酮过氧化物类；二叔丁基过氧化物、二枯基过氧化物、叔丁基枯基过氧化物、2,5-二甲基-2,5二(叔丁基过氧基)己烷、2,5-二甲基-2,5二(叔丁基过氧基)己炔-3,1,1-二(叔己基过氧基)-3,3,5-三甲基环己烷、二叔己基过氧化物、二(2-叔丁基过氧基异丙基)苯等二烷基过氧化物类；异丙苯羟基过氧化物、叔丁基氢过氧化物、对薄荷氢过氧化物等氢过氧化物类等。所使用的有机过氧化物没有特别限制，在由包含溶剂的树脂组合物、膜形成绝缘层1的情况下，大多需要60～80℃左右的干燥工序，因此优选使用10小时半衰期温度为100℃～140℃的有机过氧化物。此外，更优选10小时半衰期温度为110～130℃的有机过氧化物。具体而言，可举出二枯基过氧化物。作为偶氮化合物，可举出偶氮酯类。另外，作为非分解性化合物，例如可举出具有烯属双键的化合物。作为具有烯属双键的化合物，例如可举出在末端具有乙烯基或苯乙烯基的改性聚苯醚(PPE)、马来酰亚胺化合物等。在末端具有乙烯基或苯乙烯基的改性聚苯醚(PPE)的数均分子量(Mn)以基于GPC法的聚苯乙烯换算计优选处于1000～5000的范围，更优选处于1000～3000的范围，进一步优选处于1000～2500的范围。作为马来酰亚胺化合物，优选为数均分子量为1000～8000的经二聚酸改性的双马来酰亚胺。
作为(B)产生自由基的化合物的具体例，作为分解性化合物，可举出日油化学公司制的商品名“PERCUMYL D”，富士胶片和光纯药公司制的商品名“V-601”。作为非分解性化合物，可举出作为三菱瓦斯化学公司制的末端改性PPE的商品名“OPE-2St 1200”、“OPE-2St2200”。
在构成绝缘层1的固化物中，对(A)具有双键的苯乙烯系弹性体和(B)产生自由基的化合物的各含量没有特别限制。(A)具有双键的苯乙烯系弹性体例如在树脂组合物中以固体成分量计优选含有25.0～99.8质量％，更优选含有30.0～85.0质量％，进一步优选含有35.0～85.0质量％。另外，(B)产生自由基的化合物在树脂组合物中以固体成分量计优选含有0.1～70.0质量％。在(B)为分解性化合物的情况下，(B)在树脂组合物中以固体成分量计优选含有0.10～5质量％，更优选含有0.10～2质量％，特别优选含有0.10～1质量％。在(B)为非分解性化合物的情况下，(B)在树脂组合物中以固体成分量计优选含有4～70质量％，更优选含有5～30质量％，特别优选含有6～15质量％。通过如此构成，能够维持粘接强度(剥离强度)，并且进一步提高带天线的半导体封装体100的焊料耐热性，并且有效地减少传输损耗。
构成绝缘层1的固化物可以进一步包含其他成分。作为其他成分，例如可举出环氧树脂、各种固化剂等热固化性树脂的固化物、二氧化硅填料等无机填料、PTFE填料等有机填料、着色剂、分散剂等各种添加剂等。构成绝缘层1的固化物优选进一步包含PTFE填料。通过包含PTFE填料，能够进一步提高带天线的半导体封装体100的高频特性。从维持粘接强度(剥离强度)的观点出发，无机填料、有机填料在构成绝缘层1的固化物中优选为50质量％以下。
构成绝缘层1的固化物除了(A)具有双键的苯乙烯系弹性体以外，还可以包含环氧树脂等热固化性树脂的固化物。其中，相对于(A)具有双键的苯乙烯系弹性体和(B)产生自由基的化合物的合计100质量份，固化物中的环氧树脂成分和固化剂成分的合计质量优选小于10质量份，进一步优选为5质量份以下。如果固化物中的环氧树脂成分和固化剂成分的含量增加，则带天线的半导体封装体100的焊料耐热、介电损耗角正切有时变差。在一个方式中，构成绝缘层1的固化物不包含环氧树脂的固化物。
具备包含以上说明的固化物的绝缘层1的带天线的半导体封装体100的焊料耐热性优异且传输损耗少，因此适合用作安装有进行5G毫米波的发送·接收的通信的RF(射频)芯片8的半导体封装体。
在本实施方式的带天线的半导体封装体100中，优选用于连接半导体装置部10与天线部5的第一绝缘层1A、以及以被覆布线层4中的布线通孔的方式构成的第二绝缘层1B、第三绝缘层1C、第四绝缘层1D、以及第五绝缘层1E分别与之前说明的包含固化物的绝缘层1同样地构成。
接下来，对于本实施方式的带天线的半导体封装体100中的绝缘层1的制作方法没有特别限制，例如可举出如下方法。
首先，制备包含(A)具有双键的苯乙烯系弹性体和(B)产生自由基的化合物的带天线的半导体封装体用树脂组合物。以下，有时将“带天线的半导体封装体用树脂组合物”简称为“树脂组合物”。从处理的观点出发，树脂组合物优选为膜形状。该带天线的半导体封装体用膜例如可以是通过将在包含(A)和(B)的树脂组合物中加入有机溶剂而得到的溶液涂敷于作为支撑体的实施了脱模处理的PET膜，在80～130℃下使其干燥而得到的。将所得到的带天线的半导体封装体用膜从支撑体剥离，贴附于半导体装置部10，例如在200℃下进行30～60分钟的热处理，由此可以制作带天线的半导体封装体。
关于带天线的半导体封装体100中的半导体装置部10中的布线层4等的构成，并不限定于图1所示的构成，可以应用于具备5G毫米波用天线的各种半导体封装体。例如，图2是表示本发明的另一实施方式的带天线的半导体封装体的示意性局部截面图。
图2所示的带天线的半导体封装体200在半导体装置部30一体形成有天线部25、26。在半导体装置部10中，天线部25、26通过具有各种布线图案的布线层24与进行毫米波通信的RF芯片28连接。
半导体装置部30具有芯基板22、配设于半导体装置部30的一个表面侧的天线部25、以及用于将半导体装置部30与天线部25连接的绝缘层21。在芯基板22内容纳有进行5G毫米波的发送·接收的通信的RF芯片28，并且由配置于芯基板22内的布线层24布线。在半导体装置部30的两端设有将直线状的导线(元件)左右对称地配设的作为偶极天线的天线部26。半导体装置部30的另一个表面侧与用于将带天线的半导体封装体200与外部物理连结和/或电连结的电连结金属27连结。
在图2所示那样的带天线的半导体封装体200中，通过使绝缘层21为包含(A)具有双键的苯乙烯系弹性体和(B)产生自由基的化合物的树脂组合物的固化物，从而焊料耐热性优异，并且能够减少传输损耗。可以采用作为绝缘层21使用的固化物的、与作为图1所示的带天线的半导体封装体100的绝缘层1使用的固化物同样地构成的固化物。
(2)带天线的半导体封装体用树脂组合物：
接下来，对本发明的带天线的半导体封装体用树脂组合物的一个实施方式进行说明。本实施方式的带天线的半导体封装体用树脂组合物用于形成图1所示那样的带天线的半导体封装体100的绝缘层1的树脂组合物。
本实施方式的带天线的半导体封装体用树脂组合物包含(A)具有双键的苯乙烯系弹性体和(B)产生自由基的化合物。通过将本实施方式的带天线的半导体封装体用树脂组合物加热固化，可以形成用于将带天线的半导体封装体的半导体装置部与天线部连接的绝缘层、或天线部内部的绝缘层。包含这样的树脂组合物的固化物的绝缘层的焊料耐热性优异且传输损耗少。
作为(A)具有双键的苯乙烯系弹性体，如上所述，可举出苯乙烯/丁二烯/苯乙烯系弹性体(SBS)、苯乙烯/丁二烯/丁烯/苯乙烯系弹性体(SBBS)等，特别是从高频特性的观点出发，可举出包含苯乙烯/丁二烯/丁烯/苯乙烯嵌段共聚物的苯乙烯系弹性体作为优选例。对于(A)具有双键的苯乙烯系弹性体的含量没有特别限制，优选的量如上所述。
作为(B)产生自由基的化合物，如上所述，可举出分解性化合物和非分解性化合物。作为分解性化合物，例如可举出有机过氧化物、偶氮化合物等自由基产生剂，作为非分解性化合物，例如可举出具有烯属双键的化合物。对于(B)产生自由基的化合物的含量没有特别限制，优选的量如上所述。
本实施方式的带天线的半导体封装体用树脂组合物可以进一步包含其它成分。作为其他成分，可举出环氧树脂、各种固化剂等热固化性树脂、二氧化硅填料等无机填料、PTFE填料等有机填料、着色剂、分散剂等各种添加剂等。本实施方式的带天线的半导体封装体用树脂组合物优选还包含PTFE填料。通过包含PTFE填料，能够进一步提高带天线的半导体封装体100的高频特性。从维持粘接强度(剥离强度)的观点出发，无机填料、有机填料优选为带天线的半导体封装体用树脂组合物的50质量％以下。
相对于(A)具有双键的苯乙烯系弹性体和(B)产生自由基的化合物的合计100质量份，带天线的半导体封装体用树脂组合物中的环氧树脂和固化剂的合计质量优选小于10质量份，进一步优选为5质量份以下。如果环氧树脂和固化剂的含量增加，则包含带天线的半导体封装体用树脂组合物的固化物的绝缘层的焊料耐热、介电损耗角正切有时变差。在一个方式中，带天线的半导体封装体用树脂组合物不包含环氧树脂。
实施例
以下，通过实施例更具体地说明本发明，但本发明不受这些实施例任何限定。在以下的实施例中，只要没有特别说明，则份、％表示质量份、质量％。
〔实施例1〕
在实施例1中，如下制备带天线的半导体封装体用树脂组合物。首先，作为(A)成分的(A3)苯乙烯系弹性体，准备具有双键的苯乙烯系弹性体(部分氢化)99.75份，作为(B)成分的(B1)产生自由基的化合物，准备分解性的产生自由基的化合物0.25份。(A3)苯乙烯系弹性体使用Asahi Kasei Chemicals公司制的商品名“P1500”。(B1)产生自由基的化合物使用日油化学公司制的有机过氧化物商品名“PERCUMYL D”。
计量配合(A)成分和(B)成分后，一边使它们与有机溶剂一起以转速150rpm旋转，一边进行混合溶解，制备实施例1的带天线的半导体封装体用树脂组合物的涂敷液。
接下来，将该涂敷液涂布于支撑体的单面，在120℃下使其干燥，由此得到带支撑体的粘接膜。作为支撑体，使用实施了脱模处理的PET膜。
在所得到的带支撑体的粘接膜上配置实施了脱模处理的PET膜，得到PET膜/粘接膜/PET膜的膜层叠体。将该膜层叠体在压制温度200℃、温度保持时间60分钟、压制压力0.98MPa的加热加压条件下实施热压，使粘接膜热固化。
除去配置于固化的粘接膜的两面上的上述的PET膜，制作包含实施例1的带天线的半导体封装体用树脂组合物的试验体A。对于这样得到的实施例1的试验体A，进行以下的介电常数(ε)和介电损耗角正切(tanδ)的评价。将结果示于表1。
〔介电常数(ε)、介电损耗角正切(tanδ)〕
从试验体A的固化了的粘接膜切出一边为50±0.5mm、另一边为70±2mm的长方形的试验片，测定切出的试验片的厚度。对于测定了厚度的试验片，利用SPDR(分离介质谐振器)法，在频率10GHz下测定介电常数(ε)和介电损耗角正切(tanδ)。关于介电损耗角正切(tanδ)，通过以下的评价基准进行评价。
评价“优”：介电损耗角正切(tanδ)为0.0015以下。
评价“良”：介电损耗角正切(tanδ)超过0.0015且为0.0020以下。
评价“不可”：介电损耗角正切(tanδ)超过0.0020。
〔剥离强度〕
准备单面经粗糙化的铜箔。以粗糙化面为内侧贴合铜箔，得到铜箔/粘接膜/铜箔的层叠体。使用真空加压机，在200℃、60分钟、0.98MPa的条件下对该层叠体进行热压接，使其固化。将该固化体切割成10mm宽，制作剥离强度测定用试样(试验体B)。将试验体B用岛津制作所公司制Autograph(型号：ASG-J-5kNJ)剥离，测定剥离强度。需要说明的是，关于剥离强度的测定，依据JIS C 6471进行。关于测定结果，计算各N＝5的平均值。关于剥离强度，根据以下的评价基准进行评价。
评价“优”：剥离强度为5N/cm以上。
评价“良”：剥离强度为2N/cm以上且小于5N/cm。
评价“不可”：剥离强度小于2N/cm。
〔焊料耐热试验〕
准备单面经粗糙化的铜箔。以粗糙化面为内侧贴合铜箔，得到铜箔/粘接膜/铜箔的层叠体。使用真空加压机，在200℃、60分钟、0.98MPa的条件下对该层叠体进行热压接，使其固化。将该试验片以各边成为30mm的方式切割成正方形，制作焊料耐热试验用试样(试验体C)。然后，将试验体C浮在290℃的焊料槽中，确认有无膨胀。需要说明的是，焊料耐热试验依据JIS C 5012 1993进行。关于焊料耐热试验，根据以下的评价基准进行评价。
评价“优”：直至确认到膨胀为止的时间为180秒以上。
评价“良”：直至确认到膨胀为止的时间为120秒以上且小于180秒。
评价“可”：直至确认到膨胀为止的时间为60秒以上且小于120秒。
评价“不可”：直至确认到膨胀为止的时间小于60秒。
〔实施例2～22、比较例1～3〕
将带天线的半导体封装体用树脂组合物的配合配方变更为表1～表3，除此以外，利用与实施例1同样的方法制备带天线的半导体封装体用树脂组合物。
接下来，将包含实施例2～22和比较例1～3的各带天线的半导体封装体用树脂组合物的涂敷液涂布于支撑体的单面，在120℃下使其干燥，由此分别得到带支撑体的粘接膜，利用与实施例1同样的方法制作试验体(固化的粘接膜)。对于制作的各试验体，利用与实施例1同样的方法进行介电常数(ε)、介电损耗角正切(tanδ)、剥离强度和焊料耐热试验的评价。将结果示于表1～表3。
实施例2～22和比较例1～3中，带天线的半导体封装体用树脂组合物的制备中使用的原料如下。
(A1)：具有双键的苯乙烯系弹性体(非氢化，SBS)，JSR公司制，商品名“TR2003”。
(A2)：具有双键的苯乙烯系弹性体(部分氢化，SBBS)，Asahi Kasei Chemicals公司制，商品名“P1083”。
(A3)：具有双键的苯乙烯系弹性体(部分氢化，SBBS)，Asahi Kasei Chemicals公司制，商品名“P1500”。
(A4)：具有双键的苯乙烯系弹性体(部分氢化，SBBS)，Asahi Kasei Chemicals公司制，商品名“P5051”。
(A5)：具有双键的苯乙烯系弹性体(部分氢化，胺改性SBBS)，Asahi KaseiChemicals公司制，商品名“MP10”。
(A6)：不具有双键的苯乙烯系弹性体(氢化)，Asahi Kasei Chemicals公司制，商品名“H1052”。
(B1)：产生自由基的化合物(分解性)，日油化学公司制，商品名“PERCUMYL D”。
(B2)：产生自由基的化合物(非分解性)，三菱瓦斯化学公司制，商品名“OPE-2St1200”。
(B3)：产生自由基的化合物(非分解性)，三菱瓦斯化学公司制，商品名“OPE-2St2200”。
(C1)：固化剂，ADEKA公司制咪唑，商品名“EH2021”。
(C2)：有机填料，大金工业公司制PTFE，“LUBRON L-5F”。
(C3)：无机填料，Denka公司制二氧化硅，商品名“FB3SDX”。
(E)：环氧树脂，Mitsubishi Chemical公司制双酚A型环氧树脂，商品名“828EL”。
[表1]
Figure BDA0004031113880000161
[表2]
Figure BDA0004031113880000171
[表3]
Figure BDA0004031113880000181
如表1～表3所示，包含作为(A)成分的具有双键的苯乙烯系弹性体和作为(B)成分的产生自由基的化合物的树脂组合物的固化物的介电常数(ε)和介电损耗角正切(tanδ)显示出良好的值。另外，这样的固化物在剥离强度和焊料耐热试验中也成为良好的结果。
另一方面，比较例1的树脂组合物由于不包含作为(B)成分的产生自由基的化合物，所以剥离强度和焊料耐热试验的评价结果非常差。比较例2的树脂组合物虽然包含一定量的有机填料((C2)PTFE)，但不包含作为(B)成分的产生自由基的化合物，因此焊料耐热试验的评价结果非常差。比较例3的树脂组合物是使用不具有双键的苯乙烯系弹性体作为(A)成分的树脂组合物，虽然剥离强度优异，但焊料耐热试验的评价结果非常差。
产业上的可利用性
本发明的带天线的半导体封装体能够用作安装有进行5G毫米波的发送·接收的通信的RF芯片的高频基板。本发明的带天线的半导体封装体用树脂组合物能够用于本发明的带天线的半导体封装体的绝缘层。
附图标记说明
1 绝缘层
1A 第一绝缘层
1B 第二绝缘层
1C 第三绝缘层
1D 第四绝缘层
1E 第五绝缘层
2 芯基板
4 布线层
5 天线部(贴片天线)
7 电连结金属
8 RF芯片
9 连接焊盘
10 半导体装置部
21 绝缘层
22 芯基板
24 布线层
25 天线部(贴片天线)
26 天线部(偶极天线)
27 电连结金属
28 RF芯片
30 半导体装置部
100、200 带天线的半导体封装体。

Claims (9)

1.一种带天线的半导体封装体，其为在半导体装置部中一体形成有天线部的带天线的半导体封装体，其中，
选自用于连接所述半导体装置部与所述天线部的绝缘层、以及所述天线部的内部的绝缘层中的至少一者为树脂组合物的固化物，
所述树脂组合物包含(A)具有双键的苯乙烯系弹性体和(B)产生自由基的化合物。
2.根据权利要求1所述的带天线的半导体封装体，其中，相对于所述(A)具有双键的苯乙烯系弹性体和所述(B)产生自由基的化合物的合计100质量份，所述固化物中的环氧树脂和固化剂的合计质量为5质量份以下。
3.根据权利要求1或2所述的带天线的半导体封装体，其中，所述(A)具有双键的苯乙烯系弹性体包含苯乙烯/丁二烯/丁烯/苯乙烯嵌段共聚物。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的带天线的半导体封装体，其中，所述固化物包含PTFE填料。
5.一种带天线的半导体封装体用树脂组合物，其包含(A)具有双键的苯乙烯系弹性体和(B)产生自由基的化合物。
6.根据权利要求5所述的带天线的半导体封装体用树脂组合物，其中，相对于所述(A)具有双键的苯乙烯系弹性体和所述(B)产生自由基的化合物的合计100质量份，树脂组合物中的环氧树脂和固化剂的合计质量为5质量份以下。
7.根据权利要求5或6所述的带天线的半导体封装体用树脂组合物，其中，所述(A)具有双键的苯乙烯系弹性体包含苯乙烯/丁二烯/丁烯/苯乙烯嵌段共聚物。
8.根据权利要求5～7中任一项所述的带天线的半导体封装体用树脂组合物，其中，所述树脂组合物包含PTFE填料。
9.一种带天线的半导体封装体用膜，其包含权利要求5～8中任一项所述的树脂组合物。
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