TW202411329A - 樹脂組成物、接著薄膜、層間接著用黏合片及帶天線的半導體封裝用樹脂組成物 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種樹脂組成物，其焊接耐熱性優異，且具有低介電特性。本發明之樹脂組成物包含：(A)末端具有包含碳-碳雙鍵之官能基的聚苯醚樹脂；及(B)數量平均分子量為60,000以上的熱塑性彈性體。

Description

樹脂組成物、接著薄膜、層間接著用黏合片及帶天線的半導體封裝用樹脂組成物
本發明係關於一種樹脂組成物、接著薄膜、層間接著用黏合片及帶天線之半導體封裝用樹脂組成物。
隨著近來要求印刷電路板中的傳輸訊號高速化，傳輸訊號明顯邁向高頻化。隨之，對於印刷電路板中使用之材料，尋求可減少高頻區域，具體而言為頻率1GHz以上之區域中的傳輸損耗。
作為印刷電路板的絕緣層等所使用之樹脂組成物，例如已知一種熱固性樹脂組成物，其含有：末端具有苯乙烯基之熱固性樹脂；及苯乙烯系熱塑性彈性體(例如，專利文獻1)。例如，專利文獻1所揭示之熱固性樹脂組成物係使用末端具有苯乙烯基且具有伸苯醚骨架之熱固性樹脂等，作為末端具有苯乙烯基之熱固性樹脂。又，使用低分子量的苯乙烯系彈性體作為苯乙烯系熱塑性彈性體。
又，近年來，作為次世代通訊技術，5G的標準化正在發展，實現高頻對應之產品的市場需求逐漸提高。多元件天線技術、高速傳輸等技術的開發加速，而且通訊容量亦因為高頻帶的利用而增加，在提升資訊處理能力的同時，高頻雜訊及發熱量亦增加，其對策亦成為了一大課題。
例如，5G毫米波用天線中，關於封裝技術，需要一種縮短天線與IC的配線距離以降低導體損耗(換言之傳輸損耗少)的結構。因此，近年來正在開發天線部與半導體裝置部一體成形的帶天線之半導體封裝(例如，天線內封裝(AiP，Antenna in Package)或天線上封裝(AoP，Antenna on Package))。所述封裝中，因為來自IC的發熱，導致天線周邊的絕緣層亦變得比以往結構更為高溫，因此要求即使放置於高溫環境下，介電損耗亦較小。此外，所謂「IC」係指積體電路(Integrated Circuit)。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]國際公開第2019/230531號
[發明所欲解決之課題]
專利文獻1所揭示之樹脂組成物，如上所述，含有末端具有苯乙烯基之熱固性樹脂及苯乙烯系熱塑性彈性體，且含有末端具有苯乙烯基之熱固性樹脂及苯乙烯系熱塑性彈性體。另一方面，對於印刷電路板的絕緣層等，有時要求具有焊接耐熱性，但關於專利文獻1所揭示之樹脂組成物，並未提及所述焊接耐熱性。
如上述預期在高頻區域使用的樹脂組成物，要求優異的焊接耐熱性、低介電特性等，而迫切需要開發該等各種特性優異的樹脂組成物。
本發明係鑒於所述以往技術所具有之問題點而完成。本發明提供一種樹脂組成物，其適合用於接著薄膜、層間接著用黏合片、層間接著劑等，焊接耐熱性優異，且具有低介電特性。再者，本發明提供一種使用所述樹脂組成物的接著薄膜、層間接著用黏合片及帶天線之半導體封裝用樹脂組成物。 [解決課題之手段]
根據本發明，提供以下所示之樹脂組成物、接著薄膜、層間接著用黏合片及帶天線之半導體封裝用樹脂組成物。
[1] 一種樹脂組成物，包含：(A)末端具有包含碳-碳雙鍵之官能基的聚苯醚樹脂；及(B)數量平均分子量為60,000以上的熱塑性彈性體。
[2] 如上述[1]之樹脂組成物，其中，該(A)成分含有末端具有苯乙烯結構之改質聚苯醚。
[3] 如上述[1]或[2]之樹脂組成物，其中，該(A)成分含有末端具有下列式(1)所示之基的改質聚苯醚。
其中，該式(1)中，R 1表示氫原子或烷基。
[4] 如上述[1]至[3]中任一項之樹脂組成物，其中，該(B)成分為苯乙烯系熱塑性彈性體。
[5] 如上述[4]之樹脂組成物，其中，該(B)成分為氫化苯乙烯系熱塑性彈性體。
[6] 如上述[5]之樹脂組成物，其中，該(B)成分的該氫化苯乙烯系熱塑性彈性體為苯乙烯/乙烯/丁烯/苯乙烯嵌段共聚物。
[7] 如上述[1]至[6]中任一項之樹脂組成物，其中，該(B)成分係數量平均分子量為100,000以上的熱塑性彈性體。
[8] 如上述[1]至[7]中任一項之樹脂組成物，其中，該(A)成分與該(B)成分的質量比為5：95~70：30。
[9] 如上述[1]至[8]中任一項之樹脂組成物，其中，該(B)成分的含量多於該(A)成分的含量。
[10] 如上述[1]至[9]中任一項之樹脂組成物，其進一步包含(C)環氧樹脂。
[11] 如上述[10]之樹脂組成物，其中，相對於該樹脂組成物中的該(A)成分、該(B)成分及該(C)成分之總計100質量份，該(C)成分的含量為0.1~5.0質量份。
[12] 如上述[1]至[11]中任一項之樹脂組成物，其進一步包含(D)固化劑。
[13] 一種接著薄膜，其係使用如上述[1]至[12]中任一項之樹脂組成物而成。
[14] 一種層間接著用黏合片，其係使用如上述[1]至[12]中任一項之樹脂組成物而成。
[15] 一種帶天線之半導體封裝用樹脂組成物，其係由如上述[1]至[12]中任一項之樹脂組成物所構成。
[16] 一種積層板或半導體裝置，其包含如上述[1]至[12]中任一項之樹脂組成物的固化物。 [發明之效果]
本發明之樹脂組成物發揮焊接耐熱性優異且具有低介電特性的效果。因此，本發明之樹脂組成物適合用於接著薄膜、層間接著用黏合片、層間接著劑等。又，本發明之接著薄膜、層間接著用黏合片及帶天線之半導體封裝用樹脂組成物係使用本發明之樹脂組成物而成，其發揮焊接耐熱性優異且具有低介電特性的效果。
以下說明本發明之實施形態，但本發明並不限定於以下實施形態。因此，應理解為在不脫離本發明之主旨的範圍內，根據本領域從業者的通常知識，對以下實施形態適當加以變更、改良等而成者亦納入本發明的範圍內。
[樹脂組成物] 本發明之樹脂組成物的一實施形態係一種樹脂組成物，其包含：(A)末端具有包含碳-碳雙鍵之官能基的聚苯醚樹脂；及(B)數量平均分子量為60,000以上的熱塑性彈性體。以下有時將(A)末端具有包含碳-碳雙鍵之官能基的聚苯醚樹脂稱為(A)成分。同樣，有時將(B)數量平均分子量為60,000以上的熱塑性彈性體稱為(B)成分。
本實施形態之樹脂組成物，其焊接耐熱性優異，且具有低介電特性。特別是，本實施形態之樹脂組成物藉由包含末端具有包含碳-碳雙鍵之官能基的聚苯醚樹脂作為(A)成分，可賦予樹脂組成物低介電特性，且有效地提升焊接耐熱性。又，藉由包含數量平均分子量為60,000以上的熱塑性彈性體作為(B)成分，樹脂組成物變得不易熔融，而可進一步提升焊接耐熱性。
此外，本實施形態之樹脂組成物除了上述(A)成分及(B)成分以外，亦可包含(C)環氧樹脂、(D)固化劑、(E)有機過氧化物、(F)阻燃劑、(G)填充材及(H)交聯劑等其他成分。以下有時將上述各成分適當稱為(C)成分~(H)成分。
[(A)成分] (A)成分係末端具有包含碳-碳雙鍵之官能基的聚苯醚樹脂。作為包含碳-碳雙鍵之官能基，可舉例如：末端乙烯基、伸乙烯基或亞乙烯基等。(A)成分只要於其末端具有包含碳-碳雙鍵之官能基且骨架中具有聚苯醚，則無特別限制。藉由包含(A)成分，可賦予樹脂組成物低介電特性，且有效地提升焊接耐熱性。
作為(A)成分，可舉例如含有末端具有苯乙烯結構之改質聚苯醚。所述改質聚苯醚只要其末端具有苯乙烯結構，則無特別限制。苯乙烯結構可為不具有取代基的未取代之苯乙烯基，亦可為具有任意取代基的苯乙烯基。藉由包含所述(A)成分，可提升樹脂組成物的焊接耐熱性。特別是末端具有苯乙烯結構之改質聚苯醚，即使不使用過氧化物亦可引起固化反應，焊接耐熱性極佳。
作為(A)成分使用的末端具有苯乙烯結構之改質聚苯醚，可舉例如下列通式(2)所示之結構的化合物。
上列通式(2)中，-(O-X-O)-係以上列結構式(3)或(4)表示。
結構式(3)中，R 2、R 3、R 4、R 7及R 8為碳數6以下之烷基或苯基，可彼此相同，亦可彼此相異。R 5、R 6及R 7為氫原子或碳數6以下之烷基或苯基，可彼此相同，亦可彼此相異。
結構式(4)中，R 10、R 11、R 12、R 13、R 14、R 15、R 16及R 17為氫原子、碳數6以下之烷基或苯基，可彼此相同，亦可彼此相異。-A-為碳數20以下之直鏈狀、分支狀或環狀的2價烴基。
又，通式(2)中，-(Y-O)-係以上列結構式(5)表示。-(Y-O)-中，1種結構或2種以上的結構隨機排列。結構式(5)中，R 18及R 19為碳數6以下之烷基或苯基，可彼此相同，亦可彼此相異。R 20及R 21為氫原子、碳數6以下之烷基或苯基，可彼此相同，亦可彼此相異。
又，通式(2)中，a及b為0~100之整數。a及b中至少任一者不為0。
作為結構式(4)中的-A-，可舉例如：亞甲基、亞乙基、1-甲基亞乙基、1,1-亞丙基、1,4-伸苯基雙(1-甲基亞乙基)、1,3-伸苯基雙(1-甲基亞乙基)、亞環己基、苯基亞甲基、萘基亞甲基及1-苯基亞乙基等2價有機基。但是，結構式(4)中的-A-並不限定於此。
作為通式(2)所示之化合物，較佳係R 2、R 3、R 4、R 8、R 9、R 18及R 19為碳數3以下之烷基，且R 5、R 6、R 7、R 10、R 11、R 12、R 13、R 14、R 15、R 16、R 17、R 20及R 21為氫原子或碳數3以下之烷基。特別是結構式(3)或結構式(4)所示之-(O-X-O)-為下列結構式(6)、結構式(7)或結構式(8)所示之化合物更佳。又，同樣，特別是結構式(5)所示之-(Y-O)-為下列結構式(9)或結構式(10)所示之化合物，或為結構式(9)所示之化合物與結構式(10)所示之化合物隨機排列而成之結構更佳。
通式(2)所示之化合物的製造方法並無特別限定。例如，通式(2)所示之化合物可藉由以下方法製造。首先，藉由使2官能酚化合物與1官能酚化合物氧化偶合，而得到2官能伸苯醚寡聚物。接著，將所得之2官能伸苯醚寡聚物的末端酚性羥基進行乙烯苄醚化。如此，可製造通式(2)所示之化合物。
通式(2)所示之化合物的數量平均分子量較佳為1,000~5,000，更佳為1,000~3,000，再佳為1,000~2,500。若數量平均分子量為1000以上，則在將樹脂組成物形成為塗膜狀時，不易產生黏性。又，若數量平均分子量為5,000以下，則可有效地抑制樹脂組成物對於溶劑的溶解性降低。又，藉由使用數量平均分子量在上述數值範圍的化合物作為(A)成分，樹脂組成物在高頻下的電特性及固化性提升。此處，上述數量平均分子量係藉由凝膠滲透層析法(GPC)，使用標準聚苯乙烯所得之校正曲線的值。
(A)成分可單獨使用通式(2)所示之化合物，亦可將通式(2)所示之化合物的2種以上組合使用。
作為(A)成分的末端具有苯乙烯結構之聚苯醚，可列舉：三菱瓦斯化學株式會社製商品名「OPE-2200」及「OPE-1200」。
又，作為(A)成分，除了含有目前為止所說明的末端具有苯乙烯結構之改質聚苯醚(例如，上列通式(2)所示之化合物等)者以外，可列舉含有末端具有下列式(1)所示之基的改質聚苯醚者。
上列式(1)中，R 1表示氫原子或烷基。又，R 1的烷基並無特別限定，例如，較佳為碳數1~18之烷基，更佳為碳數1~10之烷基。具體而言，可舉例如：甲基、乙基、丙基、己基及癸基等。
又，作為式(1)所示之基，可舉例如：丙烯酸酯基及甲基丙烯酸酯基等。
又，具有式(1)所示之基的改質聚苯醚，較佳係於分子中具有聚苯醚鏈，例如於分子中具有下列結構式(11)所示之重複單元。
上列結構式(11)中，m表示1~50。又，R 22~R 25分別獨立，可彼此相同，亦可彼此相異。R 22~R 25表示氫原子、烷基、烯基、炔基、甲醯基、烷基羰基、烯基羰基或炔基羰基。其中，較佳為氫原子及烷基。
在R 22~R 25中，作為所列舉的各官能基，具體而言，可列舉如下。
R 22~R 25中的烷基並無特別限定，例如，較佳為碳數1~18之烷基，更佳為碳數1~10之烷基。具體而言，可舉例如：甲基、乙基、丙基、己基及癸基。
R 22~R 25中的烯基並無特別限定，例如，較佳為碳數2~18之烯基，更佳為碳數2~10之烯基。具體而言，可舉例如：乙烯基、烯丙基及3-丁烯基等。
R 22~R 25中的炔基並無特別限定，例如，較佳為碳數2~18之炔基，更佳為碳數2~10之炔基。具體而言，可舉例如：乙炔基及丙-2-炔-1-基(炔丙基)等。
R 22~R 25中的烷基羰基只要係經烷基取代之羰基，則無特別限定，例如，較佳為碳數2~18之烷基羰基，更佳為碳數2~10之烷基羰基。具體而言，可舉例如：乙醯基、丙醯基、丁醯基、異丁醯基、三甲基乙醯基、己醯基、辛醯基及環己基羰基等。
R 22~R 25中的烯基羰基只要係經烯基取代之羰基，則無特別限定，例如，較佳為碳數3~18之烯基羰基，更佳為碳數3~10之烯基羰基。具體而言，可舉例如：丙烯醯基、甲基丙烯醯基及巴豆醯基等。
R 22~R 25中的炔基羰基只要係經炔基取代之羰基，則無特別限定，例如，較佳為碳數3~18之炔基羰基，更佳為碳數3~10之炔基羰基。具體而言，可舉例如丙醯基等。
作為具有上列式(1)所示之基的改質聚苯醚，可舉例如於下列式(12)或式(13)所示之聚苯醚的末端具有上列式(1)所示之基。作為改質聚苯醚，具體而言，可列舉下列式(14)或式(15)所示之改質聚苯醚。
式(12)~式(15)中，就s、t而言，例如，s與t之總計值較佳為1~30。又，s較佳為0~20，t較佳為0~20。亦即，較佳係s表示0~20，t表示0~20，且s與t之總計表示1~30。又，式(12)~式(15)中，Y表示碳數1~3之伸烷基或直接鍵結，又，作為該伸烷基，可舉例如二甲基亞甲基等。又，式(14)及式(15)中，R 1與上列式(1)的R 1相同，表示氫原子或烷基。又，烷基並無特別限定，例如，較佳為碳數1~18之烷基，更佳為碳數1~10之烷基。具體而言，可舉例如：甲基、乙基、丙基、己基及癸基等。
具有式(1)所示之基的改質聚苯醚的數量平均分子量(Mn)並無特別限定。具體而言，較佳為500~5,000，更佳為800~4,000，再佳為1,000~3,000。此處，數量平均分子量只要為以一般的分子量測量方法所測量的值即可，具體而言，可列舉使用凝膠滲透層析法(GPC)所測量的值等。又，具有式(1)所示之基的改質聚苯醚於分子中具有式(11)所示之重複單元時，m較佳為使改質聚苯醚的重量平均分子量在所述範圍內的數值。具體而言，m較佳為1~50。
若具有式(1)所示之基的改質聚苯醚的重量平均分子量在上述數值範圍內，則具有源自聚苯醚的優異之介電特性，並且固化物的耐熱性亦為優異，再者，亦可提升樹脂組成物的成形性。例如，在以往的聚苯醚中，若其重量平均分子量在上述數值範圍內，則成為較低分子量，而有其固化物的耐熱性降低的傾向。另一方面，由於具有上列式(1)所示之基的改質聚苯醚係於末端具有式(1)所示之基，因此可改善固化物的耐熱性。又，由於可使改質聚苯醚的重量平均分子量成為較低分子量，因此成形性亦為優異。因此，藉由使用包含末端具有式(1)所示之基的改質聚苯醚的(A)成分，可形成固化物的耐熱性更優異且成形性亦為優異的樹脂組成物。
又，作為(A)成分使用之改質聚苯醚中，改質聚苯醚每1分子之分子末端所具有的上列式(1)所示之基的平均個數(末端官能基數)並無特別限定。具體而言，較佳為1~5個，更佳為1~3個，再佳為1.5~3個。若此末端官能基數過少，則有難以得到充分的固化物之耐熱性的傾向。又，若末端官能基數過多，則反應性過高，而有發生例如樹脂組成物的保存性降低，或樹脂組成物的流動性降低等缺陷的疑慮。亦即，若使用所述改質聚苯醚，則由於流動性不足等，例如有發生在多層成形時發生形成孔隙等成形不良，不易得到高可靠度之印刷電路板的成形性的問題。
上述改質聚苯醚的末端官能基數，可列舉表示改質聚苯醚1莫耳中存在的全部改質聚苯醚每1分子中上列式(1)所示之基之平均值的數值等。該末端官能基數例如可藉由測量所得之改質聚苯醚中殘留的羥基數，並計算從改質前的聚苯醚之羥基數減少的部分來測量。該從改質前的聚苯醚之羥基數減少的部分為末端官能基數。然後，改質聚苯醚中殘留之羥基數的測量方法可藉由在改質聚苯醚的溶液中添加與羥基締合(association)之4級銨鹽(氫氧化四乙銨)，並測量其混合溶液的UV吸光度而求得。
又，作為(A)成分使用之改質聚苯醚的固有黏度並無特別限定。具體而言，較佳為0.03~0.12 dl/g，更佳為0.04~0.11 dl/g，再佳為0.06~0.095 dl/g。若該固有黏度過低，則有分子量低的傾向，且有不易得到低介電常數或低介電損耗正切等低介電性的傾向。又，若固有黏度過高，則黏度高，無法得到充分的流動性，而有固化物的成形性降低的傾向。因此，只要改質聚苯醚的固有黏度在上述範圍內，則可實現優異的固化物的耐熱性及成形性。
上述固有黏度係在25℃之二氯甲烷中所測量的固有黏度，更具體而言，例如，以黏度計測量0.18 g/45ml的二氯甲烷溶液(液溫25℃)而得的值等。該黏度計可舉例如Schott公司製商品名「AVS500 Visco System」等。
又，作為(A)成分使用之改質聚苯醚的合成方法只要可合成末端具有上列式(1)所示之基的改質聚苯醚，則並無特別限定。
(A)成分可單獨使用末端具有上列式(1)所示之基的改質聚苯醚，亦可將末端具有上列式(1)所示之基的改質聚苯醚的2種以上組合使用。再者，亦可與目前為止所說明的通式(2)所示之化合物的1種以上併用。
作為(A)成分的末端具有上列式(1)所示之基的改質聚苯醚，可列舉SABIC Japan株式會社製商品名「Noryl SA9000」。
又，從低介電特性與焊接耐熱性優異的觀點來看，相對於(A)成分、(B)成分及(B’)成分之總計100質量份，(A)成分的含量較佳為5~70質量份，更佳為6~60質量份，再佳為7~50質量份，特佳為8~40質量份。此外，關於(B’)成分，於以下敘述。
[(B)成分] (B)成分係數量平均分子量為60,000以上的熱塑性彈性體。藉由包含數量平均分子量為60,000以上的熱塑性彈性體作為(B)成分，樹脂組成物不易熔融，而可良好地提升焊接耐熱性。又，以下有時將上述(B)成分以外的熱塑性彈性體，亦即數量平均分子量小於60,000的熱塑性彈性體稱為(B’)成分。
作為(B)成分之熱塑性彈性體的數量平均分子量係藉由凝膠滲透層析法(GPC)，使用標準聚苯乙烯所得之校正曲線的值。此外，在測量由樹脂組成物所構成之薄膜中的數量平均分子量時，例如，只要將該薄膜溶解於溶劑，並測量溶解於溶劑之成分中的數量平均分子量即可。
作為(B)成分之熱塑性彈性體的數量平均分子量較佳為60,000以上，更佳為100,000以上，再佳為110,000以上，特佳為120,000以上。若為所述數量平均分子量，則焊接耐熱性進一步提升。作為(B)成分之熱塑性彈性體的數量平均分子量的上限值並無特別限制。但是，若熱塑性彈性體的數量平均分子量過大，則該熱塑性彈性體不易熔融，而可能導致作業性變差。因此，作為(B)成分之熱塑性彈性體的數量平均分子量較佳為200,000以下，更佳為150,000以下，再佳為140,000以下，特佳為130,000以下。
作為(B)成分之熱塑性彈性體並無特別限定，較佳為在頻率1~100 GHz的區域具有小於0.005之介電損耗正切(tanδ)的熱塑性彈性體。藉此，可賦予由本揭示之樹脂組成物所形成之熱固性薄膜在高頻區域的優異之介電特性。作為「在頻率1~100 GHz的區域具有小於0.005之介電損耗正切(tanδ)的熱塑性彈性體」，較佳為苯乙烯系熱塑性彈性體，更佳為氫化苯乙烯系熱塑性彈性體。此處，氫化苯乙烯系熱塑性彈性體係指經氫化之苯乙烯系熱塑性彈性體，作為氫化苯乙烯系熱塑性彈性體，可舉例如：苯乙烯/丁二烯/丁烯/苯乙烯嵌段共聚物(部分氫化，SBBS)、苯乙烯/乙烯/丁烯/苯乙烯嵌段共聚物(完全氫化，SEBS)。藉由使用氫化苯乙烯系熱塑性彈性體，可提升介電特性。此外，(B)成分為苯乙烯系熱塑性彈性體時，(B)成分的苯乙烯比率較佳為10~70%，更佳為15~60%。藉由使(B)成分的苯乙烯比率為20~50%，成膜性及作業性優異。
(B)成分的氫化苯乙烯系熱塑性彈性體並無特別限定，較佳為苯乙烯/乙烯/丁烯/苯乙烯嵌段共聚物(SEBS)。由於苯乙烯/乙烯/丁烯/苯乙烯嵌段共聚物(SEBS)為經完全氫化之苯乙烯系熱塑性彈性體，且為不具有雙鍵之苯乙烯系熱塑性彈性體，因此可進一步提升介電特性。又，藉由使用數量平均分子量為60,000以上的苯乙烯/乙烯/丁烯/苯乙烯嵌段共聚物(SEBS)，介電特性亦為良好，且亦可提升焊接耐熱性。再者，藉由使用苯乙烯/乙烯/丁烯/苯乙烯嵌段共聚物(SEBS)作為(B)成分，在將樹脂組成物薄膜化時，該薄膜變得難以捲曲。又，作為(B)成分的氫化苯乙烯系熱塑性彈性體的其他較佳例，可列舉苯乙烯/乙烯/乙烯/丙烯/苯乙烯嵌段共聚物(SEEPS)。
(B)成分的含量並無特別限制，(A)成分與(B)成分的質量比((A)成分：(B)成分)較佳為5：95~70：30，更佳為10：90~67：33，再佳為20：80~60：40，特佳為25：75~40：60。又，從焊接耐熱性的觀點來看，較佳為(B)成分的含量多於(A)成分。但是，若(B)成分的比率過度變多，則在將樹脂組成物薄膜化時，該薄膜可能容易產生黏性，而可能導致作業性降低。又，若(B)成分的比率變多，則樹脂組成物的介電特性也可能變差，因此較佳在上述範圍。
又，將除了填料以外的樹脂組成物量設為100質量份時，(B)成分的含量較佳為20~95質量份，更佳為30~93質量份，再佳為35~80質量份。藉由在此範圍，而維持低介電特性，且焊接耐熱性優異。
本實施形態之樹脂組成物亦可含有多種熱塑性彈性體作為(B)成分。亦可含有多種數量平均分子量為60,000以上的熱塑性彈性體作為(B)成分。又，本實施形態之樹脂組成物亦可含有數量平均分子量小於60,000的熱塑性彈性體((B’)成分)作為(B)成分以外的熱塑性彈性體。此外，在本實施形態之樹脂組成物含有多種熱塑性彈性體的情況下，較佳係數量平均分子量為60,000以上的熱塑性彈性體的含量(質量基準)多於數量平均分子量為60,000以下的熱塑性彈性體的含量。
作為(B)成分的數量平均分子量為60,000以上的熱塑性彈性體，可舉例如：KURARAY公司製商品名「SEPTON 8004」、「SEPTON 8006」及「SEPTON V9461」。
[(C)成分] (C)成分為環氧樹脂。環氧樹脂係分子內具有1個以上之環氧基的化合物，環氧基因加熱而反應，藉此形成3維網狀結構，而可固化。藉由包含環氧樹脂作為(C)成分，可實現焊接耐熱性的進一步提升。又，藉由包含(C)成分的環氧樹脂，即使是對於被附著體為銅的光澤面之類的平滑面亦可實現密合性的提升。
(C)成分的環氧樹脂的含量並無特別限制，相對於(A)成分、(B)成分及(C)成分之總計100質量份，較佳為0.1~5.0質量份，更佳為0.5~4.0質量份，再佳為0.7~3.0質量份。若(C)成分的含量過多，則可能導致固化物的介電損耗正切變高。
又，將除了填料以外的樹脂組成物量設為100質量份時，(C)成分的含量較佳為0.1~5.0質量份，更佳為0.5~3.0質量份，再佳為0.6~2.0質量份。
作為環氧樹脂的具體例，可列舉：雙酚A、雙酚E、雙酚F等雙酚化合物或該等之衍生物(例如，環氧烷加成物)、氫化雙酚A、氫化雙酚E、氫化雙酚F、環己二醇、環己二甲醇、環己烷二乙醇等具有脂環結構之二醇或該等之衍生物、丁二醇、己二醇、辛二醇、壬二醇、癸二醇等脂肪族二醇或該等之衍生物等經環氧化而成之2官能性環氧樹脂；具有三羥基苯基甲烷骨架、胺基酚骨架之3官能性環氧樹脂；苯酚酚醛清漆樹脂、甲酚酚醛清漆樹脂、苯酚芳烷基樹脂、聯苯芳烷基樹脂、萘酚芳烷基樹脂等經環氧化而成之多官能性環氧樹脂，但並不限定於此。較佳為雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、胺基酚型環氧樹脂。此處所例示之化合物可單獨使用，亦可將2個以上混合使用。
(C)成分的環氧樹脂在室溫(25℃)下較佳為液態。
[(D)成分] (D)成分為固化劑。(D)成分的固化劑只要是一般將環氧樹脂固化者，則並無特別限制，本案中的固化劑中，促進環氧樹脂之反應的固化觸媒亦包含於固化劑。固化劑並無特別限制，從可適當調整固化性來看，更佳為咪唑系固化觸媒。
咪唑系固化觸媒可為咪唑，亦可使用咪唑加成物、包接咪唑、微膠囊型咪唑、使穩定劑配位而成之咪唑化合物等。該等在其結構中具有含非共有電子對的氮原子，其可使環氧基活性化或是亦進一步使其他併用之環氧樹脂活性化，而可促進固化。
作為咪唑系固化觸媒的具體例，可列舉：2-甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、2-十一基咪唑、2-十七基咪唑、1,2-二甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、1-苄基-2-苯基咪唑、1-苄基-2-甲基、1-氰基乙基-2-甲基咪唑、1-氰基乙基-2-乙基-4-甲基咪唑、1-氰基乙基-2-十一基咪唑、1-氰基乙基-2-苯基咪唑、1-氰基乙基-2-乙基-4-甲基咪唑鎓苯偏三酸酯、1-氰基乙基-2-十一基咪唑鎓苯偏三酸酯、1-氰基乙基-2-苯基咪唑鎓苯偏三酸酯、2,4-二胺基-6-(2’-甲基咪唑基-(1’))-乙基-對稱三嗪、2,4-二胺基-6-(2’-十一基咪唑基-(1’))-乙基-對稱三嗪、2,4-二胺基-6-(2’-乙基-4-甲基咪唑基-(1’))-乙基-對稱三嗪、2,4-二胺基-6-(2’-甲基咪唑基-(1’))-乙基-對稱三嗪･異三聚氰酸加成物、2-苯基咪唑･異三聚氰酸加成物、2-甲基咪唑･異三聚氰酸加成物、1-氰基乙基-2-苯基-4,5-二(2-氰基乙氧基)甲基咪唑、2-苯基-4,5-二羥基甲基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羥基甲基咪唑等，但並不限定於此。經加成處理、以不同分子進行之包接處理、微膠囊處理或使穩定劑配位之咪唑，係對前述咪唑進行修飾而成者。該等係藉由對咪唑進行加成物處理、以不同分子進行之包接處理、微膠囊處理、或是使穩定劑配位而降低活性，藉此可在低溫區域呈現優異的適用期，而且固化及固化促進能力高。
又，作為咪唑的市售品(以下為商品名)，可列舉：2E4MZ、2P4MZ、2PZ-CN、C11Z-CNS、C11Z-A、2MZA-PW、2MA-OK、2P4MHZ-PW、2PHZ-PW(以上為四國化成工業公司製)、EH2021(ADEKA公司製)等，但並不限定於此。作為咪唑加成物的市售品，可舉例如：具有咪唑化合物對環氧樹脂的環氧基進行開環加成而成之結構的PN-50、PN-50J、PN-40、PN-40J、PN-31、PN-23、PN-H(以上為Ajinomoto Fine-Techno公司製)等，但並不限定於此。作為包接咪唑的市售品，可舉例如：TIC-188、KM-188、HIPA-2P4MHZ、NIPA-2P4MHZ、TEP-2E4MZ、HIPA-2E4MZ、NIPA-2E4MZ(以上為日本曹達公司製)等，但並不限定於此。作為微膠囊型咪唑的市售品，可舉例如：NOVACURE HX3721、HX3722、HX3742、HX3748(以上為旭化成公司製)、LC-80(以上為A&CCatalysts公司製)等。
固化劑的含量可因應作為(D)成分使用之固化劑的種類而適當選擇。又，在將填料以外的樹脂組成物量設為100質量份時，(D)成分的含量較佳為0.001~1.0質量份，再佳為0.005~0.60質量份。又，相對於環氧樹脂，咪唑系固化觸媒的含量較佳為0.1~10質量%，更佳為1~6質量%。若(D)成分的含量過少，則使用樹脂組成物所製作之薄膜的固化性變差，而有接著性、強韌性、耐熱性降低的疑慮。另一方面，若(D)成分的含量過多，則有使用樹脂組成物所製作之薄膜的保存期限變短的疑慮，又有損及固化物中樹脂原本的物性而導致接著性、強韌性、耐熱性降低的疑慮。
[(E)成分] (E)成分為有機過氧化物。藉由含有所述有機過氧化物，(A)成分的反應開始溫度往低溫側偏移而促進樹脂組成物的固化。因此，樹脂組成物的焊接耐熱性進一步提升。有機過氧化物的含量可因應種類而適當選擇，代表性而言，相對於(A)成分100質量份，較佳為0.1~10質量份，更佳為0.5~5質量份。
作為有機過氧化物，可使用過氧化苯甲醯基、過氧化異丁醯基、過氧化異壬醯基、過氧化癸醯基、過氧化月桂醯基、過氧化對氯苯甲醯基、過氧化二(3,5,5-三甲基己醯基)等過氧化二醯基類；2,2-二(4,4-二-(二(三級丁基)過氧基)環己基)丙烷等過氧縮酮類；過氧二碳酸異丙酯、過氧二碳酸二(二級丁基)酯、過氧二碳酸二-2-乙基己酯、過氧二碳酸二-1-甲基庚酯、過氧二碳酸二-3-甲氧基丁酯、過氧二碳酸二環己酯等過氧二碳酸酯類；過氧苯甲酸三級丁酯、過乙酸三級丁酯、過氧2-乙基己酸三級丁酯、過氧異丁酸三級丁酯、過氧三甲基乙酸三級丁酯、二過氧己二酸三級丁酯、過氧新癸酸異丙苯酯、過氧苯甲酸三級丁酯、2,5-二甲基-2,5二(苯甲醯基過氧基)己烷等過氧基酯類；過氧化丁酮、過氧化環己酮等過氧化酮類；過氧化二(三級丁基)、過氧化二異丙苯、過氧化三級丁基異丙苯基、2,5-二甲基-2,5二(三級丁基過氧基)己烷、2,5-二甲基-2,5二(三級丁基過氧基)己炔-3、1,1-二(三級己基過氧基)-3,3,5-三甲基環己烷、過氧化二(三級己基)、二(2-三級丁基過氧基異丙基)苯等過氧化二烷基類；過氧化異丙苯羥基、氫過氧化三級丁基、氫過氧化對薄荷烷等氫過氧化物類等。使用之有機過氧化物並無特別限制，但在使樹脂組成物固化時，例如大多需要60~80℃左右的乾燥步驟，因此較佳係使用10小時半衰期溫度為100℃~140℃者。再者，10小時半衰期溫度為110~130℃更佳。
作為(E)成分的有機過氧化物的市售品(以下為商品名)，可列舉：Perbutyl H、Perbutyl Z、Percumyl P、Percumyl D、Percumyl H、PerhexaC (以上為日油化學公司製)等。
[(F)成分] (F)成分為阻燃劑。作為(F)成分之阻燃劑，係在不損及目前為止所說明的本實施形態之樹脂組成物的效果的範圍內適當含有的任意成分。例如，在用於印刷電路板之絕緣層等的樹脂組成物中，除了目前為止所說明的焊接耐熱性及低介電特性以外，有時進一步要求阻燃性。對於所述要求，藉由進一步包含阻燃劑作為(F)成分，可有助於提升本實施形態之樹脂組成物所構成之固化物的阻燃性。
阻燃劑的種類並無特別限制。例如，作為(F)之阻燃劑可列舉：無機系的磷系阻燃劑、有機系的磷系阻燃劑、氫氧化鋁之水合物、氫氧化鎂之水合物等金屬水合物等。作為(F)成分之阻燃劑可單獨使用1種，亦可將2種類以上併用。
作為無機系的磷系阻燃劑，可列舉：紅磷；磷酸一銨、磷酸二銨、磷酸三銨、多磷酸銨等磷酸銨；磷酸醯胺等無機系含氮磷化合物；磷酸；氧化膦等。
作為有機系的磷系阻燃劑，可列舉：磷酸酯系阻燃劑、1取代膦酸二酯及2取代膦酸酯；2取代次膦酸之金屬鹽、有機系含氮磷化合物、環狀有機磷化合物等。作為「金屬鹽」，可列舉：鋰鹽、鈉鹽、鉀鹽、鈣鹽、鎂鹽、鋁鹽、鈦鹽、鋅鹽等。
阻燃劑的含量可因應作為(F)成分使用之阻燃劑的種類而適當選擇。又，在將填料以外的樹脂組成物量設為100質量份時，(F)成分的含量較佳為15~50質量份，再佳為20~40質量份。又，作為(F)成分之阻燃劑可列舉：次膦酸金屬鹽(例如，Clariant Japan公司製商品名「OP-935」)等。
[(G)成分] (G)成分為填充材。作為(G)成分之填充材的種類並無特別限制，可舉例如習知的無機填充材等。要求作為(G)成分之填充材具有絕緣性與低熱膨脹係數。
作為(G)成分之無機填充材可使用一般的無機填料。例如，作為無機填料，可列舉：二氧化矽、氧化鋁、氮化鋁、碳酸鈣、矽酸鋁、矽酸鎂、碳酸鎂、硫酸鋇、碳酸鋇、硫酸鈣、氫氧化鋁、矽酸鈣、鈦酸鉀、氧化鈦、氧化鋅、碳化矽、氮化矽、氮化硼等。無機填料可單獨使用，亦可併用2種以上。特別是從絕緣性的觀點來看，較佳為二氧化矽填料、氧化鋁填料。又，從介電特性的觀點來看，較佳為二氧化矽填料。無機填料亦可以具有選自丙烯酸基、甲基丙烯酸基、苯乙烯基、胺基、環氧基、乙烯基中的1種以上之官能基的矽烷偶合劑進行表面處理。例如，無機填料較佳係以胺基矽烷系偶合劑、脲基矽烷系偶合劑、環氧基矽烷系偶合劑、巰基矽烷系偶合劑、矽烷系偶合劑、乙烯基矽烷系偶合劑、苯乙烯基矽烷系偶合劑、丙烯酸酯矽烷系偶合劑、異氰酸酯矽烷系偶合劑、硫醚矽烷系偶合劑、有機矽氮烷化合物、鈦酸酯系偶合劑等表面處理劑進行表面處理來提升其耐熱性、耐濕性、分散性而成者。該等亦可使用1種或將2種以上組合使用。更佳係經表面處理之二氧化矽填料中，較佳為使用經以乙烯基矽烷系偶合劑進行表面處理之二氧化矽填料。藉由使用經以乙烯基矽烷系偶合劑進行表面處理之二氧化矽填料，可使熱膨脹係數良好。
無機填料的形狀並無特別限定，可列舉：球狀、鱗片狀、針狀、不規則形狀等。從作業性的觀點來看，較佳為球狀。平均粒徑較佳為0.1~10 μm，再佳為0.1~4 μm。藉由使無機填料的平均粒徑在此範圍，而對於細微結構間的埋入性優異。平均粒徑係藉由雷射繞射/散射法所測量的體積基準下粒度分布中的累積值50%之粒徑。平均粒徑例如可藉由雷射散射繞射法粒度分布測量裝置：LS13320 (BECKMANCOULTER公司製，濕式)進行測量。
又，含有(G)成分時，相對於樹脂組成物中的非揮發成分100質量份，(G)成分的含量較佳為0.1~90質量份，更佳為20~85質量份，再佳為30~80質量份，特佳為50~80質量份。藉由如此構成，可良好地提升熱膨脹係數。
[(H)成分] (H)成分為交聯劑。藉由包含作為(H)成分之交聯劑，可有效地防止由樹脂組成物所構成之薄膜破裂。又，藉由與作為(A)成分之聚苯醚樹脂交聯，可期待樹脂組成物之焊接耐熱性的進一步提升。
作為(H)成分之交聯劑，例如可使用聚丁二烯、三聚異氰酸三烯丙酯、三聚異氰酸二烯丙基單縮水甘油酯、三聚異氰酸單烯丙基二縮水甘油酯、三聚異氰酸二烯丙酯、2,2’-二烯丙基雙酚A等，該等交聯劑中，較佳為使用1分子中具有異三聚氰酸環結構及2個烯丙基的交聯劑。(H)成分的交聯劑具有2個烯丙基，藉此為低介電特性，並且可提升焊接耐熱性。詳細原因雖不明確，但推測由於(H)成分具有異三聚氰酸環結構，故樹脂組成物的耐熱性提升。又，(H)成分亦可為1分子中具有異三聚氰酸環結構及2個烯丙基的化合物。藉此，低介電特性且焊接耐熱性良好，可獲得更良好的成膜性而容易薄膜化。又，(H)成分亦可為於25℃中為液態的化合物。
再者，(H)成分亦可為與作為(A)成分之聚苯醚樹脂的交聯劑，且為經賦予阻燃性的阻燃性交聯劑。例如，可使用1分子中具有異三聚氰酸環結構及2個烯丙基且末端具有磷系取代基的阻燃性交聯劑。藉此，與作為(A)成分之聚苯醚樹脂交聯而提升樹脂組成物的焊接耐熱性，並且亦可賦予阻燃性。
又，(H)成分較佳為下列通式(16)式所示之化合物。
上列通式(16)中，R係碳數為4~14個的烷基，較佳係碳數為8~14個的烷基，特佳係碳數為10~12個的烷基。又，R亦可為磷系取代基。
相對於(A)成分100質量份，(H)成分的含量較佳為10~70質量份。藉由如此構成，可為低介電特性且焊接耐熱性亦提升。此外，雖無特別限定，但(H)成分的含量相對於(A)成分100質量份，較佳為15~65質量份，再佳為20~60質量份。又，樹脂組成物中的非揮發成分100質量%中較佳為包含2~50質量%的(H)成分，再佳為包含3~40質量%，特佳為包含4~30質量%。若樹脂組成物中的非揮發成分100質量%中的(H)成分的含有比率在此範圍內，則樹脂組成物的介電特性優異。此外，非揮發成分中的(H)成分的含有比率例如可藉由紅外光譜儀(FTIR)、氣相層析質譜分析等方法進行測量。此外，若(B)成分的熱塑性彈性體的數量平均分子量過大，則該熱塑性彈性體不易熔融，而可能導致作業性變差。然而，藉由包含1分子中具有異三聚氰酸環結構及2個烯丙基、且於25℃中為液態的化合物，即使在使用分子量大的熱塑性樹脂的情況下，亦可使樹脂組成物的熔融黏度變低，而使其容易薄膜化。又，例如在相對於樹脂組成物中的非揮發成分100質量份添加50質量份以上之(G)填充劑的情況下，固化後的樹脂組成物容易變脆，而可能在將樹脂組成物薄膜化時發生破裂。相對於此，藉由在上述範圍添加(H)成分，可抑制在將樹脂組成物薄膜化時發生破裂。再者，藉由在上述範圍添加(H)成分，在將樹脂組成物薄膜化時，可抑制後述之捲曲性。此外，從上述觀點來看，相對於(G)填充劑100質量份，(H)成分較佳為添加1~30質量份，更佳為添加3~25質量份，再佳為5~20質量份，特佳為7~15質量份。
作為(H)成分的1分子中具有異三聚氰酸環結構及2個烯丙基、且於25℃中為液態的化合物，可舉例如四國化成公司製商品名「L-DAIC」。又，作為1分子中具有異三聚氰酸環結構及2個烯丙基、且末端具有磷系取代基的阻燃性交聯劑，可列舉四國化成公司製商品名「P-DAIC」。
[其他成分] 本實施形態之樹脂組成物亦可進一步包含目前為止所說明的(A)成分~(H)成分以外的成分。例如，作為其他成分，可列舉：著色劑、分散劑、矽烷偶合劑、抗氧化劑、流變控制劑等各種添加劑等。
[樹脂組成物的製造方法] 本實施形態之樹脂組成物可藉由慣用的方法進行製造。本實施形態之樹脂組成物可藉由使用例如破碎機、球磨機、三輥研磨機、旋轉式混合機、雙軸混合器等，將目前為止所說明的各成分混合而製造。
[樹脂組成物的用途] 本實施形態之樹脂組成物可適當用作電子零件中使用之接著薄膜用的樹脂組成物。又，本實施形態之樹脂組成物亦可適當用作多層化基板用的層間接著用黏合片或層間接著劑。將本實施形態之樹脂組成物用於電子零件用的各種用途時，作為接著對象的電子零件並無特別限制，可列舉：陶瓷基板、有機基板、半導體晶片、半導體裝置等。
使用本實施形態之樹脂組成物而成的接著薄膜、層間接著用黏合片及層間接著劑等係作為樹脂組成物的固化物而包含於構成電子零件等的積層板或半導體裝置中。因此，在構成電子零件等的積層板或半導體裝置中，較佳為包含本實施形態之樹脂組成物的固化物。
又，本實施形態之樹脂組成物亦可作為用於製作帶天線之半導體封裝的樹脂組成物(帶天線之半導體封裝用樹脂組成物)使用。此外，帶天線之半導體封裝的詳細內容於以下敘述。本實施形態之樹脂組成物可在所述帶天線之半導體封裝中適當作為用以將半導體裝置部與天線部連接的絕緣層、用以形成天線部內部之絕緣層的樹脂組成物使用。
[帶天線之半導體封裝] 接著說明帶天線之半導體封裝的實施形態。帶天線之半導體封裝的一實施形態係如圖1所示的帶天線之半導體封裝100。圖1係示意顯示帶天線之半導體封裝之一例的局部剖面圖。
如圖1所示，帶天線之半導體封裝100係將天線部5與半導體裝置部10一體成形，特別是作為高頻基板的帶天線之半導體封裝100，該高頻基板上安裝有發送/接收5G毫米波以進行通訊的RF(無線射頻)晶片8。天線部5在半導體裝置部10中係藉由具有各種配線圖案的配線層4而與進行毫米波通訊的RF晶片8連接。
圖1所示的帶天線之半導體封裝100中的半導體裝置部10包含：核心基板2；天線部5，其配設於半導體裝置部10的一表面側；絕緣層1(第一絕緣層1A)，其用以將半導體裝置部10與天線部5連接；多層結構之配線層4，其配置於核心基板2內；及絕緣層1(第二絕緣層1B、第三絕緣層1C、第四絕緣層1D、第五絕緣層1E)，其構成為被覆配線層4中的配線孔洞。此外，第一絕緣層1A不僅係以夾在半導體裝置部10與天線部5之間的方式設置，而且亦可以延伸至天線部5內部的方式設置。
帶天線之半導體封裝100中，在半導體裝置部10的另一表面側，配線層4的一部位與發送/接收毫米波以進行通訊的RF晶片8連結，並且配線層4的其他部位與電連結金屬7連結。圖1所示之例中，配線層4與RF晶片8隔著半球狀的連接墊9進行電連接。電連結金屬7係用以透過該電連結金屬7配合其功能使帶天線之半導體封裝100與外部物理及/或電連結的端子部。
絕緣層1為了抑制在發送時從RF晶片8所輸出之電流或毫米波訊號衰減並且使其高效率地在空間中放射而傳遞至天線部5，因此要求減少將天線部5與RF晶片8連接之連接部的損耗(傳輸損耗)。接收時亦相同，為了抑制天線部5所接收之毫米波訊號的反射波衰減並且將其傳遞至作為接收部的RF晶片8，要求減少將天線部5與RF晶片8連接之連接部的損耗(傳輸損耗)。
天線部5係作為用作平面天線之貼片天線而配設於半導體裝置部10的一表面側。
帶天線之半導體封裝100，其主要特徵尤其係關於用以將半導體裝置部10與天線部5連接的絕緣層1(例如第一絕緣層1A)及天線部5內部的絕緣層1之中的至少一個絕緣層1的構成。以下更詳細地說明本實施形態的帶天線之半導體封裝100中的絕緣層1的構成。此外，以下有時將用以將半導體裝置部10與天線部5連接的絕緣層1及天線部5內部的絕緣層1僅統稱為「絕緣層1」。
帶天線之半導體封裝100中，至少一個絕緣層1係由與目前為止所說明的本發明之樹脂組成物相同地構成的樹脂組成物的固化物所構成。亦即，構成絕緣層1之固化物，係包含作為(A)成分之末端具有包含碳-碳雙鍵之官能基的聚苯醚樹脂與作為(B)成分之數量平均分子量為60,000以上的熱塑性彈性體的樹脂組成物的固化物。
具備以上述所構成之絕緣層1的帶天線之半導體封裝100，焊接耐熱性優異，且具有低介電特性。具備5G毫米波用之天線部5的帶天線之半導體封裝100中，例如，有時會針對用以連接天線部5的絕緣層1進行288℃的焊接試驗，而要求在以往非必要之耐熱溫度中的焊接耐熱性。以往之半導體封裝中的絕緣層係使用習知的高頻薄膜，但所述高頻薄膜具有未滿足上述焊接耐熱性者，其中包含大量無法用於具備5G毫米波用之天線部5的帶天線之半導體封裝100者。在本實施形態的帶天線之半導體封裝100中，構成絕緣層1之固化物較佳係藉由SPDR(分離式介電體共振器)法以頻率10GHz所測量之介電損耗正切(tanδ)為0.0020以下，且焊接耐熱於290℃為2分鐘以上。
絕緣層1可藉由將包含上述(A)成分與(B)成分的樹脂組成物進行加熱固化而得。用以形成絕緣層1的樹脂組成物係與目前為止所說明的本發明之樹脂組成物相同地構成的樹脂組成物。樹脂組成物中，除了已說明的(A)成分及(B)成分以外，亦可包含(C)成分~(H)成分中的任一種其他成分以及進而包含其以外的其他成分。
本實施形態的帶天線之半導體封裝100，其焊接耐熱性優異，且介電特性亦為優異，因此適合作為安裝有發送･接收5G毫米波以進行通訊的RF(無線射頻)晶片8之半導體封裝使用。
帶天線之半導體封裝100中，用以將半導體裝置部10與天線部5連接的第一絕緣層1A、以及構成為被覆配線層4中的配線孔洞之第二絕緣層1B、第三絕緣層1C、第四絕緣層1D及第五絕緣層1E，較佳係分別與由目前為止所說明的固化物所構成之絕緣層1相同地構成。
接著，帶天線之半導體封裝100中的絕緣層1的製作方法並無特別限制，可舉例如以下方法。
首先，製備至少包含(A)成分與(B)成分的帶天線之半導體封裝用樹脂組成物。以下有時將「帶天線之半導體封裝用樹脂組成物」簡稱為「樹脂組成物」。從操作性的觀點來看，樹脂組成物較佳為薄膜形狀。該帶天線之半導體封裝用薄膜例如可藉由將在包含(A)成分與(B)成分的樹脂組成物中加入有機溶劑而成之溶液塗敷於作為支撐體的經施予脫模處理之PET薄膜，並於80~130℃使其乾燥而得。將所得的帶天線之半導體封裝用薄膜從支撐體剝離，貼附於半導體裝置部10，例如於200℃進行30~60分鐘的熱處理，藉此可製作帶天線之半導體封裝。
帶天線之半導體封裝100中的半導體裝置部10中的配線層4等的構成並不限定於如圖1所示之構成，亦可應用於具備5G毫米波用天線之各種半導體封裝。例如，圖2係示意顯示帶天線之半導體封裝之另一例的局部剖面圖。
圖2所示的帶天線之半導體封裝200係將天線部25、26與半導體裝置部30一體成形。天線部25、26在半導體裝置部10中係藉由具有各種配線圖案之配線層24而與進行毫米波通訊的RF晶片28連接。
半導體裝置部30具有核心基板22、配設於半導體裝置部30之一表面側的天線部25、及用以將半導體裝置部30與天線部25連接的絕緣層21。在核心基板22內容納有發送/接收5G毫米波以進行通訊的RF晶片28，其係藉由配置於核心基板22內的配線層24進行配線。在半導體裝置部30的兩端設有天線部26，其係作為左右對稱地配設有直線狀導線(元件)的偶極天線。半導體裝置部30的另一表面側與電連結金屬27連結，該電連結金屬27係用以使帶天線之半導體封裝200與外部物理及/或電連結。
在如圖2所示的帶天線之半導體封裝200中，使絕緣層21為包含作為(A)成分之末端具有包含碳-碳雙鍵之官能基的聚苯醚樹脂與作為(B)成分之數量平均分子量為60,000以上的熱塑性彈性體的樹脂組成物的固化物，藉此焊接耐熱性優異，且具有低介電特性。作為絕緣層21使用之固化物可採用與作為圖1所示的帶天線之半導體封裝100的絕緣層1使用之固化物相同地構成而成者。 [實施例]
以下藉由實施例更具體地說明本發明，但本發明並不受限於該等實施例。以下實施例中，若無特別說明，份、%表示質量份、質量%。
(實施例1~20、比較例1~2) [樣本製作] 以成為下述表1~表4所示之調配比例(質量份)的方式量測並調配各成分後，將該等成分投入已加溫至80℃的反應釜，一邊以旋轉數150rpm使其旋轉，一邊進行常壓混合4小時。加入(D)成分的固化劑及/或(E)成分的有機過氧化物的情況下，係在冷卻後加入(D)成分的固化劑及/或(E)成分的有機過氧化物。以上述方式製備包含實施例1~20及比較例1~2之樹脂組成物的清漆。
在實施例1~20及比較例1~2中，用於製備樹脂組成物的原料如下。此外，(A)成分、(B)成分及(B’)成分的數量平均分子量(Mn)係藉由層析法求出數量平均分子量(Mn)。
[(A)成分：末端具有包含碳-碳雙鍵之官能基的聚苯醚樹脂] (A1)：末端具有甲基丙烯酸基之聚苯醚樹脂，SABIC Japan株式會社製，商品名「Noryl SA9000」，數量平均分子量(Mn)：1,700。 (A2)：末端具有苯乙烯基之聚苯醚樹脂，三菱瓦斯化學株式會社製，商品名「OPE-2200」，數量平均分子量(Mn)：2,200。 (A3)：末端具有苯乙烯基之聚苯醚樹脂，三菱瓦斯化學株式會社製，商品名「OPE-1200」，數量平均分子量(Mn)：1,200。
[(B)成分：數量平均分子量為60,000以上的熱塑性彈性體] (B1)：苯乙烯系彈性體(SEBS(苯乙烯比率31%))，KURARAY公司製，商品名「SEPTON 8004」，數量平均分子量(Mn)：76,495。 (B2)：苯乙烯系彈性體(SEBS(苯乙烯比率33%))，KURARAY公司製，商品名「SEPTON 8006」，數量平均分子量(Mn)：125,769。 (B3)：苯乙烯系彈性體(SEEPS(苯乙烯比率30%))，KURARAY公司製，商品名「SEPTON V9461」，數量平均分子量(Mn)：129,783。
[(B’)成分：數量平均分子量小於60,000的熱塑性彈性體] (B’4)：苯乙烯系彈性體(SEBS(苯乙烯比率30%))，Kraton公司製，商品名「G1652」，數量平均分子量(Mn)：53,864。 (B’5)：苯乙烯系彈性體(SEEPS-OH(苯乙烯比率28%))，KURARAY公司製，商品名「HG-252」，數量平均分子量(Mn)：54,029。
[(C)成分：環氧樹脂] (C1)：雙酚A型環氧樹脂，三菱化學株式會社製，商品名「828EL」。 (C2)：酚醛清漆型環氧樹脂，日本化藥公司製，商品名「EPPN-502H」。
[(D)成分：固化劑] (D1)：ADEKA公司製，商品名「EH2021」。 [(E)成分：有機過氧化物] (E1)：日油化學公司製，商品名「Perbutyl Z」。 (E2)：日油化學公司製，商品名「Percumyl D」。 [(F)成分：阻燃劑] (F1)：Clariant Japan公司製，商品名「OP935」。 [(G)成分：填充材] (G1)：經以胺基矽烷偶合劑進行表面處理之球狀二氧化矽，Admatechs公司製，商品名「SC4050 SX」，平均粒徑1.0 μm。 [(H)成分：交聯劑] (H1)：四國化成公司製，商品名「L-DAIC」。 (H2)：四國化成公司製，商品名「P-DAIC」。
在表1~表4的「原料比率」欄位中，顯示實施例1~17及比較例1~2中用於製備樹脂組成物之原料的比率。表1~表4的「原料比率」的各欄中的比率如下。「A/(A+B+B’)×100(質量比)」的欄位顯示(A)成分相對於(A)成分、(B)成分及(B’)成分之總計100質量份的含量(質量份)。「B/(A+B)×100(質量比)」的欄位顯示(B)成分相對於(A)成分及(B)成分之總計100質量份的含量(質量份)「C/(A+B+C)×100(質量比)」的欄位顯示(C)成分相對於(A)成分、(B)成分及(C)成分之總計100質量份的含量(質量份)。
接著，將包含以上述方式所製備之樹脂組成物的清漆塗布於支撐體(經實施脫模處理之PET薄膜)的單面，於100℃使其乾燥，藉此得到附支撐體之接著薄膜。
針對以此方式所得之附支撐體之接著薄膜，按以下所示之方法進行介電特性的評價。測量結果顯示於表1~表4。
[介電特性(介電常數(ε)、介電損耗正切(tanδ))] 以經實施脫模處理之PET薄膜夾住接著薄膜的雙面，並使用壓合機使該接著薄膜熱固化。以壓合機進行之熱固化係設為200℃、60分鐘、10 kgf/cm 2的條件。之後，將配置於固化後之接著薄膜雙面的經實施脫模處理之PET薄膜去除，從該接著薄膜裁切出試片(50 ± 0.5 mm × 100 ± 2 mm)，並測量厚度。表1~表4的「薄膜膜厚」欄位中表示所測量之接著薄膜的膜厚。接著，對於已測量厚度之薄膜(試片)，以介電體共振器法(SPDR法)測量介電常數(ε)及介電損耗正切(tanδ)。此外，以介電體共振器法進行之測量係將測量頻率設為10GHz。介電常數(ε)在2.50以下視為「優」，超過2.50且在3.00以下視為「良」，超過3.00視為「不佳」。又，介電損耗正切(tanδ)小於0.00010視為「優」，0.00010以上且小於0.0020視為「良」，0.0020以上且小於0.0030視為「尚可」，0.030以上視為「不佳」。
又，針對所得的附支撐體之接著薄膜進行以下的焊接耐熱試驗及剝離強度及捲曲性的評價。各結果顯示於表1~表4。
[焊接耐熱性] 依據JISC5012(1993)進行。具體而言，在接著薄膜的雙面上，以粗化面為內側而貼合銅箔，再以壓合機進行熱壓接。熱壓接的條件係設為200℃、60分鐘、10 kgf/cm 2。將所得之試片裁切成25 mm × 25 mm，並浮於加熱至288℃之焊接槽4分鐘，確認是否膨脹。表1~表4所示之結果(秒)表示目視確認到試片發生膨脹為止的時間(秒)。此外，4分鐘未發生膨脹的情況記載為「≤4分」。焊接耐熱性的評價係將4分鐘以上未發生膨脹的情況視為「優」。又，將發生膨脹為止的時間在3分鐘以上且小於4分鐘的情況視為「良」，2分鐘以上且小於3分鐘的情況視為「尚可」，小於2分鐘的情況視為「不佳」。
[剝離強度] 依據JISC 6471進行。具體而言，在接著薄膜的雙面上，以粗化面為內側而貼合銅箔，再以壓合機進行熱壓接。銅箔係使用商品名「CF-T9」，福田金屬箔工業公司製，18 μm。熱壓接的條件係設為200℃、60分鐘、10 kgf/cm 2。將所得之試片裁切成寬度10 mm，以Autograph(萬能試驗機)將其剝離，測量剝離強度。針對測量結果，計算各N=5的平均值。
[捲曲性] 首先，將包含樹脂組成物之清漆塗布於支撐體(經實施脫模處理之厚度38 μm PET薄膜)的單面，於100℃使其乾燥，藉此得到附支撐體之接著薄膜。使所得的附支撐體之接著薄膜回到常溫後，將該附支撐體之接著薄膜裁切成30 cm × 50 cm的大小，製作用以評價捲曲性的試片。將所製作之試片以該試片的支撐體側成為下側的方式放置於水平的台上，以下述方法測量因試片的捲曲而縮短之長度(翹曲量)。首先，將放置於水平的台上之試片的一前端部的邊固定於台上。如此，針對已固定一前端部的邊之試片，在該試片上相反之前端部的邊測量因捲曲而縮短之長度。將因試片的捲曲而縮短之長度(翹曲量)小於5 cm的情況視為合格(良；「〇」)，5 cm以上且小於7 cm的情況亦視為合格(尚可；「△」)，7 cm以上的情況視為不佳(「×」)。
[表1]
      Mn 實施例1 實施例2 實施例3 實施例4 實施例5 實施例6
原料(質量份) (A)成分 SA9000 1,700 - - - 30.0 - -
OPE-2200 2,200 30.0 30.0 30.0 - 30.0 30.0
OPE-1200 1,200 - - - - - -
(B)成分 SEPTON 8004 76,495 - - - - 68.5 -
SEPTON 8006 125,769 70.0 69.1 68.5 69.1 - -
SEPTON V9461 129,783 - - - - - 68.5
(B´)成分 G1652 53,864 - - - - - -
HG-252 51,214 - - - - - -
(C)成分 828EL   - - - - - -
502H   - - - - - -
(D)成分 EH2021   - - - - - -
(E)成分 Perbutyl Z - 0.9 1.5 0.9 1.5 1.5
Percumyl D   - - - - - -
(F)成分 OP935   - - - - - -
OP945   - - - - - -
(G)成分 SC4050SX   - - - - - -
(H)成分 L-DAIC   - - - - - -
P-DAIC   - - - - - -
原料比率 總計 100 100 100 100 100 100
A/(A+B+B´)×100(質量比) 30.0 30.3 30.5 30.3 30.5 30.5
B/(A+B)×100(質量比) 70.0 69.7 69.5 69.7 69.5 69.5
C/(A+B+C)×100(質量比) 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0
評價 薄膜膜厚 25 μm 25 μm 25 μm 25 μm 25 μm 25 μm
焊接耐熱性[288℃] 3分30秒 ≤4分 ≤4分 2分30秒 2分42秒 ≤4分
介電特性 10GHz 介電常數(ε) 2.32 2.36 2.41 2.36 2.39 2.38
介電損耗正切(tanδ) 0.0006 0.0007 0.0008 0.0007 0.0009 0.0007
剝離強度 16.7 16.3 16.1 16.8 13.6 28.2
捲曲性 〇 〇 〇 〇 〇 △
[表2]
      Mn 實施例7 實施例8 實施例9 實施例10 實施例11 實施例12
原料(質量份) (A)成分 SA9000 1,700 - - - - - -
OPE-2200 2,200 10.0 15.0 20.0 60.0 65.0 30.0
OPE-1200 1,200 - - - - - -
(B)成分 SEPTON 8004 76,495 - - - - - -
SEPTON 8006 125,769 89.5 84.3 79.0 37.0 31.8 67.5
SEPTON V9461 129,783 - - - - - -
(B´)成分 G1652 53,864 - - - - - -
HG-252 51,214 - - - - - -
(C)成分 828EL   - - - - - -
502H   - - - - - 1.0
(D)成分 EH2021   - - - - - 0.03
(E)成分 Perbutyl Z 0.5 0.8 1.0 3.0 3.3 1.5
Percumyl D   - - - - - -
(F)成分 OP935   - - - - - -
OP945   - - - - - -
(G)成分 SC4050SX   - - - - - -
(H)成分 L-DAIC   - - - - - -
P-DAIC   - - - - - -
原料比率 總計 100 100 100 100 100 100
A/(A+B+B´)×100(質量比) 10.1 15.1 20.2 61.9 67.2 30.8
B/(A+B)×100(質量比) 89.9 84.9 79.8 38.1 32.8 69.2
C/(A+B+C)×100(質量比) 0.0 0.0 0.0 0.0 0.0 1.0
評價 薄膜膜厚 25 μm 25 μm 25 μm 25 μm 25 μm 25 μm
焊接耐熱性[288℃] ≤4分 ≤4分 ≤4分 3分16秒 3分5秒 ≤4分
介電特性 10GHz 介電常數(ε) 2.32 2.30 2.36 2.44 2.49 2.41
介電損耗正切(tanδ) 0.0004 0.0005 0.0006 0.0022 0.0024 0.0011
剝離強度 16.7 18.1 20.6 9.8 9.1 15.3
捲曲性 〇 〇 〇 〇 〇 〇
[表3]
      Mn 實施例13 實施例14 實施例15 實施例16 實施例17 比較例1 比較例2
原料(質量份) (A)成分 SA9000 1,700 - - - -   - -
OPE-2200 2,200 30.0 - 19.5 - 19.5 30.0 30.0
OPE-1200 1,200 - 30.0 - 19.4 - - -
(B)成分 SEPTON 8004 76,495 67.5 - - - - - -
SEPTON 8006 125,769 - 68.5 43.8 12.9 43.8 - -
SEPTON V9461 129,783 - - - - - - -
(B´)成分 G1652 53,864 - - - - - 68.5 -
HG-252 51,214 - - - - - - 68.5
(C)成分 828EL   - 1.5 - - - - -
502H   1.0 - 0.7 - 0.7 - -
(D)成分 EH2021   0.03 0.05 0.02 - 0.02 - -
(E)成分 Perbutyl Z 1.5 - 1.0 - 1.0 1.5 1.5
Percumyl D   - - - 0.2 - - -
(F)成分 OP935   - - 35.0 - - - -
OP945   - - - - - - -
(G)成分 SC4050SX   - - - 59.3 - - -
(H)成分 L-DAIC   - - - 8.1 - - -
P-DAIC   - - - - 35.0 - -
原料比率 總計 100 100 100 100 100 100 100
A/(A+B+B´)×100(質量比) 30.8 30.5 30.8 60.0 30.8 30.5 30.5
B/(A+B)×100(質量比) 69.2 69.5 69.2 40.0 69.2 0.0 0.0
C/(A+B+C)×100(質量比) 1.0 1.5 1.0 0.0 1.0 0.0 0.0
評價 薄膜膜厚 25 μm 25 μm 40-50 μm 25 μm 40-50 μm 25 μm 25 μm
焊接耐熱性[288℃] ≤4分 ≤4分 ≤4分 ≤4分 ≤4分 11秒 40秒
介電特性 10GHz 介電常數(ε) 2.41 2.34 2.55 2.97 2.56 2.41 2.42
介電損耗正切(tanδ) 0.0012 0.0008 0.0016 0.0013 0.0017 0.0009 0.0010
剝離強度 13.3 19.8 4.0 5.3 3.8 5.8 10.5
捲曲性 〇 〇 〇 〇 〇 〇 ×
[表4]
      Mn 實施例18 實施例19 實施例20
原料(質量份) (A)成分 SA9000 1,700 - - -
OPE-2200 2,200 13.8 11.6 -
OPE-1200 1,200 - - 16.1
(B)成分 SEPTON 8004 76,495 10.0 6.7 -
SEPTON 8006 125,769 - - 10.1
SEPTON V9461 129,783 - - -
(B´)成分 G1652 53,864 9.8 8.2 10.0
HG-252 51,214 - - -
(C)成分 828EL   - - -
502H   - - 0.2
(D)成分 EH2021   - - 0.004
(E)成分 Perbutyl Z - - -
Percumyl D   0.8 0.3 0.5
(F)成分 OP935   - 11.6 -
OP945   - - -
(G)成分 SC4050SX   59.7 55.0 59.6
(H)成分 L-DAIC   5.9 6.6 3.5
P-DAIC   - - -
原料比率 總計 100 100 100
A/(A+B+B´)×100(質量比) 41.1 43.8 44.5
B/(A+B)×100(質量比) 42.0 36.6 38.5
C/(A+B+C)×100(質量比) 0.0 0.0 0.7
評價 薄膜膜厚 100 μm 100 μm 100 μm
焊接耐熱性[288℃] 3分10秒 3分15秒 3分45秒
介電特性 10GHz 介電常數(ε) 2.98 2.96 2.99
介電損耗正切(tanδ) 0.0018 0.0017 0.0023
剝離強度 6.7 6.3 6.1
捲曲性 〇 〇 △
[結果] 如表1~表4所示，實施例1~20的樹脂組成物包含作為(A)成分之末端具有包含碳-碳雙鍵之官能基的聚苯醚樹脂與作為(B)成分之數量平均分子量為60,000以上的熱塑性彈性體。實施例1~20的樹脂組成物在介電特性(介電常數(ε)及介電損耗正切(tanδ))、焊接耐熱性、剝離強度、捲曲性的各評價中皆顯示良好的結果。
又，實施例1~17的樹脂組成物之中，關於使用SEBS的苯乙烯系彈性體作為(B)成分者(亦即，實施例1~5、7~17)，在捲曲性的評價中顯示尤其良好的結果。又，如實施例16、18~20的樹脂組成物所示，關於包含50質量份以上之(G)成分的填充劑者，在焊接耐熱性、剝離強度、捲曲性的各評價方面亦滿足合格基準，尤其是關於如實施例16、18、19所示的包含預定量以上之(H)成分的交聯劑的樹脂組成物，包含捲曲性評價的全部評價中顯示良好的結果。
比較例1、2的樹脂組成物係使用數量平均分子量小於60,000的熱塑性彈性體作為(B’)成分，相較於實施例1~17的樹脂組成物，其焊接耐熱性非常拙劣。又，比較例2的樹脂組成物在捲曲性的評價中，因捲曲而縮短之長度(翹曲量)非常大，捲曲性的評價結果非常差。比較例2的樹脂組成物的捲曲性變差，推測其理由在於使用SEEPS-OH的苯乙烯系彈性體作為熱塑性彈性體。 [產業上的可利用性]
本發明之樹脂組成物可用作電子零件中使用之接著薄膜用的樹脂組成物。又，本發明之樹脂組成物亦可用作多層化基板用的層間接著用黏合片或層間接著劑。又，使用本發明之樹脂組成物的帶天線之半導體封裝可作為安裝有發送/接收5G毫米波以進行通訊之RF晶片的高頻基板加以應用。本發明的帶天線之半導體封裝用樹脂組成物可應用於帶天線之半導體封裝的絕緣層。
1:絕緣層 1A:第一絕緣層 1B:第二絕緣層 1C:第三絕緣層 1D:第四絕緣層 1E:第五絕緣層 2:核心基板 4:配線層 5:天線部(貼片天線) 7:電連結金屬 8:RF晶片 9:連接墊 10:半導體裝置部 21:絕緣層 22:核心基板 24:配線層 25:天線部(貼片天線) 26:天線部(偶極天線) 27:電連結金屬 28:RF晶片 30:半導體裝置部 100,200:帶天線之半導體封裝
圖1係示意顯示帶天線之半導體封裝之一例的局部剖面圖。 圖2係示意顯示帶天線之半導體封裝之另一例的局部剖面圖。

Claims (16)

  1. 一種樹脂組成物，包含： (A)末端具有包含碳-碳雙鍵之官能基的聚苯醚樹脂；及 (B)數量平均分子量為60,000以上的熱塑性彈性體。
  2. 如請求項1之樹脂組成物，其中，該(A)成分含有末端具有苯乙烯結構之改質聚苯醚。
  3. 如請求項1或2之樹脂組成物，其中，該(A)成分含有末端具有下列式(1)所示之基的改質聚苯醚； 其中，該式(1)中，R 1表示氫原子或烷基。
  4. 如請求項1至3中任一項之樹脂組成物，其中，該(B)成分為苯乙烯系熱塑性彈性體。
  5. 如請求項4之樹脂組成物，其中，該(B)成分為氫化苯乙烯系熱塑性彈性體。
  6. 如請求項5之樹脂組成物，其中，該(B)成分的該氫化苯乙烯系熱塑性彈性體為苯乙烯/乙烯/丁烯/苯乙烯嵌段共聚物。
  7. 如請求項1至6中任一項之樹脂組成物，其中，該(B)成分係數量平均分子量為100,000以上的熱塑性彈性體。
  8. 如請求項1至7中任一項之樹脂組成物，其中，該(A)成分與該(B)成分的質量比為5：95~70：30。
  9. 如請求項1至8中任一項之樹脂組成物，其中，該(B)成分的含量多於該(A)成分的含量。
  10. 如請求項1至9中任一項之樹脂組成物，其進一步包含(C)環氧樹脂。
  11. 如請求項10之樹脂組成物，其中，相對於該樹脂組成物中的該(A)成分、該(B)成分及該(C)成分之總計100質量份，該(C)成分的含量為0.1~5.0質量份。
  12. 如請求項1至11中任一項之樹脂組成物，其進一步包含(D)固化劑。
  13. 一種接著薄膜，其係使用如請求項1至12中任一項之樹脂組成物而成。
  14. 一種層間接著用黏合片，其係使用如請求項1至12中任一項之樹脂組成物而成。
  15. 一種帶天線之半導體封裝用樹脂組成物，其係由如請求項1至12中任一項之樹脂組成物所構成。
  16. 一種積層板或半導體裝置，其包含如請求項1至12中任一項之樹脂組成物的固化物。
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