CN115775735B - 一种带有沟槽的碳化硅积累态mosfet制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明属于半导体技术领域，具体的说是一种带有沟槽的碳化硅积累态MOSFET制备方法，包括台柱，所述台柱顶端安装有分盘器，所述分盘器顶端固定有四个安装架，四个所述安装架呈圆周状阵列分布，所述安装架远离台柱的一端安装有夹持组件，所述夹持组件用以夹持MOSFET，所述台柱外部分别设置有送料架、刻蚀池、喷淋架、出料架，所述夹持组件包括伸缩杆，所述伸缩杆上下两端均固接有L形的连接杆，一对所述连接杆的安装方向相反；通过设置四个工位的方式，可以在刻蚀作业的过程中即可完成上料、清洗、下料作业，无需等待单个MOSFET彻底处理完成后才进行下一步作业，节约了大量的等待时间，实现了不间断的自动化刻蚀作业，提高MOSFET的生产效率。

Description

一种带有沟槽的碳化硅积累态MOSFET制备方法

技术领域

本发明属于半导体技术领域，具体的说是一种带有沟槽的碳化硅积累态MOSFET制备方法。

背景技术

碳化硅是第三代半导体材料，其各项性能都要由于硅，例如其电子饱和漂移速率是硅的2倍，临界击穿场强是硅的10倍，碳化硅在高能效、高功率、高温电力电子技术中具有明显竞争力，现已成为当前功率半导体技术的研究热点。

碳化硅MOSFET主要有平面和沟槽两种结构，其中沟槽碳化硅MOSFET消除了结型场效应管区域的电阻，减小了沟道尺寸，增大了沟道密度，提高了器件的电流能力，从而受到了广泛的应用。

目前在对带有沟槽的碳化硅积累态MOSFET进行制备时，需要对原材料进行刻蚀，以形成沟槽，而目前的刻蚀装置在同一时间只能进行单一的刻蚀作业，设备利用效率低刻蚀效率不高；为此，本发明提供一种带有沟槽的碳化硅积累态MOSFET制备方法。

发明内容

为了弥补现有技术的不足，解决背景技术中所提出的至少一个技术问题。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：本发明所述的一种带有沟槽的碳化硅积累态MOSFET制备方法，包括台柱，所述台柱顶端安装有分盘器，所述分盘器顶端固定有四个安装架，四个所述安装架呈圆周状阵列分布，所述安装架远离台柱的一端安装有夹持组件，所述夹持组件用以夹持MOSFET，所述台柱外部分别设置有送料架、刻蚀池、喷淋架、出料架；工作时，首先通过送料架将原材料送入到夹持组件内部，而后夹持组件将其夹持住，在这之后，分盘器进行转动带动安装架转动，安装架转动从而带动夹持组件转动，从而将夹持组件自送料架输送至刻蚀池内，从而对夹持组件内部的原材料进行刻蚀，在刻蚀完成后，分盘器继续转动带动夹持组件运动至喷淋架内部，从而对刻蚀好的MOSFET进行清洗，清洗完成后夹持组件会带动成品运动至出料架上，并通过出料架将刻蚀好的MOSFET输送走，通过设置四个工位的方式，可以实现不间断的自动化刻蚀作业，提高MOSFET的生产效率。

优选的，所述夹持组件包括伸缩杆，所述伸缩杆上下两端均固接有L形的连接杆，一对所述连接杆的安装方向相反，一端所述连接杆安装在安装架内部，另一端所述连接杆固接有连接板，所述连接板远离连接杆的一端固定有放置板，所述放置板顶端开设有放置槽，所述放置板地面固接有分隔板；工作时，当MOSFET原料经过送料架进行输送时，MOSFET原料首先会掉入到放置板内部开设的放置槽内，从而达到对MOSFET进行自动装运的效果，而通过伸缩杆的设置，可以有效的调节放置板的高度，从而使得在运输的过程中不会与其他的结构发生碰撞，而通过伸缩杆的设置可以调节放置板在刻蚀池内部的位置，进而调节刻蚀液与MOSFET原料的接触深度，便于对刻蚀质量的控制。

优选的，所述连接板上方设置有斜推块，所述斜推块底端安装有封闭组件，所述封闭组件用以在斜推块的带动下封闭放置在放置槽内的MOSFET，所述送料架与刻蚀池之间设置有转向滑板，所述转向滑板与斜推块相适配，所述转向滑板远离台柱的一侧固定有连接架；工作时，当MOSFET原料通过送料架放入放置板内部后，此时分盘器进行转动，分盘器在转动后带动连接杆进行转动，连接杆进而带动连接板及其上方的斜推块进行转动，斜推块在转动后会与转向滑板相接触，通过将斜推块与转向滑板设计为斜铁机构，从而可以使得斜推块在转动的过程中有一个向下运动的趋势，进而带动封闭组件运行，从而对放置槽进行封闭，如此便可对放置槽内部的MOSFET原料进行限位，便于运输的同时，也可对MOSFET原料进行封闭保护，防止在刻蚀的过程中造成误刻蚀，刻蚀到MOSFET原料其他面的情况，提高MOSFET原料的刻蚀质量。

优选的，所述封闭组件包括传动板，所述传动板与斜推块固定连接，所述传动板底端固接有一对升降杆，所述升降杆底端固接有升降板，所述升降板与连接板滑动连接，所述升降板底端固接有限位杆，所述升降板与连接板之间固接有复位弹簧，所述传动板靠近放置板的一侧转动连接有推挤杆，所述推挤杆远离传动板的一端转动连接有封闭板，所述封闭板与放置板滑动连接；工作时，当斜推块向下运动时，其会推动传动板运动，传动板运动从而带动升降杆推动升降板运动，升降板运动对复位弹簧进行挤压，在此过程中传动板在运动时会对推挤杆施加向下的推力，在这个推力的作用下推挤杆会推动封闭板沿着放置板进行滑动，直至封闭板将放置槽完全封闭，如此便达到了可自动对放置槽内部的MOSFET原料进行封闭运输与保护的效果。

优选的，所述升降板内部滑动连接有一对磁性卡接块，所述磁性卡接块与升降板之间固接有卡接弹簧，所述升降板内部且位于一对磁性卡接块之间安装有通电磁铁，所述连接板内部且位于复位弹簧的两侧开设有与磁性卡接块相适配的卡槽；工作时，在升降板运动的过程中，其会带动内部的磁性卡接块一同运动，当磁性卡接块运动至与卡槽相对应时，此时卡接弹簧复位从而带动磁性卡接块弹出至与卡槽接触，如此，便可对升降板进行限位，从而使得封闭板保持在将放置槽封闭的状态中，而在需要将刻蚀好的MOSFET放置到出料架上时，此时启动升降板内部的通电磁铁，对磁性卡接块施加引力即可将磁性卡接块自卡槽内部分离，使得封闭板复位。

优选的，与安装架连接的所述连接杆外部固接有转向齿轮，所述出料架两侧均设置有调节齿条，所述调节齿条通过支柱进行安装；工作时，当夹持组件带动MOSFET经过喷淋架清洗后，需要转运到出料架上将MOSFET输送走，在此过程中，连接杆运动会带动转向齿轮与调节齿条相接触并与之啮合，此时在调节齿条的作用下转向齿轮便会发生转动，转向齿轮转动从而带动连接杆转动，进而带动夹持组件转动，从而调节MOSFET的放置位置，便于刻蚀好的MOSFET卸料输送，而通过一对调节齿条的设计，使得夹持组件在MOSFET放置完成后得以回转至初始状态对MOSFET原料进行夹持。

优选的，与安装架安装的所述连接杆远离伸缩杆的一端通过连杆固接有卡接组件，所述卡接组件外部安装有卡接环，所述卡接环与安装架固定连接，所述卡接组件用以对连杆进行限位；工作时，在连接杆转动的过程中，连接杆会同时带动卡接组件在卡接环内部进行转动，通过卡接组件的设置，可以对转动后的连接杆进行限位，防止在运动的过程中连接杆发生偏转。

优选的，所述卡接组件包括转动杆，所述转动杆与连杆固定连接，所述转动杆外部滑动连接有多个卡条，多个所述卡条呈圆周状分布，所述卡条靠近转动杆的一侧固定有多个限位柱，所述限位柱与转动杆滑动连接，所述卡条与转动杆之间固接有多个限位弹簧，所述卡接环内部开设有多个与卡条相适配的限位槽；工作时，在外力带动连接杆进行转动后，连接杆会带动转动杆进行转动，转动杆转动从而带动其外部的多个卡条在卡接环内部进行转动，由于此时外部的转动力较大，从而这时的卡条会在压力的作用下挤压限位弹簧后带动限位柱在转动杆内部滑动，卡条滑动后会与卡接环内部的限位槽分离，从而使得转动杆发生转动，而在转动结束后，此时的夹持组件仅会受到重力的影响，所受到的力较小，从而并不足以支撑转动杆发生转动，如此便可对转动后的夹持组件进行限位的效果，防止夹持组件发生偏转导致送料架与出料架无法顺利的与夹持组件对接，提高设备运行的稳定性。

优选的，所述限位杆底端固接有限位盘，所述限位盘靠近连接板的一侧固接有敲击杆；工作时，在复位弹簧复位的过程中，表面此时需要将MOSFET与夹持组件进行分离，在此过程中限位杆会带动限位盘进行运动，通过限位盘的设置可以防止限位杆运动幅度过大导致与连接板分离，使得设备失效，同时在限位杆复位的过程中，限位盘会带动敲击杆运动，并在复位弹簧弹力的作用下不断的对连接板进行撞击，撞击所产生的震动会使得MOSFET与夹持组件分离，从而达到了便于MOSFET与夹持组件分离的效果。

优选的，一种带有沟槽的碳化硅积累态MOSFET制备方法，包括以下步骤：

S1、通过送料架将原材料送入到夹持组件内部，而后夹持组件将其夹持住；

S2、分盘器进行转动带动安装架转动，安装架转动从而带动夹持组件转动，从而将夹持组件自送料架输送至刻蚀池内；

S3、对夹持组件内部的原材料进行刻蚀；

S4、刻蚀完成后，分盘器继续转动带动夹持组件运动至喷淋架内部，从而对刻蚀好的MOSFET进行清洗；

S5、清洗完成后夹持组件会带动成品运动至出料架上，并通过出料架将刻蚀好的MOSFET输送走。

本发明的有益效果如下：

1.本发明所述的一种带有沟槽的碳化硅积累态MOSFET制备方法，通过设置四个工位的方式，可以在刻蚀作业的过程中即可完成上料、清洗、下料作业，无需等待单个MOSFET彻底处理完成后才进行下一步作业，节约了大量的等待时间，实现了不间断的自动化刻蚀作业，提高MOSFET的生产效率。

2.本发明所述的一种带有沟槽的碳化硅积累态MOSFET制备方法，通过斜推块推动传动板运动，带动推挤杆推动封闭板沿着放置板进行滑动，直至封闭板将放置槽完全封闭，如此便达到了可自动对放置槽内部的MOSFET原料进行封闭运输与保护的效果。

附图说明

下面结合附图对本发明作进一步说明。

图1是本发明的立体图；

图2是本发明中夹持组件结构示意图；

图3是本发明中夹持组件结构剖视图；

图4是本发明中复位弹簧结构示意图；

图5是本发明中卡接环结构示意图；

图6是本发明中转动杆结构示意图；

图7是本发明中限位杆结构第二种实施例结构示意图；

图8是本发明方法流程图。

图中：1、台柱；2、分盘器；3、安装架；4、夹持组件；401、伸缩杆；402、连接杆；403、连接板；404、分隔板；405、放置板；406、斜推块；5、送料架；6、刻蚀池；7、喷淋架；8、出料架；9、封闭组件；901、传动板；902、升降杆；903、推挤杆；904、封闭板；905、升降板；906、磁性卡接块；907、复位弹簧；908、限位杆；10、转向滑板；11、连接架；12、转向齿轮；13、调节齿条；14、卡接环；15、转动杆；16、卡条；17、限位柱；18、限位弹簧；19、限位盘；20、敲击杆。

具体实施方式

为了使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体实施方式，进一步阐述本发明。

实施例一

如图1所示，本发明实施例所述的一种带有沟槽的碳化硅积累态MOSFET制备方法，包括台柱1，所述台柱1顶端安装有分盘器2，所述分盘器2顶端固定有四个安装架3，四个所述安装架3呈圆周状阵列分布，所述安装架3远离台柱1的一端安装有夹持组件4，所述夹持组件4用以夹持MOSFET，所述台柱1外部分别设置有送料架5、刻蚀池6、喷淋架7、出料架8；工作时，首先通过送料架5将原材料送入到夹持组件4内部，而后夹持组件4将其夹持住，在这之后，分盘器2进行转动带动安装架3转动，安装架3转动从而带动夹持组件4转动，从而将夹持组件4自送料架5输送至刻蚀池6内，从而对夹持组件4内部的原材料进行刻蚀，在刻蚀完成后，分盘器2继续转动带动夹持组件4运动至喷淋架7内部，从而对刻蚀好的MOSFET进行清洗，清洗完成后夹持组件4会带动成品运动至出料架8上，并通过出料架8将刻蚀好的MOSFET输送走，通过设置四个工位的方式，可以实现不间断的自动化刻蚀作业，提高MOSFET的生产效率。

如图2至图3所示，所述夹持组件4包括伸缩杆401，所述伸缩杆401上下两端均固接有L形的连接杆402，一对所述连接杆402的安装方向相反，一端所述连接杆402安装在安装架3内部，另一端所述连接杆402固接有连接板403，所述连接板403远离连接杆402的一端固定有放置板405，所述放置板405顶端开设有放置槽，所述放置板405地面固接有分隔板404；工作时，当MOSFET原料经过送料架5进行输送时，MOSFET原料首先会掉入到放置板405内部开设的放置槽内，从而达到对MOSFET进行自动装运的效果，而通过伸缩杆401的设置，可以有效的调节放置板405的高度，从而使得在运输的过程中不会与其他的结构发生碰撞，而通过伸缩杆401的设置可以调节放置板405在刻蚀池6内部的位置，进而调节刻蚀液与MOSFET原料的接触深度，便于对刻蚀质量的控制。

如图1至图3所示，所述连接板403上方设置有斜推块406，所述斜推块406底端安装有封闭组件9，所述封闭组件9用以在斜推块406的带动下封闭放置在放置槽内的MOSFET，所述送料架5与刻蚀池6之间设置有转向滑板10，所述转向滑板10与斜推块406相适配，所述转向滑板10远离台柱1的一侧固定有连接架11；工作时，当MOSFET原料通过送料架5放入放置板405内部后，此时分盘器2进行转动，分盘器2在转动后带动连接杆402进行转动，连接杆402进而带动连接板403及其上方的斜推块406进行转动，斜推块406在转动后会与转向滑板10相接触，通过将斜推块406与转向滑板10设计为斜铁机构，从而可以使得斜推块406在转动的过程中有一个向下运动的趋势，进而带动封闭组件9运行，从而对放置槽进行封闭，如此便可对放置槽内部的MOSFET原料进行限位，便于运输的同时，也可对MOSFET原料进行封闭保护，防止在刻蚀的过程中造成误刻蚀，刻蚀到MOSFET原料其他面的情况，提高MOSFET原料的刻蚀质量。

如图2至图4所示，所述封闭组件9包括传动板901，所述传动板901与斜推块406固定连接，所述传动板901底端固接有一对升降杆902，所述升降杆902底端固接有升降板905，所述升降板905与连接板403滑动连接，所述升降板905底端固接有限位杆908，所述升降板905与连接板403之间固接有复位弹簧907，所述传动板901靠近放置板405的一侧转动连接有推挤杆903，所述推挤杆903远离传动板901的一端转动连接有封闭板904，所述封闭板904与放置板405滑动连接；工作时，当斜推块406向下运动时，其会推动传动板901运动，传动板901运动从而带动升降杆902推动升降板905运动，升降板905运动对复位弹簧907进行挤压，在此过程中传动板901在运动时会对推挤杆903施加向下的推力，在这个推力的作用下推挤杆903会推动封闭板904沿着放置板405进行滑动，直至封闭板904将放置槽完全封闭，如此便达到了可自动对放置槽内部的MOSFET原料进行封闭运输与保护的效果。

如图4所示，所述升降板905内部滑动连接有一对磁性卡接块906，所述磁性卡接块906与升降板905之间固接有卡接弹簧，所述升降板905内部且位于一对磁性卡接块906之间安装有通电磁铁，所述连接板403内部且位于复位弹簧907的两侧开设有与磁性卡接块906相适配的卡槽；工作时，在升降板905运动的过程中，其会带动内部的磁性卡接块906一同运动，当磁性卡接块906运动至与卡槽相对应时，此时卡接弹簧复位从而带动磁性卡接块906弹出至与卡槽接触，如此，便可对升降板905进行限位，从而使得封闭板904保持在将放置槽封闭的状态中，而在需要将刻蚀好的MOSFET放置到出料架8上时，此时启动升降板905内部的通电磁铁，对磁性卡接块906施加引力即可将磁性卡接块906自卡槽内部分离，使得封闭板904复位。

如图1至图2所示，与安装架3连接的所述连接杆402外部固接有转向齿轮12，所述出料架8两侧均设置有调节齿条13，所述调节齿条13通过支柱进行安装；工作时，当夹持组件4带动MOSFET经过喷淋架7清洗后，需要转运到出料架8上将MOSFET输送走，在此过程中，连接杆402运动会带动转向齿轮12与调节齿条13相接触并与之啮合，此时在调节齿条13的作用下转向齿轮12便会发生转动，转向齿轮12转动从而带动连接杆402转动，进而带动夹持组件4转动，从而调节MOSFET的放置位置，便于刻蚀好的MOSFET卸料输送，而通过一对调节齿条13的设计，使得夹持组件4在MOSFET放置完成后得以回转至初始状态对MOSFET原料进行夹持。

如图5所示，与安装架3安装的所述连接杆402远离伸缩杆401的一端通过连杆固接有卡接组件，所述卡接组件外部安装有卡接环14，所述卡接环14与安装架3固定连接，所述卡接组件用以对连杆进行限位；工作时，在连接杆402转动的过程中，连接杆402会同时带动卡接组件在卡接环14内部进行转动，通过卡接组件的设置，可以对转动后的连接杆402进行限位，防止在运动的过程中连接杆402发生偏转。

如图5至图6所示，所述卡接组件包括转动杆15，所述转动杆15与连杆固定连接，所述转动杆15外部滑动连接有多个卡条16，多个所述卡条16呈圆周状分布，所述卡条16靠近转动杆15的一侧固定有多个限位柱17，所述限位柱17与转动杆15滑动连接，所述卡条16与转动杆15之间固接有多个限位弹簧18，所述卡接环14内部开设有多个与卡条16相适配的限位槽；工作时，在外力带动连接杆402进行转动后，连接杆402会带动转动杆15进行转动，转动杆15转动从而带动其外部的多个卡条16在卡接环14内部进行转动，由于此时外部的转动力较大，从而这时的卡条16会在压力的作用下挤压限位弹簧18后带动限位柱17在转动杆15内部滑动，卡条16滑动后会与卡接环14内部的限位槽分离，从而使得转动杆15发生转动，而在转动结束后，此时的夹持组件4仅会受到重力的影响，所受到的力较小，从而并不足以支撑转动杆15发生转动，如此便可对转动后的夹持组件4进行限位的效果，防止夹持组件4发生偏转导致送料架5与出料架8无法顺利的与夹持组件4对接，提高设备运行的稳定性。

实施例二

如图7所示，对比实施例一，其中本发明的另一种实施方式为：所述限位杆908底端固接有限位盘19，所述限位盘19靠近连接板403的一侧固接有敲击杆20；工作时，在复位弹簧907复位的过程中，表面此时需要将MOSFET与夹持组件4进行分离，在此过程中限位杆908会带动限位盘19进行运动，通过限位盘19的设置可以防止限位杆908运动幅度过大导致与连接板403分离，使得设备失效，同时在限位杆908复位的过程中，限位盘19会带动敲击杆20运动，并在复位弹簧907弹力的作用下不断的对连接板403进行撞击，撞击所产生的震动会使得MOSFET与夹持组件4分离，从而达到了便于MOSFET与夹持组件4分离的效果。

如图8所示，一种带有沟槽的碳化硅积累态MOSFET制备方法，包括以下步骤：

S1、通过送料架5将原材料送入到夹持组件4内部，而后夹持组件4将其夹持住；

S2、分盘器2进行转动带动安装架3转动，安装架3转动从而带动夹持组件4转动，从而将夹持组件4自送料架5输送至刻蚀池6内；

S3、对夹持组件4内部的原材料进行刻蚀；

S4、刻蚀完成后，分盘器2继续转动带动夹持组件4运动至喷淋架7内部，从而对刻蚀好的MOSFET进行清洗；

S5、清洗完成后夹持组件4会带动成品运动至出料架8上，并通过出料架8将刻蚀好的MOSFET输送走。

工作原理：在使用时，首先通过送料架5将原材料送入到夹持组件4内部，而后夹持组件4将其夹持住，在这之后，分盘器2进行转动带动安装架3转动，安装架3转动从而带动夹持组件4转动，从而将夹持组件4自送料架5输送至刻蚀池6内，从而对夹持组件4内部的原材料进行刻蚀，在刻蚀完成后，分盘器2继续转动带动夹持组件4运动至喷淋架7内部，从而对刻蚀好的MOSFET进行清洗，清洗完成后夹持组件4会带动成品运动至出料架8上，并通过出料架8将刻蚀好的MOSFET输送走，通过设置四个工位的方式，可以实现不间断的自动化刻蚀作业，提高MOSFET的生产效率；

当MOSFET原料经过送料架5进行输送时，MOSFET原料首先会掉入到放置板405内部开设的放置槽内，从而达到对MOSFET进行自动装运的效果，而通过伸缩杆401的设置，可以有效的调节放置板405的高度，从而使得在运输的过程中不会与其他的结构发生碰撞，而通过伸缩杆401的设置可以调节放置板405在刻蚀池6内部的位置，进而调节刻蚀液与MOSFET原料的接触深度，便于对刻蚀质量的控制；

当MOSFET原料通过送料架5放入放置板405内部后，此时分盘器2进行转动，分盘器2在转动后带动连接杆402进行转动，连接杆402进而带动连接板403及其上方的斜推块406进行转动，斜推块406在转动后会与转向滑板10相接触，通过将斜推块406与转向滑板10设计为斜铁机构，从而可以使得斜推块406在转动的过程中有一个向下运动的趋势，进而带动封闭组件9运行，从而对放置槽进行封闭，如此便可对放置槽内部的MOSFET原料进行限位，便于运输的同时，也可对MOSFET原料进行封闭保护，防止在刻蚀的过程中造成误刻蚀，刻蚀到MOSFET原料其他面的情况，提高MOSFET原料的刻蚀质量；

当斜推块406向下运动时，其会推动传动板901运动，传动板901运动从而带动升降杆902推动升降板905运动，升降板905运动对复位弹簧907进行挤压，在此过程中传动板901在运动时会对推挤杆903施加向下的推力，在这个推力的作用下推挤杆903会推动封闭板904沿着放置板405进行滑动，直至封闭板904将放置槽完全封闭，如此便达到了可自动对放置槽内部的MOSFET原料进行封闭运输与保护的效果；

在升降板905运动的过程中，其会带动内部的磁性卡接块906一同运动，当磁性卡接块906运动至与卡槽相对应时，此时卡接弹簧复位从而带动磁性卡接块906弹出至与卡槽接触，如此，便可对升降板905进行限位，从而使得封闭板904保持在将放置槽封闭的状态中，而在需要将刻蚀好的MOSFET放置到出料架8上时，此时启动升降板905内部的通电磁铁，对磁性卡接块906施加引力即可将磁性卡接块906自卡槽内部分离，使得封闭板904复位；

当夹持组件4带动MOSFET经过喷淋架7清洗后，需要转运到出料架8上将MOSFET输送走，在此过程中，连接杆402运动会带动转向齿轮12与调节齿条13相接触并与之啮合，此时在调节齿条13的作用下转向齿轮12便会发生转动，转向齿轮12转动从而带动连接杆402转动，进而带动夹持组件4转动，从而调节MOSFET的放置位置，便于刻蚀好的MOSFET卸料输送，而通过一对调节齿条13的设计，使得夹持组件4在MOSFET放置完成后得以回转至初始状态对MOSFET原料进行夹持；

在连接杆402转动的过程中，连接杆402会同时带动卡接组件在卡接环14内部进行转动，通过卡接组件的设置，可以对转动后的连接杆402进行限位，防止在运动的过程中连接杆402发生偏转；

在外力带动连接杆402进行转动后，连接杆402会带动转动杆15进行转动，转动杆15转动从而带动其外部的多个卡条16在卡接环14内部进行转动，由于此时外部的转动力较大，从而这时的卡条16会在压力的作用下挤压限位弹簧18后带动限位柱17在转动杆15内部滑动，卡条16滑动后会与卡接环14内部的限位槽分离，从而使得转动杆15发生转动，而在转动结束后，此时的夹持组件4仅会受到重力的影响，所受到的力较小，从而并不足以支撑转动杆15发生转动，如此便可对转动后的夹持组件4进行限位的效果，防止夹持组件4发生偏转导致送料架5与出料架8无法顺利的与夹持组件4对接，提高设备运行的稳定性；

在复位弹簧907复位的过程中，表面此时需要将MOSFET与夹持组件4进行分离，在此过程中限位杆908会带动限位盘19进行运动，通过限位盘19的设置可以防止限位杆908运动幅度过大导致与连接板403分离，使得设备失效，同时在限位杆908复位的过程中，限位盘19会带动敲击杆20运动，并在复位弹簧907弹力的作用下不断的对连接板403进行撞击，撞击所产生的震动会使得MOSFET与夹持组件4分离，从而达到了便于MOSFET与夹持组件4分离的效果。

上述前、后、左、右、上、下均以说明书附图中的图1为基准，按照人物观察视角为标准，装置面对观察者的一面定义为前，观察者左侧定义为左，依次类推。

在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明保护范围的限制。

以上显示和描述了本发明的基本原理、主要特征和优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。

Claims (7)

1.一种带有沟槽的碳化硅积累态MOSFET制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

S1、通过送料架（5）将原材料送入到夹持组件（4）内部，而后夹持组件（4）将其夹持住；

S2、分盘器（2）进行转动带动安装架（3）转动，安装架（3）转动从而带动夹持组件（4）转动，从而将夹持组件（4）自送料架（5）输送至刻蚀池（6）内；

S3、对夹持组件（4）内部的原材料进行刻蚀；

S4、刻蚀完成后，分盘器（2）继续转动带动夹持组件（4）运动至喷淋架（7）内部，从而对刻蚀好的MOSFET进行清洗；

S5、清洗完成后夹持组件（4）会带动成品运动至出料架（8）上，并通过出料架（8）将刻蚀好的MOSFET输送走；

还包括台柱（1），所述台柱（1）顶端安装有分盘器（2），所述分盘器（2）顶端固定有四个安装架（3），四个所述安装架（3）呈圆周状阵列分布，所述安装架（3）远离台柱（1）的一端安装有夹持组件（4），所述夹持组件（4）用以夹持MOSFET，所述台柱（1）外部分别设置有送料架（5）、刻蚀池（6）、喷淋架（7）、出料架（8）；

所述夹持组件（4）包括伸缩杆（401），所述伸缩杆（401）上下两端均固接有L形的连接杆（402），一对所述连接杆（402）的安装方向相反，一端所述连接杆（402）安装在安装架（3）内部，另一端所述连接杆（402）固接有连接板（403），所述连接板（403）远离连接杆（402）的一端固定有放置板（405），所述放置板（405）顶端开设有放置槽，所述放置板（405）地面固接有分隔板（404）；

所述连接板（403）上方设置有斜推块（406），所述斜推块（406）底端安装有封闭组件（9），所述封闭组件（9）用以在斜推块（406）的带动下封闭放置在放置槽内的MOSFET，所述送料架（5）与刻蚀池（6）之间设置有转向滑板（10），所述转向滑板（10）与斜推块（406）相适配，所述转向滑板（10）远离台柱（1）的一侧固定有连接架（11）。

2.根据权利要求1所述的一种带有沟槽的碳化硅积累态MOSFET制备方法，其特征在于：所述封闭组件（9）包括传动板（901），所述传动板（901）与斜推块（406）固定连接，所述传动板（901）底端固接有一对升降杆（902），所述升降杆（902）底端固接有升降板（905），所述升降板（905）与连接板（403）滑动连接，所述升降板（905）底端固接有限位杆（908），所述升降板（905）与连接板（403）之间固接有复位弹簧（907），所述传动板（901）靠近放置板（405）的一侧转动连接有推挤杆（903），所述推挤杆（903）远离传动板（901）的一端转动连接有封闭板（904），所述封闭板（904）与放置板（405）滑动连接。

3.根据权利要求2所述的一种带有沟槽的碳化硅积累态MOSFET制备方法，其特征在于：所述升降板（905）内部滑动连接有一对磁性卡接块（906），所述磁性卡接块（906）与升降板（905）之间固接有卡接弹簧，所述升降板（905）内部且位于一对磁性卡接块（906）之间安装有通电磁铁，所述连接板（403）内部且位于复位弹簧（907）的两侧开设有与磁性卡接块（906）相适配的卡槽。

4.根据权利要求1所述的一种带有沟槽的碳化硅积累态MOSFET制备方法，其特征在于：所述安装架（3）靠近连接杆（402）的一侧设置有转向齿轮（12），所述转向齿轮（12）与连接杆（402）固定连接，所述出料架（8）两侧均设置有调节齿条（13），所述调节齿条（13）通过支柱进行安装。

5.根据权利要求1所述的一种带有沟槽的碳化硅积累态MOSFET制备方法，其特征在于：与安装架（3）安装的所述连接杆（402）远离伸缩杆（401）的一端通过连杆固接有卡接组件，所述卡接组件外部安装有卡接环（14），所述卡接环（14）与安装架（3）固定连接，所述卡接组件用以对连杆进行限位。

6.根据权利要求5所述的一种带有沟槽的碳化硅积累态MOSFET制备方法，其特征在于：所述卡接组件包括转动杆（15），所述转动杆（15）与连杆固定连接，所述转动杆（15）外部滑动连接有多个卡条（16），多个所述卡条（16）呈圆周状分布，所述卡条（16）靠近转动杆（15）的一侧固定有多个限位柱（17），所述限位柱（17）与转动杆（15）滑动连接，所述卡条（16）与转动杆（15）之间固接有多个限位弹簧（18），所述卡接环（14）内部开设有多个与卡条（16）相适配的限位槽。

7.根据权利要求2所述的一种带有沟槽的碳化硅积累态MOSFET制备方法，其特征在于：所述限位杆（908）底端固接有限位盘（19），所述限位盘（19）靠近连接板（403）的一侧固接有敲击杆（20）。