CN115755523A - 检查光罩尺寸的方法 - Google Patents
检查光罩尺寸的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN115755523A CN115755523A CN202210973998.8A CN202210973998A CN115755523A CN 115755523 A CN115755523 A CN 115755523A CN 202210973998 A CN202210973998 A CN 202210973998A CN 115755523 A CN115755523 A CN 115755523A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- photomask
- graph
- target
- size
- inspecting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
本发明提供一种检查光罩尺寸的方法，提供多个彼此间具有空隙的目标图形以及其光学邻近修正后的光罩图形；检验光罩图形的尺寸，标记出光罩图形不符合目标尺寸处为问题区域；在空隙插入中线，中心线的设计规则满足：中线距其最近的目标图形的距离相等；选择与中心线接触的问题区域作为输出结果。本发明的方法在出版前对光罩进行尺寸的检查，正确检查出光罩真正尺寸小的地方，及时改正，确保出版的光罩没有制作极限问题。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种检查光罩尺寸的方法。
背景技术
光学邻近效应修正(optical proximity correction，OPC)是一种通过调整光刻掩模上透 光区域图形的拓扑结构，或者在掩模上添加细小的亚分辨辅助图形，使得在光刻胶中的成像 结果尽量接近掩模图形的技术。OPC技术也是一种通过改变掩模透射光的振幅，进而对光刻 系统成像质量的下降进行补偿的一种技术。
OPC主要在半导体器件的生产过程中使用。在光刻工艺中，掩模上的图形通过曝光系统 投影在光刻胶上，由于光学系统的不完善性和衍射效应，光刻胶上的图形和掩模上的图形不 完全一致。这些失真如果不纠正，可能大大改变生产出来的电路的电气性能。
现有技术中，通过对目标图形(target)进行光学邻近修正后，需要直接去检查光罩的尺 寸，会抓取到很多报错的区域，如图1中两个报错区域A和区域B，并不全是真正尺寸有问 题的地方，区域A是误报错，影响检查的准确性和效率。
为解决上述问题，需要提出一种新型的检查光罩尺寸的方法。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种检查光罩尺寸的方法，用于 解决现有技术中通过对目标图形进行光学邻近修正后，需要直接去检查光罩的尺寸，会抓取 到很多报错的区域，并不全是真正尺寸有问题的地方，影响检查的准确性和效率的问题。
为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种检查光罩尺寸的方法包括：
步骤一、提供多个彼此间具有空隙的目标图形以及其光学邻近修正后的光罩图形；
步骤二、检验所述光罩图形的尺寸，标记出所述光罩图形不符合目标尺寸处为问题区域；
步骤三、在所述空隙插入中线，所述中心线的设计规则满足：所述中线距其最近的所述 目标图形的距离相等；
步骤四、选择与所述中心线接触的所述问题区域作为输出结果。
优选地，步骤一中所述目标图形为多个形状为矩形的片段图形组成。
优选地，步骤一中所述光罩图形的获取方法包括：在所述目标图形的轮廓边缘形成多个 依次相连的直线段；根据设计规则移动所述直线段得到所述光罩图形。
优选地，步骤二中所述问题区域位于同一所述目标图形上。
优选地，步骤二中所述问题区域位于相邻的两个所述目标图形上。
优选地，步骤二中判断两处所述直线段间的距离是否小于目标值，若是，则标记两处所 述直线段位于的区域为问题区域。
如上所述，本发明的检查光罩尺寸的方法，具有以下有益效果：
本发明的方法在出版前对光罩进行尺寸的检查，正确检查出光罩真正尺寸小的地方，及 时改正，确保出版的光罩没有制作极限问题。
附图说明
图1显示为现有技术的光罩尺寸检测示意图；
图2显示为本发明的方法示意图；
图3显示为本发明的光罩检测示意图。
具体实施方式
以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露 的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加 以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精 神下进行各种修饰或改变。
请参阅图2，本发明提供一种检查光罩尺寸的方法包括：
步骤一，提供多个彼此间具有空隙的目标图形以及其光学邻近修正后的光罩图形；
在本发明的实施例中，步骤一中目标图形为多个形状为矩形的片段图形组成。
在本发明的实施例中，步骤一中光罩图形的获取方法包括：在目标图形的轮廓边缘形成 多个依次相连的直线段(fragment)；根据设计规则移动直线段得到光罩图形。
步骤二，检验光罩图形的尺寸，标记出光罩图形不符合目标尺寸处为问题区域，光罩图 形的边上会有很多棱棱角角，在检查光罩图形的尺寸时，会抓取到很多报错的区域，并不全 是真正尺寸有问题的地方；
优选地，请参阅图1中的A区域，步骤二中所述问题区域位于同一所述目标图形上，此 处为误报区域。
优选地，请参阅图1中的B区域，步骤二中所述问题区域位于相邻的两个所述目标图形 上，此处为真正尺寸问题的区域。
在本发明的实施例中，步骤二中判断两处直线段间的距离是否小于目标值，即根据目标 图形的尺寸设置对应的目标值，若是，则标记两处直线段位于的区域为问题区域，然而在光 罩图形中也可能存在两距离较近的线段被误标记。
步骤三，在空隙插入中线，中心线的设计规则满足：中线距其最近的目标图形的距离相 等；
步骤四，选择与中心线接触的问题区域作为输出结果，即过滤了被误标记区域的输出， 提高了检测准确性。
在本发明的实施例中，请参阅图3，采用本发明的检查光罩尺寸的方法后，区域A不报 错，真正发生尺寸问题处的区域B报错。
需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图式 中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际 实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
综上所述，本发明的方法在出版前对光罩进行尺寸的检查，正确检查出光罩真正尺寸小 的地方，及时改正，确保出版的光罩没有制作极限问题。所以，本发明有效克服了现有技术 中的种种缺点而具高度产业利用价值。
上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技 术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡 所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等 效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。
Claims (6)
1.一种检查光罩尺寸的方法，其特征在于，至少包括：
步骤一、提供多个彼此间具有空隙的目标图形以及其光学邻近修正后的光罩图形；
步骤二、检验所述光罩图形的尺寸，标记出所述光罩图形不符合目标尺寸处为问题区域；
步骤三、在所述空隙插入中线，所述中心线的设计规则满足：所述中线距其最近的所述目标图形的距离相等；
步骤四、选择与所述中心线接触的所述问题区域作为输出结果。
2.根据权利要求1所述的检查光罩尺寸的方法，其特征在于：步骤一中所述目标图形为多个形状为矩形的片段图形组成。
3.根据权利要求2所述的检查光罩尺寸的方法，其特征在于：步骤一中所述光罩图形的获取方法包括：在所述目标图形的轮廓边缘形成多个依次相连的直线段；根据设计规则移动所述直线段得到所述光罩图形。
4.根据权利要求1所述的检查光罩尺寸的方法，其特征在于：步骤二中所述问题区域位于同一所述目标图形上。
5.根据权利要求1所述的检查光罩尺寸的方法，其特征在于：步骤二中所述问题区域位于相邻的两个所述目标图形上。
6.根据权利要求3所述的检查光罩尺寸的方法，其特征在于：步骤二中判断两处所述直线段间的距离是否小于目标值，若是，则标记两处所述直线段位于的区域为问题区域。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210973998.8A CN115755523A (zh) | 2022-08-15 | 2022-08-15 | 检查光罩尺寸的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210973998.8A CN115755523A (zh) | 2022-08-15 | 2022-08-15 | 检查光罩尺寸的方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN115755523A true CN115755523A (zh) | 2023-03-07 |
Family
ID=85349208
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202210973998.8A Pending CN115755523A (zh) | 2022-08-15 | 2022-08-15 | 检查光罩尺寸的方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN115755523A (zh) |
-
2022
- 2022-08-15 CN CN202210973998.8A patent/CN115755523A/zh active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7449689B2 (en) | Dimension measuring SEM system, method of evaluating shape of circuit pattern and a system for carrying out the method | |
| JP4266082B2 (ja) | 露光用マスクパターンの検査方法 | |
| KR100394379B1 (ko) | 광학수차 측정용 마스크 및 광학수차 측정방법 | |
| JP2002258463A (ja) | フォトマスクパタン欠陥検査方法および微細図形パタンの検出方法 | |
| US20040073885A1 (en) | Mask pattern correction apparatus, mask pattern correction method, mask manufacturing method, and semiconductor device manufacturing method | |
| US20120117520A1 (en) | Systems And Methods For Inspecting And Controlling Integrated Circuit Fabrication Using A Calibrated Lithography Simulator | |
| CN110361926B (zh) | 光学邻近效应修正模型及其建立方法和掩膜板的形成方法 | |
| CN111158210A (zh) | 光掩模的光学邻近校正方法及光掩模、半导体的制造方法 | |
| CN113990770B (zh) | 一种晶圆检测方法及检测装置 | |
| CN108873604B (zh) | 一种光刻工艺热点的检查方法 | |
| US9885961B1 (en) | Partly disappearing targets | |
| US8127257B2 (en) | Designing method of photo-mask and method of manufacturing semiconductor device using the photo-mask | |
| CN107045259B (zh) | 包含有监测图形的掩膜版以及监测方法 | |
| CN115755523A (zh) | 检查光罩尺寸的方法 | |
| JP6338368B2 (ja) | パターンの光学像の評価方法 | |
| JP4235404B2 (ja) | マスクの製造方法 | |
| CN115629518A (zh) | 版图图形边缘分割方法 | |
| CN110928135B (zh) | 一种预防静电损伤的光罩及预防光罩静电损伤的方法 | |
| CN110794645B (zh) | 确定合适的opc修正程序的方法及装置、掩膜版及优化方法 | |
| CN115704992A (zh) | 掩膜版图形修正方法、掩膜版制备方法及掩膜版 | |
| JP2005250360A (ja) | マスクパターンの検証装置および検証方法 | |
| KR20210030078A (ko) | 광 근접 보정을 수행하는 방법 및 이를 이용한 리소그래피 마스크 제조 방법 | |
| CN112904661B (zh) | 一种芯片的制作方法 | |
| KR20110121462A (ko) | 컨택홀 패턴의 임계치수(ｃｄ) 보정방법 | |
| JP2018072690A (ja) | フォトマスク及び電子装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |