CN110794645B - 确定合适的opc修正程序的方法及装置、掩膜版及优化方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种确定合适的OPC修正程序的方法，包括：建立工艺窗口OPC模型；对OPC修正程序的参数进行改变，并利用变化前后的OPC修正程序对同一电路版图文件分别进行OPC修正，得到两个OPC修正结果；比较所述两个OPC修正结果，得到所述两个OPC修正结果相应的差异位置；利用工艺窗口OPC模型和OPC结果检查程序对所述差异位置进行检查，得到评判数据；根据所述评判数据判断是否满足工艺出版要求。通过确定合适的OPC修正程序的方法能高效的实现OPC规则变化对掩模版及硅片结果影响的快速检测，从而确定出合适的OPC修正程序，相比于从硅片数据确定影响，节省了硅片准备、长膜、涂胶、曝光等过程，节省了大量的时间。

Description

确定合适的OPC修正程序的方法及装置、掩膜版及优化方法
技术领域
本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种确定合适的OPC修正程序的方法及装置、掩膜版及优化方法。
背景技术
在半导体制造领域中，当技术节点降低到0.13μm以下时，以模型为基础的OPC运行对光刻准确性起重要作用。不同的OPC修正程序会得到不同的掩膜版结果。在光的干涉及衍射影响下，虽然掩膜版结果不同，但是可以得到效果相同的光刻结果。在OPC修正程序的研发过程中，会经常性对程序进行改变，在模型的作用下，某些参数的变化，例如运行分段参数和反馈参数等，可能会导致OPC修正后的掩膜版结果发生全局性的变化，若通过硅片数据一一判定将浪费大量的时间，大大提高研发成本。
本发明中提出了一个快速评价OPC修正程序的参数改变导致掩膜版变化对硅片数据影响以及快速确定出合适的OPC修正程序的方法，即应用工艺窗口模型的模拟结果，快速得出变化后的OPC修正程序是否会对曝光结果造成影响。
发明内容
本发明提供了一种确定合适的OPC修正程序的方法，以高效的实现OPC修正程序变化对掩模版及硅片结果影响的快速检测，降低运行时间，节省研发成本。
为解决上述技术问题，本发明提供了一种确定合适的OPC修正程序的方法，包括：
步骤S1：收集工艺窗口内的OPC测试图形数据，并根据收集的所述OPC测试图形数据建立工艺窗口OPC模型；
步骤S2：在一OPC修正程序上进行相应变化，以得到变化后的OPC修正程序，并利用变化前和变化后的OPC修正程序分别对同一电路版图文件进行OPC修正，得到相应的两个OPC修正结果；
步骤S3：比较所述两个OPC修正结果，以得到所述两个OPC修正结果相应的差异位置；
步骤S4：利用所述工艺窗口OPC模型和一OPC结果检查工具对所述差异位置进行检查，以得到所述差异位置对应的评判数据；
步骤S5：判断所述评判数据是否满足要求，若是，则变化后的OPC修正程序通过，若否，则返回步骤S2，继续在所述OPC修正程序上进行相应变化，直至变化后的OPC修正程序对应的评判数据满足要求。
可选的，在所述的方法中，在步骤S1中，收集工艺窗口内多个能量及焦深条件的OPC测试图形数据，以建立与工艺窗口内的能量和焦深条件相关的工艺窗口OPC模型。
可选的，在所述的方法中，在步骤S3中，还进一步将所有的差异位置进行分类，以得到重点检查区域；在所述步骤S4中，利用所述工艺窗口OPC模型和一OPC结果检查工具对所述重点检查区域进行检查，以得到各个所述重点检查区域的评判标数据。
可选的，在所述的方法中，在步骤S3中，根据各个差异位置的差异值的范围，将所有的差异位置分成以下四类：第一类为差异值小于2dbu；第二类为差异位置的差异值介于2dbu～5dbu之间；第三类为差异位置的差异值介于5dbu～10dbu之间及第四类为差异位置的差异值大于10dbu，所述重点检查区域为第四类。
可选的，在所述的方法中，所述评判数据包括工艺带宽波动值。
为实现上述目的以及其他相关目的，本发明还提供了一种确定合适的OPC修正程序的装置，包括：
工艺窗口OPC模型生成模块，其被配置为收集工艺窗口内的OPC测试图形数据，并根据收集的所述OPC测试图形数据建立工艺窗口OPC模型；
OPC修正模块，其被配置为在一OPC修正程序上进行相应变化，以得到变化后的OPC修正程序，并利用变化前和变化后的OPC修正程序分别对同一电路版图文件进行OPC修正，得到相应的两个OPC修正结果；
差异位置计算模块，其被配置为比较所述两个OPC修正结果，以得到所述两个OPC修正结果相应的差异位置；
检查模块，其被配置为利用所述工艺窗口OPC模型和一OPC结果检查工具对所述差异位置进行检查，以得到所述差异位置对应的评判数据；
评判模块，其被配置为判断所述评判数据是否满足要求，若是，则变化后的OPC修正程序通过，若否，则返回所述OPC修正模块，以在所述OPC修正模块中继续在所述OPC修正程序上进行相应变化，直至变化后的OPC修正程序对应的评判数据满足要求。
可选的，在所述的装置中，所述差异位置计算模块还进一步被配置为将所有的差异位置进行分类，以得到重点检查区域；所述检查模块还进一步被配置为利用所述工艺窗口OPC模型和一OPC结果检查工具对所述重点检查区域进行检查，以得到各个所述重点检查区域的评判标数据。
可选的，在所述的装置中，所述差异位置计算模块还进一步被配置为根据各个差异位置的差异值的范围，将所有的差异位置分成以下四类：第一类为差异值小于2dbu，第二类为差异位置的差异值介于2dbu～5dbu之间，第三类为差异位置的差异值介于5dbu～10dbu之间及第四类为差异位置的差异值大于10dbu。
为实现上述目的以及其他相关目的，本发明还提供了一种掩膜版优化方法，包括：
提供一目标版图，通过所述目标版图获得待成型的掩膜版图形；
采用上述所述的确定合适的OPC修正程序的方法，或上述所述的确定合适的OPC修正程序的装置，确定出合适的OPC修正程序；
采用所述合适的OPC修正程序对待成型的掩膜版图形进行修正。
为实现上述目的以及其他相关目的，本发明还提供了一种掩膜版，采用上述所述的掩膜版优化方法形成。
综上所述，本发明提供了确定合适的OPC修正程序的方法，即应用工艺窗口OPC模型的模拟结果，快速得出变化后的OPC修正程序是否会对曝光结果造成影响，从而能够快速确定出合适的OPC修正程序，相比于从硅片数据确定影响的方法，节省了硅片准备、长膜、涂胶、曝光等过程，节省了大量的时间。
附图说明
图1为本实施例中一种确定合适的OPC修正程序的方法的流程图；
图2为一种变化前后的OPC修正程序得到的OPC修正结果图；
图3为变化前的OPC修正程序得到的工艺窗口波动带宽图；
图4为变化后的OPC修正程序得到的工艺窗口波动带宽图；
图1～4中：
01-目标图形，02-变化前的OPC修正程序修正结果，03-变化后的OPC修正程序修正结果。
具体实施方式
在0.13um技术结点以下时，以模型为基础的OPC运行对光刻准确性起着重要作用。在OPC修正程序研发过程中，会经常性对程序进行修正，在模型的作用下，某些参数的变化如运行分段参数和反馈参数等，可能会导致OPC修正后的掩膜版结果发生全局性的变化，若通过硅片数据一一判定将浪费大量的时间，大大提高研发成本。
本发明提供了一种确定合适的OPC修正程序的方法，能够高效的实现OPC修正程序变化对掩模版及硅片结果影响的快速检测，从而快速确定出合适的OPC修正程序，降低运行时间，节省研发成本。
所述确定合适的OPC修正程序的方法如图1所示，包括：
步骤S1：收集工艺窗口内的OPC测试图形数据，并根据收集的所述OPC测试图形数据建立工艺窗口OPC模型；
步骤S2：在一OPC修正程序上进行相应变化，以得到变化后的OPC修正程序，并利用变化前和变化后的OPC修正程序分别对同一电路版图文件进行OPC修正，得到相应的两个OPC修正结果；
步骤S3：比较所述两个OPC修正结果，以得到所述两个OPC修正结果相应的差异位置；
步骤S4：利用所述工艺窗口OPC模型和一OPC结果检查工具对所述差异位置进行检查，以得到所述差异位置对应的评判数据；
步骤S5：判断所述评判数据是否满足要求，若是，则变化后的OPC修正程序通过，若否，则返回步骤S2，继续在所述OPC修正程序上进行相应变化，直至变化后的OPC修正程序对应的评判数据满足要求。
其中，在步骤S1中，首先收集工艺窗口内多个能量及焦深条件的OPC测试图形数据，并根据收集的所述OPC测试图形数据建立与工艺窗口内的能量和焦深条件相关的工艺窗口OPC模型，即所述工艺窗口OPC模型是建立在工艺窗口内的能量以及焦深条件下的模型，所述能量优选为：最佳能量-10％～最佳能量+10％，所述焦深优选为：最佳焦深-60nm～最佳焦深+60nm，而最佳能量和最佳焦深需要根据工艺要求具体确定。
在步骤S2中，在一OPC修正程序上进行相应变化，即对OPC修正程序的参数进行调整，得到变化后的OPC修正程序，并利用变化前后的OPC修正程序分别对同一电路板图文件(GDS)进行OPC修正，得到相应的两个OPC修正结果。例如，如图2所示，变化前的OPC修正程序对一电路版图文件进行OPC修正得到变化前的OPC修正程序修正结果02，变化后的OPC修正程序对一电路版图文件进行OPC修正得到变化后的OPC修正配修正结果03，所述电路版图文件是通过目标图形01获得的。在步骤S2中，即在利用变化前后的OPC修正程序分别对同一电路板图文件(GDS)进行OPC修正之前，还可以包括：确定图形主要参数的安全范围。确定图形主要参数的安全范围，可以基本保证经过OPC修正后的掩膜板图形结果(即为OPC修正结果)可以满足出版要求，用于曝光生产。所述图形主要参数的安全范围为不存在边缘位置测试误差超过安全范围、没有断线(模拟CD值偏小，易断线)以及没有短路(模拟结果的space值偏小，容易短路)等结果发生。所述边缘位置测试误差为：光刻软件仿真出的曝光后光刻胶图形边缘与目标图形之间的差，边缘位置测试误差是用来衡量光学邻近修正质量的指标，边缘位置测试误差越小意味着曝光后的图形和目标图形接近。所述边缘位置测试误差的安全范围为所述边缘位置测试误差值不超过目标CD值的5％，进一步所述边缘位置测试误差值不超过目标CD值的3％。若满足上述图形主要参数的安全范围，则可以基本保证经过OPC修正后的掩膜板图形结果(即为OPC修正结果)可以满足出版要求；若不满足上述图形主要参数的安全范围，则经过OPC修正后的掩膜板图形结果可能并不能满足出版要求，因此，需要重新改变OPC修正程序，直至满足上述安全范围，因此可以省去后续的步骤，节省时间以及成本。
所述OPC修正程序的参数包括OPC运行分段参数(Fragment)以及反馈参数(Feedback)等。所述OPC修正程序的参数调整之后会得到不同的掩膜版结果，在光的干涉及衍射影响下，虽然掩膜版结果不同，但是可以得到效果相同的光刻结果。
在步骤S3中，比较所述两个OPC修正结果，以得到所述两个OPC修正结果中的相应的差异位置(XOR)。即对得到的两个OPC修正结果进行差异位置(XOR)计算，同时还可以根据XOR分类确定重点检查区域。其中所述XOR的分类是根据工艺要求进行分类的，例如XOR可以分为四类，即第一类别为XOR值小于2dbu，第二类别为XOR值介于2dbu～5dbu之间，第三类别为XOR值介于5dbu～10dbu之间以及第四类别为XOR值大于10dbu。通过计算得到每一个位置的XOR值，然后根据XOR的分类确定出重点检查区域，所述重点检查区域为XOR结果较大的位置，例如XOR属于第四类的区域，即XOR大于10dbu的位置为重点检查区域。
在步骤S4中，利用所述工艺窗口OPC模型和一OPC结果检查工具对所述差异位置进行检查，以得到所述差异位置对应的评判数据。优选利用工艺窗口OPC模型和OPC结果检查程序对重点检查区域进行检查。其中所述OPC结果检查程序是指OPC运行结束后，对得到的掩膜板结果(即为OPC修正结果)用模型进行模拟，检查模拟曝光CD值是否满足出版要求，是用于确保OPC修正后的掩膜满足出版要求，所述的出版要求为：曝光CD值与目标CD值相似，而实际曝光后，可以得到目标CD值。
最后，判断所述评判数据是否满足要求，若是，则变化后的OPC修正程序通过，若否，则返回步骤S2，继续在所述OPC修正程序上进行相应变化，以得到新的变化后的OPC修正程序，直至变化后的OPC修正程序对应的评判数据满足要求。利用工艺窗口OPC模型对差异位置进行检查，优选对重点检查区域进行检查，得到的评判数据包括工艺波动带宽值(process variation band，PV-band)，所述工艺波动带宽是指在所述工艺窗口条件下，得到的图形尺寸变化范围。可以根据变化前和变化后的OPC修正程序得到的工艺波动带宽值快速判断OPC修正程序的改动对工艺波动带宽值的影响。所述工艺波动带宽值可以用作工艺窗口大小的评判数据，若变化后的OPC修正程序得到的工艺波动带宽值小于变化前的OPC修正程序得到的工艺波动带宽值，则变化后的OPC修正程序得到的工艺窗口更大，则变化后的OPC修正程序得到的掩膜图形有所改善。
例如，参阅图3和图4，其中图3为根据工艺窗口OPC模型得到的OPC修正程序变化前的工艺波动带宽值为h1，所述h1为5nm，图4为根据工艺窗口OPC模型得到的OPC修正程序变化后的工艺波动带宽值为h2，所述h2的值为2.25nm，可以发现，变化后的OPC修正程序的工艺波动带宽值更小，因此，修正后的OPC修正程序得到的掩膜图形有所改善。
除此之外，因为OPC修正程序中某些参数的变化，可能会导致OPC修正后的掩膜版结果发生全局性的变化，因此，除了对重点检查区域进行检查之外，还需要通过OPC结果检查程序对整个OPC修正结果进行检查，即对所有的XOR值位置进行检查，防止在重点检查区域之外的区域出现异常。其中所述OPC结果检查程序主要是检查OPC修正结果的模拟曝光CD结果是否与目标CD结果接近，是否存在边缘位置测试误差超过安全范围，是否存在断开以及短路等结果发生。因此所述的OPC修正结果需要满足所述的工艺波动带宽值在允许的范围内，模拟曝光CD结果与目标CD结果接近，不存在边缘位置测试误差超过安全范围，没有断线以及没有短路等结果发生。其中所述工艺波动带宽值允许的范围内是根据工艺要求设定的。
因此，判断所述评判数据是否满足要求，即需要判断模拟曝光CD结果是否与目标CD结果接近，是否存在边缘位置测试误差超过安全范围，是否存在断开以及短路等结果发生，工艺波动带宽值在允许的范围内以及变化后的OPC修正程序的工艺波动带宽值是否小于变化前的OPC修正程序。如果评判数据满足上述的要求，则OPC修正程序修正通过，如果不满足，则需要对OPC修正程序重新进行调整，直至变化后的OPC修正程序对应的评判数据满足要求。
本发明提供的一种确定合适的OPC修正程序的方法，即应用工艺窗口OPC模型的模拟结果，快速得出变化后的OPC修正程序是否会对曝光结果造成影响，从而能够快速确定出合适的OPC修正程序，相比于从硅片数据确定影响的方法，节省了硅片准备、长膜、涂胶、曝光等过程，节省了大量的时间。
本发明还提供了一种确定合适的OPC修正程序的装置，包括：
工艺窗口OPC模型生成模块，其被配置为收集工艺窗口内的OPC测试图形数据，并根据收集的所述OPC测试图形数据建立工艺窗口OPC模型；
OPC修正模块，其被配置为在一OPC修正程序上进行相应变化，以得到变化后的OPC修正程序，并利用变化前和变化后的OPC修正程序分别对同一电路版图文件进行OPC修正，得到相应的两个OPC修正结果；
差异位置计算模块，其被配置为比较所述两个OPC修正结果，以得到所述两个OPC修正结果相应的差异位置；
检查模块，其被配置为利用所述工艺窗口OPC模型和一OPC结果检查工具对所述差异位置进行检查，以得到所述差异位置对应的评判数据；
评判模块，其被配置为判断所述评判数据是否满足要求，若是，则变化后的OPC修正程序通过，若否，则返回所述OPC修正模块，以在所述OPC修正模块中继续在所述OPC修正程序上进行相应变化，直至变化后的OPC修正程序对应的评判数据满足要求。
其中，所述差异位置计算模块还进一步被配置为将所有的差异位置进行分类，以得到重点检查区域；所述检查模块还进一步被配置为利用所述工艺窗口OPC模型和一OPC结果检查工具对所述重点检查区域进行检查，以得到各个所述重点检查区域的评判标数据。
所述差异位置计算模块还进一步被配置为根据各个差异位置的差异值的范围，将所有的差异位置分成以下四类：第一类为差异值小于2dbu，第二类为差异位置的差异值介于2dbu～5dbu之间，第三类为差异位置的差异值介于5dbu～10dbu之间及第四类为差异位置的差异值大于10dbu。
本发明还提供了一种掩膜版优化方法，包括：
提供一目标版图，通过所述目标版图获得待成型的掩膜版图形；
采用上述所述的确定合适的OPC修正程序的方法，或上述所述的确定合适的OPC修正程序的装置，确定出合适的OPC修正程序；
采用所述合适的OPC修正程序对待成型的掩膜版图形进行修正。
本发明还提供了一种掩膜版，采用上述所述的掩膜版优化方法形成。
应予以注意的是，这里所使用的术语仅是为了描述具体实施例，而非意图限制根据本发明的示例性实施例。如在这里所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式也意图包括复数形式。此外，还应当理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时，其指明存在所述特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或附加一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组合。
最后所应说明的是，以上实施例仅为本发明较佳实施例而已，并非用来限定本发明的实施范围。即凡依本发明申请专利范围的内容所作的等效变化与修饰，都应为本发明的技术范畴。

Claims (6)

1.一种确定合适的OPC修正程序的方法，其特征在于，包括：
步骤S1：收集工艺窗口内的OPC测试图形数据，并根据收集的所述OPC测试图形数据建立工艺窗口OPC模型；
步骤S2：在一OPC修正程序上进行相应变化，以得到变化后的OPC修正程序，并利用变化前和变化后的OPC修正程序分别对同一电路版图文件进行OPC修正，得到相应的两个OPC修正结果；
步骤S3：比较所述两个OPC修正结果，以得到所述两个OPC修正结果相应的差异位置，根据各个差异位置的差异值的范围，将所有的差异位置分成以下四类：第一类为差异值小于2dbu；第二类为差异位置的差异值介于2dbu～5dbu之间；第三类为差异位置的差异值介于5dbu～10dbu之间及第四类为差异位置的差异值大于10dbu，所述第四类为重点检查区域；
步骤S4：利用所述工艺窗口OPC模型和一OPC结果检查工具对所述重点检查区域进行检查，以得到各个所述重点检查区域的评判数据；
步骤S5：判断所述评判数据是否满足要求，若是，则变化后的OPC修正程序通过，若否，则返回步骤S2，继续在所述OPC修正程序上进行相应变化，直至变化后的OPC修正程序对应的评判数据满足要求。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤S1中，收集工艺窗口内多个能量及焦深条件的OPC测试图形数据，以建立与工艺窗口内的能量和焦深条件相关的工艺窗口OPC模型。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述评判数据包括工艺带宽波动值。
4.一种确定合适的OPC修正程序的装置，其特征在于，包括：
工艺窗口OPC模型生成模块，其被配置为收集工艺窗口内的OPC测试图形数据，并根据收集的所述OPC测试图形数据建立工艺窗口OPC模型；
OPC修正模块，其被配置为在一OPC修正程序上进行相应变化，以得到变化后的OPC修正程序，并利用变化前和变化后的OPC修正程序分别对同一电路版图文件进行OPC修正，得到相应的两个OPC修正结果；
差异位置计算模块，其被配置为比较所述两个OPC修正结果，以得到所述两个OPC修正结果相应的差异位置，所述差异位置计算模块还进一步被配置为根据各个差异位置的差异值的范围，将所有的差异位置分成以下四类：第一类为差异值小于2dbu，第二类为差异位置的差异值介于2dbu～5dbu之间，第三类为差异位置的差异值介于5dbu～10dbu之间及第四类为差异位置的差异值大于10dbu；
检查模块，其被配置为利用所述工艺窗口OPC模型和一OPC结果检查工具对所述重点检查区域进行检查，以得到各个所述重点检查区域的评判数据；
评判模块，其被配置为判断所述评判数据是否满足要求，若是，则变化后的OPC修正程序通过，若否，则返回所述OPC修正模块，以在所述OPC修正模块中继续在所述OPC修正程序上进行相应变化，直至变化后的OPC修正程序对应的评判数据满足要求。
5.一种掩膜版优化方法，其特征在于，包括：
提供一目标版图，通过所述目标版图获得待成型的掩膜版图形；
采用权利要求1～3中任一项所述的确定合适的OPC修正程序的方法，或权利要求4中任一项所述的确定合适的OPC修正程序的装置，确定出合适的OPC修正程序；
采用所述合适的OPC修正程序对待成型的掩膜版图形进行修正。
6.一种掩膜版，其特征在于，采用权利要求5所述的掩膜版优化方法形成。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113495425B (zh) * 2020-04-03 2023-06-23 长鑫存储技术有限公司 一种光学临近修正方法及装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014081472A (ja) * 2012-10-16 2014-05-08 Renesas Electronics Corp 光近接効果補正方法、処理装置、プログラム、マスクの製造方法、及び半導体装置の製造方法
CN104714362A (zh) * 2013-12-17 2015-06-17 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 一种光学临近修正的方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004029193A (ja) * 2002-06-24 2004-01-29 Sony Corp モデルベースの近接効果補正の検証方法
CN102385242A (zh) * 2010-09-01 2012-03-21 无锡华润上华半导体有限公司 掩膜版制作方法及系统
CN106094423B (zh) * 2016-08-22 2019-11-22 上海华力微电子有限公司 一种光刻工艺优化方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014081472A (ja) * 2012-10-16 2014-05-08 Renesas Electronics Corp 光近接効果補正方法、処理装置、プログラム、マスクの製造方法、及び半導体装置の製造方法
CN104714362A (zh) * 2013-12-17 2015-06-17 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 一种光学临近修正的方法

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