CN104714362A - 一种光学临近修正的方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种光学临近修正的方法，包括：步骤（a）根据目标版图，制备初始OPC模型；步骤（b）选用所述初始OPC模型进行常规模拟和检查步骤，以及选用所述OPC模型进行工艺窗口OPC模拟和检查步骤；步骤（c）查找缺陷点，若没有缺陷点则将所述初始OPC模型作为最终OPC模型，执行步骤（d），若查找到缺陷点则对所述缺陷点进行自动修正，然后对修正后的缺陷点进行工艺窗口OPC模拟，并进行检查，至没有缺陷点为止，并输出最终OPC模型；步骤（d）根据所述最终OPC模型，制备光刻掩膜板。本发明所述OPC修正方法的优点在于所述方法运行一步OPC修正步骤即可输出得到OPC模型，节省了整个OPC过程的时间。

Description

一种光学临近修正的方法

技术领域

本发明涉及半导体领域，具体地，本发明涉及一种光学临近修正的方法。

背景技术

集成电路制造技术是一个复杂的工艺，技术更新很快。表征集成电路制造技术的一个关键参数为最小特征尺寸，即关键尺寸（critical dimension，CD），随着关键尺寸的缩小，甚至缩小至纳米级，而正是由于关键尺寸的减小才使得每个芯片上设置百万个器件成为可能。

光刻技术是集成电路制造工艺发展的驱动力，也是最为复杂的技术之一。相对与其它单个制造技术来说，光刻技术的提高对集成电路的发展具有重要意义。在光刻工艺开始之前，首先需要将图案通过特定设备复制到掩膜版上，然后通过光刻设备产生特定波长的光将掩膜版上的图案结构复制到生产芯片的硅片上。但是由于半导体器件尺寸的缩小，在将图案转移到硅片的过程中会发生失真现象，如果不消除这种失真现象会导致整个制造技术的失败。为了避免出现上述问题，通常对所述掩膜版进行光学临近修正（Optical ProximityCorrection,OPC），所述OPC方法即为对所述光刻掩膜版进行光刻前预处理，进行预先修改，使得修改补偿的量正好能够补偿曝光系统造成的光学邻近效应。

随着器件尺寸的不断缩小，光刻工艺窗口（Litho process window）缩小，导致所述蚀刻过程中焦点以及能量的变化（variation），从形成更多的缺陷点或者潜在的缺陷点（weak points），现有技术中光学临近修正的流程图如图1所示，首先执行光刻步骤，然后执行光学临近修正步骤，然后执行检查核实步骤，执行常规的以及工艺窗口的光学临近修正步骤，对所述光学临近修正进行核实，接着对缺陷点进行检测，若缺陷点的检测没有问题，则通过，进行掩膜板的制备，进行物理晶圆的实际生产，若所述缺陷点的检测出现问题，则需要返回到最初的步骤进行全部的检测，这样以来浪费了大量的时间，使整个OPC过程延长，效率降低。

因此，需要对目前的光学临近修正方法作进一步的改进，以便消除上述时间过于冗长的问题。

发明内容

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

本发明提供了一种光学临近修正方法，包括：

步骤（a）根据目标版图，制备初始OPC模型；

步骤（b）选用所述初始OPC模型进行常规模拟和检查步骤，以及选用所述OPC模型进行工艺窗口OPC模拟和检查步骤；

步骤（c）查找缺陷点，若没有缺陷点则将所述初始OPC模型作为最终OPC模型，执行步骤（d），

若查找到缺陷点则对所述缺陷点进行自动修正，然后对修正后的缺陷点进行工艺窗口OPC模拟，并进行检查，至没有缺陷点为止，并输出最终OPC模型；

步骤（d）根据所述最终OPC模型，制备光刻掩膜板。

作为优选，所述步骤（a）进一步包括以下步骤：

步骤（a-1）收集提供的版图图案的数据；

步骤（a-2）根据步骤（a-1）中所述数据以及所述目标版图的设计规则进行逻辑运算；

步骤（a-3）根据所述逻辑运算结果，输出OPC模型；

步骤（a-4）对所述OPC模型进行OPC修正，以得到所述初始OPC模型。

作为优选，所述步骤（b）中常规模拟是指不考虑外界不良干扰，例如不考虑在实际生产工艺中各种误差因素以及实际生产中各变量的影响，在设定的最佳条件下进行模拟。

作为优选，所述工艺窗口OPC模拟是在考虑实际生产工艺的影响因素之后进行的模拟。

作为优选，所述步骤（c）中，在自动修正之后，在对修正后的缺陷点进行工艺窗口OPC模拟之前，还包含对修正后的缺陷点进行常规模拟的步骤。

作为优选，所述步骤（c）进一步包含以下步骤：

步骤（c-1）在查找到缺陷点后，根据缺陷点自动修正规则对所述缺陷点进行自动修正；

步骤（c-2）将修正后的所述缺陷点进行工艺窗口OPC模拟；

步骤（c-3）进一步查找缺陷点，若没有查找到缺陷点，则输出该模型，以作为最终OPC模型，执行步骤（d）；若仍查找到缺陷点，则重复执行步骤（c-1）和步骤（c-2）至没有缺陷点为止。

作为优选，所述步骤（c-3）中还进一步包含以下子步骤：

（c-3-1）若在步骤（c-2）中仍查找到缺陷点，则重复执行步骤（c-1）和步骤（c-2），重复自动修正后没有查找到缺陷点，则输出所述最终OPC模型；

（c-3-2）重复自动修正步骤后，仍然查找到缺陷点，则查看所述缺陷点是否在非核心区，若所述缺陷点在非核心区则对所述缺陷点的所述自动修正规则进行改进，然后继续执行步骤（c-1）和步骤（c-2），重复该步骤至缺陷点消失为止。

作为优选，所述自动修正规则通过所述目标版图设计规则进行制定。

作为优选，所述步骤（c）中还进一步包括以下步骤：

对所述缺陷点进行自动修正后，进一步重新检查其它位置是否产生新的缺陷点。

作为优选，若在其他部位产生新的缺陷点，则对所述新的缺陷点进行自动修正，至所述新的缺陷点消失为止。

本发明中优化了光学临近修正方法中输出OPC模型的方法，在所述方法中增加了对缺陷点（weak point）的自动修正（auto correction）的步骤，以节省整个OPC过程的时间。所述方法中包括3个步骤：（1）根据图案设计规则以及自动修正规则，自动修正（modify）目标缺陷点（target weak point）；（2）执行OPC模拟以及工艺窗口OPC模拟验证的步骤，来重新确定缺陷点的位置（迭代过程）；（3）输出自动修正结果和最终OPC模型，并用于进行核查。本发明所述的OPC修正方法对于没有缺陷点的版图来说，其OPC修正时间没有增加，对于具有缺陷点的版图来说，其OPC修正时间仅仅增加了10%，相对于现有技术节省了大量的时间。

本发明所述OPC修正方法的优点在于：

（1）本发明所述方法运行一步OPC修正步骤即可输出得到OPC模型，节省了整个OPC过程的时间。

（2）仅仅含有缺陷点的芯片的OPC修正运行时间增加10%，相比针对整个芯片重新运行OPC修正节省了大量的时间。

（3）所述OPC修正方法应用广泛，特别适用于在后段制程中图层的输出。

附图说明

本发明的下列附图在此作为本发明的一部分用于理解本发明。附图中示出了本发明的实施例及其描述，用来解释本发明的装置及原理。在附图中，

图1为现有技术中光学临近修正的流程示意图；

图2为本发明的一具体实施方式中所述光学临近修正的流程示意图；

图3a-3d为本发明的具体实施方式中对缺陷点的检测的示意图。

具体实施方式

在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本发明更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本发明可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中，为了避免与本发明发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述。

应予以注意的是，这里所使用的术语仅是为了描述具体实施例，而非意图限制根据本发明的示例性实施例。如在这里所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式也意图包括复数形式。此外，还应当理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时，其指明存在所述特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或附加一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组合。

现在，将参照附图更详细地描述根据本发明的示例性实施例。然而，这些示例性实施例可以多种不同的形式来实施，并且不应当被解释为只限于这里所阐述的实施例。应当理解的是，提供这些实施例是为了使得本发明的公开彻底且完整，并且将这些示例性实施例的构思充分传达给本领域普通技术人员。

本发明为了解决现有技术中存在的问题，提供了一种新的OPC方法，所述方法优化了整个OPC过程：

在本发明中OPC修正步骤后，输出所述OPC模型，然后执行OPC工艺窗口的核查（verify）以及缺陷点的自动修正（modify），如果没有缺陷点找到，则根据所述OPC模型制备OPC掩模板（mask）；如果在非核心关键尺寸区（non-critical area），则首先根据版图设计规则以及缺陷点自动修正规则，自动修正目标缺陷点，然后在进行OPC修正步骤以及OPC工艺窗口验证的步骤，来重新确定缺陷点的位置。

其中，所述的自动修正（auto correction）为迭代过程（iteration process），如果没有其他种类的缺陷，通过迭代的方法能够非常准确的对所述缺陷点进行修改，最终将修正后的结果输出，得到最终的OPC模型。

其中，所述的自动修正规则是基于weak point的类型进行指定，所述weakpoint一般是指搭桥（bridge）、连线（Pinch）、接触孔（CT）/通孔（Via）的覆盖（coverage），例如用于实现电连接的金属桥等。

进一步，本发明所述OPC修正方法相当于现有技术来说完善了所述OPC修正流程，增加了对缺陷点（weak point）的自动修正以及检查的步骤，通过反复的自动修正以及检查，以保证通过所述OPC修正后最终的OPC掩模板（mask）后得到的版图符合目标版图的需求，由于所述缺陷点的自动修正以及检查均为独立的，不需要返回到第一步执行整个OPC过程，因此，在没有缺陷点的时候可以省略该步骤，若含有缺陷点的时候可以仅仅针对该缺陷点进行修正，从而节省了大量的时间。

实施例1

下面结合附图2对本发明的OPC修正方法作进一步的说明。

如图2所示，所述方法包括以下步骤：

步骤（a）根据目标版图，制备初始OPC模型；

步骤（b）选用OPC模型进行常规模拟和检查步骤，以及选用所述OPC模型进行工艺窗口OPC模拟和检查步骤；

步骤（c）查找缺陷点，若没有缺陷点则经所述初始OPC模型作为最终OPC模型，执行步骤（d），

若查找到缺陷点则执行下面的步骤：

对所述缺陷点进行自动修正，然后对修正后的缺陷点进行常规OPC模拟以及工艺窗口OPC模拟，并进行检查，至没有缺陷点为止，并输出最终OPC模型；

步骤（d）根据所述最终OPC模型，制备光刻掩膜板。

其中，在所述步骤（a）中，包括根据目标版图图案以及设计规则进行逻辑运算，得到初始OPC模型；

具体地，首先根据的提供版以及目标版图的图形进行逻辑运算，其中包括收集所述提供的版图中的数据，并根据目标版图的运算规则进行逻辑运算，得到初始模型，然后执行OPC修正步骤，对所述初始模型进行修改，以便更加接近目标版图，所述OPC修正步骤可以包含多个步骤，以得到所述初始OPC模型。

在该步骤中所述初始OPC模型为模拟模型，通过逻辑运算得到所述初始OPC模型，在所述初始OPC模型中可能会存在有一些缺陷点。

在所述步骤（b）中首先在常规情况下对所述OPC模型进行模拟，得到模拟版图，并检查所述模拟版图中是否存在缺陷点或者是否和所述目标版图之间存在较大的差异。

其中，在该步骤中所述常规情况下对所述OPC模型进行模拟是指在通常状态下不考虑外界各种不良干扰的情况，例如不考虑在实际生产工艺中各种误差因素以及实际生产中各变量的影响，在设定的最佳条件下进行模拟（所述情况为一种理想的情况，在实际生产工艺中必然会受到误差以及工艺中各种变量的影响），以得到模拟版图，其中所述模拟版图和所述目标版图具有较好的一致性。

但是在实际生产中不可避免的要受到各种因素的影响，例如在将所述OPC模型转移至光罩上，以及进行蚀刻的过程中，环境中的振动等因素会对最终目标版图造成影响，因此在该步骤中除了进行常规的OPC模拟过程以外，还需要进行工艺窗口OPC模拟，所述工艺窗口OPC模拟是在充分考虑了各种影响因素之后进行的模拟，通过所述模拟方法可以获得和实际生产更为接近的模拟结果，以便更好地控制器件的良率。

进一步，如果在执行完常规模拟、工艺窗口OPC模拟之后，执行检查步骤，在该步骤中查找缺陷点，若根据上述两种模拟结果均没有找到缺陷点，则说明所述OPC模型符合要求，不需要进行修改，可直接用于制备光刻掩膜板，进行光刻，将OPC模型中的图案转移至光罩上进行后续的步骤。

如果在常规模拟、工艺窗口OPC模拟之后，在检查步骤中查找到缺陷点，则执行步骤（c）对所述缺陷点进行自动修正。

作为进一步的优选，在该步骤中，如果在对OPC模型进行常规模拟过程中就能检查出缺陷点，则可以不进行工艺窗口OPC模拟，找到所述缺陷点，然后直接对所述缺陷点进行自动修正，修正完之后在进行常规OPC模拟过程，在常规模拟时不会出现缺陷点为止，然后进行工艺窗口OPC模拟。

在步骤（c）中还进一步包含以下步骤：

步骤（c-1）在查找到缺陷点后，根据目标版图的设计规则对所述缺陷点进行自动修正；

步骤（c-2）将修正后的缺陷点进行常规OPC模拟、检查，以及工艺窗口OPC模拟、检查；

步骤（c-3）进步一查找缺陷点，若没有查找到缺陷点，则输出最终OPC模型，执行步骤（d）；若仍查找到缺陷点，则重复执行步骤（c-2）至没有缺陷点为止。

进一步，所述步骤（c-3）中还进一步包含以下子步骤：

（c-3-1）若在步骤（c-2）中仍查找到缺陷点，则重复执行步骤（c-2）后，没有查找到缺陷点，则输出最终OPC模型，执行步骤（d）；

（c-3-2）重复执行步骤（c-2）后，仍然能够查找到缺陷点，则查看所述缺陷点是否在非核心区，若所述缺陷点在非核心区则对所述缺陷点的自动修正规则进行改进，然后继续执行步骤（b），至缺陷点消失为止。

在该步骤中还包括在通过自动修正后消除所述缺陷点之后还包括对修正后的OPC模型中其他位置进行检查，以确保在消除所述缺陷点的同时不会引入其他缺陷点，若在自动修正过程中同时引入其他缺陷点，则需要对新引入的缺陷点进行修正，或者返回对所述自动修正规则或者目标版图规则进行改进，以保证在消除缺陷点的同时不会引入新的缺陷点。

需要说明的是，所述缺陷点的自动修正规则是根据目标版图的设计规则进行制定的，在重复多次步骤（c-2）后仍不能将所述缺陷点消除，则有可能是缺陷点的修改规则或者目标版图的设计规则存在缺陷，通过对所述缺陷点的修改规则或者目标版图的设计规则进行核查或者修改，以消除所述缺陷点，得到最终OPC模型。

在步骤（d）中，在得到最终OPC模型之后，制备光刻掩膜版，光刻掩膜版实际上是光刻工艺中光致抗蚀剂（俗称光刻胶，也称光阻）层的“印相底片”，其上印制了目标版图的几何图形。从目标版图到晶圆片上电路图形的形成，中间需要经过制版环节，也即需要制作一套其上印制着原始集成电路设计版图图案的光刻OPC模型作为“印相底片”，光刻工艺就是将该“印相底片”上的几何图形转印到晶圆片上，形成晶圆片上的电路图形。

在本发明的一具体地实施方式中，光刻掩膜版的制版过程如下：首先，在平整光洁的玻璃（或石英）基版上通过直流磁控溅射沉积感光材料氮化铬-氮氧化铬从而形成铬膜基版；然后，在该铬膜基版上均匀涂敷一层光致抗蚀剂或电子束抗蚀剂制成匀胶铬版，该匀胶铬版即为光掩膜基板，其是制作微缩几何图形的理想感光性空白板；最后，通过光刻制版工艺在光掩膜基版上印制由原始集成电路设计版图转化而来的微缩几何图形，从而完成光刻掩膜版的制版工序。最后在得到光刻掩膜板之后即可进行晶圆的生产，所述具体过程不再赘述。

实施例2

下面结合附图3a对本发明的一种具体实施方式进行说明，在该实施例中所述缺陷点为连接线（Pinch）。需要说明的是，附图中的图案仅仅为目标版图中很小的一部分，为了更好的说明该缺陷点的修正。

在该实施例中，首先根据的提供版以及目标版图的图形进行逻辑运算，其中包括收集所述提供的版图中的数据，并根据目标版图的运算规则进行逻辑运算，得到初始模型，然后执行OPC修正步骤，对所述初始模型进行修改，以便更加接近目标版图，所述OPC修正步骤可以包含多个步骤，以得到所述初始OPC模型。

然后对所述初始OPC模型进行常规（nominal）OPC模拟，在该步骤中所述常规（nominal）OPC模拟是指在通常状态下不考虑外界各种不良干扰的情况，在设定的最佳条件下进行模拟，以得到模拟版图，其中所述模拟版图和所述目标版图具有较好的一致性。

通过所述模拟得到如图3a-I所示的图案，在该图案中如圆圈标识的图案为连接线（Pinch）10，所述连接线（Pinch）10需要保持连接的状态，一旦断开将会导致所述版图失效。在该图中可以看出所述连接线（Pinch）10具有良好的连接状态。

然后接着执行工艺窗口OPC模拟，所述工艺窗口OPC模拟是在充分考虑了各种影响因素之后进行的模拟，得到如图3a-II所示的图案，在该图案中所述连接线（Pinch）10部分的连接非常不牢固，中间部分很细，在封装过程中很容易断开，所述工艺窗口OPC模拟和最终晶圆的生产结果也最为接近，通过所述模拟可以知道在实际生产中所述连接线（Pinch）很容易发生断裂，导致器件良率降低。

通过所述工艺窗口OPC模拟可以发现所述连接线（Pinch）10为版图中的缺陷点，需要对所述缺陷点进行自动修正，修正方法为在所述连接线（Pinch）10中很细的部位增加其宽度，以确保所述连接线（Pinch）10的正常连接。所述自动修改实际上是对所述初始OPC模型中对应的连接线（Pinch）进行修正。

然后将自动修正好的OPC模型进行模拟，所述模拟方法为工艺窗口OPC模拟，通过如图3a-III所述的修正模拟版图，通过所述模拟版图可以看出，通过自动修正后所述连接线（Pinch）10中间容易断裂的地方变的较粗，相对于修正前更加稳定和牢固，因此所述缺陷点可以消除，然后将修正后的OPC模型作为最终OPC模型，并以此为基础进行光刻掩膜版的制备。

实施例3

下面结合附图3b对本发明的另外一种具体实施方式进行说明，在该实施例中所述缺陷点为连接线（Pinch）20。需要说明的是，附图中的图案仅仅为目标版图中很小的一部分，为了更好的说明该缺陷点的修正。

在该实施例中不再对所述常规OPC模拟以及工艺窗口OPC模拟做详细的说明，其具体步骤和方法可以参照实施例1和实施例2，当然也并不局限于上述两个实施例。

在制备得到初始OPC模型之后，进行常规OPC模拟，得到如图3b-I所示的图案，通过该图案可以看出连接线（Pinch）20没有缺陷点的存在，其和目标图案具有很好的一致性，接着进行所述工艺窗口OPC模拟，得到如图3b-II所示的图案，在所述图3b-I圆圈标识的连接线（Pinch）20处发现缺陷点，所述连接线（Pinch）20的填充出现空隙，所述连接线（Pinch）20呈锥形而不是矩形，所述连接线（Pinch）20的蚀刻存在缺陷，因此需要对所述缺陷点进行自动修正，根据所述目标版图的设计规则以及所述连接线（Pinch）20的修改规则对所述OPC模型进行自动修正，以得到修正后的OPC模型。

对所述修正后的OPC模型进行工艺窗口OPC模拟，通过模拟结果发现，如果选用目前的自动修正规则，虽然可以使所述连接线（Pinch）20填充具有良好的效果，消除所述倒锥形图案，消除所述缺陷点，由于所述连接线（Pinch）20两侧的图案距离所述连接线（Pinch）20非常近，很容易形成接触，在消除了该缺陷点的同时引入新的缺陷点的出现。

为了解决该问题，需要设计合理的自动修正规则，在该实施例中所述修正规则为增加所述连接线（Pinch）一端的关键尺寸，如图3b-III所示，增加所述连接线（Pinch）20下端的关键尺寸，通过增加下端的关键尺寸间接地增加所述连接线（Pinch）20中间部位的关键尺寸，以保证所述中间部位不会出现往中间缩小的现象，同时保证不会引入其他的缺陷点。

实施例4

下面结合附图3c对本发明的另外一种具体实施方式进行说明，在该实施例中所述缺陷点为接触孔30的覆盖（CT coverage）。需要说明的是，附图中的图案仅仅为目标版图中很小的一部分，为了更好的说明该缺陷点的修正。

在该实施例中不再对所述常规OPC模拟以及工艺窗口OPC模拟做详细的说明，其具体步骤和方法可以参照实施例1-实施例3，当然也并不局限于上述实施例。

在制备得到初始OPC模型之后，进行常规OPC模拟，得到如图3c-I所示的图案，在该图案中很难看到是否存在明显的缺陷点，可以通过后续的步骤加以验证。

然后选用初始OPC模型进行所述工艺窗口OPC模拟，得到如图3c-II所示的图案，在所述图3c-I圆圈标识的接触孔30处发现缺陷点，所述位于所述接触孔30上方的金属线或者金属层不能很好的覆盖接触孔30，在目标版图设计中要求所述金属层能够覆盖所述接触孔30，以形成较大的基础面积，减小电阻，但是通过所述工艺窗口OPC模拟可以看出，所述接触孔的覆盖存在缺陷。

然后对所述缺陷点进行修正，得到修正OPC模型，然后进行工艺窗口OPC模拟，结果发现所述缺陷点仍然存在，重复多次修正所述缺陷点仍然没有消除，然后对所述自动修改规则进行检查和修改，在修改了所述自动修正规则之后进行修正、模拟，得到如图3c-III所示的图案，在所述图案中可以看出通过对所述修正规则修改后，可以消除所述缺陷点，符合目标版图的要求。

实施例5

下面结合附图3d对本发明的另外一种具体实施方式进行说明，在该实施例中所述缺陷点为接触孔/通孔的覆盖（CT/via coverage）。需要说明的是，附图中的图案仅仅为目标版图中很小的一部分，为了更好的说明该缺陷点的修正。

在该实施例中不再对所述常规OPC模拟以及工艺窗口OPC模拟做详细的说明，其具体步骤和方法可以参照实施例1-实施例4，当然也并不局限于上述实施例。

在制备得到初始OPC模型之后，进行常规OPC模拟，得到如图3d-I所示的图案，通过该图案可以看出并没有缺陷点的存在，其和目标图案具有很好的一致性，接着进行所述工艺窗口OPC模拟，得到如图3d-II所示的图案，在所述图3d-I圆圈标识的接触孔40处发现缺陷点，所述接触孔40没有完全被覆盖，所述接触孔40的覆盖效果不好，会导致连接问题以及电阻的升高，因此需要对所述缺陷点进行自动修正，根据所述目标版图的设计规则以及所述接触孔的修改规则对所述OPC模型进行自动修正，以得到修正后的OPC模型。

对所述修正后的OPC模型进行工艺窗口OPC模拟，通过模拟结果发现，如果选用目前的自动修正规则，虽然可以使所述接触孔40具有良好的覆盖效果，由于所述接触孔40一侧图案距离所述接触孔非常近，很容易形成接触，在消除了该缺陷点的同时引入新的缺陷点的出现。

为了解决该问题，在进行修正的过程中，自动去除容易和一侧图案接触的区域，而仅仅增加另一侧的关键尺寸，例如增加所述金属层上侧的关键尺寸，而减小下侧容易发生接触的部位的关键尺寸，得到最终OPC模型，进行模拟，得到如图3b-III所示图案，以保证所述接触孔形成良好覆盖的同时不会形成接触、引入其他的缺陷点。

本发明中优化了光学临近修正方法中输出OPC模型的方法，在所述方法中增加了对缺陷点（weak point）的自动修正（auto correction）的步骤，以节省整个OPC过程的时间。所述方法中包括3个步骤：（1）根据图案设计规则以及自动修正规则，自动修正（modify）目标缺陷点（target weak point）；（2）执行OPC模拟以及工艺窗口OPC模拟验证的步骤，来重新确定缺陷点的位置（迭代过程）；（3）输出自动修正结果和最终OPC模型，并用于进行核查。本发明所述的OPC修正方法对于没有缺陷点的版图来说，其OPC修正时间没有增加，对于具有缺陷点的版图来说，其OPC修正时间仅仅增加了10%，相对于现有技术节省了大量的时间。

本发明所述OPC修正方法的优点在于：

（1）本发明所述方法运行一步OPC修正步骤即可输出得到OPC模型，节省了整个OPC过程的时间。

（2）仅仅含有缺陷点的芯片的OPC修正运行时间增加10%，相比针对整个芯片重新运行OPC修正节省了大量的时间。

（3）所述OPC修正方法应用广泛，特别适用于在后段制程中图层的输出。

本发明已经通过上述实施例进行了说明，但应当理解的是，上述实施例只是用于举例和说明的目的，而非意在将本发明限制于所描述的实施例范围内。此外本领域技术人员可以理解的是，本发明并不局限于上述实施例，根据本发明的教导还可以做出更多种的变型和修改，这些变型和修改均落在本发明所要求保护的范围以内。本发明的保护范围由附属的权利要求书及其等效范围所界定。

Claims (9)

1.一种光学临近修正的方法，包括：

步骤（a）根据目标版图，制备初始OPC模型；

步骤（b）选用所述初始OPC模型进行常规模拟和检查步骤，以及选用所述OPC模型进行工艺窗口OPC模拟和检查步骤；

步骤（c）查找缺陷点，若没有缺陷点则将所述初始OPC模型作为最终OPC模型，执行步骤（d），

若查找到缺陷点则对所述缺陷点进行自动修正，然后对修正后的缺陷点进行工艺窗口OPC模拟，并进行检查，至没有缺陷点为止，并输出最终OPC模型；

步骤（d）根据所述最终OPC模型，制备光刻掩膜板。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤（a）进一步包括以下步骤：

步骤（a-1）收集提供的版图图案的数据；

步骤（a-2）根据步骤（a-1）中所述数据以及所述目标版图的设计规则进行逻辑运算；

步骤（a-3）根据所述逻辑运算结果，输出OPC模型；

步骤（a-4）对所述OPC模型进行OPC修正，以得到所述初始OPC模型。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述工艺窗口OPC模拟是在考虑实际生产工艺的影响因素之后进行的模拟。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤（c）中，在自动修正之后，在对修正后的缺陷点进行工艺窗口OPC模拟之前，还包含对修正后的缺陷点进行常规模拟的步骤。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤（c）进一步包含以下步骤：

步骤（c-1）在查找到缺陷点后，根据缺陷点自动修正规则对所述缺陷点进行自动修正；

步骤（c-2）将修正后的所述缺陷点进行工艺窗口OPC模拟；

步骤（c-3）进一步查找缺陷点，若没有查找到缺陷点，则输出该模型，以作为最终OPC模型，执行步骤（d）；若仍查找到缺陷点，则重复执行步骤（c-1）和步骤（c-2）至没有缺陷点为止。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述步骤（c-3）中还进一步包含以下子步骤：

（c-3-1）若在步骤（c-2）中仍查找到缺陷点，则重复执行步骤（c-1）和步骤（c-2），重复自动修正后没有查找到缺陷点，则输出所述最终OPC模型；

（c-3-2）重复自动修正步骤后，仍然查找到缺陷点，则查看所述缺陷点是否在非核心区，若所述缺陷点在非核心区则对所述缺陷点的所述自动修正规则进行改进，然后继续执行步骤（c-1）和步骤（c-2），重复该步骤至缺陷点消失为止。

7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述自动修正规则通过所述目标版图设计规则进行制定。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤（c）中还进一步包括以下步骤：

对所述缺陷点进行自动修正后，进一步重新检查其它位置是否产生新的缺陷点。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，若在其他部位产生新的缺陷点，则对所述新的缺陷点进行自动修正，至所述新的缺陷点消失为止。