CN115734498A - 一种使用干膜盖孔改善孔处铜环蚀刻的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种使用干膜盖孔改善孔处铜环蚀刻的方法，包括以下步骤：基材提供：提供一铜箔基板本体件；对所述铜箔基板本体件进行压模、曝光、显影，使得所述铜箔基板本体件的孔环处被第一膜体覆盖，且制作出所需的线路图形；对覆盖有膜体的所述铜箔基板本体件进行二次压模，以使得所述铜箔基板本体件具有第一膜体的表面再次被第二膜体覆盖，其中所述第二膜体覆盖在全部的所述第一膜体上；对具有所述第二膜体的铜箔基板本体件进行曝光、显影；蚀刻：采用蚀刻溶液对所述第二膜体的铜箔基板本体进行咬蚀，以去除显影后裸露的铜层，获得所需的线路。本发明至少包括以下优点：采用双层压膜设计，使得孔环处处于双层保护，且能够有效完成线路的形成，满足超细线路的设计要求。
Description
技术领域
本发明涉及线路板技术领域，具体的是一种使用干膜盖孔改善孔处铜环蚀刻的方法。
背景技术
本部分的描述仅提供与本发明公开相关的背景信息，而不构成现有技术。
软硬结合板载未开盖前制作线路，由于产品超细线路设计，虚采用的较薄的干膜解析制作线路。但较薄的干膜覆盖载大孔表面时，在显影的过程中的高压喷射工序中较容易造成大孔表面的干膜冲破，从而产品载过蚀刻线体的工序中，大孔处的铜环因干膜破损会受到蚀刻药水的攻击，从而造成孔破现象的出现，无法满足产品超细线路设计的要求。
应该注意，上面对技术背景的介绍只是为了方便对本发明的技术方案进行清楚、完整的说明，并方便本领域技术人员的理解而阐述的。不能仅仅因为这些方案在本发明的背景技术部分进行了阐述而认为上述技术方案为本领域技术人员所公知。
发明内容
为了克服现有技术中的缺陷，本发明实施例提供了一种使用干膜盖孔改善孔处铜环蚀刻的方法，解决了孔破现象、超细线路设计要求的问题。
本申请实施例公开了：一种使用干膜盖孔改善孔处铜环蚀刻的方法，包括以下步骤：
基材提供：提供一铜箔基板本体件；
对所述铜箔基板本体件进行压模、曝光、显影，使得所述铜箔基板本体件的孔环处被第一膜体覆盖，且制作出所需的线路图形；
对覆盖有膜体的所述铜箔基板本体件进行二次压模，具体包括：在真空环境中采用腰形鼓状的热轧辊件对所述铜箔基板本体件进行热压，其中环境温度为60-70℃，热轧辊的压力为1.3-1.7kg/cm2，真空保持时间为32-38s，以使得所述铜箔基板本体件具有第一膜体的表面再次被第二膜体覆盖，其中所述第二膜体覆盖在全部的所述第一膜体上；
对具有所述第二膜体的铜箔基板本体件进行曝光、显影；
蚀刻：采用蚀刻溶液对所述第二膜体的铜箔基板本体进行咬蚀，以去除显影后裸露的铜层，获得所需的线路。
进一步地，在步骤“对所述铜箔基板本体件进行压模、曝光、显影”之前，还包括中粗化清洗，以去除所述铜箔基板本体件表面的氧化物、油污、杂质。
进一步地，在步骤“对所述铜箔基板本体件进行压模、曝光、显影”中，其中所述压模工序包括：采用1.4-1.6m/min的速度对所述铜箔基板本体件进行传输热压，其中温度为90-100℃，压力为4.8-5.2kg/cm2，以使得所述第一膜体覆盖至所述铜箔基板本体件的表面。
进一步地，在步骤“对所述铜箔基板本体件进行压模、曝光、显影”中，其中所述曝光工序包括：采用CCD曝光机对所述第一膜体进行曝光，其中曝光精度为38-42um，PE值为45，曝光尺格数为9。
进一步地，在步骤“对所述铜箔基板本体件进行压模、曝光、显影”中，其中所述显影工序包括：采用3.6-4.0m/min的速度对所述铜箔基板本体件进行传输，采用碱性显影液对所述铜箔基板本体件进行双面喷淋，其中上表面喷压参数为1.6-2.0kg/cm2，下表面喷压参数为1.6-1.7kg/cm2。
进一步地，在步骤“对具有所述第二膜体的铜箔基板本体件进行曝光、显影”中，其中所述曝光工序包括：采用CD曝光机对所述第二膜体进行曝光，其中曝光精度为22-28um，PE值为58，曝光尺格数为9。
进一步地，在步骤“对具有所述第二膜体的铜箔基板本体件进行曝光、显影”中，其中所述显影工序包括：采用3.6-4.0m/min的速度对所述铜箔基板本体件进行传输，采用碱性显影液对所述铜箔基板本体件进行双面喷淋，其中上表面喷压参数为1.5kg/cm2，下表面喷压参数为1.8kg/cm2，环境温度为29℃。
进一步地，在步骤“采用蚀刻溶液对所述第二膜体的铜箔基板本体进行咬蚀，以去除显影后裸露的铜层，获得所需的线路”中，采用3.7m/min的速度对所述铜箔基板本体件进行传输，采用蚀刻液对所述铜箔基板本体件进行双面喷淋，其中上表面喷压参数为1.5kg/cm2，下表面喷压参数为1.5kg/cm2，环境温度为50℃。
借由以上的技术方案，本发明的有益效果如下：首先对该铜箔基板本体件进行第一次压模，在通过曝光、显影等工序去除多余的干膜，仅保留有孔环处的干膜，此处值得注意的是，干膜的面积略大于孔环的面积，以能够有效覆盖孔环；再对该铜箔基板本体件进行第二次压模，此过程中在上述的基础上能够有效完成超细线路的设计，且该孔环处被干膜双层覆盖的设计，在后续的显影、蚀刻等工序中，不会因为喷淋的动作造成孔环处的干膜破裂，这样使得孔环处不会受到蚀刻药水的攻击，进而不会造成孔破的现象产生，有效满足超细线路的设计要求。
为让本发明的上述和其他目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例中的方法流程图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
需要说明的是，在本发明的描述中，术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的和区别类似的对象，两者之间并不存在先后顺序，也不能理解为指示或暗示相对重要性。此外，在本发明的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
实施例
结合图1所示，本实施例中公开了一种。使用干膜盖孔改善孔处铜环蚀刻的方法，包括以下步骤：
基材提供：提供一铜箔基板本体件；
对所述铜箔基板本体件进行压模、曝光、显影，使得所述铜箔基板本体件的孔环处被第一膜体覆盖，且制作出所需的线路图形；
对覆盖有膜体的所述铜箔基板本体件进行二次压模，具体包括：在真空环境中采用腰形鼓状的热轧辊件对所述铜箔基板本体件进行热压，其中环境温度为60-70℃，热轧辊的压力为1.3-1.7kg/cm2，真空保持时间为32-38s，以使得所述铜箔基板本体件具有第一膜体的表面再次被第二膜体覆盖，其中所述第二膜体覆盖在全部的所述第一膜体上；
对具有所述第二膜体的铜箔基板本体件进行曝光、显影；
蚀刻：采用蚀刻溶液对所述第二膜体的铜箔基板本体进行咬蚀，以去除显影后裸露的铜层，获得所需的线路。
借由上述方法，首先对该铜箔基板本体件进行第一次压模，在通过曝光、显影等工序去除多余的干膜，仅保留有孔环处的干膜，此处值得注意的是，干膜的面积略大于孔环的面积，以能够有效覆盖孔环；再对该铜箔基板本体件进行第二次压模，此过程中在上述的基础上能够有效完成超细线路的设计，且该孔环处被干膜双层覆盖的设计，在后续的显影、蚀刻等工序中，不会因为喷淋的动作造成孔环处的干膜破裂，这样使得孔环处不会受到蚀刻药水的攻击，进而不会造成孔破的现象产生，有效满足超细线路的设计要求。
其中一个实施例中，包括以下步骤：
基材提供：提供一铜箔基板本体件；
中粗化清洗：对上述的铜箔基板本体件进行中粗化清洗，以去除所述铜箔基板本体件表面的氧化物、油污、杂质。
对所述铜箔基板本体件进行压模：采用1.4-1.6m/min的速度对所述铜箔基板本体件进行传输热压，其中温度为90-100℃，压力为4.8-5.2kg/cm2，以使得所述第一膜体覆盖至所述铜箔基板本体件的表面。
对压模后的所述铜箔基板本体件进行曝光：所述曝光工序包括：采用CCD曝光机对所述第一膜体进行曝光，其中曝光精度为38-42um，PE值为45，曝光尺格数为9。
对曝光后的所述铜箔基板本体件进行显影：其中所述显影工序包括：采用3.6-4.0m/min的速度对所述铜箔基板本体件进行传输，采用碱性显影液对所述铜箔基板本体件进行双面喷淋，其中上表面喷压参数为1.6-2.0kg/cm2，下表面喷压参数为1.6-1.7kg/cm2。
通过上述的压模、曝光、显影等工序，能够使得所述铜箔基板本体件的孔环处被第一膜体覆盖，且制作出所需的线路图形。
对覆盖有膜体的所述铜箔基板本体件进行二次压模，具体包括：在真空环境中采用腰形鼓状的热轧辊件对所述铜箔基板本体件进行热压，其中环境温度为60-70℃，热轧辊的压力为1.3-1.7kg/cm2，真空保持时间为32-38s，以使得所述铜箔基板本体件具有第一膜体的表面再次被第二膜体覆盖，其中所述第二膜体覆盖在全部的所述第一膜体上。
对具有所述第二膜体的铜箔基板本体件进行曝光：所述曝光工序包括：采用CD曝光机对所述第二膜体进行曝光，其中曝光精度为22-28um，PE值为58，曝光尺格数为9。
对曝光后的所述铜箔基板本体件进行显影：所述显影工序包括：采用3.6-4.0m/min的速度对所述铜箔基板本体件进行传输，采用碱性显影液对所述铜箔基板本体件进行双面喷淋，其中上表面喷压参数为1.5kg/cm2，下表面喷压参数为1.8kg/cm2，环境温度为29℃。
对显影后的所述铜箔基板本体件进行蚀刻，采用蚀刻溶液对所述第二膜体的铜箔基板本体进行咬蚀，以去除显影后裸露的铜层，获得所需的线路，具体地，采用3.7m/min的速度对所述铜箔基板本体件进行传输，采用蚀刻液对所述铜箔基板本体件进行双面喷淋，其中上表面喷压参数为1.5kg/cm2，下表面喷压参数为1.5kg/cm2，环境温度为50℃。
本发明中应用了具体实施例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。
Claims (8)
1.一种使用干膜盖孔改善孔处铜环蚀刻的方法，其特征在于，包括以下步骤：
基材提供：提供一铜箔基板本体件；
对所述铜箔基板本体件进行压模、曝光、显影，使得所述铜箔基板本体件的孔环处被第一膜体覆盖，且制作出所需的线路图形；
对覆盖有膜体的所述铜箔基板本体件进行二次压模，具体包括：在真空环境中采用腰形鼓状的热轧辊件对所述铜箔基板本体件进行热压，其中环境温度为60-70℃，热轧辊的压力为1.3-1.7kg/cm2，真空保持时间为32-38s，以使得所述铜箔基板本体件具有第一膜体的表面再次被第二膜体覆盖，其中所述第二膜体覆盖在全部的所述第一膜体上；
对具有所述第二膜体的铜箔基板本体件进行曝光、显影；
蚀刻：采用蚀刻溶液对所述第二膜体的铜箔基板本体进行咬蚀，以去除显影后裸露的铜层，获得所需的线路。
2.如权利要求1所述的使用干膜盖孔改善孔处铜环蚀刻的方法，其特征在于，在步骤“对所述铜箔基板本体件进行压模、曝光、显影”之前，还包括中粗化清洗，以去除所述铜箔基板本体件表面的氧化物、油污、杂质。
3.如权利要求1所述的使用干膜盖孔改善孔处铜环蚀刻的方法，其特征在于，在步骤“对所述铜箔基板本体件进行压模、曝光、显影”中，其中所述压模工序包括：采用1.4-1.6m/min的速度对所述铜箔基板本体件进行传输热压，其中温度为90-100℃，压力为4.8-5.2kg/cm2，以使得所述第一膜体覆盖至所述铜箔基板本体件的表面。
4.如权利要求1所述的使用干膜盖孔改善孔处铜环蚀刻的方法，其特征在于，在步骤“对所述铜箔基板本体件进行压模、曝光、显影”中，其中所述曝光工序包括：采用CCD曝光机对所述第一膜体进行曝光，其中曝光精度为38-42um，PE值为45，曝光尺格数为9。
5.如权利要求1所述的使用干膜盖孔改善孔处铜环蚀刻的方法，其特征在于，在步骤“对所述铜箔基板本体件进行压模、曝光、显影”中，其中所述显影工序包括：采用3.6-4.0m/min的速度对所述铜箔基板本体件进行传输，采用碱性显影液对所述铜箔基板本体件进行双面喷淋，其中上表面喷压参数为1.6-2.0kg/cm2，下表面喷压参数为1.6-1.7kg/cm2。
6.如权利要求1所述的使用干膜盖孔改善孔处铜环蚀刻的方法，其特征在于，在步骤“对具有所述第二膜体的铜箔基板本体件进行曝光、显影”中，其中所述曝光工序包括：采用CD曝光机对所述第二膜体进行曝光，其中曝光精度为22-28um，PE值为58，曝光尺格数为9。
7.如权利要求1所述的使用干膜盖孔改善孔处铜环蚀刻的方法，其特征在于，在步骤“对具有所述第二膜体的铜箔基板本体件进行曝光、显影”中，其中所述显影工序包括：采用3.6-4.0m/min的速度对所述铜箔基板本体件进行传输，采用碱性显影液对所述铜箔基板本体件进行双面喷淋，其中上表面喷压参数为1.5kg/cm2，下表面喷压参数为1.8kg/cm2，环境温度为29℃。
8.如权利要求1所述的使用干膜盖孔改善孔处铜环蚀刻的方法，其特征在于，在步骤“采用蚀刻溶液对所述第二膜体的铜箔基板本体进行咬蚀，以去除显影后裸露的铜层，获得所需的线路”中，采用3.7m/min的速度对所述铜箔基板本体件进行传输，采用蚀刻液对所述铜箔基板本体件进行双面喷淋，其中上表面喷压参数为1.5kg/cm2，下表面喷压参数为1.5kg/cm2，环境温度为50℃。
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