CN101626661B - 一种双面镂空板的制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种双面镂空板的制造方法。所述方法包括：铜箔裁断；钻孔；化研；干膜层压：将干膜层压在第一层铜箔的上表面；贴盖膜：将双面铜箔进行对位，将盖膜贴在第二层铜箔的下表面，进行预压；热压盖膜；烘烤；再次化研；干膜层压：在压有盖膜的第二层铜箔盖膜表面层压一层干膜；曝光；显影；剥膜；第3次化研；再次贴盖膜：将双面铜箔进行对位，并且在第一层铜箔上表面贴盖膜；再次热压盖膜；后续步骤。本发明公开了一种双面镂空板的制造方法，在铜箔上热压一面盖膜之前先在该铜箔的另一面层压一面干膜，用来保护铜面，避免在贴合、热压盖膜时产生异物，影响线路良率，同时提前给铜箔增加了厚度，可以大大较少制作过程中的铜箔褶皱；本发明有效的降低了镂空板成品不良率。
Description
技术领域
本发明涉及印刷电路板制造领域，更具体地说，涉及一种双面镂空板的制造方法。
背景技术
在柔性印刷线路板(Flexible Printed Circuit board，简称FPC)中，一般来讲用于制作柔性印刷线路板的FPC基板包括介电层和覆盖在介电层表面上的导电层，对于单面FPC基板而言，导电层仅覆盖在介电层的一个侧面上；在双面FPC基板中，导电层覆盖在介电层的两个侧面上；通常，镂空板作为印刷电路板中的一种，通过在铜箔的两面分别压合覆盖膜，并经过冲压工序在电路板上冲出局部镂空图形而形成。而镂空板FPC基板只有导电层没有介电层，即纯铜箔，在线路形成之前都要在该纯铜箔的一面热压一层盖膜，然后再两面层压干膜，形成线路，依次有以下步骤：铜箔裁断→钻孔→化研→L2面贴盖膜→热压L2面盖膜→烘烤→化研→两面干膜层压→曝光→显影→蚀刻→化研→L1面贴盖膜→热压L1面盖膜。制作过程尤其是热压时容易产生异物和残胶，从而导致线路制作难度很大，线路不良很高，增加制造成本。
发明内容
本发明人经过深入的反复的研究和实验后，发现导致线路制作难度很大，线路不良很高，增加制造成本的根本原因是在贴盖膜时没有将铜面保护，以导致在第二面贴盖膜和热压盖膜时，第一面的铜面产生异物和残胶。
针对现有技术中存在的问题，本发明提供一种线路制作简单，成本低，线路良率高的双面镂空板的制造方法。
本发明提供的制造双面镂空板的方法，它按照以下步骤进行：
(1).铜箔裁断，将铜箔裁取设计要求的双面铜箔；
(2).钻孔；根据设计要求在所述双面铜箔上钻孔；
(3).化研：对铜箔表面进行表面化学处理；
(4).干膜层压；将干膜层压在第一层铜箔的上表面；
(5).贴盖膜：将双面铜箔进行对位，将盖膜贴在第二层铜箔的下表面，进行预压；
(6).热压盖膜：将步骤(5)的铜箔与盖膜进行热压；
(7).烘烤；
(8).再次化研：将铜箔表面进行第二次表面化学处理；
(9).干膜层压：在压有盖膜的第二层铜箔盖膜表面层压一层干膜；
(10).曝光：将设计完成的线路图案进行曝光；
(11).显影：对曝光后的干膜进行显影；
(12).蚀刻：用蚀刻液对双面铜箔线路蚀刻；
(13).剥膜：线路形成后将两面的干膜剥除；
(14).第3次化研：对铜箔表面第三次表面化学处理；
(15).再次贴盖膜：将双面铜箔进行对位，并且在第一层铜箔上表面贴盖膜；
(16).再次热压盖膜：将步骤(15)的铜箔与盖膜进行热压；
(17).后续步骤。
作为改一改进，所述步骤(3).步骤(8)和步骤(14)中表面化学处理为化学研磨。
作为改一改进，所述步骤(5).步骤(15)的对位方式为孔对位。
作为改一改进，所述步骤(7)烘烤温度80℃-160℃，烘烤时间为0.5-2小时。
作为改一改进，所述步骤(4)和步骤(9)的干膜为杜邦20或者杜邦30或者杜邦40。
作为改一改进，所述干膜为杜邦20时，曝光条件为曝光机的曝光量为5-8级，显影条件采用2.5-2.7M/MIN的速度进行。
作为改一改进，所述干膜为杜邦30时，曝光条件为曝光机的曝光量为5-8级，显影条件为采用采用2.3-2.5M/MIN的速度进行。
作为改一改进，所述干膜为杜邦40时，曝光条件为曝光机的曝光量为5-8级，显影条件为采用1.9-2.1M/MIN的速度进行。
作为改一改进，所述步骤(12)中蚀刻液为铜蚀刻液。
作为改一改进，所述步骤(17)后续步骤还包括打孔、冲压、电检、全检、包装。
本发明提供的制造镂空板的方法的优势在于，由于本发明镂空板的制造方法的变化，在铜箔上热压一面盖膜之前先在该铜箔的另一面层压一面干膜，用来保护铜面，避免在贴合、热压盖膜时产生异物，影响线路良率。本发明有效的降低了镂空板成品不良率。
附图说明
图1为本发明实施例与对比例的成品不良率曲线比较图。
具体实施方式
下面，对本发明进行详细地描述。
本发明提供镂空板的制造方法，包括：
(1).将铜箔裁取设计要求的双面铜箔；
(2).钻孔；将步骤(1)双面铜箔上NC(数控)钻孔，即用NC钻孔机进行钻孔；
(3).化研：对铜箔表面进行表面化学处理；即将铜箔表面进行化研，除去表面异物，清洁铜箔表面，增加盖膜与铜箔的结合力；
(4).干膜层压；将干膜层压在第一层铜箔的上表面，所用干膜为杜邦20；
(5).贴盖膜：将双面铜箔进行孔对位，将盖膜贴在第二层铜箔的下表面，进行预压，所用盖膜为PI(聚酰亚氨)盖膜；
(6).热压盖膜：将步骤(5)的铜箔与PI盖膜进行热压；
(7).烘烤，烘烤温度为80℃-160℃，烘烤时间为0.5-2小时；
(8).再次化研：将铜箔表面进行第二次表面化学处理，即将铜箔表面进行化研，除去表面异物，清洁铜箔表面，增加盖膜与铜箔的结合力；
(9).干膜层压：在压有盖膜的第二层铜箔盖膜表面层压一层干膜；，所用干膜为杜邦系列，可以为杜邦20(20就是20um厚的干膜)或者30或者40；
(10).曝光：将设计完成的线路图案用曝光机进行紫外线曝光；曝光采用一般的曝光机，曝光能量为5-7级，可以根据所选干膜的材料来确定；
(11).显影：对曝光后的干膜进行显影，将未曝光的干膜部分溶解以露出导电层，保留曝光的干膜部分(与预定的线路图案对应)；显影速度为1.9-2.7M/MIN；可以根据所选干膜的材料来确定；
(12).蚀刻：对双面铜箔线路蚀刻；，用铜蚀刻液腐蚀暴露的导电层部分而将其除去，并保留曝光的干膜所覆盖的导电层部分，再将曝光的干膜去除，从而最终在线路板基板上形成线路；
(13).剥膜：线路形成后将两面的干膜剥除；
(14).第3次化研：对铜箔表面第三次表面化学处理，对铜箔表面清洁，减少盖膜下异物，同时增加盖膜与铜箔的结合力；
(15).再次贴盖膜：将双面铜箔进行孔对位，并且在第一层铜箔上表面贴PI盖膜；
(16).再次热压盖膜：将步骤(15)的铜箔与PI盖膜进行热压；
(17).后续步骤，后续步骤还包括打孔、冲压、电检、全检、包装，所述打孔是指在产品的某个部位用机械方法作出检测孔和定位孔；冲压指将整张产品冲成单个产品；电检指通过制具测定产品的电性能；全检指用目测或者其他设备检查产品外观；包装指将产品包装出货。
本发明提供镂空板的制造方法中步骤(12)采用铜蚀刻液。
铜蚀刻液包括酸性蚀刻液和碱性蚀刻液，本发明采用的是酸性蚀刻液，主要成分为：氯化铜，双氧水，盐酸，蚀刻铜的原理为：Cu+2HCL+H2O2＝CuCL2+2H2O。
实施例1：
(1).铜箔裁断，将铜箔裁取为250mm*350mm的双面铜箔；
(2).钻孔；将步骤(1)双面铜箔上NC(数控)钻孔，即用NC钻孔机进行钻孔；
(3).化研：对铜箔表面进行表面化学处理；即将铜箔表面进行化研，除去表面异物，清洁铜箔表面，增加盖膜与铜箔的结合力；
(4).干膜层压；将干膜层压在第一层铜箔的上表面，所用干膜为杜邦20；
(5).贴盖膜：将双面铜箔进行孔对位，将盖膜贴在第二层铜箔的下表面，进行预压，所用盖膜为PI(聚酰亚氨)盖膜；
(6).热压盖膜：将步骤(5)的铜箔与PI盖膜进行热压；
(7).烘烤，所用烘烤温度100℃，烘烤时间为1.5小时；
(8).再次化研：将铜箔表面进行第二次表面化学处理，即将铜箔表面进行化研，除去表面异物，清洁铜箔表面，增加盖膜与铜箔的结合力；
(9).干膜层压：在第二层铜箔下表面层压一层干膜；，所用干膜为杜邦20；
(10).曝光：将设计完成的线路图案进行紫外线曝光，曝光采用一般的曝光机，曝光能量为6级；
(11).显影：对曝光后的干膜进行显影，将未曝光的干膜部分溶解以露出导电层，保留曝光的干膜部分(与预定的线路图案对应)；显影速度为2.6M/MIN；
(12).蚀刻：对双面铜箔线路蚀刻；，用铜蚀刻液腐蚀暴露的导电层部分而将其除去，并保留曝光的干膜所覆盖的导电层部分，再将曝光的干膜去除，从而最终在线路板基板上形成线路；
(13).剥膜：线路形成后将两面的干膜剥除；
(14).第3次化研：对铜箔表面第三次表面化学处理，对铜箔表面清洁，减少盖膜下异物，同时增加盖膜与铜箔的结合力；
(15).再次贴盖膜：将双面铜箔进行孔对位，并且在第一层铜箔上表面贴PI盖膜；
(16).再次热压盖膜：将步骤(15)的铜箔与PI盖膜进行热压；
(17).后续步骤，后续步骤还包括打孔、冲压、电检、全检、包装，所述打孔是指在产品的某个部位用机械方法作出检测孔和定位孔；冲压指将整张产品冲成单个产品；电检指通过制具测定产品的电性能；全检指用目测或者其他设备检查产品外观；包装指将产品包装出货。
用以上方法制造出的镂空板记为A1。
实施例2：
(1).铜箔裁断，将铜箔裁取长为250mm*350mm的双面铜箔；
(2).钻孔；将步骤(1)双面铜箔上NC(数控)钻孔，即用NC钻孔机进行钻孔；
(3).化研：对铜箔表面进行表面化学处理；即将铜箔表面进行化研，除去表面异物，清洁铜箔表面，增加盖膜与铜箔的结合力；
(4).干膜层压；将干膜层压在第一层铜箔的上表面，所用干膜为杜邦20；
(5).贴盖膜：将双面铜箔进行孔对位，将盖膜贴在第二层铜箔的下表面，进行预压，所用盖膜为PI(聚酰亚氨)盖膜；
(6).热压盖膜：将步骤(5)的铜箔与PI盖膜进行热压；
(7).烘烤，所用烘烤温度100℃，烘烤时间为1.5小时；
(8).再次化研：将铜箔表面进行第二次表面化学处理，即将铜箔表面进行化研，除去表面异物，清洁铜箔表面，增加盖膜与铜箔的结合力；
(9).干膜层压：在第二层铜箔下表面层压一层干膜；，所用干膜为杜邦30；
(10).曝光：将设计完成的线路图案进行紫外线曝光；曝光采用一般的曝光机，曝光能量为6级；
(11).显影：对曝光后的干膜进行显影，将未曝光的干膜部分溶解以露出导电层，保留曝光的干膜部分(与预定的线路图案对应)；显影速度为2.4M/MIN；
(12).蚀刻：对双面铜箔线路蚀刻；，用铜蚀刻液腐蚀暴露的导电层部分而将其除去，并保留曝光的干膜所覆盖的导电层部分，再将曝光的干膜去除，从而最终在线路板基板上形成线路；
(13).剥膜：线路形成后将两面的干膜剥除；
(14).第3次化研：对铜箔表面第三次表面化学处理，对铜箔表面清洁，减少盖膜下异物，同时增加盖膜与铜箔的结合力；
(15).再次贴盖膜：将双面铜箔进行孔对位，并且在第一层铜箔上表面贴PI盖膜；
(16).再次热压盖膜：将步骤(15)的铜箔与PI盖膜进行热压；
(17).后续步骤，后续步骤还包括打孔、冲压、电检、全检、包装，所述打孔是指在产品的某个部位用机械方法作出检测孔和定位孔；冲压指将整张产品冲成单个产品；电检指通过制具测定产品的电性能；全检指用目测或者其他设备检查产品外观；包装指将产品包装出货。
用以上方法制造出的镂空板记为A2。
实施例3：
(1).铜箔裁断，将铜箔裁取长为为250mm*350mm的双面铜箔；
(2).钻孔；将步骤(1)双面铜箔上NC(数控)钻孔，即用NC钻孔机进行钻孔；
(3).化研：对铜箔表面进行表面化学处理；即将铜箔表面进行化研，除去表面异物，清洁铜箔表面，增加盖膜与铜箔的结合力；
(4).干膜层压；将干膜层压在第一层铜箔的上表面，所用干膜为杜邦20；
(5).贴盖膜：将双面铜箔进行孔对位，将盖膜贴在第二层铜箔的下表面，进行预压，所用盖膜为PI(聚酰亚氨)盖膜；
(6).热压盖膜：将步骤(5)的铜箔与PI盖膜进行热压；
(7).烘烤，所用烘烤温度100℃，烘烤时间为1.5小时；
(8).再次化研：将铜箔表面进行第二次表面化学处理，即将铜箔表面进行化研，除去表面异物，清洁铜箔表面，增加盖膜与铜箔的结合力；
(9).干膜层压：在第二层铜箔下表面层压一层干膜；，所用干膜为杜邦40；
(10).曝光：将设计完成的线路图案进行紫外线曝光，曝光采用一般的曝光机，曝光能量为6级；
(11).显影：对曝光后的干膜进行显影，将未曝光的干膜部分溶解以露出导电层，保留曝光的干膜部分(与预定的线路图案对应)；显影速度为2.0M/MIN；
(12).蚀刻：对双面铜箔线路蚀刻；，用铜蚀刻液腐蚀暴露的导电层部分而将其除去，并保留曝光的干膜所覆盖的导电层部分，再将曝光的干膜去除，从而最终在线路板基板上形成线路；
(13).剥膜：线路形成后将两面的干膜剥除；
(14).第3次化研：对铜箔表面第三次表面化学处理，对铜箔表面清洁，减少盖膜下异物，同时增加盖膜与铜箔的结合力；
(15).再次贴盖膜：将双面铜箔进行孔对位，并且在第一层铜箔上表面贴PI盖膜；
(16).再次热压盖膜：将步骤(15)的铜箔与PI盖膜进行热压；
(17).后续步骤，后续步骤还包括打孔、冲压、电检、全检、包装，所述打孔是指在产品的某个部位用机械方法作出检测孔和定位孔；冲压指将整张产品冲成单个产品；电检指通过制具测定产品的电性能；全检指用目测或者其他设备检查产品外观；包装指将产品包装出货。
用以上方法制造出的镂空板记为A3。
对比例：
按照现有技术的制造方法：将铜箔裁取长为250mm*350mm的双面铜箔；双面铜箔上NC(数控)钻孔，即用NC钻孔机进行钻孔；将产品进行化研，除去表面异物，清洁铜箔表面；在第二层铜箔上贴PI盖膜；将贴好PI盖膜的铜箔与PI盖膜进行热压；将双面铜箔进行烘烤，所用烘烤温度100℃，烘烤时间为1.5小时；增加盖膜与铜箔结合力，增加盖膜剥离强度；再次化研：产品烘烤后铜箔表面会严重的氧化，也有较多异物，需化研处理，将铜箔表面进行第二次表面化学处理，即将铜箔表面进行化研，除去表面异物，清洁铜箔表面，增加盖膜与铜箔的结合力；两面干膜层压：在双面铜箔两面各层压一层感光干膜，用于感光成预定图形，所用干膜为杜邦20；曝光：利用紫外线根据设计好的线路图案对感光杜邦20干膜进行感光；显影：用显影液对曝光后的杜邦20干膜进行显影，将未曝光的杜邦20干膜部分溶解以露出导电层，保留曝光的杜邦20干膜部分(与预定的线路图案对应)；蚀刻：用蚀刻液腐蚀暴露的导电层部分而将其除去，并保留曝光的杜邦20干膜所覆盖的导电层部分，再将曝光的杜邦20干膜去除，从而最终在双面铜箔上形成线路，第3次化研；对形成线路的铜箔表面清洁，减少盖膜下异物，同时增加盖膜与铜箔的结合力。贴盖膜，在第一层铜箔上贴PI盖膜；热压盖膜：热压步骤(13)的PI盖膜，可以保护铜面，防止氧化，并增强产品弯折等性能；表面处理后出货，此镂空板记为A4。
参照图1可以看出，按照同样的材料和方法制成600个双面镂空板，采用本发明的镂空板的制造方法的A3、A2和A1的成品不良率明显降低，由于本发明镂空板的制造方法的变化，在铜箔上热压一面盖膜之前先在该铜箔的另一面层压一面干膜，用来保护铜面，避免在贴合、热压盖膜时产生异物，影响线路良率；本发明有效的降低了镂空板成品不良率。
以上所述之具体实施方式为本发明的较佳实施方式，并非以此限定本发明的具体实施范围，凡依照本发明之方法所作的等效变化均在本发明的保护范围内。
Claims (10)
1.一种双面镂空板的制造方法，其特征在于，它按照以下步骤进行：
(1).铜箔裁断，将铜箔裁取设计要求的双面铜箔；
(2).钻孔；根据设计要求在所述双面铜箔上钻孔；
(3).化研：对铜箔表面进行表面化学处理；
(4).干膜层压；将干膜层压在第一层铜箔的上表面；
(5).贴盖膜：将双面铜箔进行对位，将盖膜贴在第二层铜箔的下表面，进行预压；
(6).热压盖膜：将步骤(5)的铜箔与盖膜进行热压；
(7).烘烤；
(8).再次化研：将铜箔表面进行第二次表面化学处理；
(9).干膜层压：在压有盖膜的第二层铜箔盖膜表面层压一层干膜；
(10).曝光：将设计完成的线路图案进行曝光；
(11).显影：对曝光后的干膜进行显影；
(12).蚀刻：对双面铜箔线路蚀刻；
(13).剥膜：线路形成后将两面的干膜剥除；
(14).第3次化研：对铜箔表面第三次表面化学处理；
(15).再次贴盖膜：将双面铜箔进行对位，并且在第一层铜箔上表面贴盖膜；
(16).再次热压盖膜：将步骤(15)的铜箔与盖膜进行热压；
(17).后续步骤。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述步骤(3).步骤(8)和步骤(14)中表面化学处理为化学研磨。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述步骤(5).步骤(15)的对位方式为孔对位。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述步骤(7)烘烤温度80℃-160℃，烘烤时间为0.5-2小时。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述步骤(4)和步骤(9)的干膜的膜厚为20um或者30um或者40um。
6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述干膜膜厚为20um时，曝光条件为曝光机的曝光量为5-8级；显影条件采用2.5-2.7M/MIN的速度进行。
7.根据权利要求5所述的方法，其中，所述干膜膜厚为30um时，曝光条件为曝光机的曝光量为5-8级；显影条件为采用2.3-2.5M/MIN的速度进行。
8.根据权利要求5所述的方法，其中，所述干膜膜厚为40um时，曝光条件为曝光机的曝光量为5-8级；显影条件为采用1.9-2.1M/MIN的速度进行。
9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述步骤(12)中蚀刻液为铜蚀刻液。
10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述步骤(17)后续步骤还包括打孔、冲压、电检、全检、包装。
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| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
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Effective date of registration: 20201126 Address after: What village Dongxing town of Jingjiang city of Jiangsu Province, Taizhou City, 214533 Patentee after: Jingjiang Yaxing import and Export Co.,Ltd. Address before: Longgang District of Shenzhen City, Guangdong province 518118 Ping Wang Ping Road No. 3001 Patentee before: BYD Co.,Ltd. |
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| TR01 | Transfer of patent right | ||
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Granted publication date: 20110406 |
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