CN1157334A - 在真空室内放有一个装蒸发物的坩埚的真空镀膜设备 - Google Patents
在真空室内放有一个装蒸发物的坩埚的真空镀膜设备 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1157334A CN1157334A CN96114591A CN96114591A CN1157334A CN 1157334 A CN1157334 A CN 1157334A CN 96114591 A CN96114591 A CN 96114591A CN 96114591 A CN96114591 A CN 96114591A CN 1157334 A CN1157334 A CN 1157334A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- film
- cylinder
- chamber
- plated
- plated film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32733—Means for moving the material to be treated
- H01J37/32752—Means for moving the material to be treated for moving the material across the discharge
- H01J37/32761—Continuous moving
- H01J37/3277—Continuous moving of continuous material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/02—Pretreatment of the material to be coated
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/02—Pretreatment of the material to be coated
- C23C14/024—Deposition of sublayers, e.g. to promote adhesion of the coating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
- C23C14/541—Heating or cooling of the substrates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/562—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks for coating elongated substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3402—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering using supplementary magnetic fields
- H01J37/3405—Magnetron sputtering
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
真空镀膜设备的真空室(3)中放有一个盛蒸发物的坩埚(4)和一种与蒸发物保持距离的被镀物。蒸发物为金属或金属氧化物或其混合物,被镀物例如为一种通过滚筒的薄膜(8)。在坩埚(4)上方,薄膜所通过的镀膜滚筒(6)的两侧分别配置一个小室(9、10)用来分别放置一个与中频电源(19)连接的磁控阴极(11或12)。其中,每个小室(9、10)都通过一个单独的通路(13、14)与介于镀膜滚筒(6)和坩埚(4)之间的区域(20)直接连通,而且两个小室都分别通过压力介质管道(21、22)与生产气源(23、24)连接。
Description
本发明涉及一种真空镀膜设备,该设备的真空室中装有一个用来盛蒸发物的坩埚和一种与蒸发物保持一定距离通过滚筒导引的薄膜。蒸发物例如为一种金属或金属氧化物或两者的混合物。
公知的真空镀膜设备(DOS 42 03 632)具有一个装蒸发物的容器和一个用来蒸发该容器中装的材料的蒸发装置,其中被镀物与蒸发物保持一定距离,并具有一个微波发送器用来把微波发送到介于蒸发物和被镀物之间的空间。
这种公知的设备可以改善塑料薄膜上的金属氧化物镀膜的性能。
还有一种薄膜的溅射装置,这种装置可对不同材料的膜层的镀膜速度进行调节(DE 39 12 572),以便可达到极薄的镀膜厚度。为此在阴极侧配置了至少两种不同的对应电极。
此外,还公知了一种用高频阴极溅射分离金属合金的装置(DE 3541 621),这种装置用两个靶交替控制,其中,两个靶都含有被分离金属合金的金属成份,但份量不同。为此,将被镀物放在一个支架上,在溅射过程中由一个驱动装置驱动支架旋转。
此外,还公知了一种镀膜装置(DE 38 02 852),该装置用两个电极和至少一种溅射材料,被镀物放在有一个空间距离的两个电极之间,并选用交流半波作为波幅基本相等的低频半波。
此外,还公知了一种镀膜装置,特别是在一种活性气体中用导电的靶镀非导电膜(DE 42 04 999)的装置,该装置的电源与设置在一个可抽真空的镀膜室中的包括磁铁的阴极连接,阴极与靶共同作用,而且配置了两个在电气上相互分开的并由溅射室隔开的阳极,这两个阳极放在介于阴极和待镀物之间的一个平面内。其中,与一个中频发生器连接的变压器的次级绕组的两个输出端分别通过电源线与一个阴极连接,而且第一和第二电源线通过一条分支线相互连接,一个振荡回路,最好是一个线圈和一个电容器接入该分支线,而且任一电源线既通过一个对地设定直流电位的第一条电连接线与镀膜室连接,又通过一个相应的第二条电连接线与相应的阳极连接,并分别通过一条分支线连接已接通的电容器和镀膜室,同时在连接振荡回路和第二个二次接线的第一电源线的一段上接入一个扼流线圈。
还有一种公知的离子真空镀膜法(DE 44 12 906),特别对大面积导电的或电绝缘的被镀物镀电绝缘膜和电绝缘被镀物镀导电膜具有高镀膜率,此法是在镀膜源和被镀物之间产生等离子体,来自等离子体的离子向被镀物方向加速,而且配置在导电被镀物上或直接配置在电绝缘被镀物后面通过整个镀膜面延伸的电极相对于等离子体交替施加负的和正的电压脉冲,其中负脉冲的存续时间与通过绝缘层和/或绝缘被镀物构成的电容器的充电时间匹配,正脉冲的存续时间选择为最多等于负脉冲持续时间,最好比负脉冲持续时间小2至10倍,正和负脉冲相互衔接,并根据基极电位调节到接近相同的高度,即脉冲高度相对于±20伏至±2000伏最好±50伏至±500伏的基极电位调节。
透明塑料膜特别是聚合塑料膜大量用于食品包装。这种塑料膜虽然很柔韧,但缺点是芳香物、水或氧都可透过。所以,为了避免这类物质的扩散,一般都用铝箔或蒸镀有铝的塑料膜。但这种膜的缺点是,清除困难,而且不透微波和光。由于工业化国家许多家庭广泛使用微波炉,所以在许多情况中,包装材料的微波透射性具有重大意义。
为了把透过微波的塑料的优点与对芳香物、水和氧有绝对阻隔作用的铝箔的优点结合起来,人们提出了在聚合薄膜上镀金属氧化物。其中,特别重要的镀膜材料乃是硅氧化物。镀有硅氧化物的塑料膜对氧、蒸汽和芳香物的层合结构和阻隔性能与铝箔或镀铝塑料膜的性能相似。
但镀金属氧化物(如氧化硅)的塑料膜所要求的镀膜技术与一般的镀膜技术大有区别,因为金属氧化物不同于金属,必须从固相中蒸发出。
氧化硅膜通过氧化硅在蒸发炉中蒸发或电子束蒸发而成(见T.克鲁克,K.吕布桑著:“新式包装中”的新的“透明的食品包装”,许蒂格(Huethig)出版社1991年版)。氧化硅镀膜的优点是,易于弯折。此外,氧化硅与水不起化学作用,而且防腐蚀。氧化硅还可象氧化镁、三氧化二铝或二氧化硅那样用电子束蒸发,因为氧化硅具有相当高的蒸气压力。
本发明的任务是,提出一种可对薄膜、特别是具有透明阻隔层的包装薄膜具有高镀膜率和优质镀膜的真空镀膜设备,而且尽管析出寄生的氧化膜,但这种设备仍具有长的使用寿命和高的工艺稳定性。
根据本发明,这个任务是这样实现的:与蒸发物保持一定距离的被镀物例如薄膜通过压滚,在坩埚上方,薄膜通过的镀膜滚筒的两侧各配置一个小室,小室中分别配置一个与中频电源连接的磁控阴极。其中,每个小室都分别通过一个通路直接与介于镀膜滚筒和坩埚之间的区域连通,而且这些通路的上方设置有一块隔板把镀膜室与卷绕室隔开。其中,两个小室都分别通过压力介质管道与生产气源连接。
本发明的其他细节和特征在从属权利要求中详细叙述。
本发明可用于各种实施方案,下面只结合附图所示的三个实施例来详细说明,附图表示真空镀膜设备的截面示意图。
图1表示装有一个长坩埚4的真空室3。坩埚4上方有一个镀膜滚筒6,它从上方限定了镀膜室17。从一个贮料滚筒绕开并绕在卷料滚筒上的待镀薄膜8连续通过镀膜滚筒6。
用一个电阻加热元件加热坩埚4,其中蒸发物以线材形状从一个电动贮料盘25拉出送进。在镀膜滚筒6的两侧,压滚5、7将薄膜8压到镀膜滚筒6上并同时对隔开镀膜室17和卷绕室18的隔板15、16起良好的密封作用。此外,在镀膜滚筒6的两侧配有两个用来安放溅射阴极11、12的小室9、10。溅射阴极11、12分别通过电源线26、27连接到中频电源19上,小室9、10分别通过供给管21、22与等离子体离子源23、24连通并通过通路13、14与镀膜滚筒6下方和蒸发源即坩埚4上方的区域20连通。
溅射阴极11、12采用磁控管并设计成使它的最长的延伸至少等于作为冷却滚筒构成的滚筒5、6、7的长度,而且它的纵轴与滚筒轴线平行延伸。两个阴极11、12的靶28、29分别对准隔板15和16。
图2所示实施例与图1实施例的区别在于,不是两个压滚贴到镀膜滚筒6上和镀膜室17对卷绕室18密封,而是隔板31、32具有两块紧贴在镀膜滚筒6上的很窄的线材压板33、34。此外,小室9通过一个通路或缝隙35与区域20连通。该缝隙与镀膜滚筒6面向坩埚4并构成实际的镀膜窗口36很近的切口连通。阴极12的第二小室10也通过一个缝隙或通路37与区域20连通。这个缝隙当然要比设置在镀膜滚筒6另一侧上的缝隙长。
在图3所示实施例中,在镀膜滚筒6两侧设置的小室9、10通过孔38、39与真空室直接连通,其中,镀膜滚筒6对隔板40、41只通过介于薄膜8和配合滚筒6的隔板40、41的侧边段之间的窄缝进行。
当缝隙或通路13、14象图1那样设置时,则此缝隙位于滚筒顶部和冷却滚筒或镀膜滚筒6之间,这样等离子体便沿镀膜滚筒上的薄膜8扩散。通过另外的结构布置可轻易地扩大图1所示180°的包角,使之扩大到270°是不成问题的。在图2中,只对短的预先处理是理想的,所以在开卷侧上的缝隙35缩短。图3表示缝隙38、39也可位于冷却滚筒6的外部,以便只在镀膜区获得一个弱的离子作用。两个磁控管11、12都与交流电源19连接。交流电压例如可为40千赫,但该方法亦可用更低的频率工作。
两个磁控管11、12带有靶,靶的溅射粒子在图2情况中不能到达薄膜8。但也可将一或两个靶28、29对准冷却滚筒6的方向,这样例如对镀膜的前几层要利用溅射膜比蒸发膜较高的附着强度时,磁控管就能溅射到薄膜8上。
为了可调节每一过程的最佳条件并为了可用相同或不同的气体或混合气供给不同的小室,活性气体(氧、氮、有机化合物等)的气源对各个小室9、10单独供气。
不用交流电压工作的磁控管与别的装置比较,具有可在镀膜生长过程中进行猛烈轰击的高等离子体密度的优点。与DE 44 12 906提出的先有技术比较,具有这样的优点,即两个磁控管11、12配置在真空室分开的小室中。这样就不可能被寄生生成的膜层覆盖。这种装置迫使等离子区通过镀膜滚筒整个大包角。因而比先有技术的等离子体接触要长得多和巨烈得多,这对要求的膜层生成是很重要的。等离子作用区的长度没有预先给定。通过结构设计可确定作用区的长度,而与镀膜区无关,例如不用预先处理或用短的预先处理。此外,通过隔开可在使用附加真空泵和对活性气体供气进行控制的情况下,蒸发器和磁控管都分别在最佳的压力范围内工作。这样就能控制从活性气体产生的离子团,而与蒸发过程无关。在使用电子蒸发源时,会出现不导电的膜或薄膜充电的问题,这会在卷绕时出现麻烦。因为等离子体是准中性的,所以等离子体中的载流子被吸到薄膜上,从而在薄膜通过位于卷绕方向的磁控管小室时出现电荷衰减。
Claims (6)
1.一种真空镀膜设备,具有设在真空室(3)中用来盛蒸发物的坩埚(4)和一个蒸发源以及一个与蒸发物保持一定距离的被镀物;其中,蒸发物例如为某种金属或金属氧化物或金属与金属氧化物的混合物,被镀物例如为一种通过滚筒(5、6、7)的薄膜(8),其中坩埚(4)上方的薄膜(8)所通过的镀膜滚筒(6)的两侧分别配置一个小室(9、10)用来分别放置一个与中频电源(19)连接的磁控阴极(11或12),而且每个小室(9、10)都分别通过一条通路(13、14)与介于镀膜滚筒(6)和坩埚(4)之间的区域(20)直接连通,其中通路(13、14)的上方有隔板(15、16)把镀膜室(17)和卷绕室(18)隔开,而这两个小室(9、10)则分别通过压力介质管道(21、22)与生产气源(23、24)连接。
2.按权利要求1的真空镀膜设备,其特征是,在镀膜滚筒(6)两侧的两个小室(9、10)中设置的阴极(11、12)的靶(28、29)对准隔板(15、16或31、32或40、41)。
3.按权利要求1的真空镀膜设备,其特征是,在镀膜滚筒(6)两侧有另外两个滚筒(5、7)可旋转地装在将真空室分成两个室(17、18)的隔板(15、16)上,这两个滚筒的旋转轴平行对准镀膜滚筒(6)的旋转轴,而且这两个滚筒一方面将薄膜(8)压到镀膜滚筒(6)上,另一方面又将连通小室(9、10)与镀膜室(17)的通路(13、14)对隔板和对卷绕室(18)进行密封。
4.按权利要求1的真空镀膜设备,其特征是,连通镀膜滚筒(6)两侧装有溅射阴极(11、12)的小室(9、10)与装有蒸发源(4)的镀膜室(17)的通路(13、14)或(35、37)至少有一部分受镀膜滚筒(6)的圆柱形表面和贴在其上的薄膜(8)的限制。
5.按上述权利要求之一或多项的真空镀膜设备,其特征是,镀膜滚筒(6)通过冷却剂冷却。
6.真空镀膜设备,其特征是,设在镀膜滚筒(6)两侧的磁控管(11、12)的小室(9、10)通过通路(38、39)与镀膜室(17)连通,在小室(9、10)和镀膜室(17)之间设置有隔板。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19543781.0 | 1995-11-24 | ||
DE19543781A DE19543781A1 (de) | 1995-11-24 | 1995-11-24 | Vakuumbeschichtungsanlage mit einem in der Vakuumkammer angeordneten Tiegel zur Aufnahme von zu verdampfendem Material |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN1157334A true CN1157334A (zh) | 1997-08-20 |
Family
ID=7778285
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN96114591A Pending CN1157334A (zh) | 1995-11-24 | 1996-11-22 | 在真空室内放有一个装蒸发物的坩埚的真空镀膜设备 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5993622A (zh) |
EP (1) | EP0775758B1 (zh) |
JP (1) | JPH09170072A (zh) |
KR (1) | KR970027359A (zh) |
CN (1) | CN1157334A (zh) |
DE (2) | DE19543781A1 (zh) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100427640C (zh) * | 2001-09-27 | 2008-10-22 | 冯·阿德纳设备有限公司 | 真空涂层设备 |
CN102234762A (zh) * | 2010-04-23 | 2011-11-09 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 镀膜系统 |
CN103247714A (zh) * | 2012-02-10 | 2013-08-14 | 台积太阳能股份有限公司 | 用于生产太阳能电池的装置和方法 |
CN103502506A (zh) * | 2011-04-29 | 2014-01-08 | 应用材料公司 | 用于在涂覆工艺中钝化柔性基板的装置和方法 |
CN104746008A (zh) * | 2013-12-30 | 2015-07-01 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 去气腔室 |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SE509933C2 (sv) * | 1996-09-16 | 1999-03-22 | Scandinavian Solar Ab | Sätt och anordning att framställa ett spektralselektivt absorberande skikt till solkollektorer samt framställt skikt |
DE19735603C1 (de) * | 1997-08-15 | 1998-11-19 | Ardenne Anlagentech Gmbh | Vakuumbeschichtungsanlage für Mehrschichtsysteme |
DE10255822B4 (de) * | 2002-11-29 | 2004-10-28 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zum Bedampfen bandförmiger Substrate mit einer transparenten Barriereschicht aus Aluminiumoxid |
US20040261707A1 (en) * | 2003-06-26 | 2004-12-30 | Venkat Selvamanickam | Apparatus for and method of cooling and positioning a translating substrate tape for use with a continuous vapor deposition process |
US7758699B2 (en) * | 2003-06-26 | 2010-07-20 | Superpower, Inc. | Apparatus for and method of continuous HTS tape buffer layer deposition using large scale ion beam assisted deposition |
KR101702073B1 (ko) * | 2010-10-25 | 2017-02-02 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계 발광소자 제조용 증착장치 |
EP4379087A2 (en) | 2013-03-15 | 2024-06-05 | RTX Corporation | Deposition apparatus and methods |
DE102013111509A1 (de) * | 2013-10-18 | 2015-04-23 | Von Ardenne Gmbh | Anordnung zum Aufbringen eines Materials auf ein Substrat sowie eine Magnetronanordnung dafür |
RU2620845C1 (ru) * | 2015-12-17 | 2017-05-30 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный технологический университет "СТАНКИН" (ФГБОУ ВО "МГТУ "СТАНКИН") | Устройство для синтеза и осаждения покрытий |
KR20230018518A (ko) * | 2020-06-04 | 2023-02-07 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 진공 챔버에서 기판을 코팅하기 위한 기상 증착 장치 및 방법 |
CN113441377B (zh) * | 2021-06-29 | 2022-10-28 | 辽宁分子流科技有限公司 | 一种纳米银丝电极薄膜的制备方法 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4204942A (en) * | 1978-10-11 | 1980-05-27 | Heat Mirror Associates | Apparatus for multilayer thin film deposition |
EP0122092A3 (en) * | 1983-04-06 | 1985-07-10 | General Engineering Radcliffe Limited | Vacuum coating apparatus |
DE3541621A1 (de) | 1985-11-25 | 1987-05-27 | Siemens Ag | Anordnung zum abscheiden einer metallegierung |
DE3641718A1 (de) * | 1986-12-06 | 1988-06-16 | Leybold Ag | Verfahren zum herstellen von wickeln aus im vakuum leitfaehig beschichteten isolierstoff-folien |
DE3802852A1 (de) | 1988-02-01 | 1989-08-03 | Leybold Ag | Einrichtung fuer die beschichtung eines substrats mit einem material, das aus einem plasma gewonnen wird |
JPH01268869A (ja) * | 1988-04-20 | 1989-10-26 | Fuji Photo Film Co Ltd | スパッタリング装置 |
DE4204999A1 (de) | 1991-11-26 | 1993-08-26 | Leybold Ag | Verfahren und vorrichtung zum beschichten eines substrats, insbesondere mit elektrisch nichtleitenden schichten |
US5415757A (en) * | 1991-11-26 | 1995-05-16 | Leybold Aktiengesellschaft | Apparatus for coating a substrate with electrically nonconductive coatings |
DE4203631C2 (de) * | 1992-02-08 | 2000-06-08 | Leybold Ag | Vorrichtung für die Behandlung einer Oxidschicht |
DE4203632C2 (de) * | 1992-02-08 | 2003-01-23 | Applied Films Gmbh & Co Kg | Vakuumbeschichtungsanlage |
EP0570618B1 (en) * | 1992-05-21 | 1996-11-06 | Nissin Electric Company, Limited | Film forming method and apparatus |
DE4237517A1 (de) * | 1992-11-06 | 1994-05-11 | Leybold Ag | Vorrichtung zum Beschichten eines Substrats, insbesondere mit elektrisch nichtleitenden Schichten |
DE4343042C1 (de) * | 1993-12-16 | 1995-03-09 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren und Einrichtung zum plasmaaktivierten Bedampfen |
DE4412906C1 (de) | 1994-04-14 | 1995-07-13 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren und Einrichtung für die ionengestützte Vakuumbeschichtung |
-
1995
- 1995-11-24 DE DE19543781A patent/DE19543781A1/de not_active Withdrawn
-
1996
- 1996-10-26 EP EP96117215A patent/EP0775758B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1996-10-26 DE DE59600476T patent/DE59600476D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1996-10-28 US US08/740,318 patent/US5993622A/en not_active Expired - Fee Related
- 1996-11-21 JP JP8310891A patent/JPH09170072A/ja active Pending
- 1996-11-22 CN CN96114591A patent/CN1157334A/zh active Pending
- 1996-11-25 KR KR1019960056990A patent/KR970027359A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100427640C (zh) * | 2001-09-27 | 2008-10-22 | 冯·阿德纳设备有限公司 | 真空涂层设备 |
CN102234762A (zh) * | 2010-04-23 | 2011-11-09 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 镀膜系统 |
CN102234762B (zh) * | 2010-04-23 | 2014-10-15 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 镀膜系统 |
CN103502506A (zh) * | 2011-04-29 | 2014-01-08 | 应用材料公司 | 用于在涂覆工艺中钝化柔性基板的装置和方法 |
CN103502506B (zh) * | 2011-04-29 | 2016-06-08 | 应用材料公司 | 用于在涂覆工艺中钝化柔性基板的装置和方法 |
CN103247714A (zh) * | 2012-02-10 | 2013-08-14 | 台积太阳能股份有限公司 | 用于生产太阳能电池的装置和方法 |
CN103247714B (zh) * | 2012-02-10 | 2016-02-10 | 台积太阳能股份有限公司 | 用于生产太阳能电池的装置和方法 |
CN104746008A (zh) * | 2013-12-30 | 2015-07-01 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 去气腔室 |
CN104746008B (zh) * | 2013-12-30 | 2017-06-06 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 去气腔室 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0775758B1 (de) | 1998-08-26 |
JPH09170072A (ja) | 1997-06-30 |
DE59600476D1 (de) | 1998-10-01 |
DE19543781A1 (de) | 1997-05-28 |
EP0775758A1 (de) | 1997-05-28 |
US5993622A (en) | 1999-11-30 |
KR970027359A (ko) | 1997-06-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN1157334A (zh) | 在真空室内放有一个装蒸发物的坩埚的真空镀膜设备 | |
CN209602626U (zh) | 一次性往返双面蒸镀镀膜设备卷绕系统结构 | |
CA1242165A (en) | Method and apparatus for plasma-assisted deposition of thin films | |
US6103320A (en) | Method for forming a thin film of a metal compound by vacuum deposition | |
US5803973A (en) | Apparatus for coating a substrate by chemical vapor deposition | |
US6171454B1 (en) | Method for coating surfaces using a facility having sputter electrodes | |
JPH02285072A (ja) | 加工物表面のコーティング方法及びその加工物 | |
US4815415A (en) | Apparatus for producing coils from films of insulating material, conductively coated under vacuum | |
US5078847A (en) | Ion plating method and apparatus | |
CN106929806A (zh) | 高阻隔纳米无机非金属薄膜、其制备方法以及真空卷绕镀膜设备 | |
TWI744436B (zh) | 濺射沈積源、具備此濺射沈積源的濺射沈積設備以及在基板上沈積層的方法 | |
EP0310656B1 (en) | Surface treatment of polymers | |
CN206494965U (zh) | 多功能真空离子镀膜机 | |
JP3842166B2 (ja) | 電子サイクロトロン共鳴を利用した常温化学蒸着システム及びこれを利用した複合金属膜の製造方法 | |
CN102179970B (zh) | 导热材料及其制备工艺,以及使用该导热材料的led线路板 | |
CN208741937U (zh) | 用于溅射沉积的沉积源和溅射装置 | |
EP0046090B1 (en) | Process fpr producing a magnetic recording medium | |
KR20070057362A (ko) | 플라즈마 이온주입 및 증착법을 이용한 fccl 제조장치 | |
KR20070106462A (ko) | 플라즈마 지원에 의해 피착된 얇은 시드층에 의한 금속화 | |
CN108754444A (zh) | 一种pvd镀膜装置 | |
CN105349955B (zh) | 用在磁控溅射设备中的一体化阳极和活性反应气体源装置 | |
US5888305A (en) | Vacuum coating apparatus with a crucible in the vacuum chamber to hold material to be evaporated | |
CN2219306Y (zh) | 电弧蒸发和磁控溅射相结合的离子镀膜设备 | |
CN101063192A (zh) | 金属板带真空镀膜设备 | |
JP2021513004A (ja) | 堆積装置、フレキシブル基板をコーティングする方法、及びコーティングを有するフレキシブル基板 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |