CN115710653B - 银金属氧化物电触头材料的制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种银金属氧化物电触头材料的制备方法，具体包括氧化铜掺杂银氧化锡电触头材料和氧化锗掺杂银氧化锌电触头材料的制备方法，其技术方案包括以下工序：粉体预处理、包覆、还原扩散、氧化、混粉、压锭、挤压及后续加工。根据本发明所述的制备方法得到的银氧化锡及银氧化锌电触头材料，氧化物颗粒分布均匀，且与银基体之间的润湿性良好，具有低且稳定的接触电阻以及良好的抗电弧侵蚀性能。

Description

银金属氧化物电触头材料的制备方法

技术领域

本发明属于低压电器用电接触材料领域，具体是指一种银金属氧化物电触头材料，特别是指一种氧化铜掺杂银氧化锡电触头材料的制备方法和一种氧化锗掺杂银氧化锌电触头材料的制备方法。

背景技术

银氧化锡(AgSnO₂)触头材料由于较其它的无镉银金属氧化物(AgMeO，Me表示金属元素)表现出更优良的抗熔焊性和耐电弧侵蚀性能，其作为电接触材料在电器领域得到了广泛的应用，是目前环保型AgMeO触头材料中最有希望取代AgCdO的触头材料。但由于Ag对SnO₂的润湿性较差，两者结合界面属于机械结合，会导致复合材料脆性大，加工性差，且其在电弧作用下，SnO₂难以悬浮于液态Ag熔池中而与Ag基体发生分离并容易在触头表面富集，形成一层导电性差的熔渣层，这将导致触点使用过程温升过高，从而使材料抗电弧侵蚀和抗熔焊性能变差。而通过添加其他金属氧化物可以改善液态银对SnO₂的润湿性，CuO是一种常见的能够改善SnO₂与Ag的润湿性的金属氧化物添加剂。

目前AgSnO₂触头材料产业化的生产工艺主要有三种，分别为内氧化工艺、预氧化工艺、粉末冶金工艺。其中粉末冶金工艺中常见技术仅限于直接混合CuO粉末，但作为添加剂的CuO含量较低，常规混粉工艺混粉效率低，CuO难以均匀分布于基体中，对SnO₂和Ag的界面润湿性的提高作用有限，CuO的分布不均匀造成了电接触材料的加工性能仍相对较差，且对触点抗熔焊性能和耐电弧侵蚀性能的提升程度有限。

另外，AgZnO材料由于在部分条件下的电接触性能优于AgSnO₂触头材料也受到更多的关注，增强相在银基体中的形貌和分布对提高银基体的电接触性能有着重要的影响，而由于ZnO具有很高的热稳定性，AgZnO触头材料表现出优异的抗熔焊性能，但同样由于ZnO与银基体之间的润湿性较差，以及ZnO颗粒本身存在团聚，会导致AgZnO材料的抗电弧侵蚀能力变差。在电弧侵蚀过程中，银基体会发生熔化并飞溅，单纯的ZnO难以悬浮于液态Ag熔池中而与Ag基体发生分离并容易在触头表面富集，形成一层导电性差的熔渣层，这将导致触点接触电阻升高，电接触过程温升过高，从而使材料抗电弧侵蚀能力变差。若能增加难熔ZnO颗粒与银基体的润湿性，能够有效提高电接触过程中银熔池的黏度，减少液态银的喷溅损失，从而降低电弧烧蚀量，同时保持较低的接触电阻。

目前AgZnO触头材料的生产工艺主要有传统粉末冶金工艺、内氧化工艺、预氧化工艺三种。其中粉末冶金工艺为AgZnO材料的主要生产工艺，通常通过添加其他金属氧化物添加剂来进行改善ZnO和银基体的润湿性，但目前常规技术仅限于直接混合添加剂粉末，但常规混粉工艺混粉效率低，低含量的添加剂粉末难以均匀分布于基体中，对ZnO和Ag的界面润湿性的提高作用有限，因此对触点接触电阻的稳定性和耐电弧侵蚀性能的提升程度也有限。

发明内容

本发明的目的是为了克服现有技术存在的缺点和不足，本发明的第一个方面是提供一种氧化铜掺杂银氧化锡电触头材料的制备方法，该方法所制备的电触头材料温升低且稳定，抗电弧侵蚀与抗熔焊性能良好。

为实现上述目的，本发明的技术方案是包括以下工序：

(1)粉体预处理：使用有机溶剂对SnO₂粉进行预处理，超声搅拌，然后清洗干净；

(2)镀铜：将所述经过预处理的SnO₂粉在超声搅拌条件下加入水合肼溶液，得到混合液A，将pH值为8～9的铜氨溶液逐渐滴入混合液A中，滴入过程中溶液持续超声搅拌，待反应完全后将溶液进行清洗、过滤、干燥，得到镀铜的SnO₂粉；

(3)还原扩散：将所述镀铜的SnO₂粉在还原气氛下进行扩散退火处理，使SnO₂层与铜层之间得到一层结合强度良好的CuSn合金层，获得半成品包覆粉体，所述半成品包覆粉体由四层组成，从内到外依次为SnO₂层、Sn层、CuSn合金层和Cu层；

(4)氧化：将所述半成品包覆粉体在含氧气氛中进行氧化，并将氧化后粉体进行破碎制粒，得到成品包覆粉体，所述成品包覆粉体由三层组成，从内到外依次为SnO₂层、CuO与SnO₂混合层、以及CuO层；

(5)制备触头材料，通过混粉工艺将所述成品包覆粉体与Ag粉以及其他添加物粉末混合均匀，得到AgSnO₂混合粉末，然后进行压锭、挤压成型为触头材料。

进一步设置是步骤(1)所述的SnO₂粉粒度为0.2～10μm，有机溶剂为甘油和无水甲醇的1:1溶液。

进一步设置是步骤(2)所述的超声搅拌的频率为30～100kHz，铜氨溶液的浓度为0.1～1.0mol/L。

进一步设置是步骤(3)所述的扩散退火温度为400～700℃，还原气氛为氢气或者氨分解气。

进一步设置是采用所述方法制备的AgSnO₂触头材料中，CuO的质量百分比为0.3～2.0％。

上述技术方案其创新机理和有益效果是：

本发明制备的的银氧化锡电触头材料首先通过将SnO₂粉在有机溶剂中进行超声搅拌预处理进行充分分散，避免SnO₂颗粒之间的团聚，然后通过化学包覆法在分散后的SnO₂颗粒外面镀一层铜，再通过在还原气氛下进行退火，将SnO₂颗粒表面部分还原成Sn，而Sn将会与镀铜层通过扩散作用形成一层CuSn合金层，使得镀铜层与SnO₂之间具备良好的结合强度，再进行氧化得到外层包覆有CuO层的SnO₂粉末。通过该种工艺得到的包覆粉体由三层组成，从内到外依次为SnO₂层、CuO和SnO₂混合层、CuO层，因此其外层CuO与内层SnO₂颗粒之间具备良好的结合强度，则SnO₂在与Ag混合之后接触界面实际为CuO和Ag，两者之间界面润湿性良好，从而在电性能试验过程中SnO₂不会形成氧化物富集层，可以防止温升过高的现象，具备良好的抗熔焊性能和抗电弧侵蚀性能。

同时，因Ag与掺杂后的SnO₂之间具备良好的润湿性，CuO的均匀分布可对材料的导电性和力学性能有明显改善，缓解单纯SnO₂颗粒周围由于应力集中导致的局部应变，从而可以较大程度提高AgSnO₂材料的加工性能，通过该种方法可以制备氧化含量更高的AgSnO₂材料。

通过合理控制CuO的添加量，可以有效改善Ag与SnO₂之间的界面润湿性，改善加工性能和电接触性能。若CuO添加量过少，则会导致润湿性改善不够充分，若CuO添加量过大，则会导致接触电阻变大。

本发明具有的优点和积极效果：1、成品包覆SnO₂粉体从内到外依次为SnO₂层、CuO和SnO₂混合层、CuO层，该种结构使得SnO₂颗粒外包裹有一层结合强度良好的CuO层，能够提升触点工作过程中液态Ag对SnO₂颗粒的润湿性，从而提升触点材料的抗电弧侵蚀和抗熔焊性能；2、SnO₂颗粒外包裹有一层结合强度良好的CuO层能够改善AgSnO₂材料的加工性。

另外本发明的第二个方面是还提供一种氧化锗掺杂银氧化锌电触头材料的制备方法，该方法所制备的材料接触电阻低且稳定、抗电弧侵蚀性能优异。

为实现上述目的，本发明的技术方案是该银金属氧化物电触头材料为氧化锗掺杂银氧化锌电触头材料，其制备方法包括以下工序：

(1)粉体预处理：使用有机溶剂对ZnO粉进行预处理，超声搅拌，然后清洗干净；

(2)包覆：将所述经过预处理的ZnO粉加入纯乙醇，固液质量比为3:1～2:1，然后缓慢加入锗溶胶，并混合超声搅拌2～5h，所述锗溶胶使用异丙醇锗溶于丙酮溶液中形成，搅拌完成后将浆料转移至干燥设备中进行真空干燥，最后将干燥后物料在空气中加热一定时间，得到GeO₂包覆的ZnO粉；

(3)还原扩散：将所述GeO₂包覆的ZnO粉在还原气氛下进行还原并扩散退火处理，表面的GeO₂与部分ZnO被还原成Ge和Zn，并扩散得到一层结合强度良好的ZnGe合金层，获得半成品包覆粉体，所述半成品包覆粉体由四层组成，从内到外依次为ZnO层、Zn层、ZnGe合金层和Ge层；

(4)氧化：将所述半成品包覆粉体在含氧气氛中进行氧化，并将氧化后粉体进行破碎制粒，得到成品包覆粉体，所述成品包覆粉体由三层组成，从内到外依次为ZnO层、GeO₂和ZnO混合层和GeO₂层；

(5)制备触头材料，通过混粉工艺将所述成品包覆粉体与Ag粉以及其他添加物粉末混合均匀，得到AgZnO混合粉末，然后进行压锭、挤压成型为触头材料。

进一步设置是步骤(1)所述的ZnO粉粒度为0.2～10μm，有机溶剂为甘油和无水甲醇的1:1溶液。

进一步设置是步骤(2)所述的锗溶胶浓度为1.0～1.5mol/L，混合超声搅拌的频率为30～100kHz，步骤(2)所述的干燥后物料加热温度500～700℃，加热时间5～10h。

进一步设置是步骤(3)所述的扩散退火温度为600～750℃，还原气氛为氢气或者氨分解气。

进一步设置是采用所述方法制备的AgZnO触头材料中，GeO₂的质量百分比为0.4～2.0％。

本发明的上述第二个技术方案的创新机理和有益效果是：

本发明制备的的银氧化锌电触头材料首先通过将ZnO粉在有机溶剂中进行超声搅拌预处理进行充分分散，避免ZnO颗粒之间的团聚，然后通过溶胶凝胶法在分散后的ZnO颗粒外面包覆一层GeO₂，再通过在还原气氛下进行退火，表面的GeO₂与部分ZnO被还原成Ge和Zn，两者会通过扩散作用形成一层结合强度良好的ZnGe合金层，再进行氧化得到外层包覆有GeO₂层的ZnO粉末。通过该种工艺得到的包覆粉体由三层组成，从内到外依次为ZnO层、GeO₂和ZnO混合层、GeO₂层，该种结构与步骤(2)直接得到的GeO₂包覆ZnO的双层结构相比，其外层GeO₂与内层ZnO颗粒之间具备更好的结合强度。因ZnO在与Ag混合之后接触界面实际为GeO₂和Ag，两者之间界面润湿性良好，从而在电性能试验过程中ZnO不容易形成氧化物富集层，可以防止温升过高的现象，具备低而稳定的接触电阻及良好的抗电弧侵蚀性能。

同时，粉末预处理使得ZnO粉得到充分分散，避免团聚现象发生，且掺杂了GeO₂之后与银基体之间具备良好的润湿性，氧化物颗粒分布均匀，对材料的导电性和力学性能有明显改善。另外良好的润湿性也能有效减少坯锭加工过程中的孔隙度，提高材料的致密程度。

通过合理控制GeO₂的添加量，可以有效改善Ag与ZnO之间的界面润湿性，改善加工性能和电接触性能。若GeO₂添加量过少，则会导致润湿性改善不够充分，若GeO₂添加量过大，则因GeO₂的热稳定性低于ZnO而导致材料的抗熔焊性能降低。

本发明具有的优点和积极效果：1、成品包覆ZnO粉体从内到外依次为ZnO层、GeO₂和ZnO混合层、GeO₂层，该种结构使得ZnO颗粒外包裹有一层结合强度良好的GeO₂层，能够提升触点工作过程中液态Ag对ZnO颗粒的润湿性，从而提升触点材料的抗电弧侵蚀，保持较低的接触电阻；2、ZnO颗粒外包裹有一层结合强度良好的GeO₂层能够改善AgZnO材料的力学性能，并提高材料的致密程度。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，根据这些附图获得其他的附图仍属于本发明的范畴。

图1本发明氧化铜掺杂银氧化锡电触头材料制备方法中的步骤(2)镀铜后得到的SnO₂颗粒的示意图；

图2本发明氧化铜掺杂银氧化锡电触头材料制备方法中步骤(3)还原扩散后得到的SnO₂颗粒的示意图；

图3本发明氧化铜掺杂银氧化锡电触头材料制备方法中步骤(4)氧化后得到的SnO₂颗粒的示意图；

图4本发明氧化锗掺杂银氧化锌电触头材料的制备方法中步骤(2)包覆后得到的ZnO颗粒的示意图；

图5本发明氧化锗掺杂银氧化锌电触头材料的制备方法中步骤(3)还原扩散后得到的ZnO颗粒的示意图；

图6本发明氧化锗掺杂银氧化锌电触头材料的制备方法中步骤(4)氧化后得到的ZnO颗粒的示意图。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明作进一步地详细描述。下面实施例一至三为氧化铜掺杂银氧化锡电触头材料制备方法的实施例，实施例四至六为氧化锗掺杂银氧化锌电触头材料制备方法的实施例。

实施例一：

(1)粉体预处理：使用甘油和无水甲醇的1:1溶液对3kg粒度在0.2～2μm的SnO₂粉进行预处理，超声搅拌30min，然后清洗干净；

(2)镀铜：将所述经过预处理的3kg SnO₂粉在超声搅拌条件下加入水合肼溶液，得到溶液A，另外配置2.5L浓度为1mol/L的铜氨溶液，调整其PH值为8～9，将铜氨溶液以0.1L/min的速度滴入溶液A中，滴入过程中溶液持续超声搅拌，频率50kHz，25min反应完全后将溶液进行清洗、过滤、干燥，得到镀铜的SnO₂粉3.16kg；

(3)还原扩散：将所述镀铜的SnO₂粉在氢气气氛下进行400℃扩散退火4h处理，使SnO₂层与铜层之间得到一层结合强度良好的CuSn合金层，获得半成品包覆粉体；

(4)氧化：将所述半成品包覆粉体在含氧气氛中进行氧化，并将氧化后粉体进行破碎制粒，得到粒度均匀的成品包覆SnO₂粉3.2kg，其外层包覆有CuO层；

(5)混粉：将3.2kg所述成品包覆粉与0.05kg Bi₂O₃粉以及21.75kg Ag粉混合均匀，得到AgSnO₂混合粉末；

(6)压锭：所述混合粉末经冷等静压压制成坯锭；

(7)挤压：所述坯锭挤压成带材或者丝材，并进行后续加工制作片状触点或铆钉触点，该AgSnO₂触点材料工作层中SnO₂含量12％，CuO含量0.8％，Bi₂O₃含量0.2％，余量为银。

实施例二：

(1)粉体预处理：使用甘油和无水甲醇的1:1溶液对3.5kg粒度在1～5μm的SnO₂粉进行预处理，超声搅拌20min，然后清洗干净；

(2)镀铜：将所述经过预处理的3.5kg SnO₂粉在超声搅拌条件下加入水合肼溶液，得到溶液A，另外配置25L浓度为0.25mol/L的铜氨溶液，调整其PH值为8～9，将铜氨溶液以0.5L/min的速度滴入溶液A中，滴入过程中溶液持续超声搅拌，频率30kHz，50min反应完全后将溶液进行清洗、过滤、干燥，得到镀铜的SnO₂粉3.9kg；

(3)还原扩散：将所述镀铜的SnO₂粉在氨分解气氛下进行700℃扩散退火2h处理，使SnO₂层与铜层之间得到一层结合强度良好的CuSn合金层，获得半成品包覆粉体；

(4)氧化：将所述半成品包覆粉体在含氧气氛中进行氧化，并将氧化后粉体进行破碎制粒，得到粒度均匀的成品包覆SnO₂粉4.0kg，其外层包覆有CuO层；

(5)混粉：将4.0kg所述成品包覆粉与21.0kg Ag粉混合均匀，得到AgSnO₂混合粉末；

(6)压锭：所述混合粉末经冷等静压压制成坯锭；

(7)挤压：所述坯锭挤压成带材或者丝材，并进行后续加工制作片状触点或铆钉触点，该AgSnO₂触点材料工作层中SnO₂含量14％，CuO含量2％，余量为银。

实施例三：

(1)粉体预处理：使用甘油和无水甲醇的1:1溶液对2.5kg粒度在2～10μm的SnO₂粉进行预处理，超声搅拌15min，然后清洗干净；

(2)镀铜：将所述经过预处理的2.5kg SnO₂粉在超声搅拌条件下加入水合肼溶液，得到溶液A，另外配置10L浓度为0.1mol/L的铜氨溶液，调整其PH值为8～9，将铜氨溶液以0.25L/min的速度滴入溶液A中，滴入过程中溶液持续超声搅拌，频率100kHz，40min反应完全后将溶液进行清洗、过滤、干燥，得到镀铜的SnO₂粉2.564kg；

(3)还原扩散：将所述镀铜的SnO₂粉在氨分解气氛下进行550℃扩散退火3h处理，使SnO₂层与铜层之间得到一层结合强度良好的CuSn合金层，获得半成品包覆粉体；

(4)氧化：将所述半成品包覆粉体在含氧气氛中进行氧化，并将氧化后粉体进行破碎制粒，得到粒度均匀的成品包覆SnO₂粉2.58kg，其外层包覆有CuO层；

(5)混粉：将2.58kg所述成品包覆粉与0.125kg Bi₂O₃粉、0.12kg WO₃粉以及22.175kg Ag粉混合均匀，得到AgSnO₂混合粉末；

(6)压锭：所述混合粉末经冷等静压压制成坯锭；

(7)挤压：所述坯锭挤压成带材或者丝材，并进行后续加工制作片状触点或铆钉触点，该AgSnO₂触点材料工作层中SnO₂含量10％，CuO含量0.32％，Bi₂O₃含量0.5％，WO₃含量0.48％，余量为银。

实施例四：

(1)粉体预处理：使用甘油和无水甲醇的1:1溶液对2kg粒度在0.2～3μm的ZnO粉进行预处理，超声搅拌60min，然后清洗干净；

(2)包覆：将所述经过预处理的2kg ZnO粉加入1kg纯乙醇，然后缓慢加入锗溶胶2L，并混合超声搅拌3h，超声频率50kHz，所述锗溶胶使用异丙醇锗溶于丙酮溶液中形成，浓度为1.2mol/L，搅拌完成后将浆料转移至干燥设备中进行真空干燥，最后将干燥后物料在空气中进行加热，温度600℃，时间8h，从而得到GeO₂包覆的ZnO粉2.25kg；

(3)还原扩散：将所述GeO₂包覆的ZnO粉在氢气气氛下进行750℃扩散退火1h处理，表面的GeO₂与部分ZnO被还原成Ge和Zn，并扩散得到一层结合强度良好的ZnGe合金层，获得半成品包覆粉体；

(4)氧化：将所述半成品包覆粉体在含氧气氛中进行氧化，并将氧化后粉体进行破碎制粒，得到粒度均匀的成品包覆ZnO粉2.25kg，其外层包覆有GeO₂层，且GeO₂层和ZnO结合强度良好；

(5)混粉：将2.25kg所述成品包覆粉与0.10kg Li₂O粉以及21.65kg Ag粉混合均匀，得到AgZnO混合粉末；

(6)压锭：所述AgZnO混合粉末经冷等静压压制成坯锭；

(7)挤压：所述坯锭挤压成带材或者丝材，并进行后续加工制作片状触点或铆钉触点，该AgZnO触点材料工作层中ZnO含量8％，GeO₂含量1％，Li₂O含量0.4％，余量为银。

实施例五：

(1)粉体预处理：使用甘油和无水甲醇的1:1溶液对2.5kg粒度在1～5μm的ZnO粉进行预处理，超声搅拌30min，然后清洗干净；

(2)包覆：将所述经过预处理的2.5kg ZnO粉加入0.83kg纯乙醇，然后缓慢加入锗溶胶3.2L，并混合超声搅拌4h，超声频率100kHz，所述锗溶胶使用异丙醇锗溶于丙酮溶液中形成，浓度为1.5mol/L，搅拌完成后将浆料转移至干燥设备中进行真空干燥，最后将干燥后物料在空气中进行加热，温度700℃，时间10h，从而得到GeO₂包覆的ZnO粉3.0kg；

(3)还原扩散：将所述GeO₂包覆的ZnO粉在氨分解气氛下进行600℃扩散退火2h处理，表面的GeO₂与部分ZnO被还原成Ge和Zn，并扩散得到一层结合强度良好的ZnGe合金层，获得半成品包覆粉体；

(4)氧化：将所述半成品包覆粉体在含氧气氛中进行氧化，并将氧化后粉体进行破碎制粒，得到粒度均匀的成品包覆ZnO粉3.0kg，其外层包覆有GeO₂层，且GeO₂层和ZnO结合强度良好；

(5)混粉：将3kg所述成品包覆粉与0.05kg Bi₂O₃粉以及21.95kg Ag粉混合均匀，得到AgZnO混合粉末；

(6)压锭：所述AgZnO混合粉末经冷等静压压制成坯锭；

(7)挤压：所述坯锭挤压成带材或者丝材，并进行后续加工制作片状触点或铆钉触点，该AgZnO触点材料工作层中ZnO含量10％，GeO₂含量2％，Bi₂O₃含量0.2％，余量为银。

实施例六：

(1)粉体预处理：使用甘油和无水甲醇的1:1溶液对2kg粒度在2～10μm的ZnO粉进行预处理，超声搅拌40min，然后清洗干净；

(2)包覆：将所述经过预处理的2kg ZnO粉加入0.09kg纯乙醇，然后缓慢加入锗溶胶0.96L，并混合超声搅拌2h，超声频率30kHz，所述锗溶胶使用异丙醇锗溶于丙酮溶液中形成，浓度为1mol/L，搅拌完成后将浆料转移至干燥设备中进行真空干燥，最后将干燥后物料在空气中进行加热，温度500℃，时间5h，从而得到GeO₂包覆的ZnO粉2.1kg；

(3)还原扩散：将所述GeO₂包覆的ZnO粉在氢气气氛下进行680℃扩散退火1.5h处理，表面的GeO₂与部分ZnO被还原成Ge和Zn，并扩散得到一层结合强度良好的ZnGe合金层，获得半成品包覆粉体；

(4)氧化：将所述半成品包覆粉体在含氧气氛中进行氧化，并将氧化后粉体进行破碎制粒，得到粒度均匀的成品包覆ZnO粉2.1kg，其外层包覆有GeO₂层，且GeO₂层和ZnO结合强度良好；

(5)混粉：将2.1kg所述成品包覆粉与22.9kg Ag粉混合均匀，得到AgZnO混合粉末；

(6)压锭：所述AgZnO混合粉末经冷等静压压制成坯锭；

(7)挤压：所述坯锭挤压成带材或者丝材，并进行后续加工制作片状触点或铆钉触点，该AgZnO触点材料工作层中ZnO含量8％，GeO₂含量0.4％，余量为银。

虽然已经参考若干具体实施例描述了本发明，但是应当理解，本发明不限于所公开的具体实施例。本发明旨在涵盖所附权利要求的精神和范围内所包括的各种修改和等效布置。

Claims (5)

1.一种银氧化铜掺杂银氧化锡电触头材料的制备方法，其特征在于：其制备方法包括以下工序：

（1）粉体预处理：使用有机溶剂对SnO₂粉进行预处理，超声搅拌，然后清洗干净；

（2）镀铜：将所述经过预处理的SnO₂粉在超声搅拌条件下加入水合肼溶液，得到混合液A，将pH值为8~9的铜氨溶液逐渐滴入混合液A中，滴入过程中溶液持续超声搅拌，待反应完全后将溶液进行清洗、过滤、干燥，得到镀铜的SnO₂粉；

（3）还原扩散：将所述镀铜的SnO₂粉在还原气氛下进行扩散退火处理，使SnO₂层与铜层之间得到一层结合强度良好的CuSn合金层，获得半成品包覆粉体，所述半成品包覆粉体由四层组成，从内到外依次为SnO₂层、Sn层、CuSn合金层和Cu层；

（4）氧化：将所述半成品包覆粉体在含氧气氛中进行氧化，并将氧化后粉体进行破碎制粒，得到成品包覆粉体，所述成品包覆粉体由三层组成，从内到外依次为SnO₂层、CuO与SnO₂混合层、以及CuO层；

（5）制备触头材料，通过混粉工艺将所述成品包覆粉体与Ag粉以及其他添加物粉末混合均匀，得到AgSnO₂混合粉末，然后进行压锭、挤压成型为触头材料。

2.根据权利要求1所述的一种银氧化铜掺杂银氧化锡电触头材料的制备方法，其特征在于：步骤（1）所述的SnO₂粉粒度为0.2~10μm，有机溶剂为甘油和无水甲醇的1:1溶液。

3.根据权利要求1所述的一种银氧化铜掺杂银氧化锡电触头材料的制备方法，其特征在于：步骤（2）所述的超声搅拌的频率为30~100kHz，铜氨溶液的浓度为0.1~1.0mol/L。

4.根据权利要求1所述的一种银氧化铜掺杂银氧化锡电触头材料的制备方法，其特征在于：步骤（3）所述的扩散退火温度为400~700℃，还原气氛为氢气或者氨分解气。

5.根据权利要求1所述的一种银氧化铜掺杂银氧化锡电触头材料的制备方法，其特征在于：采用所述方法制备的AgSnO₂触头材料中，CuO的质量百分比为0.3~2.0%。