CN115673677B - 一种电子设备以及中框的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本申请实施例提供了一种电子设备以及中框的制造方法,解决了激光焊接时,过低的激光吸收率影响焊接质量,进而影响整机的质量的问题。本申请实施例提供的中框包括:边框和中板;边框环绕中板边缘设置;中板设置有多个焊接柱;边框设置有与多个焊接柱位置和尺寸相对应的多个通孔,多个焊接柱与多个通孔一一对应形成孔轴配合;多个焊接柱的表面和多个通孔的表面均为粗糙表面;边框与中板在各个焊接柱和通孔的配合处通过激光焊接连接,粗糙表面用于在激光焊接时增加焊接柱与通孔配合处的激光吸收量。本申请通过设置粗糙表面,有效提高焊接激光吸收率;通过设置圆角矩形的焊接柱,提高焊接柱强度,并在焊接柱根部增加排气槽,进而提高焊接质量。

Description

一种电子设备以及中框的制造方法
技术领域
本申请涉及通信技术领域,尤其涉及一种电子设备以及中框的制造方法。
背景技术
激光焊接一般采用连续激光光束完成材料的连接。激光辐射加热工件表面,表面热量通过热传导向内部扩散,通过控制激光脉冲的宽度、能量、峰值功率和重复频率等参数,使工件熔化,形成特定的熔池。可见,入射激光的吸收率越高,在工件内部扩散的热量越高,越有利于形成熔池。而入射激光的吸收量与焊接表面的光滑程度有关,表面越光滑,激光的反射率越高,激光的吸收率越低,这样会直接影响焊接质量。
移动终端的金属中框可以通过将中板和边框以激光焊接连接为一体的方式获得,其中,中板一般为压铸铝合金,边框一般为成型铝。中板和边框的焊接表面通常采用机加工的方式。机加工后的铝合金表面光滑,此时,激光的反射率可以大于70%。也就是说,此时只有不到30%的激光被中框金属吸收。
然而,过低的激光吸收率,会影响激光焊接的焊接质量,造成焊点虚焊、熔池深度不足、气泡、裂纹以及炸点等问题,进而影响整机的质量。
发明内容
本申请实施例提供了一种电子设备以及中框的制造方法,通过提高激光吸收率,提高焊点质量,进而解决某些影响整机性能的问题(如整机天线测试不良)。
第一方面,本申请实施例提供了一种电子设备,电子设备包括中框,中框包括:边框和中板;边框环绕中板边缘设置;中板设置有多个焊接柱;边框设置有与多个焊接柱位置和尺寸相对应的多个通孔,多个焊接柱与多个通孔一一对应形成孔轴配合;多个焊接柱的表面和多个通孔的表面均为粗糙表面;边框与中板在各个焊接柱和通孔的配合处通过激光焊接连接,粗糙表面用于在激光焊接时增加焊接柱与通孔配合处的激光吸收量。
这样,通过设置粗糙表面,有效提高焊接柱与通孔配合处的激光吸收量,提高焊接质量,进而解决某些影响整机性能的问题(如整机天线测试不良)。另外,通过设置多个焊接柱以及与焊接柱一一对应的通孔,在焊接时,使得焊接柱和通孔通过一一对应形成孔轴配合的方式,完成边框和中板的定位,从而确定焊接区域以及焊接表面,从而保证焊接表面为粗糙表面,进而提高焊接表面的激光吸收量。
在一种实现方式中,多个焊接柱均为圆角矩形焊接柱;多个通孔均为圆角矩形通孔。
这样,通过设置圆角矩形的焊接柱,提高焊接柱强度,使得焊接时,焊接柱根部不易发生断裂问题。
在一种实现方式中,多个焊接柱包括至少一个第一焊接柱和至少一个第二焊接柱,第一焊接柱为圆形焊接柱,第二焊接柱为圆角矩形焊接柱;多个通孔包括至少一个第一通孔和至少一个第二通孔,第一通孔为圆形通孔,第二通孔为圆角矩形通孔;其中,至少一个第一焊接柱与至少一个第一通孔一一对应形成孔轴配合,至少一个第二焊接柱与至少一个第二通孔一一对应形成孔轴配合。
在一种实现方式中,中板为矩形中板,中板的每一条边线上设置有至少一个第一焊接柱和/或至少一个第二焊接柱。
这样,通过设置至少一个第一焊接柱和至少一个第二焊接柱,既提高焊接柱强度,使得焊接时,焊接柱根部不易发生断裂问题,相对于全部设置为第二焊接柱的技术方案,本实现方式又能使得加工精度的要求降低,有利于批量生产。
在一种实现方式中,中框还包括;排气槽;排气槽围绕设置在至少一个第一焊接柱和/或至少一个第二焊接柱的根部,排气槽用于排出激光焊接时产生的气体以及增加激光焊接时焊接熔池深度。
这样,通过在压铸铝合金焊接柱根部增加排气槽,便于排气及增加焊接熔池深度。
在一种实现方式中,焊接柱的粗糙表面是由皮膜处理得到的,焊接柱满足表面光泽度小于20Gu。
在一种实现方式中,通孔的表面粗糙度值在Ra3.2~Ra5之间。
这样,通过设置粗糙表面,通孔的表面粗糙度值达到Ra3.2~Ra5,焊接柱的表面光泽度<20Gu,有效提高焊接激光吸收率,进而提高焊接质量。
第二方面,本申请实施例提供了一种中框的制造方法,中框包括中板和边框,方法包括:通过压铸成型工艺获得中板,中板设置多个焊接柱;对中板进行皮膜处理,以至少使多个焊接柱的表面为粗糙表面;对型材铝进行机加工,得到边框,边框上设置有与多个焊接柱位置和尺寸相对应的多个通孔;对边框进行表面处理,以至少使多个通孔的表面为粗糙表面;将边框安装于中板之上,使多个焊接柱与多个通孔一一对应形成孔轴配合;将边框与中板在各个焊接柱和通孔的配合处通过激光焊接连接成一体结构。
这样,通过化学打砂降低边框表面光泽度及粗糙度,以及通过皮膜处理降低中板表面光泽度及粗糙度,通过设置粗糙表面,边框的表面粗糙度值达到Ra3.2~Ra5,中板的表面光泽度<20Gu,有效提高焊接激光吸收率,进而提高焊接质量。使激光吸收率达到60%以上,焊接过程更稳定,且在小功率焊接功率下易获得较大熔深。
在一种实现方式中,对中板进行皮膜处理,以至少使多个焊接柱的表面为粗糙表面,包括:对中板进行皮膜处理,以至少使多个焊接柱的表面满足表面光泽度小于20Gu。
在一种实现方式中,对边框进行表面处理,以至少使多个通孔的表面为粗糙表面,包括:对边框进行化学打砂,以至少使通孔表面的表面粗糙度值在Ra3.2~Ra5之间。
这样,通过设置粗糙表面,通孔的表面粗糙度值达到Ra3.2~Ra5,焊接柱的表面光泽度<20Gu,有效提高焊接激光吸收率,进而提高焊接质量。
附图说明
图1是目前一种常见的中框结构示意图;
图2a是一种拼接结构的中框的拆分结构示意图;
图2b是中框中焊接区域的A-A局部剖面示意图;
图3是图2a所示的中框中焊接表面为机加工表面的焊接激光吸收示意图;
图4a是本申请提供的一种中框的第一种实施例的结构示意图;
图4b是图4a所示的中框的拆分示意图;
图5是本申请提供的一种中框中中板为压铸铝时焊接柱的局部放大示意图;
图6是本申请提供的一种中框的局部放大示意图;
图7a是本申请提供的一种中框中中板的一种实施例的结构示意图;
图7b是图7a所示的中板的局部B-B剖面示意图;
图8a是本申请提供的一种中框的制造方法中边框的前序工艺流程图;
图8b是本申请提供的一种中框的制造方法中中板的前序工艺流程图;
图8c是本申请提供的一种中框的制造方法的工艺流程图;
图9是本申请提供的一种中框的制造方法中焊接激光的吸收示意图。
具体实施方式
手机、平板电脑等形态的终端设备通常包含中框结构。图1是目前一种常见的中框结构示意图。如图1所示,中框一般可以由中板2以及环绕中板边缘设置的边框1组成。中框可以视作终端设备的支撑结构,终端设备内部的主板、摄像头、扬声器、电池、听筒等组件均可以固定于中板上,中框的中板和边框的连接处还可以通过注塑形成与终端设备的后盖边缘或显示屏边缘相匹配的形状,使终端设备的后盖或显示屏能够扣合在中框的两侧。
终端设备的中框一般包括塑料中框和金属中框。金属中框可以是一体成型结构,可以通过对金属毛坯件进行一系列工艺制程得到,例如,先通过冲压或者锻造工艺加工金属毛坯件,成型出一体的边框和中板结构;然后通过机械加工得到中板和边框的连接处的注塑位结构,再向注塑位注入塑性材料得到与终端设备的后盖边缘或显示屏边缘相匹配的形状,最后再机械加工以满足尺寸要求以及进行表面处理。在上述工艺制程中,机械加工制程耗时长,成本高,严重影响整机开发周期及在市场竞争力。
因此,为了缩短产品开发周期及降低开发成本,一些金属中框由原来的一体结构改为拼接结构。图2a是一种拼接结构的中框的拆分结构示意图。如图2a所示,在拼接结构的中框中,边框1和中板2是相互独立的结构,在制作拼接结构的中框时,首先分别制作出边框1和中板2,然后再将边框1和中板2通过激光焊接连接在一起。一般来说,边框1可以为成型铝材质,中板2可以为压铸铝合金材质。图2b是中框中焊接区域的A-A局部剖面示意图。如图2所示,中板2上设置有焊接柱21,边框1上设置与焊接柱21的位置和尺寸相对应的通孔11,在焊接时,可以首先将边框1置于中板2之上,使中板2的焊接柱21插入到边框1的通孔11中,实现边框1与中板2的定位,然后采用激光将焊接柱21和通孔11焊接在一起。
可以理解的是,为保证焊接强度,通常,中板2上连续设置多个焊接柱21,则边框1上设置多个与“焊接柱21”对应的通孔11,用以在激光焊接时,焊接柱21插入对应的通孔11中。
图3是图2a所示的中框的焊接表面为机加工表面的焊接激光吸收示意图。如图3所示,焊接时,激光作为入射光,射入焊接柱21和通孔11形成的焊接区域,一部分入射激光被反射,剩下的部分入射激光被中框金属吸收,被吸收的激光用以加热焊接区域的表面(即焊接表面),使焊接柱21熔化,形成特定的熔池,以实现边框1和中板2的焊接。
入射激光的吸收量与焊接表面的光滑程度有关,表面越光滑,激光的反射率越高。例如:当焊接表面采用机加工的方式时,激光的反射率可以大于70%。也就是说,此时只有不到30%的激光被中框金属吸收,过低的激光吸收率,会影响激光焊接的焊接质量,造成焊点虚焊/熔池深度不足/气泡/裂纹/炸点等问题。
为提高焊接表面的激光吸收率,进而提高中板和边框的焊接结合处的焊接质量,本申请实施例提供一种中框。
图4a是本申请提供的一种中框的第一种实施例的结构示意图。如图4a所示,中框由中板2以及环绕中板边缘设置的边框1组成。
图4b是图4a所示的中框的拆分示意图。如图4b所示,中板2上设置有多个焊接柱;边框1上设置有多个通孔;多个通孔与多个焊接柱的位置和尺寸相对应。在对边框1和中板2激光焊接时,可以首先将边框1置于中板2之上,使中板2的多个焊接柱一一对应地插入到边框1的多个通孔中,使多个焊接柱与多个通孔一一对应地形成孔轴配合,实现边框1与中板2的定位,然后采用激光分别将各个孔轴配合的焊接柱和通孔焊接在一起,进而实现边框1和中板2的焊接连接。
其中,为提高焊接表面的激光吸收率,多个焊接柱的表面和多个通孔的表面均为粗糙表面;边框与中板在各个焊接柱和通孔的配合处通过激光焊接连接,粗糙表面用于在激光焊接时增加焊接柱与通孔配合处的激光吸收量。由于粗糙表面凹凸不平,激光会在粗糙表面上产生激光多次反射,粗糙表面对激光多次反射的重复吸收,使得激光吸收量提高。
在一种实现方式中,边框1的表面粗糙度值达到Ra3.2~Ra5,中板2的表面光泽度<20Gu。可以理解的是,边框1可以采用去除材料的形式增大其表面粗糙度,例如化学打砂;中板2可以采用增加致密膜层的方式保证光泽度要求,例如皮膜处理。对于具体的加工形式,本申请不作限定。另外,可以对边框1的整体进行化学打砂,也可以仅针对焊接表面局部进行化学打砂,本申请也不作限定。同样的,可以对中板2的整体进行皮膜处理,也可以仅针对焊接表面局部进行皮膜处理,本申请也不作限定。
本申请实施例中,多个焊接柱的形状和/或尺寸可以相同,也可以不同。例如,当多个焊接柱的形状和/或尺寸相同时,多个焊接柱可以均为圆形焊接柱,或者均为圆角矩形焊接柱,或者均为其他某一形状的焊接柱,相应地,多个通孔可以均为圆形通孔,或者均为圆角矩形通孔,或者均为其他某一形状的通孔。多个焊接柱形状和/或尺寸相同,可以减少加工难度,降低对毛坯件精度要求,有利于批量生产。又例如,当多个焊接柱的形状和/或尺寸不同时,一部分焊接柱可以是圆形焊接柱,另一部分焊接柱可以是圆角矩形焊接柱,相应地,第一部分通孔可以是圆形通孔,另一部分通孔可以是圆角矩形通孔。设置圆形焊接柱时,边框与中板采用小圆柱连接方式,强度较弱,易发生焊接柱根部断裂;设置圆角矩形焊接柱,边框与中板的连接位置强度高,焊接柱根部不易发生断裂。通过同时设置圆形焊接柱和圆角矩形焊接柱,能够在圆角矩形焊接柱保证焊接强度的情况下,通过合理设置圆形焊接柱的数量,使得降低对毛坯件精度要求,有利于批量生产。
进一步参见图4b,在一种实现方式中,中板2上设置有至少一个第一焊接柱201和至少一个第二焊接柱202;边框1上设置有第一通孔101和第二通孔102;第一焊接柱201为圆形焊接柱,第二焊接柱202为圆角矩形焊接柱;第一通孔101为圆形通孔,第二通孔102为圆角矩形通孔;第一通孔101与第一焊接柱201的位置和尺寸相对应;第二通孔102与第二焊接柱202的位置和尺寸相对应。其中,至少一个第一焊接柱201与至少一个第一通孔101一一对应形成孔轴配合,至少一个第二焊接柱202与至少一个第二通孔102一一对应形成孔轴配合。
可以理解的是,在手机、平板等电子设备中,设备本身的形态为矩形,因此中框作为结构部件,为适应设备形态,其边框1和中板2可以均设置为矩形。当中板2和边框1为矩形时,第二焊接柱202和第二通孔102的圆角矩形的长边优选与其临近的中板的边线平行,另外,中板的每一条边线上优选至少对应设置有一个第二焊接柱202,相应的,边框1上设置与之尺寸和位置对应的第二通孔102。
在对边框和中板激光焊接时,可以首先将边框1置于中板2之上,使中板2的第一焊接柱201插入到边框1的第一通孔101中,并且,中板2的第二焊接柱202插入到边框1的第二通孔102中,实现边框1与中板2的定位,然后采用激光将第一焊接柱201和第一通2孔101焊接在一起,将第二焊接柱202和第二通孔102焊接在一起,进而实现边框1和中板的焊接连接。
在一种实现方式中,多个第一焊接柱201与多个第二焊接柱202围绕中板2间隔分布在中板2的边缘,多个第一焊接柱201与多个第二焊接柱202优选交替分布,相邻两个焊接柱之间具有一定的距离。以矩形的中板2为例,中板2上表面的每条边线均分布有一个或者多个焊接柱,优选中板2上表面的每条边上设置有至少一个第一焊接柱201和至少一个第二焊接柱202,例如,在图4b示出的结构中,中板2的每个短边分布有一个第一焊接柱和一个第二焊接柱,每个长边分布有两个第一焊接柱和一个第二焊接柱,这两个第一焊接柱可以相邻,也可以不相邻。边框1上设置与多个第一焊接柱201的数量、位置和尺寸相对应的多个第一通孔101,边框1上设置与多个第二焊接柱202的数量、位置和尺寸相对应的多个第二通孔102。可以理解的是,焊接柱的个数越多,焊接强度越高,但是加工精度要求也随之提高,因此,焊接柱的个数应保持在一个合理的数值范围,本申请不对焊接柱的个数作具体限定。
在一种实现方式中,相邻设置的第一焊接柱201与第二焊接柱202的中心距为第一预设距离。可以理解的是,第一预设距离可以由中框的尺寸确定,中框的尺寸越大,第一预设距离越大;但同时,技术人员考虑到焊接强度,即第一预设距离越小,焊接强度越高,因此第一预设距离不会无限制的增加。本申请对第一预设距离的具体数值不作限定。
在一种实现方式中,边框1的厚度小于第一焊接柱201的高度,高度差优选为0.3-0.5mm;边框1的厚度小于第二焊接柱202的高度,高度差优选为0.3-0.5mm。
在一种实现方式中,中板为压铸铝。图5是本申请提供的一种中框中中板为压铸铝时焊接柱的局部放大示意图。如图5所示的,第一焊接柱201和第二焊接柱202均为顶部小根部大的柱体,即焊接柱顶部尺寸L小于焊接柱根部尺寸I。母线的倾斜角受压铸工艺限制,本申请不做限制。
在一种实现方式中,第一焊接柱201根部处,第一通孔101和第一焊接柱201的间隙优选为0.05-0.08mm;第一焊接柱201头部处,第一通孔101和第一焊接柱201的间隙优选为0.1mm-0.2mm;第二焊接柱202根部处,第二通孔102和第二焊接柱202的间隙优选为0.05-0.08mm;第二焊接柱202头部处,第二通孔102和第二焊接柱202的间隙优选为0.1mm-0.2mm。
一种实现方式中,图6是本申请提供的一种中框的局部放大示意图。如图6所示,排气槽203围绕第二焊接柱202的根部设置。
图7a是本申请提供的一种中框中中板的一种实施例的结构示意图。如图7a所示,第二焊接柱202为圆角矩形焊接柱,排气槽203为环形槽,围绕呈圆角矩形的第二焊接柱202设置。图7b是图7a所示的中板的局部B-B剖面示意图。如图7b所示,排气槽203具有一定的深度,排气槽203用于排出激光焊接时产生的气体以及增加激光焊接时焊接熔池深度。
一种实现方式中,第一焊接柱201的根部也可以以围绕的方式设置排气槽,具有一定的深度,排气槽用于排出激光焊接时产生的气体以及增加激光焊接时焊接熔池深度。
本申请提供的中框,边框1的表面粗糙度值达到Ra3.2~Ra5,中板2的表面光泽度<20Gu,有效提高焊接激光吸收率,提高焊接质量。在一种实现方式中,本申请提供的中框中中板设置有圆角矩形的焊接柱,能够提高焊接表面的激光吸收率,进而提高中板和边框的焊接结合处的焊接质量。这样,圆角矩形的焊接柱强度高,使得焊接时,焊接柱根部不易发生断裂问题;焊接柱根部增加排气槽,便于排气及增加焊接熔池深度,使得有效焊接增加。本申请通过提高焊点质量,进而解决某些影响整机性能的问题(如整机天线测试不良)。
下面结合附图说明,本申请提供的一种如上述实施例所示的中框的制造方法。
图8a是本申请提供的一种中框的制造方法中边框的前序工艺流程图。如图8a所示,该中框的制造方法包括以下步骤S1-S2。
S1,对型材铝进行机加工,得到边框。
在一种实现方式中,边框为矩形的环状边框,边框上设置有多个通孔,多个通孔的形状和/或尺寸可以相同,也可以不同。例如,当多个通孔的形状和/或尺寸相同时,多个通孔可以均为圆形通孔,或者均为圆角矩形通孔,或者均为其他某一形状的通孔。又例如,当多个通孔的形状和/或尺寸不同时,一部分通孔可以是圆形通孔,另一部分通孔可以是圆角矩形通孔。
在一种实现方式中,边框上设置有第一通孔和第二通孔,第一通孔为圆形通孔,第二通孔为圆角矩形通孔。
在一种实现方式中,多个第一通孔与多个第二通孔围绕边框间隔分布在边框的边缘,多个第一通孔与多个第二通孔优选交替分布,相邻两个通孔之间具有一定的距离。以矩形的边框为例,边框上表面的每条边线均分布有一个或者多个通孔,优选边框上表面的每条边上设置有至少一个第一通孔和至少一个第二通孔,例如,在图4b示出的结构中,边框的每个短边分布有一个第一通孔和一个第二通孔,每个长边分布有两个第一通孔和一个第二通孔,这两个第一通孔可以相邻,也可以不相邻。
S2,对边框进行表面处理,以至少使多个通孔的表面为粗糙表面。
将S1中得到的边框,通过化学打砂处理,使产品表面粗糙度值达到Ra3.2~Ra5。
一种实现方式中,可以理解的是,经化学打砂处理后的边框表面为亚光状态。
一种实现方式中,化学打砂是指:将产品浸泡于酸性溶液中,辅以有机添加物,并在高温中腐蚀。
图8b是本申请提供的一种中框的制造方法中中板的前序工艺流程图。如图8b所示,中板的工艺流程包括以下步骤S01-S02。
S01,通过压铸成型工艺获得中板。
一种实现方式中,中板上设置多个焊接柱,多个焊接柱的形状和/或尺寸可以相同,也可以不同。例如,当多个焊接柱的形状和/或尺寸相同时,多个焊接柱可以均为圆形焊接柱,或者均为圆角矩形焊接柱,或者均为其他某一形状的焊接柱。又例如,当多个焊接柱的形状和/或尺寸不同时,一部分焊接柱可以是圆形焊接柱,另一部分焊接柱可以是圆角矩形焊接柱。可以理解的是,上述S1中边框上设置有多个通孔与本步骤S01中设置的多个焊接柱的数量、位置和尺寸相对应。
在一种实现方式中,中板上设置有第一焊接柱和第二焊接柱,第一焊接柱为圆形焊接柱,第二焊接柱为圆角矩形焊接柱;可以理解的是,上述S1中边框上第一通孔与本步骤S01中设置的第一焊接柱的位置和尺寸相对应;上述S1中边框上第二通孔与本步骤S01中设置的第二焊接柱的位置和尺寸相对应。
在一种实现方式中,多个第一焊接柱与多个第二焊接柱围绕中板间隔分布在中板的边缘,多个第一焊接柱与多个第二焊接柱优选交替分布,相邻两个焊接柱之间具有一定的距离。以矩形的中板为例,中板上表面的每条边线均分布有一个或者多个焊接柱,优选中板上表面的每条边上设置有至少一个第一焊接柱和至少一个第二焊接柱,例如,在图4b示出的结构中,中板的每个短边分布有一个第一焊接柱和一个第二焊接柱,每个长边分布有两个第一焊接柱和一个第二焊接柱,这两个第一焊接柱可以相邻,也可以不相邻。
S02,对中板进行皮膜处理,以至少使多个焊接柱的表面为粗糙表面。
在一种实现方式中,将S01中得到的毛坯件的表面皮膜处理,使其表面光泽度<20Gu。
可以理解的是,经皮膜处理处理后的中板表面为亚光状态,镜面反射率越低,光泽度也越低。
一种实现方式中,皮膜处理是指,通过磷酸盐与压铸铝的中板毛坯件发生反应,生成一层致密膜层紧密附在金属的表面。
图8c是本申请提供的一种中框的制造方法的工艺流程图。如图8b所示,中框的制造方法包括以下步骤S001-S004。
S001,将边框安装于中板之上,使多个焊接柱与多个通孔一一对应形成孔轴配合。
S002,将边框与中板在各个焊接柱和通孔的配合处通过激光焊接连接成一体结构。
在一种实现方式中,焊接方式为激光焊接,首先将边框置于中板之上,使中板的第一焊接柱插入到边框的第一通孔中,并且,中板的第二焊接柱插入到边框的第二通孔中,实现边框与中板的定位,然后采用激光将第一焊接柱和第一通孔焊接在一起,将第二焊接柱和第二通孔焊接在一起,进而将边框和中板焊接在一起。
一种实现方式中,焊缝距侧壁距离>0.4mm,避免因尺寸过小导致遮挡激光路径的问题。
图9是本申请提供的一种中框的制造方法中焊接激光的吸收示意图。如图9所示,通过化学打砂降低边框表面光泽度及粗糙度,以及通过皮膜处理降低中板表面光泽度及粗糙度,使激光吸收率达到60%以上,焊接过程更稳定,且在小功率焊接功率下易获得较大熔深。
一种实现方式中,压铸铝合金焊接柱根部增加排气槽,即,排气槽围绕第二焊接柱的根部设置,排气槽具有一定的深度,便于排气及增加焊接熔池深度。
S003,将上述S002中得到的中框表面经过化学腐蚀,使金属表面形成纳米级的孔洞。
在一种实现方式中,纳米孔大小优选为40~60nm。
S004,对经S003处理的中框进行模内注塑,即,对中板与边框之间进行塑胶填充,从而,增加压铸铝合金中板与型材铝中框结合力。
可以理解的是,注塑前可以通过进行机加工,使得产品外长宽尺寸在注塑前保证尺寸精度到位,进而保证产品外长宽与注塑模具滑块配合间隙稳定性;
另外,注塑定位孔需保证和产品外形同夹位加工到位,保证产品外长宽与注塑模具滑块配合间隙稳定性。
可以理解的是,一种实现方式中,还可以包括以下步骤:通过利用抛光轮对产品表面进行打磨抛光处理;通过阳极氧化,获得需求的产品表面硬度,耐磨及腐耐蚀性能及产品外观效果。
S005,通过对完成注塑的中框进行机加工,以获得产品最终触摸屏(touchpad,TP)面/背板(black plate,BP)面及外形形状。
中框用于固定后盖、屏幕及内部元器件,在中框和后盖之间设置有支架和电池。具体来说,中框的一侧与屏幕装配在一起,起到屏幕和电子零部件之间隔层的作用;同时,中框也为各个电子零部件提供一个更可靠更牢固的安装地基;中框的另一侧与后盖装配在一起,保护移动终端免受冲击。
本申请提供的中框的制造方法,通过化学打砂降低边框表面光泽度及粗糙度,以及通过皮膜处理降低中板表面光泽度及粗糙度,使激光吸收率达到60%以上,焊接过程更稳定,且在小功率焊接功率下易获得较大熔深;一种实现方式中,压铸铝合金焊接柱根部增加排气槽,便于排气及增加焊接熔池深度。本申请通过提高焊点质量,进而解决某些影响整机性能的问题(如整机天线测试不良)。
本申请实施例还提供一种电子设备,包括上述实施例提供的中框,该中框可以用本申请实施例提供的中框制造方法得到,该终端设备例如可以包括移动终端、平板电脑、个人电脑、工作站设备、大屏设备(例如:智慧屏、智能电视等)、掌上游戏机、家用游戏机、虚拟现实设备、增强现实设备、混合现实设备等、车载智能终端、自动驾驶汽车、用户驻地设备(customer-premises equipment,CPE)等。
以上的具体实施方式,对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明,所应理解的是,以上仅为本发明的具体实施方式而已,并不用于限定本发明的保护范围,凡在本发明的技术方案的基础之上,所做的任何修改、等同替换、改进等,均应包括在本发明的保护范围之内。

Claims (8)

1.一种电子设备,其特征在于,包括:中框,所述中框包括边框和中板;
所述边框环绕所述中板边缘设置;
所述中板设置有多个焊接柱;
所述边框设置有与多个所述焊接柱位置和尺寸相对应的多个通孔,多个所述焊接柱与多个所述通孔一一对应形成孔轴配合;
所述焊接柱包括第一焊接柱和第二焊接柱,所述第一焊接柱为圆形焊接柱,所述第二焊接柱为圆角矩形焊接柱;所述通孔包括第一通孔和第二通孔,所述第一通孔为圆形通孔,所述第二通孔为圆角矩形通孔;所述第一焊接柱与其对应的所述第一通孔形成孔轴配合,所述第二焊接柱与其对应的所述第二通孔形成孔轴配合;
所述第二焊接柱的长边与其临近的所述中板的边线平行,沿所述中板的每个边线分别至少设置有一个所述第二焊接柱;所述第二通孔的长边与其临近的所述边框的边线平行,沿所述边框的每个边线分别至少设置有一个所述第二通孔;
多个所述焊接柱的表面和多个所述通孔的表面均为粗糙表面;
所述边框与所述中板在各个所述焊接柱和所述通孔的配合处通过激光焊接连接,所述粗糙表面用于在所述激光焊接时增加所述焊接柱与所述通孔配合处的激光吸收量。
2.根据权利要求1所述的电子设备,其特征在于,沿所述中板的每一条边线分别设置有至少一个第一焊接柱,沿所述边框的每个边线分别至少设置有一个所述第一通孔。
3.根据权利要求1所述的电子设备,其特征在于,还包括;排气槽;
所述排气槽围绕设置在至少一个所述第一焊接柱和/或至少一个所述第二焊接柱的根部,所述排气槽用于排出所述激光焊接时产生的气体以及增加所述激光焊接时焊接熔池深度。
4.根据权利要求1-3任一项所述的电子设备,其特征在于,所述焊接柱的粗糙表面是由皮膜处理得到的,所述焊接柱满足表面光泽度小于20Gu。
5.根据权利要求1-3任一项所述的电子设备,其特征在于,所述通孔的表面粗糙度值在Ra3.2~Ra5之间。
6.一种中框的制造方法,其特征在于,所述中框包括中板和边框,所述方法包括:
通过压铸成型工艺获得所述中板,所述中板设置多个焊接柱,所述焊接柱包括第一焊接柱和第二焊接柱,所述第一焊接柱为圆形焊接柱,所述第二焊接柱为圆角矩形焊接柱,其中,所述第二焊接柱的长边与其临近的所述中板的边线平行,沿所述中板的每个边线分别至少设置有一个所述第二焊接柱;
对所述中板进行皮膜处理,用以至少使多个所述焊接柱的表面为粗糙表面;
对型材铝进行机加工,得到所述边框,所述边框上设置有与多个所述焊接柱位置和尺寸相对应的多个通孔,所述通孔包括第一通孔和第二通孔,所述第一通孔为圆形通孔,所述第二通孔为圆角矩形通孔,其中,所述第二通孔的长边与其临近的所述边框的边线平行,沿所述边框的每个边线分别至少设置有一个所述第二通孔;
对所述边框进行表面处理,以至少使多个所述通孔的表面为粗糙表面;
将所述边框安装于所述中板之上,使所述第一焊接柱与其对应的所述第一通孔形成孔轴配合,以及,使所述第二焊接柱与其对应的所述第二通孔形成孔轴配合;
将所述边框与所述中板在各个所述焊接柱和所述通孔的配合处通过激光焊接连接成一体结构。
7.根据权利要求6所述的中框的制造方法,其特征在于,所述对所述中板进行皮膜处理,以至少使多个所述焊接柱的表面为粗糙表面,包括:所述对所述中板进行皮膜处理,以至少使多个所述焊接柱的表面满足表面光泽度小于20Gu。
8.根据权利要求6所述的中框的制造方法,其特征在于,对所述边框进行表面处理,以至少使多个所述通孔的表面为粗糙表面,包括:对所述边框进行化学打砂,以至少使多个所述通孔表面的表面粗糙度值在Ra3.2~Ra5之间。
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