CN115632100B - 一种矩阵式半导体的电路结构及其封装结构、发光装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开一种矩阵式半导体的电路结构及其封装结构、发光装置，其中矩阵式半导体的电路结构包括：第一电路板设有若干封装电极组件，封装电极组件包括第一电极和第二电极；第二电路板设有相互电性连接的若干第一连接端和若干第二连接端，第一连接端与第一电极电性连接；第三电路板的一侧设有若干第三连接端和若干第四连接端，若干第三连接端与若干第四连接端一一电性连接，第三电路板的另一侧设有用于连接外部电路的若干第三电极和若干第四电极；第三连接端与第三电极电性连接；第四连接端与第二电极电性连接；第四电极与第二连接端电性连接。本发明的技术方案涉及半导体技术领域，通过形成共阴或共阳电路连接，单独控制每个封装电极组件。

Description

一种矩阵式半导体的电路结构及其封装结构、发光装置

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种矩阵式半导体的电路结构及其封装结构、发光装置。

背景技术

我国汽车工业正在飞速发展的阶段，汽车使人们出行更方便、快捷和舒适、但与此同时，也给人们的生命安全埋下安全隐患，汽车交通事故频发，其中夜间交通事故的数量占了较大的比例，且夜间交通事故发生的主要原因是在正常行驶、两车交汇时或出现行人时，汽车前部的大灯亮度太亮导致被照射的人出现目眩和晃眼。因此需要改善大灯的照射区域和亮度，以提高夜间行车安全和降低交通事故率。

普通大灯只有两组灯组，一组为近光灯，另外一组为远光灯，为降低大灯的照射区域和亮度，一般采用矩阵式大灯代替普通大灯，矩阵式大灯目前的矩阵式大灯能够在各种路况之下清晰地照亮驾驶员前方的道路，每一个发光元件都能够独立调节亮度控制开关；矩阵式大灯的两组灯组当中又分出了很多组，灯珠都能够独立操控，灵活运用能够提高大灯的功能性与延展性，所以安装矩阵式大灯是比较有必要的。

不过目前矩阵式大灯对灯珠独立操控的电路系统相对比较复杂，加装过程中需要对多个硬件和软件同时改装才能正常运作，因此改装费用较昂贵，因此现有的矩阵式大灯存在结构复杂和运作成本高的问题。

发明内容

本发明的主要目的是提出一种矩阵式半导体的电路结，旨在现有的矩阵式大灯存在结构复杂和运作成本高的问题。

为实现上述目的，本发明提出的矩阵式半导体的电路结构，包括：

第一电路板，设有若干封装电极组件，所述封装电极组件包括第一电极和第二电极；所述第一电极和所述第二电极用于与发光件电性连接；

第二电路板，设有若干第一连接端和若干第二连接端，所述若干第一连接端与所述第二连接端电性连接，所述第一连接端与所述第一电极电性连接；

第三电路板，一侧设有若干第三连接端和若干第四连接端，所述若干第三连接端与所述若干第四连接端一一电性连接，所述第三电路板的另一侧设有若干第三电极和若干第四电极；所述若干第三连接端与所述若干第三电极一一电性连接；所述第四连接端与所述第二电极一一电性连接；所述第四电极与所述第二连接端电性连接；所述第三电极和所述第四电极用于连接外部电路。

优选地，所述矩阵式半导体的电路结构还包括若干第一连接件、若干第二连接件、若干第三连接件、若干第四连接件，所述第一连接件的两端分别与所述第一电极和所述第一连接端电性连接，所述第二连接件的两端分别与所述第二电极和所述第四连接端电性连接；所述第三连接件的两端分别与所述第三电极和第三连接端电性连接，所述第一连接件的两端分别与所述第四电极和所述第二连接端电性连接。

优选地，所述第一电路板、所述第二电路板、所述第三电路依次层叠，所述第一电极和所述第二电极设于所述第一电路板远离所述第二电路板的一侧；所述第三电极和所述第四电极设于所述第三电路板远离所述第二电路板的一侧。

优选地，所述矩阵式半导体的电路结构还包括第一通孔、第二通孔、第三通孔和第四通孔，所述第一通孔穿过所述第一电路板，所述第一通孔的内壁设有第一导电材料层，所述第一导电材料层形成所述第一连接件；所述第二通孔穿过所述第一电路板和所述第二电路板，所述第二通孔的内壁设有第二导电材料层，所述第二导电材料层形成所述第二连接件；所述第三通孔穿过所述第三电路板，所述第三通孔的内壁设有第三导电材料层，所述第三导电材料层形成所述第三连接件；所述第四通孔穿过所述第二电路板和所述第三电路板，所述第四通孔的内壁设有第四导电材料层，所述第四导电材料层形成所述第四连接件。

优选地，所述第一导电材料层、所述第二导电材料层、所述第三导电材料层和所述第四导电材料层的厚度取值范围为0.05mm~0.5mm。

优选地，所述封装电极组件等距排列设置；所述封装电极组件至少设有一排；和/或，

所述第一电路板设有封装电极组件的一侧设有若干挡板，所述挡板设于所述封装电极组件的四周。

本发明还提出一种矩阵式半导体的封装结构，包括如上所述的矩阵式半导体的电路结构，还包括发光件和封装罩，所述发光件与所述第一电极和所述第二电极电性连接，所述封装罩用于罩在所述发光件的外表面。

优选地，所述封装罩设有开口，所述开口与所述第一电极和所述第二电极的顶部密封连接；所述发光件靠近所述第一电路板的一侧设有第五电极和第六电极，所述第五电极和所述第一电极电性连接，所述第六电极与所述第二电极电性连接。

优选地，所述封装罩采用树脂材料和荧光转换材料制作而成；或，

所述封装罩采用树脂材料、玻璃材料、陶瓷材料和荧光转换材料制作而成。

本发明还提出一种发光装置，包括如上所述的矩阵式半导体的封装结构。

本发明的技术方案通过在第一电路板上设置封装电极组件，封装电极组件包括第一电极和第二电极，同时第二电路板上设有若干第一连接端和第二连接端，第三电路板的一侧设有若干第三连接端和若干第四连接端，所述第一电极和所述第二电极用于与发光件电性连接，若干封装电极组件的第一电极与若干第一连接端电性一一连接，若干第一连接端和若干第二连接端电性连接，若干第二连接端与若干第四电极电性连接；第二电极与第四连接端电性连接，若干第四连接端与若干第三连接端一一电性连接，若干第三连接端与若干第三电极一一连接，最后第三电极和第四电极连接外部电路，使若干封装电极组件之间实现整体共阴或共阳的电路连接，对每一个封装电极组件通电或断电，进而控制与封装电极组件电性连接的发光件单独点亮或熄灭；该电路使每一个发光件能够独立控制开关和调节亮度，具有灵活运用的特点，能够提高大灯的功能性与延展性，且该电路结构简单、容易实现，运行成本较低。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。

图1为本发明矩阵式半导体的电路结构一实施例的爆炸结构示意图。

图2为本发明矩阵式半导体的电路结构一实施例的截面结构示意图。

图3为本发明矩阵式半导体的电路结构另一实施例的爆炸结构示意图。

图4为本发明矩阵式半导体的电路结构另一实施例的截面结构示意图。

图5为本发明矩阵式半导体的电路结构再一实施例的结构示意图。

图6为本发明矩阵式半导体的电路结构一实施例的俯视排列结构示意图。

图7为本发明矩阵式半导体的电路结构另一实施例的俯视排列结构示意图。

图8为本发明矩阵式半导体的电路结构再一实施例的俯视排列结构示意图。

图9为本发明矩阵式半导体的电路结构又一实施例的俯视排列结构示意图。

图10为本发明矩阵式半导体的电路结构一实施例的另一视角的截面结构示意图。

图11为本发明矩阵式半导体的电路结构另一实施例的另一视角的截面结构示意图。

图12为本发明矩阵式半导体的电路结构又一实施例的另一视角的截面结构示意图。

附图标号说明：

标号	名称	标号	名称
				1	第一电路板	33	第三电极
11	封装电极组件	34	第四电极
				111	第一电极	35	第二导电电路
112	第二电极	4	第一连接件
				12	非发光区域	5	第二连接件
2	第二电路板	6	第三连接件
				21	第一连接端	7	第四连接件
22	第二连接端	8	挡板
				23	第一导电电路	9	发光件
3	第三电路板	91	第五电极
				31	第三连接端	92	第六电极
32	第四连接端	10	封装罩

本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

需要说明，若本发明实施例中有涉及方向性指示（诸如上、下、左、右、前、后……），则该方向性指示仅用于解释在某一特定姿态下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。

另外，若本发明实施例中有涉及“第一”、“第二”等的描述，则该“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，若全文中出现的“和/或”或者“及/或”，其含义包括三个并列的方案，以“A和/或B”为例，包括A方案、或B方案、或A和B同时满足的方案。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本发明要求的保护范围之内。

本发明提出一种矩阵式半导体的电路结构。

参照图1至图12，在本发明一实施例中，该矩阵式半导体的电路结构，包括第一电路板1、第二电路板2和第三电路板3，所述第一电路板1设有若干封装电极组件11，所述封装电极组件11包括第一电极111和第二电极112；所述第一电极111和所述第二电极112用于与发光件9电性连接；所述第二电路板2设有若干第一连接端21和若干第二连接端22，所述若干第一连接端21与所述第二连接端22电性连接，所述第一连接端21与所述第一电极111电性连接；所述第三电路板3的一侧设有若干第三连接端31和若干第四连接端32，所述若干第三连接端31与所述若干第四连接端32一一电性连接，所述第三电路板3的另一侧设有若干第三电极33和若干第四电极34；所述若干第三连接端31与所述若干第三电极33一一电性连接；所述第四连接端32与所述第二电极112一一电性连接；所述第四电极34与所述第二连接端22电性连接；所述第三电极33和所述第四电极34用于连接外部电路。

上述结构中，通过在第一电路板1上设置封装电极组件11，封装电极组件11包括第一电极111和第二电极112，同时第二电路板2上设有若干第一连接端21和若干第二连接端22，第三电路板3的一侧设有若干第三连接端31和若干第四连接端32，所述第一电极111和所述第二电极112用于与发光件9电性连接，若干封装电极组件11的第一电极111与若干第一连接端21电性一一连接，若干第一连接端21和若干第二连接端22电性连接，若干第二连接端22与若干第四电极34电性连接；第二电极112与第四连接端32电性连接，若干第四连接端32与若干第三连接端31一一电性连接，若干第三连接端31与若干第三电极33一一连接，最后第三电极33和第四电极34连接外部电路，使若干封装电极组件11之间实现整体共阴或共阳的电路连接，对每一个封装电极组件11通电或断电，进而控制与封装电极组件11电性连接的发光件9单独点亮或熄灭；该电路使每一个发光件9能够独立控制开关和调节亮度，具有灵活运用的特点，能够提高大灯的功能性与延展性，且该电路结构简单、容易实现，运行成本较低。

具体地，第二电路板2上印制有第一导电电路23，第一导电电路23用于连接若干第一连接端21和第二连接端22，第三电路板3设有若干第三连接端31和若干第四连接端32的一侧印制有第二导电电路35，第二导电电路35用于连接第三连接端31和第四连接端32。

具体地，第二连接端22的数量可为一个或多个，第四电极34的数量可为一个或多个；当第二连接端22的数量为一个时，第四电极34的数量也为一个，此时多个第一连接端21均与第二连接端22电性连接，第二连接端22与第四电极34电性连接。当第二连接端的数量为多个时，第四电极34的数量也为多个，且第二连接端22的数量与第四电极34的数量相等；此时多个第一连接端21与多个第二连接端22一一电性连接，多个第二连接端22与多个第四电极34一一电性连接。

优选地，所述第三电极33和所述第四电极34用于连接PLC的控制电路，通过PLC独立控制不同的封装电极组件11通电或断电，使相对应的发光件9实现流水式转向灯（延迟点亮）或者呼吸灯等效果。

优选地，所述矩阵式半导体的电路结构还包括若干第一连接件4、若干第二连接件5、若干第三连接件6、若干第四连接件7，所述第一连接件4的两端分别与所述第一电极111和所述第一连接端21电性连接，所述第二连接件5的两端分别与所述第二电极112和所述第四连接端32电性连接；所述第三连接件6的两端分别与所述第三电极33和第三连接端31电性连接，所述第四连接件7的两端分别与所述第四电极34和所述第二连接端22电性连接。

上述结构中，若干第一连接件4、若干第二连接件5、若干第三连接件6、若干第四连接件7用于使第一电路板1、第二电路板2和第三电路板3之间实现电路连接。

优选地，所述第一电路板1、所述第二电路板2、所述第三电路依次层叠，所述第一电极111和所述第二电极112设于所述第一电路板1远离所述第二电路板2的一侧；所述第三电极33和所述第四电极34设于所述第三电路板3远离所述第二电路板2的一侧。

上述结构中，第一电路板1、第二电路板2、第三电路依次层叠，可最大程度减少第一连接件4、第二连接件5、第三连接件6、第四连接件7的长度，同时，方便第一电路板1和第二电路板2电性连接、第一电路和第三电路电性连接，减少避免第一连接件4、第二连接件5、第三连接件6、第四连接件7相互之间出现连接干扰的情况。

优选地，所述矩阵式半导体的电路结构还包括第一通孔、第二通孔、第三通孔和第四通孔，所述第一通孔穿过所述第一电路板1，所述第一通孔的内壁设有第一导电材料层，所述第一导电材料层形成所述第一连接件4；所述第二通孔穿过所述第一电路板1和所述第二电路板2，所述第二通孔的内壁设有第二导电材料层，所述第二导电材料层形成所述第二连接件5；所述第三通孔穿过所述第三电路板3，所述第三通孔的内壁设有第三导电材料层，所述第三导电材料层形成所述第三连接件6；所述第四通孔穿过所述第二电路板2和所述第三电路板3，所述第四通孔的内壁设有第四导电材料层，所述第四导电材料层形成所述第四连接件7。

上述结构中，第一导电材料层用于连接第一电极111和第一连接端21，第二导电材料层用于连接第二电极112和第四连接端32；第三导电材料层用于连接第三电极33和第三连接端31，第四导电材料层用于连接第四电极34和所述第二连接端22电性连接。优选地，导电材料层具体为导电金属层，通过在第一电路板1、第二电路板2、第三电路板3上设置通孔，并在通孔内设置导电金属层以实现电连接，具有方便加工，同时节省材料，降低了生产成本；另外，简化第一电路板1、第二电路板2、第三电路板3之间的电连接结构，同时缩小了矩阵式半导体的电路结构的整体体积。

具体地，第一电极111与第一连接端21的位置相对应；第二电极112与第四连接端32的位置相对应；第三电极33与第三连接端31的位置相对；第四电极34和所述第二连接端22的位置相对应；第四电极34与第二连接端22的位置相对应。

优选地，第一电极111、第二电极112、第三电极33、第四电极34、第一导电电路和第二导电电路、第一导电材料层、第二导电材料层、第三导电材料层、第四导电材料层可采用Cu、Ni、Ti、W、Mo、Ag、Au等导电金属中一种或几种，或者上述导电金属的合金中一种或几种。

优选地，所述第一导电材料层、所述第二导电材料层、所述第三导电材料层和所述第四导电材料层的厚度取值范围为0.05mm~0.5mm。

上述结构中，导电材料层的厚度应大于0.05mm，以满足矩阵式半导体的电路结构的载流需求，另外，为避免通孔的直径过大而影响电路板的强度，导电材料层的厚度应小于0.5mm。

优选地，所述封装电极组件11等距排列设置；所述封装电极组件11至少设有一排。

上述结构中，如图6至图9所示，若干封装电极组件11可以排列为单行结构、单列结构、两行结构、两列结构、多行结构、多列结构，当若干封装电极组件11设置两排或以上时，相邻排之间的封装电极组件11可设置为对称式或非对称式，不限制若干封装电极组件11的具体排列方式。

优选地，如图3至图5所示，第一电路板1上设有封装电极组件11的区域为发光区域，其余为非发光区域12，第二电路板和第三电路板也对应地，设有发光区域和非发光区域12；当第三电极33和第四电极34位于第三电路板3的发光区域，具有缩小矩阵式半导体的电路结构体积的作用。

优选地，当第三电极33和第四电极34位于第三电路板3的非发光区域12的下方，方便在非发光区域12增设定位孔（图中未给出），以避免封装体装配偏移；另一方面，增设非发光区域12可增大电路的散热面积，进而提高电路结构的可靠性。

本发明的技术方案通过在第一电路板1上设置封装电极组件11，封装电极组件11包括第一电极111和第二电极112，同时第二电路板2上设有若干第一连接端21和第二连接端22，第三电路板3的一侧设有若干第三连接端31和若干第四连接端32，所述第一电极111和所述第二电极112用于与发光件9电性连接，若干封装电极组件11的第一电极111与若干第一连接端21电性一一连接，若干第一连接端21和第二连接端22电性连接，第二连接端22与第四电极34电性连接；第二电极112与第四连接端32电性连接，若干第四连接端32与若干第三连接端31一一电性连接，若干第三连接端31与若干第三电极33一一连接，最后第三电极33和第四电极34连接外部电路，使若干封装电极组件11之间实现整体共阴或共阳的电路连接，对每一个封装电极组件11通电或断电，进而控制与封装电极组件11电性连接的发光件9单独点亮或熄灭；该电路使每一个发光件9能够独立控制开关和调节亮度，具有灵活运用的特点，能够提高大灯的功能性与延展性，且该电路结构简单、容易实现，运行成本较低。

本发明还提出一种矩阵式半导体的封装结构，如图1至图12所示，该矩阵式半导体的封装结构包括矩阵式半导体的电路结构、发光件9和封装罩10，该矩阵式半导体的电路结构的具体结构参照上述实施例，由于本矩阵式半导体的封装结构采用了上述所有实施例的全部技术方案，因此至少具有上述实施例的技术方案所带来的所有有益效果，在此不再一一赘述。其中，所述矩阵式半导体的封装结构还包括发光件9和封装罩10，所述发光件9与所述第一电极111和所述第二电极112电性连接，所述封装罩10用于罩在所述发光件9的外表面；所述第一电路板1设有封装电极组件11的一侧设有若干挡板8，所述挡板8设于所述封装电极组件11的四周。

上述结构中，通过焊接工艺将发光件9焊接至封装电极组件11上，使发光件9封装电极组件11之间实现电连接和固定，封装电极组件11呈矩阵式排布，该矩阵式半导体电路结构方便后续快速装配。设置挡板8利于在封装电机组件上焊接发光件9时进行定位，使发光件9在焊接时不易产生偏移，具有使封装电极组件11中的发光件9实现准直出光的作用；另外，挡板8的高度至少大于发光件9的高度，挡板8具有阻挡相邻的发光件9产生光干扰的作用。

优选地，如图12所示，所述封装罩10设有开口，所述开口与所述第一电极111和所述第二电极112的顶部密封连接；所述发光件9靠近所述第一电路板1的一侧设有第五电极91和第六电极92，所述第五电极91和所述第一电极111电性连接，所述第六电极92与所述第二电极112电性连接。

上述结构中，挡板8的高度大于封装罩10的高度，以确保挡板8的挡光作用，发光件9通过第五电极91和第一电极111焊接、第六电极92和第二电极112焊接，使得发光件9与封装电极组件11之间实现电性连接和固定。

优选地，如图10所示，封装罩10与挡板8之间设有间距，便于安装发光件9和封装罩1。或如图12所示，挡板8靠近发光件9的一侧支撑杆，封装罩10设于发光件上方，与支撑杆的上端用于连接封装罩10底部。

优选地，所述封装罩10采用树脂材料和荧光转换材料，或采用树脂材料、玻璃材料、陶瓷材料和荧光转换材料制作而成。

上述结构中，采用树脂材料制作成预设形状的罩体，荧光转换材料设置于罩体的外表面以形成封装罩10；或采用树脂材料、玻璃材料、陶瓷材料混合并制作成预设形状的罩体，荧光转换材料设置罩体的外表面以形成封装罩10。

本发明还提出一种发光装置，该发光装置包括矩阵式半导体的封装结构，该矩阵式半导体的封装结构的具体结构参照上述实施例，由于本发光装置采用了上述所有实施例的全部技术方案，因此至少具有上述实施例的技术方案所带来的所有有益效果，在此不再一一赘述。

以上所述仅为本发明的优选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是在本发明的发明构思下，利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (10)

1.一种矩阵式半导体的电路结构，其特征在于，包括：

第一电路板，设有若干封装电极组件，所述封装电极组件包括第一电极和第二电极；所述第一电极和所述第二电极用于与发光件电性连接；

第二电路板，设有若干第一连接端和若干第二连接端，所述第一连接端与所述第二连接端电性连接，所述第一连接端与所述第一电极电性连接；

第三电路板，一侧设有若干第三连接端和若干第四连接端，所述若干第三连接端与所述若干第四连接端一一电性连接，所述第三电路板的另一侧设有若干第三电极和若干第四电极；所述若干第三连接端与所述若干第三电极一一电性连接；所述第四连接端与所述第二电极一一电性连接；所述第四电极与所述第二连接端电性连接；所述第三电极和所述第四电极用于连接外部电路。

2.如权利要求1所述的矩阵式半导体的电路结构，其特征在于，还包括若干第一连接件、若干第二连接件、若干第三连接件、若干第四连接件，所述第一连接件的两端分别与所述第一电极和所述第一连接端电性连接，所述第二连接件的两端分别与所述第二电极和所述第四连接端电性连接；所述第三连接件的两端分别与所述第三电极和第三连接端电性连接，所述第一连接件的两端分别与所述第四电极和所述第二连接端电性连接。

3.如权利要求2所述的矩阵式半导体的电路结构，其特征在于，所述第一电路板、所述第二电路板、所述第三电路依次层叠，所述第一电极和所述第二电极设于所述第一电路板远离所述第二电路板的一侧；所述第三电极和所述第四电极设于所述第三电路板远离所述第二电路板的一侧。

4.如权利要求3所述的矩阵式半导体的电路结构，其特征在于，还包括第一通孔、第二通孔、第三通孔和第四通孔，所述第一通孔穿过所述第一电路板，所述第一通孔的内壁设有第一导电材料层，所述第一导电材料层形成所述第一连接件；所述第二通孔穿过所述第一电路板和所述第二电路板，所述第二通孔的内壁设有第二导电材料层，所述第二导电材料层形成所述第二连接件；所述第三通孔穿过所述第三电路板，所述第三通孔的内壁设有第三导电材料层，所述第三导电材料层形成所述第三连接件；所述第四通孔穿过所述第二电路板和所述第三电路板，所述第四通孔的内壁设有第四导电材料层，所述第四导电材料层形成所述第四连接件。

5.如权利要求4所述的矩阵式半导体的电路结构，其特征在于，所述第一导电材料层、所述第二导电材料层、所述第三导电材料层和所述第四导电材料层的厚度取值范围为0.05mm~0.5mm。

6.如权利要求1至5中任意一项所述的矩阵式半导体的电路结构，其特征在于，所述封装电极组件等距排列设置；所述封装电极组件至少设有一排。

7.一种矩阵式半导体的封装结构，其特征在于，包括如权利要求1至6中任意一项所述的矩阵式半导体的电路结构，还包括发光件和封装罩，所述发光件与所述第一电极和所述第二电极电性连接，所述封装罩用于罩在所述发光件的外表面；所述第一电路板设有封装电极组件的一侧设有若干挡板，所述挡板设于所述封装电极组件的四周。

8.如权利要求7所述的矩阵式半导体的封装结构，其特征在于，所述封装罩设有开口，所述开口与所述第一电极和所述第二电极的顶部密封连接；所述发光件靠近所述第一电路板的一侧设有第五电极和第六电极，所述第五电极和所述第一电极电性连接，所述第六电极与所述第二电极电性连接。

9.如权利要求7所述的矩阵式半导体的封装结构，其特征在于，所述封装罩采用树脂材料和荧光转换材料制作而成；或，

所述封装罩采用树脂材料、玻璃材料、陶瓷材料和荧光转换材料制作而成。

10.一种发光装置，其特征在于，包括权利要求7至9中任意一项所述的矩阵式半导体的封装结构。

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