CN115551676A - 晶片外周部的研磨装置 - Google Patents
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Abstract
本发明的晶片外周部的研磨装置（1）包括：工作台（11），将圆盘状晶片（31）保持为水平；旋转驱动部（12），将工作台（11）以其中心轴为旋转轴旋转；研磨头（13、14、15及16），在内周面安装有研磨垫（21、22、23、24、25、26、27及28）；及研磨头驱动机构（30），使研磨垫（21～28）抵接于晶片（31）的外周部（41），一边对晶片（31）的外周部（41）施加规定的研磨压力，一边向相对于晶片（31）的中心轴倾斜的方向或铅垂方向，滑动研磨头（13～16）。在研磨头（13～16）的内周面上，沿铅垂方向安装有物理参数不同的2种以上的研磨垫（21～28）。
Description
技术领域
本发明有关一种使研磨垫与旋转中的圆盘状晶片的外周部接触而进行研磨的晶片外周部的研磨装置。
背景技术
通常，半导体晶片等圆盘状晶片在镜面研磨其上表面及下表面的同时，也镜面研磨其外周部。如图4所示，晶片的外周部在圆盘状晶片31的外缘部形成为梯形或圆弧状。晶片31的外周部41也称作倒角部或边缘部。
图4所示的晶片31的外周部41呈梯形，其由上斜面51、下斜面52及端面53构成。在晶片31的外缘部中，上斜面51相对于晶片31的上表面31A向下表面31B侧倾斜而形成。
在晶片31的外缘部，下斜面52相对于晶片31的下表面31B向上表面31A侧倾斜而形成。端面53在上斜面51与下斜面52之间，沿相对于晶片31的中心轴平行的方向而形成。所谓外周部41的研磨，是指研磨所述上斜面51、所述下斜面52及所述端面53。
以往的晶片外周部的研磨装置中有如下晶片外周部的研磨装置：其具有：晶片把持机构，把持晶片；晶片旋转机构，旋转把持的晶片；研磨头，具有安装有研磨垫的研磨面；及研磨液含浸机构，使研磨液（浆料）含浸至研磨垫的内部。在该晶片外周部的研磨装置中，配置为使安装至研磨头且在内部含浸了浆料的研磨垫与晶片外周部相对接触（例如，参考专利文献1）。
并且，以往的晶片外周部的研磨装置中有如下晶片外周部的研磨装置：其包括：夹盘机构，夹住晶片并使其以晶片中心轴为旋转轴旋转；一对上斜面研磨构件，研磨晶片的上斜面；下斜面研磨构件，研磨晶片的下斜面；及端面研磨构件，研磨晶片的端面。一对上斜面研磨构件夹着夹盘机构配置在相向位置，下斜面研磨构件在一对上斜面研磨构件之间，被配置为朝向夹盘机构，端面研磨构件在一对上斜面研磨构件之间，被配置为朝向夹盘机构。并且，该晶片外周部的研磨装置包括荷载机构，将朝向晶片的上斜面、下斜面及端面的研磨压力施加于各个研磨构件（例如，参考专利文献2）。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2015-207658号公报
专利文献2：日本特开2003-257901号公报。
发明内容
发明所要解决的技术问题
通过使用研磨垫研磨晶片的外周部，将晶片的外周部调整为规定的表面粗糙度Ra。晶片的外周部的表面粗糙度Ra根据所使用的研磨垫的硬度及压缩率而不同。关于晶片的外周部的表面粗糙度Ra，例如在使用具有低硬度的研磨垫时变小，在使用具有大压缩率的研磨垫时也变小。
一般而言，当研磨晶片的上表面及下表面时，在粗研磨用研磨装置中使用具有高硬度（硬质）的研磨垫，而在精研磨用研磨装置中使用具有低硬度（软质）的研磨垫。
当研磨晶片的外周部时，例如在使用软质研磨垫的情况下，有时发生该研磨垫不只是作为研磨对象的晶片的外周部，还会环绕至晶片表面侧（上表面侧、下表面侧）而进行研磨的过度抛光现象。在发生过度抛光时，由于产生晶片的外周部厚度变薄的边缘塌边（edge roll off）之类的不良，因此晶片的上表面及下表面的平坦度恶化。并且，在使用软质研磨垫时，由于研磨速度慢，因此生产性差，但能够减小表面粗糙度Ra。
另一方面，当研磨晶片的外周部时，在使用硬质研磨垫的情况下，由于研磨速度快，因此生产性优异，同时可抑制研磨垫环绕至晶片的表面侧，能够降低所述过度抛光的发生。但是，在使用硬质研磨垫的情况下，晶片的外周部表面，比起使用软质研磨垫的情况，表面粗糙度Ra较大。
关于这点，考虑当使用1台研磨装置进行粗研磨及精研磨时，使用硬质研磨垫来粗研磨后，从研磨头卸下硬质研磨垫，并将软质研磨垫安装至研磨头，从而进行精研磨。但是，需要更换研磨垫的操作，导致生产性下降。
并且，考虑分别设置粗研磨专用的研磨装置及精研磨专用的研磨装置。但是，该情况下，由于在两装置间需要用于交接晶片的晶片输送机构，因此耗费制造成本的同时，操作效率（周期时间）下降，生产性也下降。
本发明将解决所述各种问题作为课题的一例，其目的在于提供一种能够解决这些课题的晶片外周部的研磨装置。
用于解决技术问题的方案
本发明的晶片外周部的研磨装置的特征在于包括：圆盘状工作台，将圆盘状晶片保持为水平；旋转驱动部，使所述工作台以其中心轴为旋转轴旋转；1个以上的研磨头，在内周面安装有研磨垫；及研磨头驱动机构，使所述研磨垫抵接于所述晶片的外周部，一边对所述晶片的所述外周部施加规定的研磨压力，一边向相对于所述晶片的中心轴倾斜的方向或铅垂方向，滑动所述研磨头，在所述研磨头的所述内周面上，沿所述研磨头的铅垂方向安装有物理参数不同的2种以上的所述研磨垫。
本发明的晶片外周部的研磨装置的特征在于，所述研磨头驱动机构在1次研磨工序中，在所述物理参数相同的所述研磨垫内，滑动所述研磨头。
本发明的晶片外周部的研磨装置的特征在于，所述研磨头的所述内周面能够靠近、远离所述晶片的所述外周部，并呈沿所述外周部的周向的弧状。
本发明的晶片外周部的研磨装置的特征在于，所述研磨头包括：第1研磨头，研磨构成所述晶片的所述外周部的下斜面；第2研磨头，研磨构成所述晶片的所述外周部的上斜面；及第3及第4研磨头，夹着所述晶片相向设置且研磨构成所述晶片的所述外周部的端面，所述研磨头驱动机构使所述第1至第4研磨头抵接于所述晶片的所述外周部，一边对所述晶片的所述外周部施加规定的研磨压力，一边使所述第1研磨头向沿所述下斜面的方向、使所述第2研磨头向沿所述上斜面的方向、使第3及第4研磨头向所述晶片的铅垂方向同时滑动。
本发明的晶片外周部的研磨装置的特征在于，所述研磨垫由安装至所述内周面的上部的研磨垫及安装至所述内周面的下部的研磨垫构成，安装至所述内周面的下部的所述研磨垫的压缩率比安装至所述内周面的上部的所述研磨垫的压缩率大。
本发明的晶片外周部的研磨装置的特征在于，所述研磨垫由安装至所述内周面的上部的研磨垫及安装至所述内周面的下部的研磨垫构成，安装至所述内周面的下部的所述研磨垫的硬度比安装至所述内周面的上部的所述研磨垫的硬度低。
本发明的晶片外周部的研磨装置的特征在于，安装至所述内周面的上部的所述研磨垫的所述铅垂方向上的长度或沿所述研磨头的内周面的斜面的长度，比安装至所述内周面的下部的所述研磨垫的所述铅垂方向上的长度或沿所述研磨头的内周面的斜面的长度长。
根据本发明，不会降低操作效率（周期时间），能够抑制发生过度抛光，同时还能够改善晶片外周部表面的粗糙度。
附图说明
图1是表示本发明的一实施方式的晶片外周部的研磨装置的结构的一例的概念图。
图2是图1的A-A’剖视图。
图3是图1的B-B’剖视图。
图4是表示晶片外周部形状的一例的部分剖视图。
具体实施方式
以下，参考附图对用于实施本发明的方式进行说明。
[晶片外周部的研磨装置的结构]
图1是表示本发明的一实施方式的晶片外周部的研磨装置1的结构的一例的概念图，图2是图1的A-A’剖视图，图3是图1的B-B’剖视图。
晶片外周部的研磨装置1包括工作台11、旋转驱动部12、研磨头13、14、15及16、第1研磨垫21、22、23及24、第2研磨垫25、26、27及28、喷嘴29以及研磨头驱动机构30。另外，在图1中，未示出工作台11、旋转驱动部12、第2研磨垫27及28、喷嘴29及研磨头驱动机构30。
图2及图3所示的工作台11大致呈圆盘状。工作台11通过真空吸附晶片31的下表面31B或者以静电粘附晶片31的下表面31B而将晶片31保持为水平。不特别限定工作台11的直径，但研磨直径300mm的晶片31的外周部41时能够设为280±10mm左右，研磨直径450mm的晶片31的外周部41时能够设为430±10mm左右。旋转驱动部12安装至工作台11的中心部下部，使工作台11以其中心轴为旋转轴旋转。
研磨头13能够靠近、远离晶片31的外周部41，具有呈沿外周部41的周向的弧状的内周面，在该内周面的上部安装有第1研磨垫21，在所述内周面的下部安装有第2研磨垫25，研磨构成晶片31的外周部41的下斜面52（参考图4）。
研磨头14能够靠近、远离晶片31的外周部41，具有呈沿外周部41的周向的弧状的内周面，在该内周面的上部安装有第1研磨垫22，在所述内周面的下部安装有第2研磨垫26，研磨构成晶片31的外周部41的上斜面51（参考图4）。
研磨头15能够靠近、远离晶片31的外周部41，具有呈沿外周部41的周向的弧状的内周面，在该内周面的上部安装有第1研磨垫23，在所述内周面的下部安装有第2研磨垫27，研磨构成晶片31的外周部41的端面53（参考图4）。
研磨头16能够靠近、远离晶片31的外周部41，具有呈沿外周部41的周向的弧状的内周面，在该内周面的上部安装有第1研磨垫24，在所述内周面的下部安装有第2研磨垫28，研磨构成晶片31的外周部41的端面53（参考图4）。
关于研磨头13、14、15及16，为了使其与晶片31的外周部41的接触面积成为最大，沿着外周部41配置。
当统称第1研磨垫21、22、23及24和第2研磨垫25、26、27及28时，简称为研磨垫。
作为研磨垫的种类，例如有无纺布类、发泡聚氨酯类、绒面革类等。无纺布类例如在聚酯毛毡中含浸聚氨酯树脂。绒面革类例如为在聚酯毛毡中含浸有聚氨酯的基材中，在所述聚氨酯内生长发泡层，除去表面部位，并在发泡层中设置开口部而成的层（将该层称作绒毛层）。在绒毛层内储存研磨液。
作为研磨垫的物理参数，例如有硬度、压缩率、厚度等。所谓压缩率，是指在对规定形状的成形体施加恒定的荷载时缩小的比例。研磨垫的硬度的主要测量方法是以下所示的（1）及（2），压缩率的主要测量方法是以下所示的（3）。
（1）硬度（JIS）
硬度（JIS）按照基于日本工业规格（JIS K7312-1996）的类型A的硬度测试进行测量。
（2）硬度（ASKER）
以ASKER C硬度计测量硬度（ASKER）。
（3）压缩率（JIS）
压缩率（JIS）按照日本工业规格（JIS L 1021）并使用购物者型厚度测量器（加压面：直径1cm的圆形）来进行测量。具体而言，测量以初荷载加压30秒后的厚度t0，接着测量在最终压力下放置5分钟后的厚度t1。利用这些测量数据并根据式（1）算出压缩率。此时，初荷载是100g/cm2，最终荷载为1120g/cm2。
压缩率（%）=（t0-t1）/t0×100…（1）
关于研磨垫的具体例，示于表1。
[表1]
| 类型 | 硬度 | 压缩率 |
| 无纺布 | 50～92（ASKER） | 3.5～11 |
| 发泡聚氨酯 | 80～88（JIS） | 1.4～3.4 |
| 绒面革 | 50～80（JIS） | 8.5～40 |
在本实施方式中，晶片31的外周部41的粗研磨到精研磨使用1台研磨装置进行。第1研磨垫21、22、23及24使用具有相同物理参数的研磨垫。并且，第2研磨垫25、26、27及28使用具有相同物理参数的研磨垫。
另一方面，第1研磨垫21与第2研磨垫25使用物理参数互不相同的研磨垫。同样地，第1研磨垫22与第2研磨垫26、第1研磨垫23与第2研磨垫27及第1研磨垫24与第2研磨垫28使用物理参数互不相同的研磨垫。
关于第1研磨垫21、22、23及24与对应的第2研磨垫25、26、27及28的组合，只要根据对于研磨后的晶片31的外周部41的表面粗糙度Ra使用者所要求的规格，从具有表1所示的物理参数的研磨垫中选择即可。
当将硬度作为基准时，第1研磨垫21、22、23及24选择具有比第2研磨垫25、26、27及28高的硬度的研磨垫。并且，当将压缩率作为基准时，第1研磨垫21、22、23及24选择具有比第2研磨垫25、26、27及28小的压缩率的研磨垫。第1研磨垫21、22、23及24与第2研磨垫25、26、27及28的组合也可以从相同种类的研磨垫中选择物理参数不同的研磨垫。
以下，对采用前述研磨垫的安装方法的理由进行说明。具有低硬度或大压缩率的研磨垫由于容易恶化，因此晶片31的外周部41在研磨中容易产生从研磨垫主体分离的分离屑。
因此，在研磨头13、14、15及16的内周面上部安装具有低硬度或大压缩率的研磨垫的情况下，当研磨下一晶片31的外周部41时，前述分离屑有可能成为使该晶片31的外周部41的研磨精确度恶化的原因之一。
这点，在研磨头13、14、15及16的内周面的上部安装具有高硬度或小压缩率的研磨垫的情况下，在晶片31的外周部41的研磨中，研磨屑从晶片31的外周部41本身分离。
但是，在晶片31的外周部41的研磨中，从晶片31上方经常供给的研磨液除去大部分的前述研磨屑，残留的前述研磨屑细微且其材质与晶片31相同，因此认为能够忽视研磨晶片31的外周部41时的前述研磨屑的影响。
相对于此，关于具有低硬度或大压缩率的研磨垫的前述分离屑，由于材质为与晶片31不同种类的材质，因此认为比起前述研磨屑，研磨晶片31的外周部41时的影响更大。
接着，对第1研磨垫21、22、23及24和第2研磨垫25、26、27及28的尺寸进行说明。研磨端面53的第1研磨垫23、24的长度优选设在对应的研磨头15、16的内周面的铅垂方向上的长度的60%～90%范围内。研磨下斜面52的第1研磨垫21及研磨上斜面51的第1研磨垫22的长度优选设在对应的研磨头13、14的内周面的斜面长度的60%～90%范围内。
在此，所谓第1研磨垫23、24及第2研磨垫27、28的长度，是指铅垂方向上的长度。另一方面，所谓第1研磨垫21、22及第2研磨垫25、26中的前述长度，是指沿对应的研磨头13、14的内周面的斜面的长度。
前述长度的范围的下限考虑第1研磨工作量，并且为了延长具有高硬度或小压缩率的研磨垫的寿命，前述长度的范围的上限用于考虑第2研磨工作量。
研磨端面53的第2研磨垫27、28的长度优选设在对应的研磨头15、16的内周面的铅垂方向上的长度的40%～10%范围内。研磨下斜面52的第2研磨垫25及研磨上斜面51的第2研磨垫26的长度优选设在对应的研磨头13、14的内周面的斜面长度的40%～10%范围内。前述长度的范围的下限用于考虑第2研磨工作量，前述长度的范围的上限用于考虑第1研磨与第2研磨间的工作量的平衡。
如图2及图3所示，在工作台11的大致中央部上方设置有用于将研磨液（浆料）供给至晶片31的大致中心的喷嘴29。通过安装有晶片31的工作台11以其中心轴为旋转轴并被旋转驱动部12旋转，从喷嘴29供给的研磨液由于离心力在晶片31的上表面31A向外周部41流动，从而供给至作为研磨对象的晶片31的外周部41。
使用第1研磨垫21、22、23及24时，作为研磨液，优选使用含有磨粒的碱性水溶液。其中，特别优选作为磨粒使用平均粒径为50nm的胶体二氧化硅（SiO2），而作为碱性水溶液使用pH10～11左右的氢氧化钾（KOH）水溶液。
另一方面，使用第2研磨垫25、26、27及28时，作为研磨液，优选使用不含有磨粒的碱性水溶液。其中，特别优选作为碱性水溶液使用pH10～11左右的氢氧化钾（KOH）水溶液。并且，优选研磨液中添加有聚合物。
图2及图3所示的研磨头驱动机构30，向朝向工作台11的中心轴的方向及从工作台11的中心轴远离的方向水平移动研磨头13、14、15及16，并且也向铅垂方向上下移动研磨头13、14、15及16。当研磨构成晶片31的外周部41的上斜面51及下斜面52时，研磨头驱动机构30以上斜面51及下斜面52对晶片31的上表面31A及下表面31B形成所期望的角度的方式，对于研磨头13、14使水平移动及上下移动联动（参考图2的斜箭头）。
研磨头驱动机构30由向上下及水平方向自由移动的滑动构件、驱动这些的滚珠丝杠、其他直线驱动机构构成。直线驱动机构能够利用步进马达等控制驱动量。
前述研磨头驱动机构30通过使研磨头13、14、15及16同时向朝向工作台11的中心轴的方向水平移动，使第1研磨垫21、22、23及24或者第2研磨垫25、26、27及28抵接于被保持在旋转的工作台11的晶片31的外周部41，一边对晶片31的外周部41施加规定的研磨压力，一边向相对于晶片31的中心轴倾斜的方向或铅垂方向，同时滑动而研磨晶片31的外周部41。
[晶片外周部的研磨方法]
接着，对使用具有前述结构的晶片外周部的研磨装置1的晶片外周部的研磨方法的一例进行说明。首先，使工作台11水平保持晶片31的下表面31B。
接着，从喷嘴29对晶片31的大致中心供给研磨液的同时，由旋转驱动部12以规定转速（例如10rpm）旋转工作台11及晶片31，并由研磨头驱动机构30以规定的加工荷载使研磨头13、14、15及16的第1研磨垫21、22、23及24分别同时抵接于晶片31的外周部41的对应的部位，进行晶片31的外周部41的第1研磨加工。
此时，研磨头驱动机构30在第1研磨垫21、22的沿内周面斜面的长度及第1研磨垫23、24的铅垂方向上的长度范围内，使研磨头13、14、15及16向各自的长度方向滑动。换言之，研磨头驱动机构30在第1研磨中，在物理参数相同的第1研磨垫21、22、23及24内，使研磨头13、14、15及16滑动。如此一来，能够延长第1研磨垫21、22、23及24的寿命。
该第1研磨的加工时间例如为40～50秒左右。并且，研磨头13、14、15及16的滑动次数例如为往返2～3次。
由此，分别以第1研磨垫21研磨晶片31的外周部41的下斜面52，以第1研磨垫22研磨外周部41的上斜面51，以第1研磨垫23、24研磨外周部41的端面53。
接着，从喷嘴29对晶片31的大致中心供给研磨液的同时，由旋转驱动部12以规定转速（例如10rpm）旋转工作台11及晶片31，并由研磨头驱动机构30以规定的加工荷载使研磨头13、14、15及16的第2研磨垫25、26、27及28分别同时抵接于晶片31的外周部41的对应的部位，进行晶片31的外周部41的第2研磨加工。
此时，研磨头驱动机构30在第2研磨垫25及26的沿内周面斜面的长度及第2研磨垫27及28的铅垂方向上的长度范围内，使研磨头13、14、15及16向各自的长度方向滑动。换言之，研磨头驱动机构30在第2研磨中，在物理参数相同的第2研磨垫25、26、27及28内，使研磨头13、14、15及16滑动。如此一来，能够延长第2研磨垫25、26、27及28的寿命。
该第2研磨的加工时间例如为5～10秒左右。并且，研磨头13、14、15及16的滑动次数例如为往返1～2次。
由此，分别以第2研磨垫25研磨晶片31的外周部41的下斜面52，以第2研磨垫26研磨外周部41的上斜面51，以第2研磨垫27、28研磨外周部41的端面53。
[本实施方式的作用效果]
如以上说明，在前述实施方式中，能够实现以下所示的效果。
1）在第1研磨中，作为第1研磨垫21、22、23及24，使用具有高硬度或小压缩率的研磨垫，因此第1研磨时可降低研磨垫21、22、23及24向晶片31沉入。
因此，能够抑制第1研磨垫21、22、23及24环绕至晶片31的上表面31A侧或下表面31B侧。作为结果，在该第1研磨中，能够降低发生过度抛光，也可除去在前工序中产生的损伤及压痕。并且，由于研磨速度快，因此生产性优异。
2）在第2研磨中，第1研磨结束后，立即以安装至研磨头13、14、15及16的内周面的下部的第2研磨垫25、26、27及28研磨晶片31的外周部41。即，在本实施方式中，不必从研磨头13、14、15及16卸下第1研磨垫21、22、23及24，并将第2研磨垫25、26、27及28安装至研磨头13、14、15及16，或者由晶片输送机构将第1研磨结束的晶片输送至第2研磨专用的研磨装置。因此，能够削减制造成本，并且由于操作效率（周期时间）提高，因此生产性提高。
3）在本实施方式中，第1研磨的加工时间是40～50秒左右，第2研磨的加工时间是5～10秒左右，能够将晶片31的外周部41的表面粗糙度Ra设为0.4以下，并且能够尽量降低过度抛光的发生，也能够抑制生产性的降低。
4）在本实施方式中，由于在第2研磨中在研磨液内添加聚合物，因此第2研磨时能够提高晶片31的外周部41的润湿性。
[其他实施方式]
以上，参考附图对本发明的实施方式进行了详细说明，但具体的结构并不限于这些实施方式，即使有不脱离本发明的主旨的范围的设计变更等也包含在本发明内。
在前述实施方式中，没有特别说明晶片31的旋转方向，但在第1研磨时及第2研磨时，均可以进行向顺时针方向旋转晶片31及向逆时针方向旋转晶片31。
在前述实施方式中，示出了研磨垫为2种的例子，但并不限定于此，也可以为3种以上。当采用这种结构时，例如关于晶片31的外周部41的表面粗糙度Ra，使用者要求比现在更严格的条件时，能够通过使用2种以上的第2研磨垫进行多次第2研磨来应付。
在前述实施方式中，例示了在工作台11的大致中央部上方设置用于将研磨液供给至晶片31的中心的喷嘴29，但并不限定于此。例如，也可以在各研磨头13、14、15及16的上方分别设置前述喷嘴29，在研磨外周部41前，只对第1研磨垫21、22、23、24及第2研磨垫25、26、27、28供给并含浸研磨液。
在前述实施方式中，示出了各设置1个研磨外周部41的下斜面52的研磨头13及研磨外周部41的上斜面51的研磨头14的同时，设置研磨外周部41的端面53的一对研磨头15、16的例子，但并不限定于此。例如，也可以设置多个研磨头13、14的同时，设置多对研磨头15、16。
在前述实施方式中，示出了在第2研磨时的研磨液内添加聚合物的例子，但也可以在第2研磨时的研磨液内添加聚合物。
在前述实施方式中，示出了将本发明应用于图1～图3所示的研磨装置的例子，但并不限定于此。本发明例如也能够应用于日本特开2003-257901号公报（专利文献2）中记载的研磨装置。
在专利文献2中记载的研磨装置中，一对上斜面研磨构件配置在被夹盘机构保持的晶片的直径方向两侧的相向的位置上，同时使各个中心轴相对于晶片的中心轴倾斜，将各上斜面研磨构件的操作面配置成完全接触晶片的上斜面。前述研磨装置在研磨时，在上斜面研磨构件的操作面线接触晶片的上斜面的状态下，研磨该上斜面。下斜面研磨构件配置在一对上斜面研磨构件之间，在研磨时，在下斜面研磨构件的操作面线接触晶片的下斜面的状态下，研磨该下斜面。
附图标记说明
1-晶片外周部的研磨装置，11-工作台，12-旋转驱动部，13、14、15、16-研磨头，21、22、23、24-第1研磨垫，25、26、27、28-第2研磨垫，29-喷嘴，30-研磨头驱动机构，31-晶片，31A-上表面，31B-下表面，41-外周部，51-上斜面，52-下斜面，53-端面。
Claims (7)
1.一种晶片外周部的研磨装置，其特征在于，包括：
圆盘状工作台，将圆盘状晶片保持为水平；
旋转驱动部，使所述工作台以其中心轴为旋转轴旋转；
一个以上的研磨头，在内周面安装有研磨垫；及
研磨头驱动机构，使所述研磨垫抵接于所述晶片的外周部，一边对所述晶片的所述外周部施加规定的研磨压力，一边向相对于所述晶片的中心轴倾斜的方向或铅垂方向，滑动所述研磨头，
在所述研磨头的所述内周面上，沿所述研磨头的铅垂方向安装有物理参数不同的2种以上的所述研磨垫。
2.根据权利要求1所述的晶片外周部的研磨装置，其特征在于，
所述研磨头驱动机构在1次研磨工序中，在所述物理参数相同的所述研磨垫内，滑动所述研磨头。
3.根据权利要求1或2所述的晶片外周部的研磨装置，其特征在于，
所述研磨头的所述内周面能够靠近、远离所述晶片的所述外周部，并呈沿所述外周部的周向的弧状。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的晶片外周部的研磨装置，其特征在于，
所述研磨头包括：
第1研磨头，研磨构成所述晶片的所述外周部的下斜面；
第2研磨头，研磨构成所述晶片的所述外周部的上斜面；及
第3及第4研磨头，夹着所述晶片相向设置且研磨构成所述晶片的所述外周部的端面，
所述研磨头驱动机构使所述第1至第4研磨头抵接于所述晶片的所述外周部，一边对所述晶片的所述外周部施加规定的研磨压力，一边使所述第1研磨头向沿所述下斜面的方向、使所述第2研磨头向沿所述上斜面的方向、使所述第3及第4研磨头向所述晶片的铅垂方向同时滑动。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的晶片外周部的研磨装置，其特征在于，
所述研磨垫由安装至所述内周面的上部的研磨垫及安装至所述内周面的下部的研磨垫构成，
安装至所述内周面的下部的所述研磨垫的压缩率比安装至所述内周面的上部的所述研磨垫的压缩率大。
6.根据权利要求1～4中任一项所述的晶片外周部的研磨装置，其特征在于，
所述研磨垫由安装至所述内周面的上部的研磨垫及安装至所述内周面的下部的研磨垫构成，
安装至所述内周面的下部的所述研磨垫的硬度比安装至所述内周面的上部的所述研磨垫的硬度低。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的晶片外周部的研磨装置，其特征在于，
安装至所述内周面的上部的所述研磨垫的所述铅垂方向上的长度或沿所述研磨头的内周面的斜面的长度，比安装至所述内周面的下部的所述研磨垫的所述铅垂方向上的长度或沿所述研磨头的内周面的斜面的长度长。
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