JP6565780B2 - ウェーハ端面研磨パッド、ウェーハ端面研磨装置、及びウェーハ端面研磨方法 - Google Patents

ウェーハ端面研磨パッド、ウェーハ端面研磨装置、及びウェーハ端面研磨方法 Download PDF

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Description

本発明は、ウェーハ端面研磨パッド、ウェーハ端面研磨装置、及びウェーハ端面研磨方法に関する。
シリコンウェーハ等の半導体等、種々の材質からなるポリッシュト・ウェーハの製造工程の一つに、ウェーハのおもて面と裏面とに挟まれるウェーハ端面を研磨する工程がある。このウェーハ端面研磨工程は、例えば特許文献1に記載されるような研磨装置を用いて、本願図8に模式的に示すようにして行う。
図8を参照して、ウェーハWは、回転可能なステージ60に真空吸着して保持される。ステージの主表面にはウェーハ保持パッド62が設けられる。ウェーハ端面と接触可能な位置には、三種類のウェーハ端面研磨パッド(研磨布)70A,70B,70Cが配置される。研磨パッド70Aは、ウェーハの端面のうち、ウェーハの吸着面と隣接する下ベベル領域を研磨する。研磨パッド70Bは、ウェーハの端面のうち、ウェーハの吸着面と反対側の面と隣接する上ベベル領域を研磨する。研磨パッド70Cは、ウェーハの端面のうち、下ベベル領域と上ベベル領域とに挟まれた最外周領域を研磨する。図8では模式的にこれら研磨パッドを重ねて描いているが、実際にはウェーハ外周方向に沿った異なる位置に配置されている。ノズル68からウェーハ表面にスラリーを供給する。この状態で、ウェーハWを所定方向に回転しつつ、研磨パッド70A,70B,70Cをウェーハ端面に接触させて、その反対方向に回転させることによって、ウェーハ端面が研磨される。スラリーは、ウェーハWの回転によりウェーハ端面に供給される。
特開2009−297842号公報
本発明者らは、端面研磨の状況を注意深く観察したところ、図8に模式的に示すように、ウェーハ端面に供給されたスラリーが研磨パッド70A,70B,70C(特に下ベベル領域を研磨する研磨パッド70A)からステージ60の外周端の方向へと飛散していることを発見した。このように飛散したスラリーは、ウェーハWとウェーハ保持パッド62との間に入り込み、その一部はその間から排出されることなく固形化し、蓄積する。ウェーハ保持パッド62で固形化して蓄積したスラリーは、新しく保持されたウェーハWと擦れて、その裏面に傷を生じさせることが判明した。この傷は、ウェーハ検査工程でLPD(輝点欠陥:Light point defect)として検出され、ウェーハ品質を劣化させる。特に近年は、ウェーハ裏面のLPDを低減することも重要なウェーハ品質の一つとして求められつつある。
そこで本発明は、上記課題に鑑み、スラリーの飛散を抑制して、端面研磨後のウェーハの裏面におけるLPDを低減可能なウェーハ端面研磨パッド、ウェーハ端面研磨装置、及びウェーハ端面研磨方法を提供することを目的とする。
本発明者らは、端面研磨パッドの形状を工夫するという観点から上記課題を解決することに着目し、鋭意検討を行った。その結果、端面研磨パッドに溝を設けることによって、スラリーの大半が溝にガイドされて、当該パッドの下方に落下しやすくなり、その結果スラリーがステージの外周端の方向へと飛散しにくくなることを見出した。ウェーハのおもて面や裏面を研磨する研磨パッドに溝を設けてスラリー供給効率を上げる技術はよく知られているが、ウェーハ端面研磨の場合、スラリーは加工点に容易に供給されることから、従来、ウェーハ端面研磨パッドに溝を設ける必要性は認識されていなかった。本発明者らは、スラリーの飛散抑制という新たな課題認識に基づいて、端面研磨パッドに溝を設けるとの着想を得て、本発明を完成させた。
本発明は、上記知見に基づくものであり、その要旨構成は以下のとおりである。
(1)おもて面及び裏面からなる主面の形状が略矩形であり、ウェーハの端面を研磨するためのパッドであって、
前記パッドの短手方向両端に開口した複数本の溝が、前記パッドの長手方向に間隔をあけて、前記パッドの短手方向に沿って配置されていることを特徴とする、ウェーハ端面研磨パッド。
(2)前記溝がストレートに延在する上記(1)に記載のウェーハ端面研磨パッド。
(3)前記溝の延在方向と前記パッドの短手方向とのなす角が0〜60度である上記(2)に記載のウェーハ端面研磨パッド。
(4)前記パッドの短手方向長さが23〜27mmであり、前記パッドの長手方向長さが62〜66mmである上記(1)〜(3)のいずれか一項に記載のウェーハ端面研磨パッド。
(5)前記主面の形状が矩形である上記(1)〜(4)のいずれか一項に記載のウェーハ端面研磨パッド。
(6)前記主面の形状が、一組の長辺が互いに平行であり、2つの短辺と前記長辺のうち長い辺とのなす角がそれぞれ85〜95度である形状である上記(1)〜(4)のいずれか一項に記載のウェーハ端面研磨パッド。
(7)前記主面の形状が、外側長辺及び内側長辺が、2つの短辺の延長線の交点を中心とする円の一部となる形状である上記(1)〜(4)のいずれか一項に記載のウェーハ端面研磨パッド。
(8)ウェーハを真空吸着して保持しつつ回転可能なステージと、
前記ウェーハの端面と接触可能な位置に配置されたパッドと、
前記ウェーハの端面にスラリーを供給するスラリー供給機構と、
を有し、前記ステージによって回転された前記ウェーハの端面を前記パッドで研磨するウェーハの端面研磨装置であって、
前記パッドが、上記(1)〜(7)のいずれか一項に記載のウェーハ端面研磨パッドであり、前記ウェーハの回転方向と前記ウェーハ端面研磨パッドの長手方向とが一致することを特徴とするウェーハ端面研磨装置。
(9)前記パッドは、前記ウェーハの端面のうち、前記ウェーハの吸着面と隣接する下ベベル領域を研磨する第一のパッドと、前記ウェーハの端面のうち、前記ウェーハの吸着面と反対側の面と隣接する上ベベル領域を研磨する第二のパッドと、前記ウェーハの端面のうち、前記下ベベル領域と前記上ベベル領域とに挟まれた最外周領域を研磨する第三のパッドと、を有し、
少なくとも前記第一のパッドが、上記(1)〜(7)のいずれか一項に記載のウェーハ端面研磨パッドである、上記(8)に記載のウェーハ端面研磨装置。
(10)ウェーハを真空吸着して保持しつつ回転可能なステージと、前記ウェーハの端面と接触可能な位置に配置されたパッドと、前記ウェーハの端面にスラリーを供給するスラリー供給機構と、を有するウェーハ端面研磨装置を用いて、前記ステージによって回転された前記ウェーハの端面を前記パッドで研磨するウェーハの端面研磨方法であって、
前記パッドが、上記(1)〜(7)のいずれか一項に記載のウェーハ端面研磨パッドであり、前記ウェーハの回転方向と前記ウェーハ端面研磨パッドの長手方向とが一致することを特徴とするウェーハ端面研磨方法。
本発明のウェーハ端面研磨パッド、ウェーハ端面研磨装置、及びウェーハ端面研磨方法によれば、スラリーの飛散が抑制されるため、端面研磨後のウェーハの裏面におけるLPDが低減される。
(A)は、本発明の一実施形態によるウェーハ端面研磨パッド10の模式斜視図であり、(B)は当該パッド10の模式上面図である。 本発明の他の実施形態によるウェーハ端面研磨パッド20の模式上面図である。 本発明のさらに他の実施形態によるウェーハ端面研磨パッド30の模式上面図である。 本発明のさらに他の実施形態によるウェーハ端面研磨パッド40の模式上面図である。 本発明のさらに他の実施形態によるウェーハ端面研磨パッド50の模式上面図である。 (A)は、本発明の一実施形態によるウェーハ端面研磨装置100の模式上面図であり、(B)は(A)におけるI−I断面図であり、(C)は(A)におけるII−II断面図であり、(D)は(A)におけるIII−III断面図である。 (A)は、本発明の他の実施形態によるウェーハ端面研磨装置200の模式上面図であり、(B)は(A)におけるI−O−I断面図である。 従来のウェーハ端面研磨装置300の模式図である。
(ウェーハ端面研磨装置及びウェーハ端面研磨方法)
まず、図6及び図7を参照して、本発明の実施形態によるウェーハ端面研磨装置及びウェーハ端面研磨方法を説明する。
図6(A)〜(D)を参照して、本発明の一実施形態によるウェーハ端面研磨装置100は、ウェーハWを真空吸着して保持しつつ回転可能なステージ60と、ウェーハWの端面と接触可能な位置に配置されたパッド66A,66B,66C(端面研磨パッド)と、ウェーハWの端面にスラリーを供給するスラリー供給機構と、を有する。ノズル68は、スラリー供給機構の一部を構成し、ウェーハ表面にスラリーを落下する。
ステージ60は、その主表面にウェーハ保持パッド62が貼り付けられており、ウェーハWを真空吸着して保持する。ウェーハ端面と接触可能な位置には、三種類のウェーハ端面研磨パッド(研磨布)66A,66B,66Cが配置される。第一の研磨パッド66Aは、ウェーハの端面のうち、ウェーハの吸着面と隣接する下ベベル領域を研磨する。第二の研磨パッド66Bは、ウェーハの端面のうち、ウェーハの吸着面と反対側の面と隣接する上ベベル領域を研磨する。第三の研磨パッド66Cは、ウェーハの端面のうち、下ベベル領域と上ベベル領域とに挟まれた最外周領域を研磨する。研磨パッド66A,66B,66Cは、それぞれ第一パッド保持体64A、第二パッド保持体64B、及び第三パッド保持体64Cに貼り付けられ、固定される。
図6(A)に示すように、研磨パッド66A,66B,66Cは、ウェーハ外周方向に沿った異なる位置に配置されている。本実施形態では、合計12個の研磨パッドがウェーハ外周を取り囲むように配置され、下ベベル領域用の第一の研磨パッド66A、上ベベル領域用の第二の研磨パッド66B、最外周領域用の第三の研磨パッド66Cが、それぞれ4つずつ等間隔に配置される。これは、ウェーハWの直径が300mmの場合に好適である。研磨パッド66A,66B,66Cは、ウェーハ端面との接触面積を最大とするために、ウェーハ外周に沿って湾曲して配置される。研磨パッド66A,66B,66Cの配置の順番は図6のものに限定されない。
研磨パッド66A,66B,66Cの鉛直方向に対する傾斜角度は特に限定されないが、時計回りを正として、図(B)における第二の研磨パッド66Bの場合、−65〜−45度程度とし、図(C)における第一の研磨パッド66Aの場合、45〜65度程度とし、図(D)における第三の研磨パッド66Cの場合、−5〜5度程度、好ましくは0度とする。
ステージ60の直径は特に限定されないが、直径300mmのウェーハの端面を研磨する場合には280±5mm程度、直径450mmのウェーハの端面を研磨する場合には、430±5mmとすることができる。
この状態で、ステージ60を回転させてウェーハWを所定方向に回転しつつ、研磨パッド66A,66B,66Cをウェーハ端面に接触させて、その反対方向に回転させることによって、研磨パッド66A,66B,66Cによりウェーハ端面が研磨される。スラリーは、ウェーハWの回転によりウェーハ端面に供給される。研磨パッド66A,66B,66Cをウェーハ端面に接触させる機構は特に限定されず、例えば特開2009−297842号公報に記載されたような公知のものを用いることができる。
端面研磨パッドの配置は本実施形態に限定されず、変形例として、例えば図7に示すものも挙げられる。図7に示すウェーハ端面研磨装置200では、合計6個の研磨パッドがウェーハ外周を取り囲むように配置され、下ベベル領域用の第一の研磨パッド66A、上ベベル領域用の第二の研磨パッド66B、最外周領域用の第三の研磨パッド66Cが、それぞれ2つずつ等間隔に配置される。これも、ウェーハWの直径が300mmの場合に好適である。
その他にも、ウェーハWの直径が450mmの場合には、合計18個の研磨パッドがウェーハ外周を取り囲むように配置され、第一の研磨パッド、第二の研磨パッド、第三の研磨パッドが、それぞれ6つずつ等間隔に配置されるものとすることもできる。
本実施形態では、上記説明した研磨パッド66A,66B,66Cの少なくとも一つを、以下に説明する本発明の実施形態によるウェーハ端面研磨パッドとすることを特徴とする。
(ウェーハ端面研磨パッド)
図1(A),(B)を参照して、本発明の一実施形態による、ウェーハの端面を研磨するための端面研磨パッド10は、おもて面11A及び裏面11Bからなる主面の形状が矩形であって、パッドの短手方向X両端12A,12Bに開口した複数本の溝14が、パッドの長手方向Yに間隔をあけて、パッドの短手方向Xに沿って配置されていることを特徴とする。この端面研磨パッドは、上記端面研磨装置100,200において、第一の研磨パッド66A、第二の研磨パッド66B、及び第三の研磨パッド66Cの少なくとも一つとして用いられる。特に、下べベル部領域用の第一の研磨パッド66Aとして用いることが好ましい。このとき、端面研磨パッド10は、ウェーハWの回転方向とパッドの長手方向Yとが一致するように配置される。また、端面研磨パッド10の両主面のうち、溝を設けた面をおもて面11Aとし、その反対面を裏面11Bとしたとき、おもて面11Aがウェーハ端面と対向して、接触する。この状態でウェーハWの端面研磨を行うことによって、スラリーの大半が溝14にガイドされて、当該端面研磨パッド10の下方に落下しやすくなり、その結果スラリーがステージの外周端の方向へと飛散しにくくなる。そのため、端面研磨後のウェーハWの裏面におけるLPDが低減される。さらに、ウェーハ保持パッド62の使用寿命が長くなることによって、資材コストが低減でき、パッド交換に伴う生産性の低下を防ぐことができる。第二の研磨パッド66B及び第三の研磨パッド66Cに関しては、従来の端面研磨パッドを用いてもよいが、本実施形態の端面研磨パッド10を用いれば、スラリーの飛散をさらに抑制できるため好ましい。
端面研磨パッド10の材質は不織布等の一般的なものとすればよく、例えば、ポリエステル繊維にポリウレタン樹脂を含浸させてなるものとすることができ、硬度(Asker−C)は70〜85程度とすることが好ましい。
端面研磨パッド10の寸法としては、ウェーハのおもて面や裏面よりも小さいものであれば特に限定されないが、パッドの短手方向長さDは、23〜27mmとすることが好ましい。端面研磨装置は、ステージ60を鉛直方向に揺動させて端面研磨パッド10の角度をスイングさせる機構を有しており、揺動幅に合わせて、パッドの短手方向Xの所定幅の領域内をウェーハが走行する(後述の端面研磨領域S)。そのため、長さDが短すぎると、パッド10内を占める端面研磨領域Sの比率が高くなり、安定した研磨が行えない可能性がある。また、長さDが長すぎると、パッド10がステージ60など干渉したり、ステージへのスラリーの飛散が多くなる可能性がある。また、パッドの長手方向長さLは、端面研磨装置のタイプにも依るが、パッド10を300mmウェーハ用の図6の端面研磨装置に適用する場合、62〜66mmとすることが好ましく、図7の場合、124〜132mmとすることが好ましい。また、450mmウェーハ用の端面研磨装置において、合計18個の研磨パッドを用いる場合には、62〜66mmとすることが好ましい。端面研磨パッド10の厚みは2.8〜3.2mm程度とすることができる。
端面研磨パッドの形状としては、主面の形状が略矩形である限り特に限定されない。例えば、図2の端面研磨パッド20に示すように、主面の形状が、一組の長辺13A,13Bが互いに平行であり、2つの短辺13C,13Dと長辺のうち長い辺13Bとのなす角θ及びθがそれぞれ85〜95度である形状(長方形を基準として短辺を±5度の範囲で傾けた形状)としてもよい。
また、図3の端面研磨パッド30に示すように、主面の形状がバームクーヘン形状であってもよい。この場合、外側長辺13A及び内側長辺13Bは、2つの短辺13C,13Dの延長線の交点Oを中心とする円の一部になっており、長径R(中心Oと外側長辺13Aとの距離)は188〜192mm、短径R(中心Oと内側長辺13Bとの距離)は149〜151mm、中心角θは37.5〜39.5度とすることが好ましい。
図1(B)を参照して、端面研磨領域S(すなわち、パッドのおもて面11A内のウェーハ端面との接触領域)は、パッドの短手方向X両端から等距離にある中心線を基準として、パッドの短手方向長さDの50〜60%の長さの領域に延在する。溝14はこの端面研磨領域Sと交差するように配置されるものの、溝による研磨レートの低下はほぼ生じないことを本発明者らは確認した。
溝の形状、溝の延在方向に垂直な断面形状、溝幅、隣接する溝間の間隔、及び溝の本数等については、スラリーを排出する効率を考慮して適宜設定すればよい。
溝の形状に関しては、図1〜3に示すように、溝はストレートに延在することが、スラリー排出効率の観点および溝形成加工の容易性の観点から好ましい。ただし本発明はこれに限定されず、溝が湾曲していてもよい。
溝の延在方向に垂直な断面形状は、本実施形態のように、パッドの主面に平行な溝底と、パッドの主面に対して垂直な2つの溝壁とから構成される形状とすることが、スラリー排出効率の観点および溝形成加工の容易性の観点から好ましい。ただし本発明はこれに限定されず、断面形状が半円や半楕円のように湾曲していてもよい。
溝幅は、0.5〜2.0mmとすることが好ましい。0.5mm以上とすることにより、スラリーの排出効率を十分に得ることができ、2.0mm以下とすることにより、溝の有無による転写(研磨ムラ)が発生することがない。
隣接する溝間の間隔(溝底中心線同士の間隔)は、5〜20mmとすることが好ましい。5mm以上とすることにより、パッドの強度が保たれ、20mm以下とすることにより、スラリーの排出効率を十分に得ることができる。複数本の溝は等間隔に配置することが好ましい。
図1に示す端面研磨パッド10では、溝14の延在方向とパッドの短手方向Xとのなす角は0度であり、これは、スラリー排出効率の観点および溝形成加工の容易性の観点から好ましい。ただし本発明はこれに限定されず、図4及び図5に示す端面研磨パッド40,50のように、ストレートに延在した溝16,18が、パッドの短手方向Xに対して傾斜していてもよい。このとき、溝の延在方向とパッドの短手方向とのなす角θは、0〜60度とすることが好ましく、30度以下とすることがより好ましい。60度以下とすることにより、スラリーの排出効率を十分に得ることができ、かつ、溝にウェーハWの端面が嵌ってしまうことがない。
(発明例1)
図1に示す主面が矩形の端面研磨パッド10を、その短手方向片端12Aが鉛直方向上側、他端12Bが鉛直方向下側に位置するように、図6に示す端面研磨装置のパッド保持体64Aに貼り付けて、直径300mmのシリコンウェーハの端面を研磨する試験を行った。端面研磨パッドは、ポリエステル繊維にポリウレタン樹脂を含浸させてなるものとし、厚さは3.0mm、短手方向長さDは25mm、長手方向長さLは64mmとした。溝幅は1mm、隣接する溝間の間隔は7mm、溝の本数は7本とした。このような条件でコロイダルシリカ(SiO2)5%を水酸化カリウム(KOH)1500ppmで調整した水溶液(pH:10〜11.2)をスラリーとしてウェーハ端面に供給して、ウェーハ回転数10rpm、端面研磨パッドの回転数350rpmとして、端面研磨を順次行い、合計300枚のシリコンウェーハの端面研磨を行った。
(発明例2)
図4に示す矩形の端面研磨パッド40を用いたこと以外は、発明例1と同様にして試験を行った。溝の傾斜角θは30度とした。溝幅、隣接する溝間の間隔、及び溝の本数は発明例1と同じである。
(比較例)
溝のない矩形の端面研磨パッドを用いたこと以外は、発明例1と同様にして試験を行った。
(裏面LPDの評価)
研磨後のシリコンウェーハの裏面のLPD個数を以下の方法で評価した。表面欠陥検査装置(KLA-Tencor社製:Surfscan SP-2)を用いてDWOモード(Dark Field Wide Obliqueモード:暗視野・ワイド・斜め入射モード)でシリコンウェーハの裏面を観察評価し、サイズ(直径)が120nm以上のLPDの発生状況を調べた。結果を表1に示す。
表1から明らかなように、比較例では研磨枚数が増えるにつれてLPD個数が増加したのに対して、発明例1,2では、研磨枚数が増えてもLPD個数は低いまま抑えられた。
本発明のウェーハ端面研磨パッド、ウェーハ端面研磨装置、及びウェーハ端面研磨方法によれば、スラリーの飛散が抑制されるため、端面研磨後のウェーハの裏面におけるLPDが低減される。
10,20,30,40,50 ウェーハ端面研磨パッド
11A おもて面
11B 裏面
12A,12B 短手方向両端
14,16,18 溝
X パッドの短手方向
Y パッドの長手方向
θ 溝の延在方向とパッドの短手方向とのなす角
L パッドの長手方向長さ
D パッドの短手方向長さ
S 端面研磨領域(端面との接触領域)
100,200 ウェーハ端面研磨装置
60 ステージ
62 ウェーハ保持パッド
64A 第一パッド保持体(下ベベル領域用)
64B 第二パッド保持体(上ベベル領域用)
64C 第三パッド保持体(最外周領域用)
66A 第一の研磨パッド(下ベベル領域用)
66B 第二の研磨パッド(上ベベル領域用)
66C 第三の研磨パッド(最外周領域用)
68 ノズル(スラリー供給機構)
W ウェーハ

Claims (12)

  1. おもて面及び裏面からなる主面の形状が略矩形であり、ウェーハの端面を研磨するためのパッドであって、
    前記パッドの短手方向両端に開口した複数本の溝が、前記パッドの長手方向に間隔をあけて、前記パッドの短手方向に沿って配置されており、前記パッドの短手方向長さが23〜27mmであり、前記パッドの長手方向長さが62〜66mmであることを特徴とする、ウェーハ端面研磨パッド。
  2. 前記溝がストレートに延在する請求項1に記載のウェーハ端面研磨パッド。
  3. 前記溝の延在方向と前記パッドの短手方向とのなす角が0〜60度である請求項2に記載のウェーハ端面研磨パッド。
  4. 前記主面の形状が矩形である請求項1〜のいずれか一項に記載のウェーハ端面研磨パッド。
  5. 前記主面の形状が、一組の長辺が互いに平行であり、2つの短辺と前記長辺のうち長い辺とのなす角がそれぞれ85〜95度である形状である請求項1〜のいずれか一項に記載のウェーハ端面研磨パッド。
  6. 前記主面の形状が、外側長辺及び内側長辺が、2つの短辺の延長線の交点を中心とする円の一部となる形状である請求項1〜のいずれか一項に記載のウェーハ端面研磨パッド。
  7. おもて面及び裏面からなる主面の形状が略矩形であり、ウェーハの端面を研磨するためのパッドであって、
    前記パッドの短手方向両端に開口した複数本の溝が、前記パッドの長手方向に間隔をあけて、前記パッドの短手方向に沿って配置されており、前記主面の形状が、外側長辺及び内側長辺が、2つの短辺の延長線の交点を中心とする円の一部となる形状であることを特徴とする、ウェーハ端面研磨パッド。
  8. 前記溝がストレートに延在する請求項7に記載のウェーハ端面研磨パッド。
  9. 前記溝の延在方向と前記パッドの短手方向とのなす角が0〜60度である請求項8に記載のウェーハ端面研磨パッド。
  10. ウェーハを真空吸着して保持しつつ回転可能なステージと、
    前記ウェーハの端面と接触可能な位置に配置されたパッドと、
    前記ウェーハの端面にスラリーを供給するスラリー供給機構と、
    を有し、前記ステージによって回転された前記ウェーハの端面を前記パッドで研磨するウェーハの端面研磨装置であって、
    前記パッドが、請求項1〜のいずれか一項に記載のウェーハ端面研磨パッドであり、前記ウェーハの回転方向と前記ウェーハ端面研磨パッドの長手方向とが一致することを特徴とするウェーハ端面研磨装置。
  11. 前記パッドは、前記ウェーハの端面のうち、前記ウェーハの吸着面と隣接する下ベベル領域を研磨する第一のパッドと、前記ウェーハの端面のうち、前記ウェーハの吸着面と反対側の面と隣接する上ベベル領域を研磨する第二のパッドと、前記ウェーハの端面のうち、前記下ベベル領域と前記上ベベル領域とに挟まれた最外周領域を研磨する第三のパッドと、を有し、
    少なくとも前記第一のパッドが、請求項1〜のいずれか一項に記載のウェーハ端面研磨パッドである、請求項10に記載のウェーハ端面研磨装置。
  12. ウェーハを真空吸着して保持しつつ回転可能なステージと、前記ウェーハの端面と接触可能な位置に配置されたパッドと、前記ウェーハの端面にスラリーを供給するスラリー供給機構と、を有するウェーハ端面研磨装置を用いて、前記ステージによって回転された前記ウェーハの端面を前記パッドで研磨するウェーハの端面研磨方法であって、
    前記パッドが、請求項1〜のいずれか一項に記載のウェーハ端面研磨パッドであり、前記ウェーハの回転方向と前記ウェーハ端面研磨パッドの長手方向とが一致することを特徴とするウェーハ端面研磨方法。
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WO2021251032A1 (ja) * 2020-06-08 2021-12-16 株式会社Sumco ウェーハ外周部の研磨装置

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110712117B (zh) * 2018-07-12 2021-08-10 鼎朋企业股份有限公司 应用于非水平研磨表面的研磨机

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6267649B1 (en) * 1999-08-23 2001-07-31 Industrial Technology Research Institute Edge and bevel CMP of copper wafer
US6656019B1 (en) * 2000-06-29 2003-12-02 International Business Machines Corporation Grooved polishing pads and methods of use
US6599175B2 (en) * 2001-08-06 2003-07-29 Speedfam-Ipeca Corporation Apparatus for distributing a fluid through a polishing pad
JP2005026274A (ja) * 2003-06-30 2005-01-27 Speedfam Co Ltd 半導体ウェハのエッジ部研磨方法
JP5033066B2 (ja) * 2008-06-13 2012-09-26 株式会社Bbs金明 ワーク外周部の研磨装置および研磨方法
CN203665339U (zh) * 2013-12-06 2014-06-25 宏达光电玻璃(东莞)有限公司 抛光垫
JP6244962B2 (ja) * 2014-02-17 2017-12-13 株式会社Sumco 半導体ウェーハの製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021251032A1 (ja) * 2020-06-08 2021-12-16 株式会社Sumco ウェーハ外周部の研磨装置

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