CN115485869A - 压电装置 - Google Patents

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CN115485869A CN202180028099.4A CN202180028099A CN115485869A CN 115485869 A CN115485869 A CN 115485869A CN 202180028099 A CN202180028099 A CN 202180028099A CN 115485869 A CN115485869 A CN 115485869A
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Abstract

在单晶压电体层(130)中的与基部(110)的一个主面(111)对置的第一对置面(131)形成有第一凹部(132)。单晶压电体层(130)在第一对置面(131)中的第一凹部(132)以外的部分与基部(110)的一个主面(111)接合。构成一对电极层的至少一部分且沿着单晶压电体层(130)的基部(110)侧延伸的下部电极层(150)的至少一部分位于第一凹部(132)内。下部电极层(150)中的与基部(110)的一个主面(111)对置的第二对置面(151)的表面粗糙度(Ra)比单晶压电体层(130)的第一对置面(131)的表面粗糙度(Ra)大。

Description

压电装置
技术领域
本发明涉及压电装置。
背景技术
作为公开了压电装置的结构的现有文献，有″Single crystal FBAR with LiNbO3and LiTaO3″，Proceedings of Symposium on Ultrasonic Electronics，Vol.28，(2007)，PP.151-152(非专利文献1)。在非专利文献1所记载的压电装置中，在形成于压电体层的下部电极层与基底基板之间形成有空间。
在先技术文献
非专利文献
非专利文献1：″Single crystal FBAR with LiNbO3 and LiTaO3″，Proceedingsof Symposium on Ultrasonic Electronics，Vol.28，(2007)，pp.151-152
发明内容
发明要解决的问题
在非专利文献1所记载的压电装置中，在压电装置的激励时下部电极层与基底基板相互接合的情况下，压电装置的激励特性变得不稳定。
本发明是鉴于上述的问题点而完成的，其目的在于，提供一种激励特性稳定的压电装置。
用于解决问题的手段
本发明的压电装置具备基部和层叠部。基部包括一个主面和位于与一个主面相反的一侧的另一个主面。层叠部层叠于基部的一个主面侧。层叠部包括单晶压电体层和向单晶压电体层施加电压的一对电极层。在单晶压电体层中的与基部的一个主面对置的第一对置面形成有第一凹部。单晶压电体层在第一对置面中的第一凹部以外的部分与基部的一个主面接合。构成一对电极层的至少一部分且沿着单晶压电体层的基部侧延伸的下部电极层的至少一部分位于第一凹部内。下部电极层中的与基部的一个主面对置的第二对置面的表面粗糙度(Ra)比单晶压电体层的第一对置面的表面粗糙度(Ra)大。
发明效果
根据本发明，能够使压电装置的激励特性稳定。
附图说明
图1是示出本发明的实施方式1的压电装置的结构的横向剖视图。
图2是示出在本发明的实施方式1的压电装置的制造方法中形成第一凹部前的状态的单晶压电体层的剖视图。
图3是示出在本发明的实施方式1的压电装置的制造方法中形成了第一凹部的状态的单晶压电体层的剖视图。
图4是示出在本发明的实施方式1的压电装置的制造方法中在单晶压电体层的第一凹部内设置了下部电极层的状态的剖视图。
图5是示出在本发明的实施方式1的压电装置的制造方法中与单晶压电体层接合前的基部的剖视图。
图6是示出在本发明的实施方式1的压电装置的制造方法中使单晶压电体层的第一对置面与基部的一个主面接合后的状态的剖视图。
图7是示出在本发明的实施方式1的压电装置的制造方法中削去了单晶压电体层的上表面的状态的剖视图。
图8是示出本发明的实施方式2的压电装置的结构的横向剖视图。
图9是示出在本发明的实施方式2的压电装置的制造方法中在下部电极层的第二对置面的一部分设置了加强用下部电极层的状态的剖视图。
图10是示出在本发明的实施方式2的压电装置的制造方法中在基部形成了第二凹部及突出部的状态的剖视图。
图11是示出在本发明的实施方式2的压电装置的制造方法中使单晶压电体层的第一对置面与基部的一个主面接合后的状态的剖视图。
图12是示出在本发明的实施方式2的压电装置的制造方法中削去了单晶压电体层的上表面的状态的剖视图。
图13是示出在本发明的实施方式2的压电装置的制造方法中在单晶压电体层设置了孔部的状态的剖视图。
图14是示出本发明的实施方式3的压电装置的结构的横向剖视图。
图15是示出本发明的实施方式4的压电装置的结构的横向剖视图。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的各实施方式的压电装置进行说明。在以下的实施方式的说明中，针对图中的相同或相当的部分标注相同的标记，不再重复其说明。
(实施方式1)
图1是示出本发明的实施方式1的压电装置的结构的横向剖视图。如图1所示，本发明的实施方式1的压电装置100具备基部110和层叠部120。
基部110包括一个主面111、以及位于与一个主面111相反的一侧的另一个主面112。在本实施方式中，基部110由Si构成。但是，构成基部110的材料不限于Si。
层叠部120层叠在基部110的一个主面111侧。层叠部120包括单晶压电体层130和一对电极层。一对电极层向单晶压电体层130施加电压。在本实施方式中，一对电极层由上部电极层140和下部电极层150构成。
单晶压电体层130位于比基部110靠上侧的位置。在本实施方式中，单晶压电体层130位于基部110的一个主面111上。在单晶压电体层130中的与基部110的一个主面111对置的第一对置面131形成有第一凹部132。在本实施方式中，在从与第一对置面131正交的方向观察时，第一凹部132的外形为圆形，但也可以为椭圆形或多边形，也可以为其他任意的形状。单晶压电体层130在第一对置面131中的第一凹部132以外的部分与基部110的一个主面111接合。
在本实施方式中，第一凹部132的内部成为密闭空间。在本实施方式的压电装置100中，第一凹部132的内部的压力为负压。需要说明的是，第一凹部132的内部的压力也可以为大气压，也可以为正压。
单晶压电体层130由钽酸锂或铌酸锂构成。由钽酸锂或铌酸锂构成的单晶压电体层130的极化状态是一样的。单晶压电体层130也可以由石英构成。
上部电极层140配置在单晶压电体层130的上侧。在本实施方式中，上部电极层140配置在单晶压电体层130的一部分的上侧。需要说明的是，也可以在上部电极层140与单晶压电体层130之间配置例如由Ti、Cr、Ni或NiCr等构成的紧贴层。上部电极层140例如由Al、Pt、Mo或W等金属构成。
上部电极层140配置为上部电极层140的至少一部分位于第一凹部132的上方。在本实施方式中，在第一凹部132的上方，相互隔开间隔地形成有一对上部电极层140。
一对上部电极层140分别与第一引出布线160连接。第一引出布线160例如由Au、Pt或Al等金属构成。也可以在第一引出布线160与上部电极层140之间形成紧贴层。该紧贴层例如由Ti、Cr、Ni或NiCr构成。另外，第一引出布线160与上部电极层140欧姆接触。
下部电极层150配置为隔着单晶压电体层130而与一对上部电极层140各自的至少一部分对置。在本实施方式中，下部电极层150构成上述一对电极层的一部分。上部电极层140彼此经由下部电极层150相互电连接。
下部电极层150沿着单晶压电体层130的基部110侧延伸。具体而言，下部电极层150沿着单晶压电体层130的第一凹部132的底面延伸。在本实施方式中，下部电极层150仅位于第一凹部132内。但是，配置下部电极层150的位置不仅仅限于第一凹部132内，下部电极层150的至少一部分位于第一凹部132内即可。下部电极层150例如由Al、Pt、Mo或W等金属构成。
如图1所示，下部电极层150的厚度的尺寸t1为第一凹部132的深度的尺寸H1以下。优选的是，为了使压电装置100的激励特性更加稳定，优选的是，下部电极层150的厚度的尺寸t1小于第一凹部132的深度的尺寸H1。
下部电极层150中的与基部110的一个主面111对置的第二对置面151的表面粗糙度(Ra)比单晶压电体层130的第一对置面131的表面粗糙度(Ra)大。需要说明的是，表面粗糙度(Ra)是算术平均粗糙度(JIS B 0601)。在本实施方式中，下部电极层150中的第二对置面151的表面粗糙度(Ra)为0.5nm以上且5.0nm以下。
以下，对本发明的实施方式1的压电装置100的制造方法进行说明。
图2是示出在本发明的实施方式1的压电装置的制造方法中形成第一凹部前的状态的单晶压电体层的剖视图。图3是示出在本发明的实施方式1的压电装置的制造方法中形成了第一凹部的状态的单晶压电体层的剖视图。
图2所示的形成时的单晶压电体层130的厚度比本实施方式的压电装置100最终所包含的单晶压电体层130的厚度厚。
如图3所示，从单晶压电体层130的第一对置面131侧对单晶压电体层130进行反应性离子蚀刻(RIE：Reactive Ion Etching)等而在单晶压电体层130形成第一凹部132。
图4是示出在本发明的实施方式1的压电装置的制造方法中在单晶压电体层的第一凹部内设置了下部电极层的状态的剖视图。如图4所示，通过剥离法、镀覆法或蚀刻法等，在单晶压电体层130的第一凹部132内设置下部电极层150。
图5是示出在本发明的实施方式1的压电装置的制造方法中与单晶压电体层接合前的基部的剖视图。图6是示出在本发明的实施方式1的压电装置的制造方法中使单晶压电体层的第一对置面与基部的一个主面接合后的状态的剖视图。
如图5及图6所示，通过表面活性化接合或原子扩散接合等，使单晶压电体层130的第一对置面131与基部110的一个主面111接合。也可以在该接合面夹设包括Ti等的接合层。由此，第一凹部132的内部成为密闭空间。
在本实施方式中，为了抑制异物侵入到第一凹部132的内部，在真空压下使单晶压电体层130与基部110接合。在该情况下，上述真空压也可以是低真空、中真空、高真空及超高真空中的任意一个。由于像这样使单晶压电体层130与基部110接合，因此，第一凹部132的内部的压力成为负压。
需要说明的是，使单晶压电体层130与基部110接合时的气氛不限于真空压下。单晶压电体层130也可以在大气压下与基部110接合，也可以在比大气压高的压力下与基部110接合。
图7是示出在本发明的实施方式1的压电装置的制造方法中削去了单晶压电体层的上表面的状态的剖视图。如图7所示，通过CMP(Chemical Mechanical Polishing，化学机械研磨)等将单晶压电体层130的上表面削去，使单晶压电体层130成为所希望的厚度。在该情况下，单晶压电体层130的厚度被调整为通过施加电压而得到单晶压电体层130的所希望的伸缩量。
需要说明的是，也可以通过在单晶压电体层130的上表面侧预先进行离子注入而形成剥离层。在该情况下，在通过CMP等削去单晶压电体层130的上表面之前，使剥离层剥离，由此单晶压电体层130的厚度调整变得容易。
如图1所示，通过剥离法、镀覆法或蚀刻法等，在单晶压电体层130的上表面的一部分设置上部电极层140。通过这种方式，将层叠部120层叠到基部110的一个主面111侧。此外，使用光刻法或剥离法等，形成第一引出布线160，使得与上部电极层140的上表面连接。
通过上述的工序，制造出图1所示的本发明的实施方式1的压电装置100。
如上所述，在本实施方式的压电装置100中，下部电极层150中的与基部110的一个主面111对置的第二对置面151的表面粗糙度(Ra)比单晶压电体层130的第一对置面131的表面粗糙度(Ra)大。由此，假设在压电装置100的激励时、下部电极层150的第二对置面151与基部110的一个主面111相互接合的情况下，能够降低接合强度。其结果是，能够抑制通过下部电极层150的第二对置面151与基部110的一个主面111相互接合而使压电装置100的激励特性变得不稳定。即，能够使压电装置100的激励特性稳定。
在本实施方式的压电装置100中，下部电极层150中的第二对置面151的表面粗糙度(Ra)为0.5nm以上且5.0nm以下。由此，下部电极层150的第二对置面151与基部110的一个主面111相互难以接合，因此，能够使压电装置100的激励特性更加稳定。
在本实施方式的压电装置100中，下部电极层150仅位于第一凹部132内。由此，在将单晶压电体层130与基部110相互接合时，不需要单晶压电体层130与基部110的高精度的对位，因此，能够容易地将单晶压电体层130与基部110接合。另外，在通过上部电极层140和下部电极层150施加电压而使单晶压电体层130振动了时，能够抑制振动通过下部电极层150向压电装置100的周缘转播而衰减。其结果是，能够提高压电装置100的激励效率。
在本实施方式的压电装置100中，下部电极层150的厚度的尺寸t1为第一凹部132的深度的尺寸H1以下。由此，即便基部110的一个主面111是不具有凹部的平坦面，也能够在第一凹部132内收容下部电极层150。其结果是，能够使压电装置100的结构变得简单。
(实施方式2)
以下，参照附图对本发明的实施方式2的压电装置进行说明。本发明的实施方式2的压电装置与本发明的实施方式1的压电装置100的主要不同之处在于，在基部的一个主面形成有第二凹部，下部电极层与基部接触，因此，针对与本发明的实施方式1的压电装置100同样的结构，不再重复说明。
图8是示出本发明的实施方式2的压电装置的结构的横向剖视图。如图8所示，本发明的实施方式2的压电装置200具备基部110和层叠部220。
在本实施方式中，在基部110的一个主面111中的与第一凹部132相对的位置形成有第二凹部113。在从一个主面111正交的方向观察时，第二凹部113的外形为圆形，但也可以为椭圆形或多边形，也可以为其他任意的形状。
如图8所示，第二凹部113被层叠于基部110的一个主面111侧的层叠部220从上方覆盖。在本实施方式中，第一凹部132及第二凹部113的内部成为密闭空间。
在本实施方式的压电装置200中，第一凹部132及第二凹部113的内部的压力为负压。需要说明的是，第一凹部132及第二凹部113的内部的压力也可以为大气压，也可以为正压。
在本实施方式中，在单晶压电体层130中位于下部电极层150的上方的部分，设置有从与第一对置面131相反的一侧的上表面贯穿至第一凹部132的底面的孔部133。
下部电极层150的一部分配置为位于形成于单晶压电体层130的孔部133的下方。在本实施方式中，下部电极层150形成为从下方覆盖单晶压电体层130的孔部133。
如图8所示，设置有通过孔部133而与下部电极层150电连接的第二引出布线270。具体而言，第二引出布线270在孔部133内与下部电极层150的上表面连接，并贯穿孔部133内，沿着单晶压电体层130的与基部110侧相反的一侧的上表面被引出。
第二引出布线270例如由Au、Pt或Al等金属构成。也可以在第二引出布线270与下部电极层150之间形成紧贴层。该紧贴层例如由Ti、Cr、Ni或NiCr构成。另外，第二引出布线270与下部电极层150欧姆接触。
需要说明的是，下部电极层150也可以形成为经由紧贴层覆盖单晶压电体层130的孔部133的下方。紧贴层的材料是具有导电性及紧贴性的材料即可，没有特别限定。紧贴层例如由Ti、Cr、Ni或NiCr构成。
在本实施方式中，基部110包括从第二凹部113的底部向第二凹部113内突出的突出部114。需要说明的是，也可以不必设置突出部114。如图8所示，第二凹部113的深度为H2，突出部114的距第二凹部113的底部的高度为H3，满足H3＜H2的关系。
突出部114具有圆柱状的形状。突出部114的形状不限于圆柱状，也可以为棱柱状，也可以为其他任意的形状。
在从与一个主面111正交的方向观察时，孔部133的内部整体与突出部114的上表面114t重叠。在从与一个主面111正交的方向观察时，孔部133的内侧的面积为突出部114的上表面114t的面积以下。
在本实施方式中，在下部电极层150与突出部114的上表面114t之间设置有加强用下部电极层250。加强用下部电极层250也可以不必具有导电性，也可以不由金属构成。
如图8所示，向单晶压电体层130施加电压的部分的下部电极层150的厚度为t1，位于突出部114的上表面114t与孔部133之间的部分的下部电极层150和加强用下部电极层250合起来的厚度为t2，满足t2＞t1的关系。
即，在包括下部电极层150和加强用下部电极层250的下部电极层中，位于突出部114的上表面114t与孔部133之间的部分比向单晶压电体层130施加电压的部分厚。
突出部114的上表面114t与下部电极层相接。在本实施方式中，突出部114的上表面114t与加强用下部电极层250相接。
如上所述，在本实施方式中，包括下部电极层150和加强用下部电极层250的下部电极层包括下部电极层的厚度的尺寸t2比第一凹部132的深度的尺寸H1大的区域，并且在该区域中与位于第二凹部113内的基部110的突出部114相接。
加强用下部电极层250中的与突出部114的上表面114t对置的第二对置面251的表面粗糙度(Ra)比单晶压电体层130的第一对置面131的表面粗糙度(Ra)大。在本实施方式中，加强用下部电极层250中的第二对置面251的表面粗糙度(Ra)为0.5nm以上且5.0nm以下。
以下，对本发明的实施方式2的压电装置200的制造方法进行说明。
到图2～图4所示的工序为止，本发明的实施方式2的压电装置200的制造方法与本发明的实施方式1的压电装置100的制造方法相同。
图9是示出在本发明的实施方式2的压电装置的制造方法中在下部电极层的第二对置面的一部分设置了加强用下部电极层的状态的剖视图。如图9所示，通过剥离法、镀覆法或蚀刻法等，在下部电极层150的第二对置面151的一部分设置加强用下部电极层250。
图10是示出在本发明的实施方式2的压电装置的制造方法中在基部形成了第二凹部及突出部的状态的剖视图。如图10所示，从基部110的一个主面111侧对基部110进行深反应性离子蚀刻(DRIE：Deep Reactive Ion Etching)等而在基部110形成第二凹部113及突出部114。
图11是示出在本发明的实施方式2的压电装置的制造方法中使单晶压电体层的第一对置面与基部的一个主面接合后的状态的剖视图。
如图11所示，通过表面活性化接合或原子扩散接合等，使单晶压电体层130的第一对置面131与基部110的一个主面111接合。也可以在该接合面夹设包括Ti等的接合层。由此，第一凹部132及第二凹部113的内部成为密闭空间。此时，成为加强用下部电极层250与突出部114的上表面114t相接的状态。
图12是示出在本发明的实施方式2的压电装置的制造方法中削去了单晶压电体层的上表面的状态的剖视图。如图12所示，通过CMP等将单晶压电体层130的上表面削去，使单晶压电体层130成为所希望的厚度。
图13是示出在本发明的实施方式2的压电装置的制造方法中在单晶压电体层设置了孔部的状态的剖视图。如图13所示，通过RIE等蚀刻法，在单晶压电体层130设置孔部133。
如图8所示，通过剥离法、镀覆法或蚀刻法等，在单晶压电体层130的上表面的一部分设置上部电极层140。通过这种方式，将层叠部220层叠到基部110的一个主面111侧。需要说明的是，也可以通过RIE等，在层叠部220设置与第一凹部132连通的贯通狭缝。
进而，在上部电极层140使用光刻法或剥离法等将第一引出布线160形成为与基部110的上表面连接。
最后，通过光刻法或剥离法等，形成第二引出布线270。通过上述的工序，制造出图8所示的本发明的实施方式2的压电装置200。
如上所述，在本实施方式的压电装置200中，在基部110的一个主面111中的与第一凹部132相对的位置形成有第二凹部113，下部电极层包括下部电极层的厚度的尺寸t2比第一凹部132的深度的尺寸H1大的区域，并且在该区域中与位于第二凹部113内的基部110的突出部114相接。由此，通过突出部114来支承层叠部220，能够抑制层叠部220中的第一凹部132上的部分向第二凹部113侧弯曲，并且能够抑制在形成第二引出布线270时在层叠部220产生裂纹。
(实施方式3)
以下，参照附图对本发明的实施方式3的压电装置进行说明。本发明的实施方式3的压电装置与本发明的实施方式2的压电装置200的主要不同之处在于，未设置第二凹部及加强用下部电极层，因此，针对与本发明的实施方式2的压电装置200同样的结构，不再重复说明。
图14是示出本发明的实施方式3的压电装置的结构的横向剖视图。如图14所示，本发明的实施方式3的压电装置300具备基部110和层叠部320。
在本实施方式中，一对电极层由上部电极层140和下部电极层150构成。但是，一对电极层也可以仅由下部电极层150构成。具体而言，也可以构成为，在下部电极层150中，构成一对梳齿状的电极层，压电装置300向位于梳齿状的电极层彼此之间的单晶压电体层130施加电压。
在本实施方式的压电装置300中，下部电极层150中的与基部110的一个主面111对置的第二对置面151的表面粗糙度(Ra)比单晶压电体层130的第一对置面131的表面粗糙度(Ra)大。由此，假设在层叠部320中的第一凹部132上的部分向基部110侧弯曲而使下部电极层150的第二对置面151与基部110的一个主面111相互接合的情况下，能够降低接合强度。其结果是，能够抑制通过下部电极层150的第二对置面151与基部110的一个主面111相互接合而使压电装置300的激励特性变得不稳定。即，能够使压电装置300的激励特性稳定。
(实施方式4)
以下，参照附图对本发明的实施方式4的压电装置进行说明。本发明的实施方式4的压电装置与发明的实施方式1的压电装置100的主要不同之处在于，设置有引出用下部电极，因此，针对与本发明的实施方式1的压电装置100同样的结构，不再重复说明。
图15是示出本发明的实施方式4的压电装置的结构的横向剖视图。如图15所示，本发明的实施方式4的压电装置400具备基部110和层叠部420。压电装置400还具备设置在基部110与层叠部420之间的中间层410。
层叠部420经由中间层410而层叠于基部110的一个主面111侧。单晶压电体层130的第一对置面131与中间层410的一个主面411相互接合。中间层410由SiO2构成。中间层410的材料不限于SiO2，是绝缘物即可。例如，中间层410也可以由具有电绝缘性及隔热性的有机材料构成。
在本实施方式中，在中间层410与下部电极层150之间设置有引出用下部电极450。引出用下部电极450在第一凹部132内与下部电极层150连接，沿着中间层410与单晶压电体层130的界面被引出。在从与第一对置面131交的方向观察时，引出用下部电极450在第一凹部132的外侧通过孔部133而与第二引出布线470电连接。
在本实施方式的压电装置400中，下部电极层150中的与基部110的一个主面111对置的第二对置面151的表面粗糙度(Ra)比单晶压电体层130的第一对置面131的表面粗糙度(Ra)大。由此，假设在下部电极层150的第二对置面151与中间层410的一个主面411相互接合的情况下，能够降低接合强度。其结果是，能够抑制通过下部电极层150的第二对置面151与中间层410的一个主面411相互接合而使压电装置400的激励特性变得不稳定。即，能够使压电装置400的激励特性稳定。
另外，在从与第一对置面131交的方向观察时，在第一凹部132的外侧将引出用下部电极450与第二引出布线470相互连接，从而能够抑制层叠部420中的第一凹部132上的部分向中间层410侧弯曲。由此，下部电极层150的第二对置面151与中间层410的一个主面411也能够相互难以接合，因此，能够使压电装置400的激励特性稳定。
在上述的实施方式的说明中，也可以将能够组合的结构相互组合。
此次公开的实施方式在所有方面是例示，不应认为是限制性的内容。本发明的范围由权利要求书示出，而非上述的说明，意在包括与权利要求书同等的含义及范围内的所有变更。
附图标记说明
100、200、300、400压电装置，110基部，111、411一个主面，112另一个主面，113第二凹部，114突出部，114t上表面，120、220、320、420层叠部，130单晶压电体层，131第一对置面，132第一凹部，133孔部，140上部电极层，150下部电极层，151、251第二对置面，160第一引出布线，250加强用下部电极层，270、470第二引出布线，410中间层，450引出用下部电极。

Claims (5)

1.一种压电装置，具备：
基部，其包括一个主面和位于与该一个主面相反的一侧的另一个主面；以及
层叠部，其层叠于所述基部的一个主面侧，
所述层叠部包括单晶压电体层和向该单晶压电体层施加电压的一对电极层，
在所述单晶压电体层中的与所述基部的所述一个主面对置的第一对置面形成有第一凹部，
所述单晶压电体层在所述第一对置面中的所述第一凹部以外的部分与所述基部的所述一个主面接合，
构成所述一对电极层的至少一部分且沿着所述单晶压电体层的基部侧延伸的下部电极层的至少一部分位于所述第一凹部内，
所述下部电极层中的与所述基部的所述一个主面对置的第二对置面的表面粗糙度(Ra)比所述单晶压电体层的所述第一对置面的表面粗糙度(Ra)大。
2.根据权利要求1所述的压电装置，其中，
所述下部电极层中的所述第二对置面的表面粗糙度(Ra)为0.5nm以上且5.0nm以下。
3.根据权利要求1或2所述的压电装置，其中，
所述下部电极层仅位于所述第一凹部内。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的压电装置，其中，
所述下部电极层的厚度的尺寸为所述第一凹部的深度的尺寸以下。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的压电装置，其中，
在所述基部的所述一个主面中的与所述第一凹部相对的位置形成有第二凹部，
所述下部电极层包括所述下部电极层的厚度的尺寸比所述第一凹部的深度的尺寸大的区域，并且在所述区域中与位于所述第二凹部内的所述基部相接。
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