WO2023238473A1 - 弾性波装置及びフィルタ装置 - Google Patents

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WO2023238473A1
WO2023238473A1 PCT/JP2023/010379 JP2023010379W WO2023238473A1 WO 2023238473 A1 WO2023238473 A1 WO 2023238473A1 JP 2023010379 W JP2023010379 W JP 2023010379W WO 2023238473 A1 WO2023238473 A1 WO 2023238473A1
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WO
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electrode
layer
excitation electrode
excitation
wiring
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Application number
PCT/JP2023/010379
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English (en)
French (fr)
Inventor
克人 黒田
正志 大村
弘嗣 森
Original Assignee
株式会社村田製作所
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Publication date
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    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
    • H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/54—Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material

Definitions

  • the present invention relates to an elastic wave device and a filter device.
  • Patent Document 1 listed below discloses an example of a piezoelectric thin film resonator as an elastic wave device.
  • a piezoelectric film is provided on a substrate. Electrodes provided on both main surfaces of the piezoelectric film face each other. The region where the electrodes face each other is the resonance region. Both of the above electrodes each have a portion drawn out from the resonance region. This part is used as a part to be connected to another piezoelectric thin film resonator. Note that a void is provided in the substrate. The resonant region faces the air gap.
  • the portion connected to another piezoelectric thin film resonator and the portion located in the resonance region are configured in the same manner. Therefore, it is difficult to reduce wiring resistance sufficiently.
  • the electrodes are configured in the same way in the portion of the substrate facing the void and the portion not facing the void. Therefore, the difference in stress tends to become large between the portion facing the void and the portion not facing the void. In this case, the stress applied to the piezoelectric thin film resonator increases as a whole. Therefore, it may become difficult to obtain desired electrical characteristics in the piezoelectric thin film resonator, or the piezoelectric thin film resonator may be damaged.
  • An object of the present invention is to provide an acoustic wave device and a filter device that can lower wiring resistance and reduce applied stress as a whole.
  • the elastic wave device includes a piezoelectric layer having a first main surface and a second main surface facing each other, and a first main surface provided on the first main surface of the piezoelectric layer. an excitation electrode, a second excitation electrode provided on the second main surface, a first wiring electrode connected to the first excitation electrode, and a first wiring electrode connected to the second excitation electrode.
  • the first excitation electrode and the second excitation electrode are opposed to each other with the piezoelectric layer in between, and the first excitation electrode and the second excitation electrode in the piezoelectric layer
  • the sandwiched region is an excitation region, and an acoustic reflecting portion is provided in the insulating layer, overlapping at least a part of the excitation region in a plan view, and the first wiring electrode and the first
  • the second wiring electrode does not overlap the acoustic reflection section in plan view, and the combination of materials from the piezoelectric layer side of the layer structure of the first excitation electrode and the first wiring electrode,
  • the combination of materials from the piezoelectric layer side of the layer configurations of the second excitation electrode and the second wiring electrode is the same.
  • the filter device includes a series arm resonator and a parallel arm resonator, and at least one of the series arm resonator and the parallel arm resonator has an elastic It is a wave device.
  • wiring resistance can be lowered, and stress applied can be reduced as a whole.
  • FIG. 1 is a schematic front sectional view of an elastic wave device according to a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a schematic plan view of the elastic wave device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a schematic front sectional view for explaining the symmetrical structure in the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is a schematic plan view for explaining the symmetrical structure in the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 5 is a schematic front sectional view of an elastic wave device according to a first modification of the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 6 is a schematic front sectional view of an elastic wave device according to a second modification of the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 7 is a schematic front sectional view of an elastic wave device according to a second embodiment of the present invention.
  • FIG. 8 is a schematic front sectional view of an elastic wave device according to a third embodiment of the present invention.
  • FIG. 9 is a schematic front sectional view of an elastic wave device according to a fourth embodiment of the present invention.
  • FIG. 10 is a schematic front sectional view of an elastic wave device according to a first modification of the fourth embodiment of the present invention.
  • FIG. 11 is a schematic front sectional view of an elastic wave device according to a second modification of the fourth embodiment of the present invention.
  • FIG. 12 is a schematic front sectional view of an elastic wave device according to a third modification of the fourth embodiment of the present invention.
  • FIG. 13 is a schematic front sectional view of an elastic wave device according to a fourth modification of the fourth embodiment of the present invention.
  • FIG. 10 is a schematic front sectional view of an elastic wave device according to a first modification of the fourth embodiment of the present invention.
  • FIG. 11 is a schematic front sectional view of an elastic wave device according to a second modification of the fourth embodiment of the present invention.
  • FIG. 14 is a schematic front sectional view of an elastic wave device according to a fifth embodiment of the present invention.
  • FIG. 15 is a schematic plan view showing an electrode configuration on a piezoelectric layer in a modification of the fifth embodiment of the present invention.
  • FIG. 16 is a schematic front sectional view of an elastic wave device according to a sixth embodiment of the present invention.
  • FIG. 17 is a circuit diagram of a filter device according to a seventh embodiment of the present invention.
  • FIG. 18 is a schematic front sectional view showing a series arm resonator and a parallel arm resonator in the seventh embodiment of the present invention.
  • FIG. 1 is a schematic front sectional view of an elastic wave device according to a first embodiment of the present invention.
  • the elastic wave device 1 of this embodiment is a BAW (Bulk Acoustic Wave) element.
  • the acoustic wave device 1 includes a support substrate 2, an insulating layer 3, a piezoelectric layer 4, a first excitation electrode 5, a second excitation electrode 6, a first wiring electrode 7, and a second wiring electrode 8. and has.
  • An insulating layer 3 is provided on the support substrate 2.
  • a piezoelectric layer 4 is provided on the insulating layer 3. That is, the piezoelectric layer 4 is indirectly provided on the support substrate 2 with the insulating layer 3 interposed therebetween.
  • the material of the support substrate 2 for example, semiconductors such as silicon, ceramics such as aluminum oxide, etc. can be used.
  • the material of the insulating layer 3 an appropriate dielectric material such as silicon oxide or tantalum pentoxide can be used.
  • a material for the piezoelectric layer 4 for example, lithium niobate, lithium tantalate, zinc oxide, aluminum nitride, crystal, PZT (lead zirconate titanate), or the like can be used. Note that as the material for the piezoelectric layer 4, it is preferable to use lithium tantalate, lithium niobate, aluminum nitride, or the like.
  • the piezoelectric layer 4 has a first main surface 4a and a second main surface 4b.
  • the first main surface 4a and the second main surface 4b are opposed to each other.
  • the second main surface 4b is located on the insulating layer 3 side.
  • a first excitation electrode 5 is provided on the first main surface 4a.
  • a second excitation electrode 6 is provided on the second main surface 4b.
  • the first excitation electrode 5 and the second excitation electrode 6 face each other with the piezoelectric layer 4 in between.
  • the region of the piezoelectric layer 4 sandwiched between the first excitation electrode 5 and the second excitation electrode 6 is an excitation region A.
  • the first excitation electrode 5 and the second excitation electrode 6 are made of a single-layer electrode film.
  • the first excitation electrode 5 and the second excitation electrode 6 are made of Ru.
  • the term "a certain member is made of a certain material” includes the case where the material contains a trace amount of impurity that does not significantly deteriorate the electrical characteristics of the acoustic wave device.
  • the material of the first excitation electrode 5 and the second excitation electrode 6 is not limited to the above, and for example, at least one material selected from the group consisting of Al, Au, Cu, Cr, Ru, W, Mo, and Pt. It may consist of a metal or alloy containing seeds.
  • the first excitation electrode 5 and the second excitation electrode 6 may be made of a laminated metal film.
  • a first extraction electrode 13 is provided on the first main surface 4a of the piezoelectric layer 4.
  • the first extraction electrode 13 is extracted from the first excitation electrode 5 . That is, the first extraction electrode 13 and the first excitation electrode 5 are integrally formed of the same material. Therefore, the material and thickness combinations of the layer structure of the first extraction electrode 13 and the layer structure of the first excitation electrode 5 are the same.
  • a second extraction electrode 14 is provided on the second main surface 4b of the piezoelectric layer 4.
  • the second extraction electrode 14 is extracted from the second excitation electrode 6. That is, the second extraction electrode 14 and the second excitation electrode 6 are integrally formed of the same material. Therefore, the material and thickness combinations of the layer structure of the second extraction electrode 14 and the layer structure of the second excitation electrode 6 are the same.
  • a first wiring electrode 7 is provided on the first extraction electrode 13.
  • a second wiring electrode 8 is provided on the second extraction electrode 14 .
  • the first wiring electrode 7 and the second wiring electrode 8 are electrically connected to other elements, for example.
  • the thickness of the first wiring electrode 7 and the second wiring electrode 8 is thicker than the thickness of the first excitation electrode 5, the first extraction electrode 13, the second excitation electrode 6, and the second extraction electrode 14. Thereby, the electrical resistance of the first wiring electrode 7 and the second wiring electrode 8 is lowered.
  • the first wiring electrode 7 and the second wiring electrode 8 are made of a laminated metal film.
  • the first wiring electrode 7 has a first layer 7a and a second layer 7b as a plurality of wiring electrode layers. A first layer 7a and a second layer 7b are laminated in this order from the piezoelectric layer 4 side.
  • the first layer 7a is made of Cu.
  • the second layer 7b is made of Au.
  • the second wiring electrode 8 also includes a first layer 8a and a second layer 8b as a plurality of wiring electrode layers. A first layer 8a and a second layer 8b are laminated in this order from the piezoelectric layer 4 side.
  • the first layer 8a is made of Cu.
  • the second layer 8b is made of Au.
  • each layer of the first wiring electrode 7 and the second wiring electrode 8 is not limited to the above, and is selected from the group consisting of, for example, Al, Au, Cu, Cr, Ru, W, Mo, and Pt. It may be made of a metal or an alloy containing at least one kind.
  • the number of layers of the first wiring electrode 7 and the second wiring electrode 8 is not limited to two layers each, and may be three or more layers, for example.
  • the first wiring electrode 7 and the second wiring electrode 8 may be made of a single layer metal film.
  • the second excitation electrode 6, the second extraction electrode 14, and the second wiring electrode 8 are embedded in the insulating layer 3.
  • the insulating layer 3 is provided on the second main surface 4b of the piezoelectric layer 4 so as to cover at least a portion of the second excitation electrode 6, the second extraction electrode 14, and the second wiring electrode 8. All you have to do is stay there.
  • an acoustic reflection section is provided within the insulating layer 3. More specifically, in this embodiment, the acoustic reflection section is the cavity 9. However, the acoustic reflection section may be an acoustic reflection film, which will be described later.
  • the cavity 9 overlaps the excitation region A in plan view. Thereby, the energy of the elastic wave can be suitably confined on the piezoelectric layer 4 side.
  • planar view refers to viewing from a direction corresponding to the upper side in FIG. For example, in FIG. 1, of the piezoelectric layer 4 side and the support substrate 2 side, the piezoelectric layer 4 side is the upper side.
  • the cavity 9 only needs to overlap at least a portion of the excitation region A in plan view.
  • a part of the outer periphery of the cavity 9 is located outside the outer periphery of the excitation area A, and another part of the outer periphery of the cavity 9 is located inside the outer periphery of the excitation area A. It doesn't matter if you do.
  • the insulating layer 3 has an intermediate portion 3a. More specifically, the intermediate portion 3a is a portion located between the cavity portion 9 and the second excitation electrode 6. Note that the insulating layer 3 does not need to have the intermediate portion 3a.
  • the cavity 9 serving as the acoustic reflection section may be in contact with the second excitation electrode 6.
  • the feature of this embodiment is that it has the following configuration. 1)
  • the first wiring electrode 7 and the second wiring electrode 8 are provided so as not to overlap with the cavity 9 in plan view. 2)
  • the combination of materials from the piezoelectric layer 4 side in the layer configuration of the first excitation electrode 5 and the first wiring electrode 7 and the layer configuration of the second excitation electrode 6 and the second wiring electrode 8, The combination of materials from the piezoelectric layer 4 side is the same. Thereby, the wiring resistance can be lowered, and the stress applied to the acoustic wave device 1 as a whole can be reduced. This will be explained below.
  • electrodes connected to other elements include not only the first extraction electrode 13 and the second extraction electrode 14, but also the first wiring electrode 7 and the second wiring electrode 8. Thereby, wiring resistance can be lowered.
  • the first wiring electrode 7 and the second wiring electrode 8 are provided so as not to overlap with the cavity 9 serving as the acoustic reflection section in plan view. Thereby, the difference in stress between a portion of the acoustic wave device 1 that overlaps with the cavity 9 and a portion that does not overlap with the cavity 9 in plan view can be reduced. This makes it difficult for stress to concentrate in the elastic wave device 1, and the stress applied to the elastic wave device 1 as a whole can be reduced.
  • the combination of materials from the piezoelectric layer 4 side of the layer configuration of the first excitation electrode 5 and the first wiring electrode 7 and the layer configuration of the second excitation electrode 6 and the second wiring electrode 8 is the same.
  • the combination of materials for the layer structure of the first excitation electrode 5 and the layer structure of the first extraction electrode 13 is also the same.
  • the combination of materials for the layer structure of the second excitation electrode 6 and the layer structure of the second extraction electrode 14 is also the same.
  • the combination of materials from the piezoelectric layer 4 side of the layer structure of the laminate of the first extraction electrode 13 and the first wiring electrode 7 and the lamination of the second extraction electrode 14 and the second wiring electrode 8 The combination of materials from the piezoelectric layer 4 side of the layer structure of the body is also the same. Therefore, the difference in stress applied to the first main surface 4a side and the second main surface 4b side of the piezoelectric layer 4 can be effectively reduced. Thereby, stress applied to the first main surface 4a side and the second main surface 4b side can be effectively canceled out. Therefore, the stress applied to the elastic wave device 1 can be effectively reduced as a whole.
  • the materials of the plural wiring electrode layers of the first wiring electrode 7 and the second wiring electrode 8 are the same as those of the first excitation electrode 5, the second excitation electrode 6, the first extraction electrode 13, and the second It is preferable that the material is different from the material of the extraction electrode 14.
  • the electrical resistivity of all metal species constituting the first wiring electrode 7 and the second wiring electrode 8 is the same as that of the first excitation electrode 5, the second excitation electrode 6, the first extraction electrode 13 and It is more preferable that the electrical resistivity is lower than that of all metal species constituting the extraction electrode 14 of No. 2. Thereby, the electrical resistance of the first wiring electrode 7 and the second wiring electrode 8 can be further reduced.
  • the material and thickness combinations of the layer structure of the first excitation electrode 5 and the layer structure of the first extraction electrode 13 are the same.
  • the material and thickness combinations of the layer structure of the second excitation electrode 6 and the layer structure of the second extraction electrode 14 are also the same. Therefore, the combination of material and thickness from the piezoelectric layer 4 side of the layered structure of the first extraction electrode 13 and the first wiring electrode 7 and the second extraction electrode 14 and the second wiring electrode 8
  • the combination of materials and thickness from the piezoelectric layer 4 side of the layer structure of the laminate is also the same. Therefore, the difference in stress applied to the first main surface 4a side and the second main surface 4b side of the piezoelectric layer 4 can be further reduced. Thereby, the stress applied to the first main surface 4a side and the second main surface 4b side can be canceled out more reliably. Therefore, the stress applied to the elastic wave device 1 can be further reduced as a whole.
  • the expression that the electrodes have the same thickness includes not only a difference in thickness of 0% but also a difference in thickness of 20% or less. That is, when the thickness of one electrode is ta and the thickness of the other electrode is tb, when ta>tb, when ⁇ (ta-tb)/ta ⁇ 100[%] ⁇ 20[%] Assume that the thickness ta of one electrode and the thickness tb of the other electrode are the same.
  • FIG. 2 is a schematic plan view of the elastic wave device according to the first embodiment. Note that FIG. 1 above is a schematic cross-sectional view taken along line II in FIG.
  • the first excitation electrode 5 and the first extraction electrode 13 are provided as one unit.
  • This electrode in which the first excitation electrode 5 and the first extraction electrode 13 are integrally provided is referred to as a first electrode.
  • an electrode in which the second excitation electrode 6 and the second extraction electrode 14 are integrally provided is referred to as a second electrode.
  • the portion of the first electrode that overlaps with the second electrode in plan view is the first excitation electrode 5.
  • the portion of the second electrode that overlaps the first electrode in plan view is the second excitation electrode 6.
  • the first excitation electrode 5 and the second excitation electrode 6 all overlap the excitation region A in plan view.
  • the shapes of the first excitation electrode 5, the second excitation electrode 6, and the excitation area A in plan view are congruent.
  • the shape of the first excitation electrode 5 and the second excitation electrode 6 in plan view is approximately circular.
  • the shapes of the first excitation electrode 5 and the second excitation electrode 6 in plan view are not limited to the above, and may be, for example, circular, elliptical, semi-elliptical, or polygonal.
  • the direction perpendicular to the direction in which the first wiring electrode 7 extends is the first width direction
  • the dimension along the first width direction of the first wiring electrode 7 is D1
  • the first width of the first excitation electrode 5 is Let E1 be the maximum dimension along the direction.
  • the dimension D1 increases as the distance from the first excitation electrode 5 increases.
  • the first wiring electrode 7 includes a portion where D1>E1. Thereby, heat dissipation can be improved.
  • the outer periphery of the first wiring electrode 7 is located inside the outer periphery of the first extraction electrode 13. As a result, even if a positional shift occurs in the first wiring electrode 7 or the first extraction electrode 13 during manufacturing of the acoustic wave device 1, the entire first wiring electrode 7 can be placed on the first extraction electrode 13. It can be installed more reliably. Since the structure in which the first wiring electrode 7 and the first extraction electrode 13 are stacked can be obtained more reliably, heat dissipation can be more reliably improved.
  • the relationship between the dimensions and positions of the second excitation electrode 6, the second extraction electrode 14, and the second wiring electrode 8 is as follows: The dimensions of the first excitation electrode 5, the first extraction electrode 13, and the first wiring electrode 7 and positional relationship. More specifically, in plan view, the outer periphery of the second wiring electrode 8 is located inside the outer periphery of the second extraction electrode 14.
  • the direction perpendicular to the direction in which the second wiring electrode 8 extends is defined as the second width direction
  • the dimension along the second width direction of the second wiring electrode 8 is D2
  • the dimension of the second excitation electrode 6 is defined as the second width direction.
  • the maximum dimension along the width direction of No. 2 is assumed to be E2.
  • the first width direction and the second width direction are parallel.
  • the second wiring electrode 8 includes a portion where D2>E2. Thereby, heat dissipation can be improved more reliably.
  • the elastic wave device 1 has at least one of a configuration in which D1>E1 in at least a portion of the first wiring electrode 7 and a configuration in which D2>E2 in at least a portion of the second wiring electrode 8. It is preferable to have.
  • the acoustic wave device 1 may have both a configuration in which D1>E1 in at least a portion of the first wiring electrode 7 and a configuration in which D2>E2 in at least a portion of the second wiring electrode 8. More preferred.
  • the dimension D1 of the first wiring electrode 7 changes.
  • the first wiring electrode 7 may have a portion where the dimension D1 is constant.
  • the first wiring electrode 7 extends in one direction.
  • the first wiring electrode 7 may have a curved portion.
  • the first width direction of each portion of the first wiring electrode 7 is a direction perpendicular to the direction in which each portion extends.
  • the second wiring electrode 8 may have a portion where the dimension D2 is constant. In the portion of the second wiring electrode 8 shown in FIG. 2, the second wiring electrode 8 extends in one direction. Note that the second wiring electrode 8 may have a curved portion. In this case, the second width direction of each portion of the second wiring electrode 8 is a direction perpendicular to the direction in which each portion extends. When comparing the dimensions of the second wiring electrode 8 and the second excitation electrode 6 along the second width direction, the second width direction of the portion of the second wiring electrode 8 to be compared may be used. .
  • a plurality of bumps 15 are provided on the support substrate 2.
  • the plurality of bumps 15 are electrically connected to the first excitation electrode 5 or the second excitation electrode 6.
  • the acoustic wave device 1 is bonded to a mounting board or the like using a plurality of bumps 15.
  • the bump 15 is an example of a member that electrically connects the acoustic wave device 1 to the outside.
  • an external terminal connection section such as an LGA (Land Grid Array) may be provided on the support substrate 2.
  • the heat generated in the excitation region A propagates from the second excitation electrode 6, the second extraction electrode 14, and the second wiring electrode 8 to the insulating layer 3. The heat then propagates to the outside via the insulating layer 3, the support substrate 2, and the bumps 15. Therefore, heat dissipation can be improved.
  • any one of lithium tantalate, lithium niobate, and aluminum nitride be used as the material for the piezoelectric layer 4.
  • Lithium tantalate and lithium niobate are piezoelectric materials with high dielectric constants. Therefore, when the acoustic wave device 1 is used as a broadband filter, lithium tantalate or lithium niobate can be suitably used for the piezoelectric layer 4. Since the elastic wave device 1 has the above configuration, it has high heat dissipation performance.
  • aluminum nitride has excellent thermal conductivity. Therefore, when aluminum nitride is used for the piezoelectric layer 4, heat dissipation can be further improved.
  • the thermal conductivity of the supporting substrate 2 is higher than that of the piezoelectric layer 4 and the insulating layer 3. Thereby, heat dissipation can be effectively improved.
  • the support substrate 2 does not necessarily have to be provided.
  • external terminal connection parts such as a plurality of bumps 15 may be provided on the wiring such as the first wiring electrode 7 on the first main surface 4a side of the piezoelectric layer 4.
  • the plurality of bumps 15 may be used to bond to a mounting board or the like.
  • the elastic wave device 1 may have a WLP (Wafer Level Package) structure.
  • a support is provided on the piezoelectric layer 4, and a lid member is provided on the support.
  • an external terminal connection portion such as a bump 15 may be provided on the lid member.
  • FIG. 3 is a schematic front sectional view for explaining the symmetrical structure in the first embodiment.
  • FIG. 4 is a schematic plan view for explaining the symmetrical structure in the first embodiment. Note that one broken line in FIG. 3 indicates the boundary between the first excitation electrode 5 and the first extraction electrode 13. The other broken line indicates the boundary between the second excitation electrode 6 and the second extraction electrode 14. The same applies to each cross-sectional view from FIG. 3 onwards.
  • the cross section shown in FIG. 3 is a cross section passing through the piezoelectric layer 4, the first excitation electrode 5, the second excitation electrode 6, the first wiring electrode 7, and the second wiring electrode 8.
  • the first excitation electrode 5 and the second excitation electrode 6 are point symmetrical with respect to the center of symmetry B, which is the center of the piezoelectric layer 4.
  • the first wiring electrode 7 and the second wiring electrode 8 are point symmetrical with respect to the center of symmetry B, which is the center of the piezoelectric layer 4.
  • the first excitation electrode 5 and the second excitation electrode 6 are point symmetrical, and the first wiring electrode 7 and the second wiring electrode 8 are point symmetrical. is preferably included. Thereby, variations in stress from position to position in the elastic wave device 1 can be effectively suppressed.
  • the first excitation electrode 5 is line symmetrical with respect to the axis of symmetry C in plan view.
  • the second excitation electrode 6 is also line symmetrical with respect to the axis of symmetry C.
  • the first wiring electrode 7 is also line symmetrical with respect to the axis of symmetry C.
  • the second wiring electrode 8 is also line symmetrical with respect to the axis of symmetry C.
  • the first excitation electrode 5 is line-symmetrical to the symmetry axis C
  • the second excitation electrode 6 is line-symmetrical to the symmetry axis C
  • the first wiring line is line-symmetrical to the symmetry axis C
  • the symmetry axis C along which the electrode 7 is line symmetrical coincides with the symmetry axis C along which the second wiring electrode 8 is line symmetrical.
  • the first wiring electrode 7 and the second wiring electrode 8 may have curved portions.
  • the axis of symmetry along which a part of the first wiring electrode 7 is line symmetrical is the above-mentioned axis of symmetry C
  • the axis of symmetry along which a part of the second wiring electrode 8 is line symmetrical is the above-mentioned axis of symmetry C. It is preferable.
  • the symmetry axes C of at least a portion of the first excitation electrode 5, the second excitation electrode 6, the first wiring electrode 7, and at least a portion of the second wiring electrode 8 are aligned. is preferred. Thereby, variations in stress from position to position in the elastic wave device 1 can be effectively suppressed.
  • the first wiring electrode 7 and the second wiring electrode 8 are provided so as not to overlap with the cavity 9 serving as the acoustic reflection section in plan view. Thereby, the difference in stress between a portion of the acoustic wave device 1 that overlaps with the cavity 9 and a portion that does not overlap with the cavity 9 in plan view can be reduced. Furthermore, in this embodiment, the cavity 9, the first wiring electrode 7, and the second wiring electrode 8 face each other with the gap G in between.
  • the first wiring electrode 7 and the second wiring electrode 8 and the cavity 9 can be more reliably prevented from overlapping in plan view. Therefore, variations in stress from position to position in the elastic wave device 1 can be suppressed more reliably.
  • the first wiring electrode 7 and the second wiring electrode 8 do not necessarily have to be made of a laminated metal film.
  • the first wiring electrode 7A and the second wiring electrode 8A are made of a single layer metal film.
  • the wiring resistance can be lowered and the applied stress can be reduced as a whole.
  • the insulating layer 3 does not necessarily have the intermediate portion 3a.
  • the insulating layer 3A does not have an intermediate portion.
  • the second excitation electrode 6 is in contact with a cavity 9 serving as an acoustic reflection section.
  • the wiring resistance can be lowered and the applied stress can be reduced as a whole.
  • FIG. 7 is a schematic front sectional view of the elastic wave device according to the second embodiment.
  • This embodiment differs from the first embodiment in that the first excitation electrode 25, the second excitation electrode 26, the first extraction electrode 23, and the second extraction electrode 24 are made of a laminated metal film. .
  • the elastic wave device of this embodiment has the same configuration as the elastic wave device 1 of the first embodiment.
  • the first excitation electrode 25 has a first layer 25a and a second layer 25b as a plurality of electrode layers.
  • the first extraction electrode 23 has a first layer 23a and a second layer 23b.
  • the first excitation electrode 25 and the first extraction electrode 23 are integrally formed of the same material. Therefore, the material and thickness combinations of the layer structure of the first excitation electrode 25 and the layer structure of the first extraction electrode 23 are the same.
  • the first layer 25a and the second layer 25b are laminated in this order from the piezoelectric layer 4 side.
  • the first layer 25a is made of W.
  • the second layer 25b is made of Al.
  • a first layer 23a and a second layer 23b are laminated in this order from the piezoelectric layer 4 side.
  • the first layer 23a is made of W.
  • the second layer 23b is made of Al.
  • each layer of the first excitation electrode 25 and the first extraction electrode 23 is made of, for example, a metal containing at least one selected from the group consisting of Al, Au, Cu, Cr, Ru, W, Mo, and Pt. It may be made of an alloy. Therefore, the first layer 25a and the first layer 23a may be made of, for example, Pt.
  • the relationship between the second excitation electrode 26 and the second extraction electrode 24 is also the same as the relationship between the first excitation electrode 25 and the first extraction electrode 23.
  • the second excitation electrode 26 has a first layer 26a and a second layer 26b as a plurality of electrode layers.
  • the second extraction electrode 24 has a first layer 24a and a second layer 24b.
  • the second excitation electrode 26 and the second extraction electrode 24 are integrally formed of the same material.
  • the combination of materials and thicknesses of the layer structure of the second excitation electrode 26 and the layer structure of the second extraction electrode 24 are the same.
  • a first layer 26a and a second layer 26b are laminated in this order from the piezoelectric layer 4 side.
  • the first layer 26a is made of W.
  • the second layer 26b is made of Al.
  • a first layer 24a and a second layer 24b are laminated in this order from the piezoelectric layer 4 side.
  • the first layer 24a is made of W.
  • the second layer 24b is made of Al.
  • the first wiring electrode 7 and the second wiring electrode 8 are provided so as not to overlap with the cavity 9 in plan view. Further, the combination of materials and thickness from the piezoelectric layer 4 side of the layer configuration of the first excitation electrode 25 and the first wiring electrode 7 and the layer configuration of the second excitation electrode 26 and the second wiring electrode 8 The combination of materials and thicknesses from the piezoelectric layer 4 side are the same. Then, the combination of materials and thickness from the piezoelectric layer 4 side of the layer structure of the laminate of the first extraction electrode 23 and the first wiring electrode 7 and the second extraction electrode 24 and the second wiring electrode 8 The combination of materials and thickness from the piezoelectric layer 4 side of the layer structure of the laminate is the same. As a result, the wiring resistance can be lowered, and the stress applied to the acoustic wave device as a whole can be reduced.
  • the number of layers of the first excitation electrode 25, the second excitation electrode 26, the first extraction electrode 23, and the second extraction electrode 24 is not limited to two layers, and may be three or more layers, for example. .
  • the number of layers of the first excitation electrode 25, the second excitation electrode 26, the first extraction electrode 23, and the second extraction electrode 24 may be one layer as in the first embodiment.
  • the number of layers of the first excitation electrode, the second excitation electrode, the first extraction electrode, and the second extraction electrode is not particularly limited.
  • FIG. 8 is a schematic front sectional view of the elastic wave device according to the third embodiment.
  • This embodiment differs from the second embodiment in that a dielectric film 37 is provided on the first excitation electrode 25.
  • the elastic wave device of this embodiment has the same configuration as the elastic wave device of the second embodiment.
  • the dielectric film 37 is provided in a portion of the first excitation electrode 25 that overlaps with the cavity 9 serving as an acoustic reflecting portion in plan view.
  • the material of the dielectric film 37 is the same as that of the insulating layer 3.
  • the thickness of the dielectric film 37 is the same as the thickness of the intermediate portion 3a of the insulating layer 3. In this way, in this embodiment, the combination of materials and thicknesses of the layer structure of the first excitation electrode 25 and the dielectric film 37 and the layer structure of the second excitation electrode 26 and the intermediate portion 3a are determined. , the combination of material and thickness is the same.
  • each electrode of this embodiment is configured similarly to the second embodiment. Therefore, the wiring resistance can be lowered, and the stress applied to the acoustic wave device as a whole can be effectively reduced.
  • the expression that the thickness of the dielectric film and the thickness of the intermediate portion are the same includes not only a difference in thickness of 0% but also a difference in thickness of 20% or less. That is, when the thickness of one of the dielectric film and the intermediate portion is tc and the thickness of the other is td, when tc>td, ⁇ (tc-td)/tc ⁇ 100[%] ⁇ 20[% ], it is assumed that one thickness tc and the other thickness td are the same.
  • the portion where the dielectric film 37 is provided is not limited to the above.
  • the dielectric film 37 may cover at least a portion of the first excitation electrode 25, the first extraction electrode 23, and the first wiring electrode 7.
  • the dielectric film 37 may cover the entire surface of the first excitation electrode 25, the first extraction electrode 23, and the first wiring electrode 7.
  • the material of the dielectric film 37 does not necessarily have to be the same as the material of the insulating layer 3.
  • the thickness of the dielectric film 37 does not necessarily have to be the same as the thickness of the intermediate portion 3a of the insulating layer 3.
  • the insulating layer 3 does not need to have the intermediate portion 3a.
  • FIG. 9 is a schematic front sectional view of the elastic wave device according to the fourth embodiment.
  • This embodiment has the following points: a first outer peripheral structure 47 is provided on the first excitation electrode 25 and a second outer peripheral structure 48 is provided on the second excitation electrode 26. , which is different from the second embodiment.
  • the elastic wave device of this embodiment has the same configuration as the elastic wave device of the second embodiment.
  • the first outer peripheral structure portion 47 is an electrode provided on the outer peripheral edge of the second layer 25b of the first excitation electrode 25. More specifically, in plan view, the outer circumferential edge of the first outer circumferential structure portion 47 overlaps with the outer circumferential edge of the first excitation electrode 25.
  • the first outer peripheral structure portion 47 has a substantially annular shape in plan view. Note that the first outer peripheral structure portion 47 and the first excitation electrode 25 may be integrally formed of the same material.
  • the second outer peripheral structure portion 48 is an electrode provided on the outer peripheral edge of the second layer 26b of the second excitation electrode 26.
  • the shape of the second outer peripheral structure 48 in plan view is approximately annular. More specifically, in plan view, the outer circumferential edge of the second outer circumferential structure portion 48 overlaps with the outer circumferential edge of the second excitation electrode 26 . Note that the second outer peripheral structure portion 48 and the second excitation electrode 26 may be integrally formed of the same material.
  • the shapes of the first excitation electrode 25 and the second excitation electrode 26 in plan view are congruent.
  • the shapes of the first outer circumferential structure 47 and the second outer circumferential structure 48 in plan view are also congruent.
  • the entire first outer peripheral structure 47 and the entire second outer peripheral structure 48 overlap each other. Furthermore, the thickness and material of the first outer peripheral structure part 47 and the second outer peripheral structure part 48 are the same.
  • first outer circumferential structure portion 47 and the second outer circumferential structure portion 48 in plan view may not be congruent. In a plan view, at least a portion of the first outer circumferential structure 47 and at least a portion of the second outer circumferential structure 48 only need to overlap with each other.
  • the first outer peripheral structure 47 and the second outer peripheral structure 48 are symmetrical in the cross section along the thickness direction of the piezoelectric layer 4. More specifically, in the cross section, the first outer circumference structure 47 and the second outer circumference are located at the center of the piezoelectric layer 4 in the thickness direction and with respect to a symmetry axis extending in a direction perpendicular to the thickness direction.
  • the structural portion 48 is line symmetrical.
  • each electrode of this embodiment is configured similarly to the second embodiment. Therefore, the wiring resistance can be lowered, and the stress applied to the acoustic wave device as a whole can be effectively reduced.
  • the first outer circumferential structure portion 47 and the second outer circumferential structure portion 48 have a substantially annular shape in plan view.
  • the first outer peripheral structure 47 and the second outer peripheral structure 48 do not have to be annular.
  • the first outer peripheral structure portion 47 only needs to overlap at least a portion of the outer peripheral edge of the first excitation electrode 25 in plan view.
  • the second outer peripheral structure portion 48 only needs to overlap at least a portion of the outer peripheral edge of the second excitation electrode 26 in plan view. Therefore, the shape of the first outer circumferential structure portion 47 and the second outer circumferential structure portion 48 in plan view may be a curved shape other than an annular shape.
  • the shapes of the first excitation electrode 25 and the second excitation electrode 26 in a plan view are polygonal shapes
  • the shapes of the first outer peripheral structure 47 and the second outer peripheral structure 48 in a plan view may be, for example, linear, L-shaped, or U-shaped.
  • first to third modified examples of the fourth embodiment will be shown, which differ from the fourth embodiment only in the configuration or arrangement of the first outer peripheral structure 47 and the second outer peripheral structure 48. Further, the fourth embodiment is different from the fourth embodiment only in the configuration or arrangement of the first outer peripheral structure 47 and the second outer peripheral structure 48 and the layer structure of the first excitation electrode 23 and the second excitation electrode 24.
  • a modification example of No. 4 is shown below. In the first to fourth modifications, as in the fourth embodiment, the wiring resistance can be lowered, and the stress applied to the acoustic wave device as a whole can be effectively reduced.
  • the first outer peripheral structure 47 is provided on the first layer 25a of the first excitation electrode 25 and is embedded in the second layer 25b. ing.
  • the first outer peripheral structure portion 47 and the first layer 25a are integrally formed of the same material.
  • the first outer peripheral structure portion 47 and the first layer 25a may be configured as separate bodies made of different materials.
  • the second outer peripheral structure portion 48 is provided on the first layer 26a of the second excitation electrode 26 and embedded in the second layer 26b.
  • the second outer peripheral structure 48 and the first layer 26a are integrally formed of the same material.
  • the second outer peripheral structure portion 48 and the first layer 26a may be configured as separate bodies made of different materials.
  • the first outer peripheral structure 47A and the first layer 25a of the first excitation electrode 25 are integrally configured.
  • a portion of the first outer peripheral structure portion 47A is embedded in the second layer 25b of the first excitation electrode 25.
  • the first outer peripheral structure portion 47A includes an electrode portion 47a and a space portion 47b.
  • the space portion 47b is a space that overlaps the electrode portion 47a in plan view.
  • the outer periphery of the electrode portion 47a overlaps the outer periphery of the first excitation electrode 25 in plan view.
  • the electrode portion 47a is embedded within the second layer 25b.
  • a part of the outer peripheral edge of the space 47b is in contact with the outside. Another part of the outer peripheral edge of the space 47b is in contact with the first layer 25a.
  • the space 47b of the first outer peripheral structure 47A is open to the outside.
  • a dielectric film may be provided on the first main surface 4a of the piezoelectric layer 4 so as to cover the first excitation electrode 25. In this case, the outer peripheral edge of the space 47b is in contact with the first extraction electrode 23 and the dielectric film.
  • the second outer peripheral structure portion 48A and the first layer 26a of the second excitation electrode 26 are integrally configured.
  • a portion of the second outer peripheral structure 48A is embedded in the second layer 26b of the second excitation electrode 26.
  • the second outer peripheral structure portion 48A includes an electrode portion 48a and a space portion 48b.
  • the space portion 48b is a space that overlaps the electrode portion 48a in plan view.
  • the outer periphery of the electrode portion 48a overlaps the outer periphery of the second excitation electrode 26 in plan view.
  • the electrode portion 48a is embedded within the second layer 26b.
  • a part of the outer peripheral edge of the space 48b is in contact with the insulating layer 3.
  • Another part of the outer peripheral edge of the space 48b is in contact with the first layer 26a.
  • the electrode portion 47a When providing the first outer peripheral structure portion 47A, for example, after forming a sacrificial layer on the first main surface 4a of the piezoelectric layer 4, the electrode portion 47a may be formed on the sacrificial layer. At this time, the electrode portion 47a, the first layer 25a of the first excitation electrode 25, and the first layer 23a of the first extraction electrode 23 may be formed at the same time. Thereafter, by removing the sacrificial layer, a space 47b is formed. Thereby, the first outer peripheral structure portion 47A can be obtained. A sacrificial layer may be similarly formed and removed when providing the second outer peripheral structure portion 48A.
  • the space 47b of the first outer peripheral structure 47A may be filled with a dielectric. That is, the first outer peripheral structure portion 47A may be a laminate of the dielectric layer and the electrode portion 47a. As a material for the dielectric layer, for example, silicon oxide or the like can be used. In this case, when providing the first outer peripheral structure portion 47A, for example, after forming a dielectric layer on the first main surface 4a of the piezoelectric layer 4, the electrode portion 47a may be formed on the dielectric layer. .
  • the second outer peripheral structure portion 48A may be a laminate of a dielectric layer and an electrode portion 48a. In this case, when providing the second outer peripheral structure portion 48A, for example, after forming a dielectric layer on the second main surface 4b of the piezoelectric layer 4, the electrode portion 48a may be formed on the dielectric layer. .
  • a first outer peripheral structure 47 and a second outer peripheral structure 48 are provided within the piezoelectric layer 4.
  • the positions of the first outer circumferential structure 47 and the second outer circumferential structure 48 in this modification in a plan view are the same as those of the first outer circumferential structure 47 and the second outer circumferential structure 48 in the fourth embodiment in a plan view.
  • the piezoelectric layer 4 of this modification may be, for example, a laminate.
  • the piezoelectric layer 4 includes a layer in which the first outer circumferential structure 47 or the second outer circumferential structure 48 is embedded, and a layer in which the first outer circumferential structure 47 and the second outer circumferential structure 48 are embedded. It may also be a laminate in which layers that are not stacked are stacked.
  • the electrode part 47a is not embedded in the first excitation electrode 25. Tomoyoshi.
  • the electrode portion 47c of the first outer peripheral structure portion 47B is not embedded in the first excitation electrode 45.
  • the first excitation electrode 45 and the first extraction electrode 43 are made of a single-layer metal film, similar to the first embodiment.
  • a part of the space 47b of the first outer peripheral structure 47B is provided between the first excitation electrode 45 and the first extraction electrode 43.
  • the first excitation electrode 45 and the first extraction electrode 43 are connected by an electrode portion 47c of the first outer peripheral structure portion 47B.
  • the electrode portion 47c is made of a laminated metal film. Specifically, the electrode section 47c includes a first layer 47d and a second layer 47e. A first layer 47d in the electrode portion 47c connects the first excitation electrode 45 and the first extraction electrode 43. On the other hand, the second layer 47e is provided only on the first layer 47d.
  • the second excitation electrode 46 and the second extraction electrode 44 are also made of a single layer metal film.
  • a part of the space 48b of the second outer peripheral structure 48B is provided between the second excitation electrode 46 and the second extraction electrode 44.
  • the electrode portion 48c of the second outer peripheral structure portion 48B is made of a laminated metal film.
  • the electrode portion 48c includes a first layer 48d and a second layer 48e.
  • a first layer 48d in the electrode portion 48c connects the second excitation electrode 46 and the second extraction electrode 44.
  • the second layer 48e is provided only on the first layer 48d.
  • the wiring resistance can be lowered, and the stress applied to the acoustic wave device as a whole can be effectively reduced.
  • the shapes of the first outer peripheral structure and the second outer peripheral structure in plan view are congruent. In plan view, the entire first outer peripheral structure and the entire second outer peripheral structure overlap each other. However, the shapes of the first outer circumferential structure and the second outer circumferential structure in plan view do not have to be congruent. In plan view, at least a portion of the first outer peripheral structure and at least a portion of the second outer peripheral structure need only overlap with each other.
  • both the first outer peripheral structure and the second outer peripheral structure are provided.
  • at least one of the first outer circumferential structure and the second outer circumferential structure may be provided as the outer circumferential structure.
  • the portion where the first outer circumferential structure is configured is This is a part of the area that overlaps with the excitation region. Therefore, even in this case, the stress applied to the elastic wave device as a whole can be effectively reduced.
  • the configuration in which at least one of the first outer circumferential structure and the second outer circumferential structure is provided can also be employed in forms of the present invention other than the fourth embodiment and its modifications.
  • FIG. 14 is a schematic front sectional view of the elastic wave device according to the fifth embodiment.
  • This embodiment differs from the second embodiment in that a support body 55 and a lid member 56 are provided. This embodiment also differs from the second embodiment in that the first wiring electrode 57 and the second wiring electrode 58 are made of a single layer metal film. Other than the above points, the elastic wave device of this embodiment has the same configuration as the elastic wave device of the second embodiment.
  • the support body 55 is provided on the first wiring electrode 57.
  • the support body 55 is a metal column in this embodiment.
  • the support body 55 may be a via electrode penetrating a column member made of resin.
  • a frame-shaped support is provided on the first main surface 4a of the piezoelectric layer 4.
  • the support has an opening.
  • a first excitation electrode 25, a second excitation electrode 26, a first wiring electrode 57, a second wiring electrode 58, and a support body 55 are provided within the opening.
  • a lid member 56 is provided on the frame-shaped support body and the column-shaped support body 55. The lid member 56 closes the opening in the frame-shaped support.
  • the material of the support body 55 for example, a metal or an alloy containing Cu or Au can be used.
  • the material of the lid member 56 for example, semiconductors such as silicon, ceramics such as aluminum nitride, etc. can be used.
  • the heat generated in the excitation region can be propagated to the outside via the first extraction electrode 23, the first wiring electrode 57, the support body 55, and the lid member 56. Therefore, heat dissipation can be effectively improved.
  • the support body 55 and the lid member 56 may be electrically connected as long as the electrical characteristics of the acoustic wave device are not significantly impaired.
  • the support body 55 and the lid member 56 may not be electrically connected.
  • an insulating film may be provided between the support body 55 and the lid member 56.
  • the thermal conductivity of the support body 55 and the lid member 56 is higher than that of the piezoelectric layer 4. Thereby, heat dissipation can be further improved.
  • Each electrode of this embodiment is configured similarly to the second embodiment, except that the first wiring electrode 57 and the second wiring electrode 58 are made of a single layer metal film. Therefore, the wiring resistance can be lowered, and the stress applied to the acoustic wave device as a whole can be effectively reduced.
  • an external terminal connection portion such as a bump 15 may be provided on the lid member 56.
  • FIG. 15 is a schematic plan view showing the electrode configuration on the piezoelectric layer in a modification of the fifth embodiment.
  • the dimensions along the first width direction of the first wiring electrode 57A and the first extraction electrode 53A, and the dimensions along the second width direction of the second wiring electrode 58A and the second extraction electrode 54A are The dimensions are different from the fifth embodiment.
  • an electrode in which the first excitation electrode 25 and the first extraction electrode 53A are integrally provided is referred to as a first electrode.
  • An electrode in which the second excitation electrode 26 and the second extraction electrode 54A are integrally provided is referred to as a second electrode.
  • the minimum dimension of the first electrode along the first width direction is larger than the maximum dimension E1 of the first excitation electrode 25 along the first width direction.
  • the dimension D1 along the first width direction is larger than the maximum dimension E1 of the first excitation electrode 25 along the first width direction.
  • the minimum dimension of the second electrode along the second width direction is larger than the maximum dimension E2 of the second excitation electrode 26 along the second width direction.
  • the dimension D2 along the second width direction is larger than the maximum dimension E2 of the second excitation electrode 26 along the second width direction.
  • the acoustic wave device has at least one of a configuration in which D1>E1 in all parts of the first wiring electrode 57A and a configuration in which D2>E2 in all parts in the second wiring electrode 58A.
  • the elastic wave device has both a configuration in which D1>E1 in all parts of the first wiring electrode 57A and a configuration in which D2>E2 in all parts in the second wiring electrode 58A. It is more preferable to have the following. Thereby, heat dissipation can be further improved.
  • FIG. 16 is a schematic front sectional view of the elastic wave device according to the sixth embodiment.
  • This embodiment differs from the first embodiment in that the acoustic reflection section is an acoustic reflection film 69 provided within the insulating layer 3.
  • the elastic wave device of this embodiment has the same configuration as the elastic wave device 1 of the first embodiment.
  • the acoustic reflection film 69 is a laminate of multiple acoustic impedance layers. More specifically, the acoustic reflection film 69 includes a plurality of low acoustic impedance layers and a plurality of high acoustic impedance layers.
  • the low acoustic impedance layer is a layer with relatively low acoustic impedance.
  • the plurality of low acoustic impedance layers of the acoustic reflection film 69 are a low acoustic impedance layer 65a and a low acoustic impedance layer 65b.
  • the high acoustic impedance layer is a layer with relatively high acoustic impedance.
  • the plurality of high acoustic impedance layers of the acoustic reflection film 69 are a high acoustic impedance layer 66a and a high acoustic impedance layer 66b.
  • the low acoustic impedance layers and the high acoustic impedance layers are alternately stacked.
  • the high acoustic impedance layer 66a is the layer located closest to the piezoelectric layer 4 in the acoustic reflection film 69.
  • An intermediate portion 3a of the insulating layer 3 is located between the high acoustic impedance layer 66a and the piezoelectric layer 4.
  • the low acoustic impedance layer 65a may be the layer located closest to the piezoelectric layer 4 in the acoustic reflection film 69.
  • the acoustic reflection film 69 has two low acoustic impedance layers and two high acoustic impedance layers. Note that the acoustic reflection film 69 only needs to have at least one low acoustic impedance layer and at least one high acoustic impedance layer.
  • silicon oxide or aluminum can be used as the material for the low acoustic impedance layer.
  • a metal such as platinum or tungsten, or a dielectric material such as aluminum nitride or silicon nitride can be used.
  • each electrode of this embodiment is configured similarly to the first embodiment. Therefore, the wiring resistance can be lowered, and the applied stress can be effectively reduced as a whole.
  • the material of the dielectric film 37 is the same as that of the insulating layer 3. It is preferable that there be. It is more preferable that the thickness of the dielectric film 37 and the thickness of the intermediate portion 3a of the insulating layer 3 are the same. Thereby, the stress applied to the elastic wave device as a whole can be effectively reduced.
  • the elastic wave device according to the present invention can be used, for example, in a filter device. An example of this is shown below.
  • FIG. 17 is a circuit diagram of a filter device according to a seventh embodiment.
  • the filter device 70 is a ladder type filter.
  • the filter device 70 has a first signal terminal 72A, a second signal terminal 72B, and a plurality of series arm resonators and a plurality of parallel arm resonators as a plurality of resonators.
  • all series arm resonators and all parallel arm resonators are elastic wave devices according to the present invention.
  • at least one resonator may be an elastic wave device according to the present invention.
  • the first signal terminal 72A is an antenna terminal in this embodiment.
  • the antenna terminal is connected to the antenna.
  • the first signal terminal 72A and the second signal terminal 72B may be configured as electrode lands, or may be configured as wiring, for example.
  • the plurality of series arm resonators of this embodiment are a series arm resonator S1, a series arm resonator S2, and a series arm resonator S3.
  • a plurality of series arm resonators are connected in series between the first signal terminal 72A and the second signal terminal 72B.
  • the plurality of parallel arm resonators of this embodiment are specifically a parallel arm resonator P1 and a parallel arm resonator P2.
  • a parallel arm resonator P1 is connected between a connection point between the series arm resonator S1 and the series arm resonator S2 and a ground potential.
  • a parallel arm resonator P2 is connected between the connection point between the series arm resonator S2 and the series arm resonator S3 and the ground potential.
  • the circuit configuration of the filter device according to the present invention is not limited to the above.
  • the filter device is a ladder type filter, it is sufficient that the filter device has at least one series arm resonator and at least one parallel arm resonator.
  • the filter device may include a longitudinally coupled resonator type elastic wave filter.
  • the filter device may include at least one elastic wave device of the present invention, which is a series arm resonator or a parallel arm resonator.
  • FIG. 18 is a schematic front sectional view showing a series arm resonator and a parallel arm resonator in the seventh embodiment.
  • the series arm resonator S1 and the parallel arm resonator P1 are schematically shown side by side.
  • the arrangement of each resonator is not particularly limited.
  • the plurality of resonators share the piezoelectric layer 4 and the insulating layer 83.
  • each resonator may have a separate piezoelectric layer 4 and an insulating layer 83.
  • Each resonator is configured similarly to the third embodiment. More specifically, the series arm resonator S1 includes a first excitation electrode 75A and a second excitation electrode 76A, a first extraction electrode 73A and a second extraction electrode 74A, a first wiring electrode 77A, and a first extraction electrode 73A and a second extraction electrode 74A. It has a second wiring electrode 78A and a dielectric film 87A.
  • a cavity 79A is provided in a portion of the insulating layer 83 that overlaps with the excitation region of the series arm resonator S1 in plan view. Note that the first wiring electrode 77A and the second wiring electrode 78A of the series arm resonator S1 are arranged so as not to overlap with the cavity 79A in plan view.
  • the insulating layer 83 has an intermediate portion 83a. The intermediate portion 83a is located between the cavity portion 79A and the second excitation electrode 76A.
  • the parallel arm resonator P1 includes a first excitation electrode 75B and a second excitation electrode 76B, a first extraction electrode 73B and a second extraction electrode 74B, and a first wiring electrode 77B and a second wiring electrode 78B. and a dielectric film 87B.
  • a cavity 79B is provided in a portion of the insulating layer 83 that overlaps with the excitation region of the parallel arm resonator P1 in plan view. Note that the first wiring electrode 77B and the second wiring electrode 78B of the parallel arm resonator P1 are arranged so as not to overlap the cavity 79B in plan view.
  • the insulating layer 83 has an intermediate portion 83b. The intermediate portion 83b is located between the cavity portion 79B and the second excitation electrode 76B.
  • each of the other resonators is configured similarly to the series arm resonator S1 and the parallel arm resonator P1. Specifically, a cavity is provided in a portion of the insulating layer 83 that overlaps with the excitation region of each resonator in plan view. Note that the first wiring electrode and the second wiring electrode of each resonator are arranged so as not to overlap with the cavity in plan view.
  • the insulating layer 83 has a plurality of intermediate portions other than the intermediate portion 83a and the intermediate portion 83b. Each of these intermediate portions is located between each of the above-mentioned cavities and the second excitation electrode of each of the above-mentioned resonators.
  • each resonator has a first wiring electrode and a second wiring electrode, the wiring resistance in the filter device 70 can be lowered.
  • each layer of the first excitation electrode 75A in the series arm resonator S1 is different from the thickness of each layer of the first excitation electrode 75B in the parallel arm resonator P1. More specifically, each layer of the first excitation electrode 75B in the parallel arm resonator P1 is thicker than each layer of the first excitation electrode 75A in the series arm resonator S1. In addition, the dielectric film 87B in the parallel arm resonator P1 is thicker than the dielectric film 87A in the series arm resonator S1.
  • the second excitation electrode 75A is thicker than the second layer of the first excitation electrode 75A. It is sufficient that the second layer of the excitation electrode 75B is thick. That is, the first layer of the first excitation electrode 75A and the first layer of the second excitation electrode 75B may have the same thickness.
  • Each resonator of the filter device 70 has the configuration of the third embodiment. Therefore, in the series arm resonator S1, the combination of materials from the piezoelectric layer 4 side in the layer configuration of the first excitation electrode 75A and the first wiring electrode 77A, and the combination of the materials from the piezoelectric layer 4 side The combination of materials from the piezoelectric layer 4 side of the layer structure of the wiring electrode 78A is the same.
  • the combination of materials from the piezoelectric layer 4 side in the layer structure of the first excitation electrode 75B and the first wiring electrode 77B, and the combination of the materials from the piezoelectric layer 4 side and the second excitation electrode 76B and the second wiring electrode is the same. Therefore, as in the third embodiment, the stress applied to each of the series arm resonator S1 and the parallel arm resonator P1 can be reduced as a whole. The same applies to other resonators.
  • each resonator in each resonator, the combination of materials and thickness from the piezoelectric layer 4 side of the layer structure of the first excitation electrode and the first wiring electrode, and the layer of the second excitation electrode and the second wiring electrode It is preferable that the combination of materials and thickness from the piezoelectric layer 4 side of the structure is the same. Thereby, the stress applied to each resonator in the filter device 70 can be further reduced.
  • a piezoelectric layer having a first main surface and a second main surface facing each other, a first excitation electrode provided on the first main surface of the piezoelectric layer, and the A second excitation electrode provided on a second main surface, a first wiring electrode connected to the first excitation electrode, and a second wiring connected to the second excitation electrode.
  • the first wiring electrode and the second wiring electrode each have a plurality of wiring electrode layers, and the materials of the plurality of wiring electrode layers are the same as those of the first excitation electrode and the second wiring electrode.
  • ⁇ 4> The acoustic wave device according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 3>, wherein the first excitation electrode and the second excitation electrode each have a plurality of electrode layers.
  • ⁇ 5> Any of ⁇ 1> to ⁇ 4>, further comprising an outer peripheral structure provided on at least one of the outer peripheral edge of the first excitation electrode and the outer peripheral edge of the second excitation electrode.
  • the outer peripheral structure is a first outer structure provided on the first excitation electrode and a second outer structure provided on the second excitation electrode,
  • the shapes of the first outer circumferential structure and the second outer circumferential structure in a plan view are congruent, and in the plan view, the entire first outer circumferential structure and the entire second outer circumferential structure are mutually connected.
  • the second excitation electrode is point symmetrical, and includes a portion where the first wiring electrode and the second wiring electrode are point symmetrical.
  • Elastic wave device
  • the first excitation electrode is line-symmetrical to a symmetry axis
  • the second excitation electrode is line-symmetrical to a symmetry axis
  • at least a portion of the first wiring electrode is line-symmetrical.
  • the elastic wave device according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 8>, wherein the two excitation electrodes have the same layer structure material and combination.
  • the outer peripheral edge of the first wiring electrode is located inside the outer peripheral edge of the first extraction electrode, and the outer peripheral edge of the first wiring electrode is located in a direction perpendicular to the direction in which the first wiring electrode extends.
  • the second width direction is the second width direction.
  • a configuration in which the dimension along the first width direction is larger than the maximum dimension along the first width direction of the first excitation electrode, and in at least a part of the second wiring electrode, the second wiring having at least one of the configurations in which the dimension of the electrode along the second width direction is larger than the maximum dimension of the second excitation electrode along the second width direction.
  • Elastic wave device having at least one of the configurations in which the dimension of the electrode along the second width direction is larger than the maximum dimension of the second excitation electrode along the second width direction.
  • the dimension along the first width direction is larger than the maximum dimension along the first width direction of the first excitation electrode
  • the elastic wave device according to ⁇ 10> which has at least one configuration.
  • ⁇ 12> The acoustic wave device according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 11>, further comprising a dielectric film provided on the first excitation electrode.
  • the dielectric film is provided in a portion of the first excitation electrode that overlaps with the acoustic reflection section in plan view, and the insulating layer is provided on a portion of the first excitation electrode that overlaps with the acoustic reflection section and the second excitation electrode.
  • ⁇ 14> The device according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 13>, further comprising a support substrate, and the piezoelectric layer is laminated indirectly on the support substrate via the insulating layer.
  • Elastic wave device
  • ⁇ 15> Any one of ⁇ 1> to ⁇ 14>, wherein the acoustic reflection section, the first wiring electrode, and the second wiring electrode face each other across a gap in plan view.
  • ⁇ 16> The acoustic wave device according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 15>, wherein the acoustic reflection section is a cavity provided within the insulating layer.
  • the acoustic reflecting portion is an acoustic reflecting film provided within the insulating layer, and the acoustic reflecting film is relatively low acoustic impedance layer and at least one low acoustic impedance layer having a relatively low acoustic impedance. Any one of ⁇ 1> to ⁇ 15>, comprising at least one high acoustic impedance layer having high acoustic impedance, and the low acoustic impedance layer and the high acoustic impedance layer are alternately laminated.
  • the elastic wave device described in is described in .
  • ⁇ 18> The method according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 17>, further comprising a support provided on the first wiring electrode and a lid member provided on the support. elastic wave device.
  • ⁇ 19> The acoustic wave device according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 18>, wherein any one of lithium tantalate, lithium niobate, and aluminum nitride is used as a material for the piezoelectric layer.
  • a series arm resonator and a parallel arm resonator wherein at least one of the series arm resonator and the parallel arm resonator is any one of ⁇ 1> to ⁇ 19>.
  • a filter device which is an elastic wave device according to.
  • Electrode part 47b Space part 47c... Electrode parts 47d, 47e... First and second layers 48, 48A, 48B... Second outer peripheral structure part 48a... Electrode part 48b... Space part 48c... Electrode Parts 48d, 48e...first and second layers 53A, 54A...first and second extraction electrodes 55...support body 56...lid members 57, 57A...first wiring electrodes 58, 58A...second wiring electrodes 65a, 65b...Low acoustic impedance layer 66a, 66b...High acoustic impedance layer 69...Acoustic reflection film 70...Filter device 72A, 72B...First, second signal terminal 73A, 73B...First extraction electrode 74A, 74B...
  • Second extraction electrodes 75A, 75B First excitation electrodes 76A, 76B...Second excitation electrodes 77A, 77B...First wiring electrodes 78A, 78B...Second wiring electrodes 79A, 79B...Cavity part 83...Insulation Layers 83a, 83b...Intermediate portions 87A, 87B...Dielectric films P1, P2...Parallel arm resonators S1 to S3...Series arm resonators

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Abstract

配線抵抗を低くすることができ、かつ加わる応力を全体として小さくすることができる、弾性波装置を提供する。　弾性波装置１は、互いに対向している第１の主面４ａ及び第２の主面４ｂを有する圧電体層４と、圧電体層４の第１の主面４ａに設けられている第１の励振電極５、及び第２の主面４ｂに設けられている第２の励振電極６と、第１の励振電極５に接続されている第１の配線電極７、及び第２の励振電極６に接続されている第２の配線電極８と、圧電体層４の第２の主面４ｂに、第２の励振電極６及び第２の配線電極８の少なくとも一部を覆うように設けられている絶縁層３とを備える。第１の励振電極５及び第２の励振電極６が、圧電体層４を挟み互いに対向している。圧電体層４における、第１の励振電極５及び第２の励振電極６に挟まれている領域が励振領域Ａである。絶縁層３内に、平面視において励振領域Ａの少なくとも一部と重なっている、音響反射部（空洞部９）が設けられている。第１の配線電極７及び第２の配線電極８が、平面視において音響反射部と重なっていない。第１の励振電極５及び第１の配線電極７の層構成の、圧電体層４側からの材料の組み合わせと、第２の励振電極６及び第２の配線電極８の層構成の、圧電体層４側からの材料の組み合わせとが同じである。

Description

弾性波装置及びフィルタ装置
　本発明は、弾性波装置及びフィルタ装置に関する。
　従来、弾性波装置は携帯電話機のフィルタなどに広く用いられている。下記の特許文献１には、弾性波装置としての、圧電薄膜共振子の一例が開示されている。この圧電薄膜共振子においては、基板上に圧電膜が設けられている。圧電膜の両主面に設けられた電極同士が、互いに対向している。電極同士が対向している領域が共振領域である。上記の双方の電極はそれぞれ、共振領域から引き出されている部分を有する。該部分は、他の圧電薄膜共振子と接続される部分として用いられている。なお、基板には空隙が設けられている。共振領域は空隙に面している。
特開２０２０－１４１３３７号公報
　特許文献１に記載の圧電薄膜共振子の電極においては、他の圧電薄膜共振子と接続される部分、及び共振領域に位置する部分は同様に構成されている。そのため、配線抵抗を十分に低くすることは困難である。さらに、基板の空隙に面している部分と、空隙に面していない部分とにおいて、電極は同様に構成されている。そのため、空隙に面している部分と、空隙に面していない部分とにおいて、応力の差が大きくなりがちである。この場合、圧電薄膜共振子に加わる応力が全体として大きくなる。そのため、圧電薄膜共振子において所望の電気的特性を得ることが困難になったり、圧電薄膜共振子が破損したりするおそれがある。
　本発明の目的は、配線抵抗を低くすることができ、かつ加わる応力を全体として小さくすることができる、弾性波装置及びフィルタ装置を提供することにある。
　本発明に係る弾性波装置は、互いに対向している第１の主面及び第２の主面を有する圧電体層と、前記圧電体層の前記第１の主面に設けられている第１の励振電極、及び前記第２の主面に設けられている第２の励振電極と、前記第１の励振電極に接続されている第１の配線電極、及び前記第２の励振電極に接続されている第２の配線電極と、前記圧電体層の前記第２の主面に、前記第２の励振電極及び前記第２の配線電極の少なくとも一部を覆うように設けられている絶縁層とを備え、前記第１の励振電極及び前記第２の励振電極が、前記圧電体層を挟み互いに対向しており、前記圧電体層における、前記第１の励振電極及び前記第２の励振電極に挟まれている領域が励振領域であり、前記絶縁層内に、平面視において前記励振領域の少なくとも一部と重なっている、音響反射部が設けられており、前記第１の配線電極及び前記第２の配線電極が、平面視において前記音響反射部と重なっておらず、前記第１の励振電極及び前記第１の配線電極の層構成の、前記圧電体層側からの材料の組み合わせと、前記第２の励振電極及び前記第２の配線電極の層構成の、前記圧電体層側からの材料の組み合わせとが同じである。
　本発明に係るフィルタ装置は、直列腕共振子と、並列腕共振子とを備え、前記直列腕共振子及び前記並列腕共振子のうち少なくとも１つの共振子が、本発明に従い構成されている弾性波装置である。
　本発明に係る弾性波装置及びフィルタ装置によれば、配線抵抗を低くすることができ、かつ加わる応力を全体として小さくすることができる。
図１は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の模式的正面断面図である。 図２は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の模式的平面図である。 図３は、本発明の第１の実施形態における対称構造を説明するための、模式的正面断面図である。 図４は、本発明の第１の実施形態における対称構造を説明するための、模式的平面図である。 図５は、本発明の第１の実施形態の第１の変形例に係る弾性波装置の模式的正面断面図である。 図６は、本発明の第１の実施形態の第２の変形例に係る弾性波装置の模式的正面断面図である。 図７は、本発明の第２の実施形態に係る弾性波装置の模式的正面断面図である。 図８は、本発明の第３の実施形態に係る弾性波装置の模式的正面断面図である。 図９は、本発明の第４の実施形態に係る弾性波装置の模式的正面断面図である。 図１０は、本発明の第４の実施形態の第１の変形例に係る弾性波装置の模式的正面断面図である。 図１１は、本発明の第４の実施形態の第２の変形例に係る弾性波装置の模式的正面断面図である。 図１２は、本発明の第４の実施形態の第３の変形例に係る弾性波装置の模式的正面断面図である。 図１３は、本発明の第４の実施形態の第４の変形例に係る弾性波装置の模式的正面断面図である。 図１４は、本発明の第５の実施形態に係る弾性波装置の模式的正面断面図である。 図１５は、本発明の第５の実施形態の変形例における圧電体層上の電極構成を示す模式的平面図である。 図１６は、本発明の第６の実施形態に係る弾性波装置の模式的正面断面図である。 図１７は、本発明の第７の実施形態に係るフィルタ装置の回路図である。 図１８は、本発明の第７の実施形態における直列腕共振子及び並列腕共振子を示す模式的正面断面図である。
　以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
　なお、本明細書に記載の各実施形態は、例示的なものであり、異なる実施形態間において、構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることを指摘しておく。
　図１は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の模式的正面断面図である。
　本実施形態の弾性波装置１は、ＢＡＷ（Ｂｕｌｋ　Ａｃｏｕｓｔｉｃ　Ｗａｖｅ）素子である。弾性波装置１は、支持基板２と、絶縁層３と、圧電体層４と、第１の励振電極５及び第２の励振電極６と、第１の配線電極７及び第２の配線電極８とを有する。支持基板２上に絶縁層３が設けられている。絶縁層３上に圧電体層４が設けられている。すなわち、支持基板２上に、絶縁層３を介して間接的に圧電体層４が設けられている。
　支持基板２の材料としては、例えば、シリコンなどの半導体や、酸化アルミニウムなどのセラミックスなどを用いることができる。絶縁層３の材料としては、酸化ケイ素または五酸化タンタルなどの、適宜の誘電体を用いることができる。圧電体層４の材料としては、例えば、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウム、酸化亜鉛、窒化アルミニウム、水晶、またはＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）などを用いることができる。なお、圧電体層４の材料としては、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウムまたは窒化アルミニウムなどを用いることが好ましい。
　圧電体層４は第１の主面４ａ及び第２の主面４ｂを有する。第１の主面４ａ及び第２の主面４ｂは互いに対向している。第１の主面４ａ及び第２の主面４ｂのうち、第２の主面４ｂが絶縁層３側に位置している。
　第１の主面４ａに第１の励振電極５が設けられている。第２の主面４ｂに第２の励振電極６が設けられている。第１の励振電極５及び第２の励振電極６は、圧電体層４を挟み互いに対向している。圧電体層４における、第１の励振電極５及び第２の励振電極６に挟まれている領域が励振領域Ａである。第１の励振電極５及び第２の励振電極６の間に交流電界を印加することにより、励振領域Ａにおいて弾性波が励振される。
　第１の励振電極５及び第２の励振電極６は、本実施形態では、単層の電極膜からなる。第１の励振電極５及び第２の励振電極６はＲｕからなる。本明細書において、ある部材がある材料からなるとは、弾性波装置の電気的特性が大きく劣化しない程度の微量な不純物が含まれる場合を含む。もっとも、第１の励振電極５及び第２の励振電極６の材料は上記に限定されず、例えば、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｒｕ、Ｗ、Ｍｏ及びＰｔからなる群から選択される少なくとも１種を含む金属または合金からなっていてもよい。あるいは、第１の励振電極５及び第２の励振電極６は積層金属膜からなっていてもよい。
　圧電体層４の第１の主面４ａには、第１の引き出し電極１３が設けられている。第１の引き出し電極１３は、第１の励振電極５から引き出されている。すなわち、第１の引き出し電極１３及び第１の励振電極５は、同じ材料により一体として構成されている。よって、第１の引き出し電極１３の層構成、及び第１の励振電極５の層構成の材料及び厚みの組み合わせは同じである。
　圧電体層４の第２の主面４ｂには、第２の引き出し電極１４が設けられている。第２の引き出し電極１４は、第２の励振電極６から引き出されている。すなわち、第２の引き出し電極１４及び第２の励振電極６は、同じ材料により一体として構成されている。よって、第２の引き出し電極１４の層構成、及び第２の励振電極６の層構成の材料及び厚みの組み合わせは同じである。
　第１の引き出し電極１３上には、第１の配線電極７が設けられている。第２の引き出し電極１４上には、第２の配線電極８が設けられている。第１の配線電極７及び第２の配線電極８は、例えば、他の素子などに電気的に接続される。第１の配線電極７及び第２の配線電極８の厚みは、第１の励振電極５、第１の引き出し電極１３、第２の励振電極６及び第２の引き出し電極１４の厚みよりも厚い。それによって、第１の配線電極７及び第２の配線電極８の電気抵抗が低くされている。
　第１の配線電極７及び第２の配線電極８は、本実施形態では、積層金属膜からなる。第１の配線電極７は複数の配線電極層としての、第１の層７ａ及び第２の層７ｂを有する。圧電体層４側から、第１の層７ａ及び第２の層７ｂがこの順序において積層されている。第１の層７ａはＣｕからなる。第２の層７ｂはＡｕからなる。第２の配線電極８も、複数の配線電極層としての、第１の層８ａ及び第２の層８ｂを有する。圧電体層４側から、第１の層８ａ及び第２の層８ｂがこの順序において積層されている。第１の層８ａはＣｕからなる。第２の層８ｂはＡｕからなる。
　もっとも、第１の配線電極７及び第２の配線電極８の各層の材料は上記に限定されず、例えば、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｒｕ、Ｗ、Ｍｏ及びＰｔからなる群から選択される少なくとも１種を含む金属または合金からなっていてもよい。第１の配線電極７及び第２の配線電極８の層数はそれぞれ２層に限定されず、例えば３層以上であってもよい。あるいは、第１の配線電極７及び第２の配線電極８は単層の金属膜からなっていてもよい。
　第２の励振電極６、第２の引き出し電極１４及び第２の配線電極８は、絶縁層３に埋め込まれている。もっとも、絶縁層３は、第２の励振電極６、第２の引き出し電極１４及び第２の配線電極８の少なくとも一部を覆うように、圧電体層４の第２の主面４ｂに設けられていればよい。
　絶縁層３内には音響反射部が設けられている。より具体的には、本実施形態では、音響反射部は空洞部９である。もっとも、音響反射部は、後述する音響反射膜であってもよい。空洞部９は、平面視において、励振領域Ａと重なっている。これにより、弾性波のエネルギーを、圧電体層４側に好適に閉じ込めることができる。本明細書において平面視とは、図１における上方に相当する方向から見ることをいう。例えば、図１においては、圧電体層４側及び支持基板２側のうち、圧電体層４側が上方である。
　なお、空洞部９は、平面視において、励振領域Ａの少なくとも一部と重なっていればよい。例えば、平面視において、空洞部９の外周縁の一部が励振領域Ａの外周縁の外側に位置し、空洞部９の外周縁の他の一部が励振領域Ａの外周縁の内側に位置していても構わない。もっとも、空洞部９は、平面視において、励振領域Ａの全てと重なっていることが好ましい。それによって、弾性波のエネルギーを、圧電体層４側に効果的に閉じ込めることができる。
　絶縁層３は中間部３ａを有する。より具体的には、中間部３ａは、空洞部９及び第２の励振電極６の間に位置している部分である。なお、絶縁層３は中間部３ａを有していなくともよい。音響反射部としての空洞部９が、第２の励振電極６に接していてもよい。
　本実施形態の特徴は、以下の構成を有することにある。１）第１の配線電極７及び第２の配線電極８が、平面視において空洞部９と重ならないように設けられていること。２）第１の励振電極５及び第１の配線電極７の層構成の、圧電体層４側からの材料の組み合わせと、第２の励振電極６及び第２の配線電極８の層構成の、圧電体層４側からの材料の組み合わせとが同じであること。それによって、配線抵抗を低くすることができ、かつ弾性波装置１に加わる応力を全体として小さくすることができる。これを以下において説明する。
　弾性波装置１においては、他の素子に接続される電極が、第１の引き出し電極１３及び第２の引き出し電極１４だけでなく、第１の配線電極７及び第２の配線電極８を含む。それによって、配線抵抗を低くすることができる。加えて、第１の配線電極７及び第２の配線電極８が、平面視において、音響反射部としての空洞部９と重ならないように設けられている。それによって、弾性波装置１における、平面視において空洞部９と重なる部分と、空洞部９と重ならない部分とにおける応力の差を小さくすることができる。これにより、弾性波装置１において応力の集中が生じ難くなり、弾性波装置１に加わる応力を全体として小さくすることができる。
　さらに、第１の励振電極５及び第１の配線電極７の層構成の、圧電体層４側からの材料の組み合わせと、第２の励振電極６及び第２の配線電極８の層構成の、圧電体層４側からの材料の組み合わせとが同じである。なお、上記のように、第１の励振電極５の層構成、及び第１の引き出し電極１３の層構成の材料の組み合わせも同じである。そして、第２の励振電極６の層構成、及び第２の引き出し電極１４の層構成の材料の組み合わせも同じである。そのため、第１の引き出し電極１３及び第１の配線電極７の積層体の層構成の、圧電体層４側からの材料の組み合わせと、第２の引き出し電極１４及び第２の配線電極８の積層体の層構成の、圧電体層４側からの材料の組み合わせとも同じである。よって、圧電体層４の第１の主面４ａ側及び第２の主面４ｂ側に加わる応力の差を効果的に小さくすることができる。これにより、第１の主面４ａ側及び第２の主面４ｂ側に加わる応力を効果的に打ち消し合わせることができる。従って、弾性波装置１に加わる応力を、全体として効果的に小さくすることができる。
　第１の配線電極７及び第２の配線電極８のそれぞれの複数の配線電極層の材料がいずれも、第１の励振電極５、第２の励振電極６、第１の引き出し電極１３及び第２の引き出し電極１４の材料と異なることが好ましい。第１の配線電極７及び第２の配線電極８を構成している全ての金属種の電気抵抗率が、第１の励振電極５、第２の励振電極６、第１の引き出し電極１３及び第２の引き出し電極１４を構成している全ての金属種の電気抵抗率よりも低いことがより好ましい。それによって、第１の配線電極７及び第２の配線電極８の電気抵抗をより一層低くすることができる。
　第１の励振電極５及び第１の配線電極７の層構成の、圧電体層４側からの材料及び厚みの組み合わせと、第２の励振電極６及び第２の配線電極８の層構成の、圧電体層４側からの材料及び厚みの組み合わせとが同じであることが好ましい。それによって、弾性波装置１に加わる応力を、全体としてより一層小さくすることができる。
　より詳細には、上記のように、第１の励振電極５の層構成、及び第１の引き出し電極１３の層構成の材料及び厚みの組み合わせは同じである。そして、第２の励振電極６の層構成、及び第２の引き出し電極１４の層構成の材料及び厚みの組み合わせも同じである。そのため、第１の引き出し電極１３及び第１の配線電極７の積層体の層構成の、圧電体層４側からの材料及び厚みの組み合わせと、第２の引き出し電極１４及び第２の配線電極８の積層体の層構成の、圧電体層４側からの材料及び厚みの組み合わせとも同じである。よって、圧電体層４の第１の主面４ａ側及び第２の主面４ｂ側に加わる応力の差をより一層小さくすることができる。これにより、第１の主面４ａ側及び第２の主面４ｂ側に加わる応力をより確実に打ち消し合わせることができる。従って、弾性波装置１に加わる応力を、全体としてより一層小さくすることができる。
　なお、本明細書において、電極の厚み同士が同じであるとは、厚みの差が０％であることだけでなく、厚みの差が２０％以下であることを含む。すなわち、一方の電極の厚みをｔａ、他方の電極の厚みをｔｂとした場合、ｔａ＞ｔｂであるとき、｛（ｔａ－ｔｂ）／ｔａ｝×１００［％］≦２０［％］である場合に、一方の電極の厚みｔａ及び他方の電極の厚みｔｂが同じであるとする。
　ところで、弾性波装置１では、弾性波が励振されるに際し、励振領域Ａにおいて熱が生じる。弾性波装置１においては、放熱性を高めることができる。それによって、弾性波装置１に加わる熱応力を、全体として小さくすることができる。放熱性を高められる効果の詳細を、本実施形態の構成のさらなる詳細と共に、以下において説明する。
　図２は、第１の実施形態に係る弾性波装置の模式的平面図である。なお、上記の図１は、図２中のＩ－Ｉ線に沿う模式的断面図である。
　上記のように、第１の励振電極５及び第１の引き出し電極１３は一体として設けられている。この、第１の励振電極５及び第１の引き出し電極１３が一体として設けられた電極を第１の電極とする。一方で、第２の励振電極６及び第２の引き出し電極１４が一体として設けられた電極を、第２の電極とする。この場合、第１の電極における、平面視において第２の電極と重なっている部分が、第１の励振電極５である。同様に、第２の電極における、平面視において第１の電極と重なっている部分が、第２の励振電極６である。本実施形態においては、第１の励振電極５及び第２の励振電極６の全てが、平面視において励振領域Ａと重なっている。第１の励振電極５、第２の励振電極６及び励振領域Ａの平面視における形状は、合同である。
　第１の励振電極５及び第２の励振電極６の平面視における形状は略円形である。もっとも、第１の励振電極５及び第２の励振電極６の平面視における形状は上記に限定されず、例えば、円形、楕円形、半楕円形または多角形などであってもよい。
　第１の配線電極７が延びる方向と直交する方向を第１の幅方向とし、第１の配線電極７の第１の幅方向に沿う寸法をＤ１、第１の励振電極５の第１の幅方向に沿う最大の寸法をＥ１とする。本実施形態では、第１の配線電極７の図２に示す部分においては、第１の励振電極５から離れるにつれて、寸法Ｄ１が大きくなっている。これにより、第１の配線電極７が、Ｄ１＞Ｅ１である部分を含む。それによって、放熱性を高めることができる。
　平面視において、第１の配線電極７の外周縁は、第１の引き出し電極１３の外周縁よりも内側に位置している。それによって、弾性波装置１の製造に際し、第１の配線電極７または第１の引き出し電極１３に位置ずれが生じたとしても、第１の配線電極７の全体を、第１の引き出し電極１３上により確実に設けることができる。第１の配線電極７及び第１の引き出し電極１３が積層された構成をより確実に得ることができるため、放熱性をより確実に高めることができる。
　第２の励振電極６、第２の引き出し電極１４及び第２の配線電極８の寸法及び位置の関係は、第１の励振電極５、第１の引き出し電極１３及び第１の配線電極７の寸法及び位置の関係と同様である。より具体的には、平面視において、第２の配線電極８の外周縁は、第２の引き出し電極１４の外周縁よりも内側に位置している。ここで、第２の配線電極８が延びる方向と直交する方向を第２の幅方向とし、第２の配線電極８の第２の幅方向に沿う寸法をＤ２、第２の励振電極６の第２の幅方向に沿う最大の寸法をＥ２とする。もっとも、本実施形態においては、第１の幅方向及び第２の幅方向は平行である。第２の配線電極８は、Ｄ２＞Ｅ２である部分を含む。それによって、放熱性をより確実に高めることができる。
　なお、第１の励振電極５、第１の引き出し電極１３及び第１の配線電極７の寸法及び位置の関係、並びに第２の励振電極６、第２の引き出し電極１４及び第２の配線電極８の寸法及び位置の関係は上記に限定されない。もっとも、弾性波装置１が、第１の配線電極７の少なくとも一部において、Ｄ１＞Ｅ１である構成、及び第２の配線電極８の少なくとも一部において、Ｄ２＞Ｅ２である構成のうち少なくとも一方を有することが好ましい。弾性波装置１が、第１の配線電極７の少なくとも一部において、Ｄ１＞Ｅ１である構成、及び第２の配線電極８の少なくとも一部において、Ｄ２＞Ｅ２である構成の双方を有することがより好ましい。
　第１の配線電極７の図２に示す部分においては、第１の配線電極７の寸法Ｄ１が変化している。もっとも、第１の配線電極７は、寸法Ｄ１が一定の部分を有していてもよい。第１の配線電極７の図２に示す部分においては、第１の配線電極７は一方向に延びている。なお、第１の配線電極７は曲がった部分を有していてもよい。この場合、第１の配線電極７のそれぞれの部分の第１の幅方向は、それぞれの部分が延びる方向と直交する方向である。第１の配線電極７及び第１の励振電極５の第１の幅方向に沿う寸法を比較する場合、第１の配線電極７において比較の対象とする部分における第１の幅方向を用いればよい。
　第１の配線電極７の寸法Ｄ１と同様に、第２の配線電極８の寸法Ｄ２は、第２の配線電極８の図２に示す部分において変化している。もっとも、第２の配線電極８は、寸法Ｄ２が一定の部分を有していてもよい。第２の配線電極８の図２に示す部分においては、第２の配線電極８は一方向に延びている。なお、第２の配線電極８は曲がった部分を有していてもよい。この場合、第２の配線電極８のそれぞれの部分の第２の幅方向は、それぞれの部分が延びる方向と直交する方向である。第２の配線電極８及び第２の励振電極６の第２の幅方向に沿う寸法を比較する場合、第２の配線電極８において比較の対象とする部分における第２の幅方向を用いればよい。
　図１に戻り、支持基板２上には、複数のバンプ１５が設けられている。複数のバンプ１５は、第１の励振電極５または第２の励振電極６に電気的に接続されている。弾性波装置１は、複数のバンプ１５により、実装基板などに接合される。もっとも、バンプ１５は、弾性波装置１と、外部とを電気的に接続する部材の一例である。支持基板２上には、例えば、ＬＧＡ（Ｌａｎｄ　Ｇｒｉｄ　Ａｒｒａｙ）などの外部端子接続部が設けられていてもよい。
　励振領域Ａにおいて生じた熱は、第２の励振電極６、第２の引き出し電極１４及び第２の配線電極８から絶縁層３に伝搬する。そして、上記熱は、絶縁層３、支持基板２及びバンプ１５を介して、外部に伝搬する。よって、放熱性を高めることができる。
　圧電体層４の材料として、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム及び窒化アルミニウムのうちいずれかが用いられていることが好ましい。タンタル酸リチウム及びニオブ酸リチウムは、誘電率が高い圧電材料である。よって、弾性波装置１を広帯域フィルタに用いる場合に、圧電体層４にタンタル酸リチウムやニオブ酸リチウムを好適に用いることができる。そして、弾性波装置１は上記の構成を有するため、放熱性が高い。一方で、窒化アルミニウムは熱伝導性において優れている。よって、圧電体層４に窒化アルミニウムを用いる場合には、放熱性をより一層高めることができる。
　支持基板２の熱伝導率が、圧電体層４及び絶縁層３の熱伝導率よりも高いことが好ましい。それによって、放熱性を効果的に高めることができる。
　なお、支持基板２は必ずしも設けられていなくともよい。この場合、例えば、圧電体層４の第１の主面４ａ側の、第１の配線電極７などの配線上に、複数のバンプ１５などの外部端子接続部が設けられていてもよい。これらの複数のバンプ１５により、実装基板などに接合されてもよい。あるいは、弾性波装置１はＷＬＰ（Ｗａｆｅｒ　Ｌｅｖｅｌ　Ｐａｃｋａｇｅ）構造であってもよい。この場合、圧電体層４上に支持体が設けられており、支持体上に蓋部材が設けられている。そして、蓋部材上に、バンプ１５などの外部端子接続部が設けられていてもよい。
　図３は、第１の実施形態における対称構造を説明するための、模式的正面断面図である。図４は、第１の実施形態における対称構造を説明するための、模式的平面図である。なお、図３中の一方の破線は、第１の励振電極５及び第１の引き出し電極１３の境界を示す。他方の破線は、第２の励振電極６及び第２の引き出し電極１４の境界を示す。図３以降の各断面図においても同様である。
　図３に示す断面は、圧電体層４、第１の励振電極５、第２の励振電極６、第１の配線電極７及び第２の配線電極８を通る断面である。図３に示す断面においては、第１の励振電極５及び第２の励振電極６は、圧電体層４の中心を対称の中心Ｂとした点対称である。加えて、第１の配線電極７及び第２の配線電極８は、圧電体層４の中心を対称の中心Ｂとした点対称である。それによって、弾性波装置１における位置毎の応力のばらつきを効果的に抑制することができる。
　なお、圧電体層４、第１の励振電極５、第２の励振電極６、第１の配線電極７及び第２の配線電極８を通る断面は無数に存在する。これらの断面のうち少なくとも１つの断面において、第１の励振電極５及び第２の励振電極６が点対称であり、かつ第１の配線電極７及び第２の配線電極８が点対称である部分が含まれることが好ましい。それによって、弾性波装置１における位置毎の応力のばらつきを効果的に抑制することができる。
　図４に示すように、平面視において、第１の励振電極５は、対称軸Ｃに対して線対称である。同様に、第２の励振電極６も対称軸Ｃに対して線対称である。第１の配線電極７も対称軸Ｃに対して線対称である。さらに、第２の配線電極８も対称軸Ｃに対して線対称である。以上のように、本実施形態では、平面視において、第１の励振電極５が線対称となる対称軸Ｃと、第２の励振電極６が線対称となる対称軸Ｃと、第１の配線電極７が線対称となる対称軸Ｃと、第２の配線電極８が線対称となる対称軸Ｃとが一致している。これにより、弾性波装置１における位置毎の応力のばらつきを効果的に抑制することができる。
　なお、上記のように、第１の配線電極７や第２の配線電極８は曲がった部分を有していてもよい。この場合、第１の配線電極７の一部が線対称となる対称軸が上記対称軸Ｃであり、第２の配線電極８の一部が線対称となる対称軸が上記対称軸Ｃであることが好ましい。平面視において、第１の励振電極５、第２の励振電極６、第１の配線電極７の少なくとも一部、及び第２の配線電極８の少なくとも一部の対称軸Ｃが一致していることが好ましい。これにより、弾性波装置１における位置毎の応力のばらつきを効果的に抑制することができる。
　図３に示すように、本実施形態においては、第１の配線電極７及び第２の配線電極８は、平面視において、音響反射部としての空洞部９と重ならないように設けられている。それによって、弾性波装置１における、平面視において空洞部９と重なる部分と、空洞部９と重ならない部分とにおける応力の差を小さくすることができる。さらに、本実施形態では、平面視において、空洞部９と、第１の配線電極７及び第２の配線電極８とが、ギャップＧを隔てて互いに対向している。それによって、弾性波装置１の製造に際し、第１の配線電極７、第２の配線電極８または空洞部９に位置ずれが生じたとしても、第１の配線電極７及び第２の配線電極８と、空洞部９とを、平面視においてより確実に重ならないようにすることができる。従って、弾性波装置１における位置毎の応力のばらつきを、より確実に抑制することができる。
　ところで、上述したように、第１の配線電極７及び第２の配線電極８は、必ずしも積層金属膜からなっていなくともよい。例えば、図５に示す第１の実施形態の第１の変形例においては、第１の配線電極７Ａ及び第２の配線電極８Ａは単層の金属膜からなる。この場合においても、第１の実施形態と同様に、配線抵抗を低くすることができ、かつ加わる応力を全体として小さくすることができる。
　上記のように、絶縁層３は中間部３ａを必ずしも有していなくともよい。例えば、図６に示す第１の実施形態の第２の変形例においては、絶縁層３Ａは中間部を有しない。第２の励振電極６は、音響反射部としての空洞部９に接している。この場合においても、第１の実施形態と同様に、配線抵抗を低くすることができ、かつ加わる応力を全体として小さくすることができる。
　図７は、第２の実施形態に係る弾性波装置の模式的正面断面図である。
　本実施形態は、第１の励振電極２５、第２の励振電極２６、第１の引き出し電極２３及び第２の引き出し電極２４が積層金属膜からなっている点において、第１の実施形態と異なる。上記の点以外においては、本実施形態の弾性波装置は第１の実施形態の弾性波装置１と同様の構成を有する。
　第１の励振電極２５は、複数の電極層としての、第１の層２５ａ及び第２の層２５ｂを有する。第１の引き出し電極２３は、第１の層２３ａ及び第２の層２３ｂを有する。第１の励振電極２５及び第１の引き出し電極２３は、同じ材料により一体として構成されている。よって、第１の励振電極２５の層構成、及び第１の引き出し電極２３の層構成の材料及び厚みの組み合わせは同じである。
　より具体的には、本実施形態においては、第１の励振電極２５においては、圧電体層４側から、第１の層２５ａ及び第２の層２５ｂがこの順序で積層されている。第１の層２５ａはＷからなる。第２の層２５ｂはＡｌからなる。同様に、第１の引き出し電極２３においては、圧電体層４側から、第１の層２３ａ及び第２の層２３ｂがこの順序で積層されている。第１の層２３ａはＷからなる。第２の層２３ｂはＡｌからなる。なお、第１の励振電極２５及び第１の引き出し電極２３の各層は、例えば、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｒｕ、Ｗ、Ｍｏ及びＰｔからなる群から選択される少なくとも１種を含む金属または合金からなっていてもよい。よって、第１の層２５ａ及び第１の層２３ａは、例えばＰｔからなっていてもよい。
　第２の励振電極２６及び第２の引き出し電極２４の関係も、第１の励振電極２５及び第１の引き出し電極２３の関係と同様である。具体的には、第２の励振電極２６は、複数の電極層としての、第１の層２６ａ及び第２の層２６ｂを有する。第２の引き出し電極２４は、第１の層２４ａ及び第２の層２４ｂを有する。第２の励振電極２６及び第２の引き出し電極２４は、同じ材料により一体として構成されている。第２の励振電極２６の層構成、及び第２の引き出し電極２４の層構成の材料及び厚みの組み合わせは同じである。
　より具体的には、第２の励振電極２６においては、圧電体層４側から、第１の層２６ａ及び第２の層２６ｂがこの順序で積層されている。第１の層２６ａはＷからなる。第２の層２６ｂはＡｌからなる。同様に、第２の引き出し電極２４においては、圧電体層４側から、第１の層２４ａ及び第２の層２４ｂがこの順序で積層されている。第１の層２４ａはＷからなる。第２の層２４ｂはＡｌからなる。
　本実施形態においても、第１の実施形態と同様に、第１の配線電極７及び第２の配線電極８が、平面視において空洞部９と重ならないように設けられている。さらに、第１の励振電極２５及び第１の配線電極７の層構成の、圧電体層４側からの材料及び厚みの組み合わせと、第２の励振電極２６及び第２の配線電極８の層構成の、圧電体層４側からの材料及び厚みの組み合わせとが同じである。そして、第１の引き出し電極２３及び第１の配線電極７の積層体の層構成の、圧電体層４側からの材料及び厚みの組み合わせと、第２の引き出し電極２４及び第２の配線電極８の積層体の層構成の、圧電体層４側からの材料及び厚みの組み合わせとが同じである。これらにより、配線抵抗を低くすることができ、かつ弾性波装置に加わる応力を全体として小さくすることができる。
　なお、第１の励振電極２５、第２の励振電極２６、第１の引き出し電極２３及び第２の引き出し電極２４の層数はそれぞれ２層に限定されず、例えば３層以上であってもよい。もっとも、第１の励振電極２５、第２の励振電極２６、第１の引き出し電極２３及び第２の引き出し電極２４の層数は、第１の実施形態と同様に１層であってもよい。本発明の弾性波装置においては、第１の励振電極、第２の励振電極、第１の引き出し電極及び第２の引き出し電極の層数は特に限定されない。
　図８は、第３の実施形態に係る弾性波装置の模式的正面断面図である。
　本実施形態は、第１の励振電極２５上に誘電体膜３７が設けられている点において、第２の実施形態と異なる。上記の点以外においては、本実施形態の弾性波装置は第２の実施形態の弾性波装置と同様の構成を有する。
　誘電体膜３７は、第１の励振電極２５における、平面視において、音響反射部としての空洞部９と重なる部分に設けられている。誘電体膜３７の材料は、絶縁層３の材料と同じである。誘電体膜３７の厚みは、絶縁層３の中間部３ａの厚みと同じである。このように、本実施形態においては、第１の励振電極２５及び誘電体膜３７の積層体の層構成の、材料及び厚みの組み合わせと、第２の励振電極２６及び中間部３ａの層構成の、材料及び厚みの組み合わせとが同じである。加えて、本実施形態の各電極は、第２の実施形態と同様に構成されている。従って、配線抵抗を低くすることができ、かつ弾性波装置に加わる応力を全体として効果的に小さくすることができる。
　本明細書において、誘電体膜の厚み及び中間部の厚みが同じであるとは、厚みの差が０％であることだけでなく、厚みの差が２０％以下であることを含む。すなわち、誘電体膜及び中間部のうち一方の厚みをｔｃ、他方の厚みをｔｄとした場合、ｔｃ＞ｔｄであるとき、｛（ｔｃ－ｔｄ）／ｔｃ｝×１００［％］≦２０［％］である場合に、一方の厚みｔｃ及び他方の厚みｔｄが同じであるとする。
　なお、誘電体膜３７が設けられている部分は上記に限定されない。例えば、誘電体膜３７は、第１の励振電極２５、第１の引き出し電極２３及び第１の配線電極７の少なくとも一部を覆っていてもよい。誘電体膜３７は、第１の励振電極２５、第１の引き出し電極２３及び第１の配線電極７の全面を覆っていても構わない。誘電体膜３７の材料は、必ずしも絶縁層３の材料と同じではなくともよい。誘電体膜３７の厚みは、必ずしも絶縁層３の中間部３ａの厚みと同じではなくともよい。あるいは、誘電体膜３７が設けられている場合においても、絶縁層３は中間部３ａを有していなくともよい。
　図９は、第４の実施形態に係る弾性波装置の模式的正面断面図である。
　本実施形態は、第１の励振電極２５上に第１の外周構造部４７が設けられている点、及び第２の励振電極２６上に第２の外周構造部４８が設けられている点において、第２の実施形態と異なる。上記の点以外においては、本実施形態の弾性波装置は第２の実施形態の弾性波装置と同様の構成を有する。
　第１の外周構造部４７は、第１の励振電極２５における第２の層２５ｂの外周縁上に設けられている電極である。より具体的には、平面視において、第１の外周構造部４７の外周縁が、第１の励振電極２５の外周縁と重なっている。第１の外周構造部４７の平面視における形状は、略円環状の形状である。なお、第１の外周構造部４７及び第１の励振電極２５は、同じ材料により一体として構成されていてもよい。
　第２の外周構造部４８は、第２の励振電極２６における第２の層２６ｂの外周縁上に設けられている電極である。第２の外周構造部４８の平面視における形状は、略円環状の形状である。より具体的には、平面視において、第２の外周構造部４８の外周縁が、第２の励振電極２６の外周縁と重なっている。なお、第２の外周構造部４８及び第２の励振電極２６は、同じ材料により一体として構成されていてもよい。
　第１の励振電極２５及び第２の励振電極２６の平面視における形状は、合同である。そして、第１の外周構造部４７及び第２の外周構造部４８の平面視における形状も、合同である。平面視において、第１の外周構造部４７の全体及び第２の外周構造部４８の全体が互いに重なっている。さらに、第１の外周構造部４７及び第２の外周構造部４８の厚み及び材料が同じである。
　もっとも、第１の外周構造部４７及び第２の外周構造部４８の平面視における形状は、合同ではなくともよい。平面視において、第１の外周構造部４７の少なくとも一部及び第２の外周構造部４８の少なくとも一部が互いに重なっていればよい。
　本実施形態においては、第１の外周構造部４７及び第２の外周構造部４８が、圧電体層４の厚み方向に沿う断面において対称である。より具体的には、該断面において、圧電体層４の厚み方向における中央に位置し、該厚み方向と直交する方向に延びる対称軸に対して、第１の外周構造部４７及び第２の外周構造部４８が線対称である。加えて、本実施形態の各電極は、第２の実施形態と同様に構成されている。従って、配線抵抗を低くすることができ、かつ弾性波装置に加わる応力を全体として効果的に小さくすることができる。
　上記のように、第１の外周構造部４７及び第２の外周構造部４８の平面視における形状は、略円環状の形状である。もっとも、第１の外周構造部４７及び第２の外周構造部４８は、環状ではなくともよい。第１の外周構造部４７は、平面視において、第１の励振電極２５の外周縁の少なくとも一部と重なっていればよい。第２の外周構造部４８は、平面視において、第２の励振電極２６の外周縁の少なくとも一部と重なっていればよい。よって、第１の外周構造部４７及び第２の外周構造部４８の平面視における形状は、環状ではない曲線状の形状であってもよい。あるいは、第１の励振電極２５及び第２の励振電極２６の平面視における形状が、多角形状の形状である場合、第１の外周構造部４７及び第２の外周構造部４８の平面視における形状は、例えば、直線状、Ｌ字状またはＵ字状などの形状であってもよい。
　なお、第１の外周構造部４７及び第２の外周構造部４８の構成及び配置は上記に限定されない。以下において、第１の外周構造部４７及び第２の外周構造部４８の構成または配置のみが第４の実施形態と異なる、第４の実施形態の第１～第３の変形例を示す。さらに、第１の外周構造部４７及び第２の外周構造部４８の構成または配置、並びに第１の励振電極２３及び第２の励振電極２４の層構成のみが第４の実施形態と異なる、第４の変形例を示す。第１～第４の変形例においても、第４の実施形態と同様に、配線抵抗を低くすることができ、かつ弾性波装置に加わる応力を全体として効果的に小さくすることができる。
　図１０に示す第１の変形例においては、第１の外周構造部４７は、第１の励振電極２５の第１の層２５ａ上に設けられており、かつ第２の層２５ｂ内に埋め込まれている。本変形例においては、第１の外周構造部４７及び第１の層２５ａは、同じ材料により一体として構成されている。もっとも、第１の外周構造部４７及び第１の層２５ａは、互いに異なる材料により別体として構成されていてもよい。
　同様に、第２の外周構造部４８は、第２の励振電極２６の第１の層２６ａ上に設けられており、かつ第２の層２６ｂ内に埋め込まれている。第２の外周構造部４８及び第１の層２６ａは、同じ材料により一体として構成されている。もっとも、第２の外周構造部４８及び第１の層２６ａは、互いに異なる材料により別体として構成されていてもよい。
　図１１に示す第２の変形例においては、第１の外周構造部４７Ａ及び第１の励振電極２５の第１の層２５ａは、一体として構成されている。第１の外周構造部４７Ａの一部は、第１の励振電極２５の第２の層２５ｂ内に埋め込まれている。本変形例では、第１の外周構造部４７Ａは、電極部４７ａ及び空間部４７ｂを含む。空間部４７ｂは、平面視において電極部４７ａと重なっている空間である。電極部４７ａの外周縁は、平面視において、第１の励振電極２５の外周縁と重なっている。電極部４７ａは第２の層２５ｂ内に埋め込まれている。空間部４７ｂの外周縁の一部は外部と接している。空間部４７ｂの外周縁の他の一部は第１の層２５ａと接している。
　本変形例においては、第１の外周構造部４７Ａの空間部４７ｂは、外部に開放されている。もっとも、圧電体層４の第１の主面４ａに、第１の励振電極２５を覆うように、誘電体膜が設けられていてもよい。この場合、空間部４７ｂの外周縁は、第１の引き出し電極２３及び誘電体膜に接している。
　第２の外周構造部４８Ａ及び第２の励振電極２６の第１の層２６ａは、一体として構成されている。第２の外周構造部４８Ａの一部は、第２の励振電極２６の第２の層２６ｂ内に埋め込まれている。本変形例では、第２の外周構造部４８Ａは、電極部４８ａ及び空間部４８ｂを含む。空間部４８ｂは、平面視において電極部４８ａと重なっている空間である。電極部４８ａの外周縁は、平面視において、第２の励振電極２６の外周縁と重なっている。電極部４８ａは第２の層２６ｂ内に埋め込まれている。空間部４８ｂの外周縁の一部は絶縁層３と接している。空間部４８ｂの外周縁の他の一部は第１の層２６ａと接している。
　第１の外周構造部４７Ａを設けるに際しては、例えば、圧電体層４の第１の主面４ａに犠牲層を形成した後に、犠牲層上に電極部４７ａを形成すればよい。このとき、電極部４７ａ、第１の励振電極２５の第１の層２５ａ及び第１の引き出し電極２３の第１の層２３ａを同時に形成してもよい。その後、犠牲層を除去することにより、空間部４７ｂが形成される。これにより、第１の外周構造部４７Ａを得ることができる。第２の外周構造部４８Ａを設けるに際しても同様に、犠牲層の形成及び除去を行ってもよい。
　なお、第１の外周構造部４７Ａの空間部４７ｂには、誘電体が充填されていてもよい。すなわち、第１の外周構造部４７Ａは、誘電体層及び電極部４７ａの積層体であってもよい。誘電体層の材料としては、例えば、酸化ケイ素などを用いることができる。この場合、第１の外周構造部４７Ａを設けるに際しては、例えば、圧電体層４の第１の主面４ａに誘電体層を形成した後に、誘電体層上に電極部４７ａを形成すればよい。同様に、第２の外周構造部４８Ａは、誘電体層及び電極部４８ａの積層体であってもよい。この場合、第２の外周構造部４８Ａを設けるに際しては、例えば、圧電体層４の第２の主面４ｂに誘電体層を形成した後に、誘電体層上に電極部４８ａを形成すればよい。
　図１２に示す第３の変形例においては、圧電体層４内に第１の外周構造部４７及び第２の外周構造部４８が設けられている。本変形例の第１の外周構造部４７及び第２の外周構造部４８の平面視における位置は、第４の実施形態の第１の外周構造部４７及び第２の外周構造部４８の平面視における位置と同じである。すなわち、第１の外周構造部４７及び第２の外周構造部４８の外周縁は、平面視において、第１の励振電極２５及び第２の励振電極２６の外周縁と重なっている。
　本変形例の圧電体層４は、例えば積層体であってもよい。具体的には、圧電体層４は、第１の外周構造部４７または第２の外周構造部４８が埋め込まれた層と、第１の外周構造部４７及び第２の外周構造部４８が埋め込まれていない層とが積層された積層体であってもよい。
　ところで、図１１に示した第２の変形例のように、第１の外周構造部４７Ａが電極部４７ａ及び空間部４７ｂを有する場合、電極部４７ａは第１の励振電極２５に埋め込まれていなくともよい。例えば、図１３に示す第４の実施形態の第４の変形例においては、第１の外周構造部４７Ｂの電極部４７ｃは、第１の励振電極４５に埋め込まれていない。具体的には、第１の励振電極４５及び第１の引き出し電極４３は、第１の実施形態と同様に、単層の金属膜からなる。第１の励振電極４５及び第１の引き出し電極４３の間に、第１の外周構造部４７Ｂの空間部４７ｂの一部が設けられている。第１の励振電極４５及び第１の引き出し電極４３は、第１の外周構造部４７Ｂの電極部４７ｃにより接続されている。
　なお、電極部４７ｃは積層金属膜からなる。具体的には、電極部４７ｃは、第１の層４７ｄ及び第２の層４７ｅを有する。電極部４７ｃにおける第１の層４７ｄが、第１の励振電極４５及び第１の引き出し電極４３を接続している。一方で、第２の層４７ｅは、第１の層４７ｄ上にのみ設けられている。
　同様に、第２の励振電極４６及び第２の引き出し電極４４も単層の金属膜からなる。第２の励振電極４６及び第２の引き出し電極４４の間に、第２の外周構造部４８Ｂの空間部４８ｂの一部が設けられている。第２の外周構造部４８Ｂの電極部４８ｃは積層金属膜からなる。具体的には、電極部４８ｃは、第１の層４８ｄ及び第２の層４８ｅを有する。電極部４８ｃにおける第１の層４８ｄが、第２の励振電極４６及び第２の引き出し電極４４を接続している。一方で、第２の層４８ｅは、第１の層４８ｄ上にのみ設けられている。本変形例においても、第４の実施形態と同様に、配線抵抗を低くすることができ、かつ弾性波装置に加わる応力を全体として効果的に小さくすることができる。
　第１～第４の変形例においては、第１の外周構造部及び第２の外周構造部の平面視における形状は、合同である。平面視において、第１の外周構造部の全体及び第２の外周構造部の全体が互いに重なっている。もっとも、第１の外周構造部及び第２の外周構造部の平面視における形状は、合同ではなくともよい。平面視において、第１の外周構造部の少なくとも一部及び第２の外周構造部の少なくとも一部が互いに重なっていればよい。
　第４の実施形態及び各変形例では、第１の外周構造部と第２の外周構造部との双方が備えられている。なお、外周構造部として、第１の外周構造部及び第２の外周構造部のうち少なくとも一方が備えられていればよい。例えば、第１の外周構造部及び第２の外周構造部のうち第１の外周構造部のみが備えられている場合においては、第１の外周構造部が構成されている部分は、平面視において励振領域と重なる部分の一部である。よって、この場合においても、弾性波装置に加わる応力を全体として効果的に小さくすることができる。第１の外周構造部及び第２の外周構造部のうち第２の外周構造部のみが備えられている場合においても同様である。第１の外周構造部及び第２の外周構造部のうち少なくとも一方が備えられている構成は、第４の実施形態及びその各変形例以外の本発明の形態においても採用することができる。
　図１４は、第５の実施形態に係る弾性波装置の模式的正面断面図である。
　本実施形態は、支持体５５及び蓋部材５６が設けられている点において第２の実施形態と異なる。本実施形態は、第１の配線電極５７及び第２の配線電極５８が単層の金属膜からなる点においても第２の実施形態と異なる。上記の点以外においては、本実施形態の弾性波装置は第２の実施形態の弾性波装置と同様の構成を有する。
　支持体５５は第１の配線電極５７上に設けられている。支持体５５は、本実施形態においては金属柱である。もっとも、支持体５５は、樹脂からなる柱部材を貫通しているビア電極であってもよい。
　図示しないが、圧電体層４の第１の主面４ａには、枠状の支持体が設けられている。該支持体は開口部を有する。平面視において、該開口部内に、第１の励振電極２５、第２の励振電極２６、第１の配線電極５７、第２の配線電極５８及び支持体５５が設けられている。枠状の支持体上及び柱状の支持体５５上に、蓋部材５６が設けられている。蓋部材５６は、枠状の支持体における開口部を塞いでいる。
　支持体５５の材料としては、例えば、ＣｕまたはＡｕなどを含む金属または合金を用いることができる。蓋部材５６の材料としては、例えば、シリコンなどの半導体や、窒化アルミニウムなどのセラミックスなどを用いることができる。
　本実施形態では、励振領域において生じた熱を、第１の引き出し電極２３、第１の配線電極５７、支持体５５及び蓋部材５６を介して、外部に伝搬させることができる。よって、放熱性を効果的に高めることができる。
　なお、支持体５５及び蓋部材５６は、弾性波装置の電気的特性を大きく阻害しない限りにおいて、電気的に接続されていてもよい。あるいは、支持体５５及び蓋部材５６は電気的に接続されていなくともよい。例えば、支持体５５及び蓋部材５６の間に絶縁膜が設けられていてもよい。
　支持体５５及び蓋部材５６の熱伝導率が、圧電体層４の熱伝導率よりも高いことが好ましい。それによって、放熱性をより一層高めることができる。
　本実施形態の各電極は、第１の配線電極５７及び第２の配線電極５８が単層の金属膜からなる点以外においては、第２の実施形態と同様に構成されている。従って、配線抵抗を低くすることができ、かつ弾性波装置に加わる応力を全体として効果的に小さくすることができる。
　なお、蓋部材５６上に、バンプ１５などの外部端子接続部が設けられていてもよい。
　図１５は、第５の実施形態の変形例における圧電体層上の電極構成を示す模式的平面図である。
　本変形例は、第１の配線電極５７Ａ及び第１の引き出し電極５３Ａの第１の幅方向に沿う寸法、並びに第２の配線電極５８Ａ及び第２の引き出し電極５４Ａの第２の幅方向に沿う寸法が第５の実施形態と異なる。ここで、上記と同様に、第１の励振電極２５及び第１の引き出し電極５３Ａが一体として設けられた電極を第１の電極とする。第２の励振電極２６及び第２の引き出し電極５４Ａが一体として設けられた電極を第２の電極とする。本変形例では、第１の電極の第１の幅方向に沿う最小の寸法が、第１の励振電極２５の第１の幅方向に沿う最大の寸法Ｅ１よりも大きい。そして、第１の配線電極５７Ａの全ての部分において、第１の幅方向に沿う寸法Ｄ１が、第１の励振電極２５の第１の幅方向に沿う最大の寸法Ｅ１よりも大きい。
　同様に、第２の電極の第２の幅方向に沿う最小の寸法が、第２の励振電極２６の第２の幅方向に沿う最大の寸法Ｅ２よりも大きい。そして、第２の配線電極５８Ａの全ての部分において、第２の幅方向に沿う寸法Ｄ２が、第２の励振電極２６の第２の幅方向に沿う最大の寸法Ｅ２よりも大きい。
　弾性波装置が、第１の配線電極５７Ａの全ての部分においてＤ１＞Ｅ１である構成、及び第２の配線電極５８Ａの全ての部分においてＤ２＞Ｅ２である構成のうち少なくとも一方を有することが好ましい。本変形例のように、弾性波装置が、第１の配線電極５７Ａの全ての部分においてＤ１＞Ｅ１である構成、及び第２の配線電極５８Ａの全ての部分においてＤ２＞Ｅ２である構成の双方を有することがより好ましい。それによって、放熱性をより一層高めることができる。
　図１６は、第６の実施形態に係る弾性波装置の模式的正面断面図である。
　本実施形態は、音響反射部が、絶縁層３内に設けられた音響反射膜６９である点において第１の実施形態と異なる。上記の点以外においては、本実施形態の弾性波装置は第１の実施形態の弾性波装置１と同様の構成を有する。
　音響反射膜６９は複数の音響インピーダンス層の積層体である。より具体的には、音響反射膜６９は、複数の低音響インピーダンス層と、複数の高音響インピーダンス層とを有する。低音響インピーダンス層は、相対的に音響インピーダンスが低い層である。音響反射膜６９の複数の低音響インピーダンス層は、低音響インピーダンス層６５ａ及び低音響インピーダンス層６５ｂである。一方で、高音響インピーダンス層は、相対的に音響インピーダンスが高い層である。音響反射膜６９の複数の高音響インピーダンス層は、高音響インピーダンス層６６ａ及び高音響インピーダンス層６６ｂである。低音響インピーダンス層及び高音響インピーダンス層は交互に積層されている。
　なお、高音響インピーダンス層６６ａが、音響反射膜６９において最も圧電体層４側に位置する層である。高音響インピーダンス層６６ａ及び圧電体層４の間には、絶縁層３における中間部３ａが位置している。もっとも、例えば、低音響インピーダンス層６５ａが、音響反射膜６９において最も圧電体層４側に位置する層であってもよい。
　音響反射膜６９は、低音響インピーダンス層及び高音響インピーダンス層をそれぞれ２層ずつ有する。なお、音響反射膜６９は、低音響インピーダンス層及び高音響インピーダンス層をそれぞれ少なくとも１層ずつ有していればよい。
　低音響インピーダンス層の材料としては、例えば、酸化ケイ素またはアルミニウムなどを用いることができる。高音響インピーダンス層の材料としては、例えば、白金またはタングステンなどの金属や、窒化アルミニウムまたは窒化ケイ素などの誘電体を用いることができる。
　音響反射膜６９が設けられていることにより、弾性波のエネルギーを圧電体層４側に効果的に閉じ込めることができる。加えて、本実施形態の各電極は、第１の実施形態と同様に構成されている。従って、配線抵抗を低くすることができ、かつ加わる応力を全体として効果的に小さくすることができる。
　なお、図８に示す第３の実施形態と同様に、第１の励振電極５上に誘電体膜３７が設けられている場合、誘電体膜３７の材料は、絶縁層３の材料と同じであることが好ましい。誘電体膜３７の厚みと、絶縁層３の中間部３ａの厚みとが同じであることがより好ましい。これにより、弾性波装置に加わる応力を全体として効果的に小さくすることができる。
　本発明に係る弾性波装置は、例えば、フィルタ装置に用いることができる。この例を以下において示す。
　図１７は、第７の実施形態に係るフィルタ装置の回路図である。
　フィルタ装置７０はラダー型フィルタである。フィルタ装置７０は、第１の信号端子７２Ａ及び第２の信号端子７２Ｂと、複数の共振子としての、複数の直列腕共振子及び複数の並列腕共振子とを有する。本実施形態のフィルタ装置７０においては、全ての直列腕共振子及び全ての並列腕共振子が、本発明に係る弾性波装置である。もっとも、少なくとも１つの共振子が、本発明に係る弾性波装置であればよい。
　第１の信号端子７２Ａは、本実施形態ではアンテナ端子である。アンテナ端子はアンテナに接続される。第１の信号端子７２Ａ及び第２の信号端子７２Ｂは、例えば、電極ランドとして構成されていてもよく、あるいは、配線として構成されていてもよい。
　本実施形態の複数の直列腕共振子は、具体的には、直列腕共振子Ｓ１、直列腕共振子Ｓ２及び直列腕共振子Ｓ３である。第１の信号端子７２Ａ及び第２の信号端子７２Ｂの間に、複数の直列腕共振子が互いに直列に接続されている。一方で、本実施形態の複数の並列腕共振子は、具体的には、並列腕共振子Ｐ１及び並列腕共振子Ｐ２である。直列腕共振子Ｓ１及び直列腕共振子Ｓ２の間の接続点とグラウンド電位との間に、並列腕共振子Ｐ１が接続されている。直列腕共振子Ｓ２及び直列腕共振子Ｓ３の間の接続点とグラウンド電位との間に、並列腕共振子Ｐ２が接続されている。
　もっとも、本発明に係るフィルタ装置の回路構成は上記に限定されない。フィルタ装置がラダー型フィルタである場合、該フィルタ装置は、少なくとも１つの直列腕共振子及び少なくとも１つの並列腕共振子を有していればよい。あるいは、フィルタ装置は縦結合共振子型弾性波フィルタを有していてもよい。この場合、該フィルタ装置は、直列腕共振子または並列腕共振子である、少なくとも１つの本発明の弾性波装置を有していればよい。
　図１８は、第７の実施形態における直列腕共振子及び並列腕共振子を示す模式的正面断面図である。図１８においては、直列腕共振子Ｓ１及び並列腕共振子Ｐ１を模式的に並べて示している。もっとも、各共振子の配置は特に限定されるものではない。
　本実施形態においては、複数の共振子は圧電体層４及び絶縁層８３を共有している。なお、各共振子は、別個の圧電体層４及び絶縁層８３を有していても構わない。各共振子は、第３の実施形態と同様に構成されている。より具体的には、直列腕共振子Ｓ１は、第１の励振電極７５Ａ及び第２の励振電極７６Ａと、第１の引き出し電極７３Ａ及び第２の引き出し電極７４Ａと、第１の配線電極７７Ａ及び第２の配線電極７８Ａと、誘電体膜８７Ａとを有する。絶縁層８３における、平面視において直列腕共振子Ｓ１の励振領域と重なる部分に、空洞部７９Ａが設けられている。なお、直列腕共振子Ｓ１の第１の配線電極７７Ａ及び第２の配線電極７８Ａは、平面視において、空洞部７９Ａと重ならないように配置されている。絶縁層８３は中間部８３ａを有する。中間部８３ａは、空洞部７９Ａと、第２の励振電極７６Ａとの間に位置している。
　並列腕共振子Ｐ１は、第１の励振電極７５Ｂ及び第２の励振電極７６Ｂと、第１の引き出し電極７３Ｂ及び第２の引き出し電極７４Ｂと、第１の配線電極７７Ｂ及び第２の配線電極７８Ｂと、誘電体膜８７Ｂとを有する。絶縁層８３における、平面視において並列腕共振子Ｐ１の励振領域と重なる部分に、空洞部７９Ｂが設けられている。なお、並列腕共振子Ｐ１の第１の配線電極７７Ｂ及び第２の配線電極７８Ｂは、平面視において、空洞部７９Ｂと重ならないように配置されている。絶縁層８３は中間部８３ｂを有する。中間部８３ｂは、空洞部７９Ｂと、第２の励振電極７６Ｂとの間に位置している。
　図示しないが、他の各共振子も、直列腕共振子Ｓ１及び並列腕共振子Ｐ１と同様に構成されている。具体的には、絶縁層８３における、平面視において各共振子の励振領域と重なる部分に、空洞部が設けられている。なお、各共振子の第１の配線電極及び第２の配線電極は、平面視において、空洞部と重ならないように配置されている。絶縁層８３は中間部８３ａ及び中間部８３ｂ以外の複数の中間部を有する。これらの各中間部は、上記各空洞部と、上記各共振子の第２の励振電極との間に位置している。
　各共振子が第１の配線電極及び第２の配線電極を有するため、フィルタ装置７０において配線抵抗を低くすることができる。
　図１８に示すように、直列腕共振子Ｓ１における第１の励振電極７５Ａの各層の厚みと、並列腕共振子Ｐ１における第１の励振電極７５Ｂの各層の厚みとは互いに異なる。より具体的には、直列腕共振子Ｓ１における第１の励振電極７５Ａの各層の厚みよりも、並列腕共振子Ｐ１における第１の励振電極７５Ｂの各層の厚みが厚い。加えて、直列腕共振子Ｓ１における誘電体膜８７Ａの厚みよりも、並列腕共振子Ｐ１における誘電体膜８７Ｂの厚みが厚い。なお、第１の励振電極７５Ａ及び第２の励振電極７５Ｂがそれぞれ、第１の層及び第２の層により構成される場合、第１の励振電極７５Ａの第２の層の厚みよりも第２の励振電極７５Ｂの第２の層の厚みが厚ければよい。つまり、第１の励振電極７５Ａの第１の層と第２の励振電極７５Ｂの第１の層の厚みとは同じであってもよい。
　フィルタ装置７０の各共振子はそれぞれ、第３の実施形態の構成を有する。よって、直列腕共振子Ｓ１においては、第１の励振電極７５Ａ及び第１の配線電極７７Ａの層構成の、圧電体層４側からの材料の組み合わせと、第２の励振電極７６Ａ及び第２の配線電極７８Ａの層構成の、圧電体層４側からの材料の組み合わせとが同じである。並列腕共振子Ｐ１においては、第１の励振電極７５Ｂ及び第１の配線電極７７Ｂの層構成の、圧電体層４側からの材料の組み合わせと、第２の励振電極７６Ｂ及び第２の配線電極７８Ｂの層構成の、圧電体層４側からの材料の組み合わせとが同じである。従って、第３の実施形態と同様に、直列腕共振子Ｓ１及び並列腕共振子Ｐ１のそれぞれにおいて、加わる応力を全体として小さくすることができる。他の共振子においても同様である。
　なお、各共振子において、第１の励振電極及び第１の配線電極の層構成の、圧電体層４側からの材料及び厚みの組み合わせと、第２の励振電極及び第２の配線電極の層構成の、圧電体層４側からの材料及び厚みの組み合わせとが同じであることが好ましい。それによって、フィルタ装置７０における各共振子のそれぞれにおいて、加わる応力をより一層小さくすることができる。
　以下において、本発明に係る弾性波装置及びフィルタ装置の形態の例をまとめて記載する。
　＜１＞互いに対向している第１の主面及び第２の主面を有する圧電体層と、前記圧電体層の前記第１の主面に設けられている第１の励振電極、及び前記第２の主面に設けられている第２の励振電極と、前記第１の励振電極に接続されている第１の配線電極、及び前記第２の励振電極に接続されている第２の配線電極と、前記圧電体層の前記第２の主面に、前記第２の励振電極及び前記第２の配線電極の少なくとも一部を覆うように設けられている絶縁層と、を備え、前記第１の励振電極及び前記第２の励振電極が、前記圧電体層を挟み互いに対向しており、前記圧電体層における、前記第１の励振電極及び前記第２の励振電極に挟まれている領域が励振領域であり、前記絶縁層内に、平面視において前記励振領域の少なくとも一部と重なっている、音響反射部が設けられており、前記第１の配線電極及び前記第２の配線電極が、平面視において前記音響反射部と重なっておらず、前記第１の励振電極及び前記第１の配線電極の層構成の、前記圧電体層側からの材料の組み合わせと、前記第２の励振電極及び前記第２の配線電極の層構成の、前記圧電体層側からの材料の組み合わせとが同じである、弾性波装置。
　＜２＞前記第１の励振電極及び前記第１の配線電極の層構成の、前記圧電体層側からの材料及び厚みの組み合わせと、前記第２の励振電極及び前記第２の配線電極の層構成の、前記圧電体層側からの材料及び厚みの組み合わせとが同じである、＜１＞に記載の弾性波装置。
　＜３＞前記第１の配線電極及び前記第２の配線電極がそれぞれ、複数の配線電極層を有し、かつ前記複数の配線電極層の材料がいずれも、前記第１の励振電極及び前記第２の励振電極の材料と異なる、＜１＞または＜２＞に記載の弾性波装置。
　＜４＞前記第１の励振電極及び前記第２の励振電極がそれぞれ、複数の電極層を有する、＜１＞～＜３＞のいずれか１つに記載の弾性波装置。
　＜５＞記第１の励振電極の外周縁上、及び前記第２の励振電極の外周縁上のうち少なくとも一方に設けられている外周構造部をさらに備える、＜１＞～＜４＞のいずれか１つに記載の弾性波装置。
　＜６＞前記外周構造部が、前記第１の励振電極上に設けられている第１の外周構造部、及び前記第２の励振電極上に設けられている第２の外周構造部であり、前記第１の外周構造部及び前記第２の外周構造部の平面視における形状が合同であり、平面視において、前記第１の外周構造部の全体及び前記第２の外周構造部の全体が互いに重なっており、前記第１の外周構造部及び前記第２の外周構造部の厚み及び材料が同じである、＜５＞に記載の弾性波装置。
　＜７＞前記圧電体層、前記第１の励振電極、前記第２の励振電極、前記第１の配線電極及び前記第２の配線電極を通る少なくとも１つの断面において、前記第１の励振電極及び前記第２の励振電極が点対称であり、かつ前記第１の配線電極及び前記第２の配線電極が点対称である部分を含む、＜１＞～＜６＞のいずれか１つに記載の弾性波装置。
　＜８＞平面視において、前記第１の励振電極が線対称となる対称軸と、前記第２の励振電極が線対称となる対称軸と、前記第１の配線電極の少なくとも一部が線対称となる対称軸と、前記第２の配線電極の少なくとも一部が線対称となる対称軸とが一致している、＜１＞～＜７＞のいずれか１つに記載の弾性波装置。
　＜９＞前記圧電体層の前記第１の主面に設けられており、前記第１の励振電極から引き出されている第１の引き出し電極、及び前記第２の主面に設けられており、前記第２の励振電極から引き出されている第２の引き出し電極をさらに備え、前記第１の引き出し電極上に前記第１の配線電極が設けられており、前記第２の引き出し電極上に前記第２の配線電極が設けられており、前記第１の引き出し電極の層構成及び前記第１の励振電極の層構成の材料及び組み合わせが同じであり、前記第２の引き出し電極の層構成及び前記第２の励振電極の層構成の材料及び組み合わせが同じである、＜１＞～＜８＞のいずれか１つに記載の弾性波装置。
　＜１０＞平面視において、前記第１の配線電極の外周縁が、前記第１の引き出し電極の外周縁よりも内側に位置しており、前記第１の配線電極が延びる方向と直交する方向を第１の幅方向、前記第２の配線電極が延びる方向と直交する方向を第２の幅方向としたときに、前記第１の配線電極の少なくとも一部において、前記第１の配線電極の前記第１の幅方向に沿う寸法が前記第１の励振電極の前記第１の幅方向に沿う最大の寸法よりも大きい構成、及び前記第２の配線電極の少なくとも一部において、前記第２の配線電極の前記第２の幅方向に沿う寸法が前記第２の励振電極の前記第２の幅方向に沿う最大の寸法よりも大きい構成のうち、少なくとも一方の構成を有する、＜９＞に記載の弾性波装置。
　＜１１＞前記第１の配線電極の全ての部分において、前記第１の幅方向に沿う寸法が前記第１の励振電極の前記第１の幅方向に沿う最大の寸法よりも大きい構成、及び前記第２の配線電極の全ての部分において、前記第２の配線電極の前記第２の幅方向に沿う寸法が前記第２の励振電極の前記第２の幅方向に沿う最大の寸法よりも大きい構成のうち、少なくとも一方の構成を有する、＜１０＞に記載の弾性波装置。
　＜１２＞前記第１の励振電極上に設けられている誘電体膜をさらに備える、＜１＞～＜１１＞のいずれか１つに記載の弾性波装置。
　＜１３＞前記誘電体膜が、前記第１の励振電極における、平面視において前記音響反射部と重なる部分に設けられており、前記絶縁層が、前記音響反射部及び前記第２の励振電極の間に位置している中間部を有し、前記誘電体膜及び前記絶縁層の材料が同じであり、前記誘電体膜及び前記中間部の厚みが同じである、＜１２＞に記載の弾性波装置。
　＜１４＞支持基板をさらに備え、前記支持基板上に、前記圧電体層が、前記絶縁層を介して間接的に積層されている、＜１＞～＜１３＞のいずれか１つに記載の弾性波装置。
　＜１５＞平面視において、前記音響反射部と、前記第１の配線電極及び前記第２の配線電極とが、ギャップを隔てて互いに対向している、＜１＞～＜１４＞のいずれか１つに記載の弾性波装置。
　＜１６＞前記音響反射部が、前記絶縁層内に設けられた空洞部である、＜１＞～＜１５＞のいずれか１つに記載の弾性波装置。
　＜１７＞前記音響反射部が、前記絶縁層内に設けられた音響反射膜であり、前記音響反射膜が、相対的に音響インピーダンスが低い、少なくとも１層の低音響インピーダンス層と、相対的に音響インピーダンスが高い、少なくとも１層の高音響インピーダンス層と、を有し、かつ前記低音響インピーダンス層及び前記高音響インピーダンス層が交互に積層されている、＜１＞～＜１５＞のいずれか１つに記載の弾性波装置。
　＜１８＞前記第１の配線電極上に設けられている支持体と、前記支持体上に設けられている蓋部材と、をさらに備える、＜１＞～＜１７＞のいずれか１つに記載の弾性波装置。
　＜１９＞前記圧電体層の材料として、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム及び窒化アルミニウムのうちいずれかが用いられている、＜１＞～＜１８＞のいずれか１つに記載の弾性波装置。
　＜２０＞直列腕共振子と、並列腕共振子と、を備え、前記直列腕共振子及び前記並列腕共振子のうち少なくとも１つの共振子が、＜１＞～＜１９＞のいずれか１つに記載の弾性波装置である、フィルタ装置。
１…弾性波装置
２…支持基板
３，３Ａ…絶縁層
３ａ…中間部
４…圧電体層
４ａ，４ｂ…第１，第２の主面
５，６…第１，第２の励振電極
７，８…第１，第２の配線電極
７Ａ，８Ａ…第１，第２の配線電極
７ａ，８ａ…第１の層
７ｂ，８ｂ…第２の層
９…空洞部
１３，１４…第１，第２の引き出し電極
１５…バンプ
２３，２４…第１，第２の引き出し電極
２３ａ，２４ａ…第１の層
２３ｂ，２４ｂ…第２の層
２５，２６…第１，第２の励振電極
２５ａ，２６ａ…第１の層
２５ｂ，２６ｂ…第２の層
３７…誘電体膜
４３，４４…第１，第２の引き出し電極
４５，４６…第１，第２の励振電極
４７，４７Ａ，４７Ｂ…第１の外周構造部
４７ａ…電極部
４７ｂ…空間部
４７ｃ…電極部
４７ｄ，４７ｅ…第１，第２の層
４８，４８Ａ，４８Ｂ…第２の外周構造部
４８ａ…電極部
４８ｂ…空間部
４８ｃ…電極部
４８ｄ，４８ｅ…第１，第２の層
５３Ａ，５４Ａ…第１，第２の引き出し電極
５５…支持体
５６…蓋部材
５７，５７Ａ…第１の配線電極
５８，５８Ａ…第２の配線電極
６５ａ，６５ｂ…低音響インピーダンス層
６６ａ，６６ｂ…高音響インピーダンス層
６９…音響反射膜
７０…フィルタ装置
７２Ａ，７２Ｂ…第１，第２の信号端子
７３Ａ，７３Ｂ…第１の引き出し電極
７４Ａ，７４Ｂ…第２の引き出し電極
７５Ａ，７５Ｂ…第１の励振電極
７６Ａ，７６Ｂ…第２の励振電極
７７Ａ，７７Ｂ…第１の配線電極
７８Ａ，７８Ｂ…第２の配線電極
７９Ａ，７９Ｂ…空洞部
８３…絶縁層
８３ａ，８３ｂ…中間部
８７Ａ，８７Ｂ…誘電体膜
Ｐ１，Ｐ２…並列腕共振子
Ｓ１～Ｓ３…直列腕共振子

Claims (20)

  1. 　互いに対向している第１の主面及び第２の主面を有する圧電体層と、
    　前記圧電体層の前記第１の主面に設けられている第１の励振電極、及び前記第２の主面に設けられている第２の励振電極と、
    　前記第１の励振電極に接続されている第１の配線電極、及び前記第２の励振電極に接続されている第２の配線電極と、
    　前記圧電体層の前記第２の主面に、前記第２の励振電極及び前記第２の配線電極の少なくとも一部を覆うように設けられている絶縁層と、
    を備え、
    　前記第１の励振電極及び前記第２の励振電極が、前記圧電体層を挟み互いに対向しており、前記圧電体層における、前記第１の励振電極及び前記第２の励振電極に挟まれている領域が励振領域であり、
    　前記絶縁層内に、平面視において前記励振領域の少なくとも一部と重なっている、音響反射部が設けられており、
    　前記第１の配線電極及び前記第２の配線電極が、平面視において前記音響反射部と重なっておらず、
    　前記第１の励振電極及び前記第１の配線電極の層構成の、前記圧電体層側からの材料の組み合わせと、前記第２の励振電極及び前記第２の配線電極の層構成の、前記圧電体層側からの材料の組み合わせとが同じである、弾性波装置。
  2. 　前記第１の励振電極及び前記第１の配線電極の層構成の、前記圧電体層側からの材料及び厚みの組み合わせと、前記第２の励振電極及び前記第２の配線電極の層構成の、前記圧電体層側からの材料及び厚みの組み合わせとが同じである、請求項１に記載の弾性波装置。
  3. 　前記第１の配線電極及び前記第２の配線電極がそれぞれ、複数の配線電極層を有し、かつ前記複数の配線電極層の材料がいずれも、前記第１の励振電極及び前記第２の励振電極の材料と異なる、請求項１または２に記載の弾性波装置。
  4. 　前記第１の励振電極及び前記第２の励振電極がそれぞれ、複数の電極層を有する、請求項１～３のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  5. 　前記第１の励振電極の外周縁上、及び前記第２の励振電極の外周縁上のうち少なくとも一方に設けられている外周構造部をさらに備える、請求項１～４のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  6. 　前記外周構造部が、前記第１の励振電極上に設けられている第１の外周構造部、及び前記第２の励振電極上に設けられている第２の外周構造部であり、
    　前記第１の外周構造部及び前記第２の外周構造部の平面視における形状が合同であり、平面視において、前記第１の外周構造部の全体及び前記第２の外周構造部の全体が互いに重なっており、前記第１の外周構造部及び前記第２の外周構造部の厚み及び材料が同じである、請求項５に記載の弾性波装置。
  7. 　前記圧電体層、前記第１の励振電極、前記第２の励振電極、前記第１の配線電極及び前記第２の配線電極を通る少なくとも１つの断面において、前記第１の励振電極及び前記第２の励振電極が点対称であり、かつ前記第１の配線電極及び前記第２の配線電極が点対称である部分を含む、請求項１～６のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  8. 　平面視において、前記第１の励振電極が線対称となる対称軸と、前記第２の励振電極が線対称となる対称軸と、前記第１の配線電極の少なくとも一部が線対称となる対称軸と、前記第２の配線電極の少なくとも一部が線対称となる対称軸とが一致している、請求項１～７のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  9. 　前記圧電体層の前記第１の主面に設けられており、前記第１の励振電極から引き出されている第１の引き出し電極、及び前記第２の主面に設けられており、前記第２の励振電極から引き出されている第２の引き出し電極をさらに備え、
    　前記第１の引き出し電極上に前記第１の配線電極が設けられており、前記第２の引き出し電極上に前記第２の配線電極が設けられており、
    　前記第１の引き出し電極の層構成及び前記第１の励振電極の層構成の材料の組み合わせが同じであり、前記第２の引き出し電極の層構成及び前記第２の励振電極の層構成の材料の組み合わせが同じである、請求項１～８のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  10. 　平面視において、前記第１の配線電極の外周縁が、前記第１の引き出し電極の外周縁よりも内側に位置しており、
    　前記第１の配線電極が延びる方向と直交する方向を第１の幅方向、前記第２の配線電極が延びる方向と直交する方向を第２の幅方向としたときに、前記第１の配線電極の少なくとも一部において、前記第１の配線電極の前記第１の幅方向に沿う寸法が前記第１の励振電極の前記第１の幅方向に沿う最大の寸法よりも大きい構成、及び前記第２の配線電極の少なくとも一部において、前記第２の配線電極の前記第２の幅方向に沿う寸法が前記第２の励振電極の前記第２の幅方向に沿う最大の寸法よりも大きい構成のうち、少なくとも一方の構成を有する、請求項９に記載の弾性波装置。
  11. 　前記第１の配線電極の全ての部分において、前記第１の幅方向に沿う寸法が前記第１の励振電極の前記第１の幅方向に沿う最大の寸法よりも大きい構成、及び前記第２の配線電極の全ての部分において、前記第２の配線電極の前記第２の幅方向に沿う寸法が前記第２の励振電極の前記第２の幅方向に沿う最大の寸法よりも大きい構成のうち、少なくとも一方の構成を有する、請求項１０に記載の弾性波装置。
  12. 　前記第１の励振電極上に設けられている誘電体膜をさらに備える、請求項１～１１のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  13. 　前記誘電体膜が、前記第１の励振電極における、平面視において前記音響反射部と重なる部分に設けられており、
    　前記絶縁層が、前記音響反射部及び前記第２の励振電極の間に位置している中間部を有し、
    　前記誘電体膜及び前記絶縁層の材料が同じであり、前記誘電体膜及び前記中間部の厚みが同じである、請求項１２に記載の弾性波装置。
  14. 　支持基板をさらに備え、
    　前記支持基板上に、前記圧電体層が、前記絶縁層を介して間接的に積層されている、請求項１～１３のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  15. 　平面視において、前記音響反射部と、前記第１の配線電極及び前記第２の配線電極とが、ギャップを隔てて互いに対向している、請求項１～１４のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  16. 　前記音響反射部が、前記絶縁層内に設けられた空洞部である、請求項１～１５のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  17. 　前記音響反射部が、前記絶縁層内に設けられた音響反射膜であり、
    　前記音響反射膜が、相対的に音響インピーダンスが低い、少なくとも１層の低音響インピーダンス層と、相対的に音響インピーダンスが高い、少なくとも１層の高音響インピーダンス層と、を有し、かつ前記低音響インピーダンス層及び前記高音響インピーダンス層が交互に積層されている、請求項１～１５のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  18. 　前記第１の配線電極上に設けられている支持体と、
    　前記支持体上に設けられている蓋部材と、
    をさらに備える、請求項１～１７のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  19. 　前記圧電体層の材料として、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム及び窒化アルミニウムのうちいずれかが用いられている、請求項１～１８のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  20. 　直列腕共振子と、
    　並列腕共振子と、
    を備え、
    　前記直列腕共振子及び前記並列腕共振子のうち少なくとも１つの共振子が、請求項１～１９のいずれか１項に記載の弾性波装置である、フィルタ装置。
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