用于高电压用途的硅橡胶电力绝缘子
本发明涉及由塑料制成的高电压绝缘子,包括至少一个玻璃纤维棒,至少一个由硅橡胶制成的屏蔽覆盖,硅橡胶包围玻璃纤维棒并有沿纵向轴布置的同心凸部并以绝缘子外裙形状弯曲,这样它们形成一个凸顶侧和一个凹或平下侧,以及在绝缘子两端的金属安装件。
很长时间以来,用于架空线的高电压绝缘子由陶瓷、如瓷或玻璃的电气绝缘材料制成。除此之外,在设计中包括玻璃纤维芯和由塑料制成的屏蔽覆盖层的绝缘子获得日益重视,这是因为它们有一系列杰出的优点,除固有重量轻外,还有改善的对来自轻武器抛射的机械强度。在此情况中,这种合成绝缘子的屏蔽覆盖大多由环化脂肪族环氧树脂,聚四氟乙烯,乙丙二烯橡胶或硅橡胶构成。
通过与其它屏蔽材料制成的合成绝缘子比较,也通过与普通的绝缘子比较,具有由硅橡胶制成的屏蔽覆盖的合成绝缘子,当其在高污染大气中使用时具有优良绝缘性能的优点。这就是为什么硅橡胶绝缘子日益被用于改良更新由于大气污染引起电力绝缘问题的现有架空线,用具有由硅橡胶制成的屏蔽覆盖的合成绝缘子替换普通绝缘子。
根据高污染大气中绝缘性能,与其它合成塑料的绝缘子和普通绝缘子比较,由硅橡胶制成的合成绝缘子的优点基于硅橡胶的两个独特性能:
硅橡胶具有抗水性。水以水珠形式从硅橡胶表面流下。
硅橡胶从内部扩散到表面上的低分子量的硅氧烷,硅氧烷同样具有抗水性。如果灰尘在硅橡胶表面,低分子量硅氧烷接近单个尘粒并包住尘粒,结果尘粒也变成抗水性。
这些硅橡胶效应在由J.Kindersberger和M.Kuhl 1989年第六届国际高电压工程研讨会上(论文12.01,New Orleans 1989)发表的论文“绝缘性能上疏水性效应”中有更详细的描述。在用于架空线高电压绝缘子情况中,这些效应使绝缘子脏表面不会完全湿透,因此电表面导电性保持较低。大电流部分放电的产生被抑制,不会在整个绝缘子长度上发生电闪络。
在具有硅橡胶屏蔽覆盖的综合设计中,用于架空线的高电压绝缘子为许多用途提供,具有在它们的下侧构成平的屏蔽,并可根据DE-A-27 46870经径向推预受力的单个预制屏蔽至硅橡胶覆盖的玻璃纤维棒上,并与所述棒一起硫化。操作绝缘子所需要的漏电路径可通过屏蔽的数量和直径获得。在大气污染非常严重地区使用绝缘子,绝缘子漏电路径必须比低污染大气中使用的绝缘子漏电路径长。这种情况下,IEC出版物815中定义的物理限制,对于绝缘子外裙悬垂和屏蔽空间是存在。不可能为每个绝缘子长度获得特定的漏电路径而构造具有任意大直径的隔板,也不可能将它们布置成任意靠近。因此对平屏蔽这里设置自然限制。
因此,已建议设置塑料合成绝缘子的屏蔽在它们的下侧上带凹槽,以增长漏电路径。例如,这种绝缘子在EP-A-0 223 777或在DE-A11 80017中所表述。其所描述的绝缘子还未在实际应用中证明。正如从由玻璃或瓷制成的帽销式绝缘子所知,在屏蔽下侧的凹槽,往往会填充来自大气的灰尘。由于凹槽不能被雨水冲洗,这种绝缘子的自洁性较弱。雾中具有高表面导电性的结果,导致这种传统材料制成的绝缘子往往造成电闪络,且正如塑料制成的绝缘子可能招致漏电或部分燃烧的危险。因此,由于较好的自洁能力,在下侧具有没有凹槽的平屏蔽的传统和合成绝缘子今天被应用于大气污染严重地区。这些绝缘子通过大屏蔽直径和相应的非预设的长绝缘子长度获得它们必要的漏电路径。
本发明的目的是提供一种具有最小总体长度最大漏电路径的高电压绝缘子,同时它能满足根据IEC出版物815的物理限制尺寸,且当用在高污染大气中时具有良好的绝缘性能。
根据本发明一开始提到的通用型绝缘子可达到此目的,它的特征是凸部以绝缘子外裙形状弯曲,每一个凸部在其下侧有至少一个凹槽。
对照绝缘子制造厂家和用户的期望,可惊奇地发现由硅橡胶制成且在屏蔽下侧有一凹槽的合成绝缘子的绝缘性能好于先前已知的由其它材料制成但具有相似形状的屏蔽设计的绝缘子的绝缘性能。
根据本发明,最好多个凹槽排列在以绝缘子外裙形状弯曲的凸部的下侧区域。在此情况下,凹槽规定有最小深度,测量的从顶部到底板的距离,至少1mm;最好,它们的深度在5至50mm范围内。凹槽的宽度,测量的两个相邻顶部之间的距离,可以在3至200mm范围内,最好是在5至80mm之间。因此,最好在凹槽区域中和它们的边缘没有尖边缘角和针状出现,但是后者是圆形设计。在凹槽之间设计的凸出的连接板可以是垂直或陡峭倾斜的。如果相邻凹槽同心排列,那么将产生圆柱形或圆锥形连接板。凹槽或连接板最好沿纵向轴同心伸展,但它们也可被偏心控制。
根据本发明的一个优选实施例,按照IEC出版物815,l4/d的比例限制上限为5:而变量l4表示两针之间一个屏蔽表面上的实际漏电路径,最好在截面中同时包括进入截面表面的纵向轴,d表示通过空气的这些针之间的最短距离。
根据本发明的绝缘子可用DE-A-27 46 870中所述的方法生产,通过分别产生屏蔽,以径向预受力方式将它们推上覆盖硅橡胶的玻璃纤维棒,并将它们与此硅橡胶层一起硫化。此方法允许大自由度地选择绝缘子总体长度和所需要的漏电路径,同时满足IEC815规定的绝缘子外裙悬垂和屏蔽空间的限制。
用作屏蔽覆盖,特别是用作屏蔽的材料最好使用肖氏(Shore)A级硬度大于40的硅橡胶。肖氏A级硬度在60至90之间使用最好,如HTC硅橡胶(HTC=hot-temperature-crosslinking)提供的,它是由聚乙烯基·甲基硅氧烷和填料组成,并由氧化物协助交链。其它硅橡胶,只要它们是聚乙烯基.甲基硅氧烷,也能使用。根据本发明,特别适合的硅橡胶最好布置成抗燃烧性的,结果根据IEC出版物707可达到燃烧性等级FVO。通过包括填料氢氧化铝或利用铂胍混合物可达到。因此,除了改善耐火性外,根据DIN VDE 0441 Part 1,至少也可达到高电压漏电阻抗HK2和高电压弧电阻HL2。为了实现HK等级2中的高电压漏电阻抗,在多阶段测试中5个测试样品必须经得住持续6小时的3.5kV电压。为了达到HL等级2中的高电压弧电阻,10个测试样品必须成功地经受弧,燃烧时间超过240秒。根据本发明由硅橡胶制成的高压绝缘子达到根据DIN VDE 0441,Part1的等级HD2的高压传播强度。
而且生产本发明的绝缘子时必须小心,形成带有凹槽的屏蔽时,其中形成屏蔽的铸模填料完全获得且尽可能不含空气。
根据本发明屏蔽设计与材料的结合还具有进一步的优点。硅橡胶是公知的昂贵材料,这是因为硅合成物由纯硅产生。所以硅橡胶制成的绝缘子的平屏蔽设计有助于使用材料最少,导致薄屏蔽。硅橡胶制成的薄屏蔽,特别是直径相当大的,机械性能不稳定;其在储存与运输期间容易变形,且容易机械损坏。屏蔽下侧凹槽的使用允许屏蔽在轨迹与平屏蔽相同或甚至更长的同时保持直径较小,在这种情况下由于屏蔽下侧的凹槽的加强效果,屏蔽获得相当程度的机械稳定性。凹槽材料的使用是少量的并由所获得的漏电路径的长度得到很大程度的补偿,由于平屏蔽情况下,轨迹的加长仅仅通过增加直径能获得,在材料计算中成平方关系。
利用多个附图,通过例子说明本发明的综合设计的高压绝缘子。图和例子参考IEC出版物815,其中包括设计高压架空线绝缘子的规则,也涉及屏蔽的设计和构造:
图1表示本发明绝缘子的局部截面。绝缘子由玻璃纤维棒(1)组成,玻璃纤维棒可由注有环氧树脂的玻璃纤维构成,它们在棒中以不断的与轴平行的方式排列。玻璃纤维棒(1)由密封的连续硅橡胶层(2)封装,该硅橡胶层(2)在玻璃纤维棒(1)的表面上被硫化。硅橡胶层(2)的表面上是由硅橡胶制成的屏蔽(3),它们固定在带有凹槽(4)的其下侧。预制屏蔽(3),以径向预受力方式压至硅橡胶层(2)上,并与所述层一起硫化。绝缘子端处是绝缘子两金属安装件(5)之一,用于传送来自玻璃纤维棒(1)的张力至绝缘子支承(未示出)。金属安装件(5)可含有,如钢,铸铁或其它金属材料并可由径向压缩连接至玻璃纤维棒(1)的端部。图1表示本发明绝缘子的例子,并具有交替的屏蔽直径;也可使用相等直径的屏蔽或具有依屏蔽顺序不同变化的直径的屏蔽。
图2表示架空线绝缘子屏蔽的图解。基本尺寸标准是:
屏蔽负荷P,
屏蔽空间S,
相关轨迹ld,以及
2屏蔽之间的最小间隙c。这些几何变量间的关系在IEC出版物815,附录D中说明,它们是:
c≥30mm,
s/p≥0.8屏蔽下侧中有凹槽的屏蔽,
s/p≥0.65屏蔽下侧光滑的屏蔽,
ld≤5。
漏电路径系数CF是总漏电路径lt和闪络距离st的商:CF=lt/st≤4。
外形系数PF考虑到漏电路径1,例如等于漏电路径ld
(2p+s)/l≥0.7。
图3中表示本发明的绝缘子B与现有技术绝缘子VB比较,它们在例子1中更详细描述。
图4再现例子1中描述的绝缘子B和VB在垂直安装位置(下多线)和水平安装位置(上多线)中试验时间超过1000小时的泄漏电流结果。标记表示两屏蔽绝缘子B和三屏蔽绝缘子VB。
参照架空线高压绝缘子例子,以上已详细描述了本发明。当然它也能用于具有硅橡胶制成的屏蔽覆盖的高电压合成绝缘子,它们用作柱形绝缘子或作为变换器外壳,套管及类似物的空心绝缘子。本发明能有益地用在固定总高度的传统绝缘子在大气污染区内产生关于闪络的电气问题的情况下。利用本发明可建立其漏电路径适应大气条件,同时不改变总高度的绝缘子。例1:
如图3所述,在每种情形中,制造两个绝缘子。本发明中的绝缘子用B1表示,现有技术中的绝缘子用VB1来表示。因为这两种类型绝缘子的闪络距离和放电路径是大小相同的,所以它们可认为在电气上是等效的。根据DE-A-2746870中所述的方法制造四个绝缘子。它们由相同的屏蔽覆盖材料组成,特别是由过氧化物协助交链且肖氏A级硬度为80的具有填料的聚乙烯基·甲基硅氧烷。这些填料由高温得到的硅酸和氢氧化铝组成。这种材料的弧电阻大于240S(HL2);根据DIN VDE 0441 Part 1中所规定的,高电压轨迹电阻归入HK等级2中。根据IEC出版物707相应于等级FV0的耐火性和高电压传播强度归入HD2等级。
根据本发明,图3中的(11)和(12)表示绝缘子B1的不同屏蔽。这些屏蔽在其下侧有所述型式的凹槽且在图1中已详细说明过。绝缘子VB1的屏蔽(13)设计成平下侧。所用屏蔽的数据在表1中简述。
表1:
所用屏蔽型式的特征:
屏蔽型式 | 漏电路径mm |
D1mm |
D2mm |
D3mm | 屏蔽的重量g |
111213 |
191125100 |
178 | 138 | 148 |
291161154 |
图3中两绝缘子放电路径的计算通过相加每个绝缘子屏蔽的放电路径和,以及绝缘长度L得到,绝缘子的尺寸和根据IEC出版物815规定的关系在表2中详细说明。
表2:绝缘子VB1和B1的特征:
绝缘子 | 漏电路径mm | 闪络距离mm |
Lmm |
D4mm |
硅有机化合物材料的重量wt.g |
cmm |
smm |
pmm |
ld/c |
s/p |
CF |
PF |
VB1 |
485 |
210 |
185 |
30 |
533 |
43 |
46 |
5 9 |
2.7 |
0.78 |
2.3 |
1.4 |
B1 |
485 |
210 |
175 |
30 |
519 |
49 |
59 |
74 |
4.2 |
0.8 |
2.3 |
1.0 |
表2表示两种型式的绝缘子都满足IEC出版物815中指定的标准且在电气上它们也是在很大程度上是等效的。所用的硅有机化合物材料的数量仅有细微的不同:本发明的绝缘子B1需要比绝缘子VB1少2.6%的硅有机化合物材料。
这四个绝缘子在云雾室中经过电气持续性试验。这个试验在IEC出版物1109中有更详细的描述。在该试验中,每个绝缘子在云雾室中水平和垂直布置。试验电压为14KV。导电性为16ms/cm的盐雾人为地产生。在该试验中,绝缘子的漏电流在1000小时中可连续测量。因为在试验中不发生闪络,也不在绝缘子上形成漏电或腐蚀路径,所以全部的四个绝缘子在水平位置和垂直位置上都通过了该试验。
图4再现了试验中绝缘子漏电流的瞬时变化曲线圈。该曲线图表示了水平固定位置和垂直固定位置在绝缘特性中的根本不同。在垂直固定位置中,这两种型式的绝缘子有近似相同的特性:本发明的绝缘子B1的平均漏电流为0.03mA,现有技术的绝缘子VB1的平均漏电流为0.015mA。
对于水平固定的绝缘子,就测量而论,特征是不同的。在此,本发明绝缘子B1的平均漏电流为20mA,而现有技术的绝缘子VB1的平均漏电流大约为200mA,该平均值大约为十倍高。本发明凹槽的效果在这个试验尤其是在绝缘子水平布置中可看出。该试验的结果是令人吃惊的,这是因为从其它材料制成的有凹槽屏蔽的绝缘子可知,它比没凹槽屏蔽的绝缘子有更坏的绝缘特性。例2
绝缘子的漏电路径适于在后面场所使用。大气污染严重的场合需要长的漏电路径。例如:制成的110KV架空线的绝缘子的漏电路径为3350mm。绝缘子的总长度和固定绝缘长度L也被规定。表3表示现有技术绝缘子VB2和本发明绝缘子B2的特征。
表3:绝缘子VB2和B2的特征
绝缘子 |
漏电路径mm | 闪络距离mm | 屏蔽型式 | 屏蔽数量 |
Lmm |
D4mm |
硅有机化合物材料的重量g |
cmm |
Jmm |
p |
ld/c |
s/p |
CF |
PF |
VB2 |
3375 |
1000 |
3 |
24 |
975 |
30 |
4068 |
36 |
39 |
59 |
3.0 |
0.66 |
3.4 |
1.4 |
B2 |
3350 |
1000 |
2 |
19 |
975 |
30 |
3350 |
39 |
49 |
54 |
3.7 |
0.91 |
3.4 |
1.2 |
闪络距离相当于绝缘子拉伸纤维的长度,就垂直位置绝缘子而言,就是测量出的从屏蔽外侧上的上安装件的较低端到下安装件的较高端。
表1中的屏蔽型式2是为本发明绝缘子B2选出的。象在例1中一样,具有屏蔽型式3的绝缘子VB2被安装。表3表示这些绝缘子都满足IEC出版物815中所指定的标准。因为这两种绝缘子的闪络距离和总的漏电路径近似相同,所以从电气观点来说,它们可认为是等效的。然而,本发明的绝缘子B2的制造费用明显低于现有技术绝缘子VB2。仅仅需要19个屏蔽而不是24个,且本发明绝缘子B2的屏蔽覆盖的硅有机化合物材料的数量比绝缘子VB2少15.6%。例3
在大气污染相当严重的情况下,正如将在邻近沙漠的沿海地带所碰到的,就需要特殊的漏电路径。对于例3来说,制造成的110KV架空线的绝缘子的漏电路径为4050mm。利用现有技术绝缘子VB3和本发明绝缘子B3。
表4:绝缘子VB3和B3的特征
绝缘子 |
漏电路径mm | 闪络距离mm | 屏蔽型式 | 屏蔽数量 |
Lmm |
D4mm |
硅有机化合物材料的重量g |
cmm |
smm |
pmm |
ld/c |
s/p |
CF |
PF |
VB3 |
4070 |
1200 |
3 |
29 |
1170 |
30 |
5035 |
36 |
39 |
59 |
3.0 |
0.66 |
3.4 |
1.4 |
B3 |
4031 |
1030 |
1 |
16 |
975 |
30 |
5028 |
49 |
59 |
74 |
4.5 |
0.8 |
3.9 |
0.9 |
表1中的屏蔽型式1是为本发明的绝缘子B3选择的。象例1和2中一样,安装具有屏蔽型式3的对比绝缘子VB3。这两种绝缘子都满足IEC出版物815所指定的标准。但是,根据这些标准,无论怎样,对比绝缘子VB3设计得比通常用的110KV绝缘子长一些是必要的。然而,对于本发明绝缘子B3来说,保持常规长度是可能的。它比绝缘子VB3短17%。虽然它和对比绝缘子VB3需要相同数量的硅有机化合物材料,但是,屏蔽数量可以从29减少到16。即减少了45%。根据屏蔽的制造费用,这意味着显著的效益。例4
本发明的绝缘子的优越性在大气污染严重和高电力传输电压场合下起最好效果。在邻海的沙漠污染严重地带,对常规由瓷和玻璃制成的绝缘子,特定的50mm/kv的漏电路径是需要的。通过使用本发明具有屏蔽覆盖的且由所述型式的硅橡胶制成的合成绝缘子,较低的40mm/kv的漏电路径是可能的。对于传输电压Umax为420KV的情况,所述型式的合成绝缘子需要的绝缘子漏电路径为16800mm。
用不同的方法实现这种漏电路径是可能的。根据现有技术,具有平下侧及相同或交变直径的屏蔽能使用。根据本发明,具有相同直径的隔板和具有交变隔板直径的绝缘子是可行的。在这个例子中,现有技术的和具有交变或统一屏蔽直径的两种型式与本发明绝缘子的三种型式相比较。对于漏电路径为16800mm且绝缘子芯部直径为d=30mm的情况:VB4 表示根据现有技术具有交变屏蔽直径168和134mm的绝缘子,相
反,VB5 表示根据现有技术具有统一屏蔽直径148mm的绝缘子,B4 表示根据本发明具有交变屏蔽直径(也可从图1看出)178和
138mm的绝缘子B5 表示根据本发明具有统一屏蔽直径178mm的绝缘子,和B6 表示根据本发明具有统一屏蔽直径为138mm的绝缘子。
遵守IEC出版物815所述的规则,对于不同的绝缘子产生不同的尺寸限定参数。绝缘子VB4、B4和B5的尺寸通过这些漏电路径系数CF1来描述,据观察,这些绝缘子具有最大值4,产生的绝缘长度L为4200mm。绝缘子VB5的尺寸通过屏蔽空间与裙部外伸之比(S/P)来决定。绝缘子B3由Id/c决定。
表5再现由这些限定条件所产生的尺寸,在交变屏蔽直径的情况下,考虑裙部外伸条P1和P2(P1-P2≥15mm)是必要的。裙部外伸P根据IEC815在图2中说明。
表5:例4中的绝缘子特征
绝缘子 | 闪络距离mm |
屏蔽直径D1 D2mm mm |
p1-p2mm |
ld/c |
smm |
pmm |
s/p |
屏蔽的数量 |
屏蔽重量D1 D2g g |
硅有机化合物材料的重量kg |
VB4 |
4200 |
168 |
134 |
17 |
4.1 |
70 |
69 |
1.01 |
123 |
202 |
123 |
21.7 |
VB5 |
4680 |
148 |
- |
- |
4.1 |
39 |
59 |
0.66 |
121 |
154 |
- |
20.4 |
B4 |
4200 |
178 |
138 |
20 |
4.4 |
105 |
74 |
1.42 |
80 |
291 |
161 |
19.7 |
B5 |
4200 |
178 |
- |
- |
4.7 |
65 |
74 |
0.88 |
66 |
291 |
- |
20.8 |
B6 |
4400 |
138 |
- |
- |
5.0 |
44 |
54 |
0.81 |
100 |
161 |
- |
17.8 |
表5表示绝缘子VB5和B6产生比其它更长的绝缘子,所以它们不是最佳的。现有技术绝缘子的最经济的方法是具有交变屏蔽直径的绝缘子VB4,与此对照,本发明的两种交变的B4和B5提供了节约材料的优越性。屏蔽数量大大减少,特别是对应于变化物B4和B5分别减少了35%和46%。
对于这种准备使用的绝缘子,它有一个基本的固有重量。对于现有技术的绝缘子,其结果是当绝缘子水平放置在平坦表面时,由于固有重量,屏蔽永久变形是可能的。这种情况发生过,尤其是,在交变的屏蔽直径情况下,如在绝缘子VB4中,在大直径的62个屏蔽的绝缘子重量被支承的情况下。相反,绝缘子B4和B5有一个机械上坚固的屏蔽,它在绝缘子输送过程中不变形。