CN115465842A - 一种4n碲浇铸方法 - Google Patents
一种4n碲浇铸方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN115465842A CN115465842A CN202211071192.6A CN202211071192A CN115465842A CN 115465842 A CN115465842 A CN 115465842A CN 202211071192 A CN202211071192 A CN 202211071192A CN 115465842 A CN115465842 A CN 115465842A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- tellurium
- sodium
- casting
- slagging
- washing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 106
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 102
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 35
- 238000005266 casting Methods 0.000 title claims abstract description 31
- 239000011734 sodium Substances 0.000 claims abstract description 34
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 34
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 claims abstract description 26
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 12
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims abstract description 11
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims abstract description 11
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000002893 slag Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 19
- 238000002791 soaking Methods 0.000 claims description 16
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- UXVMQQNJUSDDNG-UHFFFAOYSA-L Calcium chloride Chemical group [Cl-].[Cl-].[Ca+2] UXVMQQNJUSDDNG-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 7
- 239000001110 calcium chloride Substances 0.000 claims description 7
- 229910001628 calcium chloride Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 7
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 7
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 claims description 6
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 3
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 abstract description 6
- 238000007667 floating Methods 0.000 abstract description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 4
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 abstract description 2
- 238000009856 non-ferrous metallurgy Methods 0.000 abstract description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 abstract description 2
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 15
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000007123 defense Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 229910021538 borax Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000002241 glass-ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 238000009776 industrial production Methods 0.000 description 1
- 238000002386 leaching Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005272 metallurgy Methods 0.000 description 1
- 238000006386 neutralization reaction Methods 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 238000007670 refining Methods 0.000 description 1
- VOADVZVYWFSHSM-UHFFFAOYSA-L sodium tellurite Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Te]([O-])=O VOADVZVYWFSHSM-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000004328 sodium tetraborate Substances 0.000 description 1
- 235000010339 sodium tetraborate Nutrition 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- LAJZODKXOMJMPK-UHFFFAOYSA-N tellurium dioxide Chemical compound O=[Te]=O LAJZODKXOMJMPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011782 vitamin Substances 0.000 description 1
- 229940088594 vitamin Drugs 0.000 description 1
- 229930003231 vitamin Natural products 0.000 description 1
- 235000013343 vitamin Nutrition 0.000 description 1
- 150000003722 vitamin derivatives Chemical class 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B19/00—Selenium; Tellurium; Compounds thereof
- C01B19/02—Elemental selenium or tellurium
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P10/00—Technologies related to metal processing
- Y02P10/20—Recycling
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Manufacture And Refinement Of Metals (AREA)
Abstract
本发明属于有色金属冶金技术领域,尤其涉及一种适用于电积碲的4N碲浇铸的方法。该方法在进行浇铸过程中能够去除杂质钠,具体为:在析出碲片熔化时添加造渣剂进行造渣,并控制熔化时温度,再将碲液表面浮渣捞净,实现析出碲中杂质钠与碲的有效分离,最后浇铸成锭得到合格4N碲产品。本发明的有益效果是:由于采用上述技术方案,本发明的方法操作简单、成本低,对提高以电积碲为原料生产的4N碲品质效果明显,产出的4N碲产品含钠小于10ppm。
Description
技术领域
本发明属于有色金属冶金技术领域,尤其涉及一种适用于电积碲的4N碲浇铸的方法。
背景技术
碲是现代工业和高科技产业不可缺少的材料之一,被称为“现代工业、国防与尖端技术的维生素”,广泛应用于化工、冶金、医药、玻璃陶瓷、电子电器、国防、能源等领域。
工业生产的碲元素主要来源于铜电解精炼工艺中的阳极泥,通常含碲1%~10%,绝大多数以Ag2Te、Cu2Te、Au2Te等形式存在。生产上,先将铜阳极泥转化为粗二氧化碲,再经碱浸、净化、中和、煅烧、造液、电积、铸型等工序得到合格4N碲产品。由于碲的电积是在氢氧化钠介质中进行的,虽然钠的标准电极电位比碲负得多,不会在阴极析出,但是部分氢氧化钠会机械夹带在碲片中,造成析出碲中钠含量较高。
工业生产上常规除钠主要有两条途径:一是碲片煮洗;二是在铸型工序除去。煮洗是将碲片用小木锤敲碎后放入不锈钢桶中加水浸没,用蒸汽冲煮。洗涤的过程中加草酸浸泡,最后再用纯水清洗,然后烘干。
铸型除钠,控制铸型温度在600℃左右,碲与氢氧化钠均呈熔融状态,表面的碲部分被氧化成TeO2,通过采用石墨碳棒进行搅拌,搅拌时加入硼砂进行造渣,上浮的氢氧化钠与TeO2反应生成亚碲酸钠,最后通过捞净表面浮渣达到除钠的目的。
应用上述方法除钠,在4N碲生产过程中,产品杂质钠波动大、碲直收率低。
发明内容
本发明公开了一种4N碲浇铸方法,以解决现有技术的上述以及其他潜在问题中任一问题。
为了解决上述问题,本发明的技术方案是:一种4N碲浇铸方法,该方法在进行浇铸过程中能够去除杂质钠,具体为:在析出碲片熔化时添加造渣剂进行造渣,并控制熔化时温度,再将碲液表面浮渣捞净,实现析出碲中杂质钠与碲的有效分离,最后浇铸成锭得到合格4N碲产品。
进一步,所述方法的具体步骤为:
S1)将析出碲片破碎后,进行泡洗,烘干后备用;
S2)将经过S1)处理后的析出碲加热至熔化后,再加入造渣剂搅拌均匀,进行造渣;
S3)完成后进行降温,并静置一段时间,将碲液表面浮渣捞净,最后浇铸成锭得到合格4N碲产品。
进一步,所述析出碲片为电积碲。
进一步,所述S1)中泡洗的介质为蒸馏水或蒸汽,泡洗次数为至少一次。
进一步,所述S2)中的熔化温度为500~550℃;造渣剂的加入量为2~5g/kg的析出碲。
进一步,所述造渣剂为氯化钙。
进一步,所述S3)中的降至温度为460~500℃,静置时间为10~15分钟。
一种低钠4N碲,所述的低钠4N碲采用上述的方法制备得到。
所述低钠4N碲中的含钠量小于10ppm。
本发明的机理为,将析出碲加热在500-550℃时,添加剂氯化钙与析出碲中氢氧化钠发生化学反应,生成高熔点的氯化钠。静置时氯化钠上浮,漂浮在融化后的碲液表面,最后捞出从而实现钠的脱除。
本发明的有益技术效果是:由于采用上述技术方案,本发明的方法操作简单、成本低,对提高以电积碲为原料生产的4N碲品质效果明显,产出的4N碲产品含钠小于10ppm。
附图说明
图1为本发明的一种4N碲浇铸除钠的方法的工艺流程图。
具体实施方式
下面结合本发明的工艺流程附图及实例进一步阐述本发明的内容。
如图1所示,本发明的一种4N碲浇铸方法,该方法在进行浇铸过程中能够去除杂质钠,具体为:在析出碲片熔化时添加造渣剂进行造渣,并控制熔化时温度,再将碲液表面浮渣捞净,实现析出碲中杂质钠与碲的有效分离,最后浇铸成锭得到合格4N碲产品。
所述方法的具体步骤为:
S1)将析出碲片破碎后,进行泡洗,烘干后备用;
S2)将经过S1)处理后的析出碲加热至熔化后,再加入造渣剂搅拌均匀,进行造渣;
S3)完成后进行降温,并静置一段时间,将碲液表面浮渣捞净,最后浇铸成锭得到合格4N碲产品。
所述析出碲片为电积碲。
所述S1)中泡洗的介质为蒸馏水或蒸汽,泡洗次数为至少一次。
所述S2)中的熔化温度为500~550℃;造渣剂的加入量为2~5g/kg的析出碲。
所述造渣剂为氯化钙。
所述S3)中的降至温度为460~500℃,静置时间为10~15分钟。
一种低钠4N碲,所述的低钠4N碲采用上述的方法制备得到。
所述低钠4N碲中的含钠量小于10ppm。
实施例1:
将电积得到的析出碲用小木锤敲碎后,用蒸馏水进行一次泡洗,泡洗结束后烘干开始浇铸,随析出碲一起加入氯化钙100g,控制析出碲熔化温度530℃,碲液完全熔化后降温至460℃,静置10分钟,静置结束后捞净表面浮渣进行铸锭,得到4N碲产品。产出的4N碲杂质钠含量<10ppm,处理过程更为经济高效。
实施例2:
将电积得到的析出碲片用小木锤敲碎后,用蒸馏水进行一次泡洗,泡洗结束后烘干开始浇铸,随析出碲一起加入氯化钙95g,控制析出碲熔化温度540℃,碲液完全熔化后降温至470℃,静置15分钟,静置结束后捞净表面浮渣进行铸锭,得到4N碲产品。产出的4N碲杂质钠含量<10ppm,处理过程更为经济高效。
实施例3:
将电积得到的析出碲片用小木锤敲碎后,用蒸馏水进行一次泡洗,泡洗结束后烘干开始浇铸,随析出碲一起加入氯化钙120g,控制析出碲熔化温度540℃,碲液完全熔化后降温至480℃,静置13分钟,静置结束后捞净表面浮渣进行铸锭,得到4N碲产品。产出的4N碲杂质钠含量<10ppm,处理过程更为经济高效。
以上对所提供的一种4N碲浇铸方法,进行了详细介绍。以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想;同时,对于本领域的一般技术人员,依据本申请的思想,在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处,综上所述,本说明书内容不应理解为对本申请的限制。
如在说明书及权利要求书当中使用了某些词汇来指称特定组件。本领域技术人员应可理解,硬件制造商可能会用不同名词来称呼同一个组件。本说明书及权利要求书并不以名称的差异来作为区分组件的方式,而是以组件在功能上的差异来作为区分的准则。如在通篇说明书及权利要求书当中所提及的“包含”、“包括”为一开放式用语,故应解释成“包含/包括但不限定于”。“大致”是指在可接收的误差范围内,本领域技术人员能够在一定误差范围内解决所述技术问题,基本达到所述技术效果。说明书后续描述为实施本申请的较佳实施方式,然所述描述乃以说明本申请的一般原则为目的,并非用以限定本申请的范围。本申请的保护范围当视所附权利要求书所界定者为准。
还需要说明的是,术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的商品或者系统不仅包括那些要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为这种商品或者系统所固有的要素。在没有更多限制的情况下,由语句“包括一个……”限定的要素,并不排除在包括所述要素的商品或者系统中还存在另外的相同要素。
应当理解,本文中使用的术语“和/或”仅仅是一种描述关联对象的关联关系,表示可以存在三种关系,例如,A和/或B,可以表示:单独存在A,同时存在A和B,单独存在B这三种情况。另外,本文中字符“/”,一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
上述说明示出并描述了本申请的若干优选实施例,但如前所述,应当理解本申请并非局限于本文所披露的形式,不应看作是对其他实施例的排除,而可用于各种其他组合、修改和环境,并能够在本文所述申请构想范围内,通过上述教导或相关领域的技术或知识进行改动。而本领域人员所进行的改动和变化不脱离本申请的精神和范围,则都应在本申请所附权利要求书的保护范围内。
Claims (9)
1.一种4N碲浇铸方法,其特征在于,该方法在进行浇铸过程中能够去除杂质钠,具体为:在析出碲片熔化时添加造渣剂进行造渣,并控制熔化时温度,再将碲液表面浮渣捞净,实现析出碲中杂质钠与碲的有效分离,最后浇铸成锭得到合格4N碲产品。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法的具体步骤为:
S1)将析出碲片破碎后,进行泡洗,烘干后备用;
S2)将经过S1)处理后的析出碲加热至熔化后,再加入造渣剂搅拌均匀,进行造渣;
S3)完成后进行降温,并静置一段时间,将碲液表面浮渣捞净,最后浇铸成锭得到合格4N碲产品。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述造渣剂为氯化钙。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述S2)中的熔化温度为500~550℃;造渣剂的加入量为2~5g/kg的析出碲。
5.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述析出碲片为电积碲。
6.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述S1)中泡洗的介质为蒸馏水或蒸汽,泡洗次数为至少一次。
7.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述S3)中的降至温度为460~500℃,静置时间为10~15分钟。
8.一种低钠4N碲,其特征在于,所述的低钠4N碲采用如权利要求1-7任意一项所述的方法制备得到。
9.根据权利要求8所述的低钠4N碲,其特征在于,所述低钠4N碲中含钠量小于10ppm。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202211071192.6A CN115465842B (zh) | 2022-09-02 | 2022-09-02 | 一种4n碲浇铸方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202211071192.6A CN115465842B (zh) | 2022-09-02 | 2022-09-02 | 一种4n碲浇铸方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN115465842A true CN115465842A (zh) | 2022-12-13 |
CN115465842B CN115465842B (zh) | 2024-03-08 |
Family
ID=84368314
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202211071192.6A Active CN115465842B (zh) | 2022-09-02 | 2022-09-02 | 一种4n碲浇铸方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN115465842B (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN116161629A (zh) * | 2023-04-03 | 2023-05-26 | 昆明理工大学 | 一种提纯硒的方法 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3091516A (en) * | 1960-11-25 | 1963-05-28 | Merck & Co Inc | Process for the purification of tellurium |
GB1329079A (en) * | 1971-08-17 | 1973-09-05 | American Smelting Refining | Method of refining tellurium containing lead |
JPS59137307A (ja) * | 1983-01-25 | 1984-08-07 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | テルルを含む鉛、亜鉛製錬中間物からの高純度テルルの回収方法 |
CN101049918A (zh) * | 2007-05-11 | 2007-10-10 | 北京化工大学 | 可溶于水及有机溶剂的CdTe纳米颗粒的制备方法 |
CN101508426A (zh) * | 2009-03-24 | 2009-08-19 | 中南大学 | 一种从碲渣中分离碲的方法 |
CN101648701A (zh) * | 2009-09-16 | 2010-02-17 | 四川阿波罗太阳能科技有限责任公司 | 粗碲的还原熔炼和扒渣提纯的方法 |
JP2013256419A (ja) * | 2012-06-13 | 2013-12-26 | Mitsubishi Materials Corp | テルルの分離回収方法 |
CN106629633A (zh) * | 2016-12-27 | 2017-05-10 | 郴州市金贵银业股份有限公司 | 一种从析出碲中精炼脱砷的方法 |
CN109319744A (zh) * | 2017-07-31 | 2019-02-12 | 成都中建材光电材料有限公司 | 一种4n碲的制备方法 |
CN111204716A (zh) * | 2020-03-06 | 2020-05-29 | 大冶有色金属有限责任公司 | 一种粗碲精炼的工艺方法 |
-
2022
- 2022-09-02 CN CN202211071192.6A patent/CN115465842B/zh active Active
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3091516A (en) * | 1960-11-25 | 1963-05-28 | Merck & Co Inc | Process for the purification of tellurium |
GB1329079A (en) * | 1971-08-17 | 1973-09-05 | American Smelting Refining | Method of refining tellurium containing lead |
JPS59137307A (ja) * | 1983-01-25 | 1984-08-07 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | テルルを含む鉛、亜鉛製錬中間物からの高純度テルルの回収方法 |
CN101049918A (zh) * | 2007-05-11 | 2007-10-10 | 北京化工大学 | 可溶于水及有机溶剂的CdTe纳米颗粒的制备方法 |
CN101508426A (zh) * | 2009-03-24 | 2009-08-19 | 中南大学 | 一种从碲渣中分离碲的方法 |
CN101648701A (zh) * | 2009-09-16 | 2010-02-17 | 四川阿波罗太阳能科技有限责任公司 | 粗碲的还原熔炼和扒渣提纯的方法 |
JP2013256419A (ja) * | 2012-06-13 | 2013-12-26 | Mitsubishi Materials Corp | テルルの分離回収方法 |
CN106629633A (zh) * | 2016-12-27 | 2017-05-10 | 郴州市金贵银业股份有限公司 | 一种从析出碲中精炼脱砷的方法 |
CN109319744A (zh) * | 2017-07-31 | 2019-02-12 | 成都中建材光电材料有限公司 | 一种4n碲的制备方法 |
CN111204716A (zh) * | 2020-03-06 | 2020-05-29 | 大冶有色金属有限责任公司 | 一种粗碲精炼的工艺方法 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
侯龙超;范良明;: "3N碲还原熔炼-扒渣提纯法制备4N碲", 成都理工大学学报(自然科学版), no. 03, pages 340 - 341 * |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN116161629A (zh) * | 2023-04-03 | 2023-05-26 | 昆明理工大学 | 一种提纯硒的方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN115465842B (zh) | 2024-03-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
WO2024060891A1 (zh) | 一种复杂粗锡绿色高效的精炼方法 | |
CN113151685A (zh) | 一种超高纯铜锰靶材的回收方法 | |
CN115465842A (zh) | 一种4n碲浇铸方法 | |
JP4505843B2 (ja) | 銅の乾式精錬方法 | |
CN101906643B (zh) | 高铅铋银合金电解法脱铅工艺 | |
CN111349961B (zh) | 生箔机用废旧钛阳极板的清洗及贵金属去除回收方法 | |
JP2006124782A (ja) | スズ製錬等を利用したインジウムの回収方法 | |
JPH04191340A (ja) | 高純度錫の製造法 | |
CN113930617B (zh) | Gh5188钴基高温合金返回料的回收方法 | |
RU2644719C2 (ru) | Способ переработки отходов электронной и электротехнической промышленности | |
JP4797163B2 (ja) | テルル含有粗鉛の電解方法 | |
JPH1192839A (ja) | SnO2を含むスラッジから金属Snを回収する方法 | |
JP2000045087A (ja) | 高純度ビスマスの製造方法 | |
CN107245583B (zh) | 一种用铜镉渣制备锌铜合金的方法 | |
US1967053A (en) | Method of refining lead bismuth alloy | |
US3723267A (en) | Method of producing high purity antimony from antimony trioxide obtained by burning refined metal | |
JP4787951B2 (ja) | 銀の電解精製方法 | |
KR101752727B1 (ko) | 주석 폐기물로부터 주석을 회수하는 방법 | |
NO164665B (no) | Fremgangsmaate for gjenvinning av aluminium fra avfallsmateriale. | |
JPH0210207B2 (zh) | ||
CN117923435A (zh) | 一种碲的提纯方法 | |
JPS58174531A (ja) | マルエ−ジング鋼くずの再利用方法 | |
CA1239613A (en) | Recovery of tin from starting material and low tin concentrates by melting with potassium hydroxide | |
CN112941322B (zh) | 一种脱铜阳极泥在卡尔多炉中冶炼时去除BaSO4的方法 | |
SU4757A1 (ru) | Способ изготовлени нерастворимых анодов из свинца |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |