CN115464469A - 一种碳化硅晶圆研磨抛光工艺 - Google Patents

一种碳化硅晶圆研磨抛光工艺 Download PDF

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Abstract

本发明涉及晶圆表面处理技术领域，公开一种碳化硅晶圆研磨抛光工艺，包括以下步骤：S1、将与玻璃载盘键合的晶圆片放置在可转动的研磨盘上，进行研磨处理，得到晶圆薄片。S2、晶圆薄片通过输料水道输送至抛光工序，输送过程进行第一清洗处理。S3、从输送水道内将第一清洗处理过的晶圆薄片吸附移动至抛光机上。S4、对晶圆薄片进行表面抛光处理，得到表面粗糙度小于3μm的SiC晶圆。S5、SiC晶圆通过输料水道时进行第二清洗处理，然后输送至冲刷工序。S6、从输料水道取出第二清洗处理后的SiC晶圆，放置在干燥台上，进行清洗干燥处理。本发明研磨抛光工艺，对碳化硅晶圆进行研磨、第一清洗、抛光、第二清洗、纯水清洗、干燥，节约加工时间，提高加工效率。

Description

一种碳化硅晶圆研磨抛光工艺
技术领域
本发明涉及晶圆表面处理技术领域，具体是一种碳化硅晶圆研磨抛光工艺。
背景技术
碳化硅材质硬，研磨抛光一般利用化学机械研磨方式，将晶圆的蚀刻面平整化为纳米级平滑度，并满足碳化硅晶圆片的翘曲度、平坦度等指标。
现有技术中公开了申请号为CN202010098688.7，名称为一种碳化硅晶圆的研磨抛光装置与其制程方法，其中针对碳化硅晶圆硬度高的特点，采用研磨抛光垫结构研磨、抛光加工第一性依序进行的制程方法，简化了制程步骤、降低了成本。
但是现有技术制程过程中，晶圆片在研磨抛光工序之间转移时，转移过程中通过吸盘吸附转移，导致晶圆片频繁暴露在空气中，容易被空气污染，表面沾染灰尘，需要增加清洗的时间，额外增加清洗操作的负担，增加清洗的用水量。
发明内容
本发明的目的在于提供一种碳化硅晶圆研磨抛光工艺，以解决现有技术中的问题。
本发明的目的可以通过以下技术方案实现：
一种碳化硅晶圆研磨抛光工艺，所述研磨抛光工艺包括以下步骤：
S1、将与玻璃载盘键合的晶圆片放置在可转动的研磨盘上，进行研磨处理，得到晶圆薄片。
S2、晶圆薄片通过输料水道输送至抛光工序，输送过程进行第一清洗处理。
S3、从输送水道内将第一清洗处理过的晶圆薄片吸附移动至抛光机上。
S4、对晶圆薄片进行表面抛光处理，得到表面粗糙度小于3μm的SiC晶圆。
S5、SiC晶圆通过输料水道时进行第二清洗处理，然后输送至冲刷工序。
S6、从输料水道取出第二清洗处理后的SiC晶圆，放置在干燥台上，进行清洗干燥处理。
进一步的，所述研磨盘上转动放置有至少一个晶圆片。
进一步的，所述S1中制取晶圆片的步骤包括：对晶锭进行激光切割或金刚线切割后，进行裂片剥离操作。
进一步的，所述S1中晶圆片与玻璃载盘之间通过粘合剂键合。
进一步的，所述输料水道内部设有导向组件，输料水道内设有清洗组件和清洗喷头，清洗组件包括设置在晶圆薄片两面的清洗滚刷、清洗刷头。
进一步的，所述第一清洗处理包括以下步骤：
在晶圆薄片位于输料水道内移动时，先经过清洗组件，对晶圆薄片进行清洗；然后晶圆薄片经过清洗喷头处，进行清洗。
进一步的，所述第二清洗处理与第一清洗处理步骤相同。
进一步的，所述清洗干燥处理包括以下步骤：
先通过喷头对SiC晶圆进行纯水清洗；再转动干燥台，带动SiC晶圆旋转，进行甩干处理；得到洁净干燥的SiC晶圆。
本发明的有益效果：
1、本发明研磨抛光工艺，对碳化硅晶圆进行研磨、第一清洗、抛光、第二清洗、纯水清洗、干燥，通过输料水道进行晶圆的输送，整个过程晶圆与空气接触时间短，降低清洗的负担，同时输送过程进行两次清洗操作，节约加工时间，提高加工效率；
2、本发明研磨抛光工艺，两次清洗均先对晶圆进行滚刷清洗，再进行冲洗清洗，清洗效果好，晶圆洁净度高，成品晶圆片划痕少。
附图说明
下面结合附图对本发明作进一步的说明。
图1是本发明S1工艺流程示意图；
图2是本发明实施例1中S2工艺流程示意图；
图3是本发明实施例2中S2工艺流程示意图；
图4是本发明S3、S4、S5、S6工艺流程示意图；
图5是本发明研磨机结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例1
一种碳化硅晶圆研磨抛光工艺，研磨抛光工艺包括以下步骤：
S1、如图1所示，将从碳化硅晶锭上切割剥离的晶圆片1，晶圆片1通过粘合剂2与玻璃载盘3键合固定，再利用吸盘4将键合玻璃载盘3的晶圆片1移动至研磨盘5上，进行研磨处理，研磨处理时，研磨盘5转动带动晶圆片1公转，同时玻璃载盘3可自转，解决研磨切削力不均匀的问题，使研磨更充分，提高晶圆片1的研磨效果。
本实施例中，通过激光切割方式、金刚线切割方式从碳化硅晶锭上切割，然后进行裂片剥离得到晶圆片1。
S2、如图2所示，将研磨好的晶圆薄片13连同玻璃载盘3移动至输料水道6内，通过水流带动晶圆薄片13的移动，同时对晶圆薄片13进行第一清洗处理。
本实施例中，输料水道6内设有对称分布的导向组件7，晶圆薄片13位于两个导向组件7之间，沿着输料水道6移动，输料水道6内设有阵列分布的清洗滚刷8，清洗滚刷8的一侧设有清洗喷头9，晶圆薄片13上下面均设置有清洗滚刷8和清洗喷头9。
本实施例中，第一清洗处理包括以下步骤：
S2.1、晶圆薄片13在输料水道6内移动时，先经过清洗滚刷8之间，对晶圆薄片13进行清洗。
S2.2、晶圆薄片13再经过清洗喷头9处，调节清洗喷头9对晶圆薄片13进行清洗。
S3、如图4所示，将第一清洗处理后的晶圆薄片13输送至抛光机11处，通过吸附移动晶圆薄片13至抛光机11上。
S4、利用抛光轮12对晶圆薄片13进行表面抛光处理，得到SiC晶圆17，SiC晶圆17的表面粗糙度小于3μm。
S5、取下抛光后得到的SiC晶圆17，放入输料水道6内，输送至纯水冲刷工序处，输送过程中进行第二清洗处理。
第二清洗处理与第一清洗处理步骤相同。
S6、从输料水道6取出第二清洗处理后的SiC晶圆17，放置在干燥台16上，先通过喷头14对SiC晶圆17进行清洗，清洗的液体为纯水15，干燥台16可旋转，对纯水15进行甩干操作，最后得到洁净干燥的SiC晶圆17。
如图5所示，研磨盘5设置在研磨机50上，研磨机50上固定设有托架51，托架51上设有可升降的研磨盖罩52，研磨盖罩52内设置有至少一个研磨盘，图中未示出研磨盘，研磨盘5上设有至少一个研磨位，玻璃载盘3吸附固定在研磨位上方。
使用时，利用研磨机50对裂片剥离的晶圆片1进行批量研磨，再通过输料水道6进行移料，移料过程进行第一清洗处理，然后将第一清洗处理后的晶圆薄片13移动至抛光机11上，进行表面抛光处理，得到表面粗糙度小于3μm的SiC晶圆17，再将SiC晶圆17放入另一个输料水道6内，输送过程中进行第二清洗处理，输送SiC晶圆17至纯水冲刷工序处，先进行纯水15的清洗，去除SiC晶圆17表面的杂质，然后通过旋转干燥台16，对SiC晶圆17进行甩干，得到洁净干燥的SiC晶圆17。
清洗完，再进行干燥处理，减少清洗滚刷8、清洗喷头9对晶圆表面的划伤。
第一清洗处理和第二清洗处理均为：先进行刷洗操作后进行清洗操作。
实施例2
一种碳化硅晶圆研磨抛光工艺，研磨抛光工艺包括以下步骤：
S1、如图1所示，将从碳化硅晶锭上切割剥离的晶圆片1，晶圆片1通过粘合剂2与玻璃载盘3键合固定，再利用吸盘4将键合玻璃载盘3的晶圆片1移动至研磨盘5上，进行研磨处理，研磨处理时，研磨盘5转动带动晶圆片1公转，同时玻璃载盘3可自转，解决研磨切削力不均匀的问题，使研磨更充分，提高晶圆片1的研磨效果。
本实施例中，通过激光切割方式、金刚线切割方式从碳化硅晶锭上切割，然后进行裂片剥离得到晶圆片1。
S2、如图3所示，将研磨好的晶圆薄片13连同玻璃载盘3移动至输料水道6内，通过水流带动晶圆薄片13的移动，同时对晶圆薄片13进行第一清洗处理。
本实施例中，输料水道6内设有对称分布的导向组件7，晶圆薄片13位于两个导向组件7之间，沿着输料水道6移动，输料水道6内设有阵列分布的清洗刷头10，清洗刷头10的一侧设有清洗喷头9，晶圆薄片13的两面均设置有清洗刷头10和清洗喷头9。
本实施例中，第一清洗处理包括以下步骤：
S2.1、晶圆薄片13在输料水道6内移动时，先经过清洗刷头10之间，对晶圆薄片13进行清洗。
S2.2、晶圆薄片13再经过清洗喷头9处，调节清洗喷头9对晶圆薄片13进行清洗。
S3、如图4所示，将第一清洗处理后的晶圆薄片13输送至抛光机11处，通过吸附移动晶圆薄片13至抛光机11上。
S4、利用抛光轮12对晶圆薄片13进行表面抛光处理，得到SiC晶圆17，SiC晶圆17的表面粗糙度小于3μm。
S5、取下抛光后得到的SiC晶圆17，放入输料水道6内，输送至纯水冲刷工序处，输送过程中进行第二清洗处理。
第二清洗处理与第一清洗处理步骤相同。
S6、从输料水道6取出第二清洗处理后的SiC晶圆17，放置在干燥台16上，先通过喷头14对SiC晶圆17进行清洗，清洗的液体为纯水15，干燥台16可旋转，对纯水15进行甩干操作，最后得到洁净干燥的SiC晶圆17。
如图5所示，研磨盘5设置在研磨机50上，研磨机50上固定设有托架51，托架51上设有可升降的研磨盖罩52，研磨盖罩52内设置有至少一个研磨盘，图中未示出研磨盘，研磨盘5上设有至少一个研磨位，玻璃载盘3吸附固定在研磨位上方。
使用时，利用研磨机50对裂片剥离的晶圆片1进行批量研磨，再通过输料水道6进行移料，移料过程进行第一清洗处理，然后将第一清洗处理后的晶圆薄片13移动至抛光机11上，进行表面抛光处理，得到表面粗糙度小于3μm的SiC晶圆17，再将SiC晶圆17放入另一个输料水道6内，输送过程中进行第二清洗处理，输送SiC晶圆17至纯水冲刷工序处，先进行纯水15的清洗，去除SiC晶圆17表面的杂质，然后通过旋转干燥台16，对SiC晶圆17进行甩干，得到洁净干燥的SiC晶圆17。
清洗完，再进行干燥处理，减少清洗刷头10、清洗喷头9对晶圆表面的划伤。
第一清洗处理和第二清洗处理均为：先进行刷洗操作后进行清洗操作。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“示例”、“具体示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
以上显示和描述了本发明的基本原理、主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。

Claims (8)

1.一种碳化硅晶圆研磨抛光工艺，其特征在于，所述研磨抛光工艺包括以下步骤：
S1、将与玻璃载盘(3)键合的晶圆片(1)放置在可转动的研磨盘(5)上，进行研磨处理，得到晶圆薄片(13)；
S2、晶圆薄片(13)通过输料水道(6)输送至抛光工序，输送过程进行第一清洗处理；
S3、从输送水道(6)内将第一清洗处理过的晶圆薄片(13)吸附移动至抛光机(11)上；
S4、对晶圆薄片(13)进行表面抛光处理，得到表面粗糙度小于3μm的SiC晶圆(17)；
S5、SiC晶圆(17)通过输料水道(6)时进行第二清洗处理，然后输送至冲刷工序；
S6、从输料水道(6)取出第二清洗处理后的SiC晶圆(17)，放置在干燥台(16)上，进行清洗干燥处理。
2.根据权利要求1所述的一种碳化硅晶圆研磨抛光工艺，其特征在于，所述研磨盘(5)上转动放置有至少一个晶圆片(1)。
3.根据权利要求1所述的一种碳化硅晶圆研磨抛光工艺，其特征在于，所述S1中制取晶圆片(1)的步骤包括：对晶锭进行激光切割或金刚线切割后，进行裂片剥离操作。
4.根据权利要求1所述的一种碳化硅晶圆研磨抛光工艺，其特征在于，所述S1中晶圆片(1)与玻璃载盘(3)之间通过粘合剂(2)键合。
5.根据权利要求1所述的一种碳化硅晶圆研磨抛光工艺，其特征在于，所述输料水道(6)内部设有导向组件(7)，输料水道(6)内设有清洗组件和清洗喷头(9)，清洗组件包括设置在晶圆薄片(13)两面的清洗滚刷(8)、清洗刷头(10)。
6.根据权利要求5所述的一种碳化硅晶圆研磨抛光工艺，其特征在于，所述第一清洗处理包括以下步骤：
在晶圆薄片(13)位于输料水道(6)内移动时，先经过清洗组件，对晶圆薄片(13)进行清洗；然后晶圆薄片(13)经过清洗喷头(9)处，进行清洗。
7.根据权利要求6所述的一种碳化硅晶圆研磨抛光工艺，其特征在于，所述第二清洗处理与第一清洗处理步骤相同。
8.根据权利要求1所述的一种碳化硅晶圆研磨抛光工艺，其特征在于，所述清洗干燥处理包括以下步骤：
先通过喷头(14)对SiC晶圆(17)进行纯水(15)清洗；再转动干燥台(16)，带动SiC晶圆(17)旋转，进行甩干处理；得到洁净干燥的SiC晶圆(17)。
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