CN115404447A - 坩埚组件以及具有其的蒸镀装置 - Google Patents
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- 238000001704 evaporation Methods 0.000 title abstract description 26
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 title abstract description 26
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims abstract description 71
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 56
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 9
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 claims description 4
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 9
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 abstract description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 38
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 4
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 3
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 3
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000009849 deactivation Effects 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 230000005476 size effect Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/243—Crucibles for source material
Abstract
本发明提出了一种坩埚组件以及具有其的蒸镀装置，所述坩埚组件包括坩埚本体，所述坩埚本体包括底板和侧壁，所述底板和所述侧壁的一端相连，所述底板和所述侧壁的内周壁限定出适于容纳待加热介质的容纳腔，所述容纳腔沿所述坩埚本体的长度方向延伸；加热层，所述加热层设置在所述坩埚本体的至少部分外表面，以适于对所述坩埚本体进行加热；隔热板，所述隔热板设置在所述坩埚本体与所述加热层之间，以降低热量由所述加热层传递到所述坩埚本体的速率。由此，坩埚本体上各处温度更加均匀，坩埚本体内不同位置处具有相同的蒸镀速率，无需额外增加热输入，耗能少，生产效率高。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域，具体地，涉及一种坩埚组件以及具有其的蒸镀装置。
背景技术
随着市场端对更大尺寸显示器的需求日益增加，更高世代线的面板生产线被建立起来。更高世代线(如10.5代线)、更大的尺寸，必然需要更大尺寸的蒸镀坩埚以满足量产需要。但更大的坩埚尺寸，往往导致温度不均现象在坩埚上更为明显，这对于显示器的量产极为不利，而通过增加温度补偿的传统方法又存在使材料变质的风险。
因此，目前的坩埚组件仍需进一步改进。
发明内容
本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本发明的一个目的在于提出一种坩埚组件，包括坩埚本体，所述坩埚本体包括底板和侧壁，所述底板和所述侧壁的一端相连，所述底板和所述侧壁的内周壁限定出适于容纳待加热介质的容纳腔，所述容纳腔沿所述坩埚本体的长度方向延伸；加热层，所述加热层设置在所述坩埚本体的至少部分外表面，以适于对所述坩埚本体进行加热；隔热板，所述隔热板设置在所述坩埚本体与所述加热层之间，以降低热量由所述加热层传递到所述坩埚本体的速率。由此，坩埚本体上各处温度更加均匀，坩埚本体内不同位置处具有相同的蒸镀速率，无需额外增加热输入，耗能少，生产效率高。
根据本发明的一些实施例，所述坩埚本体为长方体结构，所述坩埚本体沿宽度方向的两侧具有第一表面和第二表面，所述底板在所述坩埚本体高度方向上背离所述容纳腔的一侧具有第三表面，所述加热层设置在至少部分所述第一表面；和/或所述加热层设置在至少部分所述第二表面；和/或所述加热层设置在至少部分所述第三表面。
根据本发明的一些实施例，所述隔热板设置在至少部分所述第一表面和/或至少部分所述第二表面，所述隔热板构造为多个且沿所述坩埚本体的高度方向延伸，多个所述隔热板在所述坩埚本体的长度方向上间隔设置。
根据本发明的一些实施例，多个所述隔热板沿所述坩埚本体在所述长度方向上的中线呈对称分布。
根据本发明的一些实施例，在所述坩埚本体的所述中线位置指向所述坩埚本体的两端的方向上，多个所述隔热板在所述坩埚本体同一高度上的宽度减小。
根据本发明的一些实施例，所述坩埚组件还包括：坩埚套壳，所述坩埚套壳套设在所述坩埚本体的至少部分外表面；盖板，所述盖板与所述底板正对且与所述侧壁的另一端相连，所述盖板上设置有多个喷嘴，所述盖板的至少一侧设置有第一防辐射层。
根据本发明的一些实施例，所述喷嘴沿所述坩埚本体的长度方向排布，任意相邻两个所述喷嘴之间的距离相同；所述隔热板在相邻两个所述喷嘴在所述坩埚本体的所述长度方向上的中线的两侧呈对称分布。
根据本发明的一些实施例，所述坩埚组件还包括：第二防辐射层，所述第二防辐射层设置在所述坩埚套壳的至少部分内周壁。
根据本发明的一些实施例，所述坩埚组件还包括：加热控制系统，所述加热控制系统与所述加热层相连以控制所述加热层的启动或关闭。
根据本发明的一些实施例，所述隔热板构造为矩形、椭圆形、锥形中的至少一种。
根据本发明的一些实施例，所述隔热板的至少部分区域设置有开口，所述开口构造为矩形、圆形、三角形、椭圆形或锥形中的至少一种。
根据本发明的一些实施例，所述第一表面和/或所述第二表面在所述坩埚本体高度方向上的至少一端设置有滑槽，所述隔热板与所述滑槽插接配合。
在本发明的另一个方面，提出了一种蒸镀装置，包括前述的坩埚组件。由此，该蒸镀装置具有前述的坩埚组件所具有的全部特征以及优点，在此不再赘述。总的来说，至少具有蒸镀速率均匀、稳定，蒸镀获得的产品良率高的优点。
附图说明
本发明的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
图1显示了本发明一个实施例的坩埚组件的一个视角结构示意图；
图2显示了本发明另一个实施例的坩埚组件的一个视角结构示意图；
图3显示了图2中坩埚组件的另一个视角的结构示意图；
图4显示了本发明另一个实施例的坩埚组件的结构示意图；
图5显示了本发明另一个实施例的坩埚组件的结构示意图；
图6显示了本发明另一个实施例的坩埚组件的结构示意图；
图7显示了本发明一个实施例的加热丝的设置方式的示意图；
图8显示了本发明一个实施例的隔热板的结构示意图；
图9显示了本发明另一个实施例的隔热板的结构示意图。
附图标记：
100：坩埚组件；1：坩埚本体；11：侧壁；2：盖板；3：第一防辐射层；4：喷嘴；5：隔热板；51：第一隔热板；52：第二隔热板；53：第三隔热板；6：滑槽；7：坩埚套壳；8：加热层。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施例。下面描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。实施例中未注明具体技术或条件的，按照本领域内的文献所描述的技术或条件或者按照产品说明书进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市购获得的常规产品。
在本发明的一个方面，提出了一种坩埚组件100，参考图1和图2，该坩埚组件100包括坩埚本体1、加热层8和隔热板5。其中，坩埚本体1包括底板(图中未示出)和侧壁11，底板和侧壁11的一端相连，底板和侧壁11的内周壁限定出适于容纳待加热介质的容纳腔，容纳腔沿坩埚本体1的长度方向延伸；加热层8设置在坩埚本体1的至少部分外表面，以适于对坩埚本体1进行加热；隔热板5设置在坩埚本体1与加热层8之间，以降低热量由加热层8传递到坩埚本体1的速率。由此，坩埚本体1上各处温度更加均匀，坩埚本体1内不同位置处具有相同的蒸镀速率，无需额外增加热输入，耗能少，生产效率高。
下面对申请能够实现上述有益效果的原理进行详细说明：
OLED(Organic Light Emitting Diode，有机电致发光二极管)作为崛起的新一代显示技术，具备传统LCD不具备的诸多优点，被广泛应用到手机、VR、手表和其他可穿戴终端设备上。真空蒸镀是生产OLED器件过程中必不可少的工艺环节，蒸镀工艺的优劣在很大程度上决定了产品显示效果的优劣以及产品的良率。同时，真空蒸镀作为一个系统工程，诸多因素对其具有明显的影响。比如，蒸镀坩埚在受热蒸镀过程中，坩埚上温度的均匀性往往决定了坩埚各处喷嘴4处材料的蒸发速率，进而对膜厚均一性产生巨大影响。为了使坩埚本体1各处的温度更加均匀，可采取以下方式：在坩埚上温度较低处额外增加热输入，同样可实现较好的温度均匀性，但是此方法需要增加能耗，而且材料存在变质分解的风险；减小坩埚本体1的尺寸以减小温差，此方法同样可以降低温差，但是，坩埚本体1尺寸减小，会导致坩埚内部装料减少，进而降低生产效率。本申请提出的坩埚组件100，隔热板5设置在坩埚本体1与加热层8之间，当坩埚本体1的部分区域发生温度聚集时，可在相应位置处设置隔热板5，隔热板5由热导率较低的材料或绝热材料形成，以降低热量由加热层8传递到坩埚本体1的速率，相当于减少热量输入，进而平衡坩埚本体1各处的温度，使坩埚本体1各处的温度更加均匀，待加热介质在坩埚本体1内不同位置处便可具有相同的蒸镀速率，无需额外增加热输入，耗能少，生产效率高。
根据本发明的一些实施例，隔热板可由热导率为0.01W/(m·K)～10W/(m·K)的材料形成，具体地，形成隔热板的材料不受特别限制，例如，可以包括ZrO2、无机物、陶瓷、金属中的至少一种。
根据本发明的一些实施例，隔热板5与坩埚本体1的连接方式不受特别限制。例如，隔热板5可与坩埚本体1铆接、螺接或焊接。
根据本发明的一些实施例，参考图1和图2，坩埚本体1可以为长方体结构，坩埚本体1沿宽度方向的两侧具有第一表面和第二表面，底板在坩埚本体1高度方向上背离容纳腔的一侧具有第三表面，加热层8设置在至少部分第一表面；和/或加热层8设置在至少部分第二表面；和/或加热层8设置在至少部分第三表面。具体地，长方体结构的坩埚本体1可以为线型坩埚，坩埚本体1在其宽度方向上具有第一侧壁和第二侧壁，第一侧壁在坩埚本体1宽度方向上背离容纳腔的表面为第一表面，第二侧壁在坩埚本体1宽度方向上背离容纳腔的表面为第二表面。坩埚本体1的长度不受特别限制，可以为500mm～3000mm，加热层8仅设置在第一表面或第二表面或第三表面；或，加热层8设置在第一表面和第二表面，或加热层8设置在第一表面和第三表面，或加热层8设置在第二表面和第三表面；或加热层8同时设置在第一表面、第二表面和第三表面。当加热层8同时设置在第一表面、第二表面和第三表面时，可进一步提高加热效率，进而提高生产效率。
根据本发明的一些实施例，隔热板5设置在至少部分第一表面和/或至少部分第二表面，隔热板5构造为多个且沿坩埚本体1的高度方向延伸，多个隔热板5在坩埚本体1的长度方向上间隔设置。具体地，对于大尺寸线型坩埚来说，由于其长度较长，蒸镀时的温度差异主要存在于其长度方向，宽度方向上的温差可忽略不计，因此，当加热层8同时设置在第一表面、第二表面和第三表面时，隔热板5可仅设置在第一表面或第二表面(图中未示出)；或隔热板5同时设置在第一表面和第二表面(参考图1和图2)，即隔热板5设置在坩埚本体1长度较长的表面，且多个隔热板5彼此间隔设置(参考图1和图2)。由此，即可针对性的将隔热板5设置在坩埚本体1温度较高处，以减少热量向温度较高处传递的速率，坩埚本体1温度较低处不设置隔热板5，热量由加热层8可直接向温度较低的坩埚本体1上传递，进而起到平衡坩埚本体1各处温度的效果，使坩埚本体1容纳腔内的温度更加均匀。
需要说明的是，相邻两个隔热板5之间的距离可以相同，也可以不同；隔热板5的尺寸和数量不受特别限制，本领域技术人员可根据坩埚本体1的尺寸进行设计。
根据本发明的一些实施例，参考图2和图4，多个隔热板5沿坩埚本体1在长度方向上的中线呈对称分布。具体地，可在坩埚本体1长度方向上的中线处设置第一隔热板51，由中线指向坩埚本体1的两端的方向上，依次设置第二隔热板52、第三隔热板53…第n隔热板，第一隔热板51与两端的第二隔热板52之间的距离相同，第二隔热板52和第三隔热板53之间的距离相同，以此类推。具体地，当坩埚本体1为线型坩埚时，根据热模拟的温度分布结果，线型坩埚中线位置处存在温度聚集效应，具有最高的温度，中线位置处蒸发速率最快，温度和蒸发速率由中线位置指向坩埚本体1的两端的方向上呈降低趋势，隔热板5沿坩埚本体1在长度方向上的中线呈对称分布，可使中线位置两侧的温度分布更加均匀，即热量在中线位置两侧的分布呈相同趋势，从而进一步提高坩埚本体1不同位置处温度的均匀性。
需要说明的是，参考图4～图6，当第一表面和第二表面均设置有五个隔热板5时，第一隔热板51和第二隔热板52之间的距离为L1，第二隔热板52和第三隔热板53之间的距离为L2，L1和L2可以相同也可以不同。
根据本发明的一些实施例，参考图4～图6，在坩埚本体1的中线位置指向坩埚本体1的两端的方向上，多个隔热板5在坩埚本体1同一高度上的宽度减小。具体地，当坩埚本体1为线型坩埚时，线型坩埚中线位置处具有最高的温度，温度和蒸发速率由中线位置指向坩埚本体1的两端的方向上呈降低趋势。相应的，使中线位置处的隔热板5宽度最大，由中线位置处指向坩埚本体1的两端的方向上，隔热板5的宽度可以呈减小的趋势，以增大热量由加热层8向坩埚本体1传递的速率。也即是说，坩埚本体1的有效受热区域由坩埚本体1中线位置向两端逐渐增大，以平衡坩埚本体1不同位置处的温度。特别地，当坩埚本体1的温度在中线位置指向坩埚本体1的两端的方向上逐渐降低时，中线位置处的隔热板5的宽度最大，在中线位置指向坩埚本体1两端的方向上，隔热板5的宽度依次减小。参考图4，以第一表面和第二表面分别设置有5个隔热板为例进行详细说明：中线位置处的第一隔热板51的宽度为D1，第二隔热板52的宽度为D2，第三隔热板53的厚度为D3，且满足D1＞D2＞D3。
需要说明的是，中线位置处的第一隔热板51的最大宽度不受特别限制，本领域技术人员可根据坩埚本体1的温度分布情况进行设计。
根据本发明的一些实施例，多个隔热板5在坩埚本体1同一高度上的宽度满足以下关系：坩埚本体1长度方向上的中线处设置第一隔热板51，由中线指向坩埚本体1的两端的方向上，依次设置第二隔热板52、第三隔热板53…第n隔热板5，隔热板5在同一高度上的宽度分别为D1、D2、D3…Dn，且满足Dn-1＝M*Dn，其中，1＜M≤10。需要说明的是，同一个坩埚本体1上，M的取值可以相同，也可以不同，也即是说，只要满足隔热板5在坩埚本体1中线位置指向坩埚本体1的两端的方向上宽度逐渐减小即可，但是D1、D2、D3…Dn可以相同也可以不同。
根据本发明的一些实施例，参考图1～图3，坩埚组件100还包括坩埚套壳7和盖板2，坩埚套壳7套设在坩埚本体1的至少部分外表面，盖板2与底板正对且与侧壁11的另一端相连，盖板2上设置有多个喷嘴4，盖板2的至少一侧设置有第一防辐射层3。具体地，当坩埚本体1为长方体型的线型坩埚时，坩埚套壳7可以套设在坩埚本体1底板和所有侧壁11的外侧，以包裹坩埚本体1。坩埚本体1沿高度方向上的一侧形成有敞开口，盖板2可覆盖敞开口并与侧壁11的另一端相连以适于与坩埚本体1形成全包围结构，蒸镀过程中，待加热介质受热变成气体后由盖板2上的喷嘴4喷出。为了防止热量沿盖板2辐射到坩埚本体1外侧，还可以在盖板2的至少部分表面设置第一防辐射层3。例如，可在盖板2朝向容纳腔的一侧设置第一防辐射层3；或在盖板2背离容纳腔的一侧设置第一防辐射层3；或在盖板2的两侧均设置第一防辐射层3。由此，当坩埚本体1外侧设置有成膜用的玻璃基板时，还可防止热量传递到玻璃基板上，影响膜层的质量，同时提高热量的利用率。
根据本发明的一些实施例，参考图2，喷嘴4沿坩埚本体1的长度方向排布，任意相邻两个喷嘴4之间的距离相同；隔热板5在相邻两个喷嘴4在坩埚本体1的长度方向上的中线的两侧呈对称分布。具体地，喷嘴4可在盖板2沿坩埚本体1长度方向上沿直线且等距排列，且在坩埚本体1的宽度方向上左右对称。需要说明的是，此处所指的左右对称，是指喷嘴4至盖板2沿坩埚本体1宽度方向的两端的距离相同。同时，由于喷嘴4等距排列，隔热板5沿坩埚本体1高度方向上的一端和另一端均设置于相邻两个喷嘴4的中点处，可进一步平衡相邻两个喷嘴4对应的坩埚本体1处的温度，使坩埚不同区域具有相同的待加热介质蒸镀速率，当蒸镀的待加热介质用于成膜时，可进一步提高成膜的均匀性。根据本发明的一些具体实施例，相邻两个隔热板5之间的距离可以为相邻两个喷嘴4之间的距离的整数倍。
根据本发明的一些实施例，坩埚组件100还包括第二防辐射层(图中未示出)，第二防辐射层设置在坩埚套壳7的至少部分内周壁。具体地，当加热层8为加热丝时(参考图7)，加热丝在坩埚套壳7内侧均匀设置，坩埚套壳7的内周壁上可以设置有固定栓，加热丝通过固定栓固定在坩埚套壳7上且与坩埚套壳7的内周壁形成有间隙，第二防辐射层设置在间隙内且与坩埚套壳7固定连接。由此，加热丝产生的热量可直接对坩埚本体1进行加热，防止热量朝向背离容纳腔的方向辐射，提高热量的利用率。
根据本发明的一些实施例，坩埚组件100还包括加热控制系统(图中未示出)，加热控制系统与加热层8相连以控制加热层8的启动或关闭。由此，通过单一的控制系统对加热层8进行调控，使坩埚组件100的调控更加便捷、运行更加稳定。
根据本发明的一些实施例，隔热板5的形状不受特别限制，本领域技术人员可根据实际需要进行选择。具体到本申请，参考图4～图6，隔热板5可以构造为矩形、椭圆形、锥形中的至少一种。由此，当坩埚本体1上温度分布不均匀时，可根据温度分布情况选择合适形状的隔热板5，以进一步平衡坩埚本体1各处的温度。
根据本发明的一些实施例，参考图8和图9，隔热板5可以为实体结构或在隔热板5的至少部分区域设置有开口，开口可防止坩埚本体1上相邻受热区域(隔热板5覆盖区域与相邻未覆盖区域)热输入差别较大而引起的坩埚尺寸效应及应力的产生，进而有效保证坩埚组件100的使用寿命和运行稳定性。开口的形状不受特别限制，可以构造为矩形、圆形、三角形、椭圆形或锥形中的至少一种。具体地，当不同位置处的隔热板5的尺寸不同且在坩埚本体1同一高度上的宽度满足Dn-1＝M*Dn时，开口的数量不受特别限制，可根据坩埚本体1的温度分布情况进行设计。例如，可在所有隔热板5上设置相同数量的开口，或，开口数量在坩埚本体1中线位置指向坩埚本体1两端的方向上呈梯度分布，优选地，中线位置处的隔热板5上开口尺寸最小、数量最少，坩埚本体1中线位置指向坩埚本体1两端的方向上，开口尺寸逐渐增大、数量逐渐增加；当不同位置处的隔热板5尺寸和形状相同时，即Dn-1＝Dn，隔热板5上的开口设计同样可参考Dn-1＝M*Dn的情况。
根据本发明的一些实施例，参考图3，第一表面和/或第二表面在坩埚本体1高度方向上的至少一端设置有滑槽6，隔热板5与滑槽6插接配合。具体地，可在第一表面和第二表面在坩埚本体1高度方向上的两端均设置有滑槽6，隔热板5沿坩埚本体1高度方向上的两端便可插入滑槽6内与坩埚本体1插接配合。由此，隔热板5与坩埚本体1可拆卸连接，当坩埚本体1不需要使用隔热板5时，方便隔热板5的拆卸。
在本发明的另一个方面，提出了一种蒸镀装置，包括前述的坩埚组件100。由此，该蒸镀装置具有前述的坩埚组件100所具有的全部特征以及优点，在此不再赘述。总的来说，至少具有蒸镀速率均匀、稳定，蒸镀获得的产品良率高的优点。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。
Claims (13)
1.一种坩埚组件，其特征在于，包括：
坩埚本体，所述坩埚本体包括底板和侧壁，所述底板和所述侧壁的一端相连，所述底板和所述侧壁的内周壁限定出适于容纳待加热介质的容纳腔，所述容纳腔沿所述坩埚本体的长度方向延伸；
加热层，所述加热层设置在所述坩埚本体的至少部分外表面，以适于对所述坩埚本体进行加热；
隔热板，所述隔热板设置在所述坩埚本体与所述加热层之间，以降低热量由所述加热层传递到所述坩埚本体的速率。
2.根据权利要求1所述的坩埚组件，其特征在于，所述坩埚本体为长方体结构，所述坩埚本体沿宽度方向的两侧具有第一表面和第二表面，所述底板在所述坩埚本体高度方向上背离所述容纳腔的一侧具有第三表面，所述加热层设置在至少部分所述第一表面；和/或所述加热层设置在至少部分所述第二表面；和/或所述加热层设置在至少部分所述第三表面。
3.根据权利要求2所述的坩埚组件，其特征在于，所述隔热板设置在至少部分所述第一表面和/或至少部分所述第二表面，所述隔热板构造为多个且沿所述坩埚本体的高度方向延伸，多个所述隔热板在所述坩埚本体的长度方向上间隔设置。
4.根据权利要求3所述的坩埚组件，其特征在于，多个所述隔热板沿所述坩埚本体在所述长度方向上的中线呈对称分布。
5.根据权利要求4所述的坩埚组件，其特征在于，在所述坩埚本体的所述中线位置指向所述坩埚本体的两端的方向上，多个所述隔热板在所述坩埚本体同一高度上的宽度减小。
6.根据权利要求4所述的坩埚组件，其特征在于，还包括：
坩埚套壳，所述坩埚套壳套设在所述坩埚本体的至少部分外表面；
盖板，所述盖板与所述底板正对且与所述侧壁的另一端相连，所述盖板上设置有多个喷嘴，所述盖板的至少一侧设置有第一防辐射层。
7.根据权利要求6所述的坩埚组件，其特征在于，所述喷嘴沿所述坩埚本体的长度方向排布，任意相邻两个所述喷嘴之间的距离相同；
所述隔热板在相邻两个所述喷嘴在所述坩埚本体的所述长度方向上的中线的两侧呈对称分布。
8.根据权利要求6所述的坩埚组件，其特征在于，还包括：第二防辐射层，所述第二防辐射层设置在所述坩埚套壳的至少部分内周壁。
9.根据权利要求1所述的坩埚组件，其特征在于，还包括：加热控制系统，所述加热控制系统与所述加热层相连以控制所述加热层的启动或关闭。
10.根据权利要求1所述的坩埚组件，其特征在于，所述隔热板构造为矩形、椭圆形、锥形中的至少一种。
11.根据权利要求10所述的坩埚组件，其特征在于，所述隔热板的至少部分区域设置有开口，所述开口构造为矩形、圆形、三角形、椭圆形或锥形中的至少一种。
12.根据权利要求2所述的坩埚组件，其特征在于，所述第一表面和/或所述第二表面在所述坩埚本体高度方向上的至少一端设置有滑槽，所述隔热板与所述滑槽插接配合。
13.一种蒸镀装置，其特征在于，包括权利要求1～12任一项所述的坩埚组件。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Family
ID=84168704
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| CN202211198533.6A Pending CN115404447A (zh) | 2022-09-29 | 2022-09-29 | 坩埚组件以及具有其的蒸镀装置 |
Country Status (1)
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| CN (1) | CN115404447A (zh) |
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