CN115397870A - 光半导体元件密封用片 - Google Patents

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Abstract

提供处理容易、能够以简易的工序且短时间对光半导体元件进行密封的光半导体元件密封用片。光半导体元件密封用片1为用于对配置于基板上的1个以上的光半导体元件进行密封的片，所述光半导体元件密封用片1具备：用于对前述光半导体元件进行密封的密封树脂层10、和贴附于密封树脂层10的剥离片20，密封树脂层10含有丙烯酸系树脂。光半导体元件密封用片1可以在密封树脂层10的与贴附有剥离片20的面10a相反侧的面10b具备基材层30。

Description

光半导体元件密封用片
技术领域
本发明涉及光半导体元件密封用片。更具体而言，涉及用于对配置于基板上的1个以上的光半导体元件进行密封的片。
背景技术
已知液晶显示装置中使用的背光在基板上配置有多个LED，具有上述多个LED被密封树脂密封的结构。作为使用上述密封树脂一并对上述多个LED进行密封的方法，已知有向配置有多个LED的区域流入液态树脂、将上述多个LED掩埋后，通过热、紫外线照射将液态树脂固化的方法(例如参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2017-66390号公报
发明内容
发明要解决的问题
但是，使用液态树脂对LED等光半导体元件进行密封的方法存在以下问题：需要均匀地涂布液态树脂的工序、及其后对液态树脂施加加热、紫外线照射而使其固化的工序，工序烦杂，工序时间长。进而，还有在涂布液态树脂时引起液体滴落、液态树脂附着于不希望的区域等处理性差的问题。
本发明是基于这样的情况而想到的，其目的在于，提供处理容易、能够以简易的工序且短时间对光半导体元件进行密封的光半导体元件密封用片。
用于解决问题的方案
本发明人等为了达成上述目的而进行了深入研究，结果发现，利用具备含有丙烯酸系树脂的密封树脂层、和贴附于该密封树脂层的剥离片的光半导体元件密封用片，处理容易，能够以简易的工序且短时间对光半导体元件进行密封。本发明是基于所述见解而完成的。
即，本发明提供一种光半导体元件密封用片，其是用于对配置于基板上的1个以上的光半导体元件进行密封的片，所述光半导体元件密封用片具备：用于对上述光半导体元件进行密封的密封树脂层、和贴附于上述密封树脂层的剥离片，上述密封树脂层含有丙烯酸系树脂。
上述光半导体元件密封用片具备基材层，上述密封树脂层可以夹持于上述剥离片及上述基材层。
上述光半导体元件密封用片中的上述基材层表面的铅笔硬度优选为2H以上。
上述光半导体元件密封用片的、剥离了上述剥离片的状态下的总透光率优选为85％以上。
上述密封树脂层可以包含辐射线固化性化合物，也可以不包含。
另外，本发明提供一种光半导体装置，其具备：基板、配置于上述基板上的光半导体元件、和对上述光半导体元件进行密封的上述光半导体元件密封用片。
上述光半导体装置也可以为液晶画面的背光。
另外，本发明提供一种图像显示装置，其具备上述背光和显示面板。
另外，上述光半导体装置也可以为自发光型显示装置。
另外，本发明提供一种图像显示装置，其具备上述自发光型显示装置。
发明的效果
利用本发明的光半导体元件密封用片，处理容易、能够以简易的工序且短时间对光半导体元件进行密封。
附图说明
图1为本发明的一实施方式的光半导体元件密封用片的截面图。
图2为使用本发明的一实施方式的光半导体元件密封用片的光半导体装置的截面图。
图3表示实施例的光半导体元件密封用片的嵌入性评价中使用的测定样品的(a)俯视图及(b)俯视图中的b-b’截面的截面图。
图4表示比较例的液态树脂的嵌入性评价中使用的测定样品的(a)俯视图及(b)俯视图中的b-b’截面的截面图。
具体实施方式
[光半导体元件密封用片]
本发明的光半导体元件密封用片至少具备：用于对光半导体元件进行密封的密封树脂层、和贴附于上述密封树脂层的剥离片。需要说明的是，本说明书中，光半导体元件密封用片是指用于对配置于基板上的1个以上的光半导体元件对进行密封的片。另外，本说明书中，“对光半导体元件进行密封”是指将光半导体元件的至少一部分嵌入至密封树脂层内，包括对光半导体元件直接进行密封、及间接进行密封(例如，借助其他层进行密封)这两者。
本发明的光半导体元件密封用片除了上述密封树脂层及上述剥离片以外，还可以具备基材层。具备上述基材层的情况下，本发明的光半导体元件密封用片在上述密封树脂层的与贴附有上述剥离片的面相反侧的面具备基材层。即，上述密封树脂层呈夹持于上述剥离片及上述基材层的形态。以下，对本发明的光半导体元件密封用片的一实施方式进行说明。
图1为示出本发明的光半导体元件密封用片的一实施方式的截面示意图。如图1所示，光半导体元件密封用片1可以用于对配置于基板上的1个以上的光半导体元件进行密封，具备密封树脂层10和剥离片20。剥离片20贴附于密封树脂层10的一个面10a。另外，在密封树脂层10的与贴附有剥离片20的面为相反侧的面10b贴附有基材层30。换言之，光半导体元件密封用片1依次具备基材层30、密封树脂层10、及剥离片20。
上述密封树脂层为对配置于基板上的1个以上的光半导体元件进行密封的树脂层。上述密封树脂层可以为单层，也可以为同种或不同种密封树脂层的层叠体。
上述密封树脂层含有丙烯酸系树脂。即，上述密封树脂层由包含丙烯酸系树脂的树脂组合物形成。上述密封树脂层通过含有丙烯酸系树脂，从而光半导体元件的嵌入性优异、而且透明性也优异。上述丙烯酸系树脂为包含源自丙烯酸系单体(分子中具有(甲基)丙烯酰基的单体成分)的结构单元作为聚合物的结构单元的聚合物。上述丙烯酸系树脂可以仅使用一种，也可以使用两种以上。
上述丙烯酸系树脂优选为以质量比例计包含最多的源自(甲基)丙烯酸酯的结构单元的聚合物。需要说明的是，本说明书中，“(甲基)丙烯酸”表示“丙烯酸”和/或“甲基丙烯酸”(“丙烯酸”及“甲基丙烯酸”中任一者或两者)，其他也同样。
作为上述(甲基)丙烯酸酯，例如，可举出可以具有烷氧基的含烃基(甲基)丙烯酸酯。作为上述可以具有烷氧基的含烃基(甲基)丙烯酸酯中的含烃基(甲基)丙烯酸酯，可举出具有直链状或支链状的脂肪族烃基的(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸环烷基酯等具有脂环式烃基的(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸芳基酯等具有芳香族烃基的(甲基)丙烯酸酯等。上述可以具有烷氧基的含烃基(甲基)丙烯酸酯可以仅使用一种，也可以使用两种以上。
作为上述(甲基)丙烯酸烷基酯，例如，可举出(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸异丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸异丁酯、(甲基)丙烯酸仲丁酯、(甲基)丙烯酸叔丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸异戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸异辛酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸异壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸异癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷基酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯((甲基)丙烯酸月桂基酯)、(甲基)丙烯酸十三烷基酯、(甲基)丙烯酸十四烷基酯、(甲基)丙烯酸十五烷基酯、(甲基)丙烯酸十六烷基酯、(甲基)丙烯酸十七烷基酯、(甲基)丙烯酸十八烷基酯、(甲基)丙烯酸十九烷基酯、(甲基)丙烯酸二十烷基酯等。
作为上述(甲基)丙烯酸烷基酯，其中，优选具有碳数为1～20(优选1～14、更优选2～10、进一步优选2～8)的直链状或支链状的脂肪族烃基的(甲基)丙烯酸烷基酯。上述碳数为上述范围内时，上述丙烯酸系树脂的玻璃化转变温度的调整容易，容易使密封树脂层的粘合性更适当。
作为上述具有脂环式烃基的(甲基)丙烯酸酯，例如，可举出(甲基)丙烯酸环戊酯、(甲基)丙烯酸环己酯、(甲基)丙烯酸环庚酯、(甲基)丙烯酸环辛酯等具有一环式的脂肪族烃环的(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯酸异冰片酯等具有二环式的脂肪族烃环的(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯酸二环戊酯、(甲基)丙烯酸二环戊氧基乙基酯、(甲基)丙烯酸三环戊酯、(甲基)丙烯酸1-金刚烷基酯、(甲基)丙烯酸2-甲基-2-金刚烷基酯、(甲基)丙烯酸2-乙基-2-金刚烷基酯等具有三环以上的脂肪族烃环的(甲基)丙烯酸酯等。其中，优选具有一环式的脂肪族烃环的(甲基)丙烯酸酯、更优选为(甲基)丙烯酸环己酯。
作为上述具有芳香族烃基的(甲基)丙烯酸酯，例如，可举出(甲基)丙烯酸苯酯、(甲基)丙烯酸苄基酯等。
作为具有烷氧基的含烃基(甲基)丙烯酸酯，可举出将上述含烃基(甲基)丙烯酸酯中的烃基中的1个以上的氢原子置换为烷氧基者，例如，可举出(甲基)丙烯酸的2-甲氧基甲酯、2-甲氧基乙酯、2-甲氧基丁酯等。
作为上述可以具有烷氧基的含烃基(甲基)丙烯酸酯，其中，优选包含具有直链状或支链状的脂肪族烃基的(甲基)丙烯酸烷基酯及具有脂环式烃基的(甲基)丙烯酸酯。该情况下，能够容易地使密封树脂层的剪切储能模量适度。
为了使密封树脂层中适当地表现出上述可以具有烷氧基的含烃基(甲基)丙烯酸酯所带来的粘合性、对光半导体元件的密合性等基本特性，构成上述丙烯酸系树脂的全部单体成分中的上述可以具有烷氧基的含烃基(甲基)丙烯酸酯的比例相对于上述全部单体成分的总量(100质量％)优选40质量％以上、更优选为60质量％以上。另外，从可与其他单体成分共聚、得到该其他单体成分的效果的观点出发，上述比例优选95质量％以下、更优选为80质量％以下。
构成上述丙烯酸系树脂的全部单体成分中的具有直链状或支链状的脂肪族烃基的(甲基)丙烯酸烷基酯的比例相对于上述全部单体成分的总量(100质量％)优选30质量％以上、更优选为50质量％以上。另外，上述比例优选90质量％以下、更优选为70质量％以下。
构成上述丙烯酸系树脂的全部单体成分中的具有脂环式烃基的(甲基)丙烯酸酯的比例相对于上述全部单体成分的总量(100质量％)优选1质量％以上、更优选为5质量％以上。另外，上述比例优选30质量％以下、更优选为20质量％以下。
出于内聚力、耐热性等的改质的目的，上述丙烯酸系树脂可以包含源自能与上述可以具有烷氧基的含烃基(甲基)丙烯酸酯共聚的其他单体成分的结构单元。作为上述其他单体成分，例如，可举出含羧基单体、酸酐单体、含羟基单体、含缩水甘油基单体、含磺酸基单体、含磷酸基单体、含氮原子单体等含极性基团单体等。上述其他单体成分各自可以仅使用一种，也可以使用两种以上。
作为上述含羧基单体，例如，可举出丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧基乙酯、(甲基)丙烯酸羧基戊酯、衣康酸、马来酸、富马酸、巴豆酸等。作为上述酸酐单体，例如，可举出马来酸酐、衣康酸酐等。
作为上述含羟基单体，例如，可举出(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸6-羟基己酯、(甲基)丙烯酸8-羟基辛酯、(甲基)丙烯酸10-羟基癸酯、(甲基)丙烯酸12-羟基月桂基酯、(甲基)丙烯酸(4-羟基甲基环己基)甲酯等。
作为上述含缩水甘油基单体，例如，可举出(甲基)丙烯酸缩水甘油酯、(甲基)丙烯酸甲基缩水甘油酯等。
作为上述含磺酸基单体，例如，可举出苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯酰胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯、(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸等。
作为上述含磷酸基单体，例如，可举出丙烯酰基磷酸2-羟基乙酯等。
作为上述含氮原子单体，例如，可举出(甲基)丙烯酰基吗啉等含吗啉基单体、(甲基)丙烯腈等含氰基单体、(甲基)丙烯酰胺等含酰胺基单体等。
优选含有含羟基单体作为构成上述丙烯酸系树脂的上述含极性基团单体。含有含羟基单体时，丙烯酸系树脂及密封树脂层的耐水性优异，光半导体元件密封用片即使在高湿度的环境下使用，也不易起雾，耐白化性优异。
作为上述含羟基单体，优选包含(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯及(甲基)丙烯酸4-羟基丁酯。(甲基)丙烯酸4-羟基丁酯毒性较低、而且吸水性特别优异，因此上述丙烯酸系树脂的耐水性优异。但是，(甲基)丙烯酸4-羟基丁酯与异氰酸酯的反应性高，配混异氰酸酯系化合物的情况下，有凝胶化速度快的担心。因此，通过组合使用(甲基)丙烯酸4-羟基丁酯和(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯，能够在配混异氰酸酯系化合物的情况下使凝胶化速度适当、并且上述丙烯酸系树脂的耐水性特别优异。
为了使密封树脂层中适当地表现出上述可以具有烷氧基的含烃基(甲基)丙烯酸酯所带来的粘合性、对光半导体元件的密合性等基本特性，构成上述丙烯酸系树脂的全部单体成分中的、上述含极性基团单体的比例优选5～50质量％、更优选为10～40质量％。特别是从密封树脂层的耐水性也更优异的观点出发，含羟基单体的比例优选为上述范围内。
对于上述丙烯酸系树脂，为了在其聚合物骨架中形成交联结构，可以包含源自能与构成丙烯酸系树脂的单体成分共聚的多官能性单体的结构单元。作为上述多官能性单体，例如，可举出己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯等多官能(甲基)丙烯酸酯；环氧(甲基)丙烯酸酯(例如，聚(甲基)丙烯酸缩水甘油酯)、聚酯(甲基)丙烯酸酯、氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯等分子内具有(甲基)丙烯酰基和其他反应性官能团的单体等。上述多官能性单体可以仅使用一种，也可以使用两种以上。
为了使密封树脂层中适当地表现出上述可以具有烷氧基的含烃基(甲基)丙烯酸酯所带来的粘合性、对光半导体元件的密合性等基本特性，构成上述丙烯酸系树脂的全部单体成分中的上述多官能性单体的比例优选40质量％以下、更优选为30质量％以下。
上述丙烯酸系树脂优选为上述密封树脂层中的基础聚合物(即含有比例最高的聚合物)。上述丙烯酸系树脂的含有比例没有特别限定，相对于上述密封树脂层100质量％，优选50质量％以上(例如，50～100质量％)、更优选为80质量％以上(例如，80～100质量％)、进一步优选为90质量％以上(例如，90～100质量％)。上述含有比例为50质量％以上时，光半导体元件密封用片的透明性更优异。
上述丙烯酸系树脂通过使上述的各种单体成分聚合来得到的。作为该聚合方法，没有特别限定，例如，可举出溶液聚合方法、乳液聚合方法、本体聚合方法、基于活性能量射线照射的聚合方法(活性能量射线聚合方法)等。另外，得到的丙烯酸系树脂为无规共聚物、嵌段共聚物、接枝共聚物等均可。
单体成分的聚合时可以使用各种通常的溶剂。作为上述溶剂，例如，可举出乙酸乙酯、乙酸正丁酯等酯类；甲苯、苯等芳香族烃类；正己烷、正庚烷等脂肪族烃类；环己烷、甲基环己烷等脂环式烃类；甲乙酮、甲基异丁基酮等酮类等有机溶剂。上述溶剂可以仅使用一种，也可以使用两种以上。
单体成分的自由基聚合中使用的聚合引发剂、链转移剂、乳化剂等没有特别限定，可以适宜地选择使用。需要说明的是，丙烯酸系树脂的重均分子量可以通过聚合引发剂、链转移剂的用量、反应条件来控制，根据它们的种类来调整其适宜的用量。
作为单体成分的聚合中使用的聚合引发剂，根据聚合反应的种类，可以使用热聚合引发剂、光聚合引发剂(光引发剂)等。上述聚合引发剂可以仅使用一种，也可以使用两种以上。
作为上述热聚合引发剂，没有特别限定，例如，可举出偶氮系聚合引发剂、过氧化物系聚合引发剂、氧化还原系聚合引发剂等。上述热聚合引发剂的用量相对于构成上述丙烯酸系树脂的全部单体成分的总量100质量份优选为1质量份以下、更优选为0.005～1质量份、进一步优选为0.02～0.5质量份。
作为上述光聚合引发剂，例如，可举出苯偶姻醚系光聚合引发剂、苯乙酮系光聚合引发剂、α-酮醇系光聚合引发剂、芳香族磺酰氯系光聚合引发剂、光活性肟系光聚合引发剂、苯偶姻系光聚合引发剂、苯偶酰系光聚合引发剂、二苯甲酮系光聚合引发剂、缩酮系光聚合引发剂、噻吨酮系光聚合引发剂、酰基氧化膦系光聚合引发剂、二茂钛系光聚合引发剂等。其中，优选苯乙酮系光聚合引发剂。
作为上述苯乙酮系光聚合引发剂，例如，可举出2,2-二乙氧基苯乙酮、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、1-羟基环己基苯基酮、4-苯氧基二氯苯乙酮、4-(叔丁基)二氯苯乙酮、1-[4-(2-羟基乙氧基)-苯基]-2-羟基-2-甲基-1-丙烷-1-酮、2-羟基-2-甲基-1-苯基-丙烷-1-酮、甲氧基苯乙酮等。
上述光聚合引发剂的用量相对于构成上述丙烯酸系树脂的全部单体成分的总量100质量份优选为0.005～1质量份、更优选为0.01～0.7质量份、进一步优选为0.18～0.5质量份。上述用量为0.005质量份以上(特别是0.18质量份以上)时，容易将丙烯酸系树脂的分子量控制为较小，有密封树脂层的残余应力变高，高度差吸收性变得更好的倾向。
上述丙烯酸系树脂的重均分子量没有特别限定，优选40万～300万、更优选为100万～250万。上述重均分子量为上述范围内时，能够容易地使密封树脂层的剪切储能模量适度。需要说明的是，上述重均分子量是指通过凝胶渗透色谱法(GPC)进行测定并通过聚苯乙烯换算而算出的值。
形成上述密封树脂层的树脂组合物可以含有交联剂。例如，能够使上述丙烯酸系树脂交联、使密封树脂层中的低分子量物质进一步减少。另外，能够提高丙烯酸系树脂的重均分子量。上述交联剂可以仅使用一种，也可以使用两种以上。
作为上述交联剂，例如，可举出异氰酸酯系交联剂、环氧系交联剂、三聚氰胺系交联剂、过氧化物系交联剂、脲系交联剂、金属醇盐系交联剂、金属螯合物系交联剂、金属盐系交联剂、碳二亚胺系交联剂、噁唑啉系交联剂、氮丙啶系交联剂、胺系交联剂、有机硅系交联剂、硅烷系交联剂等。作为上述交联剂，其中，从对光半导体元件的密合性优异的观点、杂质离子少的观点出发，优选异氰酸酯系交联剂、环氧系交联剂，更优选为异氰酸酯系交联剂。
作为上述异氰酸酯系交联剂(多官能异氰酸酯化合物)，例如，可举出1,2-亚乙基二异氰酸酯、1,4-亚丁基二异氰酸酯、1,6-六亚甲基二异氰酸酯等低级脂肪族多异氰酸酯类；亚环戊基二异氰酸酯、亚环己基二异氰酸酯、异佛尔酮二异氰酸酯、氢化甲苯二异氰酸酯、氢化二甲苯二异氰酸酯等脂环族多异氰酸酯类；2,4-甲苯二异氰酸酯、2,6-甲苯二异氰酸酯、4,4’-二苯基甲烷二异氰酸酯、苯二甲基二异氰酸酯等芳香族多异氰酸酯类等。另外，作为上述异氰酸酯系交联剂，例如，也可举出三羟甲基丙烷/甲苯二异氰酸酯加成物、三羟甲基丙烷/六亚甲基二异氰酸酯加成物、三羟甲基丙烷/苯二甲基二异氰酸酯加成物等。
上述交联剂的含量没有特别限定，相对于基础聚合物100质量份，优选含有5质量份以下，更优选为0.001～5质量份、进一步优选为0.005～2质量份、特别优选为0.02～0.7质量份。
上述密封树脂层可以在不损害本发明效果的范围内包含上述丙烯酸系树脂及上述交联剂以外的其其他成分。作为上述其他成分，可举出交联促进剂、增粘树脂(松香衍生物、多萜树脂、石油树脂、油溶性酚等)、低聚物、防老剂、填充剂(金属粉、有机填充剂、无机填充剂等)、着色剂(颜料、染料等)、抗氧化剂、增塑剂、软化剂、表面活性剂、抗静电剂、表面润滑剂、流平剂、光稳定剂、紫外线吸收剂、阻聚剂、粒状物、箔状物等。上述其他成分各自可以仅使用一种，也可以使用两种以上。
上述密封树脂层可以为包含辐射线固化性化合物的密封树脂层(辐射线固化性密封树脂层)、也可以为不含辐射线固化性化合物的密封树脂层(非辐射线固化性密封树脂层)。作为上述辐射线固化性化合物，可举出具有辐射线聚合性的碳-碳双键等官能团的辐射线聚合性的单体成分、低聚物成分。作为上述辐射线固化性密封树脂层的具体例，例如，可举出添加型的辐射线固化性密封树脂层，其含有上述丙烯酸系树脂和具有辐射线聚合性的碳-碳双键等官能团的辐射线聚合性的单体成分和/或低聚物成分；内在型的辐射线固化性粘合剂，其含有在聚合物侧链、聚合物主链中、聚合物主链末端具有辐射线聚合性的碳-碳双键等官能团的丙烯酸系树脂。
作为上述辐射线聚合性的单体成分，例如，可举出三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇单羟基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯等。
作为上述辐射线聚合性的低聚物成分，例如，可举出氨基甲酸酯系、聚醚系、聚酯系、聚碳酸酯系、聚丁二烯系等各种低聚物，分子量为100～30000左右是适当的。
作为上述辐射线，例如，可举出电子束、紫外线、α射线、β射线、γ射线、X射线等。其中，优选紫外线。
上述密封树脂层为多层的情况下，可以全部密封树脂层具有辐射线固化性，可以全部密封树脂层不具有辐射线固化性，也可以一部分密封树脂层具有辐射线固化性、且一部分密封树脂层不具有辐射线固化性。
上述密封树脂层由上述丙烯酸系树脂或构成该丙烯酸系树脂的单体组合物或包含其预聚物(部分聚合物)的树脂组合物形成。上述密封树脂层的厚度没有特别限定，例如为1～400μm左右。
上述密封树脂层在23℃下的剪切储能模量优选6.0×104～9.0×105Pa、更优选为9.0×104～7.0×105Pa、进一步优选为1.1×105～5.0×105Pa。上述剪切储能模量为6.0×104Pa以上时，密封树脂层具有适度的硬度，光半导体元件密封用片的加工性优异。上述剪切储能模量为9.0×105Pa以下时，密封树脂层具有适度的柔软性，光半导体元件的嵌入性优异。特别是一并对多个光半导体元件进行密封的情况下，对密封树脂层要求同时嵌入由配置有光半导体元件的区域与光半导体元件间的间隙形成的凹凸，对于具有上述范围的剪切储能模量的密封树脂层，由多个光半导体元件形成的上述凹凸的嵌入性优异。另外，由此，在密封后，密封树脂层与光半导体元件的密合性高、不易发生起泡，因此光半导体元件发出的光的亮度不易降低。需要说明的是，上述23℃下的剪切储能模量为通过动态粘弹性测定测得的值。例如，可以将厚度约1.5mm的密封树脂层作为测定样品，以剪切模式、在频率1Hz的条件下、在-70～200℃的温度范围以升温速度5℃/分钟进行测定。
上述密封树脂层在70℃下的剪切储能模量优选9.0×103～9.0×105Pa、更优选为1.0×104～7.0×105Pa、进一步优选为2.5×105～4.0×105Pa。上述剪切储能模量为9.0×103Pa以上时，光半导体元件的密封性能优异，能够进一步抑制使光半导体元件密封用片贴合时的密封树脂层的溢出。上述剪切储能模量为9.0×105Pa以下时，即使在较高温度的环境下，密封树脂层也具有适度的柔软性，光半导体元件密封用片在将光半导体元件密封的状态下不易剥离。需要说明的是，上述70℃下的剪切储能模量为通过动态粘弹性测定测得的值。例如，可以将厚度约1.5mm的密封树脂层作为测定样品、以剪切模式、在频率1Hz的条件下、在-70～200℃的温度范围内以升温速度5℃/分钟进行测定。
上述剪切储能模量在上述密封树脂层为多个层时表示各层的剪切储能模量，可以上述多个层的一部分密封树脂层满足上述剪切储能模量，也可以全部密封树脂层满足上述剪切储能模量。
上述密封树脂层(密封树脂层的层叠体的情况下为层叠体)的雾度值(初始雾度值)优选3.0％以下、更优选为1.5％以下、进一步优选为1.2％以下。上述雾度值为3.0％以下时，密封树脂层及光半导体元件密封用片的透明性优异。上述雾度值可以依据JIS K7136进行测定。
上述密封树脂层(密封树脂层的层叠体的情况下为层叠体)在温度60℃、湿度95％RH的环境下保存120小时后的雾度值(高湿环境保存后雾度值)优选4.0％以下、更优选为3.0％以下、进一步优选为2.5％以下。上述雾度值为4.0％以下时，光半导体元件密封用片即使是在高湿度的环境下使用的情况下，也不易起雾，透明性优异。对于上述雾度值，对在高湿环境保存后、在温度23℃、湿度50％RH的环境下刚刚取出后的密封树脂层，依据JIS K7136进行测定。
上述密封树脂层(密封树脂层的层叠体的情况下为层叠体)的、高湿环境保存后雾度值相对于初始雾度值的上升度[高湿环境保存后雾度值-初始雾度值]优选3.0％以下、更优选为1.5％以下、进一步优选为1.0％以下。上述雾度值的上升度为3.0％以下时，光半导体元件密封用片即使是在可因温度变化而成为高湿度的环境下使用的情况下，也不易起雾，透明性优异。
(剥离片)
上述剥离片为用于覆盖并保护上述密封树脂层表面的要素或者在将光半导体元件密封用片贴合于配置有光半导体元件的基板前作为支撑体发挥功能的要素，在使用光半导体元件密封用片时从该片剥离。上述剥离片可以贴合在上述密封树脂层的两面，具备基材层的情况下，可以贴合在上述密封树脂层的单面。在上述密封树脂层的两面具有上述剥离片的情况下，例如，在对光半导体元件进行密封前将一个剥离片剥离，以将光半导体元件密封的方式，使露出的密封树脂层贴合于基板，在密封后将另一剥离片剥离而使用。另外，在上述密封树脂层的单面具有上述剥离片的情况下，例如，在对光半导体元件进行密封前将剥离片剥离，以将光半导体元件密封的方式，使露出的密封树脂层贴合于基板而使用。
在上述密封树脂层的两面具备上述剥离片的情况下，可以为每个光半导体元件密封用片具有剥离片的片状的形态，也可以为剥离片及密封树脂层为长条状且该剥离片及密封树脂层被卷绕而形成卷的形态。另外，在上述密封树脂层的两面具备上述剥离片的情况下，可以两个剥离片相同，也可以不同。
作为上述剥离片，例如，可举出聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜、聚乙烯薄膜、聚丙烯薄膜、利用氟系剥离剂、长链烷基丙烯酸酯系剥离剂等剥离剂进行了表面涂布的塑料薄膜、纸类等。
上述剥离片的厚度例如为10～200μm，优选为15～150μm、更优选为20～100μm。上述厚度为10μm以上时，在剥离片的加工时不易因切入而断裂。上述厚度为200μm以下时，在使用时更容易从上述密封树脂层将剥离片剥离。
(基材层)
上述基材层为在光半导体元件密封用片中作为支撑体发挥功能的要素，另外，为光半导体元件的密封后作为光半导体元件及密封树脂层的保护层发挥功能的要素。作为上述基材层，例如，优选塑料基材(特别是塑料薄膜)。上述基材层可以为单层，也可以为同种或不同基材的层叠体。
作为构成上述塑料基材的树脂，例如，可举出低密度聚乙烯、直链状低密度聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、无规共聚聚丙烯、嵌段共聚聚丙烯、均聚聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)、离聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯(无规、交替)共聚物、乙烯-丁烯共聚物、乙烯-己烯共聚物等聚烯烃树脂；聚氨酯；聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT)等聚酯；聚碳酸酯；聚酰亚胺；聚醚醚酮；聚醚酰亚胺；芳纶、全芳香族聚酰胺等聚酰胺；聚苯基硫醚；氟树脂；聚氯乙烯；聚偏氯乙烯；纤维素树脂；有机硅树脂等。上述树脂可以仅使用一种，也可以使用两种以上。
作为上述基材层，其中，从透明性及耐擦伤性优异观点出发，优选塑料薄膜，更优选为聚酯系薄膜、聚烯烃系薄膜，特别优选为聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜、聚丙烯薄膜。
对于上述基材层的具备上述密封树脂层侧的表面，出于提高与密封树脂层的密合性、保持性等目的，例如，可以实施电晕放电处理、等离子体处理、喷砂消光加工处理、臭氧暴露处理、火焰暴露处理、高压电击暴露处理、离子化辐射线处理等物理处理；铬酸处理等化学处理；利用涂布剂(底涂剂)的易粘接处理等表面处理。用于提高密合性的表面处理优选对基材层的密封树脂层侧的表面整体实施。
本发明的光半导体元件密封用片中的上述基材层表面的铅笔硬度没有特别限定，优选F以上(例如F～9H)、更优选为H～8H、进一步优选为2H～7H。上述铅笔硬度为F以上(特别2H以上)时，在光半导体元件的密封后，基材层表面的耐擦伤性优异，更不易阻碍光半导体元件发出的光的透过。上述铅笔硬度为9H以下时，光半导体元件密封用片的加工性优异。上述铅笔硬度可以依据JIS K 5600-5-4中记载的方法进行评价。
从作为支撑体的功能及表面的耐擦伤性优异的观点出发，上述基材层的厚度优选5μm以上、更优选为10μm以上。从透明性更优异的观点出发，上述基材层的厚度优选300μm以下、更优选为200μm以下。
上述基材层的雾度值(初始雾度值)优选1.0％以下。上述雾度值为1.0％以下时，光半导体元件密封用片的透明性更优异。上述雾度值可以依据JIS K7136进行测定。
本发明的光半导体元件密封用片的剥离了上述剥离片的状态下的总透光率优选85％以上、更优选为90％以上。上述总透光率为85％以上时，光半导体元件发出的光的透过性优异。上述总透光率的上限优选100％、也可以为99％。上述总透光率为剥离了上述剥离片的状态下测定的值，在密封树脂层的两面具备剥离片时在剥离了两个剥离片的状态下进行测定，仅在密封树脂层的单面具备剥离片时在剥离了该剥离片的状态下进行测定。另外，上述光半导体元件密封用片具备具有固化性的层的情况下，上述总透光率是指上述具有固化性的层发生了固化的状态下的值。这是因为，对于光半导体元件密封用片，后述的图像显示装置等最终制品的使用状态下光的透过率是重要的。上述总透光率可以依据JIS K7361-1进行测定。
本发明的光半导体元件密封用片可以通过在上述剥离片的剥离处理面上形成上述密封树脂层来制作，还可以通过进而在上述密封树脂层表面贴合上述基材层或另外的剥离片来制作。另外，本发明的光半导体元件密封用片可以通过在上述基材层上形成上述密封树脂层、进而在上述密封树脂层表面贴合上述剥离片来制作。上述密封树脂层可以如下来制作：将形成密封树脂层的树脂组合物涂布于剥离片的剥离处理面或基材层上而形成树脂组合物层后，进行基于加热的脱溶剂、固化、或者进行基于活性能量射线照射的固化，使该树脂组合物层固化。作为树脂组合物的涂布方法，例如，可举出辊涂布、丝网涂布、凹版涂布等。
使用本发明的光半导体装置密封用片，在配置有光半导体元件的基板上贴合密封树脂层从而由密封树脂层将光半导体元件密封，由此能够得到光半导体装置。具体而言，首先，从本发明的光半导体元件密封用片将剥离片剥离而使密封树脂层面露出。然后，在具备基板、和配置于上述基板上的光半导体元件(优选多个光半导体元件)的光学构件的、配置有光半导体元件的基板面贴合作为本发明的光半导体元件密封用片的露出面的密封树脂层面，上述光学构件具备多个光半导体元件的情况下，进而以密封树脂层填充多个光半导体元件间的间隙的方式配置，将多个光半导体元件一并密封。其后，根据需要可以通过加热、活性能量射线照射使密封树脂层固化。这样，使用本发明的光半导体装置密封用片，能够将光半导体元件密封。另外，可以使用本发明的光半导体装置密封用片，在减压环境下或者加压并进贴合，由此将光半导体元件密封。作为这样的方法，例如，可举出日本特开2016-29689号公报、日本特开平6-97268中公开的方法。
[光半导体装置]
使用本发明的光半导体元件密封用片制造的上述光半导体装置具备：基板、配置于上述基板上的光半导体元件、和对上述光半导体元件进行密封的本发明的光半导体元件密封用片。
作为上述光半导体元件，例如，可举出蓝色发光二极管、绿色发光二极管、红色发光二极管、紫外线发光二极管等发光二极管(LED)。
上述光半导体装置中，对于本发明的光半导体元件密封用片，从使光半导体元件为凸部、多个光半导体元件间的间隙为凹部时对凹凸的追随性优异、光半导体元件的嵌入性优异出发，优选一并对多个光半导体元件进行密封。
图2示出使用图1所示的光半导体元件密封用片1的光半导体装置的一实施方式。图2所示的光半导体装置2具备：基板21、配置于基板21的一个面的多个光半导体元件22、和对光半导体元件22进行密封的光半导体元件密封用片1’。光半导体元件密封用片1’是从光半导体元件密封用片1剥离了剥离片20而成者。多个光半导体元件22一并被密封树脂层10密封。密封树脂层10追随由多个光半导体元件22形成的凹凸形状而与光半导体元件22及基板21密合，嵌入光半导体元件22。
上述光半导体装置优选为液晶画面的背光，特别优选为整面直下型的背光。另外，可以通过将上述背光和显示面板组合来制成图像显示装置。上述光半导体装置为液晶画面的背光时的光半导体元件为LED元件。例如，上述背光中，在上述基板上层叠有用于向各LED元件传送发光控制信号的金属布线层。发出红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)的各种颜色的光的各LED元件借助金属布线层在显示面板的基板上交替排列。金属布线层由铜等金属形成，使各LED元件的发光发射，降低图像的视觉辨识性。另外，RGB的各种颜色的各LED元件发出的光进行混色、对比度降低。
另外，上述光半导体装置优选为自发光型显示装置。另外，可以通过将上述自发光型显示装置和根据需要的显示面板组合来制成图像显示装置。上述光半导体装置为自发光型显示装置时的光半导体元件为LED元件。作为上述自发光型显示装置，可举出有机电致发光(有机EL)显示装置等。例如，上述自发光型显示装置中，在上述基板上层叠有用于向各LED元件传送发光控制信号的金属布线层。发出红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)的各种颜色的光的各LED元件在基板上借助金属布线层交替排列。金属布线层由铜等金属形成，调整各LED元件的发光程度而显示出各种颜色。
本发明的光半导体元件密封用片可以用于弯曲而使用的光半导体装置、例如具有可弯曲的图像显示装置(柔性显示器)(特别是可折叠的图像显示装置(可折叠显示器))的光半导体装置。具体而言，可以用于可折叠的背光及可折叠的自发光型显示装置等。
本发明的光半导体元件密封用片由于光半导体元件的嵌入性优异，因此上述光半导体装置为迷你LED显示装置的情况下及为微型LED显示装置的情况下均可以优选使用。
实施例
以下，举出实施例，更详细地对本发明进行说明，但本发明不受这些实施例任何限定。
实施例1
将丙烯酸丁酯(BA)67质量份、丙烯酸环己酯(CHA)14质量份、丙烯酸4-羟基丁酯(4HBA)27质量份、丙烯酸2-羟基乙酯(HEA)9质量份、2,2-二甲氧基-1,2-二苯基-1-酮(商品名“omnirad 651”、IGM Resins Italia Srl公司制)0.05质量份、及1-羟基环己基苯基酮(商品名“omnirad 184”、IGM Resins ItaliaSrl公司制)0.05质量份投入至4口烧瓶中，在氮气气氛下暴露于紫外线，部分地进行光聚合，由此得到聚合率10％的部分聚合物(单体浆液)。在该部分聚合物100质量份中以固体成分换算计添加0.1质量份异氰酸酯化合物(商品名“CORONATE L”、东曹株式会社制、固体成分75质量％)后，将它们均匀地混合从而制备光聚合性组合物。
将该光聚合性组合物涂布于剥离片(商品名“MRF38”、三菱化学株式会社制、对聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜的单面实施剥离处理而成者、厚度38μm)的剥离处理面上而形成树脂组合物层后，在该树脂组合物层上也贴合上述剥离片的剥离处理面。接着，利用黑光灯，照射强度为5mW/cm2的紫外线直到累积光量为3600mJ/cm2，进行聚合，形成实施例1的密封树脂层(厚度：200μm)，制作实施例1的光半导体元件密封用片。
实施例2
将异氰酸酯化合物(商品名“CORONATE L”、东曹株式会社制、固体成分75质量％)的添加量设为以固体成分换算计为0.05质量份，除此以外，与实施例1同样地操作，制作光聚合性组合物，使用该光聚合性组合物，制作实施例2的密封树脂层及光半导体元件密封用片。
实施例3
将实施例1中制作的光聚合性组合物涂布于剥离片(商品名“MRF38”、三菱化学株式会社制、对聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜的单面实施剥离处理而成者、厚度38μm)的剥离处理面上而形成树脂组合物层后，将基材薄膜(商品名“Diafoil T912E75(UE80-)”、三菱化学株式会社制、对聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜的单面实施易粘接处理而成者、厚度75μm、铅笔硬度2H)的易粘接处理面贴合于该树脂组合物层上。接着，利用黑光灯，照射强度为5mW/cm2的紫外线直到累积光量为3600mJ/cm2，进行聚合，形成实施例3的密封树脂层(厚度：200μm)，制作实施例3的光半导体元件密封用片。
实施例4
使用实施例2中制作的光聚合性组合物，除此以外，与实施例3同样地操作，制作实施例4的密封树脂层及光半导体元件密封用片。
实施例5
<紫外线固化性密封树脂层>
将丙烯酸丁酯(BA)189.77质量份、丙烯酸环己酯(CHA)38.04质量份、丙烯酸2-羟基乙酯(HEA)85.93质量份、作为溶剂的甲乙酮379.31质量份、及偶氮双异丁腈0.94质量份混合，得到单体组合物。将得到的单体组合物投入至在1L圆底可拆式烧瓶上装备有可分离的盖、分液漏斗、温度计、氮气导入管、李比希冷凝器、真空密封件、搅拌棒、搅拌叶片的聚合用实验装置，边搅拌边在常温下进行6小时氮气置换。其后，在流入氮气下边搅边在65℃下保持4小时、接着在75℃下保持2时间，进行聚合，得到树脂溶液(预聚物)。
接着，将得到的树脂溶液冷却至室温。其后，在上述树脂溶液中加入作为具有聚合性碳-碳双键的化合物的甲基丙烯酸2-异氰酸根合乙酯(商品名“Karenz MOI”、昭和电工株式会社制)34.45质量份。进而添加二月桂酸二丁基锡(IV)(FUJIFILM Wako Pure ChemicalCorporation制)0.17质量份，在空气气氛下、在50℃下进行24小时搅拌，得到基础聚合物。
对得到的基础聚合物的固体成分100质量份，混合异氰酸酯化合物(商品名“CORONATE L”、东曹株式会社制、固体成分75质量％)0.5质量份、及2,2-二甲氧基-1,2-二苯基-1-酮(商品名“omnirad 651”、IGM Resins ItaliaSrl公司制)1质量份。使用甲苯作为稀释溶剂，以成为固体成分率45质量％的方式进行调整，得到树脂组合物溶液。
将该树脂组合物溶液涂布于剥离片(商品名“MRF38”、三菱化学株式会社制、对聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜的单面实施剥离处理而成者、厚度38μm)的剥离处理面上，使用干燥机在120℃下进行3分钟干燥，形成厚度150μm的树脂组合物层。接着，将基材薄膜(商品名“Diafoil T912E75(UE80-)”、三菱化学株式会社制、对聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜的单面实施易粘接处理而成者、厚度75μm、铅笔硬度2H)的易粘接处理面贴合于该树脂组合物层上。其后，在使整个片遮光的状态下、在50℃下、在干燥机内保存48小时，使树脂组合物层稳定化。其后，从干燥机取出片，将隔离体从树脂组合物层剥离。这样，制作紫外线固化性密封树脂层。
<非紫外线固化性密封树脂层>
将丙烯酸丁酯(BA)67质量份、丙烯酸环己酯(CHA)14质量份、丙烯酸4-羟基丁酯(4HBA)27质量份、丙烯酸2-羟基乙酯(HEA)9质量份、2,2-二甲氧基-1,2-二苯基-1-酮(商品名“omnirad 651”、IGM Resins Italia Srl公司制)0.05质量份、及1-羟基环己基苯基酮(商品名“omnirad 184”、IGM Resins Italia Srl公司制)0.05质量份投入至4口烧瓶中，在氮气气氛下暴露于紫外线，部分地进行光聚合，由此得到聚合率10％的部分聚合物(单体浆液)。在该部分聚合物100质量份中添加以固体成分换算计0.05质量份的异氰酸酯化合物(商品名“CORONATE L”、东曹株式会社制、固体成分75质量％)后，将它们均匀地混合从而制备光聚合性组合物。
将该光聚合性组合物涂布于剥离片(商品名“MRF38”、三菱化学株式会社制、对聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜的单面实施剥离处理而成者、厚度38μm)的剥离处理面上而形成树脂组合物层后，在该树脂组合物层上也贴合上述剥离片的剥离处理面。接着，利用黑光灯，照射强度为5mW/cm2的紫外线直到累积光量为3600mJ/cm2，进行聚合，制作非紫外线固化性密封树脂层(厚度：50μm)。
<光半导体元件密封用片>
将层叠于上述非紫外线固化性密封树脂层的一个剥离片剥离，使上述非紫外线固化性密封树脂层的露出面重叠于上述紫外线固化性密封树脂层的露出面，用手压辊进行贴合。这样，制作具有[基材薄膜/紫外线固化性密封树脂层/非紫外线固化性密封树脂层/剥离片]的构成的实施例5的密封树脂层及光半导体元件密封用片。
<评价>
对实施例中得到的密封树脂层及光半导体元件密封用片进行以下的评价。将结果示于表。需要说明的是，作为比较例1使用液态树脂(商品名“LSP-3419”、信越化学工业株式会社制)，作为比较例2使用液态树脂(商品名“LSP-3412”、信越化学工业株式会社制)，进行评价。
(1)剪切储能模量
将实施例中得到的密封树脂层层叠，制作厚度约1.5mm的密封树脂层的层叠体，作为测定样品。使用Rheometric Scientific公司制“Advanced Rheometric ExpansionSystem(ARES)”，以剪切模式、在频率1Hz的条件下、在-70～200℃的范围内以升温速度5℃/分钟对上述测定样品进行测定，算出23℃及70℃下的剪切储能模量。需要说明的是，对于实施例5，对非紫外线固化性密封树脂层及紫外线固化性密封树脂层分别进行测定。对上述紫外线固化性密封树脂层在紫外线照射前的状态下进行测定。
(2)总透光率
从实施例中得到的光半导体元件密封用片将剥离片(对于实施例1及2，为任一剥离片)剥离，将露出的密封树脂层面贴合于玻璃板(载物玻璃、型号“S-1111”、松浪硝子工业株式会社制)。然后，对于实施例1及2，剥离另一剥离衬垫，制作具有[玻璃板/密封树脂层]的层构成的测定样品。另外，对于实施例3及4，制作具有[玻璃板/密封树脂层/基材层]的层构成的测定样品。另外，对于比较例，使液态树脂以固化后的厚度成为0.2mm的方式流入由玻璃板组成的模具中，在150℃下进行4小时后固化，制作固化物，将得到的层叠体[玻璃板/固化物]作为测定样品。对上述测定样品，利用雾度计(装置名“HM-150”、株式会社村上色彩技术研究所制)，测定总透光率。需要说明的是，表中示出的总透光率为包括玻璃板的测定样品的值，因此实施例的密封树脂层及比较例的固化物的总透光率比表中示出的各值高。需要说明的是，对于实施例5，如实施例3及4那样制作测定样品后，从基材层侧照射紫外线而使紫外线固化性密封树脂层固化，其后，测定总透光率。紫外线照射用商品名“UM810”(日东精机株式会社制)进行60秒钟。
(3)雾度值
对于为了测定上述(2)总透光率而制作的测定样品(层叠体[玻璃板/固化物])，利用雾度计(装置名“HM-150”、株式会社村上色彩技术研究所制)，测定总透光率及扩散透过率。然后，通过“扩散透过率/总透光率×100”的式子求出测定样品的雾度值，作为初始雾度值。需要说明的是，表中示出的雾度值为包含玻璃板的测定样品的值，因此实施例的密封树脂层及比较例的固化物的雾度值比表中示出的各值低。
(4)加湿浑浊的有无(耐白化性)
从实施例中得到的光半导体元件密封用片将剥离片(对于实施例1及2，为任一剥离片)剥离，将露出的密封树脂层面贴合于玻璃板(载物玻璃、商品名“MICRO SLIDEGLASS”、型号“S”、松浪硝子工业株式会社制、厚度1.3mm、雾度值0.1％、水缘磨)。然后，对于实施例1及2，将另一剥离衬垫剥离，将PET薄膜(商品名“A4100”、东洋纺株式会社制、厚度100μm、雾度值0.6％)贴合于露出的密封树脂层面。对于实施例3～5，不剥离基材薄膜(PET薄膜)而保持原样。这样，制作具有[载物玻璃/密封树脂层/PET薄膜]的构成的实施例1～5的测定样品。另外，对于比较例，使液态树脂以固化后的厚度成为0.2mm的方式流入由玻璃板组成的模具中，在150℃下进行4小时后固化，制作固化物，制作具有[载物玻璃/固化物]的构成的测定样品。需要说明的是，比较例的测定样品未贴合PET薄膜。然后，与上述初始雾度值的测定同样地，对将上述测定样品在温度60℃、湿度95％RH的环境下(高湿环境下)保存120小时后、在温度23℃、湿度50％RH的环境下刚刚取出后的上述测定样品的雾度值(高湿环境保存后雾度值)进行测定。比较在温度60℃、湿度95％RH的环境下保存前后的雾度，将通过[高湿环境保存后雾度值-初始雾度值]算出的雾度值的上升幅度不足1.0％(％点)的情况下判定为○(无加湿浑浊、耐白化性良好)、将上述雾度值的上升幅度为1.0％(％点)以上的情况下判定为×(有加湿浑浊、耐白化性不良)。需要说明的是，结果示于表1的“耐白化性”的栏中。
(4)嵌入性
<模拟芯片的准备>
如下地准备当作光半导体元件的模拟芯片(尺寸：1mm×1mm×100μm)。
(切割片的制作)
在具备冷凝管、氮气导入管、温度计、及搅拌装置的反应容器中，投入丙烯酸2-乙基己酯(2EHA)88.8质量份、丙烯酸2-羟基乙酯(HEA)11.2质量份、过氧化苯甲酰0.2质量份、及甲苯65质量份，在氮气流中在61℃下进行6小时聚合处理，制作丙烯酸系聚合物A。2EHA与HEA的摩尔比设为100摩尔：20摩尔。
在该丙烯酸类聚合物A中加入2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯(MOI)12质量份(相对于HEA 100摩尔为80摩尔)，在空气气流中在50℃下进行48小时加成反应处理，制作丙烯酸类聚合物A’。
接着，相对于丙烯酸类聚合物系A’100质量份，加入多异氰酸酯化合物(商品名“CORONATE L”、东曹株式会社制)0.75质量份、及光聚合引发剂(商品名“omnirad 651”、IGMResins ItaliaSrl公司制)3质量份，制作粘合剂溶液。将上述粘合剂溶液涂布于PET剥离衬垫的实施了有机硅处理的面上，在120℃下进行2分钟加热交联，形成厚度30μm的粘合剂层。
另一方面，准备使由聚丙烯与乙烯-丙烯橡胶的混合树脂形成的层(厚度80μm)和由直链状低密度聚乙烯(LLDPE)形成的层(厚度20μm)层叠而成的烯烃系多层薄膜(厚度100μm、在LLDPE层侧有压花处理)。然后，将上述烯烃系多层薄膜的非压花面贴合于上述粘合剂层面，在50℃的烘箱中保管24小时进行熟化，其后，使用紫外线照射装置(商品名“UM-810”、日东精机株式会社制)，以累积光量成为300mJ/cm2的方式，仅对工件部分(晶圆搭载区域)，从烯烃系多层薄膜侧照射紫外线，制作切割片。
(芯片贴装薄膜的制作)
使丙烯酸类树脂(商品名“SG-70L”、Nagase ChemteX Corporation制)100质量份、环氧树脂(商品名“HP-400”、DIC株式会社制)79质量份、酚醛树脂(商品名“H-4”、明和化学工业株式会社制)93质量份、球状二氧化硅(商品名“SO-25R”、ADMATECHS CO.,LTD.制)189质量份、及固化催化剂(商品名“2PHZ”、四国化成工业株式会社制)0.6质量份溶解于甲乙酮，制备固体成分浓度为20质量％的粘接剂组合物溶液。然后，将上述粘接剂组合物溶液涂布于PET薄膜，在150℃下通过2分钟的加热使溶剂挥发而固化，制作厚度25μm的芯片贴装薄膜。
(带芯片贴装薄膜的切割片的制作)
用手压辊，将预先冲裁成能够安装8英寸晶圆的尺寸的上述中制作的芯片贴装薄膜贴合于上述中制作的切割薄膜的粘合剂层。
(硅晶圆的准备)
将背面研磨带(商品名“ELP UB-3083D”、日东电工株式会社制)贴合于8英寸尺寸的硅镜面晶圆的单面，对晶圆背面侧进行背面研磨。背面研磨使用磨削装置(商品名“DFG-8560”、株式会社DISCO Inc.制)，以背面研磨后的晶圆的厚度成为100μm的方式实施。
(模拟芯片的制作)
边在40℃下加热边用手压辊，将具备背面研磨带的晶圆面贴合于设置于上述切割片的粘合剂层面的芯片贴装薄膜的晶圆搭载区域。其后，使用高压汞灯，以累积光量成为300mJ/cm2的方式从背面研磨带侧进行紫外线照射，然后将背面研磨带剥离。
接着，用手压辊将8英寸晶圆用的切割环贴附在切割片的未搭载芯片贴装薄膜的区域。然后，使用切割装置(商品名“DFD-6450”、株式会社DISCO Inc.制)，将晶圆切割成1mm×1mm的尺寸，得到带芯片贴装薄膜的硅芯片(1mm×1mm)。
接着，制作测定样品。从切割片拾取经切割的各个上述带芯片贴装薄膜的硅芯片，在4英寸尺寸的硅镜面晶圆的单面，将上述带芯片贴装薄膜的硅芯片的芯片贴装薄膜侧，以与邻接的带芯片贴装薄膜的硅芯片的间隔成为10mm的方式，以格子状配置纵4个、横4个合计16个，而进行芯片贴装。上述芯片贴装在将上述硅镜面晶圆放置于加热至100℃的热板上的状态下进行。其后，在烘箱中以温度150℃进行1小时加热，由此制作图3所示那样的、模拟芯片32(1mm×1mm×100μm)借助芯片贴装薄膜33(1mm×1mm×25μm)搭载于4英寸硅晶圆31上而形成的具有凹凸形状的测定样品3。
<嵌入性评价>
从实施例中得到的光半导体元件密封用片将剥离片(对于实施例1及2，为任一剥离片)剥离，使用真空晶圆贴片机(商品名“MSA840VIII”、日东电工株式会社制)，将露出的密封树脂层面贴合于上述测定样品的凹凸面(配置有模拟芯片的面)从而将模拟芯片密封。具体而言，首先，在上述真空晶圆贴片机的晶圆贴附台上载置8英寸硅镜面晶圆，进而在该8英寸硅镜面晶圆上，使裁切加工成4英寸晶圆尺寸的双面粘合带(商品名“NO.5000NS”、日东电工株式会社制)的一个剥离片剥离而贴合，从另一剥离片面用手压辊进行按压，由此在8英寸硅镜面晶圆上贴附4英寸晶圆尺寸的双面粘合带。接着，将上述双面粘合带的另一剥离片剥离，在露出的粘合面上贴合上述测定样品(模拟芯片借助芯片贴装薄膜搭载于4英寸硅晶圆上而形成的具有凹凸形状的测定样品)的4英寸硅晶圆面。这样，在真空晶圆贴片机的晶圆贴附台上依次层叠8英寸硅镜面晶圆、双面粘合带、及测定样品。另一方面，从光半导体元件密封用片将剥离片剥离，在露出的密封树脂层面贴合8英寸切割环。然后，使贴合于密封树脂层的切割环与载置有上述测定样品的区域的周围的8英寸硅镜面晶圆接触，接着在下述的条件下实施加热/减压并进行密封。需要说明的是，对于实施例5，上述加热/减压之后，从基材薄膜侧照射紫外线而使紫外线固化性密封树脂层固化，进行密封。紫外线照射利用商品名“UM810”(日东精机株式会社制)进行60秒钟。
(密封条件)
工作台加热温度：70℃
工作台类型：CONTACT
贴附方法：VACUUM
贴附间隙(密封前的模拟芯片与密封树脂层间的距离)：1.0mm
贴附时间：5.0秒
中间层排气时间：10.0秒
初始排气时间：0秒
贴附时真空度：50Pa
另一方面，对于比较例，在上述测定样品中，以包围配置成格子状的模拟芯片的外侧的方式形成堤防，使比较例的液态树脂流入堤防内而对模拟芯片进行密封。具体而言，如图4所示，将厚度1.3mm的玻璃板34借助上述中得到的芯片贴装薄膜33、以包围配置成格子状的模拟芯片32的方式贴合于测定样品3的硅晶圆31上，在150℃下进行1小时加热，使芯片贴装薄膜33热固化，由此进行粘接而形成堤防35，制作测定样品3’。然后，以固化后的树脂层的厚度成为200μm的方式使液态树脂流入上述堤防内，其后在150℃下进行4小时加热而使液态树脂热固化，将模拟芯片密封。
然后，对制作的各个测定样品，使用显微镜，对模拟芯片附近的模拟芯片与密封树脂层之间存在的起泡(空隙)进行观察，将不存在10μm以上的起泡的情况评价为○，将存在10μm以上的起泡的情况评价为×。
[表1]
(表1)
Figure BDA0003870881380000291
※a)表示紫外线固化性密封树脂层的值、b)表示非紫外线固化性密封树脂层的值
如表1所示，本发明的光半导体元件密封用片(实施例)的总透光率高、透明性优异，而且对加湿浑浊的耐性(耐白化性)也优异。另外，使用本发明的光半导体元件密封用片对模拟光半导体元件的模拟芯片进行密封的情况下，模拟芯片的嵌入性优异，评价为光半导体元件的嵌入性优异。进而，使用实施例的光半导体元件密封用片进行密封的情况下，由于未使用液态树脂，因此处理容易，另外，不需要液态树脂的成形操作，操作性优异，能够以简易的工序进行光半导体元件的密封。另外，使用实施例1～4的光半导体元件密封用片的情况下，不需要固化工序，另外，使用实施例5的光半导体元件密封用片的情况下，固化时间短，为60秒，因此能够以简易的工序且短时间对光半导体元件进行密封。另一方面，使用液态树脂的情况(比较例)，模拟芯片的嵌入性满足基准，但是为了对液态树脂进行处理，需要注意使液态树脂不附着于周围，不容易处理，另外，密封树脂的热固化也需要4小时，因此相对于使用光半导体元件密封用片的情况，繁杂、且密封需要时间。
附图标记说明
1,1’ 光半导体元件密封用片
10 密封树脂层
20 剥离片
30 基材层
2 光半导体装置
21 基板
22 光半导体元件
3,3’ 测定样品
31 硅晶圆
32 模拟芯片
33 芯片贴装薄膜
34 玻璃板
35 堤防

Claims (11)

1.一种光半导体元件密封用片，其用于对配置于基板上的1个以上的光半导体元件进行密封，
所述光半导体元件密封用片具备：用于对所述光半导体元件进行密封的密封树脂层、和贴附于所述密封树脂层的剥离片，
所述密封树脂层含有丙烯酸系树脂。
2.根据权利要求1所述的光半导体元件密封用片，其具备基材层，所述密封树脂层被所述剥离片及所述基材层夹持。
3.根据权利要求2所述的光半导体元件密封用片，其中，所述基材层表面的铅笔硬度为2H以上。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的光半导体元件密封用片，其中，剥离了所述剥离片的状态下的总透光率为85％以上。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的光半导体元件密封用片，其不含辐射线固化性化合物。
6.根据权利要求1～4中任一项所述的光半导体元件密封用片，其包含辐射线固化性化合物。
7.一种光半导体装置，其具备：基板、配置于所述基板上的光半导体元件、和对所述光半导体元件进行密封的权利要求1～6中任一项所述的光半导体元件密封用片。
8.根据权利要求7所述的光半导体装置，其为液晶画面的背光。
9.一种图像显示装置，其具备显示面板和权利要求8所述的背光。
10.根据权利要求7所述的光半导体装置，其为自发光型显示装置。
11.一种图像显示装置，其具备权利要求10所述的自发光型显示装置。
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