CN115386844A - 蒸镀装置 - Google Patents
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- 238000001704 evaporation Methods 0.000 title claims abstract description 37
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 title claims abstract description 33
- 238000007747 plating Methods 0.000 title description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 77
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 claims description 16
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 12
- BGPVFRJUHWVFKM-UHFFFAOYSA-N N1=C2C=CC=CC2=[N+]([O-])C1(CC1)CCC21N=C1C=CC=CC1=[N+]2[O-] Chemical compound N1=C2C=CC=CC2=[N+]([O-])C1(CC1)CCC21N=C1C=CC=CC1=[N+]2[O-] BGPVFRJUHWVFKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 13
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 13
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 13
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- SZVJSHCCFOBDDC-UHFFFAOYSA-N iron(II,III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]O[Fe]=O SZVJSHCCFOBDDC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
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Abstract
本发明涉及一种蒸镀装置，用于对待蒸镀基板进行蒸镀，包括位于待蒸镀基板的相对的两侧的掩膜板组件和磁性板；磁性板包括压合板以及间隔分布于压合板远离待蒸镀基板的一侧的多个磁石；待蒸镀基板包括被磁石在待蒸镀基板上的正投影覆盖的多个第一区域，以及位于相邻两个第一区域之间的第二区域，在第一区域内，掩膜板组件和待蒸镀基板之间的平均间隙为第一平均间隙，在第二区域内，掩膜板组件和待蒸镀基板之间的平均间隙为第二平均间隙；蒸镀基板包括对应于第一区域的第一功能结构和/或对应于第二区域的第二功能结构，第一功能结构和/或第二功能结构被配置为使得第一平均间隙与第二平均间隙之间的差值小于预设值。
Description
技术领域
本发明涉及蒸镀产品制作技术领域，尤其涉及一种蒸镀装置。
背景技术
在OLED的蒸镀过程中通过使用掩膜板的开口来定义形成RGB像素点，因此，掩膜板与基板贴合的紧密程度直接影响到像素点的位置精度。通常为了使掩膜板与基板贴合紧密，会使用磁板施加的磁力来实现，磁板设置于基板的上方。因制作工艺、综合磁力需求等原因，磁板包括多个间隔设置的磁石，对应于设置磁石区域的磁力与对应于未设置磁石的区域(相邻两个磁石之间的区域)的磁力不同，则掩膜板和基板的贴合程度不同，则基板上的蒸镀shadow(阴影)不同，从而造成条纹不良。
发明内容
为了解决上述技术问题，本发明提供一种蒸镀装置，解决由于掩膜板与待蒸镀基板的贴合程度不同导致的条纹不良的问题。
为了达到上述目的，本发明实施例采用的技术方案是：一种蒸镀装置，用于对待蒸镀基板进行蒸镀，包括位于待蒸镀基板的相对的两侧的掩膜板组件和磁性板；
所述磁性板包括压合板以及间隔分布于所述压合板远离所述待蒸镀基板的一侧的多个磁石；
所述待蒸镀基板包括被所述磁石在所述待蒸镀基板上的正投影覆盖的多个第一区域，以及位于相邻两个所述第一区域之间的第二区域，在所述第一区域内，所述掩膜板组件和所述待蒸镀基板之间的平均间隙为第一平均间隙，在所述第二区域内，所述掩膜板组件和所述待蒸镀基板之间的平均间隙为第二平均间隙；
所述蒸镀基板包括对应于所述第一区域的第一功能结构和/或对应于所述第二区域的第二功能结构，所述第一功能结构和/或所述第二功能结构被配置为使得所述第一平均间隙与所述第二平均间隙之间的差值小于预设值。
可选的，所述待蒸镀基板包括相对的第一表面和第二表面，所述第一表面和所述掩膜板组件之间设置有多个间隔设置的支撑柱，所述支撑柱的延伸方向垂直于所述第一表面设置；
所述第一功能结构包括多个所述支撑柱中位于所述第一区域的多个第一支撑柱，所述第二功能结构包括多个所述支撑柱中位于所述第二区域的多个第二支撑柱，所述第一支撑柱的分布密度大于所述第二支撑柱的分布密度。
可选的，沿着由所述第二区域的中心到与该第二区域相邻的所述第一区域的中心的方向，所述第二支撑柱的分布密度逐渐增大。
可选的，所述第二区域内的所述第二支撑柱的分布密度为零。
可选的，所述待蒸镀基板包括相对的第一表面和第二表面，所述第一表面和所述掩膜板组件之间设置有多个间隔设置的支撑柱，所述支撑柱的延伸方向垂直于所述第一表面设置；
所述第一功能结构包括多个所述支撑柱中位于所述第一区域的多个第一支撑柱，所述第二功能结构包括多个所述支撑柱中位于所述第二区域的多个第二支撑柱，所述第一支撑柱在垂直于所述第一表面的方向上的高度大于所述第二支撑柱在垂直于所述第一表面的方向上的高度。
可选的，沿着由所述第二区域的中心到与该第二区域相邻的所述第一区域的中心方向，所述第二支撑柱的高度逐渐增大。
可选的，在垂直于所述第一表面的方向上，所述第一支撑柱的高度与所述第二支撑柱中高度最小的支撑柱的高度差小于或等于1um。
可选的，所述掩膜板组件包括与所述第一区域对应的第三区域，以及与所述第二区域对应的第四区域，所述第二功能结构包括设置于所述第四区域的第一磁性膜层。
可选的，所述第一磁性膜层位于所述掩膜板组件远离所述待蒸镀基板的一侧。
可选的，所述磁石为沿第一方向延伸的条形结构，沿与所述第一方向相垂直的第二方向，多个所述磁石的极性和所述第一磁性膜层的磁性交错设置。
可选的，所述压合板上设置有位于相邻两个磁石之间的第二磁性膜层。
可选的，所述磁石为沿第一方向延伸的条形结构，沿与所述第一方向相垂直的第二方向，多个所述磁石的极性和所述第二磁性膜层的磁性交错设置。
本发明的有益效果是：通过所述第一功能结构和/或所述第二功能结构的设置，减小对应于所述第一区域和所述第二区域，所述掩膜板组件和待蒸镀基板的贴合差异，从而减小待蒸镀基板上所述第一区域和所述第二区域的蒸镀shadow的差异，改善条纹不良。
附图说明
图1表示蒸镀装置的结构示意图；
图2表示图1的部分结构放大示意图；
图3表示相关技术中的掩膜板组件和待蒸镀基板贴合状态示意图；
图4表示本发明实施例中的第一功能结构和第二功能结构的示意图；
图5表示本发明实施例中的掩膜板组件和待蒸镀基板贴合状态示意图一；
图6表示本发明实施例中第一支撑柱和第二支撑柱高度不同的状态示意图；
图7表示本发明实施例中掩膜板组件和待蒸镀基板贴合状态示意图二；
图8表示本发明实施例中第一磁性膜层的结构示意图；
图9表示本发明实施例中掩膜板组件和待蒸镀基板贴合状态示意图三；
图10表示掩膜板组件的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例的附图，对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本发明的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)中的像素区发光材料都是通过使用金属掩模板组件蒸镀形成，在OLED的蒸镀过程中通过使用掩膜板组件的开口来定义形成RGB像素点，因此，掩膜板组件与待蒸镀基板贴合的紧密程度直接影响到像素点的位置精度。通常为了使掩膜板组件与待蒸镀基板贴合紧密，会使用磁板施加的磁力来实现，磁板设置于基板的上方。参考图1-图3，因制作工艺、综合磁力需求等原因，磁板包括多个间隔设置的磁石，相邻磁石之间具有间隙，对应于设置磁石的第一区域402磁力较大，对应于相邻磁石之间的间隙的第二区域401的磁力较小，这样对应于第一区域402和第二区域401，掩膜板组件1和待蒸镀基板2的贴合的紧密程度不同，参考图3，掩膜板组件1包括金属框架和固定于金属框架上的金属网102，掩膜板组件1和待蒸镀基板2之间设置有支撑柱201，从图3中可以明显获得，在垂直于待蒸镀基板的蒸镀面的方向上(参考图3中的X方向)，所述掩膜板组件1和待蒸镀基板2在所述第一区域402的第一平均间隙d1小于所述掩膜板组件1和待蒸镀基板2在所述第二区域401的第二平均间隙d2，对应于所述第一区域402的蒸镀shadow和对应于所述第二区域401的蒸镀shadow不同，最终会导致条纹不良。
参考图1-图10，针对上述技术问题，本实施例提供一种蒸镀装置，所述蒸镀基板包括对应于所述第一区域402的第一功能结构和/或对应于所述第二区域401的第二功能结构，所述第一功能结构和/或所述第二功能结构被配置为使得所述第一平均间隙与所述第二平均间隙之间的差值小于预设值，即使得位于所述第一区域402的掩膜板组件1和待蒸镀基板2的贴合的紧密程度和位于所述第二区域401内的掩膜板组件1和待蒸镀基板2的贴合的紧密程度的差异减小，设置可以相同，从而减小对应于所述第一区域402和所述第二区域401，所述待蒸镀基板2的蒸镀shadow的不同，改善条纹不良的产生。
具体的，所述蒸镀装置，用于对待蒸镀基板2进行蒸镀，包括位于待蒸镀基板2的相对的两侧的掩膜板组件1和磁性板；
所述磁性板包括压合板3以及间隔分布于所述压合板3远离所述待蒸镀基板2的一侧的多个磁石4；
所述待蒸镀基板2包括被所述磁石4在所述待蒸镀基板2上的正投影覆盖的多个第一区域402，以及位于相邻两个所述第一区域402之间的第二区域401，在所述第一区域402内，所述掩膜板组件1和所述待蒸镀基板2之间的平均间隙为第一平均间隙，在所述第二区域401内，所述掩膜板组件1和所述待蒸镀基板2之间的平均间隙为第二平均间隙；
所述蒸镀基板包括对应于所述第一区域402的第一功能结构和/或对应于所述第二区域401的第二功能结构，所述第一功能结构和/或所述第二功能结构被配置为使得所述第一平均间隙与所述第二平均间隙之间的差值小于预设值。
需要说明的是，所述第一功能结构和所述第二功能结构的具体结构形式可以有多种，所述蒸镀装置可以同时包括所述第一功能结构和所述第二功能结构，也可以仅包括所述第一功能结构或所述第二功能结构。
示例性的实施方式中，所述待蒸镀基板2包括相对的第一表面和第二表面，所述第一表面和所述掩膜板组件1之间设置有多个间隔设置的支撑柱201，所述支撑柱201的延伸方向垂直于所述第一表面设置；
所述第一功能结构包括多个所述支撑柱201中位于所述第一区域402的多个第一支撑柱，所述第二功能结构包括多个所述支撑柱201中位于所述第二区域401的多个第二支撑柱，所述第一支撑柱的分布密度大于所述第二支撑柱的分布密度。
所述支撑柱201的设置用于支撑所述掩膜板组件1，防止所述掩膜板组件1与待蒸镀基板2直接接触，避免掩膜板组件1与待蒸镀基板2黏在一起，影响蒸镀效果。
参考图4和图5，所述第一支撑柱的分布密度大于所述第二支撑柱的分布密度(明显的图4中，位于所述第一区域402内的相邻两个支撑柱201之间的间距小于所述第二区域401内的相邻两个支撑柱201的间距)，这样使得待蒸镀基板2在所述第二区域401的刚度小于所述待蒸镀基板2在所述第一区域402的刚度，使得相同磁力作用下，掩膜板组件1更容易被吸起，且因所述第二区域401的所述第二支撑柱的分布密度较低，可使所述第二区域401的掩膜板组件1和待蒸镀基板2的贴合状态更平稳。蒸镀时，磁石4下降(向靠近待蒸镀基板2的方向移动)，掩膜板组件1在磁力作用下被向上吸起，因待蒸镀基板2的所述第二区域401的刚度相对于所述第一区域402的刚度下降，在所述第二区域401的掩膜板组件1和待蒸镀基板2的第一平均间隙为d1，在所述第一区域402的掩膜板组件1和待蒸镀基板2的第二平均间隙为d2，相对于图1，因所述第二区域401的掩膜板组件1的吸附高度提升，在所述第二区域401的掩膜板组件1和待蒸镀基板2的第一平均间隙为d1相比图1中的常规设计的平均间隙较小，使得d1≈d2，从而使整张mask的贴合程度趋于一致，所述第一区域402与所述第二区域401的蒸镀shadow差异缩小，最终达到改善因蒸镀shadow出现规律性不同而出现的屏幕条纹不良的目的。
示例性的，所述第一平均间隙和所述第二平均间隙的差值小于2um，但并不以此为限。
示例性的实施方式中，沿着由所述第二区域401的中心到与该第二区域401相邻的所述第一区域402的中心的方向，所述第二支撑柱的分布密度逐渐增大。
所述第二区域401对应的是相邻两个磁石4之间的区域，与所述第一区域402的距离越远则磁力越小，掩膜板组件1与待蒸镀基板2的贴合的紧密程度越差，采用上述方式，使得所述第二支撑柱的分布密度沿着由所述第二区域401的中心到与该第二区域401相邻的所述第一区域402的中心的方向逐渐增大，则进一步的减小待蒸镀基板2的整个基板的蒸镀shadow的差异，有效的改善条纹不良。
示例性的实施方式中，所述第二区域401内的所述第二支撑柱的分布密度为零。即所述第二区域401内未设置所述第二支撑柱，仅在所述第一区域402设置所述第一支撑柱，减小所述第一平均间隙和所述第二平均间隙的差值。
需要说明的是，在此实施方式中，由于所述第二区域401内未设置所述第二支撑柱，则为了使得所述第一平均间隙和所述第二平均间隙趋于一致，相对于图1，可以减小所述第一支撑柱在垂直于所述第一表面的方向上的高度，例如，图1中的支撑柱201的高度为2-3um，本实施方式中，所述第一支撑柱的高度可以为1-2um，但并不以此为限。
参考图6和图7，示例性的实施方式中，所述待蒸镀基板2包括相对的第一表面和第二表面，所述第一表面和所述掩膜板组件1之间设置有多个间隔设置的支撑柱201，所述支撑柱201的延伸方向垂直于所述第一表面设置；
所述第一功能结构包括多个所述支撑柱201中位于所述第一区域402的多个第一支撑柱，所述第二功能结构包括多个所述支撑柱201中位于所述第二区域401的多个第二支撑柱，所述第一支撑柱在垂直于所述第一表面的方向上的高度大于所述第二支撑柱在垂直于所述第一表面的方向上的高度。
所述支撑柱201在垂直于所述第一表面的方向上的高度越大，则掩膜板组件1和待蒸镀基板2之间的间隙越大，在磁石4的磁力吸附作用下，位于所述第一区域402的所述掩膜板组件1与待蒸镀基板2之间的第一平均间隙小于位于所述第二区域401内的所述掩膜板组件1和待蒸镀基板2之间的第二平均间隙，本实施方式中，所述第一支撑柱在垂直于所述第一表面的方向上的高度大于所述第二支撑柱在垂直于所述第一表面的方向上的高度，所述第一支撑柱对磁石4的磁力吸附有牵制作用，即增大了所述第一平均间隙，减小了所述第一平均间隙和第二平均间隙的差值，使得所述第一平均间隙和第二平均间隙趋于一致，减小了所述第一区域402和所述第二区域401的蒸镀shadow的差异，达到改善由于蒸镀shadow不同导致的条纹不良。
示例性的，在垂直于所述第一表面的方向上，所述第一区域402内的多个所述第一支撑柱的高度相同，所述第二区域401内的多个所述第二支撑柱的高度相同。
示例性的，在垂直于所述第一表面的方向上，所述第一支撑柱的高度和所述第二支撑柱的高度的差值小于1um，但并不以此为限。
示例性的实施方式中，沿着由所述第二区域401的中心到与该第二区域401相邻的所述第一区域402的中心方向，所述第二支撑柱的高度逐渐增大。
所述第二区域401对应于相邻两个磁石4之间的区域，即所述第二区域401对应的是未设置磁石4的区域，但所述第二区域401中受相邻磁石4的影响部分区域是存在磁力的，从所述第一区域402到所述第二区域401的方向上，所述第二区域401中与相邻磁石4的距离越近的部分磁力越大，与相邻磁石4越越远的部分磁力越小，由于所述第二区域401的相对的两侧即为与磁石4相对的所述第一区域402，即所述第二区域401的中心是磁力最弱的部分，因此，本实施方式中，沿着由所述第二区域401的中心到与该第二区域401相邻的所述第一区域402的中心方向，所述第二支撑柱的高度逐渐增大，即对应于所述第二区域401中磁力最弱的部分的所述第二支撑柱的高度(在垂直于所述第一表面的方向上的高度)最低，进一步的缩小所述第一平均间隙和所述第二平均间隙之间的差值，使得所述第一平均间隙和所述第二平均间隙趋于一致(即差值接近零)。
示例性的实施方式中，在垂直于所述第一表面的方向上，所述第一支撑柱的高度与所述第二支撑柱中高度最小的支撑柱201的高度差小于或等于1um。
所述支撑柱201的作用在于支撑所述掩膜板组件1，防止掩膜板组件1与待蒸镀基板2直接接触而造成掩膜板组件1与待蒸镀基板2的粘连，以对待蒸镀基板2造成损伤，但是所述支撑柱201在垂直于所述第一表面的方向上的高度过大，即掩膜板组件1和待蒸镀基板2之间的间隙过大，则会影响蒸镀效果。
将所述第一支撑柱和所述第二支撑柱设置为高度不同的方式，甚至将所述第二区域401内的所述第二支撑柱设置为沿着由所述第二区域401的中心到与该第二区域401相邻的所述第一区域402的中心方向，所述第二支撑柱的高度逐渐增大，是为了减小所述第一平均间隙和所述第二平均间隙的差值，以减小所述第一区域402和所述第二区域401的蒸镀shadow的差异，在不影响蒸镀效果的前提下，所述第一支撑柱的高度与所述第二支撑柱中高度最小的支撑柱201的高度差小于或等于1um，但并不以此为限。
参考图8和图9，示例性的实施方式中，所述掩膜板组件1包括与所述第一区域402对应的第三区域，以及与所述第二区域401对应的第四区域，所述第二功能结构包括设置于所述第四区域的第一磁性膜层。
所述第一平均间隙和所述第二平均间隙的不同，是由于对应于所述磁石4的所述第一区域402的磁力大，而对应于相邻两个磁石4之间的区域的所述第二区域401的磁力小，通过所述第一磁性膜层的设置可以提高所述第二区域401的磁力，则可减小所述第一平均间隙和所述第二平均间隙的差值。
所述第一磁性膜层可以采用磁性材料制成。
示例性的实施方式中，所述第一磁性膜层位于所述掩膜板组件1远离所述待蒸镀基板2的一侧。相对于所述第一磁性膜层设置于所述掩膜板组件1与待蒸镀基板2接触的一面，避免待蒸镀基板2的表面的不平坦。
示例性的实施方式中，所述磁石4为沿第一方向延伸的条形结构，沿与所述第一方向相垂直的第二方向，多个所述磁石4的极性和所述第一磁性膜层的磁性交错设置。
例如一个所述磁石4的磁性为N则相邻的所述第一磁性膜层的磁性为S，位于所述第一磁性膜层远离磁性为N的磁石4的一侧的磁石4的磁性为N，增强磁力。
示例性的实施方式中，所述压合板3上设置有位于相邻两个磁石4之间的第二磁性膜层。
直接在所述压合板3上的两个磁石4之间涂覆所述第二磁性膜层，提高所述第二区域401的磁力，缩小所述第一区域402和所述第二区域401的磁力差，从而达到减小所述第一平均间隙和所述第二平均间隙的差值，减小所述第一区域402和所述第二区域401的蒸镀shadow的差异，改善由于不同的区域蒸镀shadow不同造成的条纹不良。
示例性的实施方式中，所述磁石4为沿第一方向延伸的条形结构，沿与所述第一方向相垂直的第二方向，多个所述磁石4的极性和所述第二磁性膜层的磁性交错设置。
例如一个所述磁石4的磁性为N则相邻的所述第二磁性膜层的磁性为S，位于所述第二磁性膜层远离磁性为N的磁石4的一侧的磁石4的磁性为N，增强磁力。
需要说明的是，本实施例中的所述掩膜板组件1包括金属框架101，和张紧后固定于所述金属框架101上的金属网102，所述金属网102上具有蒸镀图案，以对待蒸镀基板2进行蒸镀。
参考图10，示例性的实施方式中，所述金属网102包括遮挡部和镂空部，可以对所述金属网102对应于所述第二区域401的第五区域进行高磁导率处理，即使得所述第五区域进行磁化以产生磁力，以缩小对应于所述第一区域402和对应于所述第二区域401的掩膜板组件1和待蒸镀基板2之间的磁力吸附力的差值，从而减小所述第一平均间隙值和第二平均间隙值。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。
Claims (12)
1.一种蒸镀装置，用于对待蒸镀基板进行蒸镀，其特征在于，包括位于待蒸镀基板的相对的两侧的掩膜板组件和磁性板；
所述磁性板包括压合板以及间隔分布于所述压合板远离所述待蒸镀基板的一侧的多个磁石；
所述待蒸镀基板包括被所述磁石在所述待蒸镀基板上的正投影覆盖的多个第一区域，以及位于相邻两个所述第一区域之间的第二区域，在所述第一区域内，所述掩膜板组件和所述待蒸镀基板之间的平均间隙为第一平均间隙，在所述第二区域内，所述掩膜板组件和所述待蒸镀基板之间的平均间隙为第二平均间隙；
所述蒸镀基板包括对应于所述第一区域的第一功能结构和/或对应于所述第二区域的第二功能结构，所述第一功能结构和/或所述第二功能结构被配置为使得所述第一平均间隙与所述第二平均间隙之间的差值小于预设值。
2.根据权利要求1所述的蒸镀装置，其特征在于，所述待蒸镀基板包括相对的第一表面和第二表面，所述第一表面和所述掩膜板组件之间设置有多个间隔设置的支撑柱，所述支撑柱的延伸方向垂直于所述第一表面设置；
所述第一功能结构包括多个所述支撑柱中位于所述第一区域的多个第一支撑柱，所述第二功能结构包括多个所述支撑柱中位于所述第二区域的多个第二支撑柱，所述第一支撑柱的分布密度大于所述第二支撑柱的分布密度。
3.根据权利要求2所述的蒸镀装置，其特征在于，沿着由所述第二区域的中心到与该第二区域相邻的所述第一区域的中心的方向，所述第二支撑柱的分布密度逐渐增大。
4.根据权利要求2所述的蒸镀装置，其特征在于，所述第二区域内的所述第二支撑柱的分布密度为零。
5.根据权利要求1或2所述的蒸镀装置，其特征在于，所述待蒸镀基板包括相对的第一表面和第二表面，所述第一表面和所述掩膜板组件之间设置有多个间隔设置的支撑柱，所述支撑柱的延伸方向垂直于所述第一表面设置；
所述第一功能结构包括多个所述支撑柱中位于所述第一区域的多个第一支撑柱，所述第二功能结构包括多个所述支撑柱中位于所述第二区域的多个第二支撑柱，所述第一支撑柱在垂直于所述第一表面的方向上的高度大于所述第二支撑柱在垂直于所述第一表面的方向上的高度。
6.根据权利要求5所述的蒸镀装置，其特征在于，沿着由所述第二区域的中心到与该第二区域相邻的所述第一区域的中心方向，所述第二支撑柱的高度逐渐增大。
7.根据权利要求5所述的蒸镀装置，其特征在于，在垂直于所述第一表面的方向上，所述第一支撑柱的高度与所述第二支撑柱中高度最小的支撑柱的高度差小于或等于1um。
8.根据权利要求1所述的蒸镀装置，其特征在于，所述掩膜板组件包括与所述第一区域对应的第三区域，以及与所述第二区域对应的第四区域，所述第二功能结构包括设置于所述第四区域的第一磁性膜层。
9.根据权利要求8所述的蒸镀装置，其特征在于，所述第一磁性膜层位于所述掩膜板组件远离所述待蒸镀基板的一侧。
10.根据权利要求9所述的蒸镀装置，其特征在于，所述磁石为沿第一方向延伸的条形结构，沿与所述第一方向相垂直的第二方向，多个所述磁石的极性和所述第一磁性膜层的磁性交错设置。
11.根据权利要求1所述的蒸镀装置，其特征在于，所述压合板上设置有位于相邻两个磁石之间的第二磁性膜层。
12.根据权利要求11所述的蒸镀装置，其特征在于，所述磁石为沿第一方向延伸的条形结构，沿与所述第一方向相垂直的第二方向，多个所述磁石的极性和所述第二磁性膜层的磁性交错设置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN202211045703.7A CN115386844B (zh) | 2022-08-30 | 2022-08-30 | 蒸镀装置 |
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Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN115386844A true CN115386844A (zh) | 2022-11-25 |
| CN115386844B CN115386844B (zh) | 2024-05-17 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| CN202211045703.7A Active CN115386844B (zh) | 2022-08-30 | 2022-08-30 | 蒸镀装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN115386844B (zh) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN106337164A (zh) * | 2015-07-08 | 2017-01-18 | 上海和辉光电有限公司 | 一种蒸镀装置 |
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-
2022
- 2022-08-30 CN CN202211045703.7A patent/CN115386844B/zh active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN115386844B (zh) | 2024-05-17 |
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