CN115380009A - 卤氧化物的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本公开的制造方法具备将混合材料在150℃以上且450℃以下烧成的烧成工序,其中,上述混合材料包含选自Li2O2、Li2O以及LiOH中的至少一种和MX5,M为选自Ta以及Nb中的至少一种,X为选自Cl以及Br中的至少一种。

Description

卤氧化物的制造方法
技术领域
本公开涉及卤氧化物的制造方法。
背景技术
专利文献1公开了卤化物固体电解质的制造方法。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:国际公开第2018/025582号
发明内容
发明所要解决的问题
本公开的目的在于,提供工业上生产率高的卤氧化物的制造方法。
用于解决问题的手段
本公开的制造方法具备将混合材料在150℃以上且450℃以下烧成的烧成工序,其中,上述混合材料包含选自Li2O2、Li2O以及LiOH中的至少一种和MX5,M为选自Ta以及Nb中的至少一种,X为选自Cl以及Br中的至少一种。
发明效果
本公开提供工业上生产率高的卤氧化物的制造方法。
附图说明
图1是示出第一实施方式的制造方法的一个例子的流程图。
图2是示出第一实施方式的制造方法的一个例子的流程图。
图3是示出第一实施方式的制造方法的一个例子的流程图。
图4示出用于评价固体电解质材料的离子传导率(也称为离子电导率、离子导电率)的加压成形模具200的示意图。
具体实施方式
以下,在参照附图的同时对实施方式进行说明。
(第一实施方式)
图1是示出第一实施方式的制造方法的一个例子的流程图。
第一实施方式的制造方法包含烧成工序S1000。在烧成工序S1000中,将混合材料在150℃以上且450℃以下烧成。在此,烧成温度为环境温度。
在烧成工序S1000中被烧成的混合材料包含选自Li2O2、Li2O以及LiOH中的至少一种和MX5。M为选自Ta以及Nb中的至少一种。X为选自Cl以及Br中的至少一种。
第一实施方式的制造方法为用于制造卤氧化物的工业上生产率高的方法。工业上生产率高的方法是能够以低成本大量生产的方法。即,通过简便的制造方法,能够制造包含Li(锂)、Ta(钽)或Nb(铌)的卤氧化物。
第一实施方式的制造方法可以不使用行星式球磨机。
在烧成工序S1000中,例如可以将混合材料的粉末装入气密容器中,在加热炉内烧成。此时,混合材料被升温至150℃以上且450℃以下的状态可以保持规定时间以上。烧成时间可以为不会产生由卤氧化物的挥发等引起的烧成物的组成偏差的程度的长度的时间。不会产生烧成物的组成偏差的程度的烧成时间是指不会损害烧成物的离子传导率的程度的烧成时间。气密容器是例如石英玻璃制容器或硼硅酸玻璃制容器。气密容器内可以是真空的,或也可以用不活泼气体或干燥空气充满。不活泼气体的例子为氦、氮或氩。根据第一实施方式的制造方法,能够制造例如在室温附近具有0.14mS/cm以上的离子传导率的卤氧化物。
为了通过工业上生产率高的方法来制造具有更高离子传导率的卤氧化物,在烧成工序S1000中,可以将混合材料在200℃以上烧成。也可以在例如200℃以上且450℃以下烧成。在烧成温度为200℃以上的情况下,作为烧成物的卤氧化物具有更高的结晶性。其结果是,能够进一步提高作为烧成物的卤氧化物的离子传导率。即,得到更加优良的卤氧化物固体电解质材料。
为了通过工业上生产率高的方法来制造具有更高离子传导率的卤氧化物,在烧成工序S1000中,可以将混合材料在400℃以下烧成。也可以在例如150℃以上且400℃以下或者200℃以上且400℃以下烧成。在烧成温度为400℃以下的情况下,能够抑制卤氧化物分解。其结果是,能够进一步提高作为烧成物的卤氧化物的离子传导率。即,得到更加优良的卤氧化物固体电解质材料。
为了通过工业上生产率高的方法来制造具有更高离子传导率的卤氧化物,在烧成工序S1000中,可以将混合材料在350℃以下烧成。也可以在例如150℃以上且350℃以下或者200℃以上且350℃以下烧成。在烧成温度为350℃以下的情况下,能够抑制卤氧化物分解。其结果是,能够进一步提高作为烧成物的卤氧化物的离子传导率。即,得到更加优良的卤氧化物固体电解质材料。
为了通过工业上生产率高的方法来制造具有更高离子传导率的卤氧化物,在烧成工序S1000中,可以将混合材料烧成30分钟以上且12小时以下。在烧成时间为30分钟以上的情况下,能够使混合材料充分地反应。即,能够使选自Li2O2、Li2O以及LiOH中的至少一种与MX5充分地反应。在烧成时间为12小时以下的情况下,能够抑制作为烧成物的卤氧化物分解。其结果是,能够进一步提高作为烧成物的卤氧化物的离子传导率。即,得到更加优良的卤氧化物固体电解质材料。
为了通过工业上生产率高的方法来制造具有更高离子传导率的卤氧化物,在烧成工序S1000中,可以将混合材料烧成3小时以上且12小时以下。在烧成时间为3小时以上的情况下,能够进一步使混合材料充分地反应。即,能够使选自Li2O2、Li2O以及LiOH中的至少一种与MX5充分地反应。其结果是,能够进一步提高作为烧成物的卤氧化物的离子传导率。即,得到更加优良的卤氧化物固体电解质材料。
在烧成工序S1000后,可以将烧成物粉碎。此时,可以使用粉碎器具。粉碎器具为例如研钵或搅拌机。
为了提高卤氧化物的特性(例如离子传导性),混合材料可以包含Li2O2或LiOH。优选混合材料可以包含Li2O2
为了提高卤氧化物的特性(例如离子传导性),混合材料可以进一步包含NbOCl3
为了提高卤氧化物的特性(例如离子传导性),混合材料可以进一步包含选自LiF以及MeF5中的至少一种。在此,Me为选自Ta以及Nb中的至少一种。
为了提高卤氧化物的离子传导性,在混合材料中,含有Li的原料的合计相对于MX5的摩尔比可以为0.4以上且1以下。另外,该摩尔比可以为0.6以上且1以下。优选该摩尔比可以为0.6以上且0.8以下。含有Li的原料例如为Li2O2、Li2O、LiOH或LiF。
为了提高卤氧化物的离子传导率,X可以包含Cl。优选X可以为Cl。
即,在烧成工序S1000中被烧成的混合材料可以包含选自Li2O2、Li2O以及LiOH中的至少一种以及MCl5
为了通过工业上生产率高的方法来制造氯氧化物,在烧成工序S1000中被烧成的混合材料可以为选自Li2O2、Li2O以及LiOH中的至少一种以及选自TaCl5(氯化钽)以及NbCl5(氯化铌)中的至少一种。通过简便的制造方法,能够制造包含Li和选自Ta以及Nb中的至少一种的氯氧化物。
图2是示出第一实施方式的制造方法的一个例子的流程图。
如图2所示,第一实施方式的制造方法可以进一步包含混合工序S1100。混合工序S1100在烧成工序S1000之前被执行。
在混合工序S1100中,将作为卤氧化物的原料的选自Li2O2、Li2O以及LiOH中的至少一种和MX5混合。其结果是,得到混合材料。即,得到在烧成工序S1000中被烧成的材料。
在混合工序S1100中,将选自Li2O2、Li2O以及LiOH中的至少一种和MX5以达到目标摩尔比的方式进行准备并混合。
在混合工序S1100中,可以混合Li2O2以及TaCl5。在此,Li2O2相对于TaCl5的摩尔比可以为0.4以上且1.0以下。
为了混合原料,可以使用公知的混合器具。混合器具例如为研钵、搅拌机或球磨机。
在烧成工序S1000中,可以将粉末状的混合材料烧成。混合工序S1100中得到的粉末状的混合材料可以被形成为粒料状。烧成工序S1000中,可以将粒料状的混合材料烧成。
在混合工序S1100中,可以通过不仅混合选自Li2O2、Li2O以及LiOH中的至少一种和MX5、而且进一步混合其他材料,从而得到混合材料。可以通过进一步混合选自例如NbOCl3、LiF以及MeF5中的至少一种,从而得到混合材料。在此,Me为选自Ta以及Nb中的至少一种。
在混合工序S1100中,可以通过混合以选自Li2O2、Li2O以及LiOH中的至少一种作为主成分的原料以及以MX5作为主成分的原料,从而得到混合材料。主成分是以摩尔比计最多被含有的成分。
图3是示出第一实施方式的制造方法的一个例子的流程图。
如图3所示,第一实施方式的制造方法可以进一步包含准备工序S1200。准备工序S1200在混合工序S1100之前被执行。
在准备工序S1200中,准备Li2O2、Li2O、LiOH或MX5这样的原料。即,准备在混合工序S1100中将被混合的材料。
在准备工序S1200中,可以合成Li2O2、Li2O、LiOH或MX5这样的原料。原料的纯度可以为99质量%以上。准备工序S1200中,可以使用公知的市售品。
被准备的原料也可以进行干燥。
被准备的原料的形状的例子为晶体状、块状、薄片状或粉末状。在准备工序S1200中,通过将晶体状、块状或薄片状的原料粉碎,可以得到粉末状的原料。
为了提高卤氧化物的特性(例如离子传导性),在准备工序S1200中,可以添加选自NbOCl3、LiF以及MeF5中的至少一种。在此,Me为选自Ta以及Nb中的至少一种。
通过本公开的制造方法来制造的卤氧化物可以被使用作为固体电解质材料。该固体电解质材料例如可以为锂离子传导性的固体电解质。该固体电解质材料例如被用在全固体锂离子二次电池中。
实施例
以下,在参考实施例的同时对本公开更加详细地进行说明。
以下,通过本公开的制造方法来制造的卤氧化物被作为固体电解质材料进行评价。
<实施例1>
(固体电解质材料的制作)
在具有-60℃以下的露点以及0.0001体积%以下的氧浓度的氩气氛(以下,称为“干燥氩气氛”)中,作为原料粉,将Li2O2以及TaCl5以达到Li2O2:TaCl5=0.8:1的摩尔比的方式进行准备。将这些材料在玛瑙制研钵中进行粉碎并混合。将所得的混合物装入用氩气充满的石英玻璃内,在320℃下烧成3小时。将所得的烧成物在玛瑙制研钵中粉碎。以这样的方式进行操作,得到实施例1的固体电解质材料。
(离子传导率的评价)
图4示出用于评价固体电解质材料的离子传导率的加压成形模具200的示意图。
加压成形模具200具备:冲头上部201、框模202以及冲头下部203。框模202由绝缘性聚碳酸酯形成。冲头上部201以及冲头下部203均由电子传导性的不锈钢形成。
使用图4所示的加压成形模具200,通过下述方法来测定实施例1的固体电解质材料的离子传导率。
在具有-60℃以下的露点的干燥气氛中,将实施例1的固体电解质材料填充到加压成形模具200的内部。使用冲头上部201以及冲头下部203,对实施例1的固体电解质材料(即,图4中的固体电解质材料的粉末101)施加300MPa的压力。
在施加压力的状态下,将冲头上部201以及冲头下部203与搭载有频率响应分析仪的恒电位仪(Princeton Applied Research公司、VersaSTAT4)连接。冲头上部201与作用极以及电位测定用端子连接。冲头下部203与对电极以及参比电极连接。固体电解质材料的离子传导率是通过电化学的阻抗测定法在室温下测定。其结果是,在24℃下测定的离子传导率为6.60mS/cm。
<实施例2至18以及比较例1>
(固体电解质材料的制作)
实施例2至9中,作为原料粉,将Li2O2以及TaCl5以达到Li2O2:TaCl5=0.8:1的摩尔比的方式进行准备。
实施例10中,作为原料粉,将Li2O2以及TaCl5以达到Li2O2:TaCl5=0.6:1的摩尔比的方式进行准备。
实施例11中,作为原料粉,将Li2O2以及TaCl5以达到Li2O2:TaCl5=0.4:1的摩尔比的方式进行准备。
实施例12中,作为原料粉,将Li2O2以及TaCl5以达到Li2O2:TaCl5=1:1的摩尔比的方式进行准备。
实施例13中,作为原料粉,将LiOH以及TaCl5以达到LiOH:TaCl5=1:1的摩尔比的方式进行准备。
实施例14中,作为原料粉,将Li2O以及TaCl5以达到Li2O:TaCl5=1:1的摩尔比的方式进行准备。
实施例15中,作为原料粉,将Li2O2、TaCl5以及NbCl5以达到Li2O2:TaCl5:NbCl5=0.8:0.5:0.5的摩尔比的方式进行准备。
实施例16中,作为原料粉,将Li2O2、TaCl5以及NbCl5以达到Li2O2:TaCl5:NbCl5=0.8:0.3:0.7的摩尔比的方式进行准备。
实施例17中,作为原料粉,将Li2O2、TaCl5以及NbOCl3以达到Li2O2:TaCl5:NbOCl3=0.5:0.8:0.2的摩尔比的方式进行准备。
实施例18中,作为原料粉,将Li2O2、TaCl5以及TaF5以达到Li2O2:TaCl5:TaF5=0.6:0.9:0.1的摩尔比的方式进行准备。
比较例1中,作为原料粉,将Li2O2以及TaCl5以达到Li2O2:TaCl5=0.8:1的摩尔比的方式进行准备。
除了上述事项、烧成温度以及烧成时间以外,与实施例1同样地进行操作,得到实施例2至18以及比较例1的固体电解质材料。烧成温度以及烧成时间示于表1。
(离子传导率的评价)
实施例2至18以及比较例1的固体电解质材料的离子传导率,与实施例1同样地操作来测定。测定结果示于表1。
表1
Figure BDA0003885879720000081
<考察>
由实施例1至18可知,如果烧成温度为150℃以上且450℃以下,则所得的卤氧化物在室温附近具有0.14mS/cm以上的高离子传导性。另一方面,由比较例1可知,烧成温度为100℃的情况下,卤氧化物在室温附近具有0.067mS/cm的低离子传导性。据认为,在烧成温度为100℃时,固相反应没有充分地进行。
将实施例1以及3至5与实施例2、6以及7比较可知,如果烧成温度为200℃以上且350℃以下,则卤氧化物具有更高的离子传导性。将实施例1、4以及5与实施例3比较可知,如果烧成温度为250℃以上且350℃以下,则卤氧化物的离子传导率进一步增高。据认为,如果在这样的烧成温度下烧成,则卤氧化物具有高结晶性。
将实施例5以及9与实施例8比较可知,如果烧成时间为3小时以上且12小时以下,则卤氧化物的离子传导率进一步增高。
将实施例12以及13与实施例14比较可知,与含有Li的原料为Li2O相比,含有Li的原料为Li2O2或LiOH时,卤氧化物的离子传导率更变高。将实施例12与实施例13比较可知,与含有Li的原料为LiOH相比,含有Li的原料为Li2O2时,卤氧化物的离子传导率进一步增高。
将实施例5、10以及12与实施例11比较可知,在烧成的材料为Li2O2以及TaCl5的情况下,Li2O2相对于TaCl5的摩尔比如果为0.6以上且1以下,则卤氧化物的离子传导率更变高。将实施例5以及10与实施例12比较可知,Li2O2相对于TaCl5的摩尔比如果为0.6以上且0.8以下,则卤氧化物的离子传导率进一步增高。
将实施例15与实施例16比较可知,在卤氧化物包含Ta以及Nb的情况下,Ta相对于Nb的摩尔比如果大于1,则卤氧化物的离子传导率更变高。
由实施例18可知,在卤氧化物包含F的情况下,也具有高离子传导率。
如上所述,通过本公开的制造方法来制造的卤氧化物具有高锂离子传导率。另外,本公开的制造方法为简便的方法,且为工业上生产率高的方法。
产业上的可利用性
本公开的制造方法例如被利用作为固体电解质材料的制造方法。通过本公开的制造方法来制造的固体电解质材料例如被利用在全固体锂离子二次电池中。
符号说明
101 固体电解质材料的粉末
200 加压成形模具
201 冲头上部
202 框模
203 冲头下部

Claims (7)

1.一种卤氧化物的制造方法,其具备将混合材料在150℃以上且450℃以下烧成的烧成工序,
其中,所述混合材料包含选自Li2O2、Li2O以及LiOH中的至少一种和MX5
M为选自Ta以及Nb中的至少一种,
X为选自Cl以及Br中的至少一种。
2.根据权利要求1所述的制造方法,其中,X包含Cl。
3.根据权利要求1或2所述的制造方法,其中,在所述烧成工序中,将所述混合材料在200℃以上烧成。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的制造方法,其中,在所述烧成工序中,将所述混合材料在400℃以下烧成。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的制造方法,其中,在所述烧成工序中,将所述混合材料烧成30分钟以上且12小时以下。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的制造方法,其中,所述混合材料还包含NbOCl3
7.根据权利要求1至6中任一项所述的制造方法,其中,所述混合材料还包含选自LiF以及MeF5中的至少一种,Me为选自Ta以及Nb中的至少一种。
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