CN115355180A - 真空泵系统及真空泵 - Google Patents

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CN115355180A CN202210057986.0A CN202210057986A CN115355180A CN 115355180 A CN115355180 A CN 115355180A CN 202210057986 A CN202210057986 A CN 202210057986A CN 115355180 A CN115355180 A CN 115355180A
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Abstract

本发明涉及一种真空泵系统及真空泵。本发明的课题在于抑制真空泵内部的反应生成物的生成并维持排气性能。真空泵系统(100)包括第一真空泵(1)及第二真空泵(3)。第二真空泵(3)与第一真空泵(1)的第一排气口(19)连接。第二真空泵(3)具有泵部(5)及捕集部(7)。泵部(5)具有第二转子(51)。捕集部(7)中堆积由通过泵部(5)的吸气自第一排气口(19)导入第三内部空间(S3)的气体生成的反应生成物。

Description

真空泵系统及真空泵
技术领域
本发明涉及一种真空泵系统及真空泵。
背景技术
真空泵有包括涡轮叶片泵部及拖曳泵部的真空泵，其中所述涡轮叶片泵部包含固定叶片与旋转叶片，所述拖曳泵部设置于较涡轮叶片泵部而言更靠排气下游侧。包括所述真空泵的真空泵系统例如可用作使执行干式蚀刻、或化学气相沉积(Chemical VaporDeposition，CVD)等工艺的工艺腔室内成为高真空的手段。
在真空泵系统用于使工艺腔室内成为高真空的情况下，在真空泵系统中所含的真空泵、真空泵以外的其他装置(例如干式泵)和/或气体配管中有可能生成反应生成物并堆积。真空泵系统中的反应生成物的生成需要抑制。原因在于：若在真空泵的内部反应生成物堆积，则真空泵的零件(例如转子)与反应生成物有可能接触。另外，原因在于：若在所述其他装置及气体配管中反应生成物堆积，则会降低真空泵系统的排气能力。
作为抑制真空泵内部的反应生成物的生成的方法，已知有使真空泵内部升温的方法。例如，在专利文献1中，通过加热器对真空泵的主体进行加热来使内部升温。另外，在专利文献2中，将高温的吹扫气体导入真空泵的内部进行升温。另一方面，为了抑制与真空泵的排气侧连接的气体配管及装置中的反应生成物的堆积，在专利文献3中，在真空泵的排气侧设置过滤器。
[现有技术文献]
[专利文献]
[专利文献1]日本专利特开2020-112133号公报
[专利文献2]日本专利特开2020-90922号公报
[专利文献3]日本专利特开2006-74362号公报
发明内容
[发明所要解决的问题]
然而，优选为抑制真空泵的内部的升温。原因在于：随着真空泵的内部的升温，转子升温而膨胀，容易与其他零件接触。原因在于：其结果，由因转子膨胀而与其他零件接触的时间所决定的真空泵的寿命变短。
另外，在通过专利文献1及专利文献2的方法使真空泵的内部升温的情况下，为了抑制进一步的升温，无法增大真空泵的排气流量。具体而言，需要减小真空泵的排气流量，降低对使转子旋转的马达施加的负荷，抑制来自所述马达的发热。
进而，当如专利文献3那样在真空泵的排气侧设置过滤器的情况下，随着反应生成物在过滤器堆积，真空泵的排气侧的气体的流动恶化。若真空泵的排气侧的气体的流动恶化，则真空泵的排气侧的压力(背压)变高。其结果，真空泵的排气性能降低和/或马达的负荷增大而发热变多。
本发明的目的在于在真空泵系统中抑制真空泵内部的反应生成物的生成并维持排气性能。
[解决问题的技术手段]
本发明的一态样的真空泵系统包括第一真空泵及第二真空泵。第二真空泵与第一真空泵的排气口连接。第二真空泵具有泵部及捕集部。泵部具有转子。捕集部中堆积由通过泵部的吸气自第一真空泵的排气口导入内部空间的气体生成的反应生成物。
本发明的一态样的真空泵，包括：泵部，具有转子；以及捕集部，所述捕集部中堆积由通过所述泵部的吸气导入内部空间的气体生成的反应生成物。
[发明的效果]
在所述本发明的一态样的真空泵系统中，第二真空泵的泵部通过吸气自第一真空泵的排气口向第二真空泵的捕集部的内部空间导入气体。由此，可降低自第一真空泵的内部到第二真空泵的排气路径的压力，因此第一真空泵的内部以及自第一真空泵到第二真空泵的排气路径中的反应生成物的生成得到抑制。其结果，可降低第一真空泵及气体配管的维护频率。另外，由于在第二真空泵的捕集部的内部空间反应生成物堆积，因此可抑制泵部中的反应生成物的生成。
另外，通过在自第一真空泵到第二真空泵的排气路径中抑制反应生成物的生成，所述排气路径的电导维持为高状态。其结果，泵部对第一真空泵的排气口进行吸气的能力不会降低，因此可将第一真空泵的排气侧的压力(背压)维持得低。进而，为了抑制反应生成物的生成，不需要第一真空泵的内部的升温。所述结果，可将真空泵系统的排气性能维持为高状态。另外，第一真空泵的排气能力提高。
附图说明
图1是表示实施形态的真空泵系统的结构的图。
图2是第一真空泵的剖面图。
图3是第二真空泵的剖面图。
图4是在泵部的中途设置有捕集部的第二真空泵的剖面图。
[符号的说明]
100：真空泵系统
1：第一真空泵
11：第一吸气口
13：第一转子
13A：转子叶片
13B：转子圆筒部
15：第一定子
15A：定子叶片
15B：定子圆筒部
17：第一马达
19：第一排气口
21：第一基座
23：第一轴承
S1：第一内部空间
S2：第二内部空间
2：开闭阀
3：第二真空泵
5：泵部
51：第二转子
51A：轴
51B：第二转子圆筒部
53：第二定子
53A：第一端
53B：第二端
O1：开口
55A～55D：第二轴承
57：第二基座
59：第二马达
61：第二排气口
63：第一加热器
7：捕集部
7A：底面部
7B：侧面部
S3：第三内部空间
71：第二吸气口
73：冷却部
75：等离子体产生部
77：第二加热器
9：第三真空泵
CH：排气对象装置
L1：第一气体管路
L2：第二气体管路
L3：第三气体管路
L4：第四气体管路
L5：第五气体管路
V1：第一阀
V2：第二阀
具体实施方式
1.真空泵系统的结构
以下，参照附图对一实施形态的真空泵系统的结构进行说明。图1是表示实施形态的真空泵系统100的结构的图。真空泵系统100是对排气对象装置CH内部的气体进行排气的系统。排气对象装置CH例如是半导体制造装置的工艺腔室。真空泵系统100包括第一真空泵1、第二真空泵3、以及第三真空泵9。
第一真空泵1的吸气侧经由开闭阀2连接于排气对象装置CH的内部。开闭阀2通过阀的开闭来切换使第一真空泵1的吸气侧与排气对象装置CH的内部连通还是切断。另外，开闭阀2是通过控制阀的开度来控制排气对象装置CH的内部压力的真空阀。第一真空泵1的排气侧经由第一气体管路L1而与第二真空泵3连接。
第二真空泵3具有泵部5及捕集部7。泵部5的吸气侧与捕集部7连接。捕集部7经由第一气体管路L1而与第一真空泵1的排气侧连接。泵部5的排气侧经由第二气体管路L2、第一阀V1及第三气体管路L3而与第三真空泵9的吸气侧连接。第三真空泵9例如是干式泵。另外，第三真空泵9的吸气侧经由第四气体管路L4、第二阀V2、第五气体管路L5及第三气体管路L3而与排气对象装置CH的内部连接。
2.第一真空泵的结构
以下，使用图2对第一真空泵1的具体结构进行说明。图2是第一真空泵1的剖面图。第一真空泵1包括第一吸气口11、第一转子13、第一定子15、第一马达17、以及第一排气口19。第一吸气口11位于第一真空泵1的吸气侧，经由开闭阀2而与排气对象装置CH的内部连接。
第一转子13包括多级转子叶片13A及转子圆筒部13B。第一转子13由第一基座21与第一轴承23能够旋转地支撑。第一转子13通过第一马达17进行旋转。第一定子15包括多级定子叶片15A及定子圆筒部15B。在定子圆筒部15B的内周面(与转子圆筒部13B相向的面)形成有螺丝槽。在第一真空泵1中，转子叶片13A与定子叶片15A交替配置，构成涡轮分子泵部。另一方面，转子圆筒部13B与定子圆筒部15B在涡轮分子泵部的下部，设置微小的间隙并相向配置，构成螺丝槽泵部。第一排气口19与螺丝槽泵部的下部的第一内部空间S1连通。第一排气口19经由第一气体管路L1而与第二真空泵3连接。
在第一真空泵1中，利用第一马达17使第一转子13旋转，由此涡轮分子泵部与螺丝槽泵部向第一吸气口11吸入排气对象装置CH内部的气体。涡轮分子泵部与螺丝槽泵部将吸入到第一吸气口11的气体导入第一内部空间S1并自第一排气口19排出。其结果，排气对象装置CH的内部变为高真空状态。自第一排气口19排出的气体被第二真空泵3吸入。
3.第二真空泵的结构
接着，使用图3对第二真空泵3的结构进行说明。图3是第二真空泵3的剖面图。再者，图3的箭头表示铅垂方向。如所述那样，第二真空泵3包括泵部5及捕集部7。泵部5包括第二转子51及第二定子53。
第二转子51具有轴51A。轴51A由多个第二轴承55A～55D能够旋转地支撑。多个第二轴承55A～55D安装于第二基座57的收纳轴51A的位置。第二轴承55A例如是滚珠轴承。另一方面，其他的第二轴承55B～55D例如是磁轴承。其中，多个第二轴承55B～55D也可为滚珠轴承等其他种类的轴承。在第二基座57的收纳轴51A的位置进一步安装有第二马达59。第二马达59使第二转子51旋转。在第二转子51的外周部形成有第二转子圆筒部51B。第二转子圆筒部51B沿轴51A所延伸的轴向延伸。
相当于壳体的第二定子53是具有第一端53A及第二端53B的筒状的构件。第一端53A与第二基座57连接。第二端53B形成开口O1。第二定子53于在第二转子圆筒部51B的外周面与第二定子53的内周面之间形成有微小的间隙的状态下收纳第二转子51。在第二定子53的内周面、即与第二转子圆筒部51B相向的面形成有螺丝槽。在第二转子圆筒部51B的外周面与第二定子53的内周面之间形成有微小的间隙，在第二定子53的内周面形成有螺丝槽，由此第二转子圆筒部51B与第二定子53形成霍尔维克泵部。霍尔维克泵部与第二内部空间S2连接。第二内部空间S2是由第二转子圆筒部51B的上端部、第二定子53的第一端53A侧、以及第二基座57包围而成的空间。
再者，在所述霍尔维克泵部中，也可不在第二定子53的内周面设置螺丝槽，而在与第二定子53相向的第二转子圆筒部51B的外周面设置螺丝槽。
在第二定子53的上部设置有第二排气口61。第二排气口61与第二内部空间S2连接。第二排气口61位于第二真空泵3的排气侧，经由第二气体管路L2、第一阀V1及第三气体管路L3而与第三真空泵9的吸气侧连接。
在第二定子53的外周面设置有第一加热器63。第一加热器63对泵部5进行加热。通过利用第一加热器63对泵部5进行加热，可抑制在泵部5中生成反应生成物。第一加热器63对泵部5的加热温度例如是150℃。所述加热温度可根据在排气对象装置CH内进行的工艺中使用的原料等适当设定。
在泵部5中，利用第二马达59使第二转子51旋转，由此霍尔维克泵部在开口O1吸入气体。霍尔维克泵部将吸入的气体导入第二内部空间S2并自第二排气口61排出。自第二排气口61排出的气体被第三真空泵9吸入。
捕集部7具有底面部7A及侧面部7B。侧面部7B的一端与底面部7A连接。底面部7A与侧面部7B形成第三内部空间S3。捕集部7例如具有底面部7A为圆形的圆筒形状。捕集部7为圆筒形状，由此可容易地使气体滞留在第三内部空间S3。再者，捕集部7只要可将气体在内部保留一定程度的时间，便可为圆筒形状以外的其他形状(例如长方体、底面部7A为多边形的立体等)。
除此以外，也可在捕集部7的第三内部空间S3设置其他气体滞留结构。例如，也可在第三内部空间S3设置壁面，在第三内部空间S3中形成气体不易流动的部位。例如，可在底面部7A设置百叶窗形状、涡旋形状的翅片等气体滞留结构。
侧面部7B的另一端与第二定子53的第二端53B连接。再者，侧面部7B可通过焊接等固定在第二定子53，也可通过螺丝等而与第二定子53连接，以便能够自第二定子53装卸。在将侧面部7B自第二定子53能够装卸地加以连接的情况下，例如通过在侧面部7B与第二定子53之间设置气封(gas seal)等方法，将侧面部7B与第二定子53进行气密连接。
第三内部空间S3的与底面部7A为相反的一侧开口，与开口O1连接。在侧面部7B的任一者设置有第二吸气口71。第二吸气口71与第三内部空间S3连接。第二吸气口71经由第一气体管路L1而与第一真空泵1的第一排气口19连接。由此，泵部5的开口O1能够与第三内部空间S3、第二吸气口71、第一气体管路L1及第一真空泵的第一排气口19进行气体流通。由此，泵部5可将第一真空泵1向第一排气口19排出的气体经由第一气体管路L1导入第三内部空间S3。
捕集部7例如是铝、不锈钢等金属制的构件。捕集部7例如可通过对一张金属板进行弯曲加工而形成，也可将底面部7A与侧面部7B作为单独的构件形成并通过焊接等连接底面部7A与侧面部7B而形成。
如图3所示那样，泵部5的开口O1配置于铅垂方向下侧。另外，捕集部7配置于较开口O1而言更靠铅垂方向下侧。即，捕集部7配置于较泵部5而言更靠铅垂方向下侧。由此，堆积在捕集部7的底面部7A及侧面部7B的反应生成物因重力而停留在捕集部7，不易侵入泵部5。
第二真空泵3包括冷却部73。冷却部73以与捕集部7的底面部7A接触的状态安装。再者，冷却部73也可安装于捕集部7的侧面部7B。冷却部73例如是可流动冷却液的金属制的管。冷却部73冷却捕集部7的底面部7A及侧面部7B。通过冷却底面部7A及侧面部7B，可冷却第三内部空间S3的气体。通过冷却第三内部空间S3的气体，可促进第三内部空间S3中的反应生成物的生成。原因在于：在将导入排气对象装置CH的内部的气体、即利用真空泵系统100排出的气体作为原料而生成反应生成物的情况下，气体的温度越低，越容易生成反应生成物。
第二真空泵3包括等离子体产生部75。等离子体产生部75设置于捕集部7的第三内部空间S3中。等离子体产生部75使第三内部空间S3产生等离子体。自等离子体产生部75产生的等离子体将堆积在第三内部空间S3等中的反应生成物分解。例如，通过在维护时自等离子体产生部75产生等离子体，可执行捕集部7等的清洁(反应生成物的去除)。等离子体产生部75例如是平行平板型的等离子体产生装置、电感耦合等离子体(Inductively CoupledPlasma，ICP)的产生装置。
第二真空泵3包括第二加热器77。第二加热器77设置于捕集部7的侧面部7B。第二加热器77对捕集部7进行加热。由此，可通过第二加热器77对捕集部7进行的加热来去除捕集部7中堆积的反应生成物。第二加热器77对捕集部7的加热温度例如是150℃。所述加热温度可根据在排气对象装置CH内进行的工艺中使用的原料等适当设定。
再者，在第二真空泵3中，设置捕集部7的位置不限于泵部5的开口O1的部分。例如，如图4所示那样，捕集部7也可设置于泵部5的中途。具体而言，可以第三内部空间S3与设置于第二定子53的开口部分连接的方式设置捕集部7。图4是在泵部5的中途设置有捕集部7的第二真空泵3的剖面图。再者，在所述变形例中，泵部5的开口O1与第一真空泵1的第一排气口19连接。
在泵部5的中途设置有捕集部7的第二真空泵3中，泵部5自第一真空泵1的第一排气口19向开口O1导入气体。被导入开口O1的气体在泵部5的吸引下，通过第二转子圆筒部51B与第二定子53之间，自第二排气口61排出。在被导入开口O1的气体通过第二转子圆筒部51B与第二定子53之间的期间，所述气体滞留在捕集部7的第三内部空间S3中。由滞留在第三内部空间S3中的气体生成反应生成物，并在捕集部7中堆积。
4.排气对象装置的抽真空动作
以下，对使用真空泵系统100使排气对象装置CH的内部为高真空状态的抽真空动作进行说明。首先，对排气对象装置CH进行抽真空，直到达到能够使第一真空泵1运作的压力。所述抽真空可通过在打开第二阀V2的状态下使第三真空泵9运作，利用第三真空泵9对排气对象装置CH的内部进行吸气来实现。在所述抽真空的执行中，开闭阀2与第一阀V1关闭。
排气对象装置CH的内部达到能够使第一真空泵1运作的压力后，开始利用第一真空泵1进行抽真空。具体而言，在关闭第二阀V2，另一方面在打开第一阀V1后，使第一真空泵1及第二真空泵3运作。然后，通过打开开闭阀2，开始利用第一真空泵1进行抽真空。再者，在使第一真空泵1及第二真空泵始终运作的情况下，通过关闭第二阀V2并打开第一阀V1后，打开开闭阀2，而开始利用第一真空泵1进行抽真空。
在排气对象装置CH通过第一真空泵1变为高真空状态后，在排气对象装置CH的内部执行各种工艺。例如，执行将导入排气对象装置CH的内部的气体作为原料而生成半导体材料的工艺。或者，执行使用导入排气对象装置CH的内部的气体作为蚀刻气体来对基板等进行蚀刻的工艺。
导入排气对象装置CH的内部的气体由真空泵系统100排出。具体而言，排气对象装置CH的内部的气体首先被第一真空泵1吸入，自第一排气口19排出。自第一排气口19排出的气体因第二真空泵3的泵部5的吸气而通过第一气体管路L1被导入第三内部空间S3。被导入第三内部空间S3的气体在滞留于第三内部空间S3内的期间被冷却。其结果，由被导入第三内部空间S3的气体生成反应生成物，并在捕集部7中堆积。被导入第三内部空间S3的气体在生成反应生成物后，通过泵部5自第二排气口61被排出，通过第三真空泵9被吸入。
在真空泵系统100中，第二真空泵3的第三内部空间S3经由第一气体管路L1而与第一排气口19连接。另外，第一排气口19与第一真空泵1的内部连接。因此，通过第二真空泵3的泵部5，第一真空泵1的内部的压力下降。若第一真空泵1的内部的压力变低，则在第一真空泵1的内部作为反应生成物的原料的气体的分压较饱和蒸气压而言变低，因此第一真空泵1的内部的反应生成物的生成与堆积得到抑制。若在内部反应生成物不堆积，则不需要清洁第一真空泵1的内部。另外，由于第一排气口19及第一气体管路L1也由泵部5吸入，因此也可抑制在第一排气口19及第一气体管路L1生成反应生成物。所述结果，可降低第一真空泵1及第一气体管路L1的维护频率。
另外，通过抑制在第一排气口19及第一气体管路L1生成反应生成物，第一排气口19及第一气体管路L1的电导维持为高状态。其结果，泵部5吸入第一排气口19的能力不会降低，因此可将第一真空泵1的背压维持得低。其结果，真空泵系统100可将对排气对象装置CH的内部进行排气的能力维持为高状态。进而，为了抑制反应生成物的生成，不需要第一真空泵1的内部的升温，因此第一真空泵1的排气能力提高。具体而言，可增大第一真空泵1可排出的气体的量。另外，可使排气对象装置CH的内部为比以往更高的真空。
在真空泵系统100中，在第二真空泵3的捕集部7生成反应生成物并堆积，生成反应生成物后的气体被泵部5排出。由此，在泵部5中不易生成反应生成物。其结果，可降低泵部5的清洁频率，因此第二真空泵3的维护变得容易。在捕集部7中堆积了许多反应生成物的情况下，更换捕集部7或清洁捕集部7。
另外，在捕集部7设置于第二定子53的大的开口O1的第二真空泵3中，即使在捕集部7中堆积许多反应生成物，泵部5与第三内部空间S3之间的电导也不会降低，泵部5对第三内部空间S3的吸气能力也不易降低。
再者，在真空泵系统100中，不仅可使第一真空泵1与第二真空泵3此两者运作来对排气对象装置CH的内部进行抽真空，而且也可仅使第二真空泵3运作来对排气对象装置CH的内部进行抽真空。第二真空泵3的排气能力不如第一真空泵1高，因此通过仅利用第二真空泵3对排气对象装置CH的内部进行抽真空，可将排气对象装置CH抽真空到第一真空泵1无法实现的高压力。其结果，可增加可利用一个排气对象装置CH执行的工艺的种类。例如，可利用一个排气对象装置CH执行需要高真空的工艺(例如溅镀、蚀刻)与需要低真空的工艺(例如CVD)。再者，在仅利用第二真空泵3对排气对象装置CH进行抽真空时，例如通过使第一真空泵1的内部升温，可在第一真空泵1的内部不易生成反应生成物。
5.使用等离子体产生部的清洁动作
接着，对使用了设置于第二真空泵3的捕集部7中的等离子体产生部75的、真空泵系统100等的清洁动作进行说明。使用了等离子体产生部75的清洁通过使开闭阀2、第一阀V1和/或第二阀V2为打开状态，并利用等离子体产生部75在第三内部空间S3中产生等离子体来进行。由此，由等离子体产生的自由基可自第三内部空间S3去除到所述自由基可到达的地方为止的反应生成物。
除此以外，也可通过使开闭阀2及第二阀V2为打开状态，另一方面，使第一阀V1为关闭状态，使第三真空泵9运作，并利用等离子体产生部75在第三内部空间S3产生等离子体来执行清洁。在所述情况下，由等离子体产生的自由基容易自第三内部空间S3到达第一气体管路L1、第一真空泵1的内部、排气对象装置CH的内部、第四气体管路L4、第五气体管路L5及第三气体管路L3。其结果，可执行自第三内部空间S3到第一气体管路L1、第一真空泵1的内部、排气对象装置CH的内部、第四气体管路L4、第五气体管路L5及第三气体管路L3的清洁。
另外，也可通过使第一阀V1为打开状态，另一方面使开闭阀2及第二阀V2为关闭状态，使第三真空泵9运作，并利用等离子体产生部75在第三内部空间S3产生等离子体来执行清洁。在所述情况下，由等离子体产生的自由基容易自第三内部空间S3到达第二气体管路L2及第三气体管路L3。其结果，可执行自第三内部空间S3到第二气体管路L2及第三气体管路L3的清洁。
在以上说明的本实施形态的真空泵系统100中，第二真空泵3的泵部5自第一真空泵1的第一排气口19向第二真空泵3的捕集部7的第三内部空间S3吸入气体。由此，可降低自第一真空泵1的内部到第二真空泵3的排气路径的压力。若自第一真空泵1的内部到第二真空泵3的排气路径的压力变低，则在这些地方作为反应生成物的原料的气体的分压较饱和蒸气压变低，因此自第一真空泵1的内部到第二真空泵3的排气路径中的反应生成物的生成与堆积得到抑制。其结果，可降低第一真空泵1及气体配管(第一气体管路L1)的维护频率。另外，在第二真空泵3的捕集部7的第三内部空间S3中反应生成物堆积，因此可抑制泵部5中的反应生成物的生成。
另外，通过在自第一真空泵1到第二真空泵3的排气路径中抑制反应生成物的生成，所述排气路径的电导维持为高状态。其结果，泵部5对第一真空泵1的第一排气口19进行吸气的能力不会降低，因此可将第一真空泵1的排气侧的背压维持得低。进而，为了抑制反应生成物的生成，不需要第一真空泵1的内部的升温。所述结果，可将真空泵系统100的排气性能维持为高状态。进而，为了抑制反应生成物的生成，不需要使第一真空泵1的内部升温，因此第一真空泵1的排气能力提高。
以上，对本发明的一实施形态进行了说明，但本发明并不限定于所述实施形态，能够在不脱离发明的主旨的范围内进行各种变更。
第二真空泵3也可不预先组装到真空泵系统100中。即，第二真空泵3也可作为独立的真空泵使用。在所述情况下，可将第二真空泵3组装到包括第一真空泵1与第三真空泵9的现有系统中。
在第二真空泵3中，泵部5与捕集部7的位置关系只要是捕集部7中堆积的反应生成物不易侵入泵部5的位置关系，则也可不是在泵部5的铅垂方向下侧设置捕集部7的位置关系。例如也可为泵部5与捕集部7在水平方向上排列的位置关系。
使气体滞留在第二真空泵3的第三内部空间S3的方法并不限于使第三内部空间S3的结构成为气体容易滞留的形态。例如，通过使泵部5的第二转子51以适当的转速旋转，也可使第三内部空间S3的气体滞留。
所述实施形态的第一真空泵1是涡轮分子泵部与螺丝槽泵一体化而成的泵，其中所述涡轮分子泵部包含多级的转子叶片13A及多级的定子叶片15A，所述螺丝槽泵包含转子圆筒部13B及定子圆筒部15B。但是，螺丝槽泵也可省略。即，第一真空泵1可为涡轮分子泵。或者，涡轮分子泵也可省略。即，第一真空泵1可为螺丝槽泵。
本领域技术人员应理解，所述多个例示性的实施形态是以下的态样的具体例。
(第一态样)真空泵系统包括第一真空泵、以及与第一真空泵的排气口连接的第二真空泵。第二真空泵具有泵部及捕集部。泵部具有转子。捕集部中堆积由通过泵部的吸气自第一真空泵的排气口导入内部空间的气体生成的反应生成物。
在第一态样的真空泵系统中，第二真空泵的泵部自第一真空泵的排气口向第二真空泵的捕集部的内部空间吸入气体。由此，可降低自第一真空泵的内部到第二真空泵的排气路径的压力，因此第一真空泵的内部以及自第一真空泵到第二真空泵的排气路径中的反应生成物的生成得到抑制。其结果，可降低第一真空泵及气体配管的维护频率。另外，由于在第二真空泵的捕集部的内部空间反应生成物堆积，因此可抑制泵部中的反应生成物的生成。
另外，通过在自第一真空泵到第二真空泵的排气路径中抑制反应生成物的生成，所述排气路径的电导维持为高状态。其结果，泵部对第一真空泵的排气口进行吸气的能力不会降低，因此可将第一真空泵的排气侧的背压维持得低。进而，不需要第一真空泵的内部的升温。所述结果，可将真空泵系统的排气性能维持为高状态。另外，第一真空泵的排气能力提高。
(第二态样)第一态样的真空泵系统可还包括冷却部。冷却部冷却捕集部。由此，可冷却捕集部7的内部空间的气体，容易在内部空间内生成反应生成物。
(第三态样)捕集部也可配置于较泵部而言更靠铅垂方向下侧。由此，捕集部中堆积的反应生成物不易侵入泵部。
(第四态样)真空泵系统可还包括等离子体产生部。等离子体产生部在捕集部的内部空间产生等离子体。由此，可在不进行真空泵系统的分解等的情况下执行去除真空泵系统中生成的反应生成物的清洁。
(第五态样)真空泵系统可还包括第一加热器。第一加热器对泵部进行加热。通过利用第一加热器对泵部进行加热，可抑制在泵部反应生成物堆积。
(第六态样)真空泵系统可还包括第二加热器。第二加热器对捕集部进行加热。由此，可通过利用第二加热器对捕集部的加热来去除在捕集部中堆积的反应生成物。
(第七态样)真空泵包括泵部及捕集部。泵部包含转子及收纳转子的定子。捕集部具有与定子的开口连接的内部空间。捕集部中堆积由通过泵部的吸气被导入内部空间的气体生成的反应生成物。在第七态样的真空泵中，在捕集部的内部空间反应生成物堆积，生成反应生成物后的气体由泵部排出。由此，在泵部中不易生成反应生成物。其结果，可降低泵部的清洁频率，因此第二真空泵的维护变得容易。另外，捕集部设置于定子的大开口处，因此即使在捕集部堆积很多反应生成物，泵部与内部空间之间的电导也不会降低，泵部对内部空间的吸气能力也不易降低。

Claims (7)

1.一种真空泵系统，其特征在于，包括：
第一真空泵；以及
第二真空泵，与所述第一真空泵的排气口连接，
所述第二真空泵包括：
泵部，具有转子；以及
捕集部，所述捕集部中堆积由通过所述泵部的吸气自所述排气口导入内部空间的气体生成的反应生成物。
2.根据权利要求1所述的真空泵系统，其中，还包括冷却所述捕集部的冷却部。
3.根据权利要求1或2所述的真空泵系统，其中所述捕集部配置于较所述泵部而言更靠铅垂方向下侧。
4.根据权利要求1或2所述的真空泵系统，其中，还包括在所述内部空间产生等离子体的等离子体产生部。
5.根据权利要求1或2所述的真空泵系统，其中，还包括对所述泵部进行加热的第一加热器。
6.根据权利要求1或2所述的真空泵系统，其中，还包括对所述捕集部进行加热的第二加热器。
7.一种真空泵，其特征在于，包括：
泵部，具有转子；以及
捕集部，所述捕集部中堆积由通过所述泵部的吸气导入内部空间的气体生成的反应生成物。
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