CN115332086A - 塑料通孔封装基板的晶圆级注塑方法及塑料通孔封装基板 - Google Patents

塑料通孔封装基板的晶圆级注塑方法及塑料通孔封装基板 Download PDF

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Abstract

本发明关于塑料通孔封装基板的晶圆级注塑方法及塑料通孔封装基板，涉及集成电路封装技术领域。该方法包括：在载板的上表面涂覆聚酰亚胺PI层；在PI层的上表面制备第一走线以及划片道铜线；在第一走线上制备至少一个铜柱结构；得到切割结构；对切割结构进行注塑处理，注塑层与铜柱结构的表面平齐；在铜柱结构的上表面制备第二走线，第二走线为铜制线路；对切割结构中的载板以及PI层进行减薄，露出第一走线，以得到注塑后的塑料通孔封装基板。通过灵活运用划片工艺，将再布线工艺、晶圆级TMV工艺与注塑工艺相结合，实现了无核TMV基板的晶圆级注塑成型，与传统压覆树脂膜方法相比，注塑方法层间结合强度将大大加强，有助于实现更高密度的电气互连。

Description

塑料通孔封装基板的晶圆级注塑方法及塑料通孔封装基板
技术领域
本发明涉及集成电路封装技术领域，特别涉及塑料通孔封装基板的晶圆级注塑方法。
背景技术
常规封装基板是用于芯片与印制电路板（Printed Circuit Board，PCB）之间进行一级互连的媒介。随着集成电路封装技术维度逐渐向着三维方向发展，封装基板的结构也被要求具有极多层、高密度、纵向传输、扇出等特点。目前，具有通孔的基板按材料可划分为硅通孔（Through Silicon Via，TSV）基板、塑料通孔TMV基板、玻璃通孔TGV基板等。
在相关技术中，与TSV、TGV基板刻蚀后电镀通孔的思路不同，TMV基板的通孔采用多次电镀叠加的方法。为了方便操作、简化工艺，金属线路之间的绝缘材料常用压覆树脂膜来实现，但树脂膜的操作压力小，基板层间容易发生开裂和分层的问题，这也导致了塑料基板因为翘曲严重而无法做到极多层。为了解决这一问题，通常使用有核塑料基板，即多层树脂中含有玻璃、硅、金属等刚性层作为核心的基板，其结构强度大，不易发生翘曲，可以实现极多层布线。在相关技术中，塑料封装常用的方法为注塑，也称模塑。通过较大的操作压力，可以有效增强层间结合力，有利于塑料基板实现极多层布线。为了提高生产效率，塑料基板大多采用晶圆级封装的方式。
然而，现有的塑料通孔封装技术，心材料需要耦合TSV、TGV等工艺用于连通上下树脂层布线，成本过高。且由于晶圆级注塑模具的尺寸与晶圆尺寸完全一致，常用于圆片重构工艺，对于已有的圆片无法进行注塑。例如，12英寸的圆片无法放置进入12英寸的注塑模具。因此，亟需开发一种适用于TMV基板的晶圆级注塑方法。
发明内容
本发明的目的在于克服已有技术中存在的不足，从而提供一种塑料通孔封装基板的晶圆级注塑方法，使得无核塑封基板方案与注塑工艺相兼容，解决无核塑封基本层间结合力弱、布线层数少的问题。
按照本发明提供的技术方案，一方面，提供了一种塑料通孔封装基板的晶圆级注塑方法，该方法包括：
步骤一，在载板的上表面涂覆聚酰亚胺（Polyimide，PI）层；
步骤二，在PI层的上表面制备第一走线以及划片道铜线，第一走线为铜制线路，划片道铜线用于框定塑料封装基板的尺寸；
步骤三，在第一走线上制备至少一个铜柱结构；
步骤四，基于划片道铜线对载板进行切割，得到切割结构；
步骤五，对切割结构进行注塑处理，得到注塑层，注塑层的上顶面与铜柱结构的上表面平齐；
步骤六，在铜柱结构的上表面制备第二走线，第二走线为铜制线路；
步骤七，对切割结构中的载板以及PI层进行减薄，露出第一走线，以得到注塑后的塑料通孔封装基板。
另一方面，提供了一种塑料通孔封装基板，该塑料孔封装基本由上述塑料通孔封装基板的晶圆级注塑方法制备得到，该塑料通孔封装基板包括第一走线、第二走线、铜柱结构；
第一走线位于基板的第一表面，第二走线位于基板的第二表面；
第一走线与第二走线通过铜柱结构连接；
第一走线以及铜柱结构被注塑层包裹；
第二走线被PI层包裹。
本发明提供的技术方案带来的有益效果至少包括：
通过灵活运用划片工艺，将晶圆级再布线工艺、晶圆级TMV工艺与注塑工艺相结合，实现了无核TMV基板的晶圆级注塑成型，与传统压覆树脂膜方法相比，注塑方法层间结合强度将大大加强，有助于实现更高密度的电气互连。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明提供的一种塑料通孔封装基板的结构示意图。
图2为本发明提供的一种塑料通孔封装基板的晶圆级注塑方法的流程示意图。
图3为本发明提供的一种制备第一走线过程的封装基板截面示意图。
图4为本发明提供的一种植被铜制结构过程的封装基板截面示意图。
图5为本发明提供的一种划片工序过程的封装基板截面示意图。
图6为本发明提供的一种实现注塑工序后的封装基板截面示意图。
图7为本发明提供的一种制备第二走线过程的封装基板截面示意图。
图8为本发明提供的一种带有划片道铜线的封装基板的俯视示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。
本发明用于制造一种塑料通孔封装基板。图1示出了本发明提供的一种塑料通孔封装基板的结构示意图，请参考图1，该塑料通孔封装基板包括第一走线10、第二走线20以及铜柱结构101；第一走线10位于基板的第一表面，第二走线20位于基板的第二表面。第一走线10与第二走线20通过铜柱结构101连接。第一走线10以及铜柱结构101被注塑层14包裹，第二走线20被PI层21包裹。在如图1所示的结构中，第一走线10与第二走线20分别位于基板的两面，并且通过封装基板内的铜柱结构101进行电性连接，且整体均被注塑层14以及PI层21所包裹，在于其他电气元件连接后，可以执行对应的功能。对应的，结构中还包括部分划片道铜线13。
图2为本发明提供的一种塑料通孔封装基板的晶圆级注塑方法的流程示意图，该方法用于制备如图1所示的塑料通孔封装基板，该方法包括：
步骤一，在载板的上表面涂覆PI层。
在本发明实施例中，请参考图3，载板11即可实现为硅晶圆，在载板11上方涂覆PI材料12之后，PI树脂即可实现增强后续制备的第一走线10与载板11之间的结合力。
步骤二，在PI层的上表面制备第一走线以及划片道铜线。
在本发明实施例中，第一走线为铜制线路，划片道铜线用于框定塑料封装基板的尺寸。
在本发明实施例中，制备第一走线以及划片道铜线的过程可以实现为多种不同工艺的组合。在一个示例中，该过程包括溅射过程、光刻过程、电镀过程以及湿法过程。溅射过程即为在PI层上方溅射一层钛种子层，或铜种子层；光刻过程即为旋涂一层Photoresist负性光刻胶，经过显影处理获得第一走线铜线路10和外围划片道13的开口区域；电镀过程即为在光刻过程得到的开口区域中形成与第一走线对应的线路以及划片道铜线；湿法过程即为取出多余的前置材料，仅留下第一走线以及划片道铜线突出于PI层的上表面的过程。在制备第一走线以及划片道铜线后，方案的实现情况如图3所示。在本申请实施例中，PI层的厚度为5μm~15μm。
步骤三，在第一走线上制备至少一个铜柱结构。
请参考图4，在本发明实施例中铜柱结构101仍然由步骤二所示的溅射过程、光刻过程、电镀过程以及湿法过程得到，可选地，在该过程中，采用的光刻胶的厚度不同。在本发明实施例中，铜柱101的作用是连接第一走线10以及第二走线，使得第一走线10与第二走线之间形成相互垂直的通路。
步骤四，基于划片道铜线对载板进行切割，得到切割结构。
在本发明实施例中，由于技术限制，无法直接对于与载板相同大小的原片进行注塑，故请参考图5，需要基于划片道铜线13对于载板11进行切割，得到切割结构。在本发明实施例中，前述过程中制备得到的铜柱结构101以及第一走线10均未被切除。在本申请实施例中，注塑层选用的注塑材料为环氧树脂，填料尺寸可以为25μm，或，55μm，或，75μm。
步骤五，对切割结构进行注塑处理，得到注塑层。
在本发明实施例中，注塑层的上顶面与铜柱结构的上表面平齐。
在本发明实施例中，注塑是塑料封装常用的方法，用于有效增强层间结合力，同时也有利于塑料基板实现极多层布线。经过注塑处理后，即如图6所示，得到注塑层14，该注塑层14覆盖载板11、PI材料12，第一走线10以及铜柱结构101，且注塑层14的上表面与铜柱结构101的顶面平齐，以用于铺设第二走线。
步骤六，在铜柱结构的上表面制备第二走线，第二走线为铜制线路。
在本发明实施例中，第二走线20的制备方式与第一走线10的制备方式相同，在此不做赘述。在一个示例中，请参考图7，第一走线10与第二走线20的布线结构相同，在另一个示例中，第一走线10与第二走线20的布线结构不同，本发明对于第一走线10与第二走线20之间的对应关系不做限定。
可选地，请参考图7，在制备第二走线后，额外在第二走线的表面进行PI层21的涂覆。
步骤七，对切割结构中的载板以及PI层进行减薄，露出第一走线，以得到注塑后的塑料通孔封装基板。
在本发明实施例中，请参考图1，载板以及PI层被取出，第一走线10突出于注塑层14所在的位置，此时，第一走线10即位于基板的第一表面，第二走线20即位于基板的第二表面。注塑层14与第一走线10和第二走线20结合，即实现为基板。
综上所述，本发明实施例提供的方法，通过灵活运用划片工艺，将晶圆级再布线工艺、晶圆级TMV工艺与注塑工艺相结合，实现了无核TMV基板的晶圆级注塑成型，与传统压覆树脂膜方法相比，注塑方法层间结合强度将大大加强，有助于实现更高密度的电气互连。
在一个可选的实施例中，第一走线以及第二走线实现为单层再布线结构；或，第一走线以及第二走线实现为多层再布线结构。
在本发明实施例中，第一走线底部可用于植球后与印制电路版倒装互连；可以将顶部PI树脂光刻开口露出第二走线顶部，用于功能芯片与此基板倒装互连。第一走线和第二走线结构可以根据互连功能需求做成单层或多层再布线结构。
在一个可选的实施例中，请参考图8，载板11为圆形载板，划片道铜线13的排列形状为八边形；
对应此情况，在一个示例中，步骤四的过程实现为：通过刀片沿划片道铜线对载板进行切割，得到切割结构，切割结构为八边形，八边形的直径比载板的直径小5mm。
在另一个示例中，步骤四的过程实现为：通过激光参照划片道铜线对载板进行切割，得到切割结构，切割结构为圆形，圆形的直径比载板的直径小5mm。
在一个可选地实施例中，步骤1的过程实现为：通过旋涂的方式，在载板的上表面涂覆PI层并固化。在本申请实施例中，固化过程实现为通过烘箱进行烘烤。在一个示例中，固化过程的烘干温度为230℃，烘干时间为2小时。
在一个可选的实施例中，步骤5的过程实现为：对切割结构进行注塑处理，得到注塑体；对注塑体进行研磨，以使铜柱结构的上表面露出，得到注塑层。
在一个可选的实施例中，铜柱结构为多层铜柱结构。在此情况下，当前一层铜柱结构的上表面露出时，在铜柱结构上方堆叠新一层铜柱结构。当铜柱结构堆叠完成时，对切割结构进行重复划片与注塑。
需要说明的是，在上述实施例中，第一走线、第二走线以及铜柱结构的制备工艺包括溅射、光刻、电镀及湿法过程。其中，光刻过程选用的光刻胶为Photoresist负性光刻胶；在第一走线与第二走线的制备工艺中，Photoresist负性光刻胶的旋涂高度高于第一走线结构以及第二走线结构至少5μm；在铜柱结构的制备过程中，Photoresist负性光刻胶的旋涂高度高于铜柱结构至少20μm。
上述仅为本发明的可选实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种塑料通孔封装基板的晶圆级注塑方法，其特征在于，所述方法应用于制备塑料通孔封装基板的过程中，所述方法包括：
步骤一，在载板的上表面涂覆聚酰亚胺PI层；
步骤二，在所述PI层的上表面制备第一走线以及划片道铜线，所述第一走线为铜制线路，所述划片道铜线用于框定所述塑料封装基板的尺寸；
步骤三，在所述第一走线上制备至少一个铜柱结构；
步骤四，基于所述划片道铜线对所述载板进行切割，得到切割结构；
步骤五，对所述切割结构进行注塑处理，得到注塑层，所述注塑层的上顶面与所述铜柱结构的上表面平齐；
步骤六，在所述铜柱结构的上表面制备第二走线，所述第二走线为铜制线路；
步骤七，对所述切割结构中的所述载板以及所述PI层进行减薄，露出所述第一走线，以得到注塑后的塑料通孔封装基板。
2.根据权利要求1所述的塑料通孔封装基板的晶圆级注塑方法，其特征在于，所述第一走线以及所述第二走线实现为单层再布线结构；或，所述第一走线以及所述第二走线实现为多层再布线结构。
3.根据权利要求1所述的塑料通孔封装基板的晶圆级注塑方法，其特征在于，所述载板为圆形载板，所述划片道铜线的排列形状为八边形；
所述基于所述划片道铜线对所述载板进行切割，得到切割结构，包括：
通过刀片沿所述划片道铜线对所述载板进行切割，得到所述切割结构，所述切割结构为八边形，所述八边形的直径比所述载板的直径小5mm。
4.根据权利要求3所述的塑料通孔封装基板的晶圆级注塑方法，其特征在于，所述基于所述划片道铜线对所述载板进行切割，得到切割结构，包括：
通过激光参照所述划片道铜线对所述载板进行切割，得到所述切割结构，所述切割结构为圆形，所述圆形的直径比所述载板的直径小5mm。
5.根据权利要求1所述的塑料通孔封装基板的晶圆级注塑方法，其特征在于，所述在载板的上表面涂覆PI层，包括：
通过旋涂的方式，在所述载板的上表面涂覆PI层并固化。
6.根据权利要求1所述的塑料通孔封装基板的晶圆级注塑方法，其特征在于，所述对所述切割结构进行注塑处理，得到注塑层，包括：
对所述切割结构进行注塑处理，得到注塑体；
对所述注塑体进行研磨，以使所述铜柱结构的上表面露出，得到所述注塑层。
7.根据权利要求6所述的塑料通孔封装基板的晶圆级注塑方法，其特征在于，所述铜柱结构为多层铜柱结构；
所述方法还包括：
当前一层所述铜柱结构的上表面露出时，在所述铜柱结构上方堆叠新一层铜柱结构；
当所述铜柱结构堆叠完成时，对所述切割结构进行重复划片与注塑。
8.根据权利要求1所述的塑料通孔封装基板的晶圆级注塑方法，其特征在于，所述第一走线、所述第二走线以及所述铜柱结构的制备工艺包括溅射、光刻、电镀及湿法过程。
9.根据权利要求8所述的塑料通孔封装基板的晶圆级注塑方法，其特征在于，所述光刻过程选用的光刻胶为Photoresist负性光刻胶；
在所述第一走线与所述第二走线的制备工艺中，所述Photoresist负性光刻胶的旋涂高度高于所述第一走线结构以及所述第二走线结构至少5μm；
在所述铜柱结构的制备过程中，所述Photoresist负性光刻胶的旋涂高度高于所述铜柱结构至少20μm。
10.一种塑料通孔封装基板，其特征在于，所述塑料通孔封装基板由如权利要求1至9任一所述的塑料通孔封装基板的晶圆级注塑方法制备得到，所述塑料通孔封装基板包括第一走线、第二走线、铜柱结构；
所述第一走线位于所述基板的第一表面，所述第二走线位于所述基板的第二表面；
所述第一走线与所述第二走线通过所述铜柱结构连接；
所述第一走线以及所述铜柱结构被注塑层包裹；
所述第二走线被PI层包裹。
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