CN115331704A - 磁记录介质、磁记录介质的制造方法及磁存储装置 - Google Patents

磁记录介质、磁记录介质的制造方法及磁存储装置 Download PDF

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CN115331704A
CN115331704A CN202210479550.0A CN202210479550A CN115331704A CN 115331704 A CN115331704 A CN 115331704A CN 202210479550 A CN202210479550 A CN 202210479550A CN 115331704 A CN115331704 A CN 115331704A
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福岛隆之
茂智雄
梅本裕二
丹羽和也
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Abstract

本发明的课题在于提供能够在磁记录层的表层及其附近包含具有微细的结晶粒径的磁性粒子的磁记录介质。本发明涉及的磁记录介质具备基板以及包含具有L10结构的磁性粒子的磁记录层，上述磁记录层进行(001)取向，上述磁记录层的生长面具有(001)面、(111)面及其等效面，上述生长面中的(111)面及其等效面的面积比率(((111)面+(111)等效面)/((001)面+(111)面+(111)等效面)))为0.2～0.7。

Description

磁记录介质、磁记录介质的制造方法及磁存储装置
技术领域
本发明涉及磁记录介质、磁记录介质的制造方法以及磁存储装置。
背景技术
磁记录介质一般而言，依次层叠而具备基板和磁记录层。作为对于磁记录介质记录磁信息的方法，具有对于磁记录介质照射激光或微波以局部地降低顽磁力而进行记录的热辅助记录方式或微波辅助记录方式。这些辅助记录方式能够实现2Tbit/英寸2级的高面记录密度，由此伴随着磁记录介质的小型化，高记录密度化，作为能够提高存储容量的下一代记录方式而得以研究。
这样的辅助记录方式中，能够使用具备在室温下具有数十kOe的顽磁力的磁记录层的磁记录介质。因此，作为磁记录层所包含的磁性粒子，能够使用结晶磁各向异性常数(Ku)高的磁性粒子。作为Ku高的磁性粒子，已知具有7×106J/m3左右的Ku的FePt合金粒子，具有5×106J/m3左右的Ku的CoPt合金粒子等具有L10结构的磁性粒子。
作为具有包含Ku高的磁性粒子的磁记录层的磁记录介质，例如，公开了在基板上所形成的MgO基底层等多个基底层上，具备包含具有L10结构的FePt或CoPt作为主成分的磁性层的磁记录介质(例如，参照专利文献1)。
此外，报告了MgO上的FePt粒子在其侧面出现(111)面的晶面(例如，参照非专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2016-26368号公报
非专利文献
非专利文献1：PHYSICAL REVIEW APPLIED 9，034023(2018)
发明内容
发明所要解决的课题
在对于构成磁记录介质的磁记录层的磁性层写入信息的情况下，磁性层以磁性粒子单元进行磁化，因此为了提高磁记录介质的记录密度，将磁性粒子进行微细化是重要的。另一方面，磁性层在生长初始，磁性粒子的成核密度高，但是存在进入生长中期以后，磁性粒子彼此结合而成核密度降低，结晶粒径增大，磁性粒子粗大化这样的问题。
本发明的一方式的目的在于提供能够在磁记录层的表层及其附近包含具有微细的结晶粒径的磁性粒子的磁记录介质。
用于解决课题的方法
本发明涉及的磁记录介质的一方式具备基板，以及包含具有L10结构的磁性粒子的磁记录层，上述磁记录层进行(001)取向，上述磁记录层的生长面具有(001)面、(111)面及其等效面，上述生长面中的(111)面及其等效面的面积比率(((111)面+(111)等效面)/((001)面+(111)面+(111)等效面)))为0.2～0.7。
本发明涉及的磁记录介质的其它方式具备基板，以及包含具有L10结构的磁性粒子的磁记录层，上述磁记录层进行(001)取向，上述磁记录层的生长面具有(001)面、(111)面及其等效面，上述生长面中的Rku为4～5。
本发明涉及的磁记录介质的制造方法的一方式中，在基板上，使(001)面、(111)面及其等效面作为生长面形成包含具有L10结构的磁性粒子，且进行了(001)取向的磁记录层，使上述生长面中的(111)面及其等效面的面积比率(((111)面+(111)等效面)/((001)面+(111)面+(111)等效面)))为0.2～0.7，接着，在上述磁记录层上形成保护膜，将上述保护膜的表面进行研磨加工以使Rku成为2.5～3.5。
本发明涉及的磁记录介质的制造方法的其它方式中，在基板上，使(001)面、(111)面及其等效面作为生长面形成包含具有L10结构的磁性粒子，且进行了(001)取向的磁记录层，使上述生长面中的Rku为4～5，接着，在上述磁记录层上形成保护膜，将上述保护膜的表面进行研磨加工以使Rku为2.5～3.5。
发明的效果
根据本发明涉及的磁记录介质的一方式，能够在磁记录层的表层及其附近包含具有微细的结晶粒径的磁性粒子。
附图说明
图1为表示使具有L10结构的磁性粒子进行(001)取向时的结晶面的示意图。
图2为表示使用了具有L10结构的FePt合金的情况下的结晶形状(四棱锥台高度)与(111)面及其等效面的比率的关系的图。
图3为表示(111)面及其等效面的比率为0.2～0.7的区域的图。
图4为表示本实施方式涉及的磁记录介质的层构成的一例的图。
图5为表示使用了本发明的实施方式涉及的磁记录介质的磁存储装置的一例的立体图。
图6为表示磁头的一例的示意图。
符号的说明
1、101 磁记录介质
10 基板
20 基底层
30 磁记录层
100 磁存储装置
具体实施方式
以下，对于本发明的实施方式，进行详细地说明。另外，为了使说明的理解变得容易，在各附图中对于同一构成要素附上同一符号，而省略重复的说明。此外，附图中的各构件的比例尺有时与实际不同。在本说明书中，表示数值范围的“～”只要没有特别的规定，是指包含其前后所记载的数值作为下限值和上限值。
＜磁记录介质＞
本实施方式涉及的磁记录介质在基板上，具备包含作为具有L10结构的磁性材料的磁性粒子的磁记录层，磁记录层进行了(001)取向。通过使磁记录层所包含的具有L10结构的磁性粒子进行(001)取向，从而磁记录层获得高规则度。
本实施方式中，在使磁粒子以(001)取向生长时，以作为生长面具有(001)面、(111)面及其等效面的方式使其生长。
图1为表示使具有L10结构的磁性粒子进行(001)取向时的结晶面的示意图。如果以(001)面和(111)面也具有的方式使具有L10结构的磁性粒子生长，则成为图1所示那样的四棱锥台的结晶，作为(111)面的等效面，产生(-111)面、(1-11)面、(-1-11)面。如果以(001)面消失的方式使其生长，则结晶成为四棱锥。如果以(111)面消失的方式使其生长，则成为正方形的仅(001)面的平坦的结晶。
本实施方式中，生长面中的(111)面及其等效面的面积比率，即，将(111)面和(111)等效面的面积除以(001)面、(111)面和(111)等效面的合计面积的值优选为0.2～0.7，更优选为0.25～0.6，进一步优选为0.3～0.6。本实施方式中，通过使磁记录层所包含的磁性粒子具有如上述那样地构成，从而能够抑制磁性粒子彼此的结合，由此能够抑制磁性粒子的粗大化。因此，磁记录介质能够降低磁记录层所包含的磁性粒子的粒径的增大。
如果生长面中的(111)面及其等效面的面积比率为0.2以上，则与相邻的粒子的(001)面的距离变大，因此邻接的粒子的(001)面彼此的结合得以抑制。另一方面，如果生长面中的(111)面及其等效面的面积比率小于0.2，则相邻的磁性粒子与(001)面的距离接近，邻接的磁性粒子的(001)面彼此结合，磁性粒子易于粗大化。此外，如果生长面中的(111)面及其等效面的面积比率大于0.7，则生长面的凹凸变大，磁记录介质的表面平滑性恶化，由此磁头的上浮移动稳定性降低，电磁转换特性恶化。
例示本实施方式涉及的磁记录介质的制造方法的一例。
本实施方式涉及的磁记录介质中，例如，磁记录层所包含的磁性层包含使磁性粒子和其周围成为非磁性的晶界部的粒状结构，在磁性层的成膜时，通过逐渐降低晶界部的体积比率而能够实现。此外，可以使磁记录层为多层结构，逐渐降低各磁性层中的晶界部的体积比率。
此外，磁记录层可以具有多层结构，在各层的成膜工序之间包含真空加热工序。在具有L10结构的磁性粒子中，(111)面及其等效面为最密填充面，由此在真空中易于使结晶面变稀。因此，通过将磁性粒子的生长面进行真空加热，从而能够促进磁性粒子的生长。
面积比率能够通过将磁记录介质的截面利用TEM进行观察来计算。即，相对于基板面具有约53°的倾斜度的结晶面为(111)面及其等效面，相对于基板面水平的结晶面为(001)面，因此能够通过将截面利用TEM进行观察而算出其比例。
此外，生长面中的(111)面及其等效面与(001)面的比率还能够通过原子散射表面分析的方位角测定来测定。即，能够使测定试样以方位角方向进行旋转，计测每个角度的散射强度，由测定试样表面的轴方位、对称性了解各结晶面的比率。
图2表示作为具有L10结构的磁性粒子使用FePt合金的情况下的结晶形状(四棱锥台高度)与(111)面及其等效面的比率的关系。FePt合金的(111)面为底角53°，顶角74°的两等边三角形，因此在横轴为100％的情况下，结晶形状成为四棱锥，零的情况下成为平面(正方形)。
(111)面及其等效面的比率为0.2～0.7的范围在FePt合金的情况下，处于距离四棱锥下为大约10％～40％的位置(图3中，斜线部分)。由此，通过将磁记录介质的截面利用TEM进行观察以计测构成磁性粒子的四棱锥台的高度，从而能够算出面积比率。
此外，本实施方式涉及的磁记录介质还能够通过峰度(RKu)来规定。
即，本实施方式涉及的磁记录介质在基板上，具备包含具有L10结构的磁性粒子的磁记录层，该磁粒子进行(001)取向，作为其生长面具有(001)面、(111)面及其等效面。而且，磁性粒子使生长面中的Rku在4～5的范围内。
RKu表示磁性粒子所包含的结晶的面的凹凸的锐度。在面具有平均的锐度的情况下，Rku成为3(Rku＝3)，在如研磨面那样面没有锐度的情况下，RKu小于3(RKu＜3)，在面具有尖锐的凹凸的情况下，RKu超过3(RKu＞3)。
根据本申请发明人的研究，发现以具有(001)面、(111)面及其等效面的方式，使包含具有L10结构的磁性粒子的磁记录层进行(001)取向，使(111)面及其等效面的面积比率(((111)面+(111)等效面)/((001)面+(111)面+(111)等效面)))在0.2～0.7的范围内的情况下，其生长面的Rku成为4～5。
如果磁记录层所包含的磁性粒子的生长面中的RKu小于4，则磁性粒子彼此结合，磁性粒子粗大化。另一方面，如果磁性粒子的生长面中的RKu大于5，则磁记录层的表面变粗，磁记录介质的表面平滑性恶化，电磁转换特性恶化。
磁记录层的生长面中的RKu能够通过将磁记录介质的截面利用TEM进行观察来算出。此外，能够在磁记录介质的制造工艺中，取出形成磁记录层之后的样品，使用非接触粗糙度计等一般的粗糙度测定装置来测定其表面从而进行特定。
图4表示本实施方式涉及的磁记录介质的层构成的一例。如图4所示那样，磁记录介质1具有基板10、基底层20以及磁记录层30。
基板10可以使用磁记录介质中一般所使用的基板。作为基板10，例如，优选使用软化温度为500℃以上，优选为600℃以上的耐热玻璃基板。在制造磁记录介质1时，有时将基板10加热至500℃以上的温度，由此即使加热至500℃以上，也能够具有耐热玻璃基板。
基底层20如果能够为含有包含MgO的层，使具有磁记录层30所包含的L10结构的磁性粒子进行(001)取向，则可以成为包含其它层的多层结构。
基底层20优选包含NaCl型化合物，作为NaCl型化合物，除了MgO以外，可举出例如，TiO、NiO、TiN、TaN、HfN、NbN、ZrC、HfC、TaC、NbC、TiC等。它们可以单独使用一种，也可以并用二种以上。
磁记录层30包含具有L10结构的磁性粒子。作为具有L10结构的磁性粒子，可举出例如，FePt合金粒子、CoPt合金粒子等。
磁性粒子的粒径优选为3nm～10nm，更优选为4nm～7nm。另外，磁性粒子的粒径能够通过将平面利用TEM进行观察而测定。
磁性粒子间的距离优选为4nm～12nm，更优选为5nm～9nm。另外，所谓磁性粒子间的距离，是指相邻的磁性粒子的重心彼此之间的距离。磁性粒子间的距离能够通过将平面利用TEM进行观察而测定。
此外，磁记录层30可以具有包含晶界部的粒状结构。
在磁记录层30具有粒状结构的情况下，磁记录层30中的晶界部的含量优选为25体积％～50体积％，更优选为35体积％～45体积％。如果磁记录层30中的晶界部的含量在上述优选的范围内，则能够提高磁记录层30所包含的磁性粒子的各向异性。
这里，晶界部能够包含碳化物、氮化物、氧化物、硼化物等。具体而言，可举出BN、B4C、C、MoO3、GeO2等。
磁性粒子优选相对于基板10，进行c轴取向，即(001)取向。
磁记录层30的厚度优选为8nm～20nm，更优选为10nm～18nm，进一步优选为10nm～15nm。如果磁记录层30的厚度在上述优选的范围内，则实现高记录密度化。
另外，在本说明书中，所谓磁记录层30的厚度，是指与磁记录层30的主面垂直的方向的长度。磁记录层30的厚度例如，为在磁记录层30的截面，测定任意场所时的厚度。在磁记录层30的截面，在任意的场所测定数个场所的情况下，可以采用这些测定地的厚度的平均值。以下，其它层也能够使用与磁记录层30的厚度同样的测定方法。
磁记录层30能够在基底层20上通过溅射法等来形成。
磁记录层30可以包含1个磁性层，也可以将多个磁性层层叠来包含。在磁记录层30包含多个磁性层的情况下，各个磁性层可以使用同一种类的材料来形成，也可以使用不同种类的材料来形成。此外，各个磁性层彼此之间可以包含非磁性层。非磁性层可以使用磁记录介质所使用的一般的材料来形成。
磁记录介质1优选在磁记录层30上进一步具有保护层。
作为保护层，可举出例如，硬质碳膜等。
作为保护层的形成方法，可举出例如，将烃(原料气体)利用高频等离子体分解并成膜的RF-CVD(Radio Frequency-Chemical Vapor Deposition)法、利用由电子束放出的电子将原料气体离子化并成膜的IBD(Ion Beam Deposition)法、不使用原料气体，使用固体碳靶标并成膜的FCVA(Filtered Cathodic Vacuum Arc)法等。
保护层的厚度优选为1nm～6nm。如果保护层的厚度为1nm以上，则磁头的上浮特性变得良好，如果为6nm以下，则磁间隙变小，磁记录介质1的SNR(信号/噪声比(S/N比))提高。
磁记录介质1可以在保护层上进一步具有润滑剂层。
润滑剂层能够使用液体润滑剂层来形成。作为液体润滑剂，适合使用化学上稳定，低摩擦，且具有低吸附性的液体润滑剂，可举出包含具有全氟聚醚结构的化合物的全氟聚醚系润滑剂等氟树脂系润滑剂。
润滑剂层的厚度优选为1nm～3nm的范围内。
这样，本实施方式涉及的磁记录介质在基板上，具备包含作为具有L10结构的磁性材料的磁性粒子的磁记录层，该磁记录层采用(001)取向。而且，磁记录层的生长面具有(001)面、(111)面及其等效面，生长面中的(111)面及其等效面的面积比率为0.2～0.7。由此，磁记录层从生长初始直至生长后期，抑制磁性粒子彼此的结合，由此能够抑制结晶粒径的增大，抑制磁性粒子的粗大化。因此，能够将作为磁性粒子的生长后期的磁记录层的表层(上层)及其附近的区域所存在的磁性粒子的结晶粒径与作为磁性粒子的生长初始的磁记录层的下层及其附近的区域所存在的磁性粒子的结晶粒径维持成大致相同大小。由此，本实施方式涉及的磁记录介质能够在磁记录层上层及其附近的区域包含具有微细的结晶粒径的磁性粒子。
本实施方式涉及的磁记录介质通过使磁记录层的表层及其附近所存在的磁性粒子的结晶粒径变得微细，从而能够提高磁记录层的生长面的表面平滑性，由此能够发挥提高记录密度等优异的电磁转换特性。
本实施方式涉及的磁记录介质在基板上具备包含作为具有L10结构的磁性材料的磁性粒子的磁记录层，该磁记录层采用(001)取向。而且，磁记录层的生长面具有(001)面、(111)面及其等效面，使生长面中的Rku为4～5。在该情况下，与上述同样，能够将作为磁性粒子的生长后期的磁记录层的表层(上层)及其附近的区域所存在的磁性粒子的结晶粒径与作为磁性粒子的生长初始的磁记录层的下层及其附近的区域所存在的磁性粒子的结晶粒径维持成大致相同大小。由此，本实施方式涉及的磁记录介质能够在磁记录层上层及其附近的区域包含具有微细的结晶粒径的磁性粒子。本实施方式涉及的磁记录介质能够提高磁记录层的生长面的表面平滑性，由此能够发挥提高记录密度等优异的电磁转换特性。
本实施方式涉及的磁记录介质能够使磁性粒子的结晶粒径为8nm以下，包含选自由FePt、CoPt、FePd和CoPd所组成的组中的至少一种成分。由此，本实施方式涉及的磁记录介质通过使磁性粒子的结晶粒径变得微细，从而能够提高磁特性。由此，本实施方式涉及的磁记录介质能够进一步具有高记录密度。
本实施方式涉及的磁记录介质的制造方法在基板上，使(001)面、(111)面及其等效面作为生长面形成包含具有L10结构的磁性粒子，且进行了(001)取向的磁记录层，使生长面中的(111)面及其等效面的面积比率为0.2～0.7。而且，在磁记录层上形成保护膜，将保护膜的表面进行研磨加工以使Rku成为2.5～3.5。由此，在磁记录层的形成时，从磁性粒子的生长初始直至生长后期，抑制磁性粒子彼此的结合，从而能够抑制结晶粒径的增大，抑制磁性粒子的粗大化。因此，能够将作为磁性粒子的生长后期的磁记录层的表层(上层)及其附近的区域所存在的磁性粒子的结晶粒径与作为磁性粒子的生长初始的磁记录层的下层及其附近的区域所存在的磁性粒子的结晶粒径维持成大致相同大小。由此，根据本实施方式涉及的磁记录介质的制造方法，磁记录层上层及其附近的区域所存在的磁性粒子的结晶粒径变小，磁性粒子能够变得微细。由于能够提高所得的磁记录层的生长面的表面平滑性，因此能够获得具有提高记录密度等优异的电磁转换特性的磁记录介质。
本实施方式涉及的磁记录介质的制造方法中，在基板上，使(001)面、(111)面及其等效面作为生长面形成包含具有L10结构的磁性粒子，且进行了(001)取向的磁记录层，使生长面中的Rku为4～5。而且，在磁记录层上形成保护膜，将保护膜的表面进行研磨加工以使Rku为2.5～3.5。在该情况下，与上述同样，能够将作为磁性粒子的生长后期的磁记录层的表层(上层)及其附近的区域所存在的磁性粒子的结晶粒径与作为磁性粒子的生长初始的磁记录层的下层及其附近的区域所存在的磁性粒子的结晶粒径维持成大致相同大小。由此，根据本实施方式涉及的磁记录介质的制造方法，磁记录层上层及其附近的区域所存在的磁性粒子的结晶粒径变小，磁性粒子能够变得微细。由于能够提高所得的磁记录层的生长面的表面平滑性，因此能够获得具有提高记录密度等优异的电磁转换特性的磁记录介质。
本实施方式涉及的磁记录介质通过具有上述那样的特性，从而磁头与磁记录介质的距离变窄，即使磁头的上浮量进一步变小，也能够一边降低与磁头4的碰撞一边使用。由此，磁记录再生装置1能够适合用于进一步具有高记录密度的磁记录再生装置。
另外，磁记录介质1中，除了保护层和润滑剂层以外，可以适当包含任意的层。例如，磁记录介质1可以在基板10与磁记录层30之间，根据需要适当具备密合层、软磁性基底层、取向控制层等。软磁性基底层例如，可以包含第1软磁性层、中间层和第2软磁性层而构成。取向控制层可以为1层，也可以为2层(例如，第1取向控制层、第2取向控制层等)以上。形成密合层、软磁性基底层、取向控制层等的材料能够使用磁记录介质所使用的一般的材料。
[磁存储装置]
对于具备本实施方式涉及的磁记录介质的磁存储装置进行说明。本实施方式涉及的磁存储装置如果具有本实施方式涉及的磁记录介质，则形态没有特别限定。另外，这里，对于磁存储装置使用热辅助记录方式将磁信息记录于磁记录介质的情况进行说明。
本实施方式涉及的磁存储装置例如，能够具有：使本实施方式涉及的磁记录介质旋转的磁记录介质驱动部；在前端部设置有近场光产生元件的磁头；用于使磁头移动的磁头驱动部；以及记录再生信号处理部。
磁头为热辅助记录方式的磁头，例如，具有产生激光，加热磁记录介质的激光产生部以及将由激光产生部产生的激光导入直至近场光产生元件的波导路。
图5为表示使用了本实施方式涉及的磁记录介质的磁存储装置的一例的立体图。如图5所示那样，磁存储装置100能够具有：磁记录介质101、用于使磁记录介质101旋转的磁记录介质驱动部102、前端部具备有近场光产生元件的磁头103、用于使磁头103移动的磁头驱动部104以及记录再生信号处理部105。磁记录介质101使用上述本实施方式涉及的磁记录介质1。
图6为表示磁头103的一例的示意图。如图6所示那样，磁头103具有记录头110以及再生头120。
记录头110具有主磁极111、辅助磁极112、产生磁场的线圈113、作为激光产生部的激光二极管(LD)114以及将由LD114产生的激光L传送直至近场光产生元件115的波导路116。
再生头120具有屏蔽121以及被屏蔽121夹持的再生元件122。
如图6所示那样，磁存储装置100将磁记录介质101的中心部安装于主轴电动机的旋转轴，一边磁头103上浮移动至通过主轴电动机被旋转驱动的磁记录介质101的面上，一边对于磁记录介质101进行信息的写入或读出。
本实施方式涉及的磁存储装置100通过磁记录介质101使用本实施方式涉及的磁记录介质1，从而能够将磁记录介质101进行高记录密度化，因此能够提高记录密度。
另外，磁存储装置中，可以将磁头103替换为热辅助记录方式的磁头，使用微波辅助记录方式的磁头。
实施例
以下，显示实施例和比较例，进一步具体地说明实施方式，实施方式并不限定于这些实施例和比较例。
＜磁记录介质的制造＞
[实施例1]
在露出了(100)面的MgO单晶基板上，作为基底层，依次形成厚度100nm的Cr-50at％Ti合金层和厚度30nm的Co-27at％Fe-5at％Zr-5at％B合金层。接下来，在将玻璃基板加热直至250℃之后，依次形成厚度10nm的Cr层和厚度5nm的MgO-C层。接下来，将MgO单晶基板加热直至450℃之后，作为磁记录层，成膜为厚度1nm的FePt―40mol％C(第1磁性层)。接下来，将基板在650℃，在10-5Pa的高真空中进行退火20秒之后，成膜为厚度2nm的FePt―40mol％C(第2磁性层)。然后，成膜为厚度3nm的FePt-16SiO2(第3磁性层)、厚度2nm的FePt-25BN(第4磁性层)，将基板在550℃以3Pa退火20秒之后，成膜为厚度5nm的FePt-16SiO2(第5磁性层)。
然后，测定磁记录层的表面(第5磁性层的表面)的、磁性粒子的平均粒径、接近的磁性粒子彼此之间的平均距离(磁性粒子间距离)、(111)面及其等效面的面积比率(((111)面+(111)等效面)/((001)面+(111)面+(111)等效面)))以及RKu。
然后，作为保护层，形成厚度3nm的碳膜。然后，使用粘着有平均粒径1μm的氧化铝磨粒的氧化铝带，将保护层的表面进行研磨加工。研磨加工的条件是使基板的转速为500转/分钟，氧化铝带对于基板的的按压力为0.1MPa，研磨时间为3秒。然后，测定将保护层的表面进行研磨加工之后的RKu。
将磁记录层的表面的、结晶粒径、磁性粒子彼此间距离、(111)面及其等效面的面积比率、RKu以及保护层表面的研磨加工后的RKu的测定结果显示于表1中。
[实施例2～11、比较例1～7]
实施例1中，将磁记录介质的制作条件如表1所示那样变更，制造磁记录介质进行评价，除此以外，与实施例1同样地操作来进行。将磁记录层的表面的、结晶粒径、磁性粒子彼此间距离、(111)面及其等效面的面积比率、RKu以及保护层表面的研磨加工后的RKu的测定结果显示于表1中。
[表1]
Figure BDA0003627168690000121
由表1，实施例1～实施例11中，第5磁性层的表层的磁性粒子的结晶粒径为8.7nm以下。另一方面，比较例1～7中，第5磁性层的表层的磁性粒子的结晶粒径为9.3nm以上。
由此，实施例1～实施例11的磁记录介质与比较例1～7的磁记录介质不同，使磁记录层表面的、(111)面及其等效面的面积比率为23％～63％。由此，实施例1～实施例11的磁记录介质能够减小磁性记录层的第5磁性层的表层及其附近所包含的磁性粒子的粒径。由此，可以说实施例1～实施例11的磁记录介质通过用于磁存储装置，从而能够发挥优异的电磁转换特性。
如以上那样，说明了实施方式，但是上述实施方式为作为例子来提示，本发明并不限定于上述实施方式。上述实施方式能够以其它各种形态来实施，在不脱离发明的主旨的范围内，能够进行各种组合、省略、置换、变更等。这些实施方式、其变形包含于发明的范围、主旨中，并且包含于权利要求所记载的发明和其均等的范围内。

Claims (6)

1.一种磁记录介质，其具备：
基板，以及
包含具有L10结构的磁性粒子的磁记录层，
所述磁记录层进行(001)取向，
所述磁记录层的生长面具有(001)面、(111)面及其等效面，
所述生长面中的(111)面及其等效面的面积比率，即((111)面+(111)等效面)/((001)面+(111)面+(111)等效面))为0.2～0.7。
2.一种磁记录介质，其具备：
基板，以及
包含具有L10结构的磁性粒子的磁记录层，
所述磁记录层进行(001)取向，
所述磁记录层的生长面具有(001)面、(111)面及其等效面，
所述生长面中的Rku为4～5。
3.根据权利要求1或2所述的磁记录介质，
所述磁性粒子的结晶粒径为8nm以下，且包含选自由FePt、CoPt、FePd和CoPd所组成的组中的至少一种成分。
4.一种磁记录介质的制造方法，其中，
在基板上，使(001)面、(111)面及其等效面作为生长面形成包含具有L10结构的磁性粒子，且进行了(001)取向的磁记录层，使所述生长面中的(111)面及其等效面的面积比率，即((111)面+(111)等效面)/((001)面+(111)面+(111)等效面))为0.2～0.7，
接着，在所述磁记录层上形成保护膜，将所述保护膜的表面进行研磨加工以使Rku成为2.5～3.5。
5.一种磁记录介质的制造方法，其中，
在基板上，使(001)面、(111)面及其等效面作为生长面形成包含具有L10结构的磁性粒子，且进行了(001)取向的磁记录层，使所述生长面中的Rku为4～5，
接着，在所述磁记录层上形成保护膜，将所述保护膜的表面进行研磨加工以使Rku为2.5～3.5。
6.一种磁存储装置，其具备权利要求1～3中任一项所述的磁记录介质。
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