CN115206349A - 磁记录介质的制造方法、磁记录介质及磁存储装置 - Google Patents

磁记录介质的制造方法、磁记录介质及磁存储装置 Download PDF

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CN115206349A CN202210330080.1A CN202210330080A CN115206349A CN 115206349 A CN115206349 A CN 115206349A CN 202210330080 A CN202210330080 A CN 202210330080A CN 115206349 A CN115206349 A CN 115206349A
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黑川刚平
张磊
福岛隆之
茂智雄
齐藤伸
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Abstract

本发明的课题在于提供能够具有结晶取向性高，缺陷少的磁性层的磁记录介质的制造方法。本发明涉及的磁记录介质的制造方法包括下述工序：对于基板的表面，使用包含氧化镁的靶标，通过溅射法，形成氧化镁基底层的工序；以及在上述氧化镁基底层的表面侧形成磁性层的工序，在上述形成氧化镁基底层时，将上述包含氧化镁的靶标加热至600℃以上。

Description

磁记录介质的制造方法、磁记录介质及磁存储装置
技术领域
本发明涉及磁记录介质的制造方法、磁记录介质以及磁存储装置。
背景技术
磁记录介质一般而言，通过在基板上，依次层叠基底层、磁性层和保护层来制造。作为在磁记录介质上记录磁信息的方法，有通过对于磁记录介质照射激光等以将磁性层表面局部地加热，从而使磁性层的顽磁力降低以记录磁信息的热辅助记录方式。热辅助记录方式能够实现1Tbit/英寸2级的面记录密度，因此作为伴随着磁记录介质的小型化、高记录密度化，能够提高存储容量的下一代的磁记录方式得以研究。
作为能够用于热辅助记录方式的磁记录介质，例如，公开了一种磁记录介质，其由基板、形成于基板上的多个基底层以及将具有L10结构的合金作为主成分的磁性层形成，多个基底层包含NiO基底层和取向控制层(例如，参照专利文献1)。该磁记录介质中，取向控制层包含由BCC结构的合金形成的基底层以及具有NaCl结构的MgO等的基底层，使NiO基底层采取(100)取向。
作为磁记录介质的磁性层，在使用具有L10结构的FePt合金的情况下，作为磁性层的结晶取向面使用(001)面。为了使FePt合金进行(001)取向，作为基底层，一般而言，往往使用进行了(100)取向的MgO。即，MgO的(100)面与FePt合金的(001)面的晶格整合性高，因此通过在MgO层的上方，成膜为包含FePt合金的磁性层，从而易于使FePt合金进行(001)取向。此外，专利文献1的磁记录介质中，也使NiO基底层采取(100)取向，因此作为取向控制层的基底层，使用MgO。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2016-026368号公报
发明内容
发明所要解决的课题
在取向控制层的形成使用MgO的情况下，MgO层的形成一般而言使用溅射法，但是MgO的熔点高，因此烧结性差。如果使用烧结性差的靶标，通过溅射法形成MgO层，则在靶标表面发生异常放电(电弧)而靶标表面熔融和飞散，由此存在易于产生溅射粉尘这样的问题。由于该溅射粉尘，MgO层的结晶取向性降低，并且MgO层易于产生缺陷。因此，形成于MgO层上的磁性层的结晶取向性降低，并且磁性层内产生缺陷的可能性变高。
本发明的一方式的目的在于提供能够具有结晶取向性高，缺陷少的磁性层的磁记录介质，具备上述磁记录介质的磁存储装置以及上述磁记录介质的制造方法。
用于解决课题的方法
本发明涉及的磁记录介质的制造方法的一方式包括下述工序：对于基板的表面使用包含氧化镁的靶标，通过溅射法，形成氧化镁基底层的工序；以及在上述氧化镁基底层的表面侧形成磁性层的工序，在形成上述氧化镁基底层时，将上述包含氧化镁的靶标加热至600℃以上。
本发明的一方式涉及的磁记录介质具备：氧化镁基底层；以及包含具有L10结构的FePt合金的磁性层，上述氧化镁基底层包含氧化镁，上述氧化镁利用XPS测定时的O1s光谱的峰为531eV～533eV。
发明的效果
根据本发明的一方式，能够具有结晶取向性高，缺陷少的磁性层。
附图说明
图1为表示本发明的实施方式涉及的磁记录介质的构成的一例的截面图。
图2为表示本发明的实施方式涉及的磁记录介质的制造方法的一工序的说明图。
图3为表示本发明的实施方式涉及的磁记录介质的制造方法的其它工序的说明图。
图4为表示MgO靶标的靶标温度与室内产生的溅射粉尘的量的关系的一例的图。
图5为由XPS测定的氧化镁膜的O1s光谱。
图6为表示本发明的实施方式涉及的磁记录介质的制造方法的其它工序的说明图。
图7为表示使用了本发明涉及的实施方式涉及的磁记录介质的磁存储装置的一例的立体图。
图8为表示磁头的一例的示意图。
具体实施方式
以下，对于本发明的实施方式进行详细地说明。另外，为了使说明的理解变得容易，在各附图中对于同一构成要素附上同一符号，省略重复的说明。此外，有时附图中的各构件的比例尺与实际上不同。在本说明书中，表示数值范围的“～”只要没有特别规定，表示包含其前后所记载的数值作为下限值和上限值。
对于本实施方式涉及的磁记录介质的制造方法进行说明。对于本发明的实施方式涉及的磁记录介质的制造方法进行说明时，对于通过本实施方式涉及的磁记录介质的制造方法获得的磁记录介质进行说明。
[磁记录介质]
图1为表示本实施方式涉及的磁记录介质的构成的一例的截面图。如图1所示那样，磁记录介质1从基板10侧依次层叠而具备基板10、基底层20、包含具有L10结构的合金的磁性层30。
另外，本说明书中，将磁记录介质1的厚度方向(垂直方向)设为Z轴向，将与厚度方向正交的横向(水平方向)设为X轴向。将Z轴向的磁性层30侧设为+Z轴向，将基板10侧设为-Z轴向。以下说明中，为了说明的方便，将+Z轴向称为上或上方，将-Z轴向称为下或下方，但是并不表示普遍的上下关系。
图1中，在基板10的上方仅显示基底层20和磁性层30，但是磁记录介质1在基板10的下方，也从基板10侧依次层叠而具备基底层20和磁性层30。
磁记录介质1能够在基板10的上下两面上，具有基底层20和磁性层30，将信息记录(两面记录)于基板10的上下两面，但是可以仅在基板10的上面或下面的一面具有基底层20和磁性层30，能够将信息仅记录(单面记录)于基板10的单面。
构成基板10的材料只要为能够用于磁记录介质的材料，就能够没有特别限定地使用。作为构成基板10的材料，可举出例如，AlMg合金等Al合金、钠玻璃、硅铝酸盐系玻璃、无定形玻璃类、硅、钛、陶瓷、蓝宝石、石英、树脂等。这些之中，优选为Al合金、结晶玻璃，无定形玻璃等玻璃。
基底层20具备作为第1基底层的氧化镁(MgO)基底层21，可以具备第2基底层22。基底层20将MgO基底层(第1基底层)21和第2基底层22，从基板10侧以第2基底层22和MgO基底层21的顺序层叠而具备。
MgO基底层21设置于第2基底层22的上方。MgO基底层21优选成为基底层20的最上层(距离基板10最远的层)，优选包含MgO，实质上来自MgO，更优选仅由MgO形成。所谓“实质上”，是指除了MgO以外，可以包含制造过程中不可避免地可能包含的不可避免的杂质。
本实施方式中，MgO基底层21与第1磁性层31相接，因此MgO的(100)面与第1磁性层31所包含的、具有L10结构的磁性合金的(001)面易于晶格整合，因此能够提高磁性合金的结晶取向性。
MgO基底层21如后述那样，通过溅射法(sputtering method)，在规定的条件下进行成膜而形成。MgO基底层21具有531eV～533eV由X射线光电子分光法(XPS)测定时所检测到的MgO的O1s光谱的峰。对于MgO基底层21的制造条件、特性的详细情况进行后述。
第2基底层22设置于基板10的上方。
作为构成第2基底层22的材料，只要能够使第1磁性层31(001)取向，就没有特别限定，可举出例如，进行了(100)取向的W、Cr、具有BCC结构的Cr合金、具有B2结构的合金等。
作为具有BCC结构的Cr合金，可举出例如，CrMn合金、CrMo合金、CrW合金、CrV合金、CrTi合金、CrRu合金等。
作为具有B2结构的合金，可举出例如，RuAl合金、NiAl合金等。
另外，基底层20的层叠数没有特别限定，可以分别为3层以上。
在基底层20的层叠数为3层以上的情况下，MgO基底层21以外的基底层能够使用与第2基底层22同样的材料来形成。
磁性层30从MgO基底层21侧依次层叠而具备第1磁性层31和第2磁性层32。
第1磁性层31为磁性层30的最下层(与基板10最近的层)，优选包含具有L10结构的合金。
构成第1磁性层31的具有L10结构的合金优选进一步包含Fe以及Pt或Co以及Pt。作为具有L10结构的合金，具体而言，优选为FePt合金、CoPt合金。FePt合金的结晶磁各向异性常数(Ku)为7×106J/m3以下，CoPt合金的Ku为5×106J/m3以下，都是1×106J/m3规模的Ku高的材料(高Ku材料)。因此，通过使用FePt合金或CoPt合金作为构成第1磁性层31的材料，从而磁性层30能够在维持热稳定性的状态下，将构成磁性层30的磁性粒子进行微细化直至例如粒径成为6nm以下。
第1磁性层31进一步包含晶界偏析材料，可以具有粒状结构。由此，第1磁性层31易于(001)取向，与进行了(100)取向的MgO基底层21的晶格整合性提高。
作为第1磁性层31所包含的晶界偏析材料，可举出例如，VN、BN、SiN、TiN等氮化物、C、VC等碳化物、BN等硼化物等，可以并用二种以上。
第2磁性层32与第1磁性层31同样，优选包含具有L10结构的合金。由此，磁性层30的(001)取向性提高。即，作为第2磁性层32，能够成膜为沿第1磁性层31的取向进行了外延生长的磁性膜。
构成第2磁性层32的具有L10结构的合金与第1磁性层31同样，优选包含Fe或Co以及Pt。
第2磁性层32与第1磁性层31同样，进一步包含晶界偏析材料，可以具有粒状结构。
可举出第2磁性层32所包含的晶界偏析材料VN、BN、SiN、TiN等氮化物、C、VC等碳化物、BN等硼化物、SiO2、TiO2、Cr2O3、Al2O3、Ta2O5、ZrO2、Y2O3、CeO2、MnO、TiO、ZnO等氧化物等，可以并用二种以上。
另外，磁性层30的层叠数没有特别限定，可以为3层以上。
在磁性层30的层叠数为3层以上的情况下，第1磁性层31以外的磁性层能够使用与第2磁性层32同样的材料来形成。
磁记录介质1优选在磁性层30上具备保护层40。
保护层40具有保护磁记录介质1不受磁记录介质1与磁头等的接触带来的损伤等的功能。
保护层40的厚度优选为1nm～6nm。如果保护层40的厚度为1nm～6nm，则磁头的上浮特性变得良好，并且磁隙变小，磁记录介质1的SNR提高。
磁记录介质1可以在保护层40上进一步具有润滑剂层50。
作为构成润滑剂层50的材料，可举出例如，全氟聚醚等氟树脂等。
本实施方式涉及的磁记录介质1具备包含MgO的MgO基底层21以及磁性层30，MgO基底层21所包含的MgO具有531eV～533eV的由XPS测定时所检测到的O1s光谱的峰。MgO基底层21的结晶取向性高，缺陷也少，因此MgO基底层21的上方所形成的磁性层30也与MgO基底层21同样，具有高结晶取向性并且难以产生缺陷的同时能够成膜。由此，磁记录介质1能够在MgO基底层21的上方，具有结晶取向性高，缺陷少的磁性层30。
[磁记录介质的制造方法]
本实施方式涉及的磁记录介质的制造方法包括MgO基底层(第1基底层)的形成工序以及磁性层的形成工序，可以包含第2基底层的形成工序、保护层的形成工序、润滑剂层的形成工序等其它构成。
本实施方式涉及的磁记录介质的制造方法包括第2基底层的形成工序、MgO基底层(第1基底层)的形成工序、磁性层的形成工序、保护层的形成工序和润滑剂层的形成工序。
本实施方式涉及的磁记录介质的制造方法中，首先，如图2所示那样，可以在基板10的表面形成第2基底层22(第2基底层的形成工序)。
接下来，如图3所示那样，对于第2基底层22的表面，使用包含MgO的靶标，通过溅射法(sputtering method)，形成MgO基底层21(MgO基底层的形成工序)。
在形成MgO基底层21时，将包含MgO的靶标加热至600℃以上，优选加热至800℃以上，进一步优选加热至1000℃以上。
MgO的熔点高，由此烧结性差。因此，作为溅射用靶标，难以制造包含充分地高密度的MgO的MgO靶标。通常的MgO靶标的相对密度为65％～98％左右，因此溅射时，在靶标表面易于产生异常放电(电弧)。通过该电弧，靶标表面熔融和飞散而产生的溅射粉尘附着于作为MgO基底层21的上面的成膜面，从而MgO基底层21的结晶性降低，并且MgO基底层21易于产生缺陷。它们在MgO基底层21的上面所形成的磁性层30也被继续，磁性层30的结晶性降低，此外，缺陷被导入磁性层30，从而具有在磁记录介质1的数据面产生不能读写的地方，引起制品收率降低的可能性。
本申请发明人等对于磁性层30的结晶性的降低和磁性层30内的缺陷的产生进行了深入研究，结果着眼于MgO基底层21的形成时的成膜条件，特别是包含MgO的MgO靶标的加热温度。而且发现，通过一边将MgO靶标加热至600℃以上的极其高温一边进行溅射，从而能够抑制溅射粉尘的产生，成膜为结晶取向性高，缺陷少的MgO基底层21，MgO基底层21的上方所形成的磁性层30的结晶取向性提高，能够降低缺陷。
图4为表示MgO靶标的靶标温度与溅射装置的室内产生的溅射粉尘的量的关系的一例的图。另外，图4为使用相对密度85％，直径120mm的MgO靶标，使投入电力为1kW，溅射气体压力为3Pa，将溅射气体设为Ar气，使用RF溅射法，进行2小时溅射，求出溅射粉尘的量的结果。溅射粉尘的量为计数以直径3.5英寸的磁记录介质用基板的单面在半径16mm～48mm的范围内附着的粉尘。另外，磁记录介质的制造时的MgO膜的成膜时间通常为10秒左右。如图4所示那样，如果使MgO靶标的靶标温度为600℃以上进行溅射，则与使MgO靶标的靶标温度为400℃以下进行溅射的情况相比，能够将溅射粉尘的数降低至1/2以下。
此外，使用MgO靶标，使MgO靶标的加热温度为600℃以上，通过溅射法制造的MgO膜与利用以往的方法制造的MgO膜在物性方面不同。另外，所谓以往的方法，为不将MgO靶标加热而成膜的情况，具体而言，使MgO靶标的温度为400℃以下进行成膜的情况。此时的MgO靶标通常将背面进行水冷。
图5为由X射线光电子分光法(XPS)测定的氧化镁膜的O1s光谱。图5中，(a)为利用以往的方法成膜的情况下的氧化镁膜的光谱，(b)为利用本实施方式涉及的磁记录介质的制造方法制造的情况下的氧化镁膜的光谱。如图5所示那样，(a)中，530eV附近具有O1s光谱的峰。与此相对，(b)中，O1s光谱的峰1eV程度的向高能量侧移动，处于531eV～533eV的范围内。
根据本申请发明人等的研究，认为这样的峰移动越是MgO膜的表层侧则越显著，MgO中的氧的一部分被OH取代而产生的。
而且，可以说通过该取代，MgO(100)面与具有L10结构的FePt合金的(001)面的晶格整合性提高，FePt合金膜的(001)取向性提高。
溅射法所使用的包含MgO的溅射靶标通常为绝缘体，因此作为溅射法，优选使用RF溅射法。另一方面，在溅射靶标具有导电性的情况下，能够使用DC溅射法、DC磁控管溅射法。
接下来，如图6所示那样，在MgO基底层21的表面形成磁性层30(磁性层的形成工序)。
磁性层的形成工序中，在MgO基底层21的表面形成第1磁性层31(第1磁性层的形成工序)。
作为第1磁性层31的形成方法，能够使用包含形成第1磁性层31的材料的靶标，通过溅射法来形成。
作为包含形成第1磁性层31的材料的靶标，优选使用包含具有L10结构的合金的靶标。作为具有L10结构的合金，能够使用包含Fe或Co、Pt等的合金，例如，能够使用FePt合金、CoPt合金等。
作为溅射法，能够使用DC磁控管溅射法、RF溅射法的成膜方法。
在成膜为第1磁性层31时，可以根据需要使用RF(Radio Frequency)偏压、DC偏压、脉冲DC、脉冲DC偏压等。
作为反应性气体，可以使用O2气体、H2O气体、N2气体等。
溅射气体压力进行适当调整以使各层的特性成为最佳，通常在0.1Pa～30Pa左右的范围内。
然后，在第1磁性层31的表面形成第2磁性层32(第2磁性层的形成工序)。
作为第2磁性层32的形成方法，与第1磁性层31的形成方法同样，能够使用包含形成第2磁性层32的材料的靶标，通过溅射法来形成。
作为包含形成第2磁性层32的材料的靶标，能够使用与包含形成第1磁性层31的材料的靶标同样的靶标。
溅射的条件能够使用与第1磁性层31的溅射条件同样的条件。
接下来，如图1所示那样，在磁性层30的表面形成保护层40(保护层的形成工序)。
作为保护层40的成膜方法，没有特别限定，可举出例如，将由烃形成的原料气体利用高频等离子体分解并成膜的RF-CVD(Radio Frequency-Chemical Vapor Deposition)法、利用由长丝(filament)放出的电子将原料气体离子化并成膜的IBD(Ion BeamDeposition)法、以及不使用原料气体，使用固体碳靶标并成膜的FCVA(Filtered CathodicVacuum Arc)法等。
进一步，可以通过对于保护层40的表面使用一般的涂布法等，从而形成润滑剂层50(润滑剂层的形成工序)。
本实施方式涉及的磁记录介质的制造方法包括MgO基底层的形成工序以及磁性层的形成工序，在MgO基底层的形成工序中，将包含MgO的MgO靶标加热至600℃以上以形成MgO基底层21。由此，能够抑制在MgO基底层21的形成时，溅射装置的室内由于MgO靶标而产生溅射粉尘。由此，MgO基底层21能够以结晶取向性高，缺陷少的状态进行成膜。其结果是如果将所得的MgO基底层21所包含的MgO利用XPS进行测定，则检测到O1s光谱的峰在531eV～533eV的范围内。由该XPS的测定结果，所得的MgO基底层21进行了(100)取向，其结晶取向性高。在使用FePt合金作为磁性层30的情况下，作为磁性层30的结晶取向面，使用(001)面。因此，通过提高MgO基底层21的结晶取向性，从而能够提高其表面所形成的磁性层30的结晶取向性。此外，结晶取向性提高，从而能够降低磁性层30内所产生的缺陷。由此，根据本实施方式涉及的磁记录介质的制造方法，能够制造具有结晶取向性高，缺陷少的磁性层30的磁记录介质1。
即，在磁性层30所包含的第1磁性层31或第2磁性层32包含FePt合金的情况下，作为磁性层30的结晶取向面使用(001)面。而且，MgO基底层21所包含的MgO进行了(100)取向。MgO基底层21所包含的MgO的(100)面与磁性层30所包含的具有L10结构的FePt合金的(001)面的晶格整合性高，因此通过在MgO基底层21上成膜为包含FePt合金的磁性层30，从而使包含FePt合金的磁性层30易于(001)取向。因此，通过提高MgO基底层21的结晶取向性的同时减少缺陷，从而其表面所形成的磁性层30的结晶取向性也能够提高的同时能够减少缺陷。
本实施方式涉及的磁记录介质的制造方法中，在MgO基底层的形成工序中，即使作为溅射用靶标，不制造以高密度包含MgO的靶标，也能够提高结晶取向性，并且形成抑制了缺陷的产生的MgO基底层21。由此，根据本实施方式涉及的磁记录介质的制造方法，使用迄今为止的包含MgO的靶标，从而能够形成结晶取向性高，缺陷少的MgO基底层21。
本实施方式涉及的磁记录介质的制造方法能够在MgO基底层的形成工序中，将包含MgO的靶标加热至800℃以上，形成MgO基底层21。由此，能够更确实地提高MgO基底层21的结晶取向性，并且能够减少缺陷，由此其表面所形成的磁性层30的结晶取向性也能够更确实地提高，并且能够降低磁性层30中所产生的缺陷。由此，根据本实施方式涉及的磁记录介质的制造方法，磁记录介质1能够具有结晶取向性更高，缺陷少的磁性层30。
本实施方式涉及的磁记录介质的制造方法中，磁性层30能够包含具有L10结构的FePt合金和CoPt合金的至少一者。FePt合金和CoPt合金都是1×106J/m3规模的高Ku材料。因此，通过使用FePt合金和CoPt合金的至少一者作为构成磁性层30的材料，从而能够在维持热稳定性的状态下，将构成磁性层30的磁性粒子进行微细化直至例如，粒径成为6nm以下。由此，在作为记录方式使用热辅助记录方式时，磁性层30能够在室温下具有数十kOe的顽磁力，能够对于磁性层30，通过磁头的记录磁场，容易地记录磁信息。
此外，包含FePt合金和CoPt合金的至少一者的磁性层30能够使用(001)面作为结晶取向面。MgO基底层21进行了(100)取向，因此MgO或CoPt的(100)面与FePt合金的(001)面的晶格整合性高，因此磁性层30的结晶取向性易于提高。由此，根据本实施方式涉及的磁记录介质的制造方法，磁记录介质1能够具有结晶取向性更高，缺陷少的磁性层30。
[磁存储装置]
对于使用了本实施方式涉及的磁记录介质的磁存储装置进行说明。本实施方式涉及的磁存储装置如果具有本实施方式涉及的磁记录介质，则形态没有特别限定。另外，这里对于磁存储装置使用热辅助记录方式以将磁信息记录于磁记录介质的情况进行说明。
本实施方式涉及的磁存储装置例如，能够具有：用于使本实施方式涉及的磁记录介质旋转的磁记录介质驱动部；在前端部设置有近场光产生元件的磁头；用于使磁头移动的磁头驱动部；以及记录再生信号处理部。
此外，磁头例如，具有用于加热磁记录介质的激光产生部以及将由激光产生部产生的激光导入直至近场光产生元件的波导路。
图7为表示使用了本实施方式涉及的磁记录介质的磁存储装置的一例的立体图。如图7所示那样，磁存储装置100能够具有：磁记录介质101、用于使磁记录介质101旋转的磁记录介质驱动部102、前端部具有近场光产生元件的磁头103、用于使磁头103移动的磁头驱动部104以及记录再生信号处理部105。磁记录介质101使用上述本实施方式涉及的磁记录介质1。
图8为表示磁头103的一例的示意图。如图8所示那样，磁头103具有记录头110和再生头120。
记录头110具有主磁极111、辅助磁极112、产生磁场的线圈113、作为激光产生部的激光二极管(LD)114以及将由LD114产生的激光L传送直至近场光产生元件115的波导路116。
再生头120具有屏蔽(shield)121以及被屏蔽121夹持的再生元件122。
如图3所示那样，磁存储装置100将磁记录介质101的中心部安装于主轴电动机的旋转轴，一边磁头103上浮移动至通过主轴电动机被旋转驱动的磁记录介质101的面上，一边对于磁记录介质101进行信息的写入或读出。
本实施方式涉及的磁存储装置100通过磁记录介质101使用本实施方式涉及的磁记录介质1，从而能够将磁记录介质101进行高记录密度化，因此能够提高记录密度。
实施例
以下，示出实施例和比较例，具体地说明实施方式，但是实施方式并不限定于这些实施例和比较例。
＜实施例1＞
[磁记录介质的制造]
通过以下方法，制造磁记录介质。
在耐热玻璃基板上，依次成膜为厚度50nm的50原子％Cr-50原子％Ti合金膜(第3基底层)以及厚度25nm的75原子％Co-20原子％Ta-5原子％B合金膜(软磁性基底层)。接下来，将基板加热直至250℃之后，成膜为厚度10nm的Cr膜(第2基底层)。此时，第3基底层、软磁性基底层、第2基底层的成膜使用了DC磁控管溅射装置(C-3040，anelva公司制)。
接下来，使用RF溅射装置，成膜为作为第1基底层的MgO基底层。具体而言，使用相对密度85％，直径120mm的MgO靶标，使靶标温度为1000℃，投入电力1kW，溅射气体Ar，溅射气体压力3Pa放电12秒，成膜为厚度2nm的MgO膜。
接下来，将基板加热直至520℃之后，依次成膜为厚度3nm的60mol％(52at％Fe-48at％Pt)-40mol％C膜(第1磁性层)以及厚度5nm的82mol％(52at％Fe-48at％Pt)-18mol％SiO2膜(第2磁性层)。此时，第1磁性层、第2磁性层的成膜使用了DC磁控管溅射装置(C-3040，anelva公司制)。
接下来，使用离子束法，将厚度3nm的碳膜作为保护层进行成膜之后，通过涂布法，形成全氟聚醚膜作为润滑剂层，从而获得了磁记录介质。
(磁性层的(001)取向性)
使用X射线衍射装置(Philips制)，测定成膜为第2磁性层之后的基板的X射线衍射光谱，求出FePt合金的(200)峰的半宽度。
第2磁性层的(001)取向性使用第2磁性层所包含的具有L10结构的FePt合金的(200)峰的半宽度来评价。这里，FePt合金的(001)峰的出现角度2θ并不充分地大。因此，在测定摇摆曲线时，即使扩展低角度侧直至测定限度，FePt合金的(001)峰的强度相对于不存在峰的情况也不稳定，难以解析半宽度。基于这样的测定上的理由，难以使用FePt合金的(001)峰的半宽度，评价磁性层的(001)取向性。另一方面，FePt合金的(200)峰在FePt合金进行(001)取向时显现，但是出现角度2θ充分地大，因此适于评价磁性层的(001)取向性。
将FePt合金的(200)峰的半宽度的评价结果显示于表1。此外，将以与上述相同条件制造1000张磁记录介质时的收率通过错误试验机(error tester)进行了评价。将评价结果显示于表1。
＜实施例2～3、比较例1＞
实施例1中，将MgO基底层的成膜时的MgO靶标的加热温度变更为表1的温度，除此以外，与实施例1同样地操作进行。将FePt合金的(200)峰的半宽度的评价结果以及各实施例和比较例中以相同条件制造1000张磁记录介质时的收率显示于表1。
[表1]
Figure BDA0003574648790000121
由表1，实施例1～实施例3中，制造1000张磁记录介质时的收率为98.7％以上。另一方面，比较例1中，制造1000张磁记录介质时的收率为98.1％。
实施例1～实施例3与比较例1不同，确认了在MgO基底层的成膜时使MgO靶标温度为600℃以上以成膜为MgO基底层，制造磁记录介质，从而能够提高第2磁性层的取向性，提高收率。因此，根据本实施方式涉及的磁记录介质的制造方法，可以说能够以高效率制造磁记录介质。
如以上那样，说明了实施方式，但是上述实施方式为作为例子来提示，本发明并不限定于上述实施方式。上述实施方式能够以其它各种形态来实施，在不脱离发明的主旨的范围内，能够进行各种组合、省略、置换、变更等。这些实施方式、其变形包含于发明的范围、主旨中，并且包含于权利要求所记载的发明和其均等的范围内。
符号的说明
1、101 磁记录介质
10 基板
20 基底层
21 氧化镁(MgO)基底层(第1基底层)
22 第2基底层
30 磁性层
31 第1磁性层
32 第2磁性层
100 磁存储装置。

Claims (6)

1.一种磁记录介质的制造方法，其包括下述工序：
对于基板的表面使用包含氧化镁的靶标，通过溅射法，形成氧化镁基底层的工序；以及
在所述氧化镁基底层的表面侧形成磁性层的工序，
在形成所述氧化镁基底层时，将所述包含氧化镁的靶标加热至600℃以上。
2.根据权利要求1所述的磁记录介质的制造方法，在形成所述氧化镁基底层时，将所述包含氧化镁的靶标加热至800℃以上。
3.根据权利要求1或2所述的磁记录介质的制造方法，所述磁性层包含具有L10结构的FePt合金和CoPt合金的至少一者。
4.一种磁记录介质，其具备：
包含氧化镁的氧化镁基底层；以及
包含具有L10结构的含Fe以及Pt或者Co以及Pt的磁性层，
所述氧化镁的利用X射线光电子分光法测定时所检测到的O1s光谱的峰为531eV～533eV。
5.根据权利要求4所述的磁记录介质，所述磁性层包含具有L10结构的FePt合金和CoPt合金的至少一者。
6.一种磁存储装置，其具备权利要求4所述的磁记录介质。
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