CN115132233A - 磁记录介质及磁存储装置 - Google Patents

Abstract

本发明的课题在于提供能够具有优异的电磁转换特性的磁记录介质及磁存储装置。本发明涉及的磁记录介质依次层叠而具备基板、基底层以及包含具有L1₀型晶体结构的合金的磁性层，上述基底层包含MgO，上述磁性层具有至少3层以上，3层上述磁性层从上述基板侧依次为第1磁记录层、第2磁记录层和第3磁记录层时，上述第2磁记录层的居里温度Tc与上述第1磁记录层和上述第3磁记录层的居里温度Tc相比分别低，低的程度处于30K～100K的范围内，构成上述第1磁记录层的磁性粒子的底面部的平均粒径与构成上述第2磁记录层和上述第3磁记录层的磁性粒子的底面部的平均粒径相比分别小15％以上。

Description

磁记录介质及磁存储装置

技术领域

本发明涉及磁记录介质以及磁存储装置。

背景技术

磁记录介质一般而言，在基板上依次层叠而具备基底层、磁性层和保护层。作为磁记录介质记录磁信息的方法，具有对于磁记录介质照射激光或微波，局部地降低顽磁力以记录磁信息的热辅助记录方式或微波辅助记录方式。热辅助记录方式和微波辅助记录方式能够实现2Tbit/inch²等级的面记录密度，因此伴随着磁记录介质的小型化、薄板化、高记录密度化，作为能够提高存储容量的下一代的磁记录方式得以研究。

作为热辅助记录方式能够使用的磁记录介质，例如，公开了一种磁记录介质，其由基板、基板上所形成的多个基底层以及将具有L1₀结构的合金作为主成分的磁性层形成，多个基底层包含NiO基底层以及取向控制层(例如，参照专利文献1)。该磁记录介质中，取向控制层包含由BCC结构的合金形成的基底层以及具有NaCl结构的MgO等的基底层，使NiO基底层进行(100)取向。

作为磁记录介质的磁性层，在使用具有L1₀结构的FePt合金的情况下，作为磁性层的结晶取向面，使用(001)面。为了使FePt合金(001)取向，作为基底层，一般而言，往往使用进行了(100)取向的MgO。即，MgO的(100)面与FePt合金的(001)面的晶格整合性高，因此通过在MgO层的上方成膜为包含FePt合金的磁性层，从而易于使FePt合金(001)取向。此外，专利文献1的磁记录介质中，为了使NiO基底层也进行(100)取向，作为取向控制层的基底层，使用MgO。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本特开2016-26368号公报

发明内容

发明所要解决的课题

这里，MgO的晶格常数为0.42nm，与此相对，FePt为0.39nm，因此在MgO膜上使FePt膜外延生长时，略微产生晶格不整合(失配)，FePt膜产生拉伸应力。该FePt膜所产生的拉伸应力沿使FePt粒子肥大化的方向起作用，因此磁性粒子进行肥大化，从而磁记录介质的电磁转换特性降低，损害磁记录介质的高记录密度化的可能性高。此外，越是进一步肥大化而接触面积变大的粒子，越易于受到大的应力，因此易于进一步肥大化，结晶粒径的偏差变大，从而使磁记录介质的电磁转换特性降低的可能性高。

本发明的一方法的目的在于提供能够具有优异的电磁转换特性的磁记录介质。

用于解决课题的方法

本发明的一方法涉及的磁记录介质依次层叠而具备基板、基底层以及包含具有L1₀型晶体结构的合金的磁性层，上述基底层包含MgO，上述磁性层具有至少3层以上，3层的上述磁性层从上述基板侧依次为第1磁记录层、第2磁记录层和第3磁记录层时，上述第2磁记录层的居里温度Tc与上述第1磁记录层和上述第3磁记录层的居里温度Tc相比分别低，低的程度处于30K～100K的范围内，构成上述第1磁记录层的磁性粒子的底面部的平均粒径与构成上述第2磁记录层和上述第3磁记录层的磁性粒子的底面部的平均粒径相比分别小15％以上。

发明的效果

根据本发明的一方法，能够具有优异的电磁转换特性。

附图说明

图1为表示本实施方式涉及的磁记录介质的构成的一例的截面图。

图2为表示本实施方式涉及的磁记录介质1的截面的一例的TEM照片。

图3为表示使用了本实施方式涉及的磁记录介质的磁存储装置的一例的立体图。

图4为表示磁头的一例的示意图。

符号的说明

1、101 磁记录介质

10 基板

20 基底层

30 磁性层

31 第1磁记录层

32 第2磁记录层

33 第3磁记录层

100 磁存储装置

具体实施方式

以下，对于本发明的实施方式进行详细地说明。另外，为了使说明的理解变得容易，各附图中对于同一构成要素附上同一符号，省略重复的说明。此外，附图中的各构件的比例尺有时与实际不同。在本说明书中，表示数值范围的“～”只要没有特别规定，是指包含其前后所记载的数值作为下限值和上限值。

[磁记录介质]

图1为表示本实施方式涉及的磁记录介质的构成的一例的截面图。如图1所示那样，磁记录介质1从基板10侧依次层叠而具备基板10、基底层20和磁性层30。

另外，本说明书中，将磁记录介质1的厚度方向(垂直方向)设为Z轴向，将与厚度方向正交的横向(水平方向)设为X轴向。将Z轴向的磁性层30侧设为+Z轴向，将基板10侧设为-Z轴向。在以下说明中，为了说明的方便，将+Z轴向称为上或上方，将-Z轴向称为下或下方，但并不表示普遍的上下关系。

图1中，表示仅在基板10的上方的基底层20和磁性层30，但是磁记录介质1也在基板10的下方，从基板10侧依次层叠而具备基底层20和磁性层30。

磁记录介质1在基板10的上下两面上，具有基底层20和磁性层30，基板10的上下两面能够记录(两面记录)信息，但是可以仅基板10的上面或下面的一个面具有基底层20和磁性层30，能够仅基板10的单面记录(单面记录)信息。

构成基板10的材料只要为磁记录介质能够使用的材料，就能够没有特别限定地使用。作为构成基板10的材料，可举出例如，AlMg合金等Al合金、钠玻璃、铝硅酸盐系玻璃、无定形玻璃类、硅氧烷、钛、陶瓷、蓝宝石、石英、树脂等。这些之中，优选为Al合金、结晶玻璃、无定形玻璃等玻璃。

在制造磁记录介质1时，有时将基板10加热至500℃以上的温度，因此作为基板10，例如，优选使用软化温度为500℃以上，优选为600℃以上的耐热玻璃基板。

基底层20设置于基板10的上方。基底层20具备包含MgO的层。

包含MgO的层包含MgO，优选由MgO实质上形成，更优选仅由MgO形成。所谓“实质上”，是指除了MgO以外，可以含有制造过程中不可避免地可能包含的不可避免的杂质。

本实施方式中，优选基底层20与第1磁记录层31直接接触，因此MgO的(100)面与第1磁记录层31所包含的、具有L1₀结构的磁性合金的(001)面易于晶格整合，因此能够提高磁性合金的结晶取向性。

基底层20优选包含NaCl型化合物。作为NaCl型化合物，除了MgO以外，可举出例如，TiO、NiO、TiN、TaN、HfN、NbN、ZrC、HfC、TaC、NbC、TiC等，可以并用二种以上。

基底层20如果能够使磁性层30所包含的具有L1₀结构的磁性粒子进行(001)面取向，则可以成为包含其它层的多层结构。

磁性层30设置于基底层20的上方。磁性层30从基底层20侧依次层叠而具备第1磁记录层31、第2磁记录层32和第3磁记录层33。另外，磁性层30可以由第1磁记录层31、第2磁记录层32和第3磁记录层33构成。此外，磁性层30可以进一步具备1个以上第1磁记录层31、第2磁记录层32、第3磁记录层33以外的磁性层。

磁性层30包含具有L1₀结构的磁性粒子。即，磁性层30所包含的、第1磁记录层31、第2磁记录层32和第3磁记录层33包含具有L1₀结构的磁性粒子。

通过使构成第1磁记录层31的磁性粒子的底面部的平均粒径比构成第2磁记录层32和第3磁记录层33的磁性粒子的底面部的平均粒径分别小15％以上，，更优选在30％～60％的范围内变小，从而能够防止磁性粒子的肥大化，并且降低磁性粒子的底面部的平均粒径的偏差的大小。

这里，所谓磁性粒子的底面部的平均粒径，是指磁性粒子下的界面部中的平均粒径。即，构成基底层20、第1磁记录层31、第2磁记录层32和第3磁记录层33的粒子分别外延生长，因此这些粒子成为连续的柱状晶。该柱状晶中，使基底层20与第1磁记录层31的界面部的平均粒径成为构成第1磁记录层31的磁性粒子的底面的平均粒径。使第1磁记录层31与第2磁记录层32的界面部的平均粒径为构成第2磁记录层32的磁性粒子的底面的平均粒径。使第2磁记录层32与第3磁记录层33的界面部的平均粒径为构成第3磁记录层33的磁性粒子的底面的平均粒径。

另外，本实施方式中，磁性粒子的底面部的平均粒径使用扫描型电子显微镜(SEM)或透射型电子显微镜(TEM)来进行。例如，在使用TEM进行磁记录层的截面观察的情况下，由于电子射线透过10nm以上，从而能够获得截面的深度信息。通过解析该截面信息，从而能够测定磁性粒子的平均粒径。

第2磁记录层32的居里温度Tc与第1磁记录层31和第3磁记录层33的各自的居里温度Tc相比分别低，低的程度处于30K～100K的范围内。如上述那样，构成第1磁记录层31的磁性粒子的体积与第1磁记录层31和第2磁记录层32相比小，因此第1磁记录层31的磁特性与第2磁记录层32相接的第3磁记录层33相比变弱。本实施方式中，通过使第2磁记录层32的居里温度Tc与第1磁记录层31和第3磁记录层33的各自的居里温度Tc相比在规定的范围内以一定程度变小，从而能够以增强第1磁记录层31的磁特性的方式发挥作用。由此，第1磁记录层31的磁特性变强，能够降低由第1磁记录层31引起的噪声。

图2为表示本实施方式涉及的磁记录介质1的截面的一例的TEM照片。图2所示的磁记录介质在基板10上，具有将包含MgO的基底层20、第1磁记录层31、第2磁记录层32、第3磁记录层33和保护层40依次层叠的结构。图2中的3条虚线从图中的下侧起，分别依次表示构成第1磁记录层31的磁性粒子的底面部的平均粒径、构成第2磁记录层32的磁性粒子的底面部的平均粒径、构成第3磁记录层33的磁性粒子的底面部的平均粒径。第1磁记录层31、第2磁记录层32和第3磁记录层33的构成的材料的组成不同，因此各自的边界位置能够由TEM照片中的对比度的差异来判别。能够确认构成第1磁记录层31的磁性粒子的底面部的平均粒径比构成第2磁记录层32的磁性粒子的底面部的平均粒径和构成第3磁记录层33的磁性粒子的底面部的平均粒径小。

作为使构成第1磁记录层31的磁性粒子的底面部的平均粒径与构成第2磁记录层32和第3磁记录层33的磁性粒子的底面部的平均粒径相比在5％～40％的范围内分别变小的方法，例如，具有对于第1磁记录层31的成膜使用溅射法，对于基板10施加正的偏压电位的方法等。溅射法中，使靶标为负电位，使Ar等的溅射粒子带正电以对于靶标进行高速地冲击，从靶标表面敲出靶标粒子，使其堆积于基板表面。这里，如果对于基板施加正的偏压电位，则溅射粒子的动能降低而活动性降低，同时从靶标敲出的靶标粒子的活动性也降低，由此磁性粒子的粒径变小。

第1磁记录层31的膜厚优选为0.4nm～1.5nm，更优选为0.5nm～1.0nm，进一步优选为0.6nm～0.8nm。如果第1磁记录层31的膜厚在上述优选的范围内，则能够耐受第1磁记录层31与第2磁记录层32的界面所产生的拉伸应力，因此第1磁记录层31能够发挥磁特性。

另外，本实施方式中，第1磁记录层31的膜厚为与第1磁记录层31的主面垂直的方向的长度。第1磁记录层31的膜厚例如，为在第1磁记录层31的截面中，测定任意场所时的厚度。第1磁记录层31的截面中，在任意场所测定数个地方的情况下，可以设为这些测定地方的厚度的平均值。

第2磁记录层32的膜厚优选为0.8nm～3.0nm，更优选为1.0nm～2.5nm，进一步优选为1.2nm～2.0nm。如果第2磁记录层32的膜厚为上述优选的范围内，则能够耐受第2磁记录层32与第1磁记录层31或第3磁记录层33的界面所产生的拉伸应力，因此第2磁记录层32能够发挥磁特性。

第3磁记录层33的膜厚优选为3nm以上。更优选为3.5nm～10.0nm，进一步优选为4.5nm～6.0nm。如果第3磁记录层33的膜厚在上述优选的范围内，则能够耐受第3磁记录层33与第2磁记录层32的界面所产生的拉伸应力，因此第3磁记录层33能够发挥磁特性。

通过使第1磁记录层31、第2磁记录层32和第3磁记录层33各自的膜厚在上述优选的范围内，从而耐受对于各个磁记录层彼此的界面产生的拉伸应力的作用，因此提高磁记录介质1的电磁转换特性。

作为磁性层30所包含的、具有L1₀结构的磁性粒子，例如，能够使用FePt合金粒子、CoPt合金粒子等。FePt合金的结晶磁各向异性常数(Ku)为7×10⁶J/m³以下，CoPt合金的Ku为5×10⁶J/m³以下，都是1×10⁶J/m³规模的Ku高的材料(高Ku材料)。因此，FePt合金或CoPt合金包含于磁性层30，从而磁性层30在维持热稳定性的状态下，能够将构成磁性层30的磁性粒子进行微细化，直至成为例如粒径为6nm以下。

此外，磁性层30可以具有包含晶界部的粒状结构。

在磁性层30具有粒状结构的情况下，磁性层30中的晶界部的含量优选为25体积％～50体积％的范围内，更优选为35体积％～45体积％的范围内。通过使磁性层30中的晶界部的含量在上述优选的范围内，从而能够提高磁性层30所包含的磁性粒子的各向异性。

这里，晶界部能够使用碳化物、氮化物、氧化物、硼化物等。作为它们的具体例，可举出BN、B₄C、C、MoO₃、GeO₂等。

磁性层30所包含的磁性粒子优选相对于基板10，进行c轴取向，即，(001)面取向。使磁性层30所包含的磁性粒子相对于基板10进行c轴取向的方法没有特别限定，例如，能够利用使用基底层20，使磁性层30沿c轴向外延生长的方法等。

磁记录介质1优选在磁性层30上，进一步具有保护层40。保护层40具有保护磁记录介质1不受磁记录介质1与磁头等的接触带来的损伤等的功能。

作为保护层40，可举出例如，硬质碳膜等。

作为保护层40的形成方法，可举出例如，将烃气体(原料气体)利用高频等离子体进行分解以成膜的RF-CVD(Radio Frequency-Chemical Vapor Deposition)法；利用由长丝(filament)放出的电子将原料气体离子化以成膜的IBD(Ion Beam Deposition)法；不使用原料气体，使用固体炭素靶标以进行成膜的FCVA(Filtered Cathodic Vacuum Arc)法等。

保护层40的厚度优选为1nm～6nm。如果保护层40的厚度为1nm以上，则磁头的上浮特性变得良好，并且磁间距变小，磁记录介质1的SNR提高。

磁记录介质1可以在保护层40上，进一步具有润滑剂层50。

作为湿润剂，可举出例如，全氟聚醚等氟树脂。

本实施方式涉及的磁记录介质1依次层叠而具备基板10、基底层20和磁性层30，基底层20包含MgO，磁性层30从基板10侧依次层叠而具备第1磁记录层31、第2磁记录层32和第3磁记录层33。而且，磁记录介质1使第2磁记录层32的居里温度Tc与第1磁记录层31和第3磁记录层33的居里温度Tc相比分别低，低的程度处于30K～100K的范围内，使构成第1磁记录层31的磁性粒子的底面部的平均粒径与构成第2磁记录层32和第3磁记录层33的磁性粒子的底面部的平均粒径相比分别小15％以上。由于构成第1磁记录层31的磁性粒子的底面部的平均粒径与构成第2磁记录层32和第3磁记录层33的磁性粒子的底面部的平均粒径相比小15％以上，因此仅该部分，第1磁记录层31的磁特性与第2磁记录层32和第3磁记录层33的磁特性相比，通常变低。本实施方式中，第2磁记录层32与第1磁记录层31和第3磁记录层33相比仅规定的范围以一定程度具有小的居里温度Tc，因此第2磁记录层32的磁特性能够以增强第1磁记录层31和第3磁记录层33的方式起作用。因此，即使第1磁记录层31与直接地或间接地相接的第2磁记录层32和第3磁记录层33相比磁特性低，通过第2磁记录层32和第3磁记录层33，从而能够提高第1磁记录层31的磁特性。由此，第1磁记录层31的磁特性增强，能够降低由第1磁记录层31引起的噪声。由此，磁记录介质1能够发挥优异的电磁转换特性。

磁记录介质1的电磁转换特性能够由SNR(信号/噪声比(S/N比))来评价。磁记录介质的SNR越小，则能够评价为磁记录介质1具有优异的电磁转换特性。SNR的测定没有特别限定，例如，能够使用读写分析仪RWA1632和旋转试验台S1701MP(都为GUZIK公司制)来进行。

磁记录介质1能够在使构成第1磁记录层31的磁性粒子的底面部的平均粒径与构成第2磁记录层32和第3磁记录层33的磁性粒子的底面部的平均粒径相比在30％～60％的范围内小的状态下，在各个磁记录层内包含磁性粒子。即使构成第1磁记录层31的磁性粒子的大小相对于第2磁记录层32和第3磁记录层33在上述范围内变小，也增强第1磁记录层31的磁特性，能够降低由第1磁记录层31引起的噪声。由此，磁记录介质1能够发挥优异的电磁转换特性。

磁记录介质1能够使第1磁记录层31的膜厚为0.4nm～1.5nm。由此，磁记录介质1能够充分发挥第1磁记录层31的磁特性，因此能够确实地发挥优异的电磁转换特性。

磁记录介质1能够使第2磁记录层32的膜厚为0.8nm～3.0nm。由此，磁记录介质1能够充分发挥第2磁记录层32的磁特性，因此能够确实地发挥优异的电磁转换特性。

磁记录介质1能够使第3磁记录层33的膜厚为3nm以上。由此，磁记录介质1能够充分发挥第3磁记录层33的磁特性，因此能够确实地发挥优异的电磁转换特性。

磁记录介质1中，磁性层30能够包含具有L1₀结构的FePt合金和CoPt合金的至少一者。FePt合金和CoPt合金都是1×10⁶J/m³规模的高Ku材料。因此，通过使用FePt合金和CoPt合金的至少一者作为构成磁性层30的材料，从而能够在维持热稳定性的状态下，例如将构成磁性层30的磁性粒子进行微细化，直至粒径成为6nm以下。由此，在作为记录方式使用热辅助记录方式或微波辅助记录方式时，磁性层30能够在室温下具有数十kOe的顽磁力，能够对于磁性层30，通过磁头的记录磁场，容易地记录磁信息。

[磁存储装置]

对于使用了本实施方式涉及的磁记录介质的磁存储装置进行说明。本实施方式涉及的磁存储装置如果具有本实施方式涉及的磁记录介质，则形态没有特别限定。另外，这里对于磁存储装置使用热辅助记录方式将磁信息记录于磁记录介质的情况进行说明。

本实施方式涉及的磁存储装置例如，能够具有：用于使本实施方式涉及的磁记录介质旋转的磁记录介质驱动部；在前端部设置有近场光产生元件的磁头；用于使磁头移动的磁头驱动部；以及记录再生信号处理部。

此外，磁头为热辅助记录方式的磁头，例如，具有用于加热磁记录介质的激光产生部以及将由激光产生部产生的激光导入直至近场光产生元件的波导。

图3为表示使用了本实施方式涉及的磁记录介质的磁存储装置的一例的立体图。如图3所示那样，磁存储装置100能够具有：磁记录介质101、用于使磁记录介质101旋转的磁记录介质驱动部102、前端部具备有近场光产生元件的磁头103、用于使磁头103移动的磁头驱动部104以及记录再生信号处理部105。磁记录介质101使用上述本实施方式涉及的磁记录介质1。

图4为表示磁头103的一例的示意图。如图4所示那样，磁头103具有记录头110和再生头120。

记录头110具有主磁极111、辅助磁极112、产生磁场的线圈113、作为激光产生部的激光二极管(LD)114以及将由LD114产生的激光L传送直至近场光产生元件115的波导116。

再生头120具有屏蔽(shield)121以及被屏蔽121夹持的再生元件122。

如图3所示那样，磁存储装置100将磁记录介质101的中心部安装于主轴电动机的旋转轴，一边磁头103上浮移动至通过主轴电动机被旋转驱动的磁记录介质101的面上，一边对于磁记录介质101进行信息的写入或读出。

本实施方式涉及的磁存储装置100通过磁记录介质101使用本实施方式涉及的磁记录介质1，从而能够将磁记录介质101进行高记录密度化，由此能够提高记录密度。

另外，磁存储装置中，可以磁头103代替热辅助记录方式的磁头，而使用微波辅助记录方式的磁头。

实施例

以下，示出实施例和比较例，具体地说明实施方式，但是实施方式并不限定于这些实施例和比较例。

＜磁记录介质的制造＞

[实施例1]

通过以下方法，制造磁记录介质。

在玻璃基板上，作为基底层，依次形成厚度100nm的Cr-50at％Ti合金层以及厚度30nm的Co-27at％Fe-5at％Zr-5at％B合金层。接下来，将玻璃基板加热直至250℃之后，依次形成厚度10nm的Cr层以及厚度5nm的MgO层。接下来，将玻璃基板加热直至450℃之后，作为第1磁记录层，一边对于基板施加+10V的偏压电位一边成膜为厚度1nm的FePt―40mol％C。接下来，将玻璃基板加热直至630℃之后，作为第2磁记录层，制膜为厚度2nm的FePt5at％Rh―40mol％C。接下来，作为第3磁记录层，形成厚度3nm的FePt-16SiO₂层。接下来，作为保护层，形成厚度3nm的碳膜，由此根据实施例1制作磁记录介质。

[实施例2～11、比较例1-1～1-5]

实施例1中，将构成第1磁记录层、第2磁记录层和第3磁记录层的至少1个以上的材料如表1所示那样变更，除此以外，与实施例1同样地操作，制作实施例2～11、比较例1-1～1-5的磁记录介质。

[比较例2-1～2-4]

实施例1中，使第1磁记录层的成膜时的玻璃基板温度为650℃，并且第1磁记录层的成膜时没有施加偏压电位，除此以外，与实施例1同样地操作来进行，制作比较例2-1～2-4的磁记录介质。

[比较例3-1]

实施例1中，将构成磁性层的材料如表1所示那样变更，并且第1磁记录层的成膜时没有施加偏压电位，除此以外，与实施例1同样地进行，制作磁记录介质。

将制造的各实施例和比较例的磁记录介质的截面进行TEM观察，测定构成第1磁记录层的磁性粒子的底面部的平均粒径、构成第2磁记录层的磁性粒子的底面部的平均粒径和构成第3磁记录层的磁性粒子的底面部的平均粒径。将各自测定结果示于表1。

＜磁记录介质的评价＞

(电磁转换特性)

使用美国GUZIK公司制的读写分析仪RWA1632和旋转试验台S1701MP，作为制造的各实施例和比较例的磁记录介质的电磁转换特性，进行SNR(信号/噪声比(S/N比))的评价。

[表1]

由表1，实施例1～实施例11中，SNR为6.2以上。另一方面，比较例1-1～1-5、2-1～2-4和3-1中，SNR为5.8以下。

由此，实施例1～实施例11的磁记录介质与比较例1-1～1-5、2-1～2-4和3-1的磁记录介质不同，第2磁记录层32的居里温度Tc与第1磁记录层31和第3磁记录层33的居里温度Tc相比分别低，低的程度处于30K～100K的范围内，构成第1磁记录层31的磁性粒子的底面部的平均粒径与构成第2磁记录层32和第3磁记录层33的磁性粒子的底面部的平均粒径相比小15％以上。由此，可以说磁记录介质1能够使磁性层30所包含的磁性粒子的粒径变小，由此能够发挥优异的电磁转换特性。

如以上那样，说明了实施方式，但是上述实施方式为作为例子来提示，本发明并不限定于上述实施方式。上述实施方式能够以其它各种形态来实施，在不脱离发明的主旨的范围内，能够进行各种组合、省略、置换、变更等。这些实施方式、其变形包含于发明的范围、主旨中，并且包含于权利要求所记载的发明和其均等的范围内。

Claims (7)

1.一种磁记录介质，其依次层叠而具备基板、基底层以及包含具有L1₀型晶体结构的合金的磁性层，

所述基底层包含MgO，

所述磁性层具有至少3层以上，

3层所述磁性层从所述基板侧依次为第1磁记录层、第2磁记录层和第3磁记录层时，所述第2磁记录层的居里温度Tc与所述第1磁记录层和所述第3磁记录层的居里温度Tc相比分别低，低的程度处于30K～100K的范围内，构成所述第1磁记录层的磁性粒子的底面部的平均粒径与构成所述第2磁记录层和所述第3磁记录层的磁性粒子的底面部的平均粒径相比，分别小15％以上。

2.根据权利要求1所述的磁记录介质，构成所述第1磁记录层的磁性粒子的底面部的平均粒径与构成所述第2磁记录层和所述第3磁记录层的磁性粒子的底面部的平均粒径相比小30％～60％。

3.根据权利要求1或2所述的磁记录介质，所述第1磁记录层的膜厚为0.4nm～1.5nm。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的磁记录介质，所述第2磁记录层的膜厚为0.8nm～3.0nm。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的磁记录介质，所述第3磁记录层的膜厚为3nm以上。

6.根据权利要求1所述的磁记录介质，所述基底层直接接触所述第1磁记录层。

7.一种磁存储装置，其具备权利要求1～6中任一项所述的磁记录介质。

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