CN115305568A - 一种多晶硅的冶炼方法 - Google Patents

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Abstract

本发明属于硅冶金技术领域，具体涉及一种通过熔盐电解法制备多晶硅的方法。所述方法采用具有阳极室和阴极室的电解槽实施，电解槽内盛有阳极电解质、阴极电解质、液态合金等熔体；向阳极室中加入二氧化硅原料，通电电解，即可在阴极室中得到多晶硅产物。本发明方法具有生产连续、可操作性强、多晶硅产物纯度高的优点，避免了现有熔盐电解法所具有的原料溶解性能差和操作要求高等缺陷，以及碳热还原法所面临的高温能耗和有毒废气排放的问题。

Description

一种多晶硅的冶炼方法
技术领域
本发明属于硅冶金技术领域，具体涉及一种多晶硅的冶炼方法。
背景技术
硅原子序数14，相对原子质量为28.0855，为元素周期表中第三周期低IVA族的类金属元素。硅是支撑现代技术高速发展的核心材料之一，被广泛用于生产金属合金、硅有机化合物、光纤、太阳能元件、先进陶瓷、电池、芯片等领域。特别是随着电子信息技术和太阳能产业的飞速发展,全球对高纯硅(包括多晶硅、单晶硅和非晶硅)的需求增长迅猛，市场供不应求。
目前，工业上制备多晶硅一般分两步进行，即碳热还原和硅的纯化。
碳热还原的目的是制取粗硅，该阶段需将含SiO2 98.5％以上的石英砂与碳在电炉中发生反应SiO2+2C＝Si+2CO，进而生成纯度为97-99％的粗硅。在碳热还原的过程中容易产生SiO和SiC，从而降低生产效率，降低硅的回收率，此外，反应温度高达1400℃以上，产生大量的有毒气体CO，能源消耗和废气排放量较大。
制备的粗硅还需要通过化学法和物理法进一步纯化得到高纯硅。化学法主要采用改良西门子法。改良西门子法主要是将粗硅粉碎并采用无水氯化氢与之反应生成三氯氢硅(SiHCl3)，然后对三氯氢硅进行分离精馏提纯，提纯后的三氯氢硅在氢还原炉内进行CVD反应生产高纯多晶硅。物理法主要采用区域熔炼法和定向凝固法。硅的主要杂质在从熔体凝固成晶体的过程中，在硅晶体和剩余硅熔体之间存在偏析效应，其中，绝大多数杂质的偏析系数很低，即在晶体中含量较低，杂质更多地留在剩余熔体中。因此，根据偏析原理而形成的区域熔炼、定向凝固等方法被用来除去硅的部分杂质。
人们还研究了熔盐电解法制备高纯硅，因为熔盐电解法具有反应连续、电解温度可调控等优点。
不同于采用Al2O3原料通过冰晶石熔盐电解法生产金属铝的霍尔-埃鲁特法，氟硅酸盐几乎对SiO2不具有溶解度，而且自身的热稳定性也很差，因此无法作为熔盐电解质来溶解SiO2原料并进行电解操作。目前，冰晶石熔盐也被用于溶解SiO2并进一步电沉积得到多晶硅，但是该方法面临的缺点是：SiO2在冰晶石熔盐中的溶解度仍较低，这容易导致阳极效应的发生，而且对加料速度需要严格控制，操作要求高，此外，杂质铝容易进入到多晶硅产物中，污染产物，增加后续纯化的难度。
也有研究者直接以连有集流体的SiO2作为固态阴极，通过熔盐电脱氧法在阴极得到多晶硅，避免了SiO2在熔盐电解质中的溶解要求，但是，SiO2与固态阴极集流体之间的导电接触较差，SiO2原料中的杂质无法脱除而继续保留在阴极产物中，SiO2原料内部的O元素无法有效脱出，最终得到的阴极产物中含有较多的SiO2、硅酸盐和其他杂质，Si的纯度不足99.5％，而且电解后期电流效率越来越小，电解能耗越来越高。
发明内容
本发明的目的在于提供一种通过熔盐电解法制备多晶硅的冶炼方法，具有生产连续和可操作性强的特点，可避免SiO2原料在熔盐电解质中的溶解性要求，多晶硅阴极产物纯度高。
根据本发明具体实施方式的制备多晶硅的冶炼方法，所述方法利用电解槽实施，所述电解槽分为阳极室和阴极室，阳极室内设有阳极电解质和阳极，阴极室内设有阴极电解质和阴极，电解槽内底部还设有液态合金；所述阳极电解质和阴极电解质互不接触而通过液态合金相连接。
向阳极室中加入二氧化硅原料，通电电解，固态的二氧化硅原料在阳极电解质与液态合金界面处被还原成硅原子并进入液态合金，液态合金中的硅原子在液态合金与阴极电解质界面处被氧化成硅离子并进入阴极电解质，阴极电解质中的硅离子在阴极表面被还原成多晶硅产物。
根据本发明具体实施方式的制备多晶硅的冶炼方法，所述阳极为碳素阳极或惰性阳极。其中，惰性阳极包括陶瓷材料(如CaRuO3)、金属材料(如Ni-Fe合金、Ni-Fe-Cu合金)、金属陶瓷复合材料(如Cu-NiO-NiFe2O4、Ni-NiO-NiFe2O4、Ni-CaRuxTi1-xO3)。
根据本发明具体实施方式的制备多晶硅的冶炼方法，所述阴极为惰性阴极，优选为石墨。所述惰性阴极是指在电解温度下难以与多晶硅发生反应的电极材料。
根据本发明具体实施方式的制备多晶硅的冶炼方法，所述阳极电解质为碱土金属卤化物或/和碱金属卤化物。所述碱土金属卤化物为CaCl2、BaCl2、CaF2中的一种或多种，优选为CaCl2；所述碱金属卤化物为LiCl、NaCl、KCl、LiF中的一种或多种，优选为LiCl。
上述氯化物体系阳极电解质对二氧化硅原料的溶解度很低，但对O2-具有一定的溶解度。当二氧化硅原料加入到上述氯化物体系阳极电解质中时，在电场作用下，固态的二氧化硅原料直接在阳极电解质和液态合金的界面处发生还原反应，其中的硅离子被还原为硅原子，并进入到液态合金之中，解离的O2-溶解于阳极电解质中并向阳极迁移，随后在阳极表面发生氧化反应。反应式为：
界面：SiO2+4e-→Si(液态合金)+2O2-
石墨阳极：O2--2e-+1/xC→1/xCOx↑(x＝1或2)
或惰性阳极：O2--2e-→0.5O2↑
此外，也可以向阳极电解质中添加适量CaO或/和Li2O，提供O2-用于电解初期的氧化反应。
在阳极室中，二氧化硅原料中的杂质因为析出电位差异将有不同的电化学行为，其中比Si更活泼的Ca、Na等杂质将富集在阳极电解质之中，比Si更惰性的Fe、Mn等杂质将被还原并富集在液态合金之中。
根据本发明具体实施方式的制备多晶硅的冶炼方法，所述阴极电解质由氟硅酸盐与LiF、NaF、KF、MgF2、CaF2、BaF2中的一种或几种组成；所述氟硅酸盐为Na2SiF6或/和K2SiF6，其中氟硅酸盐的含量为1～15％(按摩尔百分数计)。碱金属氟化物或/和碱土金属氟化物熔盐对氟硅酸盐具有良好的溶解和稳定作用，通过调节氟盐(碱金属氟化物、碱土金属氟化物、氟硅酸盐)的种类及比例可以控制阴极电解质的初晶温度，进而调控电解温度。氟硅酸盐在所述阴极电解质中的含量还可以继续提高，但是其挥发损失程度也随之增大，因此需要结合具体的电解温度、氟盐种类等因素来确定合适的氟硅酸盐含量。
在阴极室，液态合金中的硅原子在液态合金和阴极电解质的界面处放电，生成的Sin+(Sin+表示SiF6 2-等所有含硅元素的离子,n＝2或4)进入到阴极电解质中，阴极电解质中的Sin+则在阴极表面被还原为多晶硅产物。反应式为：
界面：Si(液态合金)-ne-→Sin+
阴极：Sin++ne-→Si(多晶硅产物)
而液态合金中的Fe、Mn等杂质，因为电化学性质不如Si活泼，所以不发生氧化反应而继续留存于液态合金之中，从而对阴极产物多晶硅的影响很小。
根据本发明具体实施方式的制备多晶硅的冶炼方法，所述液态合金为Si-M合金，M的电化学活性小于Si的电化学活性,M的密度大于Si的密度；所述Si-M合金在正常电解作业时保持液态，且Si-M合金的密度大于所述阳极电解质和阴极电解质的密度。所述M优选为Cu、Ag、Au中的一种或几种。液态合金的成分应该根据合金相图确定，例如，根据Cu-Si二元相图，在1000℃的电解温度下，Si含量为10～40at％的Cu-Si合金均处于液态，在900℃的电解温度下，Si含量为20～30at％的Cu-Si合金均处于液态。
根据本发明具体实施方式的制备多晶硅的冶炼方法，阴极电流密度控制在0.01-1.0A/cm2。
根据本发明具体实施方式的制备多晶硅的冶炼方法，所述电解槽正常工作时的温度为600-1000℃，具体电解温度视具体液态合金、阳极电解质和阴极电解质的成分而定，但要满足液态合金、阳极电解质和阴极电解质均处于熔融状态(液态)。
根据本发明具体实施方式的制备多晶硅的冶炼方法，所述二氧化硅原料的纯度大于90％，例如工业上采用的天然石英砂即可满足，本发明方法制备得到的多晶硅产物的纯度大于99.5％。
本发明的有益效果为：
(1)生产连续，可操作性强。熔盐电解法具有生产连续的显著优点，本方法可以实现二氧化硅原料的批式进料，多晶硅产物的批式出料，电解过程可持续地、不间断地进行。二氧化硅原料直接在液态合金和阳极电解质界面参与反应，被还原的硅原子进入到液态合金中，解离的O2-能有效溶解在阳极电解质中并向阳极迁移及发生氧化反应，有效避免了冰晶石熔盐对SiO2溶解性能差、加料操作要求高、溶解后熔盐物理性质变差、产物杂质含量较高的缺点。
(2)原料要求低，产物纯度高。基于液态合金和阳极/阴极电解质的电化学反应界面，比硅更活泼的杂质(如Na、Ca)有效富集在熔盐电解质中，比硅更惰性的杂质(如Fe、Mn)有效富集在液态合金中，多重的反应界面反应保证了阴极产物多晶硅的纯度>99.5％，O、B、P等关键非金属杂质含量大大减少，而且可以适当放宽二氧化硅原料中的杂质含量要求。
(3)清洁生产，节能环保。碳热还原法生产粗硅的工作温度中高于1400℃，产生大量有毒CO气体需处理。相比之下，本方法的最高反应温度为1000℃，相应的高温能耗可以大大减少，而且当采用碳素阳极时产生的气体主要是CO2，当采用惰性阳极时则产生清洁无害的O2,可实现无碳清洁生产。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为电解槽结构示意图；
其中：1.阳极；2.阳极电解质；3.二氧化硅原料；4.液态合金；5.带有绝缘隔板的电解槽；6.阴极电解质；7.多晶硅产物；8.阴极。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将对本发明的技术方案进行详细的描述。显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所得到的所有其它实施方式，都属于本发明所保护的范围。
本发明以下实施例均利用图1所示电解槽实施，其中，电解槽5内底部盛有液态合金4，液态合金4上方的电解槽5内部区域由绝缘隔板分为阳极室和阴极室，阳极室内盛有阳极电解质2并插有阳极1，阴极室内盛有阴极电解质6并插有阴极8，所述阳极电解质2和阴极电解质6互不接触而通过液态合金4相连接。
实施例1
电解槽底部盛放有Cu-20at％Si合金，阳极室中盛放有纯氯化钙作为阳极电解质，并加入纯度为96.6％的固态二氧化硅原料，阴极室中盛放有40％NaF-56％LiF-4％K2SiF6作为阴极电解质(此处及以下的阳极电解质或阴极电解质的成分均以摩尔百分数计)，阳极为石墨，阴极为钨棒，将电解槽置于干燥氩气气氛下升温至900℃，保温2h，通电电解，控制阴极电流密度为0.6A/cm2。反应完成后，测得阴极所得硅的纯度为99.93％。
实施例2
电解槽底部盛放有Au-20at％Si合金，阳极室中盛放有40％CaCl2-60％LiCl作为阳极电解质，并加入纯度为90.3％的固态二氧化硅原料，阴极室中盛放有46％KF-46％LiF-8％K2SiF6作为阴极电解质，阳极为石墨，阴极为石墨，将电解槽置于干燥氩气气氛下升温至650℃，保温2h，通电电解，控制阴极电流密度为1.0A/cm2。反应完成后，测得阴极所得硅的纯度为99.74％。
实施例3
电解槽底部盛放有Ag-10at％Si合金，阳极室中盛放有90％CaCl2-5％CaF2-5％CaO作为阳极电解质，并加入纯度为92.9％的固态二氧化硅原料，阴极室中盛放有40％NaF-58％KF-2％K2SiF6作为阴极电解质，阳极为石墨，阴极为石墨，将电解槽置于干燥氩气气氛下升温至950℃，保温2h，通电电解，控制阴极电流密度为0.4A/cm2。反应完成后，测得阴极所得硅的纯度为99.86％。
实施例4
电解槽底部盛放有Cu-30at％Si合金，阳极室中盛放有60％CaCl2-40％CaF2作为阳极电解质，并加入纯度为94.5％的固态二氧化硅原料，阴极室中盛放有70％LiF-29％CaF2-1％Na2SiF6作为阴极电解质，阳极为CaRuO3陶瓷材料惰性阳极，阴极为钼棒，将电解槽置于干燥氩气气氛下升温至1000℃，保温2h，通电电解，控制阴极电流密度为0.1A/cm2。反应完成后，测得阴极所得硅的纯度为99.92％。
实施例5
电解槽底部盛放有Au-20at％Ag-20at％Si合金，阳极室中盛放有纯氯化锂作为阳极电解质，并加入纯度为99.1％的固态二氧化硅原料，阴极室中盛放有47％LiF-10％NaF-38％KF-5％K2SiF6作为阴极电解质，阳极为石墨，阴极为石墨，将电解槽置于干燥氩气气氛下升温至850℃，保温2h，通电电解，控制阴极电流密度为0.01A/cm2。反应完成后，测得阴极所得硅的纯度为99.99％。
实施例6
电解槽底部盛放有Au-25at％Si合金，阳极室中盛放有50％CaCl2-50％NaCl作为阳极电解质，并加入纯度为98.0％的固态二氧化硅原料，阴极室中盛放有44％KF-44％LiF-12％K2SiF6作为阴极电解质，阳极为Ni-CaRuO3金属陶瓷复合材料惰性阳极，阴极为石墨，将电解槽置于干燥氩气气氛下升温至780℃，保温2h，通电电解，控制阴极电流密度为0.05A/cm2。反应完成后，测得阴极所得硅的纯度为99.95％。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (10)

1.一种多晶硅的冶炼方法，其特征在于，
所述方法利用电解槽实施，所述电解槽分为阳极室和阴极室，阳极室内设有阳极电解质和阳极，阴极室内设有阴极电解质和阴极，电解槽内底部还设有液态合金；所述阳极电解质和阴极电解质互不接触而通过液态合金相连接；
向阳极室中加入二氧化硅原料，通电电解，固态的二氧化硅原料在阳极电解质与液态合金界面处被还原成硅原子并进入液态合金，液态合金中的硅原子在液态合金与阴极电解质界面处被氧化成硅离子并进入阴极电解质，阴极电解质中的硅离子在阴极表面被还原成多晶硅产物。
2.根据权利要求1所述的一种多晶硅的冶炼方法，其特征在于，所述阳极为碳素阳极或惰性阳极。
3.根据权利要求1所述的一种多晶硅的冶炼方法，其特征在于，所述阴极为惰性阴极，优选为石墨。
4.根据权利要求1所述的一种多晶硅的冶炼方法，其特征在于，所述阳极电解质为碱土金属卤化物或/和碱金属卤化物。
5.根据权利要求4所述的一种多晶硅的冶炼方法，其特征在于，所述碱土金属卤化物为CaCl2、BaCl2、CaF2中的一种或多种，优选为CaCl2；所述碱金属卤化物为LiCl、NaCl、KCl、LiF中的一种或多种，优选为LiCl。
6.根据权利要求1所述的一种多晶硅的冶炼方法，其特征在于，所述阴极电解质由氟硅酸盐与LiF、NaF、KF、MgF2、CaF2、BaF2中的一种或几种组成；所述氟硅酸盐为Na2SiF6或/和K2SiF6。
7.根据权利要求6所述的一种多晶硅的冶炼方法，其特征在于，所述氟硅酸盐在所述阴极电解质中的摩尔百分数为1～15％。
8.根据权利要求1所述的一种多晶硅的冶炼方法，其特征在于，所述液态合金为Si-M合金，M的电化学活性小于Si的电化学活性,M的密度大于Si的密度；
所述Si-M合金在正常电解作业时保持为液态，且Si-M合金的密度大于所述阳极电解质和阴极电解质的密度。
9.根据权利要求8所述的一种多晶硅的冶炼方法，其特征在于，所述M为Cu、Ag、Au中的一种或几种。
10.根据权利要求1所述的一种多晶硅的冶炼方法，其特征在于，阴极电流密度控制在0.01-1.0A/cm2。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN117230459A (zh) * 2023-11-13 2023-12-15 中国科学院广州地球化学研究所 一种硅基纳微米材料的原位制备方法和装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3219561A (en) * 1962-03-14 1965-11-23 Gen Trustee Company Inc Dual cell refining of silicon and germanium
JP2014111801A (ja) * 2012-12-05 2014-06-19 Doshisha 溶融塩電解によるシリコンの製造法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3219561A (en) * 1962-03-14 1965-11-23 Gen Trustee Company Inc Dual cell refining of silicon and germanium
JP2014111801A (ja) * 2012-12-05 2014-06-19 Doshisha 溶融塩電解によるシリコンの製造法

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
K.L.CARLETON ET AL.: "Electrochemical Nucleation and Growth of Silicon in Molten Fluorides", 《JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY》, pages 783 *
闫剑锋: "三层液熔盐电解制备太阳级硅的电解工艺研究", 《中国优秀硕士学位论文全文数据库 工程科技I辑》, pages 12 *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN117230459A (zh) * 2023-11-13 2023-12-15 中国科学院广州地球化学研究所 一种硅基纳微米材料的原位制备方法和装置
CN117230459B (zh) * 2023-11-13 2024-02-13 中国科学院广州地球化学研究所 一种硅基纳微米材料的原位制备方法和装置

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