CN115284151A - 一种无蜡抛光工艺方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种无蜡抛光工艺方法，用于晶片抛光，包括以下步骤：S100：选取陶瓷盘，在陶瓷盘上粘贴用于固定晶片的双面拉伸胶；S200：将晶片粘贴于双面拉伸胶上；S300：将晶片压紧于双面拉伸胶上；S400：对晶片进行粗抛；S500：对晶片进行精抛。和现有技术中的有蜡抛光工艺相比，本发明实施例所公开的无蜡抛光工艺无需反复进行上蜡、化蜡等步骤，通过双面拉伸胶即可将晶片固定于陶瓷盘上，而且当抛光完成后，将双面拉伸胶拉扯下来即可，上述无蜡抛光工艺方法的加工步骤简单，不仅能够有效提高晶片的加工效率，还能够保证晶片的加工质量。

Description

一种无蜡抛光工艺方法
技术领域
本发明涉及晶片加工技术领域，特别涉及一种无蜡抛光工艺方法。
背景技术
当前，半导体行业对晶片的加工通常采用上蜡抛光工艺，而一般上蜡工艺步骤都比较繁琐，有时甚至需要反复上蜡，化蜡，加工效率低，并且多次操作也容易造成划伤等机械缺陷。
因此，如何既能够提高晶片的加工效率，还能够保证晶片的加工质量是本领域技术人员亟需解决的技术问题。
发明内容
有鉴于此，本发明的目的在于提供一种无蜡抛光工艺方法，不仅能够提高晶片的加工效率，还能够保证晶片的加工质量。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：
一种无蜡抛光工艺方法，用于晶片抛光，包括以下步骤：
S100：选取陶瓷盘，在所述陶瓷盘上粘贴用于固定所述晶片的双面拉伸胶；
S200：将所述晶片粘贴于所述双面拉伸胶上；
S300：将所述晶片压紧于所述双面拉伸胶上；
S400：对所述晶片进行粗抛；
S500：对所述晶片进行精抛。
优选的，还包括步骤S600：将所述双面拉伸胶抽取，使得所述陶瓷盘和所述晶片脱离所述双面拉伸胶，并将精抛后的所述晶片进行清洗。
优选的，所述步骤S 100中，在所述陶瓷盘上粘贴用于固定所述晶片的双面拉伸胶之前，还包括将所述陶瓷盘的表面采用酒精清洗干净。
优选的，在所述步骤S100中，所述晶片的面积不大于所述双面拉伸胶的面积。
优选的，在所述步骤S300中，采用气囊压机对所述晶片进行压紧。
优选的，所述气囊压机对所述晶片施加的压力分为两段，包括第一段压力和第二段压力，所述第一段压力的压力值为40Kpa-50Kpa，所述第二段压力的压力值为60Kpa-70Kpa。
优选的，所述陶瓷盘为圆形状盘体，所述双面拉伸胶置于所述陶瓷盘的中间，且距离所述陶瓷盘的边缘为3mm-5mm。
优选的，所述晶片为砷化镓晶片。
由以上技术方案可以看出，和现有技术中的有蜡抛光工艺相比，本发明实施例所公开的无蜡抛光工艺无需反复进行上蜡、化蜡等步骤，通过双面拉伸胶即可将晶片固定于陶瓷盘上，而且当抛光完成后，将双面拉伸胶拉扯下来即可，上述无蜡抛光工艺方法的加工步骤简单，不仅能够有效提高晶片的加工效率，还能够保证晶片的加工质量。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见的，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例所公开的无蜡抛光工艺方法的流程图。
具体实施方式
有鉴于此，本发明的核心在于提供一种无蜡抛光工艺方法，不仅能够提高晶片的加工效率，还能够保证晶片的加工质量。
为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案，下面接合附图和具体实施方式对本发明作进一步的详细说明。
请参考图1，本发明实施例所公开的无蜡抛光工艺方法，包括以下步骤：
S100：选取陶瓷盘，在陶瓷盘上粘贴用于固定晶片的双面拉伸胶；
S200：将晶片粘贴于双面拉伸胶上；
S300：将晶片压紧于双面拉伸胶上；
S400：对晶片进行粗抛；
S500：对晶片进行精抛。
本发明实施例所公开的无蜡抛光工艺方法中，首先选取陶瓷盘，在陶瓷盘上粘贴用于固定晶片的双面拉伸胶，然后再将晶片粘贴于双面拉伸胶上，并对晶片进行压紧，使得将晶片和双面拉伸胶完全贴合，最后再对晶片进行粗抛和精抛。
和现有技术中的有蜡抛光工艺相比，本发明实施例所公开的无蜡抛光工艺无需反复进行上蜡、化蜡等步骤，通过双面拉伸胶即可将晶片固定于陶瓷盘上，而且当抛光完成后，将双面拉伸胶拉扯下来即可，上述无蜡抛光工艺方法的加工步骤简单，不仅能够有效提高晶片的加工效率，还能够保证晶片的加工质量。
需要解释的是，双面拉伸胶指一种双面自粘性胶带，在不同物体表面具有可移除性，主要原料为透明PET基材及高粘性改性丙烯酸，当双面拉伸胶从被粘贴物表面拉扯下来后，不会在被粘贴物上留下双面拉伸胶的粘贴痕迹。
作为优选实施例，本发明实施例所公开的无蜡抛光工艺方法，还包括步骤S600：将双面拉伸胶抽取，使得陶瓷盘和晶片脱离双面拉伸胶，并将精抛后的晶片进行清洗。
需要说明的是，为了保证陶瓷盘与晶片的粘度，本发明实施例所公开的步骤S 100中，在陶瓷盘上粘贴用于固定晶片的双面拉伸胶之前，还包括将陶瓷盘的表面采用酒精清洗干净。如此设置，双面拉伸胶能够牢固的粘贴于陶瓷盘上，以提升晶片的稳固性。
为了使得晶片能够完全粘贴在双面拉伸胶上，本发明实施例所公开的晶片的面积优选不大于双面拉伸胶的面积。
更为优选的，本发明实施例所公开的晶片的面积等于双面拉伸胶的面积。如此设置，既不浪费双面拉伸胶，还能够保证晶片能够完全的与双面拉伸胶进行贴合。
在步骤S300中，将晶片压紧于双面拉伸胶上，本发明实施例对具体的压紧方法不进行限定，只要满足本发明使用要求的方式均在本发明的保护范围之内。
作为优选实施例，本发明实施例所公开的无蜡抛光工艺方法中，优选采用气囊压机对晶片进行压紧。
具体的，气囊压机对晶片施加的压力分为两段，具体包括第一段压力和第二段压力，第一段压力的压力值优选为40Kpa-50Kpa，第二段压力的压力值优选为60Kpa-70Kpa。
本发明实施例对陶瓷盘的具体形状不进行限定，只要满足本发明使用要求的结构均在本发明的保护范围之内。
作为优选实施例，本发明实施例所公开的陶瓷盘优选为圆形状盘体，其中，双面拉伸胶置于陶瓷盘的中间，且距离陶瓷盘的边缘为3mm-5mm。如此设置，可以保证晶片置于陶瓷盘的中心位置，以便于对晶片加工。
本发明实施例对晶片的具体材质不进行限定，作为优选实施例，本发明实施例所公开的晶片为砷化镓晶片。
在本申请的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (8)

1.一种无蜡抛光工艺方法，用于晶片抛光，其特征在于，包括以下步骤：
S100：选取陶瓷盘，在所述陶瓷盘上粘贴用于固定所述晶片的双面拉伸胶；
S200：将所述晶片粘贴于所述双面拉伸胶上；
S300：将所述晶片压紧于所述双面拉伸胶上；
S400：对所述晶片进行粗抛；
S500：对所述晶片进行精抛。
2.根据权利要求1所述的无蜡抛光工艺方法，其特征在于，还包括步骤S600：将所述双面拉伸胶抽取，使得所述陶瓷盘和所述晶片脱离所述双面拉伸胶，并将精抛后的所述晶片进行清洗。
3.根据权利要求1所述的无蜡抛光工艺方法，其特征在于，所述步骤S100中，在所述陶瓷盘上粘贴用于固定所述晶片的双面拉伸胶之前，还包括将所述陶瓷盘的表面采用酒精清洗干净。
4.根据权利要求1所述的无蜡抛光工艺方法，其特征在于，在所述步骤S100中，所述晶片的面积不大于所述双面拉伸胶的面积。
5.根据权利要求1所述的无蜡抛光工艺方法，其特征在于，在所述步骤S300中，采用气囊压机对所述晶片进行压紧。
6.根据权利要5所述的无蜡抛光工艺方法，其特征在于，所述气囊压机对所述晶片施加的压力分为两段，包括第一段压力和第二段压力，所述第一段压力的压力值为40Kpa-50Kpa，所述第二段压力的压力值为60Kpa-70Kpa。
7.根据权利要求1所述的无蜡抛光工艺方法，其特征在于，所述陶瓷盘为圆形状盘体，所述双面拉伸胶置于所述陶瓷盘的中间，且距离所述陶瓷盘的边缘为3mm-5mm。
8.根据权利要求1所述的无蜡抛光工艺方法，其特征在于，所述晶片为砷化镓晶片。
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