CN115246082A - 陶瓷壳体及其制作方法和电子设备 - Google Patents

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CN115246082A CN202110464011.5A CN202110464011A CN115246082A CN 115246082 A CN115246082 A CN 115246082A CN 202110464011 A CN202110464011 A CN 202110464011A CN 115246082 A CN115246082 A CN 115246082A
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Abstract

本申请提供了一种陶瓷壳体,包括陶瓷壳体本体,以及设置在陶瓷壳体本体上的凸起结构,所述凸起结构的侧壁包括至少一个凸弧面和至少一个凹弧面,所述凸弧面的高斯曲率为K1,所述凹弧面的高斯曲率为K2,0<K1≤0.03m‑2,‑0.03m‑2≤K2<0。本申请提供的陶瓷壳体具有异形凸起结构,改善了陶瓷壳体外观,使得陶瓷壳体具有流线设计以及光影流动变幻效果,提升陶瓷壳体的视觉效果,有利于其应用。本申请还提供了陶瓷壳体的制作方法和电子设备。

Description

陶瓷壳体及其制作方法和电子设备
技术领域
本申请属于电子设备技术领域,具体涉及陶瓷壳体及其制作方法和电子设备。
背景技术
陶瓷材料具有硬度高、韧性好、耐磨等优点,近年来常常用作电子设备的壳体。相关技术中,陶瓷材料制得的壳体往往为平板状,壳体外形变动较小,同质化现象严重。
发明内容
鉴于此,本申请提供了一种具有异形凸起结构的陶瓷壳体,改善了陶瓷壳体外观,提高电子设备的产品竞争力。
第一方面,本申请提供了一种陶瓷壳体,包括陶瓷壳体本体,以及设置在陶瓷壳体本体上的凸起结构,所述凸起结构的侧壁包括至少一个凸弧面和至少一个凹弧面,所述凸弧面的高斯曲率为K1,所述凹弧面的高斯曲率为K2,0<K1≤0.03m-2,-0.03m-2≤K2<0。
第二方面,本申请提供了一种陶瓷壳体的制作方法,包括:
提供陶瓷壳体前体,所述陶瓷壳体前体包括陶瓷基板以及设置在所述陶瓷基板上的待抛光的凸起结构,所述凸起结构的侧壁包括至少一个凸弧面和至少一个凹弧面;
对所述凸起结构进行粗抛和精抛,所述粗抛采用第一抛光盘和钻石抛光液,所述第一抛光盘包括第一盘体以及设置在所述第一盘体表面的多条铜丝,所述精抛采用第二抛光盘和二氧化硅抛光液,所述第二抛光盘包括第二盘体以及设置在所述第二盘体表面的多条聚氨酯抛光条,得到陶瓷壳体,所述凸起结构中所述凸弧面的高斯曲率为K1,所述凹弧面的高斯曲率为K2,0<K1≤0.03m-2,-0.03m-2≤K2<0。
第三方面,本申请提供了一种电子设备,包括第二方面所述的或第三方面所述的制作方法制得的陶瓷壳体,以及与所述陶瓷壳体相连的显示屏。
本申请提供了一种具有异形凸起结构的陶瓷壳体,改善了陶瓷壳体外观;该凸起结构的侧壁具有凹弧面和凸弧面,凸起结构为非等曲率结构,使得陶瓷壳体具有流线设计以及光影流动变幻效果,提升陶瓷壳体的视觉效果,有利于其应用;本申请提供的陶瓷壳体的制作方法简单,可以实现精细化的加工,得到顺滑触感的陶瓷壳体;具有该陶瓷壳体的电子设备能够避免同质化,提升产品竞争力。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施方式中的技术方案,下面将对本申请实施方式中所需要使用的附图进行说明。
图1为本申请一实施方式提供的陶瓷壳体的俯视图。
图2为图1中沿A-A线的剖面图。
图3为本申请一实施方式提供的陶瓷壳体的结构示意图。
图4为本申请一实施方式提供的陶瓷壳体的截面图。
图5为本申请一实施方式提供的壳体组件的制作方法的流程示意图。
图6为本申请一实施方式提供的竖直走刀的示意图。
图7为本申请一实施方式提供的抛光过程的示意图。
标号说明:
陶瓷壳体本体-11,凸起结构-12,凸弧面-121,凹弧面-122,陶瓷壳体-10,陶瓷壳体前体-101,抛光盘-20,加压装置-30,夹具-40。
具体实施方式
以下是本申请的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本申请原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也视为本申请的保护范围。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开,下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然,它们仅仅为示例,并且目的不在于限制本申请。此外,本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母,这种重复是为了简化和清楚的目的,其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外,本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子,但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
请参阅图1,为本申请一实施方式提供的陶瓷壳体的俯视图,以及请参阅图2,为图1中沿A-A线的剖面图,陶瓷壳体10包括陶瓷壳体本体11,以及设置在陶瓷壳体本体11上的凸起结构12,凸起结构12的侧壁包括至少一个凸弧面121和至少一个凹弧面122,凸弧面121的高斯曲率为K1,凹弧面122的高斯曲率为K2,0<K1≤0.03m-2,-0.03m-2≤K2<0。本申请提供的陶瓷壳体10上设置有凸起结构12,相比与平板状的外形,本申请提供的陶瓷壳体10外观可变性提升,并且凸起结构12的侧壁具有凸弧面121和凹弧面122,使得凸起结构12呈现非等曲率的异形结构,改善了陶瓷壳体10的外观效果;同时,凸弧面121和凹弧面122的高斯曲率在上述范围内使得凸起结构12具有流线设计外观,触感顺滑,可以呈现光影流动变幻效果,提高陶瓷壳体10的产品竞争力,有利于其应用。
在本申请中,凸起结构12的侧壁具有凸弧面121和凹弧面122,凸弧面121由凸起结构12的内部向凸起结构12的外部凸出,凹弧面122由凸起结构12的外部向凸起结构12的内部凹陷。本申请陶瓷壳体10中的凸起结构12是异形非等曲率的火山口结构。在本申请中,凸弧面121的高斯曲率为K1,凹弧面122的高斯曲率为K2,0<K1≤0.03m-2,-0.03m-2≤K2<0,从而使得凸弧面121与凹弧面122具有顺滑的外观,提升陶瓷壳体10的触感。在本申请中,K1和K2的绝对值可以相同,也可以不同。在一实施例中,0<K1≤0.025m-2。进一步的,0<K1≤0.018m-2。具体的,K1可以但不限于为0.003m-2、0.005m-2、0.008m-2、0.01m-2、0.012m-2、0.015m-2或0.018m-2等。在另一实施例中,-0.018m-2≤K2<0。进一步的,-0.003m-2≤K2<0。具体的,K2可以但不限于为-0.018m-2、-0.016m-2、-0.015m-2、-0.013m-2、-0.01m-2、-0.007m-2、-0.005m-2、-0.003m-2或-0.002m-2等。在一具体实施例中,0<K1≤0.018m-2,-0.003m-2≤K2<0。
在本申请实施方式中,凸起结构12的侧壁还包括至少一个连接部,连接部连接凸弧面121和凹弧面122,连接部的高斯曲率为0。通过设置连接部使凸弧面121和凹弧面122更加顺滑的连接在一起,提高凸起结构12流线设计外观效果。可以理解的,连接部可以为连接线,也可以为连接面。
在本申请实施方式中,凸起结构12的高度为H,0<H≤3mm。从而使得凸起结构12更容易加工制得,并且不会影响陶瓷壳体10的使用,并且陶瓷壳体10在电子设备中应用时,为电子器件的容纳提供更大的空间。进一步的,0.2mm≤H≤2.8mm。更进一步的,0.2mm≤H≤2mm。具体的,凸起结构12的高度可以但不限于为0.2mm、0.5mm、1mm、1.3mm、1.6mm、2mm、2.3mm、2.5mm、2.61mm或2.9mm等。
在本申请中,凸起结构12的侧壁包括至少一个凸弧面121和至少一个凹弧面122,凸弧面121和凹弧面122的数量可以相同也可以不同。凸起结构12的侧壁上,凸弧面121的相对两端可以分别与两个凹弧面122连接,也可以分别与两个凸弧面121连接,还可以与一个凹弧面122和一个凸弧面121连接;凹弧面122的相对两端可以分别与两个凸弧面121接,也可以分别与两个凹弧面122连接,还可以与一个凹弧面122和一个凸弧面121连接。可以理解的,上述连接可以为直接连接,也可以为间接连接。在一实施例中,凸起结构12的横截面呈圆角多边形。从而使得凸起结构12具有圆润的外观,平滑过渡效果好,提高陶瓷壳体10的质感。具体的,凸起结构12的侧壁可以但不限于包括两个凸弧面121和两个凹弧面122、三个凸弧面121和两个凹弧面122、两个凸弧面121和三个凹弧面122、三个凸弧面121和三个凹弧面122、四个凸弧面121和四个凹弧面122、或五个凸弧面121和五个凹弧面122等。
在本申请一实施方式中,凸起结构12的侧壁包括两个凸弧面121和两个凹弧面122,两个凸弧面121相连接。也就是说,两个凸弧面121相连接,两个凹弧面122相连接,并且凸弧面121和凹弧面122相连接。在本申请另一实施方式中,凸起结构12的侧壁包括两个凸弧面121和两个凹弧面122,凸弧面121与两个凹弧面122相连接。也就是说,凸弧面121与两个凹弧面122相连接,凹弧面122与两个凸弧面121相连接,两个凸弧面121间隔设置,两个凹弧面122间隔设置。请参阅图3,为本申请一实施方式提供陶瓷壳体的结构示意图,其中,凸起结构12的侧壁包括两个凸弧面121和两个凹弧面122,两个凸弧面121相连接,两个凹弧面122相连接。可以理解的,两个凸弧面121之间可以直接连接,也可以通过第一结合部进行连接;两个凹弧面122之间可以直接连接,也可以通过第二结合部进行连接,进一步的,凸弧面121和凹弧面122之间通过连接部连接。进一步的,凸起结构12的横截面呈圆角矩形。更进一步的,凸起结构12的横截面呈圆角正方形。
在本申请实施方式中,凸弧面121的长度为0.5cm-3cm,凹弧面122的长度为0.5cm-3cm。凸弧面121和凹弧面122的长度是指在其延伸方向上任意两点之间的最大距离,其延伸方向所在平面与凸起结构12高度方向所在平面垂直。进一步的,凸弧面121的长度为0.8cm-2cm,凹弧面122的长度为0.8cm-2cm。在一实施例中,凸弧面121的长度与凹弧面122的长度相等。
在本申请中,对陶瓷壳体本体11的厚度不作限定,根据陶瓷壳体10的应用场景进行调整。在一实施例中,陶瓷壳体10用于电子设备的壳体时,陶瓷壳体本体11的厚度可以但不限于为0.2mm-0.6mm。可以理解的,陶瓷壳体本体11可以为非等厚壳体,也可以等厚度壳体。
在本申请实施方式中,陶瓷壳体10具有至少一个通孔,沿陶瓷壳体10的厚度方向上,通孔贯穿凸起结构12和陶瓷壳体本体11。通过设置通孔,有利于陶瓷壳体10与电子设备中的电子器件配合使用。具体的,可以但不限于为陶瓷壳体10可以作为电子设备的壳体,凸起结构12可以对应电子设备中采光器件和/或发光器件设置,具体的凸起结构12可以对应电子设备中的摄像头、闪光灯等。凸起结构12有利于设置高质量拍摄效果的摄像头,提高了摄像头在电子设备中的容纳空间,有利于提升拍摄质量和电子设备的性能。在一实施例中,请参阅图2,凸起结构12包括第一表面、第二表面,以及连接第一表面和第二表面的侧壁。进一步的,陶瓷壳体10具有通孔,通孔贯穿第一表面和第二表面。此时,陶瓷壳体本体11对应凸起结构12的区域具有实体结构。请参阅图4,为本申请一实施方式提供的陶瓷壳体的截面图,凸起结构12包括凸弧面121和凹弧面122,以及连接凸弧面121和凹弧面122的平台面,凸起结构12呈凸台状框。此时,凸起结构12是中空结构,陶瓷壳体本体11对应凸起结构12的区域无实体结构。在陶瓷壳体10使用过程中凸起结构12的平台面作为陶瓷壳体10的外表面。在另一实施例中,平台面的厚度为0.3mm-0.6mm。进一步的,平台面的厚度为0.35mm-0.55mm。具体的,平台面的厚度可以但不限于为0.3mm、0.4mm、0.42mm、0.45mm、0.5mm或0.54mm等。进一步的,陶瓷壳体10具有通孔,通孔贯穿平台面。在又一实施例中,凸起结构12由侧壁围设形成。也就是说,凸起结构12无第一表面和第二表面;此时陶瓷壳体10应用于电子设备中时,可以在凸起结构12的开口处设置卡合层,卡合层卡合在凸起结构12的开口处。进一步的,陶瓷壳体10具有通孔,通孔贯穿卡合层。具体的,卡合层的材质包括玻璃、金属、塑料和陶瓷中的至少一种。
在本申请实施方式中,请参阅图1,陶瓷壳体本体11具有上端以及与上端相对的下端,左端以及与左端相对的右端。可以理解的,陶瓷壳体10使用时,陶瓷壳体本体11具有上端、下端、左端和右端。在一实施例中,凸起结构12与上端的间距为0.3cm-1cm,凸起结构12与左端的0.3cm-1cm。上述设置有利于凸起结构12和陶瓷壳体本体11的边缘之间进行自然过渡,提升陶瓷壳体10整体的顺滑感,同时提升了握持时的手感。可以理解的,上述间距为两者之间的最小距离。进一步的,凸起结构12与上端的间距为0.5cm-0.8cm,凸起结构12与左端的间距为0.5cm-0.8cm。在另一实施例中,凸起结构12与左端的间距和凸起结构12与右端的间距相等,凸起结构12与上端的间距和凸起结构12与下端的间距比为1:(3-6)。上述设置使得凸起结构12位于陶瓷壳体本体11靠近上端的中线区域,提升陶瓷壳体10的设计感。
在本申请实施方式中,陶瓷壳体10为一体成型。也就是说,凸起结构12和陶瓷壳体本体11是一体成型,凸起结构12和陶瓷壳体本体11上没有任何断点和割裂感,提升了陶瓷壳体10的质感。
本申请还提供了一种陶瓷壳体的制作方法,该制作方法制备上述任一实施方式的陶瓷壳体10。请参阅图5,为本申请一实施方式提供的陶瓷壳体的制作方法的流程示意图,包括:
操作110:提供陶瓷壳体前体,陶瓷壳体前体包括陶瓷基板以及设置在陶瓷基板上的待抛光的凸起结构,凸起结构的侧壁包括至少一个凸弧面和至少一个凹弧面。
操作120:对凸起结构进行粗抛和精抛,粗抛采用第一抛光盘和钻石抛光液,第一抛光盘包括第一盘体以及设置在第一盘体表面的多条铜丝,精抛采用第二抛光盘和二氧化硅抛光液,第二抛光盘包括第二盘体以及设置在第二盘体表面的多条聚氨酯抛光条,得到陶瓷壳体,凸起结构中凸弧面的高斯曲率为K1,凹弧面的高斯曲率为K2,0<K1≤0.03m-2,-0.03m-2≤K2<0。
本申请提供的制作方法可以制得具有不规则形状凸起结构12的陶瓷壳体10,凸起结构12为一体成型,没有断点,使得陶瓷壳体10具有丝滑触感和连续无断点的光影流动变化,本申请提供的方法有利于提升陶瓷壳体10外观形状的可变性,避免同质化现象。
在本申请实施方式中,提供陶瓷壳体前体101包括:提供陶瓷基材,刀具采用竖直走刀的方式加工陶瓷基材,刀具的转速为15000rpm-30000rpm,步距为0.1mm-0.5mm,进给为3000mm/min-8000mm/min,得到陶瓷壳体前体101。在本申请中,通过采用竖直走刀的方式,可以得到具有凸起结构12的陶瓷壳体前体101;竖直走刀可以避免在加工过程中更换刀具,可以采用一种刀具加工得到非等曲率的凸起结构12,并且在此过程中无需使用仿形刀具,加工过程更加方便;采用上述加工条件,可以提高凸起结构12的成型效率和良率。具体的,可以但不限于为通过数控加工成型陶瓷壳体前体101。进一步的,刀具的转速为18000rpm-25000rpm,步距为0.15mm-0.4mm,进给为4000mm/min-7000mm/min。更进一步的,刀具的转速为20000rpm-24000rpm,步距为0.2mm-0.3mm,进给为5000mm/min-6000mm/min。请参阅图6,为本申请一实施方式提供的竖直走刀的示意图,可以看出,通过采用竖直走刀的方式,使得形成的凸起结构12的侧壁的曲面效果与理论上的曲面效果一致,例如形成的凸起结构12的侧壁的曲率、弯曲程度与理论上的凸起结构12的侧壁的曲率、弯曲程度相一致,并且在凸弧面121和凹弧面122上不会产生台阶状刀纹,有利于后续的加工。相关技术中,采用环绕走刀加工时,由于凸起结构12具有非等曲率的凸弧面121和凹弧面122,在加工过程中需要更换刀具,并且会在凸弧面121和凹弧面122上产生台阶状的刀纹,加大了抛光的难度。通过本申请提供的方法可以避免在凸起结构12上残留台阶状的刀纹,并且能够一体成型陶瓷壳体前体101,有利于制得具有流线设计以及光滑触感的陶瓷壳体10。在一实施例中,刀具为不锈钢电镀金刚石刀具。进一步的,金刚石砂号为80目-320目。具体的,刀具可以但不限于为45号钢电镀金刚石刀。在本申请中,通过刀具加工陶瓷基材时,可以制得平板状的陶瓷基板,还可以制得曲面状的陶瓷基板。在一实施例中,陶瓷基板包括主体部和设置在主体部边缘的延伸部,延伸部向主体部弯折。从而更有利于制得具有弯曲状的陶瓷壳体本体11,提升陶瓷壳体10的顺滑质感。
在本申请中,陶瓷基材可以但不限于通过注塑、流延和干压中的至少一种方式成型,陶瓷基材的材质可以采用使用于电子设备壳体中的陶瓷材料,对此不作限定。
在本申请中,通过采用铜丝配合钻石抛光液,铜丝形变较小,对凸起结构12的扫光能力强,对刀纹可以进行有效去除,并且铜丝在粗抛过程中不会在凸起结构12上造成残留,能够对凸起结构12进行有效的粗抛,降低凸起结构12的粗糙度;采用聚氨酯抛光条配合二氧化硅抛光液,能够对粗抛后的凸起结构12进一步抛光,提高凸起结构12的镜面效果,制得顺滑触感和视觉效果的凸起结构12。可以理解的,在对凸起结构12进行粗抛和精抛的过程中,由于凸起结构12的侧壁具有非等曲率的凸弧面121和凹弧面122,因此,对凸起结构12侧壁的抛光难度加大;采用本申请提供的抛光方法,可以对凸起结构12的侧壁进行有效抛光,降低侧壁的表面粗糙度,提高侧壁的丝滑感。
在本申请实施方式中,铜丝的直径为0.01mm-0.5mm,铜丝的长度为1cm-10cm。采用上述铜丝可以使得第一抛光盘对凸起结构12进行有效抛光,并且有效避免残留,以及尽可能避免粗抛过程对凸起结构12造成的损伤。进一步的,铜丝的直径为0.05mm-0.4mm,铜丝的长度为2cm-8cm。具体的,铜丝的直径可以但不限于为0.01mm、0.08mm、0.1mm、0.15mm、0.2mm、0.26mm、0.3mm、0.4mm或0.45mm等,铜丝的长度可以但不限于为2cm、3cm、5cm、7cm、8cm或9cm等。在本申请实施方式中,钻石抛光液中钻石粉的粒径为10μm-30μm。可以理解的,钻石抛光液是抛光液的一种,是由钻石粉、复合分散剂和分散介质组成;利用钻石粉的特性,在抛光过程中保持高切削效率的同时不易对工件产生划伤。采用上述粒径钻石粉的钻石抛光液可以与铜丝配合,对凸起结构12起到更好的粗抛效果,消除残留的刀纹,进一步降低凸起结构12的粗糙度,有利于精抛的进行。进一步的,钻石抛光液中钻石粉的粒径为15μm-25μm。具体的,钻石抛光液中钻石粉的粒径可以但不限于为16μm、18μm、19μm、20μm、21μm、22μm或23μm等。
在本申请实施方式中,第一抛光盘的转速为300rpm-3000rpm,粗抛的压强为1500Pa-5000Pa。采用上述转速和压力有利于铜丝接触凸起结构12中凸弧面121和凹弧面122,并进行快速的抛光,提高粗抛效率以及尽可能避免不必要的损伤。进一步的,第一抛光盘的转速为800rpm-2700rpm,粗抛的压强为2000Pa-4000Pa。更进一步的,第一抛光盘的转速为1500rpm-2000rpm,粗抛的压强为2200Pa-3000Pa。
在本申请实施方式中,聚氨酯抛光条的长度为3cm-6cm,聚氨酯抛光条的邵氏硬度为70HA-90HA。采用上述聚氨酯抛光条能够避免聚氨酯抛光条在精抛过程中形变过大,能够对凸起结构12起到有效的抛光,同时又避免对凸起结构12产生损伤。进一步的,聚氨酯抛光条的长度为3.5cm-5.5cm,聚氨酯抛光条的邵氏硬度为75HA-85HA。具体的,聚氨酯抛光条的长度可以但不限于为3.5cm、4cm、4.2cm、4.5cm、5cm、5.3cm或5cm等,聚氨酯抛光条的邵氏硬度可以但不限于为75HA、78HA、80HA、82HA或85HA等。在本申请中,聚氨酯抛光条可以但不限于为热塑性聚氨酯弹性体橡胶(TPU)抛光条等。在本申请实施方式中,二氧化硅抛光液中二氧化硅的粒径为40nm-200nm。采用上述二氧化硅抛光液可以与聚氨酯抛光条配合,进一步降低凸起结构12的粗糙度,并提升凸起结构12的光亮程度,得到具有顺滑外观的凸起结构12。进一步的,二氧化硅抛光液中二氧化硅的粒径为50nm-170nm。具体的,钻石抛光液中钻石粉的粒径可以但不限于为60nm、80nm、100nm、120nm、140nm、150nm或160nm等。
在本申请实施方式中,第二抛光盘的转速为300rpm-3000rpm,精抛的压强为1500Pa-5000Pa。采用上述转速和压力有利于聚氨酯抛光条接触凸起结构12中凸弧面121和凹弧面122,并进行快速的精抛,提高凸起结构的镜面效果。进一步的,第二抛光盘的转速为1000rpm-2800rpm,精抛的压强为2000Pa-4000Pa。更进一步的,第二抛光盘的转速为1500rpm-2500rpm,精抛的压强为2200Pa-3000Pa。
请参阅图7,为本申请一实施方式提供的抛光过程的示意图,抛光装置包括抛光盘20、加压装置30和夹具40,通过在抛光盘20上设置铜丝或聚氨酯抛光条,得到第一抛光盘或第二抛光盘,进而对陶瓷壳体前体101进行粗抛或精抛;并且可以通过加压装置30向抛光盘20施加压力,使得凸起结构12各个部位均可以接触到铜丝或聚氨酯抛光条,并且铜丝或聚氨酯抛光条可以对凸起结构12进行有效抛光;在抛光过程中,陶瓷壳体前体101固定在夹具40表面,抛光盘20在抛光过程中进行旋转,配合钻石抛光液或二氧化硅抛光液进行抛光;进一步的,夹具40也可以进行旋转,并且夹具40的旋转方向与抛光盘20的方向相反,从而可以高效快速的进行抛光。具体的,夹具40可以进行顺时针旋转,从而带动陶瓷壳体前体101顺时针旋转,抛光盘20进行逆时针选择,从而可以凸起结构12进行抛光。
在本申请实施方式中,陶瓷壳体10的制作方法还包括对陶瓷基板进行抛光处理。可以理解的,陶瓷基板无凸起部位,可以采用常规的陶瓷制件抛光方法进行抛光,即可得到顺滑光亮的外观。本申请对陶瓷基板的抛光方法不作限定。具体的,可以但不限于为在凸起结构12粗抛前或粗抛后,对陶瓷基板进行粗抛;在凸起结构12精抛前或精抛后,对陶瓷基板进行精抛。通过对陶瓷基板进行抛光处理,从而得到陶瓷壳体本体11。
在本申请实施方式中,陶瓷壳体10的制作方法还包括在精抛后进行镀膜。具体的,可以但不限于采用真空蒸镀、磁控溅射和离子镀中的至少一种方法进行镀膜。在一实施例中,在精抛后镀光学膜层。从而改善陶瓷壳体10表面的反射和透射特性,提升陶瓷壳体10的质感。
本申请提供的制作方法可以制得一体成型的陶瓷壳体10,该陶瓷壳体10无断点,无割裂感,手感顺滑,光影流动变幻流畅,提升了陶瓷壳体10的质感。
本申请还提供了一种电子设备,包括上述任一实施方式中的陶瓷壳体10。可以理解的,电子设备可以但不限于为手机、平板电脑、笔记本电脑、手表、MP3、MP4、GPS导航仪、数码相机等。在本申请一实施方式中,电子设备包括陶瓷壳体10以及与陶瓷壳体10相连的显示屏。通过设置具有非等曲率的凸起结构12,改善了电子设备的外观,使得电子设备具有流线设计的壳体,并且触感顺滑,还具有光影流动的变化,极大地提高了产品竞争力。
以上对本申请实施方式所提供的内容进行了详细介绍,本文对本申请的原理及实施方式进行了阐述与说明,以上说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想;同时,对于本领域的一般技术人员,依据本申请的思想,在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处,综上所述,本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (11)

1.一种陶瓷壳体,其特征在于,包括陶瓷壳体本体,以及设置在陶瓷壳体本体上的凸起结构,所述凸起结构的侧壁包括至少一个凸弧面和至少一个凹弧面,所述凸弧面的高斯曲率为K1,所述凹弧面的高斯曲率为K2,0<K1≤0.03m-2,-0.03m-2≤K2<0。
2.如权利要求1所述的陶瓷壳体,其特征在于,所述凸起结构的侧壁还包括至少一个连接部,所述连接部连接所述凸弧面和所述凹弧面,所述连接部的高斯曲率为0。
3.如权利要求1所述的陶瓷壳体,其特征在于,所述凸起结构的高度为H,0<H≤3mm。
4.如权利要求1所述的陶瓷壳体,其特征在于,所述凸起结构的侧壁包括两个所述凸弧面和两个所述凹弧面,其中两个所述凸弧面相连接,或所述凸弧面与两个所述凹弧面相连接。
5.一种陶瓷壳体的制作方法,其特征在于,包括:
提供陶瓷壳体前体,所述陶瓷壳体前体包括陶瓷基板以及设置在所述陶瓷基板上的待抛光的凸起结构,所述凸起结构的侧壁包括至少一个凸弧面和至少一个凹弧面;
对所述凸起结构进行粗抛和精抛,所述粗抛采用第一抛光盘和钻石抛光液,所述第一抛光盘包括第一盘体以及设置在所述第一盘体表面的多条铜丝,所述精抛采用第二抛光盘和二氧化硅抛光液,所述第二抛光盘包括第二盘体以及设置在所述第二盘体表面的多条聚氨酯抛光条,得到陶瓷壳体,所述凸起结构中所述凸弧面的高斯曲率为K1,所述凹弧面的高斯曲率为K2,0<K1≤0.03m-2,-0.03m-2≤K2<0。
6.如权利要求5所述的制作方法,其特征在于,所述铜丝的直径为0.01mm-0.5mm,所述铜丝的长度为1cm-10cm;所述钻石抛光液中钻石粉的粒径为10μm-30μm。
7.如权利要求5所述的制作方法,其特征在于,所述聚氨酯抛光条的长度为3cm-6cm,所述聚氨酯抛光条的邵氏硬度为70HA-90HA;所述二氧化硅抛光液中二氧化硅的粒径为40nm-200nm。
8.如权利要求5所述的制作方法,其特征在于,所述第一抛光盘的转速为300rpm-3000rpm,所述粗抛的压强为1500Pa-5000Pa;所述第二抛光盘的转速为300rpm-3000rpm,所述精抛的压强为1500Pa-5000Pa。
9.如权利要求5所述的制作方法,其特征在于,所述提供陶瓷壳体前体包括:
提供陶瓷基材,刀具采用竖直走刀的方式加工所述陶瓷基材,所述刀具的转速为15000rpm-30000rpm,步距为0.1mm-0.5mm,进给为3000mm/min-8000mm/min,得到所述陶瓷壳体前体。
10.如权利要求5所述的制作方法,其特征在于,还包括对所述陶瓷基板进行抛光处理。
11.一种电子设备,其特征在于,包括权利要求1-4任一项所述的或权利要求5-10任一项所述的制作方法制得的陶瓷壳体,以及与所述陶瓷壳体相连的显示屏。
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