CN115223856A - 一种肖特基二极管的制备方法 - Google Patents
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- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 10
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 94
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 22
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 21
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 claims abstract description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 8
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000002699 waste material Substances 0.000 claims description 37
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 18
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims description 8
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 8
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 10
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 abstract description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract 1
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 11
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 6
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 2
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66083—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by variation of the electric current supplied or the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched, e.g. two-terminal devices
- H01L29/6609—Diodes
- H01L29/66143—Schottky diodes
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B07—SEPARATING SOLIDS FROM SOLIDS; SORTING
- B07C—POSTAL SORTING; SORTING INDIVIDUAL ARTICLES, OR BULK MATERIAL FIT TO BE SORTED PIECE-MEAL, e.g. BY PICKING
- B07C5/00—Sorting according to a characteristic or feature of the articles or material being sorted, e.g. by control effected by devices which detect or measure such characteristic or feature; Sorting by manually actuated devices, e.g. switches
- B07C5/34—Sorting according to other particular properties
- B07C5/344—Sorting according to other particular properties according to electric or electromagnetic properties
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/0641—Nitrides
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
- H01L21/285—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation
- H01L21/28506—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/47—Schottky barrier electrodes
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
本发明属于半导体集成电路器件制造领域，具体的说是一种肖特基二极管的制备方法；首先选取晶圆作为衬底；然后在所述晶圆底衬上生长基座层；之后在所述基座层上表面沉淀分隔层；在之后在分隔表面进行刻蚀；最后使用PVD溅镀法生长氮化钛金属层，生长完成再经过封装后，使用检测装置进产品的良品检测；所述检测装置包括：外壳；所述外壳内滑动连接有托盘；所述托盘延伸出外壳的一侧表面固连有把手；所述托盘的上表面固连有检测台；通过本制备方法制备出的肖特基二极管，降低了金属电镀层所受的损伤，进而提高了金属‑半导体结处金属层的质量，从而使最终生产出的肖特基二极管在使用时自身的能耗降低，同时也降低了反向的漏电电流。
Description
技术领域
本发明属于半导体集成电路器件制造领域，具体的说是一种肖特基二极管的制备方法。
背景技术
肖特基二极管是利用金属与半导体接触形成金属-半导体结的原理制作而成，与常见的P型半导体与N型半导体而形成的PN结半导体相比，肖特基二极管拥有正向压降低和开关频率高。
现有技术也提出一些解决方案，如公开号为CN104701161B的一项中国专利公开了一种沟槽型肖特基二极管的制备工艺方法，具体是利用两步干法刻蚀接触孔，将接触孔先刻蚀至硅表面，然后将硅和沟槽内的氧化硅一同刻蚀，其中最后一步接触孔刻蚀菜单对硅和氧化硅的选择比为1：1，并且刻蚀硅表面约1000埃以上，同时使沟槽侧壁内的氧化硅突出硅表面，最后利用金属形成肖特基接触。本发明旨在解决沟槽肖特基二极管产品漏电大的问题，且能提高产品面内均匀性，降低生产成本，提高产品良率，使其适合规模化量产。
现有技术中使用传统的溅镀法，会造成金属电镀层与肖特基接的触表面积减少，进而使金属电镀层受到损伤，而本发明使用的PVD溅镀法则可以降低这一损伤，从而提升了电镀金属镀层表面的质量，进而降低了肖特基二极管的反向漏电电流，同时也降低肖特基二极管本身的能耗。
为此，本发明提供一种肖特基二极管的制备方法。
发明内容
为了弥补现有技术的不足，解决背景技术中所提出的至少一个技术问题。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：本发明所述的一种肖特基二极管的制备方法；包括以下步骤：
S1、首先选取晶圆作为衬底，并放置在发生装置内；
S2、在发生装置内的晶圆底衬，其表面表面会不断累积基座层；
S3、当晶衬底的表面基座层生长完成后，会继续在基座层的上表面沉淀分隔层；
S4、在分隔层生长完毕后，再将晶圆放入光刻机内，通过光刻工艺，对分隔层表面进行刻蚀；
S5、使用PVD溅镀法生长氮化钛金属层，待生长完成后，再经过封装，在封装完成后，通过放入检测装置中的检测槽内，对产品进行正反两次通电，若都无法正常通电，则挡板会收入第一滑槽内，并使无法通过检测的产品穿过检测槽落入废料舱内。
工作时，通过此制备方法制备出的肖特基二极管，降低了金属电镀层所受的损伤，进而提高了金属-半导体结处金属层的质量，从而使最终生产出的肖特基二极管在使用时自身的能耗降低，同时也降低了反向的漏电电流。
优选的，所述检测装置包括：外壳；所述外壳内滑动连接有托盘；所述托盘延伸出外壳的一侧表面固连有把手；所述托盘的上表面固连有检测台；所述检测台表面开设有检测槽，且检测槽贯穿至托盘底面；所述检测槽两端连接有导电片；所述检测槽槽壁的一侧开设有第一滑槽；所述第一滑槽的槽底固连有第一弹簧；所述第一滑槽内滑动连接有挡板，且挡板与第一弹簧固连；所述检测槽远离第一滑槽的一侧槽壁内固连有电磁铁；所述外壳底部安装有废料仓；工作时，在肖特基二极管制备完成后，需要先经过封装处理，而在封装处理后还需通过检测装置的检测，对于肖特基二极管的检测时，工人先通过把手将托板从外壳中抽出，进而通过托板带动其顶面的检测台也一同从外壳内抽出，再将肖特基二极管塞入检测槽内，此时电磁铁处于开启状态，并将吸附挡板，进而挡住检测槽的底部，阻止肖特基二极管从检测槽掉落至废料仓，且第一弹簧处于拉伸状态，而肖特基二管两端的引线与导电片接触处，同时工人通过把手和托盘将检测台送回至外壳内，再开启检测台，检测台通过导片对肖特基二极管进行通电，若肖特基二极管无法导通，则电磁铁断电，失去磁性，挡板在第一弹簧弹力的作用下，被拉向第一滑槽，而半导体则在动力的作用下从检测槽掉落至废料仓，若肖特基二极管正常通电，则电磁铁不会断电，从而继续吸附挡板，防止肖特基二极管从检测槽掉落至废料仓，检测完毕后，工人再通过把手将检测台从外壳内抽出，然后工人再将检测槽内的肖特基二极管取出，由此通过检测装置进行批量检测，可以有效的筛选出合格的产品，从而提升产品出售时的良品率。
优选的，所述外壳顶面固连有漏斗；所述外壳与漏斗对应位置开设有进料口；所述漏斗于进料口处的内壁表面转动连接有若干对滚筒组；所述漏斗内壁表面固连有分隔板；工作时，工人通过漏斗将肖特基二极管放入，此时会在肖特基二极管在分隔板的阻碍下，落在滚筒组的上表面，而滚筒组由两个滚筒组成，且滚筒之间留有间隙，同时滚筒组启动时，滚筒组内的两个滚筒会相向转动，此时肖特基二极管落在滚筒组的表面时，会在滚筒组表面摩擦力的带动下，从滚筒之间的间隙落下，进而落入下方与间隙对应的检测槽内，由此可方便工人同时将多个肖特基二极管塞入检测槽内，而不需要人在通过把手将检测台从而外壳内抽出，再一个一个将肖特基二极管塞入，从而节省了工人的人力，且提升工作效率。
优选的，所述滚筒组之间均固连有第一楔形隔板；所述漏斗两侧内壁于滚筒对应位置固连有第二楔形隔板；工作时，当肖特基二极管从漏斗落下后，会落在滚筒组的表面，而肖特基二极管在碰撞到滚筒组表面会弹起，从而掉落至滚筒组与漏斗内壁的缝隙中进而导致滚筒组卡住，而第二楔形隔板则位于这些缝隙处，并过光滑的表面和倾斜将肖特基耳二极管重新导向并滑落至滚筒表面，而掉落至滚筒组之间的间隙，也会导致滚筒组转动受阻，此时第二楔形隔板则会挡住滚筒组之间的间歇，并重新将肖特基二极管导向滚筒组表面，进而降低本发明工作时卡住的风险，从而提本发明的使用寿命。
优选的，所述滚筒组表面有包裹有环形海绵；工作时，滚筒组内两个个滚筒表均覆盖的海绵将增大与肖特基二极管表面接触时的摩擦力，从而根号的带动肖特基二极管通过滚筒组之间的间隙，再通过时还可以对肖特基二极管的表面进行清理，防止之后使用肖特基二极管时，其表面的杂质导致电路板的损坏。
优选的，所述外壳内壁于检测槽上方相对位置均固连有一对引导板；工作时，当肖特基二极管通过滚筒组带动下落向检测槽时，会通过一对引导板之间，防止肖特基二极管在下落至检测槽后，撞击挡板并弹出检测槽，此时引导板则可防止肖特基二极管弹出检测槽，有利于批量检测肖特基二极管。
优选的，一对所述引导板底部均转动连接有转盘；所述转盘侧表面开设置凹槽；工作时，当肖特基二极管通过滚筒组掉落至引导板之间的转盘侧表面的凹槽内，并堆叠起来，当顶部的的滚筒组挤压下一个肖特基二极管时，位于凹槽内肖特基二极管受到挤压，会带动转盘转动，并在凹槽的限位下，落入检测槽内，同时转盘会阻挡上方的肖特基二极管一同落下，从而保证肖特基二极管一个一个落入检测槽中，由此可以在检测装置内存储多个肖特基二极管，进而减少工人上料的次数，提高检测效率。
优选的，成对所述引导板的相对表面均匀开设有第二滑槽；所述第二滑槽的槽底固连有弹片；所述弹片远离槽底的一端转动连接有滚轮；工作时，当肖特基二极管在引导板之间堆叠时，滚轮在弹片弹力的作用下，会将各个肖特基二极管分隔开，同时在肖特基二极管再被向下挤压时，肖特基二极管的表面会挤压滚轮，并使滚轮挤入第二滑槽内；同时压缩弹片，当最下方的肖特基二极管落入检测槽后，在弹片的作用重新将各个肖特基二极管分隔开，使肖特基二极管可以一个一个落入检测槽内，防止多个同时落入检测槽内，导致检测出错。
优选的，所述检测槽两端固连有第二弹簧；所述第二弹簧远离检测槽槽壁的一端与导电片固连；工作时，当肖特基二极管落入检测槽内后，挤压导电片，并压缩第二弹簧，使导电片在测试使始终与肖特基二极管的引线接触，防止由于引线与导电片接触不良而导致的检测失误，使完好肖特基二极管被误判成废品，降低了生产的时的损失。
优选的，所述废料仓的侧表面开设有废料口；所述废料仓内部的底面固连斜形块；工作时，检测不通过的肖特基二极管，在落入废料仓内的楔形块表面，并由此从废料口滚出，方便的工人对废料的收集和处理。
本发明的有益效果如下：
1.本发明所述的一种肖特基二极管的制备方法，通过PVD溅镀法制备方法制备出的肖特基二极管，降低了金属电镀层所受的损伤，进而提高了金属-半导体结处金属层的质量，从而使最终生产出的肖特基二极管在使用时自身的能耗降低，同时也降低了反向的漏电电流。
2.本发明所述的一种肖特基二极管的制备方法，通过检测装置对产品进行批量检测，从而节省了工人的人力，且提升工作效率，同时检测装置进行批量检测，可以有效的筛选出合格的产品，从而提升产品出售时的良品率。
附图说明
下面结合附图对本发明作进一步说明。
图1是本发明的方法流程图；
图2是本发明的主视图；
图3是本发明中的剖视图；
图4是图2中A向视图；
图5是本发明中检测台的俯视图；
图6是本发明中检测槽的结构示意图；
图7是本发明中引导板的结构示意图；
图8是本发明中斜形块的结构示意图；
图中：1、检测装置；2、外壳；3、托盘；4、把手；5、检测台；6、检测槽；7、导电片；8、第一滑槽；9、第一弹簧；10、挡板；11、电磁铁；12、废料仓；13、漏斗；14、进料口；15、滚筒组；16、分隔板；17、第一楔形隔板；18、第二楔形隔板；19、环形海绵；20、引导板；21、第二滑槽；22、弹片；23、滚轮；24、转盘；25、凹槽；26、第二弹簧；27、斜形块；28、废料口。
具体实施方式
为了使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体实施方式，进一步阐述本发明。
实施例一
如图1，本发明实施例所述的一种肖特基二极管的制备方法；包括以下步骤：
S1、首先选取晶圆作为衬底，并放置在发生装置内；
S2、在发生装置内的晶圆底衬，其表面表面会不断累积基座层；
S3、当晶衬底的表面基座层生长完成后，会继续在基座层的上表面沉淀分隔层；
S4、在分隔层生长完毕后，再将晶圆放入光刻机内，通过光刻工艺，对分隔层表面进行刻蚀；
S5、使用PVD溅镀法生长氮化钛金属层，待生长完成后，再经过封装，在封装完成后，通过放入检测装置1中的检测槽内6，对产品进行正反两次通电，若都无法正常通电，则挡板会收入第一滑槽8内，并使无法通过检测的产品穿过检测槽6落入废料舱内。
工作时，通过此制备方法制备出的肖特基二极管，降低了金属电镀层所受的损伤，进而提高了金属-半导体结处金属层的质量，从而使最终生产出的肖特基二极管在使用时自身的能耗降低，同时也降低了反向的漏电电流。
如图2至图6所示，其中所述检测装置1包括：外壳2；所述外壳2内滑动连接有托盘3；所述托盘3延伸出外壳2的一侧表面固连有把手4；所述托盘3的上表面固连有检测台5；所述检测台5表面开设有检测槽6，且检测槽6贯穿至托盘3底面；所述检测槽6两端连接有导电片7；所述检测槽6槽壁的一侧开设有第一滑槽8；所述第一滑槽8的槽底固连有第一弹簧9；所述第一滑槽8内滑动连接有挡板10，且挡板10与第一弹簧9固连；所述检测槽6远离第一滑槽8的一侧槽壁内固连有电磁铁11；所述外壳2底部安装有废料仓12；工作时，在肖特基二极管制备完成后，需要先经过封装处理，而在封装处理后还需通过检测装置1的检测，对于肖特基二极管的检测时，工人先通过把手4将托板从外壳2中抽出，进而通过托板带动其顶面的检测台5也一同从外壳2内抽出，再将肖特基二极管塞入检测槽6内，此时电磁铁11处于开启状态，并将吸附挡板10，进而挡住检测槽6的底部，阻止肖特基二极管从检测槽6掉落至废料仓12，且第一弹簧9处于拉伸状态，而肖特基二管两端的引线与导电片7接触处，同时工人通过把手4和托盘3将检测台5送回至外壳2内，再开启检测台5，检测台5通过导片对肖特基二极管进行通电，若肖特基二极管无法导通，则电磁铁11断电，失去磁性，挡板10在第一弹簧9弹力的作用下，被拉向第一滑槽8，而半导体则在动力的作用下从检测槽6掉落至废料仓12，若肖特基二极管正常通电，则电磁铁11不会断电，从而继续吸附挡板10，防止肖特基二极管从检测槽6掉落至废料仓12，检测完毕后，工人再通过把手4将检测台5从外壳2内抽出，然后工人再将检测槽6内的肖特基二极管取出，由此通过检测装置1进行批量检测，可以有效的筛选出合格的产品，从而提升产品出售时的良品率。
如图3所示，其中所述外壳2顶面固连有漏斗13；所述外壳2与漏斗13对应位置开设有进料口14；所述漏斗13于进料口14处的内壁表面转动连接有若干对滚筒组15；所述漏斗13内壁表面固连有分隔板16；工作时，工人通过漏斗13将肖特基二极管放入，此时会在肖特基二极管在分隔板16的阻碍下，落在滚筒组15的上表面，而滚筒组15由两个滚筒组成，且滚筒之间留有间隙，同时滚筒组15启动时，滚筒组15内的两个滚筒会相向转动，若此时肖特基二极管掉落在滚筒组15表面，滚筒组15内相向转动的滚筒，通过表面的摩擦力带动肖特基二极管转动，并最终竖直的从滚筒组15之间的间隙落下，进而落入下方与间隙对应的检测槽6内，由此可方便工人同时将多个肖特基二极管塞入检测槽6内，而不需要人在通过把手4将检测台5从而外壳2内抽出，再一个一个将肖特基二极管塞入，从而节省了工人的人力，且提升工作效率。
如图3所示，其中所述滚筒组15之间均固连有第一楔形隔板17；所述漏斗13两侧内壁于滚筒对应位置固连有第二楔形隔板18；工作时，当肖特基二极管从漏斗13落下后，通过第一楔形隔板17和第二楔形隔板18的表面导向滑到滚筒组15表面，会落在滚筒组15的表面，而部分肖特基二极管直接撞击到滚筒组15表面，造成肖特基二极管弹起，弹起的肖特基二管会落入滚筒组15与漏斗13内壁的缝隙中，进而导致滚筒组15卡住，而第二楔形隔板18则位于这些缝隙处，并过光滑的表面和倾斜将肖特基耳二极管重新导向并滑落至滚筒表面，而掉落至滚筒组15之间的间隙，也会导致滚筒组15转动受阻，此时第二楔形隔板18则会挡住滚筒组15之间的间歇，并重新将肖特基二极管导向滚筒组15表面，进而降低本发明工作时卡住的风险，从而提本发明的使用寿命。
如图3所示，其中所述滚筒组15表面有包裹有环形海绵19；工作时，滚筒组15内两个个滚筒表均覆盖的海绵将增大与肖特基二极管表面接触时的摩擦力，从而根号的带动肖特基二极管通过滚筒组15之间的间隙，再通过时还可以对肖特基二极管的表面进行清理，防止之后使用肖特基二极管时，其表面的杂质导致电路板的损坏。
如图1至图2所示，其中所述外壳2内壁于检测槽6上方相对位置均固连有一对引导板20；工作时，当肖特基二极管通过滚筒组15带动下落向检测槽6时，会通过一对引导板20之间，防止肖特基二极管在下落至检测槽6后，撞击挡板10并弹出检测槽6，此时引导板20则可防止肖特基二极管弹出检测槽6，有利于批量检测肖特基二极管。
如图3和7所示，其中一对所述引导板20底部均转动连接有转盘24；所述转盘24侧表面开设置凹槽25；工作时，当肖特基二极管通过滚筒组15掉落至引导板20之间的转盘24侧表面的凹槽25内，并堆叠起来，当顶部的的滚筒组15挤压下一个肖特基二极管时，位于凹槽25内肖特基二极管受到挤压，会带动转盘24转动，并在凹槽25的限位下，落入检测槽6内，同时转盘24会阻挡上方的肖特基二极管一同落下，从而保证肖特基二极管一个一个落入检测槽6中，由此可以在检测装置1内存储多个肖特基二极管，进而减少工人上料的次数，提高检测效率。
如图7所示，其中成对所述引导板20的相对表面均匀开设有第二滑槽21；所述第二滑槽21的槽底固连有弹片22；所述弹片22远离槽底的一端转动连接有滚轮23；工作时，当肖特基二极管在引导板20之间堆叠时，滚轮23在弹片22弹力的作用下，会将各个肖特基二极管分隔开，同时在肖特基二极管再被向下挤压时，肖特基二极管的表面会挤压滚轮23，并使滚轮23挤入第二滑槽21内；同时压缩弹片22，当最下方的肖特基二极管落入检测槽6后，在弹片22的作用重新将各个肖特基二极管分隔开，使肖特基二极管可以一个一个落入检测槽6内，防止多个同时落入检测槽6内，导致检测出错。
如图5至图6所示，其中所述检测槽6两端固连有第二弹簧26；所述第二弹簧26远离检测槽6槽壁的一端与导电片7固连；工作时，当肖特基二极管落入检测槽6内后，挤压导电片7，并压缩第二弹簧26，使导电片7在测试使始终与肖特基二极管的引线接触，防止由于引线与导电片7接触不良而导致的检测失误，使完好肖特基二极管被误判成废品，降低了生产的时的损失。
实施例二
如图8所示，对比实施例一，其中本发明的另一种实施方式为：
所述废料仓12的侧表面开设有废料口28；所述废料仓12内部的底面固连斜形块27；工作时，检测不通过的肖特基二极管，在落入废料仓12内的斜形块27表面，并由此从废料口28滚出，方便的工人对废料的收集和处理。
工作时，通过本制备方法制备出的肖特基二极管，降低了金属电镀层所受的损伤，进而提高了金属-半导体结处金属层的质量，从而使最终生产出的肖特基二极管在使用时自身的能耗降低，同时也降低了反向的漏电电流。
在肖特基二极管制备完成后，需要先经过封装处理，而在封装处理后还需通过检测装置1的检测，对于肖特基二极管的检测时，工人先通过把手4将托板从外壳2中抽出，进而通过托板带动其顶面的检测台5也一同从外壳2内抽出，再将肖特基二极管塞入检测槽6内，此时电磁铁11处于开启状态，并将吸附挡板10，进而挡住检测槽6的底部，阻止肖特基二极管从检测槽6掉落至废料仓12，且第一弹簧9处于拉伸状态，而肖特基二管两端的引线与导电片7接触处，同时工人通过把手4和托盘3将检测台5送回至外壳2内，再开启检测台5，检测台5通过导片对肖特基二极管进行通电，若肖特基二极管无法导通，则电磁铁11断电，失去磁性，挡板10在第一弹簧9弹力的作用下，被拉向第一滑槽8，而半导体则在动力的作用下从检测槽6掉落至废料仓12，若肖特基二极管正常通电，则电磁铁11不会断电，从而继续吸附挡板10，防止肖特基二极管从检测槽6掉落至废料仓12，检测完毕后，工人再通过把手4将检测台5从外壳2内抽出，然后工人再将检测槽6内的肖特基二极管取出，由此通过检测装置1进行批量检测，可以有效的筛选出合格的产品，从而提升产品出售时的良品率。
工人通过漏斗13将肖特基二极管放入，此时会在肖特基二极管在分隔板16的阻碍下，落在滚筒组15的上表面，而滚筒组15由两个滚筒组成，且滚筒之间留有间隙，同时滚筒组15启动时，滚筒组15内的两个滚筒会相向转动，若此时肖特基二极管掉落在滚筒组15表面，滚筒组15内相向转动的滚筒，通过表面的摩擦力带动肖特基二极管转动，并最终竖直的从滚筒组15之间的间隙落下，进而落入下方与间隙对应的检测槽6内，由此可方便工人同时将多个肖特基二极管塞入检测槽6内，而不需要人在通过把手4将检测台5从而外壳2内抽出，再一个一个将肖特基二极管塞入，从而节省了工人的人力，且提升工作效率。
当肖特基二极管从漏斗13落下后，会落在滚筒组15的表面，而部分肖特基二极管直接撞击到滚筒组15表面，造成肖特基二极管弹起，弹起的肖特基二管会落入滚筒组15与漏斗13内壁的缝隙中，进而导致滚筒组15卡住，而第二楔形隔板18则位于这些缝隙处，并过光滑的表面和倾斜将肖特基耳二极管重新导向并滑落至滚筒表面，而掉落至滚筒组15之间的间隙，也会导致滚筒组15转动受阻，此时第二楔形隔板18则会挡住滚筒组15之间的间歇，并重新将肖特基二极管导向滚筒组15表面，进而降低本发明工作时卡住的风险，从而提本发明的使用寿命。
滚筒组15内两个个滚筒表均覆盖的海绵将增大与肖特基二极管表面接触时的摩擦力，从而根号的带动肖特基二极管通过滚筒组15之间的间隙，再通过时还可以对肖特基二极管的表面进行清理，防止之后使用肖特基二极管时，其表面的杂质导致电路板的损坏。
当肖特基二极管通过滚筒组15带动下落向检测槽6时，会通过一对引导板20之间，防止肖特基二极管在下落至检测槽6后，撞击挡板10并弹出检测槽6，此时引导板20则可防止肖特基二极管弹出检测槽6，有利于批量检测肖特基二极管。
当肖特基二极管通过滚筒组15掉落至引导板20之间的转盘24侧表面的凹槽25内，并堆叠起来，当顶部的的滚筒组15挤压下一个肖特基二极管时，位于凹槽25内肖特基二极管受到挤压，会带动转盘24转动，并在凹槽25的限位下，落入检测槽6内，同时转盘24会阻挡上方的肖特基二极管一同落下，从而保证肖特基二极管一个一个落入检测槽6中，由此可以在检测装置1内存储多个肖特基二极管，进而减少工人上料的次数，提高检测效率。
当肖特基二极管在引导板20之间堆叠时，滚轮23在弹片22弹力的作用下，会将各个肖特基二极管分隔开，同时在肖特基二极管再被向下挤压时，肖特基二极管的表面会挤压滚轮23，并使滚轮23挤入第二滑槽21内；同时压缩弹片22，当最下方的肖特基二极管落入检测槽6后，在弹片22的作用重新将各个肖特基二极管分隔开，使肖特基二极管可以一个一个落入检测槽6内，防止多个同时落入检测槽6内，导致检测出错。
当肖特基二极管落入检测槽6内后，挤压导电片7，并压缩第二弹簧26，使导电片7在测试使始终与肖特基二极管的引线接触，防止由于引线与导电片7接触不良而导致的检测失误，使完好肖特基二极管被误判成废品，降低了生产的时的损失。
检测不通过的肖特基二极管，在落入废料仓12内的斜形块27表面，并由此从废料口28滚出，方便的工人对废料的收集和处理。
上述前、后、左、右、上、下均以说明书附图中的图1为基准，按照人物观察视角为标准，装置面对观察者的一面定义为前，观察者左侧定义为左，依次类推。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明保护范围的限制。
以上显示和描述了本发明的基本原理、主要特征和优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
Claims (10)
1.一种肖特基二极管的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
S1、首先选取晶圆作为衬底，并放置在发生装置内；
S2、在发生装置内的晶圆底衬，其表面表面会不断累积基座层；
S3、当晶衬底的表面基座层生长完成后，会继续在基座层的上表面沉淀分隔层；
S4、在分隔层生长完毕后，再将晶圆放入光刻机内，通过光刻工艺，对分隔层表面进行刻蚀；
S5、使用PVD溅镀法生长氮化钛金属层，待生长完成后，再经过封装，在封装完成后，通过放入检测装置(1)中的检测槽内(6)，对产品进行正反两次通电，若都无法正常通电，则挡板会收入第一滑槽(8)内，并使无法通过检测的产品穿过检测槽(6)落入废料舱内。
2.根据权利要求1所述的一种肖特基二极管的制备方法，其特征在于：所述检测装置(1)包括：外壳(2)；所述外壳(2)内滑动连接有托盘(3)；所述托盘(3)延伸出外壳(2)的一侧表面固连有把手(4)；所述托盘(3)的上表面固连有检测台(5)；所述检测台(5)表面开设有检测槽(6)，且检测槽(6)贯穿至托盘(3)底面；所述检测槽(6)两端连接有导电片(7)；所述检测槽(6)槽壁的一侧开设有第一滑槽(8)；所述第一滑槽(8)的槽底固连有第一弹簧(9)；所述第一滑槽(8)内滑动连接有挡板(10)，且挡板(10)与第一弹簧(9)固连；所述检测槽(6)远离第一滑槽(8)的一侧槽壁内固连有电磁铁(11)；所述外壳(2)底部安装有废料仓(12)。
3.根据权利要求2所述的一种肖特基二极管的制备方法，其特征在于：所述外壳(2)顶面固连有漏斗(13)；所述外壳(2)与漏斗(13)对应位置开设有进料口(14)；所述漏斗(13)于进料口(14)处的内壁表面转动连接有若干对滚筒组(15)；所述漏斗(13)内壁表面固连有分隔板(16)。
4.根据权利要求3所述的一种肖特基二极管的制备方法，其特征在于：所述滚筒组(15)之间均固连有第一楔形隔板(17)；所述漏斗(13)两侧内壁于滚筒对应位置固连有第二楔形隔板(18)。
5.根据权利要求4所述的一种肖特基二极管的制备方法，其特征在于：所述滚筒组(15)表面有包裹有环形海绵(19)。
6.根据权利要求2所述的一种肖特基二极管的制备方法，其特征在于：所述外壳(2)内壁于检测槽(6)上方相对位置均固连有一对引导板(20)。
7.根据权利要求6所述的一种肖特基二极管的制备方法，其特征在于：一对所述引导板(20)底部均转动连接有转盘(24)；所述转盘(24)侧表面开设置凹槽(25)。
8.根据权利要求7所述的一种肖特基二极管的制备方法，其特征在于：成对所述引导板(20)的相对表面均匀开设有第二滑槽(21)；所述第二滑槽(21)的槽底固连有弹片(22)；所述弹片(22)远离槽底的一端转动连接有滚轮(23)。
9.根据权利要求8所述的一种肖特基二极管的制备方法，其特征在于：所述检测槽(6)两端固连有第二弹簧(26)；所述第二弹簧(26)远离检测槽(6)槽壁的一端与导电片(7)固连。
10.根据权利要求2所述的一种肖特基二极管的制备方法，其特征在于：所述废料仓(12)的侧表面开设有废料口(28)；所述废料仓(12)内部的底面固连斜形块(27)。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210788711.4A CN115223856B (zh) | 2022-07-04 | 2022-07-04 | 一种肖特基二极管的检测方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210788711.4A CN115223856B (zh) | 2022-07-04 | 2022-07-04 | 一种肖特基二极管的检测方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN115223856A true CN115223856A (zh) | 2022-10-21 |
| CN115223856B CN115223856B (zh) | 2024-02-23 |
Family
ID=83609776
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202210788711.4A Active CN115223856B (zh) | 2022-07-04 | 2022-07-04 | 一种肖特基二极管的检测方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN115223856B (zh) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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2022
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|---|---|
| CN115223856B (zh) | 2024-02-23 |
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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