CN115210900A - 用于改善薄膜封装的处理 - Google Patents
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Abstract
描述了一种用于在有机发光二极管(OLED)图案化基板上形成封装层的方法和设备。侧壁平坦化层填充所述OLED图案化基板上的壁特征的扇形侧壁中的空隙。在与所述侧壁平坦化层的沉积相同的腔室中固化所述侧壁平坦化层。在所述侧壁平坦化层上形成阻挡层。所述侧壁平坦化层提供平坦化表面以用于所述阻挡层在所述侧壁平坦化层之上的良好粘附，这最小化因渗透所述OLED图案化基板的氧的水分而对所述OLED图案化基板造成缺陷的可能性。
Description
技术领域
本发明的实施方式总体涉及一种用于封装形成在有机发光二极管基板上的有机发光二极管器件结构和壁特征的方法和设备。
背景技术
利用显示器的电子装置，诸如手持装置、电视机、监视器和腕表以及其他显示装置，通常利用有机发光二极管(OLED)显示器，因为例如与液晶显示器(LCD)相比，OLED显示器具有更快的响应时间、更大的视角、更高的对比度、更轻的重量、更低的功率和对柔性基板的顺应性。然而，如图1所示，与显示装置相关的其他附件特征，诸如相机镜头、扬声器和传感器，被定位在电子装置的与包括OLED显示器的区域分开的区域中。将其他附件特征与显示区域分开的需求非期望地减小有源显示区域的大小。当前趋势是尽可能多地利用电子装置的面向用户表面的正面的越来越大的显示器。因此，需要的是将附加电子装置配件特征集成到OLED显示器中以至少增大有源显示区域的大小。然而，用于将附件特征集成到电子装置的显示区域中的常规处理和支撑结构通常包括诸如关于图4A至图4B所讨论处理人工制品，其使所形成的结构易受水分和氧降解的影响。因此，需要的是解决这些问题的器件结构及其形成方法。
发明内容
在一个实施方式中，提供了一种用于在OLED图案化基板上封装结构的方法。所述方法包括：将OLED图案化基板定位在等离子体处理腔室中，所述OLED图案化基板具有壁结构，所述壁结构具有至少一个扇形表面；直接地在所述壁结构上沉积侧壁平坦化层，从而填充沿所述至少一个扇形表面的多个空隙中的至少一个。
在另一个实施方式中，提供了一种图案化基板。所述基板具有形成在所述基板表面上的多个OLED器件、形成在所述基板的所述表面上的至少一个壁结构，所述壁结构具有至少一个扇形表面。所述壁结构进一步包括侧壁平坦化层，所述侧壁平坦化层设置在所述壁结构之上并填充沿所述至少一个扇形表面的多个空隙中的至少一个。
在又一个实施方式中，提供了一种用于在OLED图案化基板上形成封装结构的等离子体处理腔室。所述等离子体处理腔室具有：基板支撑件，所述基板支撑件设置在所述等离子体处理腔室的处理区域内；喷头，所述喷头与所述基板支撑件相对地设置在所述处理区域内；气体源，所述气体源耦接到所述喷头；安瓿，所述安瓿被构造为向所述腔室提供液体前驱物；以及控制器，所述控制器被配置为控制用于在所述图案化基板上形成封装结构的处理。用于在所述图案化基板上形成所述封装结构的所述处理包括：将OLED图案化基板定位在所述等离子体处理腔室中，所述OLED图案化基板具有壁结构，所述壁结构具有至少一个扇形表面；以及直接地在所述壁结构上沉积侧壁平坦化层，从而填充沿所述至少一个扇形表面的多个空隙中的至少一个。
附图说明
为了可详细地理解本公开内容的上述特征，可参考实施方式来得到以上简要地概述的本公开内容的更特别的描述，附图中示出了所述实施方式中的一些。然而，需注意，附图仅示出了本公开内容的典型实施方式，并且因此不应当被视为对其范围的限制，因为本公开内容可承认其他等效实施方式。
图1是具有与OLED显示器分开的电子特征的常规手持显示装置的示意性俯视图。
图2A是具有集成到OLED显示器的区域中的电子特征的手持装置的示意性俯视图。
图2B是沿延伸穿过图2A示出的集成装置附件特征的切割平面所形成的示意性横截面图。
图3A是图2A中使用的OLED图案化基板的一部分的俯视图。
图3B是沿延伸穿过图3A示出的OLED图案化基板的一部分的切割平面所形成的示意性横截面图。
图4A是图3B示出的壁部分的示意性横截面图。
图4B是由图4A示出的壁部分形成的常规封装壁部分的示意性横截面图。
图5是可用于执行本文描述的方法的PECVD设备腔室的示意性横截面图。
图6是根据本公开内容的一个实施方式的在OLED基板上封装特征的方法的流程图。
图7A至图7C示出了在图8的方法的不同阶段期间的OLED基板特征的示意性横截面图。
为了便于理解，已经尽可能使用相同的附图标记标示各图共有的相同要素。设想的是，一个实施方式的要素和特征可有益地结合在其他实施方式中，而无需进一步陈述。
具体实施方式
图1是具有与OLED显示器分开的电子装置配件特征的常规手持显示装置的示意性俯视图。在该示例中，手持显示装置是移动电话。显示装置100包括在显示装置100的前表面上的显示区域110和相机镜头120。相机镜头120定位在显示装置100的前表面的上区域115中，与显示区域110分开。使具有相机镜头120的上区域115与显示区域110分开限制了显示装置100的显示区域110(即，有源区域)的大小。
图2A是根据本文描述的实施方式的具有集成到OLED显示区域210中的电子装置附件特征(例如，相机镜头220)的显示装置200(例如，移动电话)的示意性俯视图。通过将装置附件特征(诸如相机镜头220)集成到显示区域210中，显示区域210覆盖显示装置200的前表面的更大面积。因此，显示区域210可覆盖显示装置200的整个前表面(例如面向用户的表面)，如图2A所示。因此，与图1的显示装置100相比，具有集成了附件特征的显示区域210的显示装置200通过在相同大小装置的前表面上装配更大的显示区域210来提供增强用户体验。
图2B是沿如图2A所示的延伸穿过集成装置附件特征(相机镜头220)的切割平面2B-2B形成的示意性横截面图。显示装置200包括OLED图案化基板250。OLED图案化基板250包括具有顶表面255的基板252，在基板252的顶表面255上具有预成型OLED器件结构260。在一个实施方式中，基板252由玻璃或塑料制成，所述塑料诸如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PEN)或聚酰亚胺(PI)。OLED图案化基板250包括预成型壁270。壁270设置在基板252的顶表面255上以对作为显示区域210的一部分提供的集成装置特征提供支撑。在一个示例中，壁270由光刻胶制成。在另一个示例中，壁270由聚酰亚胺制成。在一个实施方式中，壁270被构造为支撑并围绕相机镜头220，如图2B所示。在另一个实施方式中，壁270被构造为支撑传感器，诸如光学传感器或热传感器。在另一个实施方式中，壁270被构造为支撑麦克风或扬声器。
图3A是如图2A所示的位于显示区域210的保护屏底下的OLED图案化基板250的一部分的俯视图。图3B是沿延伸穿过图3A示出的OLED图案化基板250的一部分的切割平面3B-3B形成的示意性横截面图。OLED图案化基板250包括设置在顶表面255上的多个OLED器件结构260并包括被构造为围绕相机镜头220的壁270(例如，所示的圆形壁)。狭槽275被设置为容纳例如用于显示装置200的扬声器。在一些实施方式中，狭槽275是穿过基板252的狭槽形孔。在一些未示出的实施方式中，狭槽275由类似于壁270的壁围绕以对设置在其中的扬声器提供支撑。在一些未示出的实施方式中，壁部分可定位在基板252上的各个位置以支撑附加装置特征，诸如麦克风、扬声器和传感器。参考图3B，为了清楚起见，壁270被示出为圆形壁的横截面，其示出了壁270的两个部分。
图4A是图3B示出的壁270的示意性横截面图。壁270被示出为在基板252上。如以上所讨论，基板252可以是玻璃或塑料，诸如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)或聚对苯二甲酸乙二醇酯(PEN)或聚酰亚胺(PI)。壁270可使用在半导体器件制造中使用的常见图案化方法(诸如使用光刻法的图案抗蚀处理)来形成。壁270可包括基于聚合物的光刻胶的多个层。这些层中的每一个可被沉积、固化和冲洗，并且该处理可被重复而以被设计为支撑集成装置附件(诸如相机镜头220或传感器)的高度和宽度形成壁270。例如，在一个实施方式中，壁270可具有5微米×5微米的高度和宽度，从而需要几十层光刻胶。在这种实施方式中，由于使用沉积、固化、冲洗处理在分开的层中沉积光刻胶，因此壁270的侧壁271不均匀，从而留下带扇形边缘的侧壁271，如图4A所示，这提供了约80nm至90nm(峰-谷)的侧壁粗糙度。
图4B是由图4A示出的壁部分形成的常规封装壁部分的示意性横截面图。封装层410设置在壁270之上，并且还设置在OLED器件图案化基板250和OLED器件(未示出)之上，以提供对限制OLED器件图案化基板和OLED器件的寿命的水分或氧的侵入的阻挡。封装层410是介电层，诸如SiN、SiON、SiO2、Al2O3、AlN或其他合适的介电层。封装层410可通过合适的沉积技术(诸如CVD、PVD、旋涂或其他技术)来沉积。常规封装层可具有约0.1μm至约1.5μm的厚度，诸如约0.7μm。在这种常规结构中，所沉积的封装层410沿扇形侧壁271留下了多个空隙420。空隙420因提供缩短路径和缺陷而允许导致OLED图案化基板250和OLED器件结构260退化的水分或氧穿过封装层而提供了增加OLED图案化基板250退化的风险。另外地，在侧壁271上的封装层410部分与OLED图案化基板250上的封装层410部分之间的接缝422提供水分和氧渗入封装层410并限制OLED图案化基板250的寿命的空隙、间隙和缩短路径。
图5是可用于执行本文描述的操作的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备的示意性横截面图。该设备包括腔室500，在腔室500中一个或多个膜可沉积到OLED图案化基板250上。腔室500通常包括限定处理容积的壁502、底部504和喷头506。基板支撑件518设置在处理容积内。通过狭缝阀开口508进出(access)处理容积，使得OLED图案化基板250可被传送进出腔室500。基板支撑件518耦接到致动器516以升高和降低基板支撑件518。升降杆522穿过基板支撑件518可移动地设置，以将OLED图案化基板250移入和移出基板支撑件518的基板接收表面。基板支撑件518还包括加热和/或冷却元件524以将基板支撑件518维持在所期望的温度。基板支撑件518还包括RF返回条带526以在基板支撑件518的周边提供RF返回路径。腔室500连接到系统控制器501，该系统控制器被配置为存储和/或实施本文公开的主题的方面。
喷头506由紧固机构550连接到背板512。喷头506由一个或多个紧固机构550连接到背板512以帮助喷头506的防止下垂和/或控制喷头506的直度/曲率。
气体源532经由阀557流体耦接到背板512以通过喷头506中的气体通路将气体提供到在喷头506与OLED图案化基板250之间的处理区域。用于将液体前驱物供应到腔室500的安瓿551连接到泵552、流体脱气器553、气化器555和阀556。真空泵510耦接到腔室500以将处理容积维持在所期望的压力。RF源528通过匹配网络590耦合到背板512和/或喷头506以将RF电流提供到喷头506。RF电流在喷头506与基板支撑件518之间形成电场，使得可从在喷头506与基板支撑件518之间的气体产生等离子体。
远程等离子体源530，诸如电感耦合远程等离子体源，耦接在气体源532与背板512之间。在处理基板期间，清洁气体可被提供到远程等离子体源530，使得产生远程等离子体。来自由远程等离子体源530产生的远程等离子体的自由基可被提供到腔室500以清洁腔室500的部件。清洁气体可由提供到喷头506的RF源528进一步激发。
喷头506另外地由喷头悬架534连接到背板512。在一个实施方式中，喷头悬架534是柔性金属裙状物。喷头悬架534可具有唇部536，喷头506可搁置在该唇部上。背板512可搁置在与腔室壁502连接的壁架514的上表面上，以密封腔室500。
系统控制器501被配置为控制腔室500的各种部件。系统控制器310包括可编程中央处理单元(CPU)，该可编程CPU可与存储器(例如，非易失性存储器)和支持电路一起操作。支持电路常规地耦合到CPU并包括耦合到腔室500的各种部件的高速缓存、时钟电路、输入/输出子系统、电源等和它们的组合，以促进其控制。CPU是在工业环境中使用的任何形式的通用计算机处理器中的一种，诸如可编程逻辑控制器(PLC)，用于控制增材制造系统300的各种部件和子处理器。耦合到CPU的存储器是非暂态的，并且典型地是易获得的存储器中的一者或多者，诸如随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、软盘驱动器、硬盘或任何其他形式的数字存储装置(本地或远程)。
图6是根据本文描述的实施方式的用于封装OLED图案化基板250的方法600的流程图。尽管方法600操作结合图5和图7A至图7C进行描述，但是本领域的技术人员将理解，被构造为以任何顺序执行方法操作的任何腔室都落入本文描述的实施方式的范围内。方法600的实施方式可与本文描述的一个或多个腔室(诸如图5的腔室500)操作结合使用。方法600可作为含有指令的计算机可读介质存储到控制器501或能够由控制器501访问，该指令在由控制器501的处理器执行时，致使腔室500执行方法600。
图7A至图7C示出了在图6的封装方法600的不同阶段期间的壁270结构的示意性横截面图。方法600开始于处理610，将OLED图案化基板250定位到等离子体处理腔室(诸如处理腔室500)中。OLED图案化基板250具有基板252的表面上的OLED器件结构(例如器件260(未示出))和预成型壁270，如图7A所示，并且类似于参考图3B所讨论。
在处理620处，将侧壁平坦化层沉积在包括壁270的OLED图案化基板250之上，如图7B所示。侧壁平坦化层710提供平坦化界面层，其填充在扇形侧壁271上的一个或多个空隙或间隙并克服壁270的表面粗糙度，从而在侧壁271和OLED图案化基板250之上形成平坦化侧壁层而没有空隙或接缝，由此最小化因水分或氧而造成缺陷的可能性。侧壁平坦化层710可包括氟化等离子体聚合的六甲基二硅氧烷(pp-HMDSO:F)并可在PECVD腔室(诸如腔室500)中沉积，从而提供优异颗粒覆盖性能和表面平坦化效果。侧壁平坦化层710具有在约0.1μm至约1.0μm之间的总厚度，诸如在约0.1μm至约0.3μm之间，以克服在约80nm至90nm(峰-谷)的图案侧壁粗糙度。pp-HMDSO:F层的沉积是通过使一种或多种含氟气体和HMDSO气体与O2或N2O气体一起流动来实现的。含氟气体可以是氟化氮(NF3)、氟化硅(SiF4)、氟(F2)、四氟化碳(CF4)或它们的任何组合。氟掺杂的等离子体聚合HMDSO层具有优异颗粒覆盖性能和表面平坦化效果。所得的侧壁平坦化层710具有小于10原子百分比的氟含量。
在pp-HMDSO:F的沉积期间，含氟气体和HMDSO气体的流率之比可在约0.25与约1.5之间。HMDSO中的碳含量可大于10％。当沉积侧壁平坦化层710时，HMDSO最初是由安瓿551提供的液体前驱物，但是在其处于蒸气状态时提供更好覆盖和均匀性。因此，HMDSO通过在递送到腔室500之前首先流过流体脱气器553并接着流过气化器555而被转化为蒸气。在一个实施方式中，pp-HMDSO:F的PECVD在以下条件下执行。SiF4具有125标准立方厘米/分钟(sccm)的流率，而HMDSO具有300sccm的流率。换句话说，SiF4与HMDSO的比率在约0.40至约0.45之间。等离子体在700W下产生，并且腔室压力为约1800毫托。PECVD在约80摄氏度下进行沉积，并且在OLED图案化基板250与PECVD腔室500的喷头506之间的距离在约500密耳至1200密耳之间，诸如约650密耳。
在一个实施方式中，掩模(未示出)在OLED图案化基板250之上对准，使得壁270通过掩模中的开口暴露。掩模被定位成使得OLED器件结构260被掩模覆盖，使得任何随后沉积的pp-HMDSO:F材料通过掩模中的开口来沉积，但是不沉积在由掩模覆盖的OLED器件上。掩模可由金属材料制成。
包含pp-HMDSO:F的侧壁平坦化层710可具有包括应力消除、颗粒保形性和柔性的特性。pp-HMDSO:F侧壁平坦化层710的这些特性允许包含pp-HMDSO:F的侧壁平坦化层710对表面不规则性进行平坦化，以形成平滑表面。然而，由于pp-HMDSO:F侧壁平坦化层的形成处理，pp-HMDSO:F侧壁平坦化层在物理上可能是软的，这在与阻挡层(即，封装层)堆叠时带来集成问题。当阻挡层堆叠在软pp-HMDSO:F缓冲层顶上时，形成起皱表面。起皱表面可能形成一个或多个空隙和间隙，从而形成易受水分侵入影响的缺陷。此外，软pp-HMDSO:F层失去其光学透射率，从而使得该器件不适合作为顶部发射OLED器件。
为了硬化侧壁平坦化层710并防止形成起皱表面，执行侧壁平坦化层710的等离子体固化。在处理630处，在真空环境中固化侧壁平坦化层710。在一个实施方式中，在与侧壁平坦化层710的沉积相同的处理腔室中固化(即，原位固化处理)侧壁平坦化层710。使用被配置为在发生固化的腔室中产生水(H2O)的混合气体等离子体或从气体混合物产生的等离子体执行固化。混合气体等离子体被配置为产生用于冷凝固化的水，这将水分引入到腔室中。混合气体等离子体可包含选自氨(NH3)、一氧化二氮(N2O)、氢(H2)和氧(O2)的组中的两种或更多种气体。例如，混合气体等离子体可包含NH3和N2O、H2和N2O、H2和O2或NH3和O2。在一个实施方式中，混合气体等离子体还可包含氟，诸如氟化氮(NF3)、氟化硅(SiF4)、氟(F2)和/或四氟化碳(CF4)。
混合气体等离子体中的混合气体的比例取决于在OLED图案化基板250与处理腔室500的喷头506之间的间距。例如，如果在OLED图案化基板250与喷头506之间的间距为约650密耳，则比例为1:1的NH3与N2O可被用于约10秒至15秒的固化持续时间。在另一个示例中，如果在OLED图案化基板250与喷头之间的间距为约1000密耳，则比例为3:1的NH3与N2O可被用于约30秒的固化持续时间。因此，固化持续时间取决于混合气体等离子体中的混合气体的比例和OLED图案化基板250与喷头506之间的间距。因此，可增加固化持续时间以补偿在混合气体等离子体的混合气体之间的较高比例和OLED图案化基板250与喷头506之间的较大间距。随着随后在其上沉积一个或多个缓冲层，硬化的侧壁平坦化层710维持其柔性和光学透射率。
在处理640中，处理620和处理630重复一次或多次，以沉积一个或多个额外的侧壁平坦化层710，从而在沉积额外层之前单独地固化每个沉积层。随着随后在其上沉积一个或多个额外子层层时，每个额外层维持其柔性和光透射率。
完整侧壁平坦化层710可具有约0.1μm至1.0μm的厚度。在一个实施方式中，可能要在第一固化侧壁平坦化层710上沉积1至10个额外层来形成具有所期望的厚度的完整侧壁平坦化层710。在另一个实施方式中，完整侧壁平坦化层710包括3个层，每个层具有约0.1μm的厚度，总厚度为0.3μm。完整侧壁平坦化层710维持其柔性并克服侧壁表面粗糙度，从而为随后沉积在其上的阻挡层提供平坦化表面。
在方法600的处理650处，在基板上的侧壁平坦化层710之上沉积阻挡层，即封装层，以用作保护OLED器件结构和图案化特征(诸如壁270)免受水分和氧影响的封盖层。在处理650处，在侧壁平坦化层710和基板252上沉积阻挡层720，如图7C所示。阻挡层720是介电层，诸如氮化硅(SiN)、氮氧化硅(SiON)、二氧化硅(SiO2)或其他合适的介电层。阻挡层720可具有在约0.1μm与1.0μm之间的厚度，诸如约0.7μm。阻挡层720可通过合适的沉积技术(诸如CVD、PECVD、物理气相沉积(PVD)、旋涂或其他合适的技术)来沉积。可添加额外阻挡层以进一步封装和保护OLED器件图案化基板和提供在其上的特征。
如本文所描述的侧壁平坦化层的沉积、侧壁平坦化层的固化、和阻挡层的沉积可在单个沉积腔室(诸如PECVD腔室500)的真空环境中执行。在单个沉积腔室的真空环境中执行沉积和固化操作允许在无需破坏真空的情况下形成侧壁平坦化层710和阻挡层720，这消除或减少了各个层的分层，并且进一步消除或减少了污染物被引入到处理腔室中的风险。
可在沉积循环之间执行处理腔室500的净化，以进一步最小化污染的风险。在一个实施方式中，沉积第一侧壁平坦化层710，然后净化腔室，因此在用于后续固化处理的腔室中不存在用于沉积侧壁平坦化层的气体。随着侧壁平坦化层的多个层中的每个层被沉积，净化腔室500，然后固化侧壁平坦化层。在每个沉积和固化处理之后执行净化处理，直到达到侧壁平坦化层的所期望的厚度。然后可再次净化腔室，从而在用于后续阻挡层沉积处理的腔室中不存在用于侧壁平坦化层的多个层的沉积和固化的气体。在一个实施方式中，腔室不在侧壁沉积处理之后进行净化且仅在每个固化处理之后进行净化。最后，沉积阻挡层。单腔室处理在减少循环时间以及减少使用多腔室处理的腔室数量(和装备成本)方面可能是有利的。
综上所述，用于显示装置的OLED图案化基板形被成为具有侧壁平坦化层，该侧壁平坦化层填充沿OLED图案化基板的壁特征的侧壁的扇形空隙。壁特征集成到OLED图案化基板中以对附加显示装置特征，诸如相机镜头、扬声器、麦克风和传感器，提供支撑。壁平坦化层可以是pp-HMDSO:F的多个层，其中每个层在形成下一层之前被固化。在侧壁平坦化层之上形成阻挡层，以保护OLED图案化基板上的壁特征和OLED器件免受限制OLED器件寿命的水分和氧的影响。此外，侧壁平坦化层和阻挡层在单个处理腔室的真空环境中沉积和固化。在单个沉积腔室的真空环境中执行沉积和固化操作允许在无需破坏真空的情况下形成侧壁平坦化层和阻挡层，这进一步消除或减少了各个层的分层和可能的缺陷。另外地，消除或减少了污染物被引入到处理腔室中的风险，这使得侧壁平坦化层能够维持其柔性和光学透射率。另外地，在单个沉积腔室的真空环境中执行沉积和固化操作简化了形成封装的OLED图案化基板的方法，这可降低相关成本。
虽然前述内容涉及本公开内容的实施方式，但是在不脱离本公开内容的基本范围的情况下，可设想本公开内容的其他和进一步实施方式，并且本公开内容的范围由所附权利要求书的范围确定。
Claims (21)
1.一种用于在有机发光二极管(OLED)图案化基板上形成封装结构的方法，包括：
将OLED图案化基板定位在等离子体处理腔室中，所述OLED图案化基板具有壁结构，所述壁结构具有至少一个扇形表面；以及
直接地在所述壁结构上沉积侧壁平坦化层，从而填充沿所述至少一个扇形表面的多个空隙中的至少一个。
2.如权利要求1所述的方法，其中沉积所述侧壁平坦化层包括流动氟化等离子体聚合的六甲基二硅氧烷(pp-HMDSO:F)。
3.如权利要求1所述的方法，进一步包括：
在所述处理腔室中使用混合气体等离子体固化所述侧壁平坦化层。
4.如权利要求1所述的方法，进一步包括：重复沉积所述侧壁平坦化层。
5.如权利要求4所述的方法，进一步包括：重复固化所述侧壁平坦化层。
6.如权利要求1所述的方法，其中所述侧壁平坦化层的厚度在约0.1μm至约1.0μm之间。
7.如权利要求1所述的方法，其中所述侧壁平坦化层具有大于10％的碳含量。
8.如权利要求2所述的方法，其中所述氟化等离子体聚合的六甲基二硅氧烷(pp-HMDSO:F)在进入所述等离子体处理腔室之前流过脱气器。
9.如权利要求8所述的方法，其中所述氟化等离子体聚合的六甲基二硅氧烷(pp-HMDSO:F)在进入所述处理腔室之前从所述脱气器流出并流过气化器。
10.如权利要求1所述的方法，进一步包括在所述侧壁平坦化层上形成阻挡层。
11.一种图案化基板，包括：
基板；
多个有机发光二极管(OLED)器件，所述多个OLED器件形成在所述基板的表面上；
至少一个壁结构，所述至少一个壁结构形成在所述基板的所述表面上，所述壁结构具有至少一个扇形表面；以及
侧壁平坦化层，所述侧壁平坦化层设置在所述壁结构之上并填充沿所述至少一个扇形表面的多个空隙中的至少一个。
12.如权利要求11所述的图案化基板，其中所述侧壁平坦化层包含氟化等离子体聚合的六甲基二硅氧烷(pp-HMDSO:F)。
13.如权利要求12所述的图案化基板，其中所述侧壁平坦化层具有大于10％的碳含量。
14.如权利要求11所述的图案化基板，其中所述壁平坦化层直接地沉积在所述至少一个壁结构上。
15.如权利要求11所述的图案化基板，其中所述壁结构由抗蚀剂材料的多个层形成。
16.如权利要求15所述的图案化基板，其中所述至少一个扇形表面由所述抗蚀剂材料的所述多个层形成。
17.如权利要求11所述的图案化基板，其中所述侧壁平坦化层使用混合气体等离子体进行固化。
18.如权利要求17所述的图案化基板，其中所述混合等离子体至少包括NH3和N2O。
19.如权利要求11所述的图案化基板，进一步包括阻挡层，所述阻挡层形成在所述侧壁平坦化层上。
20.一种用于在有机发光二极管(OLED)图案化基板上形成封装结构的等离子体处理腔室，所述等离子体处理腔室包括：
基板支撑件，所述基板支撑件设置在所述等离子体处理腔室的处理区域内；
喷头，所述喷头与所述基板支撑件相对地设置在所述处理区域内；
气体源，所述气体源耦接到所述喷头；
安瓿，所述安瓿被构造为向所述腔室提供液体前驱物；以及
控制器，所述控制器被配置为控制用于在所述图案化基板上形成封装结构的处理，所述处理包括：
将OLED图案化基板定位在所述等离子体处理腔室中，所述OLED图案化基板具有壁结构，所述壁结构具有至少一个扇形表面；以及
直接地在所述壁结构上沉积侧壁平坦化层，从而填充沿所述至少一个扇形表面的多个空隙中的至少一个。
21.如权利要求20所述的等离子体处理腔室，其中所述处理进一步包括在所述侧壁平坦化层上形成阻挡层。
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