CN115207052A - 显示面板及其制作方法、显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种显示面板及其制作方法、显示装置,显示面板还包括:衬底结构,衬底结构包括第一衬底基板;位于第一衬底基板靠近显示面板的出光面一侧的第一结构层,第一结构层包括至少一个第一膜层;位于第一结构层远离衬底结构一侧的第二结构层;衬底结构与第一结构层相邻且接触,第二结构层与第一结构层相邻且接触;衬底结构的平均折射率为n1,第一结构层的平均折射率为n2,第二结构层的折射率为n3,n1<n2<n3。本发明改善了显示面板目视发绿的问题,同时提高了显示面板的一体黑性能。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,更具体地,涉及一种显示面板及其制作方法、显示装置。
背景技术
目前,显示技术渗透到了人们日常生活的各个方面,相应地,越来越多的材料和技术被用于显示装置。显示面板作为显示装置的重要组成部分用于实现显示装置的显示功能,主流的显示面板主要有液晶显示面板以及有机发光显示面板(Organic Light-Emitting Diode,OLED)。
液晶显示面板具有轻薄、功耗低和低辐射等优点,被广泛应用于各种领域。液晶显示面板通常具有相对设置的彩膜基板和阵列基板、以及彩膜基板和阵列基板之间的液晶层,彩膜基板靠近阵列基板的一侧设有黑矩阵和光阻层,阵列基板中像素电极与公共电极之间的电场能够使液晶分子发生偏转,液晶分子发生偏转后背光组件产生的光线会透过显示面板,通过调整电场的大小,可以使液晶分子发生偏转的程度不同,而液晶分子发生偏转的程度不同时,显示面板的透光率不同,背光组件透过液晶显示面板的光量不同,由此实现图像的显示。
OLED显示面板具备自发光、广视角、响应速度快、对比度高、色域广、能耗低、面板薄、色彩丰富、可实现柔性显示、工作温度范围宽等诸多优异特性,因此被誉为下一代的“明星”平板显示技术。OLED显示显示面板具有阳极和阴极、以及设置在阳极和阴极之间的空穴传输层、有机发光层和电子传输层,阳极提供空穴注入,阴极提供电子注入,在外界电压的驱动下,由阴极和阳极注入的空穴和电子在有机发光层中复合,形成处于束缚能级的电子空穴对(即激子),激子辐射退激发发出光子,产生可见光。
但是,现有技术中的显示面板均存在目视发绿、一体黑效果差的问题,因此,亟需提供一种显示面板能够改善目视发绿的问题、同时可以提高一体黑性能。
发明内容
有鉴于此,本发明提供了一种显示面板及其制作方法、显示装置,用以改善显示面板目视发绿、一体黑效果差的问题。
一方面,本发明提供了一种显示面板,包括:
多个像素,所述像素包括透光区,所述像素至少包括第一子像素、第二子像素和第三子像素,所述第一子像素内设置有第一光阻,所述第二子像素内设置有第二光阻,所述第三子像素内设置有第三光阻,所述第一光阻为绿色光阻;
所述显示面板还包括:
衬底结构,所述衬底结构包括第一衬底基板;
位于所述第一衬底基板靠近所述显示面板的出光面一侧的第一结构层,所述第一结构层包括至少一个第一膜层;
位于所述第一结构层远离所述衬底结构一侧的第二结构层;
所述衬底结构与所述第一结构层相邻且接触,所述第二结构层与所述第一结构层相邻且接触;
所述衬底结构的平均折射率为n1,所述第一结构层的平均折射率为n2,所述第二结构层的折射率为n3,n1<n2<n3。
另一方面,本发明还提供了一种显示装置,包括上述显示面板。
另一方面,本发明还提供了一种显示面板的制作方法,所述制作方法包括步骤:
形成衬底结构,所述衬底结构包括第一衬底基板;
在所述衬底结构上利用化学气相沉积的方法制作第一结构层;
在所述第一结构层上制作第二结构层。
与现有技术相比,本发明提供的显示面板,至少实现了如下的有益效果:
本发明的显示面板在衬底结构和第二结构层之间增设了第一结构层,衬底结构包括第一衬底基板,第一结构层包括至少一个第一膜层,第一结构层的平均折射率n2在衬底结构的平均折射率n1和第二结构层的折射率n3之间,n1<n2<n3,使衬底结构和第二结构层之间设置折射率过渡的第一结构层,外部环境光经过第二结构层进入第一结构层之后再进入到衬底结构,这样降低环境光直接从第二结构层进入衬底结构时由于折射率突变而形成的折射和反射,从而降低显示面板整体的反射率。相关技术可知显示面板目视发绿有三方面原因:其一是显示面板中的绿色光阻的穿透率较高,绿光更容易从显示面板的出光面一侧出射;其二是人眼对绿光更敏感;其三是显示面板整体反射率较高,是因为第二结构层和衬底结构层之间折射率相差较大,根据反射率计算方法r=(nk2-nk1)2/(nk2+nk1)2(r、nk1、nk2分别为反射率以及第二结构层、衬底结构层的折射率),可知第二结构层与衬底结构层的折射率相差越大反射率越高。本发明通过在衬底结构和第二结构层之间增设折射率形成过渡的第一结构层,这样降低了显示面板整体的反射率,结合第一点原因,突出地改善了绿色光的反射强度,再结合第二点原因,所以改善了显示面板目视发绿的问题;此外,由于衬底结构和第二结构层之间设置折射率过渡的第一结构层,所以显示面板在息屏状态下,降低了外部环境光的折射和反射,使得显示面板的透光区和周围的遮光区色差较小,提高了显示面板的一体黑性能。
当然,实施本发明的任一产品必不特定需要同时达到以上所述的所有技术效果。
通过以下参照附图对本发明的示例性实施例的详细描述,本发明的其它特征及其优点将会变得清楚。
附图说明
被结合在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出了本发明的实施例,并且连同其说明一起用于解释本发明的原理。
图1是本发明提供的一种显示面板的平面结构示意图;
图2是图1中A-A’向的一种剖面图;
图3是图1中A-A’向的又一种剖面图;
图4是图1中B区域的局部放大图;
图5是图4中C-C’向的一种剖面图;
图6是图4中C-C’向的又一种剖面图;
图7是图4中C-C’向的又一种剖面图;
图8是图4中C-C’向的又一种剖面图;
图9是图1中A-A’向的又一种剖面图;
图10是图4中C-C’向的又一种剖面图;
图11是图1中A-A’向的又一种剖面图;
图12是图4中C-C’向的又一种剖面图;
图13是图1中A-A’向的又一种剖面图;
图14是图4中C-C’向的又一种剖面图;
图15是图1中A-A’向的又一种剖面图;
图16是图4中C-C’向的又一种剖面图;
图17是图1中A-A’向的又一种剖面图;
图18是图4中C-C’向的又一种剖面图;
图19是图1中A-A’向的又一种剖面图;
图20是图1中A-A’向的又一种剖面图;
图21是本发明提供的又一种显示面板的平面结构示意图;
图22是本发明实施例提供的显示装置的平面结构示意图;
图23是本发明提供的一种显示面板的制作方法流程图。
具体实施方式
现在将参照附图来详细描述本发明的各种示例性实施例。应注意到:除非另外具体说明,否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本发明的范围。
以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的,决不作为对本发明及其应用或使用的任何限制。
对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论,但在适当情况下,所述技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。
在这里示出和讨论的所有例子中,任何具体值应被解释为仅仅是示例性的,而不是作为限制。因此,示例性实施例的其它例子可以具有不同的值。
应注意到:相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项,因此,一旦某一项在一个附图中被定义,则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。
鉴于相关技术中的显示面板存在目视发绿以及一体黑效果差的问题,本发明提供了一种显示面板、及其制作方法、显示装置,用以改善显示面板的目视发绿以及一体黑效果差的问题。
参照图1和图2,图1是本发明提供的一种显示面板的平面结构示意图,图2是图1中A-A’向的一种剖面图。本实施例提供的显示面板000,其特征在于,包括:多个像素1,像素1包括透光区2,像素1至少包括第一子像素1001、第二子像素1002和第三子像素1003,第一子像素1001内设置有第一光阻10011,第二子像素1002内设置有第二光阻10021,第三子像素1003内设置有第三光阻10031,第一光阻10011为绿色光阻;显示面板000还包括:衬底结构3,衬底结构3包括第一衬底基板30;位于第一衬底基板30靠近显示面板000的出光面一侧的第一结构层4,第一结构层4包括至少一个第一膜层40;位于第一结构层4远离衬底结构3一侧的第二结构层5;衬底结构3与第一结构层4相邻且接触,第二结构层5与第一结构层4相邻且接触;衬底结构3的平均折射率为n1,第一结构层4的平均折射率为n2,第二结构层5的折射率为n3,n1<n2<n3。
具体而言,本实施例提供的显示面板000包括多个像素1,可选的,多个像素1可以呈阵列排布,或者多个像素1也可以呈其他排布方式,本实施例不作具体限定,具体实施时,可根据显示面板000的显示要求具体设置。本实施例的像素1至少包括第一子像素1001、第二子像素1002和第三子像素1003,可选的,第一子像素1001、第二子像素1002和第三子像素1003的显示面板000可以包括相关技术中能够实现显示效果的结构,例如在第一基板一侧:第一子像素1001中设置第一光阻10011、第二子像素1002中设置第二设置和第三子像素1003中设置第三光阻10031,第二基板一侧包括像素电极7004,本实施例在此不作赘述。在一些可选的实施例中,第二光阻10021为蓝色光阻,第三光阻10031为红色光阻。
本发明中第一光阻10011为绿色光阻,其透过率最大,第二光阻10021可以为蓝色光阻,第三光阻10031可以为红色光阻。
本实施例的显示面板000可以为液晶显示面板000,显示面板000的膜层结构中包括相对设置的第一基板和第二基板,可选的,第一基板可以为设置有彩色光阻等结构的彩膜基板61,第二基板可以为设置有晶体管T阵列等驱动电路的阵列基板62。显示面板000为液晶显示面板000时,第一基板和第二基板之间还可以包括液晶层(图中未示出)。显示面板000为液晶显示面板000时,显示面板000本身并不发光,主要是通过在第一基板与第二基板上施加驱动电压来控制第一基板和第二基板之间的液晶层的液晶分子的旋转,改变背光模组的光线的偏振状态,并借由设置在液晶显示面板000外部的偏光板实现光路的穿透与阻挡以控制透光量,最终将背光模组的光线折射出来产生显示画面。
本发明的显示面板也可以为有机发光显示面板,图中未示出,具体的有机发光显示面板具有阳极和阴极、以及设置在阳极和阴极之间的空穴传输层、有机发光层和电子传输层,阳极提供空穴注入,阴极提供电子注入,在外界电压的驱动下,由阴极和阳极注入的空穴和电子在有机发光层中复合,形成处于束缚能级的电子空穴对(即激子),激子辐射退激发发出光子,产生可见光。
本实施例的第一基板朝向第二基板的一侧包括遮光层,遮光层的材料可以为绝缘遮光材料,如显示面板000中常用的黑矩阵材料,如传统黑矩阵材料的主要成分包括炭黑(Carbon Black)、分散剂(Dispersant)、碱可溶性树脂(Polymer)、单体(Monomer)、光起始剂(Initiator)、添加剂(Additive)等,常规的黑矩阵材料也称黑矩阵胶体(BM胶体),可以理解的是,本实施例中的黑矩阵的材料包括但不局限于此,具体实施时,还可以为其他绝缘遮光材料,本实施例不作赘述。像素1的透光区2可以理解为遮光层包括多个开口,开口可以沿垂直于显示面板000的方向上贯穿遮光层,对应开口的位置设置光阻。
需要说明的是,本实施例中的衬底结构3可以仅包括第一衬底基板30,也可以包括第一衬底基板30以及位于第一衬底基板30表面的至少一个膜层。当衬底结构3除了包括第一衬底基板外,还包括位于第一衬底基板30表面的至少一个膜层时,当衬底结构3中各膜层的折射率相等时,则衬底结构的平均折射率等于各膜层的折射率,而各膜层的折射率可能会有差别,这里衬底结构3的平均折射率等于多个膜层的等效折射率,例如衬底结构具有两个膜层,第一衬底基板30和第二膜层,第一衬底基板30的折射率为n301,第二膜层的折射率为n302,而n301≠n302,D1为第一衬底基板30的厚度,D2为第二膜层的厚度,根据折射率公式计算可推导出n1=(D1+D2)×n1×n2/(D1n2+D2n1),所以若衬底结构3中各膜层的折射率不相等,那么平均折射率与衬底结构3中的各膜层的折射率以及厚度相关;同理第一结构层4可以包括多个第一膜层40,当第一结构层4中各第一膜层40的折射率相等时,则第一结构层4的平均折射率等于各第一膜层40的折射率,而各第一膜层40的折射率可能会有差别,这里第一结构层4的平均折射率等于多个第一膜层40的等效折射率,计算方法参照衬底结构的等效折射率计算公式这里不再赘述。图2中仅以衬底结构3具有3个膜层,第一衬底基板30的一侧包括两个第二膜层,第一结构层4具有2个第一膜层40进行示意性说明,对于衬底结构3中膜层的数量以及第一结构层4中第一膜层40的数量这里不做具体限定。图1中未示出数据线和扫描线等结构。图2中未对衬底结构3和第一结构层4的各膜层进行图案填充。可选地,由衬底结构3指向第二结构层5的方向上,多个第一膜层40的折射率可以呈递增的趋势。
相关技术中的显示面板存在目视发绿的问题,本申请发明人经过研究后发现:绿色光阻透过率高,对于像素来说包括三种颜色的光阻,绿色光阻、蓝色光阻和红色光阻,从外部进入到显示面板的环境光一进一出会经过光阻两次,以液晶显示面板为例,外部环境光依次经过彩膜基板、液晶层、阵列基板后反射回来,此时环境光在光阻中会有一定的透过率,而红色光阻、蓝色光阻和绿色光阻的透过率又各不相同,透过率计算公式以绿色光阻为例:Y=∫绿色色阻分光透过率×v(λ)dλ,其中Y是绿色光阻的透过率,v(λ)是比视感度,通常绿色光阻的Y值在60%左右,红色光阻的Y值在20%左右,蓝色光阻的Y值在10%左右,由此可见绿色光阻的透过率明显偏高,那么环境光从显示面板反射出来的光中绿色光会多,这是造成目视发绿的原因之一。人眼对绿光最为敏感,正常人的眼睛接收到波长为530nm的绿光时,只要每秒有6个绿光的光子射入瞳孔,眼睛就能察觉。而且显示面板的反射率偏高,尤其是阵列基板中具有多个膜层,而部分膜层由于材料不同而折射率相差较大,这折射率相差较多的两个膜层相邻界面处发生折射率突变,使得反射回来的环境光变多,显示面板反射率较高。因此,可以通过降低显示面板的反射率来改善目视发绿的问题。具体地,通过降低显示面板的反射率能够降低对应绿色光阻的环境光的反射,从而能够降低环境光经过显示面板后反射到人眼的亮度,从而改善发绿的缺陷。
本发明的显示面板000在衬底结构3和第二结构层5之间增设了第一结构层4,衬底结构3包括第一衬底基板30,第一结构层4包括至少一个第一膜层40,第一结构层4的平均折射率n2在衬底结构3的平均折射率n1和第二结构层5的折射率n3之间,n1<n2<n3,使衬底结构3和第二结构层5之间设置折射率过渡的第一结构层4,外部环境光经过第二结构层5进入第一结构层4之后再进入到衬底结构3,r1=(n2-n1)2/(n2+n1)2×(n3-n2)2/(n3+n2)2,由于n3-n2小于n3-n1,所以(n3-n2)2/(n3+n2)2是小于(n3-n1)2/(n3+n1)2的,而(n2-n1)2/(n2+n1)2也是小于1的值,所以r1一定小于未设置第一结构层4的反射率r2=(n3-n1)2/(n3+n1)2,即设置了第一结构层4后显示面板000的反射率一定会小于不设置第一结构层4时显示面板000的反射率,另外,对于增设第一结构层4的位置需要根据两个折射率突变层之间的折射率差值来确定,折射率差值越大增设第一结构层4后降低反射率的效果越好,由于衬底结构3的折射率一般为1.51,而第二结构层5的材料一般为1.86,这里的衬底基板3和第二结构层5之间的折射率相差值是最大的,所以在衬底结构3和第二结构层5之间增设第一结构层4能够最直接有效的降低显示面板的反射率,从而降低了显示面板000整体的反射率,结合造成目视发绿的第1点原因,突出地改善了绿色光的反射强度,再结合第2点原因改善了目视发绿的问题。
此外随着消费者追求越来越高的美感需求,于是就有了能够使显示面板在息屏状态(暗态)下透光区与遮光区颜色一致的要求,能够打造新颖、醒目、美观且具有科技感的一体黑(Integrated Black Panel,简称IBP)技术也成为了显示面板的趋势。在息屏状态时外部环境光照射显示面板,透光区中由于显示面板的部分膜层折射率相差较大,光的反射和折射形成一种黑灰色的视觉,与遮光区(BM)的黑色形成色差,从而影响一体黑效果。判定产品的一体黑性能,可以借助色度差△E来辅助测量,L*、a*、b*是一个颜色空间,L*代表光的亮度轴(黑白),其值从0(黑色)到100(白色),a*和b*代表色度坐标,a*代表红绿轴,a*+趋近于红色,a*-趋近于绿色,b*代表黄蓝轴,b*+趋近于黄色,b*-趋近于蓝色,这里的L1*为遮光区(BM)的亮度值,L2*为透光区的亮度值,a1*为遮光区(BM)的红绿色度值,a2*为透光区的红绿色度值,b1*为遮光区(BM)的黄蓝色度值,b2*为透光区的黄蓝色度值,当△E<2,且透光区L*值少于28时,一体黑效果良好,当△E≤1时,能获得非常好的一体黑效果。相关技术中的显示面板在息屏状态下显示区会发绿,原因就是如上所述造成目视发绿的三点原因,但是对于显示面板一体黑来说用户不喜欢发绿的颜色,更喜好中性色,为了改善一体黑性能,相关技术中会将显示面板出光面一侧的玻璃盖板的油墨区的L1*调整至更接近透光区的L2*,但盖板油墨区的色度值a1*和b1*是不能调整(偏向中性),主要原因是将盖板油墨区的色度值a1*和b1*调整至偏中性色会影响信赖性、附着力等,这样通过只调整L1*和L2*的差值一体黑也会变好,但是通过调整L1*和L2*的差值依然存在发绿的问题。
本发明中由于衬底结构3和第二结构层5之间设置折射率过渡的第一结构层4,使透光区的发绿得到改善了,从颜色空间坐标轴来看,透光区2的a2*绝对值变小,和遮光区(BM)的a1*就更接近了,相当于a1*-a2*的差值接近0,由此a1*-a2*的平方值减小,所以色度差△E值减小,即显示面板000的透光区2和周围的遮光区色差较小,提高了显示面板000的一体黑性能。可以理解的是,本发明不仅改善了目视发绿,还带来了意想不到的技术效果,即提高了显示面板000的一体黑性能。
在一些可选的实施例中,继续参照图1和图2,n1-n2=n2-n3。
具体的,衬底结构3的平均折射率为n1,第二结构层5的折射率为n3,根据上述反射率公式可知,r1=(n2-n1)2/(n2+n1)2×(n3-n2)2/(n3+n2)2,若n2满足n2=(n1+n3)/2,这样r1值为最小值,即能够将反射率降低到最低,最够改善目视发绿的问题,此时显示面板000的一体黑性能也是最好的。
在一些可选的实施例中,继续参照图1和图2,n1和n3的差值大于等于0.3。
具体的,显示面板000中各膜层的材料不同折射率也不尽相同,如上,两个膜层之间折射率相差越大,那么反射率也就越高。当然此时若在这两个膜层之间设置折射率过渡的第一结构层4,降低反射率的效果也就越好。
当然,若衬底结构3与第二结构层5之间的折射率若相差较小,那么在衬底结构3和第一结构层4之间增设一个第一结构层4不仅会增加整体显示面板000的厚度,而且反射率降低的程度并不大,即对降低显示面板000整体反射率效果并不明显。
当衬底结构3的折射率n1和第二结构层5的折射率n3之间的差值在0.3以上(包括端点)时,那么认为这两个膜层为折射率突变层,这时在衬底结构3和第二结构层5之间增设第一结构层4,且第一结构层4的折射率n2在n1和n3之间,那么能够较好降低反射率。
在一些可选的实施例中,继续参照图2,第一结构层4为整面设置。
可选的,对应显示面板000的部分透光区2的位置设置第一结构层4,当然也可以在显示面板000的整面设置第一结构层4,对应显示面板000的制作来说,第一结构层4为整面设置能够降低制作工艺难度,不需要复杂的工艺就能够实现。当然可以通过调整第一结构层4的厚度来保证显示面板000整体厚度不会增加太多。
另外第一结构层4为整面设置,那么显示面板000的全部透光区2的反射率均能够降低,显示面板000整体反射率降低后,可以进一步改善目视发绿的问题,以及提高一体黑效果。反之,对应显示面板000的部分透光区2的位置设置第一结构层4,那么只能改善部分位置的目视发绿问题,同理也只能改善一部分一体黑效果。
在一些可选的实施例中,参照图3,图3是图1中A-A’向的又一种剖面图,第一结构层4包括第一结构子层401、至少一层第二结构子层402和第三结构子层403,第一结构子层401位于第二结构子层402靠近衬底结构3的一侧,第三结构子层403位于第二结构子层402靠近第二结构层5的一侧,第一结构子层401的折射率为n01,至少一层第二结构子层402的平均折射率为n02,第三结构子层403的折射率为n03,其中,n01<n02<n03。
可以理解的是,第一结构层4包括至少一个第一膜层40,如图3所示,可以包括一个第一结构子层401、两个第二结构子层402和一个第三结构子层403,这里的第一结构子层401、第二结构子层402和第三结构子层403就是第一膜层40的一个膜层,当然第二结构子层402可以是一层也可以是多层,若是多层时,多个第二结构子层402的平均折射率为多个第二结构子层402折射率之和的平均值。当然由衬底结构3指向第二结构层5的方向上,多层第二结构子层402的折射率可以呈递增的趋势,根据反射率计算公式可知,这是的反射率降低的效果更好。
图3中仅以具有两个第二结构子层402为例,其中第二结构子层402a位于靠近衬底结构3的一侧,第二结构子层402b位于靠近第二结构层5的一侧,可以的,第二结构子层402a和第二结构子层402b的折射率可以为渐变,即第二结构子层402a的折射率小于第二结构子层402b的折射率,但是第二结构子层402的平均折射率n02在n01和n03之间,且n01<n02<n03,设第二结构子层402a的折射率为n02a,第二结构子层402a的折射率为n02b,所以显示面板000的反射率r3=(n3-n03)2/(n3+n03)2×(n03-n02b)2/(n03+n02b)2×(n02b-n02a)2/(n02b+n02a)2×(n02a-n01)2/(n02a+n01)2×(n01-n1)2/(n01+n1)2,这个反射率r3值明显进一步小于r2=(n3-n1)2/(n3+n1)2,由此能够进一步降低反射率,进一步改善目视发绿的问题,一体黑效果更好。
在一些可选的实施例中,参照图4和图5,图4是图1中B区域的局部放大图,图5是图4中C-C’向的一种剖面图,第一子像素1001的透光区2包括:位于第一结构层4靠近显示面板000的出光面一侧的第一栅极绝缘层7001,第一栅极绝缘层7001为第二结构层5。
具体的,本实施例中衬底结构3只包括第一衬底基板30,第一栅极绝缘层7001为第二结构层5。对于阵列基板62来说,通常包括第一衬底基板30以及设置在第一衬底基板30上的驱动电路,在制作驱动电路的晶体管T时需要制作第一栅极绝缘层7001,而此时这个第一栅极绝缘层7001不仅设置在被黑矩阵遮盖的非透明区,在透光区2也存在,对于第一衬底基板30来说材料一般为玻璃,对于第一栅极绝缘层7001的材料不仅需要起到绝缘的作用还需要能够在晶体管开关中具有导电沟道作用,所以第一栅极绝缘层7001的材料一般为无机硅,例如为氮化硅,当然由于氮化硅是气相沉积法(CVD)制作的,所以膜制比较好。玻璃的折射率与氮化硅的折射率相差较大,也就是在第一衬底基板30和第一栅极绝缘层7001的位置折射率是突变的,那么环境光在这个位置更容易发生折射和反射,由此反射率更高。
可选的,对于第一结构层4可以是整面设置的,这里的整面设置是指除了第一子像素1001对应的透光区2以外在第二子像素1002和第三子像素1003对应的透光区2中也设置第一结构层4,即能够降低显示面板000整体的反射率还利于制作,对于围绕透光区2的非透光区21位置可以设置第一结构层4,也可以不设置第一结构层4,因为非透光区21中无光线反射,对于反射率没有贡献,所以是否在非透光区21设置第一结构层4可以不做具体限定,若在非透光区21中也设置了第一结构层4,那么需要在局部位置设置。
可选的,本实施例中的显示面板000可以为a-Si作为基料的显示面板000,a-Si为非晶硅技术,其具有技术简单、成本低廉的优点,因而被广泛使用。
图4中未示出彩膜基板61的结构,尤其没有示出彩膜基板61中第一光阻10011、第二光阻10021、第三光阻10031、遮光层BM等结构。图5中的显示面板000还包括晶体管T,晶体管T位于像素1的非透光区21,与像素1中的像素电极7004电连接;晶体管T包括栅极T1、有源层T4、源极T2、和漏极T3,有源层T4位于栅极T1远离第一衬底基板30的一侧,源漏极位于有源层T4远离第一衬底基板30的一侧,有源层T4与栅极T1之间包括第一栅极绝缘层7001,源漏极与像素电极7004之间包括第一绝缘层7002和第四结构层7003。第一绝缘层7002起到绝缘的作用,第四结构层7003起到平坦化的作用。具体的是,图4中还示出了扫描线和数据线,图4中还示出了公共电极Vcom,公共电极Vcom可以位于像素电极7004靠近显示面板000出光面的一侧,也可以与公共电极Vcom同层,当然像素电极7004与公共电极Vcom之间需要有绝缘层,在进行显示时,扫描线的信号传输至晶体管T的栅极T1时控制晶体管T导通,数据线传输的数据信号传输到像素电极7004上,像素电极7004与公共电极Vcom之间的电压形成驱动液晶分子偏转的电场。本实施例中在折射率突变的第一衬底基板30和第一栅极绝缘层7001之间增设折射率过渡的第一结构层4,根据反射率公式可知能够降低显示面板000的反射率,由此改善目视发绿的问题和提高一体黑效果。
在一些可选的实施例中,继续参照图5,栅极T1位于第一栅极绝缘层7001靠近第一结构层4的一侧。
具体的,栅极T1位于第一结构层4远离第一衬底基板30的一侧,即栅极T1与有源层T4之间只有第一栅极绝缘层7001即可,对栅极T1施加栅极驱动信号之后,晶体管T能够快速做出响应,反之若将栅极T1设置在第一结构层4靠近第一衬底基板30的一侧,那么栅极T1与有源层T4之间由第一栅极绝缘层7001和第一结构层4,那么对栅极T1施加栅极驱动信号之后,晶体管T响应较慢,影响显示。另一方面,第一结构层4是整面制作的,若先制栅极T1再制作第一结构层4,栅极T1位于第一结构层4靠近第一衬底基板30的一侧,那么为了不影响栅极T1与有源层T4之间的响应速度,所以刻蚀第一结构层4暴露出栅极T1,这样就需要增设一道掩膜,制作工艺更复杂,也会增加成本,而先制作第一结构层4再制作栅极T1,即栅极T1位于第一结构层4靠近第一栅极绝缘层7001的一侧,则无需刻蚀第一结构层4,不需要增设刻蚀用的掩膜,降低生产成本,制作工艺更简便。当然,栅极T1需要与显示面板周边的栅极驱动电路(图中未示出)电连接,所以,若栅极T1位于第一结构层4靠近第一衬底基板30的一侧,为了实现与栅极驱动电路电连接,也需要对第一结构层4进行刻蚀裸露出栅极T1,需要增设刻蚀用的掩膜,生产成本增加,工艺比较复杂,本实施例中栅极T1位于第一结构层4靠近第一栅极绝缘层7001的一侧,则无需刻蚀第一结构层4,不需要增设掩膜,制作工艺更简便。
在一些可选的实施例中,继续参照图4和图5,1.51<n2<1.86。
如上,第一衬底基板30来说材料一般为玻璃,对于第一栅极绝缘层7001的材料不仅需要起到绝缘的作用还需要能够在晶体管开关中具有导电沟道作用,所以第一栅极绝缘层7001的材料一般为无机硅,例如为氮化硅,当然由于氮化硅是气相沉积法(CVD)制作的,所以膜质比较好。玻璃的折射率在1.51左右,而氮化硅的折射率为1.86,也就是在衬底基板和第一栅绝缘层的位置折射率是突变的,那么环境光在这个位置更容易发生折射和反射,由此反射率更高。所以可以在第一栅极绝缘层7001和第一衬底基板30之间设置折射率n2在1.51~1.86的第一结构层4,根据折射率计算公式,r1=(n2-n1)2/(n2+n1)2×(n3-n2)2/(n3+n2)2可知,第一结构层4设置在这个折射率突变的位置能够有效的改善目视发绿。
在一些可选的实施例中,参照图6,图6是图4中C-C’向的又一种剖面图,第一子像素1001的透光区2包括:
位于第一衬底基板30靠近显示面板000的出光面一侧的第一栅极绝缘层7001;
位于第一栅极绝缘层7001靠近显示面板000的出光面一侧的第一绝缘层7002;
位于所述第一绝缘层7002靠近显示面板000的出光面一侧的第三结构层6;
位于第一绝缘层7002靠近显示面板000的出光面一侧的第四结构层7003;
第一绝缘层7002的折射率为n4,第三结构层6的折射率为n5,第四结构层7003的折射率为n6,且n4>n5>n6。
可选的,第二子像素1002的透光区2和第三子像素1003的透光区2也包括位于第一衬底基板30靠近显示面板000的出光面一侧的第一栅极绝缘层7001,图6中未示出;位于第一栅极绝缘层7001靠近显示面板000的出光面一侧的第一绝缘层7002;位于所述第一绝缘层7002靠近显示面板000的出光面一侧的第三结构层6,当然也可以不设置,这里不做具体限定;位于第一绝缘层7002靠近显示面板000的出光面一侧的第四结构层7003,即第一栅极绝缘层7001、第一绝缘层7002、第三结构层6和第四结构层7003是整面设置的,这里不做具体限定。
可选的,本实施例中的显示面板000可以为a-Si作为基料的显示面板000。
第一绝缘层7002的材料是无机材料,例如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)等无机材料,第一绝缘层7002的厚度一般为几百纳米,可选的,可以为100-400nm,而第四结构层7003需要起到平坦化的作用,厚度较第一绝缘层7002而言较厚,一般要达到几千纳米,CVD的方法制作的膜无法达到厚度要求,不能起到平坦化的作用,所以一般选用能够涂布成膜的有机材料,主要原因是有机材料成膜后平坦型好、容易制膜、工艺简单。
可选的,仍可以在第一衬底基板30与第一栅极绝缘层7001之间增设折射率过渡的第一结构层4,当然也可以不设置,这里不做具体限定。
可选的,图6中的第一绝缘层7002材料可以与第一栅极绝缘层7001的材料相同,此时第一绝缘层7002和第一栅极绝缘层7001的折射率基本一致,所以在第一绝缘层7002和第一栅极绝缘层7001接触的界面不会发生折射,所以不需要在第一绝缘层7002和第一栅极绝缘层7001之间增设折射率过渡的膜层。
可选的,第四结构层7003可以为平坦化层,例如采用树脂类的材料,而平坦化层的折射率与第一绝缘层7002的折射率就相差较大了,所以在第四结构层7003和第一绝缘层7002之间可以增设第三结构层6,第一绝缘层7002的折射率为n4,第三结构层6的折射率为n5,第四结构层7003的折射率为n6,且n4>n5>n6,由此在第四结构层7003、第三结构层6、第一绝缘层7002这几个膜层位置处的反射率为r4=(n6-n5)2/(n6+n5)2×(n5-n4)2/(n5+n4)2,可选的,n6-n5=n5-n4,此时的反射率是最小值,改善目视发绿的效果以及一体黑性能最好。若在第一衬底基板30与第一栅极绝缘层7001之间增设折射率过渡的第一结构层4,整体上显示面板000的反射率为r5=(n2-n1)2/(n2+n1)2×(n3-n2)2/(n3+n2)2×(n6-n5)2/(n6+n5)2×(n5-n4)2/(n5+n4)2,若不设置第一结构层4和第三结构层6,那么显示面板的反射率r6=(n3-n1)2/(n3+n1)2×(n6-n4)2/(n6+n4)2,r5明显小于r6,当然r5也是小于r2=(n3-n1)2/(n3+n1)2的,所以增设第一结构层4和第三结构层6能够进一步降低显示面板000的反射率,更好的改善目视发绿和提高一体黑性能。
参照下表1,表1是相关技术的显示面板与本实施例的显示面板的效果比对。
表1是相关技术的显示面板与本实施例的显示面板的效果比对
对比测试中,相关技术中的显示面板未在第一衬底基板与第一栅极绝缘层之间增设第一结构层,也未在第一绝缘层和第四结构层之间增设第三结构层;而本实施例中在第一衬底基板30与第一栅极绝缘层7001之间增设了第一结构层4,而且在第一绝缘层7002和第四结构层7003之间也增设第三结构层6,由此显示面板整体反射率由0.65下降到0.55,显示面板整体反射率下降了15.4%,没有出现目视发绿的问题,一体黑的△E值也从3.0下降到1.4,一体黑性能改善了53.3%。
在一些可选的实施例中,继续参照图6,第四结构层7003的材料包括有机材料,第四结构层7003的厚度大于等于1.5μm且小于等于2.5μm。
可选的,第四结构层7003作为平坦化层,可以采用有机材料,例如采用树脂类的材料,这里平坦化层的厚度较第一绝缘层7002而言较厚,一般可达到几千纳米,其厚度可以在[1.5μm,2.5μm]之间,可选的为2μm,在起到绝缘作用的同时,具有一定厚度的结构还可以对面板的膜层起到较好的平坦化作用,降低铺设的信号线断线等风险。
在一些可选的实施例中,继续参照图6,1.55<n5<1.86。
具体的,如上所述,第一绝缘层7002可以为无机材料,通常折射率为1.86,而第四结构层7003的折射率一般在1.55,所以增设的第三结构层6的折射率大于1.55小于1.86即可,可选的n5=1.7,从而降低反射率,改善目视发绿的问题,提高一体黑性能。
在一些可选的实施例中,参照图7,图7是图4中C-C’向的又一种剖面图,第一子像素1001的透光区2包括:位于第一衬底基板30靠近显示面板000的出光面一侧的第一栅极绝缘层7001;位于第一栅极绝缘层7001靠近显示面板000的出光面一侧的第一绝缘层7002;位于第一绝缘层7002靠近显示面板000的出光面一侧的第四结构层7003;位于第四结构层7003靠近显示面板000的出光面一侧的第五结构层7;位于第五结构层7靠近显示面板000的出光面一侧的像素电极7004;第四结构层7003的折射率为n6,第五结构层7的折射率为n7,像素电极7004的折射率为n8,其中,n6<n7<n8。
可选的,第二子像素1002的透光区2和第三子像素1003的透光区2也包括位于第一衬底基板30靠近显示面板000的出光面一侧的第一栅极绝缘层7001,图7中未示出;位于第一栅极绝缘层7001靠近显示面板000的出光面一侧的第一绝缘层7002;位于第一绝缘层7002靠近显示面板000的出光面一侧的第四结构层7003;位于第四结构层7003靠近显示面板000的出光面一侧的第五结构层7;位于第五结构层7靠近显示面板000的出光面一侧的像素电极7004,即第一栅极绝缘层7001、第一绝缘层7002、第四结构层7003和第五结构层7是整面设置的,这里不做具体限定。
可选的,也可以在第一衬底基板30和第一栅极绝缘层7001之间增设第一结构层4;可选的,也可以在第一绝缘层7002和第四结构层7003之间增设第三结构层6,当然也可以不设置,这里不做具体限定。
具体的,第四结构层7003的材料可以为有机材料,折射率在1.55左右,像素电极7004的材料可以为氧化铟锡,像素电极7004的折射率为1.82,所以第四结构层7003与像素电极7004出现折射率突变,此处的反射率值较高,本实施例中在第四结构层7003与像素电极7004之间第五结构层7,而且第五结构层7的折射率n7在n6和n8之间,且n6<n7<n8,此处反射率值为(n8-n7)2/(n8+n7)2×(n7-n6)2/(n7+n6)2,若同时在第一衬底基板30和第一栅极绝缘层7001之间增设第一结构层4以及在第一绝缘层7002和第四结构层7003之间增设第三结构层6,那么显示面板000的反射率为r7=(n2-n1)2/(n2+n1)2×(n3-n2)2/(n3+n2)2×(n6-n5)2/(n6+n5)2×(n5-n4)2/(n5+n4)2×(n8-n7)2/(n8+n7)2×(n7-n6)2/(n7+n6)2,此时反射率能够进一步降低,如上所述r5=(n2-n1)2/(n2+n1)2×(n3-n2)2/(n3+n2)2×(n6-n5)2/(n6+n5)2×(n5-n4)2/(n5+n4)2,可见r7小于r5,因此进一步改善显示面板000目视发绿的问题,同时进一步提高一体黑性能。可选的,n8-n7=n7-n6,此时的反射率是最小值,改善目视发绿的效果以及一体黑性能最好。
在一些可选的实施例中,参照图8,图8是图4中C-C’向的又一种剖面图,为了清楚的示出阵列基板62的结构,图4中未示出彩膜基板61的结构,尤其没有示出彩膜基板61中第一光阻10011、第二光阻10021、第三光阻10031、遮光层BM等结构。
本实施例中显示面板000还包括晶体管T,晶体管T位于像素1的非透光区21,与像素1中的像素电极7004电连接;
晶体管T包括栅极T1、有源层T4、源极T2、和漏极T3,有源层T4位于栅极T1远离第一衬底基板30的一侧,源极T2、漏极T3位于有源层T4远离第一衬底基板30的一侧,有源层T4与栅极T1之间包括第三绝缘层7005,第三绝缘层7005与第一栅极绝缘层7001同层,源极T2、漏极T3与像素电极7004之间包括第四绝缘层7006和第五绝缘层7007,第四绝缘层7006与第一绝缘层7002同层,第五绝缘层7007与第四结构层7003同层。
具体的是,图4中还示出了扫描线和数据线,图4中还示出了公共电极Vcom,公共电极Vcom可以位于像素电极7004靠近显示面板000出光面的一侧,也可以与公共电极Vcom同层,当然像素电极7004与公共电极Vcom之间需要有绝缘层,在进行显示时,扫描线的信号传输至晶体管T的栅极T1时控制晶体管T导通,数据线传输的数据信号传输到像素电极7004上,像素电极7004与公共电极Vcom之间的电压形成驱动液晶分子偏转的电场。图8中还示出了触控电极TM,触控电极TM可以复用为公共电极Vcom,此时公共电极Vcom需要刻缝进行分块,公共电极信号和触控信号分时发送至每个公共电极Vcom分块上。可选的,第一结构层4可以和栅极T1同层,这样不会增加显示面板000的整体厚度。
本实施例中,第三绝缘层7005与第一栅极绝缘层7001同层,第四绝缘层7006与第一绝缘层7002同层,第五绝缘层7007与第四结构层7003同层,这样能够节省工艺流程。
在一些可选的实施例中,参照图9和图10,图9是图1中A-A’向的又一种剖面图,图10是图4中C-C’向的又一种剖面图,本实施例中衬底结构3还包括:位于第一衬底基板30靠近显示面板000的出光面一侧的缓冲层8001、以及位于第一衬底基板30靠近显示面板000的出光面一侧的第一子栅极绝缘层8002;
第一结构层4位于第一子栅极绝缘层8002靠近显示面板000的出光面一侧;
还包括位于第一结构层4靠近显示面板000的出光面一侧的第二子栅极绝缘层8003,第二子栅极绝缘层8003为第二结构层5。
可选的,本实施例的显示面板000利用的是LTPS技术(Low Temperature Poly-silicon,低温多晶硅),LTPS技术的优势在于超薄、超轻、低能耗,可提供更艳丽的色彩和更清晰的影像。
具体的,第一衬底基板30的材料通常为玻璃,其折射率为1.51,而缓冲层8001,缓冲层8001的材料通常为氧化硅、氮化硅等材料中的一种或几种,其折射率通常也是1.51,所以第一衬底基板30和缓冲层8001之间并没有发生折射率突变;第一子栅极绝缘层8002的材料为氧化硅,折射率也是1.51,所以在缓冲层8001与第一子栅极绝缘层8002之间也没有发生折射率突变。但是对于第二子栅极绝缘层8003(本实施例中的第二结构层5)来说,对于第二子栅极绝缘层8003的材料不仅需要起到绝缘的作用还需要能够在晶体管开关中具有导电沟道作用,其材料通常为氮化硅,折射率是1.86,所以第一子栅极绝缘层8002和第二子栅极绝缘层8003之间发生了折射率突变,本实施例中在第一子栅极绝缘层8002和第二子栅极绝缘层8003之间增设第一结构层4,第一结构层4的折射率在第一子栅极绝缘层8002的折射率和第二子栅极绝缘层8003的折射率之间,从而降低显示面板000的反射率,反射率计算方法为r8=(n2-n1)2/(n2+n1)2×(n3-n2)2/(n3+n2)2,这里的n1是指第一衬底基板30、缓冲层8001和第一子栅极绝缘层8002三层折射率的平均值,第一结构层4仅具有一个第一膜层40,第二子栅极绝缘层8003为第二结构层5,与相关技术相比,在不增设第一结构层4时,显示面板的反射率为r10=(n3-n1)2/(n3+n1)2,由于n3-n2小于n3-n1,所以(n3-n2)2/(n3+n2)2是小于(n3-n1)2/(n3+n1)2的,而(n2-n1)2/(n2+n1)2也是小于1的值,所以r8一定小于未设置第一结构层4的反射率r10=(n3-n1)2/(n3+n1)2,所以本实施例中显示面板的反射率降低,通过降低显示面板的反射率,能够改善LTPS显示面板的目视发绿问题,同时还改善了一体黑性能。
可选的图10中还示出了位于第二子栅极绝缘层8003靠近显示面板000的出光面一侧的第一层间绝缘层8004,位于第一层间绝缘层8004靠近显示面板000的出光面一侧的第二层间绝缘层8005,位于第二层间绝缘层8005靠近显示面板000的出光面一侧的第三层间绝缘层8006;显示面板000还包括晶体管T,晶体管T位于像素1的非透光区21,晶体管T用于驱动像素1中的像素电极7004;晶体管T包括栅极T1、有源层T4、源极T2和漏极T3,有源层T4位于缓冲层8001远离第一衬底基板30的一侧,栅极T1位于有源层T4远离第一衬底基板30的一侧,栅极T1与有源层T4之间包括第一子栅极绝缘层8002和第二子栅极绝缘层8003;源极T2、漏极T3位于栅极T1远离第一衬底基板30的一侧,源漏极与栅极T1之间包括层间绝缘层8007;层间绝缘层8007远离第一衬底基板30的一侧包括第六绝缘层80010;第六绝缘层80010远离第一衬底基板30的一侧包括公共电极Vcom、公共电极Vcom远离第一衬底基板30的一侧包括像素电极7004,公共电极Vcom与像素电极7004之间包括第七绝缘层80011。在进行显示时,扫描线的信号传输至晶体管T的栅极T1时控制晶体管T导通,数据线传输的数据信号传输到像素电极7004上,像素电极7004与公共电极Vcom之间的电压形成驱动液晶分子偏转的电场。
在一些可选的实施例中,参照图11和12,图11是图1中A-A’向的又一种剖面图,图12是图4中C-C’向的又一种剖面图,第一子像素1001的透光区2还包括:位于第二子栅极绝缘层8003靠近显示面板000的出光面一侧的第一层间绝缘层8004;位于第一层间绝缘层8004靠近显示面板000的出光面一侧的第六结构层8;位于第六结构层8靠近显示面板000的出光面一侧的第二层间绝缘层8005;第一层间绝缘层8004的折射率为n10,第六结构层8的折射率为n11,第二层间绝缘层8005的折射率为n12,n10>n11>n12。
可选的,本实施例的显示面板000利用的是LTPS技术。
可选的,参照图12,还可以在第一子栅极绝缘层8002和第二子栅极绝缘层8003之间增设第一结构层4,当然也可以不设置,这里不做具体限定。
可选的,第二子像素1002、第三子像素1003的透光区2也可以包括位于第二子栅极绝缘层8003靠近显示面板000的出光面一侧的第一层间绝缘层8004;位于第一层间绝缘层8004靠近显示面板000的出光面一侧的第六结构层8;位于第六结构层8靠近显示面板000的出光面一侧的第二层间绝缘层8005,当然也可以不设置,这里不做具体限定。
具体的,第一层间绝缘层8004的材料为氮化硅,其折射率通常为1.86,第二层间绝缘层8005的材料为氧化硅,其折射率为1.51,所以第一层间绝缘层8004和第二层间绝缘层8005为折射率突变的膜层,此时可以在第一层间绝缘层8004和第二层间绝缘层8005之间增设第六结构层8,第一层间绝缘层8004的折射率n10大于第六结构层8的折射率n11,第六结构层8的折射率n11大于第二层间绝缘层8005的折射率为n12,所以第一层间绝缘层8004、第六结构层8、第二层间绝缘层8005这几个膜层处的反射率r9=(n10-n11)2/(n10+n11)2×(n11-n12)2/(n11+n12)2,反射率由此降低,由此改善目视发绿,同时提高一体黑性能;可选的,若在第一子栅极绝缘层8002和第二子栅极绝缘层8003之间增设第一结构层4,那么反射率为r11=(n2-n1)2/(n2+n1)2×(n3-n2)2/(n3+n2)2×(n10-n11)2/(n10+n11)2×(n11-n12)2/(n11+n12)2,r11<r10,这样能够进一步降低反射率。可选的,n10-n11=n11-n12,此时的反射率是最小值,改善目视发绿的效果以及一体黑性能最好。
图12还示出了第三层间绝缘层8006,在第三层间绝缘层8006远离第一衬底基板30的一侧包括第六绝缘层80010;第六绝缘层80010远离第一衬底基板30的一侧包括公共电极Vcom、公共电极Vcom远离第一衬底基板30的一侧包括像素电极7004,公共电极Vcom与像素电极7004之间包括第七绝缘层80011。在进行显示时,扫描线的信号传输至晶体管T的栅极T1时控制晶体管T导通,数据线传输的数据信号传输到像素电极7004上,像素电极7004与公共电极Vcom之间的电压形成驱动液晶分子偏转的电场。
在一些可选的实施例中,参照图13和图14,图13是图1中A-A’向的又一种剖面图,图14是图4中C-C’向的又一种剖面图,第一子像素1的透光区2还包括:
位于第二层间绝缘层8005靠近显示面板000的出光面一侧的第七结构层9;
位于第七结构层9靠近显示面板000的出光面一侧的第三层间绝缘层8006;
第七结构层9的折射率为n13,第三层间绝缘层8006的折射率为n14,n12<n13<n14。
可选的,本实施例的显示面板000利用的是LTPS技术。
可选的,还可以在第一子栅极绝缘层8002和第二子栅极绝缘层8003之间增设第一结构层4,当然也可以不设置,这里不做具体限定。
可选的,也可以在第一层间绝缘层8004和第二层间绝缘层8005之间增设第六结构层8,当然也可以不设置,这里不做具体限定。
可选的,第二子像素1002、第三子像素1003的透光区2也可以包括位于第二层间绝缘层8005靠近显示面板000的出光面一侧的第七结构层9;位于第七结构层9靠近显示面板000的出光面一侧的第三层间绝缘层8006,当然也可以不设置,这里不做具体限定。
具体的,第二层间绝缘层8005的材料氧化硅,其折射率为1.51,第三层间绝缘层8006的材料为氮化硅,折射率为1.86,所以第二层间绝缘层8005和第三层间绝缘层8006的位置也是折射率突变的膜层,会造成反射率高,所以可以在第二层间绝缘层8005与第三层间绝缘层8006之间增设第七结构层9,第七结构层9的折射率n13大于第二层间绝缘层8005的折射率n12且小于第三层间绝缘层8006的折射率n14,此时反射率r12=(n13-n12)2/(n13+n12)2×(n14-n13)2/(n14+n13)2,从而降低反射率,改善目视发绿,同时提高一体黑效果。可选的,n13-n12=n14-n13,此时的反射率是最小值,改善目视发绿的效果以及一体黑性能最好。
若同时在第一子栅极绝缘层8002和第二子栅极绝缘层8003之间增设了第一结构层4,也在第一层间绝缘层8004和第二层间绝缘层8005之间增设第六结构层8,那么反射率为r13=(n2-n1)2/(n2+n1)2×(n3-n2)2/(n3+n2)2×(n10-n11)2/(n10+n11)2×(n11-n12)2/(n11+n12)2×(n13-n12)2/(n13+n12)2×(n14-n13)2/(n14+n13)2,可见r13与r10的差距会更大,r13更小于r10,反射率值最小。
在一些可选的实施例中,参照图15和图16,图15是图1中A-A’向的又一种剖面图,图16是图4中C-C’向的又一种剖面图,第一子像素1的透光区2还包括:
位于第二子栅极绝缘层8003靠近显示面板000的出光面一侧的层间绝缘层8007;
位于层间绝缘层8007靠近显示面板000的出光面一侧的第八结构层10;
位于第八结构层10靠近显示面板000的出光面一侧的第九结构层8008;
层间绝缘层8007的平均折射率为n15,第八结构层10的折射率为n16,第九结构层8008的折射率为n17,n15>n16>n17。
可选的,本实施例的显示面板000利用的是LTPS技术。
可选的,由第一衬底基板30指向显示面板000的出光面的方向上,层间绝缘层8007可以依次包括第一层间绝缘层8004、第二层间绝缘层8005和第三层间绝缘层8006。当然可以在第一层间绝缘层8004和第二层间绝缘层8005之间增设第六结构层8,在第二层间绝缘层8005与第三层间绝缘层8006之间增设第七结构层9,当然也可以不设置,这里不做具体限定。
可选的,本实施例中也可以在第一子栅极绝缘层8002和第二子栅极绝缘层8003之间增设第一结构层4,当然也可以不设置,这里不做具体限定。
可选的,第二子像素1002、第三子像素1003的透光区2也可以包括位于第二子栅极绝缘层8003靠近显示面板000的出光面一侧的层间绝缘层8007;位于层间绝缘层8007靠近显示面板000的出光面一侧的第八结构层10;位于第八结构层10靠近显示面板000的出光面一侧的第九结构层8008,当然也可以不设置,这里不做具体限定。
需要说明的是,本实施例中的第九结构层8008为平坦化层,平坦化层的厚度比较厚,要达到几千纳米,CVD的方法制作的膜无法达到厚度要求,不能起到平坦化的作用,所以一般选用能够涂布成膜的有机材料制作第九结构层8008,主要原因是有机材料成膜后平坦型好、容易制膜、工艺简单,如树脂材料,其折射率为1.55,而LTPS面板的绝缘层通常包括三层,第一层间绝缘层8004、第二层间绝缘层8005和第三层间绝缘层8006,本实施例中层间绝缘层8007的平均折射率n15是指第一层间绝缘层8004、第二层间绝缘层8005和第三层间绝缘层8006折射率之和的平均值,当然绝缘层中最远离第一衬底基板30的一层(第三层间绝缘层8006)材料是氮化硅,折射率为1.86,所以绝缘层与第九结构接触的界面发生了折射率突变,若在折射率突变的绝缘层和第九结构层8008之间增设第八结构层10,且第八结构层10的折射率n16在层间绝缘层8007的平均折射率n15和第九结构层8008的折射率n17之间,且n15>n16>n17,所以增设第八结构能够降低反射率。可选的,n15-n16=n16-n17,此时的反射率是最小值,改善目视发绿的效果以及一体黑性能最好。
在折射率突变的层间绝缘层8007和第九结构层8008之间增设第八结构层10后反射率r14=(n15-n16)2/(n15+n16)2×(n16-n17)2/(n16+n17)2,若同时在第一子栅极绝缘层8002和第二子栅极绝缘层8003之间增设了第一结构层4,也在第一层间绝缘层8004和第二层间绝缘层8005之间增设第六结构层8、在第二层间绝缘层8005与第三层间绝缘层8006之间增设第七结构层9,那么显示面板的反射率r15=(n2-n1)2/(n2+n1)2×(n3-n2)2/(n3+n2)2×(n10-n11)2/(n10+n11)2×(n11-n12)2/(n11+n12)2×(n13-n12)2/(n13+n12)2×(n14-n13)2/(n14+n13)2×(n15-n16)2/(n15+n16)2×(n16-n17)2/(n16+n17)2,r15<r10,而且r15远远小于r10,此时反射率值最小,反射率是最小值,改善目视发绿的效果以及一体黑性能最好。
在一些可选的实施例中,参照图17和图18,图17是图1中A-A’向的又一种剖面图,图18是图4中C-C’向的又一种剖面图,第一子像素1001的透光区2还包括:位于第二子栅极绝缘层8003靠近显示面板000的出光面一侧的层间绝缘层8007;位于层间绝缘层8007靠近显示面板000的出光面一侧的第九结构层8008;位于第九结构层8008靠近显示面板000的出光面一侧的第十结构层11;位于第十结构层11靠近显示面板000的出光面一侧的第二绝缘层8009;第九结构层8008的折射率为n17,第十结构层11的折射率为n18,第二绝缘层8009的折射率为n19,且n17<n18<n19。
可选的,本实施例的显示面板000利用的是LTPS技术。可选的,由第一衬底基板30指向显示面板000的出光面的方向上,层间绝缘层8007可以依次包括第一层间绝缘层8004、第二层间绝缘层8005和第三层间绝缘层8006。当然可以在第一层间绝缘层8004和第二层间绝缘层8005之间增设第六结构层8,在第二层间绝缘层8005与第三层间绝缘层8006之间增设第七结构层9,当然也可以不设置,这里不做具体限定。可选的,本实施例中也可以在第一子栅极绝缘层8002和第二子栅极绝缘层8003之间增设第一结构层4,当然也可以不设置,这里不做具体限定。可选的,第二子像素1002、第三子像素1003的透光区2也可以包括位于第二子栅极绝缘层8003靠近显示面板000的出光面一侧的层间绝缘层8007;位于层间绝缘层8007靠近显示面板000的出光面一侧的第八结构层10;位于第八结构层10靠近显示面板000的出光面一侧的第九结构层8008,当然也可以不设置,这里不做具体限定。
需要说明的是,本实施例适用In-cell形式的触控显示面板000,In-cell是指将触摸功能嵌入到液晶盒中的方法,图18中还示出了触控电极TM,触控电极TM可以复用为公共电极Vcom,此时公共电极Vcom需要刻缝进行分块,公共电极信号和触控信号分时发送至每个公共电极Vcom分块上。本实施例中的第九结构层8008为平坦化层,平坦化层的材料一般为有机材料,如树脂材料,其折射率为1.55,第二绝缘层8009的材料为无机材料,例如采用氮化硅等,第二绝缘层8009的折射率为1.86,所以在第九结构层8008与第二绝缘层8009的界面处发生了折射率突变,在第九结构层8008与第二绝缘层8009之间增设折射率过渡的第十结构层11,能够降低反射率,从而能够改善In-cell显示面板000的目视发绿问题,同时能够提高一体黑性能。
在一些可选的实施例中,继续参照图16,显示面板000还包括晶体管T,晶体管T位于像素1的非透光区21,晶体管T用于驱动像素1中的像素电极7004;
晶体管T包括栅极T1、有源层T4、源极T2和漏极T3,有源层T4位于缓冲层8001远离第一衬底基板30的一侧,栅极T1位于有源层T4远离第一衬底基板30的一侧,栅极T1与有源层T4之间包括第一子栅极绝缘层8002和第二子栅极绝缘层8003;源漏极位于栅极T1远离第一衬底基板30的一侧,源漏极与栅极T1之间包括层间绝缘层8007;
层间绝缘层8007远离第一衬底基板30的一侧包括第六绝缘层80010,第六绝缘层80010与第九结构层8008同层;
第六绝缘层80010远离第一衬底基板30的一侧包括公共电极Vcom、公共电极Vcom远离第一衬底基板30的一侧包括像素电极7004,公共电极Vcom与像素电极7004之间包括第七绝缘层80011,第七绝缘层80011与第二绝缘层8009同层。
具体的是,图4中还示出了扫描线和数据线,图4中还示出了公共电极Vcom,第六绝缘层80010远离第一衬底基板30的一侧包括公共电极Vcom、公共电极Vcom远离第一衬底基板30的一侧包括像素电极7004,当然像素电极7004与公共电极Vcom之间需要有绝缘层,在进行显示时,扫描线的信号传输至晶体管T的栅极T1时控制晶体管T导通,数据线传输的数据信号传输到像素电极7004上,像素电极7004与公共电极Vcom之间的电压形成驱动液晶分子偏转的电场。
本实施例中,第六绝缘层80010与第九结构层8008同层,第七绝缘层80011与第二绝缘层8009同层,这样能够节省工艺流程。
在一些可选的实施例中,参照图19,图19是图1中A-A’向的又一种剖面图,第一子像素1001包括:第二衬底基板20;位于第二衬底基板20靠近显示面板000的背光面一侧的第十一结构层9001;位于第十一结构层9001靠近显示面板000的背光面一侧的黑矩阵和第一光阻10011;黑矩阵围绕第一光阻10011;第一光阻10011位于第一子像素1001的透光区2,黑矩阵位于第一子像素1001的非透光区21;第一光阻10011的折射率为n20,黑矩阵的折射率为n21,n20<n21,第十一结构层9001的折射率为n22,第二衬底基板20的折射率为n23,n20>n22>n23,且n21>n22>n23。
可选的,本实施例适用于上述任一实施例,上述实施例中是在阵列基板62一侧对折射率突变的位置增设折射率过渡的膜层,从而降低反射率,而本实施例中对彩膜基板61一侧中折射率突变的位置增设折射率过渡的膜层。
可选的,第二子像素1002和第三子像素1003中同样包括:第二衬底基板20;位于第二衬底基板20靠近显示面板000的背光面一侧的第十一结构层9001;位于第十一结构层9001靠近显示面板000的背光面一侧的黑矩阵BM和第一光阻10011;黑矩阵BM围绕第一光阻10011;第一光阻10011位于第一子像素1001的透光区2,黑矩阵BM位于第一子像素1001的非透光区21。
具体的,第一光阻10011位于第一子像素1001的透光区2,黑矩阵BM位于第一子像素1001的非透光区21;第二衬底基板20的材料为玻璃,其折射率一般为1.51,第一光阻10011的折射率一般为1.61,在第二衬底基板20和第一光阻10011接触的界面也会发生折射,导致反射率较高,黑矩阵BM的折射率通常为1.81,当然由于黑矩阵BM的位置光线进入后并无光线发生反射或折射,所以在计算显示面板000的反射率时可以忽略黑矩阵BM的位置。本实施例是在第二衬底基板20和第一光阻10011之间增设第十一结构层9001,第十一结构层9001的折射率n22在第一光阻10011的折射率为n20和第二衬底基板20的折射率为n23之间,即n20>n22>n23。在一些可选的实施例中,1.51<n22<1.61。
可选的第十一结构层9001可以整面设置,这样能够简化制作工艺。本实施例是在第二衬底基板20和第一光阻10011之间增设折射率过渡层第十一结构层9001,由此降低第二衬底基板20与第一光阻10011位置处的反射率。
在一些可选的实施例中,参照图20,图20是图1中A-A’向的又一种剖面图,第一子像素1的透光区2还包括位于黑矩阵BM和第一光阻10011靠近显示面板000的背光面一侧的第十二结构层9002,第十一结构层9001的材料与第十二结构层9002的材料相同。
具体的,第十二结构层9002为平坦化层,折射率可以为1.56,该折射率值在1.51~1.61之间,所以可以采用与第十二结构层9002相同的材料制作第十一结构层9001,这样无需采用额外的制作工艺制作第十一结构层9001,简化制作工艺。
在一些可选的实施例中,继续参照图1至图20,第一结构层4的材料包括氮氧化硅。
本实施例的第一结构层4适用上述任意实施例,采用氮氧化硅这种材料,使第一结构层4的折射率位于衬底结构3的折射率和第二结构层5的折射率之间,改善目视发绿,提高一体黑性能。
在一些可选的实施例中,继续参照图1至图20,氮氧化硅中氮元素与氧元素的质量比在3/7~2/3之间。
在一些可选的实施例中,继续参照图1至图20,第一结构层4包括Si4ON6或Si3ON7,即O/N的比值可以为4:6,当然O/N的比值也可以为3:7,只要氧元素与氮元素的质量比在3/7~2/3之间制作的氮氧化硅,其折射率就能够位于衬底结构3的折射率和第二结构层5的折射率之间。
在一些可选的实施例中,参照图21,图21是本发明提供的又一种显示面板的平面结构示意图,像素1还包括第四子像素1004,第四子像素1004为白色子像素。
可选的,第四子像素1004为白色子像素,第四子像素1004中不需要设置任何颜色的光阻。
当然本实施例中的显示面板000适用上述任一实施例的显示面板000,这里不再赘述。
本发明的显示面板000不仅适用于具有第一子像素1001、第二子像素1002、第三子像素1003的显示面板000,还适用于具有第一子像素1001、第二子像素1002、第三子像素1003和白色子像素的显示面板000。
在一些可选实施例中,请参考图22,图22是本发明实施例提供的显示装置的平面结构示意图,本实施例提供的显示装置111,包括本发明上述实施例提供的显示面板000。图22实施例仅以手机为例,对显示装置111进行说明,可以理解的是,本发明实施例提供的显示装置111,可以是电脑、电视、车载显示装置等其他具有显示功能的显示装置111,本发明对此不作具体限制。本发明实施例提供的显示装置111,具有本发明实施例提供的显示面板000的有益效果,具体可以参考上述各实施例对于显示面板000的具体说明,本实施例在此不再赘述。
基于同一发明思想,本发明还提供了一种显示面板的制作方法,请参照图23,图23是本发明提供的一种显示面板的制作方法流程图,可以理解的是制作的显示面板000为上述任一实施例的显示面板000,显示面板000包括多个像素1,像素1包括透光区2,像素1至少包括第一子像素1001和第二子像素1002,第一子像素1001内设置有第一光阻10011,第二子像素1002内设置有第二光阻10021,第一光阻10011为绿色光阻;
制作方法包括步骤:
S1:形成衬底结构3,衬底结构3包括第一衬底基板30;
S2:在第一衬底基板30上利用化学气相沉积的方法制作第一结构层4;
S3:在第一结构层4上制作第二结构层5。
具体的,衬底结构3包括第一衬底基板30,第一衬底基板30可以采用玻璃。然后在第一衬底基板30上形成第一结构层4,可选的第一结构层4可以利用化学气相沉积的方法制作,化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition简称CVD)是利用气态或蒸汽态的物质在气相或气固界面上发生反应生成固态沉积物的过程。例如第一结构层4的材料为氮氧化硅,将一种或几种气相化合物或单质、在第一衬底基板30表面上进行化学反应生成第一结构层4。再在第一结构层4上制作第二结构层5。
通过在衬底结构3和第二结构层5之间增设折射率形成过渡的第一结构层4,这样降低了显示面板000整体的反射率,所以改善了显示面板000目视发绿的问题;此外,由于衬底结构3和第二结构层5之间设置折射率过渡的第一结构层4,所以显示面板000在息屏状态下,降低了外部环境光的折射和反射,使得显示面板000的透光区2和周围的遮光区色差较小,提高了显示面板000的一体黑性能。
在一些可选的实施例中,结合图1至图21以及图23,第一结构层4的材料包括氮氧化硅,第一结构层4的成膜工艺包括向化学气相沉积设备的腔室内通入SiH4气体、NH3气体、N2O气体和N2气体,其中,同时对SiH4气体、NH3气体、N2O气体和N2气体进行加热,在衬底结构3上形成第一结构层4的沉积层。
可以理解的是,相关技术中需要制作SixN这个膜层,在此基础上,通入N2O气体就能够制作出氮氧化硅膜层,向化学气相沉积设备的腔室内通入SiH4气体、NH3气体、N2O气体和N2气体,可以获得目标反射率的氮氧化硅。
在一些可选的实施例中,结合图1至图21以及图23,加热的温度大于等于240℃小于等于360℃,压强为500mtorr-3000mtorr,功率为1000-4000w,SiH4的体积流量为200sccm-1000sccm,NH3的体积流量为1000sccm-2500sccm,N2O的体积流量为1300sccm-2500sccm,N2的体积流量为6000-8000sccm。
其中一个实施例中,加热的温度等于240℃,压强为500mtorr,功率为1000w,SiH4的体积流量为200sccm,NH3的体积流量为1000sccm,N2O的体积流量为1300sccm,N2的体积流量为6000sccm;
其中另一个实施例中,加热的温度等于360℃,压强为3000mtorr,功率为4000w,SiH4的体积流量为1000sccm,NH3的体积流量为2500sccm,N2O的体积流量为2500sccm,N2的体积流量为8000sccm;
其中另一个实施例中,加热的温度等于300℃,压强为1700mtorr,功率为2500w,SiH4的体积流量为600sccm,NH3的体积流量为1700sccm,N2O的体积流量为1900sccm,N2的体积流量为7000sccm。
向化学气相沉积设备的腔室内通入SiH4气体、NH3气体、N2O气体和N2气体,通过调整制作工艺,可以获得目标反射率的氮氧化硅。
通过上述实施例可知,本发明提供的显示面板,至少实现了如下的有益效果:
本发明的显示面板在衬底结构和第二结构层之间增设了第一结构层,衬底结构包括第一衬底基板,第一结构层包括至少一个第一膜层,第一结构层的平均折射率n2在衬底结构的平均折射率n1和第二结构层的折射率n3之间,n1<n2<n3,使衬底结构和第二结构层之间设置折射率过渡的第一结构层,外部环境光经过第二结构层进入第一结构层之后再进入到衬底结构,这样降低环境光直接从第二结构层进入衬底结构时由于折射率突变而形成的折射和反射,从而降低显示面板整体的反射率。相关技术可知显示面板目视发绿有三方面原因:其一是显示面板中的绿色光阻的穿透率较高,绿光更容易从显示面板的出光面一侧出射;其二是人眼对绿光更敏感;其三是显示面板整体反射率较高,是因为第二结构层和衬底结构层之间折射率相差较大,根据反射率计算方法r=(nk2-nk1)2/(nk2+nk1)2(r、nk1、nk2分别为反射率以及第二结构层、衬底结构层的折射率),可知第二结构层与衬底结构层的折射率相差越大反射率越高。本发明通过在衬底结构和第二结构层之间增设折射率形成过渡的第一结构层,这样降低了显示面板整体的反射率,结合第一点原因,突出地改善了绿色光的反射强度,再结合第二点原因,所以改善了显示面板目视发绿的问题;此外,由于衬底结构和第二结构层之间设置折射率过渡的第一结构层,所以显示面板在息屏状态下,降低了外部环境光的折射和反射,使得显示面板的透光区和周围的遮光区色差较小,提高了显示面板的一体黑性能。
虽然已经通过例子对本发明的一些特定实施例进行了详细说明,但是本领域的技术人员应该理解,以上例子仅是为了进行说明,而不是为了限制本发明的范围。本领域的技术人员应该理解,可在不脱离本发明的范围和精神的情况下,对以上实施例进行修改。本发明的范围由所附权利要求来限定。
Claims (31)
1.一种显示面板,其特征在于,包括:
多个像素,所述像素包括透光区,所述像素至少包括第一子像素、第二子像素和第三子像素,所述第一子像素内设置有第一光阻,所述第二子像素内设置有第二光阻,所述第三子像素内设置有第三光阻,所述第一光阻为绿色光阻;
所述显示面板还包括:
衬底结构,所述衬底结构包括第一衬底基板;
位于所述第一衬底基板靠近所述显示面板的出光面一侧的第一结构层,所述第一结构层包括至少一个第一膜层;
位于所述第一结构层远离所述衬底结构一侧的第二结构层;
所述衬底结构与所述第一结构层相邻且接触,所述第二结构层与所述第一结构层相邻且接触;
所述衬底结构的平均折射率为n1,所述第一结构层的平均折射率为n2,所述第二结构层的折射率为n3,n1<n2<n3。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,n1-n2=n2-n3。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,n1和n3的差值大于等于0.3。
4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一结构层为整面设置。
5.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一结构层包括第一结构子层、至少一层第二结构子层和第三结构子层,所述第一结构子层位于所述第二结构子层靠近所述衬底结构的一侧,所述第三结构子层位于所述第二结构子层靠近所述第二结构层的一侧,所述第一结构层的折射率为n01,至少一层所述第二结构子层的平均折射率为n02,所述第三结构子层的折射率为n03,其中,n01<n02<n03。
6.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一子像素的透光区包括:
位于所述第一结构层靠近所述显示面板的出光面一侧的第一栅极绝缘层,所述第一栅极绝缘层为所述第二结构层。
7.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,1.51<n2<1.86。
8.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一子像素的透光区包括:
位于所述第一衬底基板靠近所述显示面板的出光面一侧的第一栅极绝缘层;
位于所述第一栅极绝缘层靠近所述显示面板的出光面一侧的第一绝缘层;
位于所述第一绝缘层靠近所述显示面板的出光面一侧的第三结构层;
位于所述第一绝缘层靠近所述显示面板的出光面一侧的第四结构层;
所述第一绝缘层的折射率为n4,所述第三结构层的折射率为n5,所述第四结构层的折射率为n6,且n4>n5>n6。
9.根据权利要求8所述的显示面板,其特征在于,1.55<n5<1.86。
10.根据权利要求8所述的显示面板,其特征在于,所述第一子像素的透光区包括:
位于所述第一衬底基板靠近所述显示面板的出光面一侧的第一栅极绝缘层;
位于所述第一栅极绝缘层靠近所述显示面板的出光面一侧的第一绝缘层;
位于所述第一绝缘层靠近所述显示面板的出光面一侧的第四结构层;
位于所述第四结构层靠近所述显示面板的出光面一侧的第五结构层;
位于所述第五结构层靠近所述显示面板的出光面一侧的像素电极;
所述第四结构层的折射率为n6,所述第五结构层的折射率为n7,所述像素电极的折射率为n8,其中,n6<n7<n8。
11.根据权利要求8所述的显示面板,其特征在于,所述第四结构层的材料包括有机材料,所述第四结构层的厚度大于等于1.5μm且小于等于2.5μm。
12.根据权利要求10所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括晶体管,所述晶体管位于所述像素的非透光区,与所述像素中的像素电极电连接;
所述晶体管包括栅极、有源层和源漏极,所述有源层位于所述栅极远离所述第一衬底基板的一侧,所述源漏极位于所述有源层远离所述第一衬底基板的一侧,所述有源层与所述栅极之间包括第三绝缘层,所述第三绝缘层与所述第一栅极绝缘层同层,所述源漏极与所述像素电极之间包括第四绝缘层和第五绝缘层,所述第四绝缘层与所述第一绝缘层同层,所述第五绝缘层与所述第四结构层同层。
13.根据权利要求12所述的显示面板,其特征在于,所述栅极位于所述第一栅极绝缘层靠近所述第一结构层的一侧。
14.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述衬底结构还包括:位于所述第一衬底基板靠近所述显示面板的出光面一侧的缓冲层、以及位于所述第一衬底基板靠近所述显示面板的出光面一侧的第一子栅极绝缘层;
所述第一结构层位于所述第一子栅极绝缘层靠近所述显示面板的出光面一侧;
还包括位于所述第第一结构层靠近所述显示面板的出光面一侧的第二子栅极绝缘层,所述第二子栅极绝缘层为所述第二结构层。
15.根据权利要求14所述的显示面板,其特征在于,所述第一子像素的透光区还包括:
位于所述第二子栅极绝缘层靠近所述显示面板的出光面一侧的第一层间绝缘层;
位于所述第一层间绝缘层靠近所述显示面板的出光面一侧的第六结构层;
位于所述第六结构层靠近所述显示面板的出光面一侧的第二层间绝缘层;
所述第一层间绝缘层的折射率为n10,所述第六结构层的折射率为n11,所述第二层间绝缘层的折射率为n12,n10>n11>n12。
16.根据权利要求15所述的显示面板,其特征在于,
所述第一子像素的透光区还包括:
位于所述第二层间绝缘层靠近所述显示面板的出光面一侧的第七结构层;
位于所述第七结构层靠近所述显示面板的出光面一侧的第三层间绝缘层;
所述第七结构层的折射率为n13,所述第三层间绝缘层的折射率为n14,n12<n13<n14。
17.根据权利要求14所述的显示面板,其特征在于,所述第一子像素的透光区还包括:
位于所述第二子栅极绝缘层靠近所述显示面板的出光面一侧的层间绝缘层;
位于所述层间绝缘层靠近所述显示面板的出光面一侧的第八结构层;
位于所述第八结构层靠近所述显示面板的出光面一侧的第九结构层;
所述层间绝缘层的平均折射率为n15,所述第八结构层的折射率为n16,所述第九结构层的折射率为n17,n15>n16>n17。
18.根据权利要求14所述的显示面板,其特征在于,所述第一子像素的透光区还包括:
位于所述第二子栅极绝缘层靠近所述显示面板的出光面一侧的层间绝缘层;
位于所述层间绝缘层靠近所述显示面板的出光面一侧的第九结构层;
位于所述第九结构层靠近所述显示面板的出光面一侧的第十结构层;
位于所述第十结构层靠近所述显示面板的出光面一侧的第二绝缘层;
所述第九结构层的折射率为n17,所述第十结构层的折射率为n18,所述第二绝缘层的折射率为n19,且n17<n18<n19。
19.根据权利要求18所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括晶体管,所述晶体管位于所述像素的非透光区,所述晶体管用于驱动所述像素中的像素电极;
所述晶体管包括栅极、有源层和源漏极,所述有源层位于所述缓冲层远离所述第一衬底基板的一侧,所述栅极位于所述有源层远离所述第一衬底基板的一侧,所述栅极与所述有源层之间包括所述第一子栅极绝缘层和所述第二子栅极绝缘层;所述源漏极位于所述栅极远离所述第一衬底基板的一侧,所述源漏极与所述栅极之间包括所述层间绝缘层;
所述层间绝缘层远离所述第一衬底基板的一侧包括第六绝缘层,所述第六绝缘层与所述第九结构层同层;
所述第六绝缘层远离所述第一衬底基板的一侧包括公共电极、所述公共电极远离所述第一衬底基板的一侧包括所述像素电极,所述公共电极与所述像素电极之间包括第七绝缘层,所述第七绝缘层与所述第二绝缘层同层。
20.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一子像素包括:
第二衬底基板;
位于所述第二衬底基板靠近所述显示面板的背光面一侧的第十一结构层;
位于所述第十一结构层靠近所述显示面板的背光面一侧的黑矩阵和所述第一光阻;所述黑矩阵围绕所述第一光阻;所述第一光阻位于所述第一子像素的透光区,所述黑矩阵位于所述第一子像素的非透光区;
所述第一光阻的折射率为n20,所述黑矩阵的折射率为n21,n20<n21,所述第十一结构层的折射率为n22,所述第二衬底基板的折射率为n23,n20>n22>n23,且n21>n22>n23。
21.根据权利要求20所述的显示面板,其特征在于,1.51<n22<1.61。
22.根据权利要求18所述的显示面板,其特征在于,所述第一子像素的透光区还包括位于所述黑矩阵和所述第一光阻靠近所述显示面板的背光面一侧的第十二结构层,所述第十一结构层的材料与所述第十二结构层的材料相同。
23.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一结构层的材料包括氮氧化硅。
24.根据权利要求23所述的显示面板,其特征在于,所述氮氧化硅中氮元素与氧元素的质量比在3/7~2/3之间。
25.根据权利要求20所述的显示面板,其特征在于,所述第一结构层包括Si4ON6或Si3ON7。
26.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第二光阻为蓝色光阻,所述第三光阻为红色光阻。
27.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述像素还包括第四子像素,所述第四子像素为白色子像素。
28.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1至27任一所述的显示面板。
29.一种显示面板的制作方法,其特征在于,所述显示面板包括多个像素,所述像素包括透光区,所述像素至少包括第一子像素和第二子像素,所述第一子像素内设置有第一光阻,所述第二子像素内设置有第二光阻,所述第一光阻为绿色光阻;
所述制作方法包括步骤:
形成衬底结构,所述衬底结构包括第一衬底基板;
在所述衬底结构上利用化学气相沉积的方法制作第一结构层;
在所述第一结构层上制作第二结构层。
30.根据权利要求29所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述第一结构层的材料包括氮氧化硅,所述第一结构层的成膜工艺包括向化学气相沉积设备的腔室内通入SiH4气体、NH3气体、N2O气体和N2气体,其中,同时对所述SiH4气体、NH3气体、N2O气体和N2气体进行加热,在所述衬底结构上形成所述第一结构层的沉积层。
31.根据权利要求29所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述加热的温度大于等于240℃小于等于360℃,压强为500mtorr-3000mtorr,功率为1000-4000w,SiH4的体积流量为200sccm-1000sccm,NH3的体积流量为1000sccm-2500sccm,N2O的体积流量为1300sccm-2500sccm,N2的体积流量为6000-8000sccm。
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