CN115161601A - 一种超快激光沉积类金刚石膜、防反射膜与防指纹膜多膜层的加工方法与设备 - Google Patents
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- 230000003666 anti-fingerprint Effects 0.000 title claims abstract description 30
- 230000008021 deposition Effects 0.000 title claims abstract description 30
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 239000013077 target material Substances 0.000 claims abstract description 68
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 56
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 52
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 50
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 46
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- 230000036278 prepulse Effects 0.000 claims abstract description 14
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 12
- 239000007888 film coating Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000009501 film coating Methods 0.000 claims abstract description 11
- 230000003993 interaction Effects 0.000 claims abstract description 8
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims abstract description 7
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 36
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 33
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 33
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 9
- 239000010702 perfluoropolyether Substances 0.000 claims description 8
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 5
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 5
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 claims description 5
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 3
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 2
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims 2
- 238000005086 pumping Methods 0.000 claims 1
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 107
- 210000002381 plasma Anatomy 0.000 description 76
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 19
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 17
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 13
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 9
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 8
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 7
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005374 Kerr effect Effects 0.000 description 3
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 3
- 238000009396 hybridization Methods 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 3
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 3
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 3
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 3
- 229910018557 Si O Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 2
- 238000004549 pulsed laser deposition Methods 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Inorganic materials [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910018540 Si C Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003373 anti-fouling effect Effects 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- -1 carbon ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000003745 diagnosis Methods 0.000 description 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000009022 nonlinear effect Effects 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 239000012788 optical film Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000005289 physical deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/28—Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/34—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
- C03C17/42—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating of an organic material and at least one non-metal coating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/02—Pretreatment of the material to be coated
- C23C14/021—Cleaning or etching treatments
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/0605—Carbon
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/0641—Nitrides
- C23C14/0652—Silicon nitride
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
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- C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
- C23C14/18—Metallic material, boron or silicon on other inorganic substrates
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
- C23C14/542—Controlling the film thickness or evaporation rate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
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- C03C2217/73—Anti-reflective coatings with specific characteristics
- C03C2217/732—Anti-reflective coatings with specific characteristics made of a single layer
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2217/00—Coatings on glass
- C03C2217/70—Properties of coatings
- C03C2217/76—Hydrophobic and oleophobic coatings
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- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2218/00—Methods for coating glass
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- C03C2218/15—Deposition methods from the vapour phase
- C03C2218/151—Deposition methods from the vapour phase by vacuum evaporation
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- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
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Abstract
本发明涉及多膜层加工技术领域，公开了一种超快激光沉积类金刚石膜、防反射膜与防指纹膜多膜层的加工方法与设备，该工艺采用飞秒或者皮秒预脉冲激发靶材料产生等离子体，并基于两束飞秒脉冲在所产生的等离子体中以小角度相交相互作用形成等离子体光栅对靶材料再激发产生等离子体进行沉积镀膜，实现类金刚石膜、氮化硅膜等膜层快速镀膜，并配合喷涂工艺进行抗指纹膜镀膜，最终实现多种膜层镀膜提高玻璃的硬度同时提高表面疏水性。本发明能够有效减少激发靶材料所产生等离子体中的团簇颗粒数量，提高类金刚石膜或氮化硅膜成膜质量。此外本发明基于激光对玻璃基材进行预处理活化表面，能够便于等离子体进行沉积镀膜。
Description
技术领域
本发明涉及多膜层加工技术领域，具体涉及一种超快激光沉积类金刚石膜、防反射膜与防指纹膜多膜层的加工方法与设备。
背景技术
类金刚石膜(Diamond-like Carbon film，DLC)是由sp3、sp2和少量的sp1杂化碳形成的无定形非晶碳膜，其具有硬度高，摩擦系数小，抗摩擦磨损和化学腐蚀能力强的特点，能够起到良好的物理防护效果。不同镀膜工艺获得的DLC薄膜的形态、微结构各异，其应力大小也会不同，其中高sp3C含量能够帮助DLC膜取得更好的性能。防反射膜(Anti-Reflection Coating，AR)，可以有效增加玻璃的透光率，而一层几十纳米厚的抗指纹膜(Anti-fingerprint coating，AF)，可用于防油、防污、防指纹。这些特性在手机、平板电脑、显示屏等电子产品中有广泛的需求，在大部分场景中要求屏幕即能抗摩擦，有能够防污。传统低能团簇束沉积法、真空蒸发法、物理气相沉积等物理镀膜方法以及溶胶凝胶法、化学气相沉积法、电沉积法化等化学镀膜方法虽然可以实现这类镀膜，但是其存在着工艺复杂、成本高、耗时长等缺点，并且镀多层膜时，后面的镀膜条件可能会影响到已镀膜的质量。并且随着电子产品的发展，对光学膜的需要越来越多，对膜层厚度、均匀性、材料的硬度、耐磨性能和使用寿命等要求也越来越高。
脉冲激光沉积技术(Pulse Laser Deposition，PLD)是一种新型的物理沉积工艺，其利用脉冲激光对镀膜材料(靶材料)进行激发，产生高温高压的等离子体并喷射到玻璃(基材)上进行沉积成膜。该技术具有工艺简单、成膜速率高以及能够制作微结构等优点，其成为目前镀膜领域的研究热点之一。虽然PLD技术具有如此多的优势，但是其仍然还存在一些技术难点有待改善。对许多难以被激光激发的材料而言，PLD所制作的膜中经常有熔融小颗粒或靶材碎片，这是激光与靶材料相互作用不彻底导致的。由于激发的等离子体中存在着一些小颗粒团簇，这些团簇会破坏镀膜的均匀性。此外受限于激光器输出能量，PLD技术镀DLC膜时候难以将C原子激发到高能级，最终sp3C的含量不高，导致膜的光学、力学等性能也不是很理想，并且目前该技术还难以实现大面积沉积镀膜，其商业玻璃镀膜领域还未展开大范围的使用。
发明内容
本发明意在提供一种超快激光沉积类金刚石膜、防反射膜与防指纹膜多膜层的加工方法与设备，以解决现有技术的沉积镀膜方法难以实现大面积沉积镀膜的问题。
为达到上述目的，本发明采用如下技术方案：一种超快激光沉积类金刚石膜、防反射膜与防指纹膜多膜层的加工设备，包括激光发射单元、延时单元、分束单元、反射单元及载物平台，激光发射单元产生的其中一束脉冲作为预脉冲对靶材激发产生等离子体，其余脉冲经分束单元分束并同步时域后，在等离子体中形成等离子体光栅对靶材进行二次激发。
本技术方案还提供一种超快激光沉积类金刚石膜、防反射膜与防指纹膜多膜层的加工方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤一、准备玻璃基材；
步骤二、准备靶材料，类金刚石膜靶材料为碳靶，防反射膜靶材料为氮化硅或单晶硅，防指纹膜靶材料为全氟聚醚；
步骤三、将玻璃基材和靶材料放入真空室中的载物平台上，玻璃基材与靶材料之间的距离为2-5cm，而后对真空室抽真空处理；
步骤四、类金刚石膜镀膜：激光发射单元产生一束飞秒脉冲激光，经分束单元分束后形成至少三束飞秒脉冲激光，其中一束飞秒脉冲激光作为预脉冲首先对碳靶进行激发产生等离子体，而后其余飞秒脉冲激光作为后脉冲，经延时单元同步光路，并进行交叉相互作用在前脉冲激发的等离子体中形成等离子体光栅对碳靶进行二次激发，使得靶材料产生石墨等离子体并沉积在玻璃基材上，形成类金刚石膜结构；
步骤五、防反射膜及防指纹膜镀膜：而后更换防反射膜靶材料，重复步骤四的操作，在类金刚石膜上镀防反射膜；最后利用喷涂机镀防指纹膜。
本方案的原理及优点是：实际应用时，由于碳原子sp3键比sp2键的键能要大的多，所以需要等离子体中碳离子具有足够大的能量才更加容易形成sp3键，从而提高DLC膜的性能。而现有技术中，受限于激光器输出能量，在镀膜时难以将C原子激发到高能级，最终sp3C的含量不高，导致膜的光学、力学等性能也不是很理想。基于此，在本技术方案中，利用等离子体光栅作为激发源来对靶材料进行激发，克服了光丝的功率钳制效应，具有极高的电子密度以及光功率密度，电子碰撞激发与多光子激发两种机制对靶材料共同作用，可以有效提高对于石墨碳等离子体中碳原子的动能，从而帮助提高类金刚石膜的成膜效率。同时更高的电子密度使得在形成高温高压的等离子体中小颗粒出现的概率降低，从而提高成膜的质量。并且更强的激光激发效率可以有效提升等离子体中高能级的原子、离子数目，辅助形成纳米晶结构以及介孔结构的薄膜形成。
除此之外，采用飞秒激光激发，加工热效应低，能实现高精度加工，能够满足某些场景中的微区加工。同时，飞秒激光首先经过玻璃之后再对靶材料进行激发形成，在经过玻璃的时候具有一个预处理效果，能够将玻璃表面的键活化，便于之后的等离子体进行沉积镀膜。
在本技术方案中，所形成的飞秒等离子体光栅具有较长且稳定的等离子体通道，其加工时减小了对于靶材料表面不平整性对于激发效率的影响，增加了镀膜的均匀性。
而且，本技术方案中，设置了氮化硅(AR)膜作为过渡层，利用其中的Si原子与AF膜中的O原子进行结合，组成Si-O键可以有效增加AF膜在类金刚石膜上的附着力，从而有效提高膜的耐用性。采用喷涂工艺来进行镀AF膜，以防止高温使得靶材料分解，失去膜的疏水功能。
优选的，作为一种改进，激光发射单元为飞秒激光器、皮秒激光器中的至少一种，延时单元为延时发生器，分束单元为分束片，分束片与飞秒激光器正对设置，反射单元包括若干反射镜。
本技术方案中，延时发生器用于同步后脉冲激光，经分束片分束后，以不同的反射路径及透光路径，保证所有的后脉冲光程一致，同步到达样品表面进行相互作用形成等离子体光栅，对靶材料进行激发，结构设计合理，能够满足本方案的镀膜需求。
优选的，作为一种改进，步骤一中，将玻璃基材分别在有机溶剂和去离子水中进行超声清洗，而后干燥；超声清洗的时间为30-50min，干燥温度为60-80℃，干燥时间为1h。
本技术方案中，在镀膜之前对玻璃基材进行清洗和干燥预处理，能够去除玻璃基材表面附着的各种杂质，保证后期玻璃基材表面镀膜的均匀性。
优选的，作为一种改进，步骤三中，真空室内抽真空后的压强为≤10mBar。
本技术方案中，真空室内的真空度对镀膜的均匀性有关键影响，上述的压强值用于反应真空度，压强过高氮气以及氧气会与靶材料产生的高温高压的等离子体进行反应形成杂质，影响镀膜的均匀性；上述的真空条件为经过实践验证的较优条件。
优选的，作为一种改进，步骤四中，激光能量≥2mJ，分束后飞秒脉冲激光单脉冲能量＞0.5mJ，飞秒脉冲激光重复频率为1kHz～1MHz，飞秒脉宽为10～500fs，中心波长为200～400nm的紫外波段、400～700nm的可见波段或700～2500nm的红外波段。
本技术方案中，飞秒激光的单脉冲能量必须要足够高，才能形成等离子体光栅，并且体现出等离子体光栅的优越性，在能量低的条件下镀膜效果不明显。重复频率与大面积镀膜效率有关，重复频率越高，也就是单位时间内脉冲数量越多，这样通过增加样品移速之后能够更快的实现扫描镀膜。飞秒脉宽也和等离子体光栅的形成有关，一般而言，等离子体光栅形成是依据光功率密度，也就是激光能量除以脉宽再除以光斑面积，这个数值越大越能帮助形成等离子体光栅。所以长脉宽的脉冲需要更高的激光能量来形成等离子体光栅，相应的镀膜效果也难以达到短脉冲的情况。激光的中心波长与光子的能量有关，波长越短的光子能量越大，其电离激发靶材料能力越强。飞秒激光器输出飞秒激光经过分束之后的单脉冲能量大于0.5mJ，以能够确保能够形成飞秒光丝。飞秒预脉冲激发靶材料形成的等离子体可辅助多束后脉冲作用形成等离子体光栅来实现二次激发。同时等离子体光栅的二次激发可以有效帮助减少预脉冲激发所产生等离子体中的团簇，提高镀膜均匀性。
优选的，作为一种改进，步骤四中，预脉冲与后脉冲激发的时间间隔为100fs～100ns，所述预脉冲为将飞秒脉冲展宽的皮秒脉冲再进行激发或者用皮秒激光器产生的皮秒脉冲进行激发，后脉冲之间的夹角为5-10°。
本技术方案中，预脉冲激发与后脉冲激发的时间间隔可以在100fs～100ns内进行调控，以实现更好地激发效果，提高镀膜均匀性。此外，后脉冲中光丝之间的夹角设置较小，当多束飞秒脉冲经过聚焦之后以小角度相交可以进行相互作用，在重合区域会发生相互作用，从而发生干涉，形成周期性强度的分布。在光强相长的区域，由于克尔效应光强进一步增加，等离子体光栅首先在这里产生，并与克尔效应达到平衡，形成空间周期性分布的等离子体通道。研究表明，光丝之间的夹角过大或者过小都难以实现等离子体光栅的形成。
优选的，作为一种改进，步骤四中，靶材料及玻璃基片的移动速度为10-50mm/s。
本技术方案中，靶材料与基片的移动速度对成膜效果有关键影响，其移动速度与激光参数之间具有协同作用，靶材料与基片按照20～30mm/s的速度移动，能够实现大规模面积镀膜，且能够避免靶材料同一位置激发过多形成凹坑。通过设置不同的移动速度以控制所镀膜的厚度，并且由于等离子体光栅多点源激发特点，其膜厚控制精度显著增强。
优选的，作为一种改进，防反射膜靶材料为氮化硅。
本技术方案中，防反射膜的最佳靶材料为氮化硅，能够保证镀膜的均匀性、膜的质量以及镀膜操作的便捷性。当靶材料选择为单晶硅时，需在氮气环境中激发单晶硅反应形成氮化硅膜。所形成的氮化硅上面的Si原子键可以帮助增加AF膜在类金刚石膜上的附着力，从而有效提高膜的耐用性。
优选的，作为一种改进，超快激光沉积类金刚石膜、防反射膜与防指纹膜多膜层结构，初始水滴角为110～120度。
本技术方案中，利用上述的镀膜设备及镀膜工艺进行镀膜，其初始水滴角为110～120度，能够达到目前行业所需标准。
附图说明
图1为超快脉冲激光沉积DLC、AR及AF多层膜层玻璃加工技术流程示意图；
图2为超快脉冲激光沉积DLC、AR及AF多层膜层玻璃加工技术原理示意图；
图3等离子体光栅形成原理示意图；
图4为多层膜层结构示意图；
图5为镀膜装置结构示意图；
图6为碳激发之后形成的等离子体光谱诊断图。
具体实施方式
下面通过具体实施方式进一步详细说明，但本发明的实施方式不限于此。若未特别指明，下述实施方式所用的技术手段为本领域技术人员所熟知的常规手段；所用的实验方法均为常规方法；所用的材料、试剂等，均可从商业途径得到。
说明书附图中的附图标记包括：1为飞秒激光器；2为皮秒激光器；3为数字延时发生器；4为分束片；5为高反镜A；6为高反镜B；7为高反镜C；8为高反镜D；9为步进电机；10为高反镜E；11为聚焦透镜；12为高反镜F；13为载物平台。
方案总述：
如图1所示，为超快脉冲激光沉积DLC、AR及AF多膜层加工技术流程示意图。
一种超快激光沉积类金刚石膜、防反射膜与防指纹膜多膜层的加工方法，包括如下步骤：
(1)准备玻璃基材：将待镀膜的玻璃基材分别在丙酮(或酒精)和去离子水中进行超声清洗后放入干燥箱进行充分干燥。
(2)靶材料准备：选用高纯碳靶作为类金刚石膜(DLC)靶材料，选用氮化硅作为防反射膜(AR)靶材料、选用全氟聚醚作为抗指纹膜(AF)层靶材料。
(3)将玻璃基材以及靶材料用夹具固定放入真空室中的对应载物平台上，并调整其间距在3～5cm，然后进行抽真空，使得真空室内气压达到10mBar以下。
(4)DLC膜镀膜：首先皮秒脉冲对碳靶激发产生等离子体，在间隔一段延时之后，两束飞秒激光非共线相交于所产生的等离子体内部形成等离子体光栅对碳靶进行二次激发产生更多等离子体，冷却沉积到玻璃基材上形成DLC膜。
(5)防反射膜镀膜：用步骤(4)同样的方法对碳化硅膜进行镀膜，待镀膜结束之后等待5min进行冷却稳定，最后再进行防指纹膜膜镀膜，防指纹膜镀膜是将玻璃基材取出，放入喷涂机镀膜。
其中防反射膜作为过渡层，在镀防反射膜时可以直接用氮化硅最优靶材料进行镀膜，也可以用单晶硅作为靶材料，并在真空室中通入氮气，在等离子体光栅激发的时候连同氮气与单晶硅一起激发，形成高温高压的等离子体并反应形成氮化硅膜。
在真空条件下，等离子体光栅由于缺少空气导致等离子体散焦难以形成，其需要预先的等离子体辅助形成。等离子体光栅激发靶材料镀膜的示意图如图2所示，一束预脉冲，可以是飞秒脉冲也可以是皮秒脉冲，首先激发靶材料形成部分等离子体，此时形成的等离子体中可能有大量的团簇未能实现充分激发，且等离子体中高能级的原子以及离子数目并不多，不能有效帮助膜的形成。随后等皮秒脉冲结束之后，其等离子体仍然存在。在其存在的期间内，两束飞秒脉冲激光在透过玻璃靶材之后入射到所形成的等离子体当中，此时飞秒脉冲变能够在克尔自聚焦效应以及等离子体散焦效应的平衡下形成飞秒光丝，并一小角度在焦点附近相交。通过调整两束飞秒脉冲所走的光程以使得他们在时域上进行同步，然后在重合区域进行相互作用形成飞秒等离子体光栅对靶材料进行二次激发，对等离子体中的团簇以及靶材料进行充分激发形成更多的等离子体，所产生等离子体垂直向玻璃基材传播，并在其表面进行冷却成膜，形成局部的膜。之后通过移动碳靶以及玻璃基材实现大面积镀膜。所有的脉冲都先经过了玻璃基材然后再对靶材料进行激发，这样可以对玻璃基材进行预处理活化其表面结构，便于等离子体沉积成膜。
其等离子体光栅形成原理示意图如图3所示，当飞秒脉冲在预脉冲激发靶材料形成的等离子体中传播的时候，其克尔效应以及等离子体散焦效应会首先达到平衡形成非常稳定的飞秒光丝。而在两束飞秒光丝重合的区域，飞秒激光由于干涉形成明暗相间的周期性结构，该结构与两束光之间的夹角θ有关。而相互作用之后相长的区域，由于光强明显上升，高阶的非线性效应也相应出现，为了与之平衡需要有更多的等离子体进行散射焦与之平衡，所以等离子体光栅内部的光功率密度以及电子密度能够得到明显的增加，电子碰撞激发以及多光子激发两种机制作用下，使得其对靶材料的二次激发效果得到明显提升。
本发明最终镀膜的效果如图4所示，在石英基片上面首先是整齐碳原子排列的DLC膜，然后是由氮化硅组成的AR膜作为过渡层，最后是由全氟聚醚构成的AF膜。作为过渡层的AR膜的硅原子与DLC膜中的C原子以及全氟聚醚中的O原子会形成Si-C键以及Si-O键，使得两种膜层能够很好地贴合，提高膜层之间的附着力。
上述的镀膜操作主要依托于镀膜装置完成，镀膜装置的结构如图5所示，包括飞秒激光器1、皮秒激光器2、数字延时发生器3、分束片4、高反镜A5、高反镜B6、高反镜C7、高反镜D8、步进电机9、高反镜E10、聚焦透镜11、高反镜12、载物平台13。在使用时：首先皮秒激光器2，产生一束皮秒脉冲聚焦之后对样品进行激发产生等离子体，而后飞秒激光器1产生一束飞秒脉冲经过分束后时域同步再进行聚焦，最后在皮秒脉冲激发产生的等离子体中形成等离子体光栅结构，两次激发之间的延时是通过数字延时发生器3来进行设置，其一般设置在100fs～100ns之间。具体保持时域同步的方式是控制步进电机来实现经过高反镜A5与高反镜B6的光程与经过高反镜C7、高反镜D8与高反镜E10的光程相同，从而实现同时到达焦点附近，并在皮秒脉冲激发产生的等离子体中进行相互作用形成等离子体光栅对在载物平台13上的靶材料进行激发。
实施例1
玻璃基材分别在丙酮(或酒精)和去离子水中进行超声清洗50min，后放入干燥箱在60℃的环境中干燥1h。将准备好的碳靶、氮化硅、全氟聚醚靶材料以及玻璃基材放入真空室载物平台上。将气压抽至10mBar，然后调整玻璃基材与各靶材料间距为3cm。激光能量设置在2mJ，对应每束光丝的能量在1mJ，两束飞秒光丝的夹角为7°来进行相互作用形成等离子体光栅。激光激发前设置移动载物平台A与移动载物平台B的移动速度为30mm/s，对应每次脉冲激发点间距为30μm，载物平台开始移动后开始激发，激光停止激发后再停止载物平台的移动。等待沉积时间设置为5min，完成沉积在玻璃基材上形成DLC膜。然后更换氮化硅靶材料进行镀膜，设置玻璃基材与靶材料间距5cm，其他条件相同进行镀膜。恢复气压取出玻璃基材放入喷涂机进行镀AF膜。
实施例2
玻璃基材分别在丙酮(或酒精)和去离子水中进行超声清洗50min，后放入干燥箱在60℃的环境中干燥1h。将准备好的碳靶、氮化硅、全氟聚醚靶材料以及玻璃基材放入真空室载物平台上。将气压抽至10mBar，然后调整玻璃基材与靶材料间距4cm。激光能量设置在2mJ，对应每束光丝的能量在1mJ，两束飞秒光丝的夹角为7°来形成等离子体光栅。激光激发前设置移动载物平台A与移动载物平台B的移动速度为30mm/s，对应每次脉冲激发点间距为30μm，载物平台开始移动后开始激发，激光停止激发后再停止载物平台的移动。等待沉积时间设置为5min，完成沉积在玻璃基材上形成DLC膜。然后更换氮化硅靶材料进行镀膜，设置玻璃基材与靶材料间距6cm，其他条件相同进行镀膜。然后更换全氟聚醚进行镀膜，设置玻璃基材与靶材料间距4cm，然后恢复气压取出玻璃基材放入喷涂机进行镀AF膜。
实验例1
由于DLC膜需要碳原子形成正四面体型的排布，从而做到类金刚石的效果。而为了形成为了正四面体型，则需要碳原子发生sp3杂化形成空间立体的轨道结构，该杂化效果相对于平面结构的sp2杂化而言需要更高的能量。为了体现本发明中等离子体光栅激发能够有效提高DLC膜的成膜效果，对其激发时候形成的等离子体进行光谱诊断，所获得的光谱如图6所示(对应实施例1的激发条件)，其中C I 296.4nm以及296.7nm这两条谱线都是能级sp3-s2p2的跃迁所发出的谱线，虚线谱线为传统光丝激发形成的谱线。从图中看出等离子体光栅激发的谱线强度远高于光丝激发的时候，这说明等离子体光栅激发碳靶材之后形成的等离子体中处于sp3杂化的激发态碳原子数目更多，所以能够更好的形成DLC膜。
以上所述的仅是本发明的实施例，方案中公知的具体技术方案和/或特性等常识在此未作过多描述。应当指出，对于本领域的技术人员来说，在不脱离本发明技术方案的前提下，还可以作出若干变形和改进，这些也应该视为本发明的保护范围，这些都不会影响本发明实施的效果和专利的实用性。本申请要求的保护范围应当以其权利要求的内容为准，说明书中的具体实施方式等记载可以用于解释权利要求的内容。
Claims (10)
1.一种超快激光沉积类金刚石膜、防反射膜与防指纹膜多膜层的加工设备，其特征在于：包括激光发射单元、延时单元、分束单元、反射单元及载物平台，激光发射单元产生的其中一束脉冲作为预脉冲对靶材激发产生等离子体，其余脉冲经分束单元分束并同步时域后，在等离子体中形成等离子体光栅对靶材进行二次激发。
2.根据权利要求1所述的一种超快激光沉积类金刚石膜、防反射膜与防指纹膜多膜层的加工设备，其特征在于：所述激光发射单元为飞秒激光器、皮秒激光器中的至少一种，所述延时单元为延时发生器，所述分束单元为分束片，分束片与飞秒激光器正对设置，所述反射单元包括若干反射镜。
3.一种超快激光沉积类金刚石膜、防反射膜与防指纹膜多膜层的加工方法，其特征在于，利用权利要求1或2的加工设备完成，包括如下步骤：
步骤一、准备玻璃基材；
步骤二、准备靶材料，类金刚石膜靶材料为碳靶，防反射膜靶材料为氮化硅或单晶硅，防指纹膜靶材料为全氟聚醚；
步骤三、将玻璃基材和靶材料放入真空室中的载物平台上，玻璃基材与靶材料之间的距离为2-5cm，而后对真空室抽真空处理；
步骤四、类金刚石膜镀膜：激光发射单元产生一束飞秒脉冲激光，经分束单元分束后形成至少三束飞秒脉冲激光，其中一束飞秒脉冲激光作为预脉冲首先对碳靶进行激发产生等离子体，而后其余飞秒脉冲激光作为后脉冲，经延时单元同步光路，并进行交叉相互作用在前脉冲激发的等离子体中形成等离子体光栅对碳靶进行二次激发，使得靶材料产生石墨等离子体并沉积在玻璃基材上，移动靶材料以及玻璃基片，沉积大面积的膜结构，形成类金刚石膜结构；
步骤五、防反射膜及防指纹膜镀膜：而后更换防反射膜靶材料，重复步骤四的操作，在类金刚石膜上镀防反射膜；最后利用喷涂机镀防指纹膜。
4.根据权利要求3所述的一种超快激光沉积类金刚石膜、防反射膜与防指纹膜多膜层的加工方法，其特征在于：步骤一中，将玻璃基材分别在有机溶剂和去离子水中进行超声清洗，而后干燥；超声清洗的时间为30-50min，干燥温度为60-80℃，干燥时间为1h。
5.根据权利要求4所述的一种超快激光沉积类金刚石膜、防反射膜与防指纹膜多膜层的加工方法，其特征在于：步骤三中，真空室内抽真空后的压强为≤10mBar。
6.根据权利要求5所述的一种超快激光沉积类金刚石膜、防反射膜与防指纹膜多膜层的加工方法，其特征在于：步骤四中，激光能量≥2mJ，分束后飞秒脉冲激光单脉冲能量＞0.5mJ，飞秒脉冲激光重复频率为1kHz～1MHz，飞秒脉宽为10～500fs，中心波长为200～400nm的紫外波段、400～700nm的可见波段或700～2500nm的红外波段。
7.根据权利要求6所述的一种超快激光沉积类金刚石膜、防反射膜与防指纹膜多膜层的加工方法，其特征在于：步骤四中，预脉冲与后脉冲激发的时间间隔为100fs～100ns，所述预脉冲为将飞秒脉冲展宽的皮秒脉冲再进行激发或者用皮秒激光器产生的皮秒脉冲进行激发，后脉冲之间的夹角为5-10°。
8.根据权利要求7所述的一种超快激光沉积类金刚石膜、防反射膜与防指纹膜多膜层的加工方法，其特征在于：步骤四中，靶材料及玻璃基片的移动速度为10-50mm/s。
9.根据权利要求8所述的一种超快激光沉积类金刚石膜、防反射膜与防指纹膜多膜层的加工方法，其特征在于：所述防反射膜靶材料为氮化硅。
10.一种权利要求3-9的方法制备而成的超快激光沉积类金刚石膜、防反射膜与防指纹膜多膜层结构，其特征在于：初始水滴角为110～120度。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210851038.4A CN115161601B (zh) | 2022-07-19 | 2022-07-19 | 一种超快激光沉积类金刚石膜、防反射膜与防指纹膜多膜层的加工方法与设备 |
| US18/353,684 US20240026524A1 (en) | 2022-07-19 | 2023-07-17 | Processing method and apparatus for ultrafast laser deposition of multilayer film including diamond-like carbon film, anti-reflection film and anti-fingerprint film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210851038.4A CN115161601B (zh) | 2022-07-19 | 2022-07-19 | 一种超快激光沉积类金刚石膜、防反射膜与防指纹膜多膜层的加工方法与设备 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN115161601A true CN115161601A (zh) | 2022-10-11 |
| CN115161601B CN115161601B (zh) | 2024-04-02 |
Family
ID=83494978
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202210851038.4A Active CN115161601B (zh) | 2022-07-19 | 2022-07-19 | 一种超快激光沉积类金刚石膜、防反射膜与防指纹膜多膜层的加工方法与设备 |
Country Status (2)
| Country | Link |
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|---|
| 王静鸽;付洪波;倪志波;贺文干;陈兴龙;董凤忠;: "再加热双脉冲激光诱导等离子体的时空演变特性研究", 光谱学与光谱分析, no. 03 * |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114481027A (zh) * | 2022-01-29 | 2022-05-13 | 中国航空制造技术研究院 | 一种类金刚石厚膜及其制备方法 |
| CN114481027B (zh) * | 2022-01-29 | 2023-10-20 | 中国航空制造技术研究院 | 一种类金刚石厚膜及其制备方法 |
| CN115181942A (zh) * | 2022-07-19 | 2022-10-14 | 重庆华谱科学仪器有限公司 | 一种等离子光栅脉冲激光沉积镀膜方法 |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN115161601B (zh) | 2024-04-02 |
| US20240026524A1 (en) | 2024-01-25 |
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