CN105152548A - 一种类金刚石膜玻璃的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种类金刚石膜玻璃的制备方法，属于玻璃镀膜技术领域。为了解决现有的结合力差和硬度低的问题，提供一咱类金刚石膜玻璃的制备方法，包括将玻璃基片装夹后放入镀膜腔室内，镀膜腔室抽真空后，再通入氩气使生成等离子体，进行等离子清洗；清洗结束后，关闭氩气，将镀膜腔室重新抽真空，然后再通往氩气，同时打开碳靶发射源，并开启脉冲直流电源使产生等离子体，使沉积类金刚石膜；所述类金刚石膜为高sp2键含量类金刚石膜与低sp2键含量类金刚石膜交替沉积而成；沉积结束后，再在其表面上沉积AF膜，得到类金刚石膜玻璃。本发明的方法得到的产品既具有较好的结合力，又具有高耐划伤性和高耐磨性和防指纹和防尘效果及不导电性。
Description
技术领域
本发明涉及一种类金刚石膜玻璃的制备方法，属于玻璃镀膜技术领域。
背景技术
随着信息技术和平面显示技术的迅速发展，触摸屏已作为时代进步的标志在各行各业中都有举足轻重的地位，尤其是在智能手机、平板电脑等电子产品中更是占据了大部分的市场份额；同时，消费者对于触摸屏产品的大量需求与行业的技术进步也更进一步的促进了触摸屏技术的不断发展。
而就觖摸屏本身来说，玻璃盖板触摸屏最外层的保护元件，对性能的要求非常高，需要具备高透光率、抗划伤、抗冲击和轻便性等特点，一般采用1mm以下的超薄玻璃，如今常用的有0.7mm的钠钙玻璃、硅铝玻璃和硼硅玻璃，然而，在人们享受超薄玻璃所带来的好处的同时，也承受着超薄玻璃的弊端，即其力学性能较差，容易出现抗划伤和抗冲击等性能差的问题。现有的为了提高手机触摸屏盖板的抗划伤和抗冲击性能，也有采用价格昂贵的蓝宝石作为相应盖板，但成本相应过高。现有的也有通过在玻璃基板表面上镀一层高硬度的膜层来实现。
类金刚石(diamond-likecarbon，简称DLC)薄膜是一种非晶碳膜，它同时含有类似于金刚石的sp3杂化键(sp3键)与类似于石墨的sp2杂化键(sp2键)，国际上定义类金刚石薄膜为硬度超过金刚石硬度20％的绝缘硬质无定形碳膜。
通过在玻璃表面沉积类金刚石薄膜能有效增强玻璃的抗腐蚀性与耐划伤性，延长在恶劣环境下的使用寿命。如中国专利申请(公开号：103232171A)公开了一种触摸屏用玻璃盖板及其制备方法，该触摸屏用玻璃盖板通过采用超薄玻璃先经过钢化处理再镀一层类金刚石薄膜而制成，其虽然能够提高玻璃盖板的抗划伤和抗冲击性能，但是，由于在玻璃基板表面沉积类金刚石薄膜存在较大的薄膜内应力，容易导致所形成的薄膜易脱膜等问题，因而制约了类金刚石薄膜在玻璃基板上的发展应用。如何在玻璃基板表面沉积类金刚石薄膜使之同时具备可见光透过性与机械耐划伤性是克服类金刚石薄膜在玻璃基板上应用的首要难题。
发明内容
本发明针对以上现有技术中存在的缺陷，提出一种类金刚石膜玻璃的制备方法，解决的问题是实现具有较高的结合力、高耐划伤性和高耐磨性能。
本发明的目的是通过以下技术方案得以实现的，一种类金刚石膜玻璃的制备方法，该方法包括以下步骤：
A、将玻璃基片装夹后放入真空镀膜机的镀膜腔室内，进行下一步镀膜；
B、将镀膜腔室进行抽真空后，再通入氩气使生成等离子体，进行等离子清洗；
C、等离子清洗结束后，关闭氩气，将镀膜腔室重新抽真空，然后再通往氩气，同时打开碳靶发射源，并开启脉冲直流电源使产生等离子体，从而使在玻璃基片的表面上沉积类金刚石膜；所述类金刚石膜为高sp2键含量类金刚石膜与低sp2键含量类金刚石膜交替沉积而成；
D、类金刚石膜沉积结束后，再在类金刚石膜表面上沉积AF膜，得到相应的类金刚石膜玻璃。
本发明的类金刚石膜玻璃的制备方法，通过在玻璃基片上沉积类金刚石膜，同时，结合采用脉冲直流电源，能够有效的提高类金刚石膜的致密性，从而实现镀膜后的玻璃基片具有高耐划伤性能和高耐磨性能；但是，类金刚石膜的防指纹防尘效果不好，因此，本发明人希望通过研究使在类金刚石膜的表面沉积一层AF膜使能够同时实现防指纹防尘的效果。然而，AF膜直接与类金刚石膜的结合力不好，容易出现脱落现象，大大减少了其使用效果，本发明人经过研究发现，通过对类金刚石膜的整体结构进行调整，即使类金刚石膜在沉积的过程中使形成的类金刚石膜为高sp2键含量类金刚石膜与低sp2键含量类金刚石膜交替沉积而成，从而能够使类金刚石膜与AF膜能够较好的结合为一体，实现较好的结合力，又能够实现既具有较好的高耐划伤性和高耐磨性能，又具有较好的防指纹和防尘效果，还实现了具有较好的不导电性能，从而能够更好的作为智能手机、电脑等显示屏的盖板使具有较好的应用范围，提高了市场竞争力。
在上述类金刚石膜玻璃的制备方法中，作为优选，所述高sp2键含量类金刚石膜中sp2键的含量为70％～85％；所述低sp2键含量类金刚石膜中sp2键的含量为12％～30％。本发明通过使形成的类金刚石膜以不同含量的sp2键的类金刚石膜交替沉积而成，能够有效降低层与层之间的应力变化，从而使各层之间具有较强的结合力，使不易出现剥离现象，使类金刚石膜不仅与玻璃基片之间具有较强的结合力，实现无需在玻璃基片与类金刚石膜之间通过功能膜层来过渡，提高透过率的性能；同时，类金刚石膜与AF膜之间也具有较强的结合力。作为进一步的优选，所述高sp2键含量类金刚石膜中sp2键的含量为75％～80％；所述低sp2键含量类金刚石膜中sp2键的含量为25％～28％。
在上述类金刚石膜玻璃的制备方法中，作为优选，所述类金刚石膜采用石墨、C或CN4材料制作而成。采用上述材料能够有效的形成类金刚石膜，且原料易得。
在上述类金刚石膜玻璃的制备方法中，作为优选，步骤B中所述脉冲直流电源的功率为3.5kw～5.5kw。通过控制脉冲直流电源的功率能够使沉积过程中形成的类金刚石膜具有较好的致密性。
在上述类金刚石膜玻璃的制备方法中，所述玻璃基片采用本领域常规的玻璃基片即可，并没有过多的限制。作为优选，步骤A中所述玻璃基片选自康宁玻璃基片、石英玻璃基片或钢化玻璃基片。目的使为了使得到的类金刚膜玻璃具有更高的透过率。
在上述类金刚石膜玻璃的制备方法中，作为优选，步骤B中所述类金刚石膜的厚度为150nm～400nm。目的是为了进一步提高硬度性能，能够更好的实现的高耐划伤性能和高耐磨性能。
在上述类金刚石膜玻璃的制备方法中，步骤C中所述碳靶发射源与玻璃基片之间的距离为100mm～300mm。通过控制碳靶发射源与玻璃基片之间的距离，目的是为了保证沉积的膜层的均匀性，使得到的膜层具有厚度均匀的效果。
综上所述，本发明与现有技术相比，具有以下优点：
本发明的类金刚石膜玻璃的制备方法，通过使形成的类金刚石膜为高sp2键含量类金刚石膜与低sp2键含量类金刚石膜交替沉积而成，从而能够使类金刚石膜与AF膜及玻璃基片之间具有较好的结合力，结合力能够达到85N以上，又能够实现既具有较好的高耐划伤性和高耐磨性能和较好的防指纹和防尘效果及不导电性能。
具体实施方式
下面通过具体实施例，对本发明的技术方案作进一步具体的说明，但是本发明并不限于这些实施例。
实施例1
玻璃基片的尺寸可以根据实际需要进行调整，如根据手机显示屏或电脑显示屏的尺寸大小，本实施例中优选采用厚度为0.7mm的康宁玻璃基片，将厚度为0.7mm的康宁玻璃基片依次用去离子水、碱液脱脂、异丙醇去油和去离子水清洗各15min，经过上述处理后去除玻璃基片表面的油渍等污迹，然后进行吹干备用；将上述经过处理的玻璃基片装夹(按照常规的装夹方式即可)后放入真空镀膜机的镀膜腔室内，所述的真空镀膜机可以采用常规的真空镀膜机，然后，将镀膜腔室内进行抽真空，使镀膜腔室内的真空度达到5.0x10-5托，同时加热镀膜腔室的温度使达到并稳定在90℃～110℃，再向镀膜腔室内通入氩气，控制氩气的流量为350sccm～450sccm，并开启脉冲直流电源，且控制脉冲直流电源的功率为4.5kw，使产生氩等离子体，进行氩等离子清洗5min；
等离子清洗结束后，关闭氩气，将镀膜腔室重新抽真空，使镀膜腔室内的真空度达到5.0x10-5托，然后再通入氩气，并控制氩气的流量为400sccm，同时打开碳靶发射源，所述碳靶发射源为石墨靶发射源，并开启功率为3.5kw～4.5kw的脉冲直流电源使产生石墨等离子体，从而使在玻璃基片的表面上沉积类金刚石膜，一般在玻璃基片的一表面上沉积即可，无需双面进行沉积；所述类金刚石膜为高sp2键含量类金刚石膜与低sp2键含量类金刚石膜交替沉积而成；且使所述类金刚石膜的最外层为低sp2键含量类金刚石膜，沉积结束后，所述类金刚石膜的总厚度为150nm；然后，关闭石墨靶发射源，再打开AF膜的材料发射源，使在类金刚石膜表面上沉积AF膜，沉积结束后，关闭AF膜的材料发射源和关闭氩气，待镀膜腔室内的温度降至60℃以下时，关闭真空阀门，取出相应的工件，得到相应的类金刚石膜玻璃。经过测试，所述类金刚石膜与玻璃基片及AF膜的结合力均能够达到85N以上。
实施例2
玻璃基片的尺寸可以根据实际需要进行调整，如根据手机显示屏或电脑显示屏的尺寸大小，本实施例中优选采用厚度为0.7mm的钢化玻璃基片，将厚度为0.7mm的钢化玻璃基片依次用去离子水、碱液脱脂、异丙醇去油和去离子水清洗各15min，经过上述处理后去除玻璃基片表面的油渍等污迹，然后进行吹干备用；将上述经过处理的玻璃基片装夹(按照常规的装夹方式即可)后放入真空镀膜机的镀膜腔室内，所述的真空镀膜机可以采用常规的真空镀膜机，然后，将镀膜腔室内进行抽真空，使镀膜腔室内的真空度达到4.5x10-5托，同时加热镀膜腔室的温度使达到并稳定在90℃～110℃，再向镀膜腔室内通入氩气，并控制氩气的流量为350sccm～450sccm，并开启脉冲直流电源，并控制脉冲直流电源的功率为5.5kw，使产生氩等离子体，进行氩等离子清洗5min；
等离子清洗结束后，先关闭氩气，将镀膜腔室重新抽真空，使镀膜腔室内的真空度达到5.0x10-5托，然后再通入氩气，并控制氩气的流量为400sccm，同时打开碳靶发射源，所述碳靶发射源为CN4靶发射源，并开启功率为3.5kw～5.5kw的脉冲直流电源使产生石墨等离子体，从而使在玻璃基片的表面上沉积类金刚石膜，一般在玻璃基片的一表面上沉积即可，无需双面进行沉积；所述类金刚石膜为高sp2键含量类金刚石膜与低sp2键含量类金刚石膜交替沉积而成；所述高sp2键含量类金刚石膜中sp2键的含量为85％；所述低sp2键含量类金刚石膜中sp2键的含量为30％，且使所述类金刚石膜的最外层为低sp2键含量类金刚石膜，沉积结束后，所述类金刚石膜的厚度为200nm；然后，关闭CN4靶发射源，然后，打开AF膜材料的发射源，使在类金刚石膜表面上沉积AF膜，沉积结束后，关闭AF膜材料的发射源和关闭氩气，待镀膜腔室内的温度降至60℃以下时，关闭真空阀门，取出相应的工件，得到相应的类金刚石膜玻璃。经过测试，所述类金刚石膜与玻璃基片及AF膜的结合力均能够达到85N以上。
实施例3
玻璃基片的尺寸可以根据实际需要进行调整，如根据手机显示屏或电脑显示屏的尺寸大小，本实施例中优选采用厚度为0.7mm的石英玻璃基片，将厚度为0.7mm的石英玻璃基片依次用去离子水、碱液脱脂、异丙醇去油和去离子水清洗各15min，经过上述处理后去除玻璃基片表面的油渍等污迹，然后进行吹干备用；将上述经过处理的玻璃基片装夹(按照常规的装夹方式即可)后放入真空镀膜机的镀膜腔室内，所述的真空镀膜机可以采用常规的真空镀膜机，然后，将镀膜腔室内进行抽真空，使镀膜腔室内的真空度达到4.5x10-5托，同时加热镀膜腔室的温度使达到并稳定在90℃～110℃，再向镀膜腔室内通入氩气，并控制氩气的流量为400sccm，并开启脉冲直流电源，并控制脉冲直流电源的功率为3.5kw，使产生氩等离子体，进行氩等离子清洗5min；
等离子清洗结束后，先关闭氩气，将镀膜腔室重新抽真空，使镀膜腔室内的真空度达到5.0x10-5托，然后再通入氩气，并控制氩气的流量为400sccm，同时打开碳靶发射源，所述碳靶发射源为CN4靶发射源，并开启功率为3.5kw～5.5kw的脉冲直流电源使产生石墨等离子体，从而使在玻璃基片的表面上沉积类金刚石膜，一般在玻璃基片的一表面上沉积即可，无需双面进行沉积；所述类金刚石膜为高sp2键含量类金刚石膜与低sp2键含量类金刚石膜交替沉积而成；所述高sp2键含量类金刚石膜中sp2键的含量为70％；所述低sp2键含量类金刚石膜中sp2键的含量为12％，且使所述类金刚石膜的最外层为低sp2键含量类金刚石膜，沉积结束后，所述类金刚石膜的厚度为300nm；然后，关闭CN4靶发射源，然后，打开AF膜材料的发射源，使在类金刚石膜表面上沉积AF膜，沉积结束后，关闭AF膜材料的发射源和关闭氩气，待镀膜腔室内的温度降至60℃以下时，关闭真空阀门，取出相应的工件，得到相应的类金刚石膜玻璃。经过测试，所述类金刚石膜与玻璃基片及AF膜的结合力均能够达到90N以上。
实施例4
玻璃基片的尺寸可以根据实际需要进行调整，如根据手机显示屏或电脑显示屏的尺寸大小，本实施例中优选采用厚度为0.7mm的康宁玻璃基片，将厚度为0.7mm的康宁玻璃基片依次用去离子水、碱液脱脂、异丙醇去油和去离子水清洗各15min，经过上述处理后去除玻璃基片表面的油渍等污迹，然后进行吹干备用；将上述经过处理的玻璃基片装夹(按照常规的装夹方式即可)后放入真空镀膜机的镀膜腔室内，所述的真空镀膜机可以采用常规的真空镀膜机，然后，将镀膜腔室内进行抽真空，使镀膜腔室内的真空度达到5.0x10-5托，同时加热镀膜腔室的温度使达到并稳定在90℃～110℃，再向镀膜腔室内通入氩气，并控制氩气的流量为450sccm，并开启脉冲直流电源，并控制脉冲直流电源的功率为4.5kw，使产生氩等离子体，进行氩等离子清洗5min；
等离子清洗结束后，先关闭氩气，将镀膜腔室重新抽真空，使镀膜腔室内的真空度达到5.0x10-5托，然后再通入氩气，并控制氩气的流量为450sccm，同时打开碳靶发射源，所述碳靶发射源为石墨靶发射源，所述石墨靶发射源与玻璃基片之间的距离为100mm，并开启功率为3.5kw～5.5kw的脉冲直流电源使产生石墨等离子体，从而使在玻璃基片的表面上沉积类金刚石膜，一般在玻璃基片的一表面上沉积即可，无需双面进行沉积；所述类金刚石膜为高sp2键含量类金刚石膜与低sp2键含量类金刚石膜交替沉积而成；所述高sp2键含量类金刚石膜中sp2键的含量为75％；所述低sp2键含量类金刚石膜中sp2键的含量为28％，且使所述类金刚石膜的最外层为低sp2键含量类金刚石膜，沉积结束后，所述类金刚石膜的厚度为400nm；然后，关闭石墨靶发射源，然后，打开AF膜材料的发射源，使在类金刚石膜表面上沉积AF膜，沉积结束后，关闭AF膜材料的发射源和关闭氩气，待镀膜腔室内的温度降至60℃以下时，关闭真空阀门，取出相应的工件，得到相应的类金刚石膜玻璃。经过测试，所述类金刚石膜与玻璃基片及AF膜的结合力均能够达到90N以上。
实施例5
玻璃基片的尺寸可以根据实际需要进行调整，如根据手机显示屏或电脑显示屏的尺寸大小，本实施例中优选采用厚度为0.7mm的康宁玻璃基片，将厚度为0.7mm的康宁玻璃基片依次用去离子水、碱液脱脂、异丙醇去油和去离子水清洗各15min，经过上述处理后去除玻璃基片表面的油渍等污迹，然后进行吹干备用；将上述经过处理的玻璃基片装夹(按照常规的装夹方式即可)后放入真空镀膜机的镀膜腔室内，所述的真空镀膜机可以采用常规的真空镀膜机，然后，将镀膜腔室内进行抽真空，使镀膜腔室内的真空度达到5.0x10-5托，同时加热镀膜腔室的温度使达到并稳定在90℃～110℃，再向镀膜腔室内通入氩气，并控制氩气的流量为450sccm，并开启脉冲直流电源，并控制脉冲直流电源的功率为4.5kw，使产生氩等离子体，进行氩等离子清洗5min；
等离子清洗结束后，先关闭氩气，将镀膜腔室重新抽真空，使镀膜腔室内的真空度达到5.0x10-5托，然后再通入氩气，并控制氩气的流量为450sccm，同时打开碳靶发射源，所述碳靶发射源为石墨靶发射源，所述石墨靶发射源与玻璃基片之间的距离为300mm，并开启功率为3.5kw～5.5kw的脉冲直流电源使产生石墨等离子体，从而使在玻璃基片的表面上沉积类金刚石膜，一般在玻璃基片的一表面上沉积即可，无需双面进行沉积；所述类金刚石膜为高sp2键含量类金刚石膜与低sp2键含量类金刚石膜交替沉积而成；所述高sp2键含量类金刚石膜中sp2键的含量为80％；所述低sp2键含量类金刚石膜中sp2键的含量为25％，且使所述类金刚石膜的最外层为低sp2键含量类金刚石膜，沉积结束后，所述类金刚石膜的厚度为280nm；然后，关闭石墨靶发射源，然后，打开AF膜材料的发射源，使在类金刚石膜表面上沉积AF膜，沉积结束后，关闭AF膜材料的发射源和关闭氩气，待镀膜腔室内的温度降至60℃以下时，关闭真空阀门，取出相应的工件，得到相应的类金刚石膜玻璃。经过测试，所述类金刚石膜与玻璃基片及AF膜的结合力均能够达到90N以上。
实施例6
玻璃基片的尺寸可以根据实际需要进行调整，如根据手机显示屏或电脑显示屏的尺寸大小，本实施例中优选采用厚度为0.7mm的康宁玻璃基片，将厚度为0.7mm的康宁玻璃基片依次用去离子水、碱液脱脂、异丙醇去油和去离子水清洗各15min，经过上述处理后去除玻璃基片表面的油渍等污迹，然后进行吹干备用；将上述经过处理的玻璃基片装夹(按照常规的装夹方式即可)后放入真空镀膜机的镀膜腔室内，所述的真空镀膜机可以采用常规的真空镀膜机，然后，将镀膜腔室内进行抽真空，使镀膜腔室内的真空度达到5.0x10-5托，同时加热镀膜腔室的温度使达到并稳定在90℃～110℃，再向镀膜腔室内通入氩气，并控制氩气的流量为450sccm，并开启脉冲直流电源，并控制脉冲直流电源的功率为4.5kw，使产生氩等离子体，进行氩等离子清洗5min；
等离子清洗结束后，先关闭氩气，将镀膜腔室重新抽真空，使镀膜腔室内的真空度达到5.0x10-5托，然后再通入氩气，并控制氩气的流量为450sccm，同时打开碳靶发射源，所述碳靶发射源为石墨靶发射源，所述石墨靶发射源与玻璃基片之间的距离为200mm，并开启功率为5.0kw～5.5kw的脉冲直流电源使产生石墨等离子体，从而使在玻璃基片的表面上沉积高sp2键含量类金刚石膜，然后再调整功率为5.0kw～5.5kw的脉冲直流电源使产生石墨等离子体，从而使在高sp2键含量类金刚石膜的表面沉积低sp2键含量类金刚石膜，重复上述沉积类金刚石膜的作用，使形成高sp2键含量类金刚石膜与低sp2键含量类金刚石膜交替沉积的类金刚石膜；所述高sp2键含量类金刚石膜中sp2键的含量为78％；所述低sp2键含量类金刚石膜中sp2键的含量为27％，且使所述类金刚石膜的最外层为低sp2键含量类金刚石膜，沉积结束后，所述类金刚石膜的厚度为280nm；然后，关闭石墨靶发射源，然后，打开AF膜材料的发射源，使在类金刚石膜表面上沉积AF膜，沉积结束后，关闭AF膜材料的发射源和关闭氩气，待镀膜腔室内的温度降至60℃以下时，关闭真空阀门，取出相应的工件，得到相应的类金刚石膜玻璃。经过测试，所述类金刚石膜与玻璃基片及AF膜的结合力均能够达到90N以上。
随机选取上述实施例得到的类金刚石膜玻璃进行相应的性能测试，具体测试结果如下表1所示。
表1：
上述表1中的耐磨性的测试方法采用Taber5750线性磨耗仪进行测试，采用的钢丝绒型号为0000#，厚度为2mm，负载为1000g，磨块大小为10mm*10mm，行程为50mm，速率为60次/min,上述表1中的耐磨性(水接触角)是经过40000次摩擦后的相应测试结果。
以下是对本发明实施例中得到的类金刚石膜玻璃的老化性能进行测试，用于测试本发明的类金刚石膜的结合力效果，具体的测试方法以及测试结果如下所示。
高温高湿测试：将本发明实施例得到的产品作为样品放置在高温高湿箱内，温度为40℃，湿度为93％，放置144h，试验结束后，取出在室温下放置2小时后观察是否有缺陷。最终测试结果表明，本发明的实施例1-6得到的类金刚石膜玻璃均未出现膜层脱落现象，即膜层不脱落。
盐雾测试：将本发明的实施例得到的产品作为样品放置在盐雾试验箱内，在35℃条件下喷洒盐溶液(NaCl的质量含量为5％，pH值为6.5～7.2)48小时，喷洒结束后，取出在室温中放置小时，观察是否有缺陷。最终测试结果表明，本发明的实施例1-6得到的类金刚石膜玻璃均未出现膜层脱落现象，即膜层不脱落。
冷热冲击测试：将本发明的实施例得到的产品作为样品放置在温控箱内，在温度为85℃的条件下保温2小时后，将样品转移至-40℃的温控箱内保持2小时，转移时间在3分钟以内，连续循环5次(共计20小时)，测试结束后，取出在室温中放置2小时后不允许有任何外观缺陷；测试附着力，脱落面积小于2/3，即5B-1B(0-4级)为合格。测试结果表明，本发明的实施例1-6得到的类金刚石膜玻璃均未出现膜层脱落现象，即膜层不脱落。
水煮测试：将本发明实施例得到的产品作为样品(试验片)放入烧至沸腾的水里煮10分钟，试验结束后，取出样品在室温中放置4小时后，产品不允许有任何外观缺陷，另进行百格测试，标准5B-4B(0-1级)为合格。测试结果表明，本发明的实施例1-6得到的类金刚石膜玻璃均未出现膜层脱落现象，即膜层不脱落。
QUV测试：选取本发明实施例得到的产品作为样品，先使样品在温度为60℃，光照强度为0.63W/㎡/nm的条件下运行4h后；再使样品在温度为50℃，湿度为90％的条件下运行4h；重复测试包含12个循环，每个循环时长为8小时，总的测试时间是96小时，试验结束后，将样品取出在室温下放置两小时后对样品进行检查。测试结果表明，本发明的实施例1-6得到的类金刚石膜玻璃均未出现膜层脱落现象，即膜层不脱落。
同时，上述实施例1-6得到的产品经过在类金刚石膜表面镀上AF膜后，从而实现了均具有较好的防指纹和防尘效果。从而能够更好的应用到智能手机、电脑等显示屏面板上。
本发明中所描述的具体实施例仅是对本发明精神作举例说明。本发明所属技术领域的技术人员可以对所描述的具体实施例做各种各样的修改或补充或采用类似的方式替代，但并不会偏离本发明的精神或者超越所附权利要求书所定义的范围。
尽管对本发明已作出了详细的说明并引证了一些具体实施例，但是对本领域熟练技术人员来说，只要不离开本发明的精神和范围可作各种变化或修正是显然的。
Claims (8)
1.一种类金刚石膜玻璃的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：
A、将玻璃基片装夹后放入真空镀膜机的镀膜腔室内，进行下一步镀膜；
B、将镀膜腔室进行抽真空后，再通入氩气使生成等离子体，进行等离子清洗；
C、等离子清洗结束后，关闭氩气，将镀膜腔室重新抽真空，然后再通入氩气，同时打开碳靶发射源，并开启脉冲直流电源使产生等离子体，从而使在玻璃基片的表面上沉积类金刚石膜；所述类金刚石膜为高sp2键含量类金刚石膜与低sp2键含量类金刚石膜交替沉积而成；
D、类金刚石膜沉积结束后，再在类金刚石膜表面上沉积AF膜，得到相应的类金刚石膜玻璃。
2.根据权利要求1所述类金刚石膜玻璃的制备方法，其特征在于，所述高sp2键含量类金刚石膜中sp2键的含量为70％～85％；所述低sp2键含量类金刚石膜中sp2键的含量为12％～30％。
3.根据权利要求2所述类金刚石膜玻璃的制备方法，其特征在于，所述高sp2键含量类金刚石膜中sp2键的含量为75％～80％；所述低sp2键含量类金刚石膜中sp2键的含量为25％～28％。
4.根据权利要求1-3任意一项所述类金刚石膜玻璃的制备方法，其特征在于，所述类金刚石膜采用石墨、C或CN4材料制作而成。
5.根据权利要求1-3任意一项所述类金刚石膜玻璃的制备方法，其特征在于，步骤B中所述脉冲直流电源的功率为3.5kw～5.5kw。
6.根据权利要求1所述类金刚石膜玻璃的制备方法，其特征在于，步骤A中所述玻璃基片选自康宁玻璃基片、石英玻璃基片或钢化玻璃基片。
7.根据权利要求1-3任意一项所述类金刚石膜玻璃的制备方法，其特征在于，步骤B中所述类金刚石膜的厚度为150nm～400nm。
8.根据权利要求1-3任意一项所述类金刚石膜玻璃的制备方法，其特征在于，步骤C中所述碳靶发射源与玻璃基片之间的距离为100mm～300mm。
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