CN115132876A - 一种基于se背面碱抛光的高效perc电池制备工艺 - Google Patents
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Abstract
本发明的目的在于公开一种基于SE背面碱抛光的高效PERC电池制备工艺，依次包括如下工艺步骤：制绒→扩散→SE工艺→去PSG→退火→正膜→碱抛光→背面镀氧化铝和氧化硅→背面激光开槽→印制烧结→测试分档；其中，正膜步骤中，在板式及管式设备中实现对电池片正面镀膜，并以氮化硅做掩膜使SE激光区域在碱抛光过程中得以保护；与现有技术相比，在碱抛光技术中，以氮化硅替代氧化硅做掩膜，省去SE之后的氧化步骤，省去氧化设备，降低成本的同时保证转换效率，实现本发明的目的。
Description
技术领域
本发明涉及一种高效PERC电池制备工艺，特别涉及一种基于SE背面碱抛光的高效PERC电池制备工艺。
背景技术
随着能源危机的加剧，太阳能已成为目前可知的最清洁、安全和可靠的可再生能源之一。发展和推广太阳能能源应用已上升至国家战略层面规划，但与传统能源相比，太阳能电池成本仍偏高。因此，提高太阳能电池转化换效率，降低生产成本是整个太阳能行业的迫切需求。
目前，PERC电池工艺已占据电池工艺的主导地位，叠加SE以及碱抛光工艺后电池效率得到了大幅度提升。
但是，SE掺杂区域在背面碱抛光过程中易遭到破坏，对此问题目前的工艺路线有两种，一种是对SE掺杂区域进行氧化硅掩膜保护，在碱抛光之前对电池片正面进行氧化，去除背面PSG层，保留正面PSG在碱抛光时用于保护SE掺杂区域，然而氧化环节直接拉高了生产成本。另一种是不做保护层，而以电池转换效率做牺牲。
因此，特别需要一种基于SE背面碱抛光的高效PERC电池制备工艺，以解决上述现有存在的问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种基于SE背面碱抛光的高效PERC电池制备工艺，针对现有技术的不足，有效地解决现有碱抛光技术中关于SE区域保护所导致的转换效率牺牲或成本拉高的情况。
本发明所解决的技术问题可以采用以下技术方案来实现：
一种基于SE背面碱抛光的高效PERC电池制备工艺，其特征在于，依次包括如下工艺步骤：
制绒→扩散→SE工艺→去PSG→退火→正膜→碱抛光→背面镀氧化铝和氧化硅→背面激光开槽→印制烧结→测试分档；其中，正膜步骤中，在板式及管式设备中实现对电池片正面镀膜，并以氮化硅做掩膜使SE激光区域在碱抛光过程中得以保护。
在本发明的一个实施例中，在去PSG步骤中，去除PSG层直接在普通链式刻蚀机实现，其中酸洗HF浓度为0.5％-15％。
在本发明的一个实施例中，在退火步骤中，使用氧化设备对硅片进行氧化，在正面形成氧化层。
在本发明的一个实施例中，在正膜步骤中，正膜厚度为80-110nm，与碱抛光步骤中酸洗进行匹配。
在本发明的一个实施例中，在碱抛光步骤中，在槽式设备中，先对硅片进行HF酸洗，HF浓度为0.5％-15％，去除背面氮化硅，然后使用碱和水混合所配溶液对背面进行碱抛光，最后对硅片进行碱洗及酸洗处理。
进一步，在碱抛光步骤中，使用碱、抛光添加剂和水混合所配溶液对背面进行碱抛光。
本发明的基于SE背面碱抛光的高效PERC电池制备工艺，与现有技术相比，在碱抛光技术中，以氮化硅替代氧化硅做掩膜，省去SE之后的氧化步骤，省去氧化设备，降低成本的同时保证转换效率，实现本发明的目的。
本发明的特点可参阅本案以下较好实施方式的详细说明而获得清楚地了解。
具体实施方式
为了使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体，进一步阐述本发明。
实施例
本发明的基于SE背面碱抛光的高效PERC电池制备工艺，依次包括如下工艺步骤：
步骤1：制绒；
步骤2：扩散；
步骤3：SE工艺；
步骤4：去PSG；
去除PSG层，可直接在普通链式刻蚀机实现，其中酸洗HF浓度为0.5％-15％。
步骤5：退火；
使用氧化设备对硅片进行氧化，在正面形成氧化层。
步骤6：正膜；
在板式及管式设备中均可实现，对硅片正面进行镀膜，同时以氮化硅做掩膜使SE激光区域在碱抛光过程中得到保护，正面膜厚80-110nm，与碱抛光步骤中酸洗进行匹配。
步骤7：碱抛光；
在槽式设备中，首先对硅片进行HF酸洗(HF浓度为0.5％-15％)，去除背面氮化硅，然后使用碱、添加剂(指抛光添加剂，也可不加)、水混合所配溶液对背面进行碱抛光，最后对硅片进行碱洗及酸洗处理。
步骤8：背面镀氧化铝、氮化硅；
步骤9：背面激光开槽；
步骤10：印刷烧结；
步骤11：测试分档。
以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内，本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
Claims (6)
1.一种基于SE背面碱抛光的高效PERC电池制备工艺，其特征在于，依次包括如下工艺步骤：
制绒→扩散→SE工艺→去PSG→退火→正膜→碱抛光→背面镀氧化铝和氧化硅→背面激光开槽→印制烧结→测试分档；其中，正膜步骤中，在板式及管式设备中实现对电池片正面镀膜，并以氮化硅做掩膜使SE激光区域在碱抛光过程中得以保护。
2.如权利要求1所述的基于SE背面碱抛光的高效PERC电池制备工艺，其特征在于，在去PSG步骤中，去除PSG层直接在普通链式刻蚀机实现，其中酸洗HF浓度为0.5％-15％。
3.如权利要求1所述的基于SE背面碱抛光的高效PERC电池制备工艺，其特征在于，在退火步骤中，使用氧化设备对硅片进行氧化，在正面形成氧化层。
4.如权利要求1所述的基于SE背面碱抛光的高效PERC电池制备工艺，其特征在于，在正膜步骤中，正膜厚度为80-110nm，与碱抛光步骤中酸洗进行匹配。
5.如权利要求1所述的基于SE背面碱抛光的高效PERC电池制备工艺，其特征在于，在碱抛光步骤中，在槽式设备中，先对硅片进行HF酸洗，HF浓度为0.5％-15％，去除背面氮化硅，然后使用碱和水混合所配溶液对背面进行碱抛光，最后对硅片进行碱洗及酸洗处理。
6.如权利要求5所述的基于SE背面碱抛光的高效PERC电池制备工艺，其特征在于，在碱抛光步骤中，使用碱、抛光添加剂和水混合所配溶液对背面进行碱抛光。
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