CN115116493A - 存储系统及标签部件 - Google Patents

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CN115116493A
CN115116493A CN202110905760.7A CN202110905760A CN115116493A CN 115116493 A CN115116493 A CN 115116493A CN 202110905760 A CN202110905760 A CN 202110905760A CN 115116493 A CN115116493 A CN 115116493A
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heat
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Kioxia Corp
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Abstract

本发明的一个实施方式提供改善了散热性能的存储系统、使在存储系统中产生的热适当地扩散的标签部件。一个实施方式涉及的存储系统具备基板、第1半导体器件、第2半导体器件以及标签部件。第1半导体器件配置在基板的第1面。第2半导体器件配置在基板的第1面。标签部件具有使来自第1半导体器件的发热进行扩散的第1部分、使来自第2半导体器件的发热进行扩散的第2部分以及配置在第1部分与第2部分之间且对第1半导体器件与第2半导体器件之间的热传导进行抑制的第3部分。

Description

存储系统及标签部件
本申请享受以日本特许申请2021-48945号(申请日：2021年3月23 日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的 全部内容。
技术领域
本发明的实施方式涉及存储系统以及标签部件。
背景技术
在SSD(Solid State Drives，固态硬盘)安装有电子部件。当SSD工 作时，所安装的电子部件会发热。在SSD工作时，要求电子部件所发出的 热的散热。有时在安装于SSD的部件的表面粘贴有树脂标签。一般而言， 树脂标签的热传导率低，因此，散热性能差。
发明内容
本发明的一个实施方式提供改善了散热性能的存储系统以及标签部 件。
一个实施方式涉及的存储系统具备第1基板、第1半导体器件、第2 半导体器件以及标签部件。第1半导体器件配置在第1基板的第1面。第 2半导体器件配置在第1基板的第1面。标签部件具有使来自第1半导体 器件的发热进行扩散的第1部分、使来自第2半导体器件的发热进行扩散 的第2部分以及配置在第1部分与第2部分之间且对第1半导体器件与第2半导体器件之间的热传导进行抑制的第3部分。
附图说明
图1A是表示实施方式涉及的标签部件的一个例子的俯视图。
图1B是沿着图1A的I-I线的剖视图。
图2A是第1实施方式涉及的存储系统的俯视图。
图2B是沿着图2A的II-II线的剖视图。
图2C是沿着图2A的III-III线的剖视图。
图3是将第1实施方式涉及的存储系统搭载于第2基板的剖视图。
图4A是第2实施方式涉及的存储系统的俯视图。
图4B是沿着图4A的IV-IV线的剖视图。
图4C是沿着图4A的V-V线的剖视图。
图5是将第2实施方式涉及的存储系统搭载于第2基板的剖视图。
图6A是第3实施方式涉及的存储系统的俯视图。
图6B是沿着图6A的VI-VI线的剖视图。
图6C是表示第3实施方式涉及的存储系统的一个例子的鸟瞰图。
图7A是第4实施方式涉及的存储系统的俯视图。
图7B是沿着图7A的VII-VII线的剖视图。
图8A是第5实施方式涉及的存储系统的剖视图。
图8B是在第5实施方式涉及的存储系统应用的标签部件的俯视图。
图8C是将第5实施方式涉及的存储系统作为SSD装置来构成的剖视 图。
图9是实施方式的变形例1涉及的标签部件的俯视图。
图10的(a)是实施方式的变形例2涉及的标签部件的剖视图。图10 的(b)是与图10的(a)对应的各X位置的热传导率的示意图。
图11的(a)是实施方式的变形例3涉及的标签部件的剖视图。图11 的(b)是与图11的(a)对应的各X位置的热传导率的示意图。
图12是实施方式涉及的存储系统的框图。
图13是搭载了实施方式涉及的存储系统的电子设备的鸟瞰图。
标号说明
1A、1B、1C、1D、1E 存储系统
2 主机设备(电子设备)
4、4M、4D 第1基板
4a、4Ma、4Da 第1面
4b、4Mb、4Db 第2面
5、5D、5U1、5U2 低热传导部件
6、6M1、6M2、6M3、61、62、63 高热传导部件
7、7A、7B、7C、7D、7E 标签部件
8 第2基板
9D、9M 连接器
100 连接部
10、10A、10B NAND型闪速存储器
12、15A～15D 金属螺纹件
13 螺纹切口
15H 槽部
19 空洞部
20 存储控制器(memory controller)
21 CPU
22 内置存储器(RAM)
23 主机I/F电路
24 功率管理集成电路(PMIC)
25 动态随机访问存储器(DRAM)
26 NAND I/F电路
27 DRAM I/F电路
30 壳体
30U 上壳体
30D 下壳体
32 键盘
34 掌托(palm rest)
50、52 电源线
具体实施方式
参照附图对实施方式进行说明。在以下说明的说明书或者附图的记载 中，对同样的构成要素赋予同一标号并省略说明。附图是示意性的。另外， 以下所示的实施方式是例示用于将技术思想具体化的装置、方法的实施方 式。实施方式能够在专利要求保护的范围内实施各种变更。
(标签部件)
图1A是表示实施方式涉及的标签部件7的一个例子的俯视图。另外， 图1B是沿着图1A的I-I线的剖视图。如图1A所示，标签部件7在X-Y 平面上延伸。X方向是标签部件7的长边方向，Y方向是标签部件7的短 边方向，Z方向表示与X-Y平面垂直的方向。
如图1A和图1B所示，实施方式涉及的标签部件7具备第1高热传导 部件6M1、第2高热传导部件6M2以及低热传导部件5。第1高热传导部 件6M1对应于第1区域，使第1区域中的发热进行扩散。第2高热传导部 件6M2对应于第2区域，使第2区域中的发热进行扩散。低热传导部件5 的一部分配置在第1高热传导部件6M1与第2高热传导部件6M2之间， 抑制第1区域与第2区域之间的热传导。即，低热传导部件5的一部分抑 制第1高热传导部件6M1与第2高热传导部件6M2之间的热传导。在此， 第1区域和第2区域对应于配置有成为粘贴标签部件7来进行散热的对象 的半导体器件的区域。
如图1B所示，低热传导部件5的一部分在Z方向上配置为分别与第 1高热传导部件6M1和第2高热传导部件6M2不重叠。低热传导部件5 的另一部分在Z方向上配置为分别与第1高热传导部件6M1和第2高热 传导部件6M2重叠。第1高热传导部件6M1和第2高热传导部件6M2与 低热传导部件5层叠地形成。第1高热传导部件6M1和第2高热传导部件 6M2也可以埋入低热传导部件5来形成。
这样构成的标签部件7具有按区域而不同的热传导率。第1高热传导 部件6M1的热传导率和第2高热传导部件6M2的热传导率均比低热传导 部件5的热传导率大。标签部件7具有在基板上配置有多个半导体器件的 构造中按各个不同的区域而不同的热传导特性。
第1高热传导部件6M1是第1部分的一个例子，第2高热传导部件 6M2是第2部分的一个例子，低热传导部件5的一部分是第3部分的一个 例子。
第1高热传导部件6M1和第2高热传导部件6M2例如由金属层、导 电性聚合物等构成。作为金属层，例如可以应用将Cu(铜)、Al(铝)、 Mo(钼)、W(钨)等热传导性或者导电性良好的金属作为主成分的材料。 作为导电性聚合物，例如可以应用稳定性、成膜性、透明性良好的聚噻吩 系、聚苯胺系高分子膜。
另一方面，低热传导部件5由对第1高热传导部件6M1的热与第2 高热传导部件6M2的热之间的热传导进行抑制的绝缘材料构成。作为绝缘 材料，例如可以由聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET：polyethylene terephthalate)树脂、丙烯酸系粘合剂、环氧系粘合剂、有机硅树脂等构 成，聚对苯二甲酸乙二醇酯树脂是将对苯二甲酸或者对苯二甲酸二甲酯和 乙二醇进行缩聚而得到的热塑性聚酯。另外，低热传导部件5也可以使用 上述的绝缘材料的层叠构造来形成。另外，在上述的绝缘材料的层叠构造 中也可以具备用于印刷字符的层。另外，实施方式涉及的标签部件7也可 以具有挠性的构造。
实施方式涉及的标签部件7例如通过用粘合剂等粘合绝缘材料或者蒸 镀绝缘材料来形成。
(第1实施方式)
图2A是第1实施方式涉及的存储系统1A的俯视图。另外，图2B是 沿着图2A的II-II线的剖视图。另外，图2C是沿着图2A的III-III线的 剖视图。
第1实施方式涉及的存储系统1A具备第1基板4、第1半导体器件10A、10B、第2半导体器件20以及标签部件7。
第1基板4具备连接部100和槽部15H。槽部15H设置于X方向上的 第1基板4的一端。连接部100设置于从槽部15H在X方向上离开了的第 1基板4的另一端。
第1基板4例如是由印制布线基板构成的电路基板。第1基板4具有 第1面4a和与该第1面4a相对向的第2面4b。如图2A所示，第1基板 4在X-Y平面上延伸地配置。X方向是第1基板4的长边方向，Y方向是 第1基板4的短边方向，Z方向是与X-Y平面垂直的方向。在以下的说明 中也是同样的。
如图2B所示，第1半导体器件10A、10B配置在第1基板4的第1 面4a侧。
第1半导体器件10A、10B例如是NAND型闪速存储器。在这以后的 说明中，将第1半导体器件10A、10B也称为NAND型闪速存储器10A、 10B。NAND型闪速存储器10A、10B具有第1工作容许温度T1。
第2半导体器件20配置在第1基板4的第1面4a侧。第2半导体器 件20例如是对NAND型闪速存储器10A、10B进行控制的存储控制器。 在这以后的说明中，将第2半导体器件20也称为存储控制器20。一般而 言，存储控制器20具有比第1工作容许温度T1高的第2工作容许温度 T2。
如前述的那样，标签部件7具有第1高热传导部件6M1、第2高热传 导部件6M2以及低热传导部件5。第1高热传导部件6M1使NAND型闪 速存储器10A、10B的发热进行扩散。第2高热传导部件6M2使存储控制 器20的发热进行扩散。低热传导部件5的一部分抑制NAND型闪速存储 器10A、10B的发热与存储控制器20的发热之间的热传导。这样，标签部 件7具有按区域而不同的热传导率。
在第1实施方式涉及的存储系统1A中，如图2B和图2C所示，标签 部件7配置在第1基板4的第2面4b侧。
如图2B和图2C所示，第1高热传导部件6M1隔着第1基板4配置 在NAND型闪速存储器10A、10B的作为Z方向的负方向的下方。
第2高热传导部件6M2隔着第1基板4配置在存储控制器20的作为 Z方向的负方向的下方。
第1实施方式涉及的存储系统1A具备标签部件7，该标签部件7具有 如下构造：具有按区域而不同的热传导率。由此，存储系统1A在配置有 存储控制器20的区域中通过第2高热传导部件6M2积极地使热扩散。另 外，存储系统1A在配置有NAND型闪速存储器10A、10B的区域中通过 低热传导部件5的一部分抑制从第2高热传导部件6M2的受热，并且，通 过第1高热传导部件6M1积极地使热扩散。
(存储系统的搭载构造)
图3是将第1实施方式涉及的存储系统1A搭载于主机设备的状态的 剖视图。
在存储系统1A经由连接部100与主机设备连接了的情况下，存储系 统1A能够经由连接部100与主机设备进行通信。在存储系统1A经由连接 部100与主机设备连接了的状态下，存储系统1A能够经由槽部15H进一 步与主机设备连接。主机装置至少具备与连接部100连接的连接器(未图 示)和第2基板8。主机装置具备的连接器安装于第2基板8。第2基板8例如是由印制布线基板构成的电路基板。另外，第2基板8例如也可以是 金属框架。
如图3所示，存储系统1A经由槽部15H通过金属螺纹件12安装于第 2基板8。金属螺纹件12经由设置于存储系统1A的第1基板4的槽部15H 和设置于第2基板8的螺纹切口13，将第1基板4和第2基板8连接。在 与槽部15H对应的标签部件7的一部分的内壁，第1高热传导部件6M1 的一部分露出。进一步，在螺纹切口13的内壁，成为主机装置的基准电位 (接地电位)的布线的一部分露出。
这样，标签部件7的第1高热传导部件6M1经由金属螺纹件12与第 2基板8热连接。
存储系统1A经由连接部100与安装于第2基板8的连接器连接。在 安装于第2基板8的连接器具备高热传导部件的情况下，能够使该连接器 和标签部件7热接触。
第1实施方式涉及的存储系统1A能够经由第1高热传导部件6M1和 金属螺纹件12使NAND型闪速存储器10A、10B的发热传播到第2基板8。 另外，能够经由第2高热传导部件6M2使存储控制器20的发热从连接部 100传播至外部。即，NAND型闪速存储器10A、10B的发热传播至具有 第1高热传导部件6M1的标签部件7。传播到了该标签部件7的热经由所 接触的金属螺纹件12而被散热至第2基板8。另外，存储控制器20所产 生的热通过第2基板被散热。也即是，控制器20的发热传播到具有第2 高热传导部件6M2的标签部件7。传播到了该标签部件7的热经由与标签 部件7接触的第2基板8、或者安装于第2基板8的连接器，热被散热至 第2基板8。传播到了第1高热传导部件6M1的NAND型闪速存储器10A、 10B的发热与传播到了第2高热传导部件6M2的存储控制器20的发热之 间的传播由低热传导部件5的一部分相互地抑制。
第1实施方式涉及的存储系统1A例如遵循作为计算机的内置扩展卡 的标准的M.2标准。存储系统1A的第1基板4的尺寸按照M.2标准，例 如Y方向的宽度为22mm，X方向的长度大约为30mm、42mm、80mm、 110mm。在该情况下，对于标签部件7的尺寸，Y方向的宽度大约为20mm， X方向的长度大约为28mm、40mm、75mm、100mm即可。
(第1实施方式的效果)
根据第1实施方式，通过具有贴合于第1基板4的第2面4b的标签 部件的构造，能够使所产生的热适当地扩散或者抑制热的传播，能够提供 改善了散热性能的存储系统1A。
第1实施方式的存储系统1A具备：具有第1工作容许温度T1的第1 半导体器件10A、10B、具有第2工作容许温度T2的第2半导体器件20 以及标签部件7。具有不同的器件构造的第1半导体器件10A、10B和第2 半导体器件20各自产生的热通过具有第1高热传导部件6M1和第2高热 传导部件6M2的标签部件7对向外部的散热部位进行控制，由此，能够积 极地进行散热。
(第2实施方式)
图4A是第2实施方式涉及的存储系统1B的俯视图。图4B是沿着图 4A的IV-IV线的剖视图。另外，图4C是沿着图4A的V-V线的剖视图。
第2实施方式涉及的存储系统1B与第1实施方式同样地具备第1基 板4、作为第1半导体器件的一个例子的NAND型闪速存储器10A、10B、 作为第2半导体器件的一个例子的存储控制器20以及标签部件7。在存储 系统1B中，如图4B和图4C所示，标签部件7配置在第1基板4的第1 面4a侧。
如图4B和图4C所示，第1高热传导部件6M1配置在NAND型闪速 存储器10A、10B的作为Z方向的正方向的上方。
第2高热传导部件6M2配置在存储控制器20的作为Z方向的正方向 的上方。
在第2实施方式涉及的存储系统1B中，也具备具有按区域而不同的 热传导率的标签部件7。由此，在配置有存储控制器20的区域中，通过第 2高热传导部件6M2积极地使热扩散。另外，在配置有NAND型闪速存 储器10A、10B的区域中，通过低热传导部件5的一部分抑制从第2高热 传导部件6M2的受热，并且，通过第1高热传导部件6M1积极地使热扩 散。
(存储系统的搭载构造)
图5是将第2实施方式涉及的存储系统1B搭载于主机设备的状态的 剖视图。
第2实施方式涉及的存储系统1B与第1实施方式同样地能够经由连 接部100与主机设备连接来进行通信。另外，存储系统1B能够经由槽部 15H进一步与主机设备连接。主机装置的构成与第1实施方式是同样的。
如图5所示，存储系统1B经由槽部15H通过金属螺纹件12安装于第 2基板8。金属螺纹件12经由设置于存储系统1B的第1基板4的槽部15H 和设置于第2基板8的螺纹切口13，将第1基板4和第2基板8连接。第 1高热传导部件6M1的一部分在与槽部15H对应的标签部件7的一部分的 内壁露出。进一步，成为主机装置的基准电位(接地电位)的布线的一部 分在螺纹切口13的内壁露出。
这样，标签部件7的第1高热传导部件6M1经由金属螺纹件12与第 2基板8热连接。
存储系统1B经由连接部100与安装于第2基板8的连接器连接。由 此，安装于第2基板8的连接器和标签部件7接触，能够将它们热连接。
第1实施方式涉及的存储系统1B能够经由第1高热传导部件6M1和 金属螺纹件12使NAND型闪速存储器10A、10B的发热传播到第2基板8。 另外，能够经由第2高热传导部件6M2使存储控制器20的发热从其上部、 连接部100等散热到外部。
(第2实施方式的效果)
根据第2实施方式，通过贴合于第1基板4的第1面4a的标签部件7， 能够使所产生的热适当地扩散，能够提供改善了散热性能的存储系统。
(第3实施方式)
图6A是第3实施方式涉及的存储系统1C的俯视图。另外，图6B是 沿着图6A的VI-VI线的剖视图。
如图6A所示，第3实施方式涉及的存储系统1C具备第1基板4、多 个第1半导体器件10、第2半导体器件20、电源用功率管理集成电路 (PMIC：Power Management IntegratedCircuits)24、动态随机访问存 储器(DRAM：Dynamic Random Access Memory)25、标签部件7A以及 金属螺纹件15A～15D。
如图6B所示，多个第1半导体器件10配置在第1基板4的第1面4a 侧。
各第1半导体器件10例如是NAND型闪速存储器。第1半导体器件 10具有第1工作容许温度T1。在这以后的说明中，将第1半导体器件10 也称为NAND型闪速存储器10。
第2半导体器件20配置在第1基板4的第1面4a侧。第2半导体器 件20具有比第1工作容许温度T1高的第2工作容许温度T2。
第2半导体器件20是对各NAND型闪速存储器10进行控制的存储控 制器。在这以后的说明中，将第2半导体器件20也称为存储控制器20。
PMIC24和DRAM25配置在第1基板4的第1面4a侧。PMIC24向 第1半导体器件10和第2半导体器件20供给电源。DRAM25在第2半导 体器件20对第1半导体器件10进行控制时，被作为工作存储器来使用。
标签部件7A具有第1高热传导部件6M1、第2高热传导部件6M2、 第3高热传导部件6M3以及低热传导部件5。第1高热传导部件6M1使 多个NAND型闪速存储器10的发热进行扩散。第2高热传导部件6M2使 存储控制器20的发热进行扩散。第3高热传导部件6M3使PMIC24的发 热进行扩散。低热传导部件5的一部分抑制NAND型闪速存储器10的发 热与存储控制器20的发热之间的热传导。另外，低热传导部件5的一部分 抑制NAND型闪速存储器10的发热与PMIC24的发热之间的热传导。标 签部件7A具有按区域而不同的热传导率。
如图6B所示，标签部件7A配置在第1基板4的第1面4a侧。如图 6A或者6B所示，第1高热传导部件6M1配置在多个NAND型闪速存储 器10的作为Z方向的正方向的上方。第2高热传导部件6M2配置在存储 控制器20的作为Z方向的正方向的上方。第3高热传导部件6M3配置在 PMIC24的作为Z方向的正方向的上方。
第3实施方式涉及的存储系统1C与存储系统1A、B同样地具备具有 如下构造的标签部件7A，该构造是具有按区域而不同的热传导率的构造。 由此，存储系统1C在配置有存储控制器20的区域中通过第2高热传导部 件6M2积极地使热扩散。另外，存储系统1C在配置有NAND型闪速存 储器10A、10B的区域中通过低热传导部件5的一部分抑制从第2高热传 导部件6M2和第3高热传导部件6M3的受热，并且，通过第1高热传导 部件6M1积极地使热扩散。进一步，在配置有PMIC24的区域中，通过 低热传导部件5的一部分抑制从第1高热传导部件6M1和第2高热传导部 件6M2的受热，并且，通过第3高热传导部件6M3积极地使热扩散。
(存储系统的构成例)
图6C是表示第3实施方式涉及的存储系统1C的一个例子的立体图。 存储系统1C例如是SSD(Solid State Drives，固态硬盘)。第3实施方式 涉及的存储系统1C满足与2.5英寸型的SSD的形状有关的FF(Form Factor)的标准。存储系统1C包括由第1外壳(上壳体)30U和第2外壳 (下壳体)30D形成的壳体30。
如图6A所示，第1高热传导部件6M1经由金属螺纹件15A、15B与 壳体30连接。
第2高热传导部件6M2经由金属螺纹件15C与壳体30连接。
第3高热传导部件6M3经由金属螺纹件15D与壳体30连接。
存储系统1C具备的NAND型闪速存储器10、存储控制器20以及 PMIC24中产生的热，通过上述的标签部件7A而热传播至存储系统1的 构成部件、第1外壳(上壳体)30U、第2外壳(下壳体)30D，在那里被 进行散热。
其结果，能够将NAND型闪速存储器10的温度维持在适于工作的温 度范围内，保证存储系统1C的良好的工作。此外，在容纳于壳体30的第 1基板4上安装的NAND型闪速存储器10、存储控制器20、PMIC24以 及DRAM25的布局是一个例子，可以根据所需要的存储容量、存储系统 1C的外壳的大小等来适当地进行变更。另外，也可以在壳体30中容纳有 多个第1基板4。
(第3实施方式的效果)
根据第3实施方式，通过贴合于第1基板4的第1面4a的标签部件， 能够使所产生的热适当地扩散，能够提供改善了散热性能的存储系统。
(第4实施方式)
图7A是第4实施方式涉及的存储系统1D的俯视图。另外，图7B是 沿着图7A的VII-VII线的剖视图。
第4实施方式涉及的存储系统1D具备第1基板4、第1半导体器件 10、第2半导体器件20、PMIC24、DRAM25、标签部件7A以及金属螺 纹件15A～15D。
如图7B所示，第1半导体器件10配置在第1基板4的第1面4a侧。
各第1半导体器件10例如具备NAND型闪速存储器。第1半导体器 件10具有第1工作容许温度T1。在这以后的说明中，将第1半导体器件 10也称为NAND型闪速存储器10。
第2半导体器件20配置在第1基板4的第1面4a侧。第2半导体器 件20具有比第1工作容许温度T1高的第2工作容许温度T2。
第2半导体器件20是对各NAND型闪速存储器10进行控制的存储控 制器。在这以后的说明中，将第2半导体器件20也称为存储控制器20。
PMIC24和DRAM25配置在第1基板4的第1面4a侧。
标签部件7A具有第1高热传导部件6M1、第2高热传导部件6M2、 第3高热传导部件6M3以及低热传导部件5。第1高热传导部件6M1使 来自NAND型闪速存储器10的发热进行扩散。第2高热传导部件6M2使 来自存储控制器20的发热进行扩散。第3高热传导部件6M3使来自 PMIC24的发热进行扩散。低热传导部件5的一部分抑制NAND型闪速存 储器10与存储控制器20之间的热传导。另外，低热传导部件5的一部分 抑制NAND型闪速存储器10与PMIC24之间的热传导。标签部件7A具 有按区域而不同的热传导率。
如图7B所示，标签部件7A配置在第1基板4的与第1面4a相对向 的第2面4b侧。
如图7B所示，第1高热传导部件6M1配置在多个NAND型闪速存储 器10的作为Z方向的负方向的下方。
第2高热传导部件6M2配置在存储控制器20的作为Z方向的负方向 的下方。
第3高热传导部件6M3配置在PMIC24的作为Z方向的负方向的下 方。
第4实施方式涉及的存储系统1D与存储系统1A～1C同样地具备具 有按区域而不同的热传导率的标签部件7A。由此，存储系统1D在配置有 存储控制器20的区域中通过第2高热传导部件6M2积极地使热扩散。另 外，存储系统1D在配置有NAND型闪速存储器10A、10B的区域中通过 低热传导部件5的一部分抑制从第2高热传导部件6M2和第3高热传导部 件6M3的受热，并且，通过第1高热传导部件6M1积极地使热扩散。进 一步，在配置有PMIC24的区域中通过低热传导部件5的一部分抑制从第 1高热传导部件6M1和第2高热传导部件6M2的受热，并且，通过第3 高热传导部件6M3积极地使热扩散。
第4实施方式涉及的存储系统1D能够与图6C同样地作为SSD装置 来构成。存储系统1D包括由第1外壳(上壳体)30U和第2外壳(下壳 体)30D形成的壳体30。
如图7A所示，第1高热传导部件6M1经由金属螺纹件15A、15B与 壳体30连接。
第2高热传导部件6M2经由金属螺纹件15C与壳体30连接。
第3高热传导部件6M3经由金属螺纹件15D与壳体30连接。
存储系统1D所包括的NAND型闪速存储器10、存储控制器20以及 PMIC24中产生的热，通过标签部件7A热传播至存储系统1D的构成部件、 第1外壳(上壳体)30U、第2外壳(下壳体)30D，在那里被进行散热。
(第4实施方式的效果)
根据第4实施方式，通过贴合于第1基板4的第2面4b的标签部件 7A，能够使所产生的热适当地扩散，能够提供改善了散热性能的存储系统。
(第5实施方式)
图8A是第5实施方式涉及的存储系统1E的剖视图。另外，图8B是 应用于第5实施方式涉及的存储系统1E的标签部件7B的俯视图。另外， 图8C是将第5实施方式涉及的存储系统1E作为SSD装置来构成的剖视 图。
第5实施方式涉及的存储系统1E具备第1基板4M和配置在第1基 板4M的作为Z方向的正方向的上方的第1基板4D。有时第1基板4M例 如被称为母板，第1基板4D被称为子板。
第1基板4M具有第1面4Ma和与第1面4Ma相对向的第2面4Mb。 在第1基板4M的第1面4Ma侧配置有多个NAND型闪速存储器10和存 储控制器20。另外，在第1基板4M的第2面4Mb侧配置有多个NAND 型闪速存储器10。
第1基板4D具有第1面4Da和与第1面4Da相对向的第2面4Db。 在第1基板4D的第1面4Da侧配置有多个NAND型闪速存储器10，在 第1基板4D的第2面4Db侧也配置有多个NAND型闪速存储器10。
在第1基板4M与第1基板4D之间配置有标签部件7B。
另外，在第1基板4M与第1基板4D之间配置有将第1基板4M和 第1基板4D之间电连接的连接器9M、9D。连接器9M配置在第1基板 4M的第1面4Ma侧，连接器9D配置在第1基板4D的第2面4Db侧。 配置于第1基板4M的多个NAND型闪速存储器10与配置于第1基板4D 的存储控制器20之间的信号传递以及第1基板4M与第1基板4D之间的 电力传递经由连接器9M、9D来实施。
标签部件7B具有第1高热传导部件6M1、第2高热传导部件6M2以 及低热传导部件5。如图8B所示，标签部件7B具有空洞部19。在第1基 板4M与第1基板4D之间配置有标签部件7B的状态下，在空洞部19配 置有连接器9M、9D。第1高热传导部件6M1使NAND型闪速存储器10 的发热进行扩散。第2高热传导部件6M2使存储控制器20的发热进行扩 散。
如图8A所示，第1高热传导部件6M1配置在配置于第1基板4M的 第1面4Ma侧的NAND型闪速存储器10的作为Z方向的正方向的上方。 另外，如图8A所示，第1高热传导部件6M1配置在配置于第1基板4D 的第2面4Db侧的NAND型闪速存储器10的作为Z方向的负方向的下方。
如图8A所示，第2高热传导部件6M2配置在配置于第1基板4M的 第1面4Ma侧的存储控制器20的作为Z方向的正方向的上方。另外，如 图8A所示，第2高热传导部件6M2配置在配置于第1基板4D的第1面 4Da侧的NAND型闪速存储器10的作为Z方向的负方向的下方。
(存储系统的构成例)
如图8C所示，存储系统1E包括由第1外壳(上壳体)30U和第2外 壳(下壳体)30D形成的壳体30。
第1高热传导部件6M1的一部分与第1外壳(上壳体)30U接触。另 外，第2高热传导部件6M2的一部分与第1外壳(上壳体)30U接触。
存储系统1E具备的NAND型闪速存储器10、存储控制器20中产生 的热，通过上述的标签部件7B被传播至存储系统1E的构成部件、第1外 壳(上壳体)30U、第2外壳(下壳体)30D，在那里被进行散热。
其结果，能够将NAND型闪速存储器10的温度维持在适于工作的温 度范围内，保证存储系统1E的良好的工作。
(第5实施方式的效果)
根据第5实施方式，通过贴合在多个第1基板(4D、4M)之间的标 签部件7B，能够适当地使所产生的热进行扩散，能够提供改善了散热性能 的存储系统。
(标签部件的变形例)
(变形例1)
图9是实施方式的变形例1涉及的标签部件7C的俯视图。
如图9所示，实施方式的变形例1涉及的标签部件7C具备多个高热 传导部件6和多个低热传导部件5。多个高热传导部件6在X方向上延伸。 另外，多个低热传导部件5也在X方向上延伸。如图9所示，多个高热传 导部件6和多个低热传导部件5在Y方向上交替地配置。因此，实施方式 的变形例1涉及的标签部件7C在X方向上热传导性高，在Y方向上热传 导性低。
(变形例1的效果)
实施方式的变形例1涉及的标签部件7C通过相互区别地平行配置多 个高热传导部件和多个低热传导部件，能够使之具有在X方向上热传导性 高、在与X方向垂直的Y方向上热传导性低的特性，能够对热传导的方向 性进行控制。
(变形例2)
高热传导部件6不需要为一层，也可以多层化。另外，不需要在全部 层为相同形状。也可以采用如下构成：使高热传导部件6为多层构造，使 各层的高热传导部件6的大小(或者范围或者面积)不同。
图10的(a)是实施方式的变形例2涉及的标签部件7D的剖视图。
如图10的(a)所示，实施方式的变形例2涉及的标签部件7D具备 多个高热传导部件61、62、63和低热传导部件5。如图10的(a)所示， 多个高热传导部件61、62、63在Z方向上夹着低热传导部件5而层叠化。 另外，在高热传导部件61的Z方向的正方向和高热传导部件63的Z方向 的负方向上也配置有低热传导部件5。
多个高热传导部件61、62、63在X方向(或者Y方向)上延伸。例 如如图10的(a)所示，多个高热传导部件61、62、63的在X方向上延 伸的长度不同。
图10的(b)是表示与图10的(a)对应的X方向的各位置的Z方向 上的热传导率TC的分布的状况的示意图。
如图10的(b)所示，实施方式的变形例2涉及的标签部件7D在存 在三层高热传导部件61、62、63的范围X＝0～X1、X6～XM中为热传导 率TC＝TC1。在存在两层高热传导部件61、62的范围X＝X1～X2、X5～ X6中，热传导率TC比TC1低。在X＝X2和X5时，TC＝TC2。在存在一层高热传导部件61的范围X＝X2～X3、X4～X5中，热传导率TC进一 步降低。在不存在高热传导部件的范围X＝X3～X4中，热传导率TC＝ TC0。TC0的值比TC2更小。
(变形例2的效果)
在实施方式的变形例2涉及的标签部件7D中，通过对相互层叠的多 个高热传导部件的某方向的长度、大小、面积或者范围进行调整，能够对 热传导率TC的分布进行调整。
(变形例3)
图11的(a)是实施方式的变形例3涉及的标签部件7E的剖视图。
如图11的(a)所示，实施方式的变形例3涉及的标签部件7E具备 多个高热传导部件61、62、63和低热传导部件5。如图11的(a)所示， 多个高热传导部件61、62、63在Z方向上夹着低热传导部件5而层叠化。 另外，在高热传导部件61的Z方向的正方向和高热传导部件63的Z方向 的负方向上也配置有低热传导部件5。
另外，多个高热传导部件61、62、63在X方向(或者Y方向)上延 伸。例如如图11的(a)所示，多个高热传导部件61、62、63的在X方 向上延伸的长度不同。与变形例2的不同点在于，高热传导部件61在X ＝0～XM的范围中在X方向上连续地延伸。其他构成与变形例2是同样 的。
图11的(b)是表示与图11的(a)对应的X方向的各位置的Z方向 上的热传导率TC的分布的状况的示意图。
如图11的(b)所示，实施方式的变形例3涉及的标签部件7E在存 在三层高热传导部件61、62、63的范围X＝0～X1、X6～XM中为热传导 率TC＝TC1。在存在两层高热传导部件61、62的范围X＝X1～X2、X5～ X6中，热传导率TC比TC1低。在X＝X2和X＝X5时，TC＝TC2。在存在一层高热传导部件61的范围X＝X3～X4中，热传导率TC进一步降 低。在图11的(b)中，由虚线表示的热传导率TC对应于变形例2中的 热传导率TC的分布，由实线表示的热传导率TC对应于变形例3中的热 传导率TC的分布。在存在一层高热传导部件61的范围X＝X3～X4中， 变形例3的热传导率TC比变形例2上升ΔTC。
(变形例3的效果)
在实施方式的变形例3涉及的标签部件7E中，通过对相互层叠的多 个高热传导部件的某方向的长度、大小、面积或者范围进行调整，能够对 热传导率TC的分布进行调整。
(存储系统的构成)
接着，对实施方式涉及的存储系统的块的构成进行说明。
图12是实施方式涉及的存储系统1的框图。实施方式涉及的存储系统1作为SSD来构成。如图12所示，存储系统1具备多个NAND型闪速存 储器10、DRAM25、存储控制器20以及PMIC24。存储系统1能够与主 机装置2连接。
NAND型闪速存储器10是能够以非易失的方式存储数据的非易失性 存储器，能够分别独立地工作。此外，NAND型闪速存储器10的个数不 被特别地限定，可以设计为任意的个数。NAND型闪速存储器10和存储 控制器20经由多个通道连接。作为NAND型闪速存储器以外的非易失性 存储器，可以应用NOR型闪速存储器、电阻变化存储器(ReRAM：ResistiveRandom Access Memory)、相变化存储器(PCM：Phase-Change Memory)、 铁电体存储器(FeRAM：Ferroelectric Random Access Memory)、磁隧道 结(MTJ：Magneto TunnelJunction)电阻变化元件。
DRAM25是能够暂时性地存储数据的易失性存储器。此外，存储系统 1具备的易失性存储器的个数可以设计为任意的个数。另外，易失性存储 器不限定于DRAM。例如作为易失性存储器，也可以使用SRAM(Static Random Access Memory，静态随机访问存储器)等。
存储控制器20能够对NAND型闪速存储器10和DRAM25命令各种 工作。另外，存储控制器20能够执行基于来自外部的主机设备2的命令的 工作和不依赖于来自主机设备2的命令的工作。
PMIC24经由电源线52向存储控制器20供给所需要的电源。PMIC24 经由电源线50向NAND型闪速存储器10和DRAM25供给所需要的电源。 PMIC24例如具备DC-DC转换器、LDO(Low Drop Output，低压差输出) 稳压器、开关稳压器(regulator)等。
如图12所示，存储控制器20例如具备CPU(Central Processing Unit， 中央处理单元)21、内置存储器(RAM：Random Access Memory，随机 访问存储器)22、主机I/F电路23、NAND I/F电路26以及DRAM I/F电 路27。存储控制器20的构成不过是一个例子，不限定于此。
CPU21对存储控制器20整体的工作进行控制。例如，CPU21对从主 机设备2接收到的读出命令进行响应而发出读出命令，向NAND I/F电路26发送所发出的命令。
内置存储器22是被作为CPU21的工作区域来使用的存储区域。例如， 在内置存储器22中展开有用于对NAND型闪速存储器10进行管理的参 数、各种管理表等。例如，内置存储器22保持从主机设备2接收到的命令 的等待队列(命令队列)。另外，内置存储器22保持地址变换表，该地址 变换表用于将与被从主机设备2要求了写入的数据关联的逻辑地址变换为 NAND型闪速存储器10的物理块地址(PBA：Physical Block Address)。 该地址变换表例如保存于NAND型闪速存储器10，在存储系统1的启动 时被读出并被展开到内置存储器22。作为内置存储器22，例如可使用 SRAM等易失性存储器。
主机I/F电路23与主机设备2连接，负责存储系统1与主机设备2之 间的通信。例如，主机I/F电路23在存储系统1与主机设备2之间对数据、 命令以及地址的传送进行控制。主机I/F电路23例如支持SATA、SAS、 PCIe(注册商标)等的通信I/F标准。也即是，作为与存储系统1连接的 主机设备2，例如可举出包括SATA、SAS、PCIe等的I/F的计算机等。
NAND I/F电路26与NAND型闪速存储器10连接，负责存储控制器 20与NAND型闪速存储器10之间的通信。NAND I/F电路26基于NAND I/F标准来构成。
DRAM I/F电路27与DRAM25连接，负责存储控制器20与DRAM25 之间的通信。DRAMI/F电路27基于DRAMI/F标准来构成。此外，DRAM I/F电路27的构成不限定于此，能够基于易失性存储器的种类来进行变更。
(电子设备)
图13是表示实施方式涉及的电子设备2的一个例子的立体图。电子设 备2是主机设备2中的一个例子，例如是个人计算机。实施方式涉及的存 储系统1例如容纳于键盘32的跟前侧的掌托34下的内部空间。在存储系 统1的第1基板4上例如安装有NAND型闪速存储器10A、10B和存储控 制器20。
实施方式涉及的电子设备2具备与主机设备2接口连接的存储系统1。 存储系统1具备第1基板4、作为第1半导体器件的一个例子的第1电子 部件10A、10B、作为第2半导体器件的一个例子的第2电子部件20以及 标签部件7。第1电子部件10A、10B配置在第1基板4的第1面侧，具 有第1工作容许温度。第2电子部件配置在第1基板4的第1面侧，具有 比第1工作容许温度高的第2工作容许温度。标签部件7具备第1高热传 导部件、第2高热传导部件以及低热传导部件，贴合于第1基板4，该第1 高热传导部件是使来自第1电子部件的发热进行扩散的第1部分的一个例 子，该第2高热传导部件是使来自第2电子部件20的发热进行扩散的第2 部分的一个例子，该低热传导部件是对第1电子部件10A、10B与第2电 子部件20之间的热传导进行抑制的第3部分的一个例子。
存储系统1所包括的存储控制器20中产生的热，通过上述的标签部件 7经由电子设备2的构成部件进行散热，通过由内置于电子设备2侧的风 扇产生的气流，从电子设备2的排气口(未图示)与排气一起进行排出。 其结果，能够将NAND型闪速存储器10A、10B的温度维持在适于工作的 温度范围内，能够保证电子设备2的良好的工作。
此外，在容纳于电子设备2的存储系统1的第1基板4上安装的NAND 型闪速存储器10A、10B和存储控制器20的布局是一个例子。该布局可以 根据对存储系统1所要求的存储容量、电子设备2中的存储系统1的搭载 空间的大小等来适当地进行变更。另外，也可以在电子设备2中容纳多个 存储系统1。另外，在容纳于电子设备2的存储系统1也可以应用上述的 第1实施方式～第5实施方式涉及的存储系统1、1A、1B、1C、1D、1E 中的任一存储系统。另外，作为标签部件，也可以使用实施方式涉及的标 签部件7(图1A和图1B)、实施方式的变形例涉及的标签部件7A、7B、 7C、7D、7E(图6～图7、图8、图9、图10、图11)。
以上对本发明的几个实施方式进行了说明，但这些实施方式是作为例 子提示的，并不是意在限定发明的范围。这些新的实施方式能够以其他各 种各样的方式来实施，能够在不脱离发明的宗旨的范围内进行各种省略、 置换、变更。这些实施方式及其变形包含在发明的范围、宗旨内，并且包 含在权利要求书所记载的发明及其等同的范围内。

Claims (9)

1.一种存储系统，具备：
第1基板，其具有第1面；
第1半导体器件，其配置在所述第1基板的所述第1面；
第2半导体器件，其配置在所述第1基板的所述第1面；以及
标签部件，其具有使来自所述第1半导体器件的发热进行扩散的第1部分、使来自所述第2半导体器件的发热进行扩散的第2部分以及配置在所述第1部分与所述第2部分之间且对所述第1部分的热与所述第2部分的热之间的热传导进行抑制的第3部分，
所述第1部分的第1热传导率和所述第2部分的第2热传导率均比所述第3部分的第3热传导率高。
2.根据权利要求1所述的存储系统，
所述标签部件配置在所述第1基板的所述第1面侧，
所述第1部分配置在与配置所述第1半导体器件的位置对应的位置，
所述第2部分配置在与配置所述第2半导体器件的位置对应的位置。
3.根据权利要求1所述的存储系统，
所述第1基板还具有与所述第1面相对向的第2面，
所述标签部件配置在所述第2面侧，
所述第1部分配置在与配置所述第1半导体器件的位置对应的位置，
所述第2部分配置在与配置所述第2半导体器件的位置对应的位置。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的存储系统，还具备：
壳体；和
金属螺纹件，其与所述壳体连接，
所述第1部分经由所述金属螺纹件连接于所述壳体。
5.根据权利要求1～3中任一项所述的存储系统，具备：
第2基板，其夹着所述标签部件与所述第1基板相对向；和
连接器，其将所述第1基板和所述第2基板连接。
6.根据权利要求1～3中任一项所述的存储系统，
所述第1基板还具有第1端部和形成于所述第1端部的槽部，
所述存储系统还具备：
第2基板，其与所述第1基板不同；和
金属螺纹件，其经由所述槽部将所述第1基板和所述第2基板连接，
所述第1部分经由所述金属螺纹件与所述第2基板连接。
7.根据权利要求6所述的存储系统，
所述第1基板还具有与所述第1端部不同的第2端部和配置在所述第2端部的连接器，
所述第2部分与所述连接器接近地配置。
8.根据权利要求1～3中任一项所述的存储系统，
所述第1半导体器件包括NAND型闪速存储器，所述第2半导体器件包括对所述NAND型闪速存储器进行控制的存储控制器。
9.一种标签部件，安装于具备第1半导体器件和第2半导体器件的基板，该标签部件具备：
第1部分，其在所述基板中配置在与配置所述第1半导体器件的位置对应的位置；
第2部分，其在所述基板中配置在与配置所述第2半导体器件的位置对应的位置；以及
第3部分，其配置在所述第1部分与所述第2部分之间，对所述第1部分的热与所述第2部分的热之间的热传导进行抑制，
所述第1部分的第1热传导率和所述第2部分的第2热传导率均比所述第3部分的第3热传导率高。
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