CN115103738A - Cmp中的温度和浆体流动速率控制 - Google Patents

Cmp中的温度和浆体流动速率控制 Download PDF

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Abstract

本案提供一种化学机械抛光系统，包括用于将抛光液分配至抛光垫上的抛光端口，以及用于控制抛光液至端口的流动速率的液体流动控制器，用于控制抛光垫的温度的温度控制系统，以及控制系统。控制系统被配置成获得基准去除速率、基准温度和基准抛光液流动速率。存储将去除速率与抛光液流动速率和温度相关的函数。函数用于确定减小的抛光液流动速率和调整后的温度，使得所得去除速率不低于基准去除速率。控制液体流动控制器来以减小的抛光液流动速率分配抛光液并控制温度控制系统，使得抛光处理达到调整后的温度。

Description

CMP中的温度和浆体流动速率控制
技术领域
本公开关于化学机械抛光(chemical mechanical polishing；CMP)中抛光垫的温度和抛光液(例如浆体)的流动速率的组合控制。
背景技术
集成电路通常通过在半导体晶片上连续沉积导电层、半导体层或绝缘层而形成于基板上。各种各样的制造工艺要求对基板上的层进行平坦化。例如，一个制造步骤涉及在非平面表面上沉积填料层并抛光此填料层，直到暴露图案化层的顶表面或保留期望厚度的层。平坦化还可用于实现后续光刻步骤。
化学机械抛光(CMP)为一种公认的平坦化方法。此平坦化方法通常需要将基板安装在承载头上。基板的暴露表面通常靠着旋转的抛光垫放置。承载头对基板提供可控负载以将基板抵靠住抛光垫。将抛光液(通常为具有研磨颗粒的浆体)供应至抛光垫的表面。
抛光处理中的去除速率可能会对温度敏感。已经提出了用于在抛光期间控制温度的各种技术。
发明内容
在一个方面中，化学机械抛光系统包括：平台，用于支撑抛光垫；承载头，用于将基板保持与抛光垫接触；电动机，用于在平台与承载头之间产生相对运动；抛光液输送系统，包括用于将抛光液分配在抛光垫上的端口以及在端口与抛光液供应器之间的流动线中的液体流动控制器，液体流动控制器用于控制抛光液至端口的流动速率；温度控制系统，用于控制抛光垫的温度；以及控制系统，耦接至液体流控制器和阀。控制系统被配置成获得基准去除速率值，获得基准温度值和基准抛光液流动速率值，存储将去除速率与抛光液流动速率和温度相关的函数，使用此函数确定减小的抛光液流动速率值和调整后的温度值，使得所得去除速率值等于或大于基准去除速率值，以及控制液体流动控制器以按减小的抛光液流动速率值分配抛光液，以及控制温度控制系统使得抛光处理温度达到调整后的温度值。
实施方式可包括以下中的一项或多项。
温度控制系统可为加热系统，例如平台中电阻加热器、被定位以将热引导至抛光垫上的加热灯、或将除了抛光液之外的加热流体输送至抛光垫上的分配器中的一个或多个。温度控制系统可为冷却系统，例如延伸穿过平台的冷却剂通道、平台上的热电冷却器、或将除了抛光液之外的冷却剂流体输送至抛光垫上的分配器中的一个或多个。
可能的优点包括但不限于以下一项或多项。
诸如浆体的抛光液至抛光垫的流动速率可减小，同时保持去除速率。抛光液的使用量更少，耗材成本和整体运行成本降低。
在附图和下面的描述中阐述了一个或多个实施方式的细节。其他方面、特征和优点将从说明书和附图，以及权利要求中变得显而易见。
附图说明
图1A为抛光设备的抛光站的示例的示意剖视图。
图1B为化学机械抛光设备的示例抛光站的示意俯视图。
图2图示了显示作为流动速率和温度的函数的去除速率的实验结果。
具体实施方式
化学机械抛光系统的所有权总成本取决于抛光工具的初始投资成本和抛光过程中使用的耗材(例如，抛光液)的成本。特别地，在CMP中使用的抛光液(例如，研磨浆体)对总成本的贡献特别大。然而，不能简单地任意降低抛光液的流动速率，因为这会降低去除速率，从而降低吞吐量。例如，在一些金属抛光处理中，将浆体流动速率降低30％将导致去除速率下降10％，从而导致吞吐量下降约10％。
化学机械抛光通过在基板、抛光液与抛光垫之间的界面上进行机械研磨和化学蚀刻的组合来操作。由于化学机械抛光部分地取决于化学反应，因此抛光处理为一种取决于温度的处理。因而，CMP处理中大多数薄膜材料的去除速率与处理温度有关。
一种可用于降低抛光液消耗同时保持所需吞吐量的技术是更改抛光处理的温度，以补偿或抵偿由于抛光液流动速率降低而导致的去除速率降低。
图1A和图1B图示化学机械抛光系统的抛光站20的示例。抛光站20包括抛光垫30位于其上的可旋转碟形平台24。平台24可操作以围绕轴25旋转(见图1B中的箭头A)。例如，电动机22可转动驱动轴28，以旋转平台24。抛光垫30可为具有外抛光层34和较软的背衬层32的双层抛光垫。
抛光站20可包括抛光液供应系统50，用于将诸如研磨浆体的抛光液52通过端口54分配至抛光垫30上。抛光液供应系统50可包括臂56，臂56由基座58支撑以在平台24上方延伸。端口54可位于壁56的末端。端口54可通过液体流控制器60耦接至抛光液供应器62，例如保存抛光液的储集器或储罐。抛光液可为研磨浆体。
承载头70可操作以将基板10保持抵靠抛光垫30。承载头70悬挂在支撑结构72上(例如旋转料架或轨道)，并通过驱动轴74连接到承载头旋转电动机76，以便承载头可以绕轴71旋转。可选地，承载头70可以通过沿轨道移动，或者通过旋转料架本身的旋转振动，而横向振动，例如，在旋转料架上的滑块上横向振动。
承载头70可包括柔性膜80和多个可加压腔室82，柔性膜80具有基板安装表面以接触基板10背侧，多个可加压腔室82用于向基板10上的不同区域(例如，不同径向区域)施加不同压力。承载头70可包括用于保持基板的挡圈84。
在操作中，平台围绕其中心轴25旋转，并且承载头围绕其中心轴71旋转(见图1B中的箭头B)并且跨抛光垫30的顶面横向平移(见图1B中的箭头C)。
抛光站20还可以包括具有调节碟92的垫调节器90，调节碟92由调节器头93保持在调节器臂94的末端。调节碟92可用于保持抛光垫30的表面粗糙度。
在一些实施方式中，抛光站20包括温度传感器64，用于监测抛光站或抛光站的/中的部件的温度，例如，抛光垫30和/或抛光垫上的浆体38的温度。例如，温度传感器64可为红外(infrared；IR)传感器，例如IR照相机，其位于抛光垫30上方并且被配置成测量抛光垫30和/或抛光垫上的浆体38的温度。特别地，温度传感器64可被配置成沿着抛光垫30的半径测量多个点处的温度，以便产生径向温度分布图。例如，IR照相机可以具有跨越抛光垫30的半径的视场。
在一些实施方式中，温度传感器为接触式传感器而不是非接触式传感器。例如，温度传感器64可为放置在平台24上或中的热电偶或IR温度计。此外，温度传感器64可与抛光垫直接接触。
在一些实施方式中，多个温度传感器可以跨抛光垫30间隔开在不同径向位置处，以便在沿着抛光垫30的半径的多个点处提供温度。本技术可以替代IR照相机使用或同时使用本技术和IR照相机。
尽管在图1A中示出了被定位以监测抛光垫30和/或抛光垫30上的浆体38的温度，但是温度传感器64可以位于承载头70内以量测基板10的温度。温度传感器64可以与基板10的半导体晶片直接接触(即，接触式传感器)。在一些实施方式中，在抛光站22中包括多个温度传感器，例如，用于测量抛光站的/中的不同部件的温度。
抛光系统20还包括温度控制系统100，用于控制抛光垫30和/或抛光垫上的浆体38的温度。温度控制系统100通过将温度受控介质输送至抛光垫30的抛光表面36(或输送至已经存在于抛光垫上的抛光液)上来运行。温度控制系统可为加热系统102和/或冷却系统104。加热系统102通过输送热流体(例如，热水或蒸汽)来运行。冷却系统102通过输送冷却剂(例如，冷水或空气)来运行。
介质可通过流经输送臂上的孔(例如，由一个或多个喷嘴提供的孔或槽)来输送。孔可以由连接至加热介质源的歧管提供。
一个示例加热系统102包括臂110，臂110在平台24和抛光垫30上方从抛光垫的边缘延伸到抛光垫30的中心或至少靠近抛光垫30的中心(例如，在抛光垫总半径的5％范围内)。臂110可由基座112支撑，并且基座112可支撑在与平台24相同的框架40上。基座112可包括一个或多个致动器，例如用于升高或降低臂110的线性致动器和/或用于使臂110在平台24上方横向摆动的旋转致动器。臂110被定位以避免与其他硬件部件(诸如抛光头70、垫调节碟92、抛光液分配臂56和冷却剂输送臂130)发生碰撞。
在臂110的底面中形成多个开口114。每个开口114被配置成将加热流体(例如，气体或蒸气，例如蒸汽)引导到抛光垫30上。开口可为喷嘴116，其将喷射器118中的加热流体引导到抛光垫30上。
各种开口114可以将加热流体引导到抛光垫30上的不同径向区域上。相邻的径向区域可以重叠。可选地，开口1144中的一些可以被定向，使得从那些开口的喷射的中心轴相对于抛光面36处于倾斜角度。加热流体可以从开口141中的一个或多个被引导，以在由平台24的旋转引起的冲击区域中在与抛光垫30的运动方向相反的方向上具有水平分量。
尽管图1B示出了以均匀间隔隔开的开口114，但这不是必需的。喷嘴116可以沿径向或角度或两者非均匀地分配。例如，开口114可以朝向抛光垫30的中心更密集地聚集。作为另一个示例，开口114可以在与抛光液39通过浆体输送臂39输送到抛光垫30的半径相对应的半径处更密集地聚集。此外，尽管图1B示出了九个开口，但可以有更多或更少的开口数目。
臂110可由基座112支撑，使得开口114与抛光垫30之间分离一间隙。间隙可为0.5至5mm。特别地，可以选择间隙，使得加热流体的热量在流体到达抛光垫之前不会显著地消散。例如，可以选择间隙，使得从开口发射的蒸汽在到达抛光垫之前不会冷凝。
加热系统104可以包括热流体源120，并且源120可以通过流动通过可控阀122的流体通道而连接到臂110。源120可为蒸汽产生器，例如，在其中煮沸水以产生蒸汽气体的容器。通道可以由穿过固体主体的管子、管道或通道中的一者或多者提供。
加热流体可以与另一种气体(例如空气)或液体(例如热水)混合，或者加热流体可为基本上纯的蒸汽。在一些实施方式中，其他化学物质被添加至加热流体中。
假设使用蒸汽，当(例如，在流体源120中)产生蒸汽时，蒸汽的温度可为90至200℃。当蒸汽通过开口116分配时，例如由于运输过程中的热损失，蒸汽的温度可以在90至150℃之间。在一些实施方式中，蒸汽在70-100℃(例如，80-90℃)的温度下由开口116输送。在一些实施方式中，喷嘴输送的蒸汽过热，即处于高于沸点的温度。
抛光系统20还可以包括冷却系统104。冷却系统104的构造可以类似于上述加热系统102，臂130由基座132支撑，并且具有孔134、源140以及通过可控阀142将源140连接至臂的流体通道。然而，源140为冷却剂流体源，并且冷却系统104例如在喷射器138中将冷却剂流体分配到抛光垫30上。
冷却剂流体可为一种液体，例如20℃或以下的水、20℃或以下的气体或液体与气体的混合物。例如，冷却剂流体可为带有雾化水滴的空气。开口可以由喷嘴提供，并且喷嘴可为收敛-发散式喷嘴，使得冷却剂流体通过流动通过喷嘴而被进一步冷却。在一些实施方式中，液体组分通过穿过喷嘴的温度下降而固化，例如，当冷却剂流体被喷到抛光垫上时，冷却剂流体可包括冰晶。
抛光系统还可以包括高压冲洗系统，例如，带有喷嘴的臂，用于将冲洗液喷射到抛光垫上，以及将抛光液38均匀分配在抛光垫30上的刮刀片或主体。
抛光系统20还包括控制器200，用于控制各种部件(例如，抛光液输送系统50和温度控制系统100)的操作。控制器200可以被配置成接收来自温度传感器64的温度量测值。控制器200可将测得的温度与目标温度进行比较，并且控制阀122和/或142以控制加热流体和/或冷却剂到抛光垫30上的流动速率以实现目标温度。
可以结合设置期望温度和抛光液的流动速率，以实现期望去除速率，同时降低抛光液的消耗。
为了确定合适的温度，获得了将去除速率与抛光液流动速率和温度相关的数据。例如，可以以各种抛光液流动速率和温度抛光一个或多个测试基板，并且测量每对条件(保持其他抛光参数不变)下的去除速率。此数据可以储存在查找表(lookup table；LUT)中，其中去除速率是流动速率(例如，作为列)与温度(例如，作为行)的函数。
图2图示了抛光测试基板的实验结果。曲线202所连接的点显示了当温度不受温度控制系统调节，并且达到约40-50℃的温度(由于摩擦产生的热量)时，在抛光测试基板上的金属层期间，在若干浆体流动速率下测得的去除速率。由曲线204连接的点显示了当温度控制系统将温度调节至约65℃时，在抛光测试基板上的金属层期间，在不同浆体流动速率下测得的去除速率。例如，在250cc/分的流动速率下，将温度调节并升高至65℃会将去除速率从约
Figure BDA0003800393190000071
/分增加至约
Figure BDA0003800393190000072
/分。
如虚线208所示，若抛光处理已在约45℃和350cc/分的流动速率下运行，则将抛光处理的温度升高至65℃会允许流动速率降低至200cc/分，同时保持相同的去除速率，即浆体消耗减少约43％。
尽管图2仅示出了两个温度和三个流动速率，但是可以测试更大量的温度和/或流动速率，以提供将去除速率与流动速率和温度相关的数据。此数据被转换成或提供一个函数，其中去除速率是两个变量，即，温度与流动速率的函数。例如，数据可以保存在控制器中的LUT中，并且给定三个值中的两个(例如，温度和流动速率，或者温度和去除速率，或者流动速率和去除速率)。控制器可以在最近的数据点之间执行线性插值以计算第三个值。或者，函数，例如多变量多项式，可以拟合数据。
通常，由于化学反应的速率随着温度的升高而增大，因此在许多抛光操作中，去除速率会随着温度的升高而增大。例如，在典型的金属抛光处理中，去除速率随着温度的升高而增加。因此，储存在控制器中的函数可以包括去除速率随温度升高而增加(例如单调增加)的范围。因此，下面描述的利用随温度升高的去除速率的技术可与金属层(例如，铜、钨、钴等)的抛光一起使用。另一方面，存在一些抛光处理(例如，一些氧化物材料的抛光)，其中去除速率随温度升高而降低。在这种情况下，存储在控制器中的函数可以包括去除速率随温度升高而减小(例如单调减小)的范围。因此，下面描述的利用随温度增加而降低的去除速率的技术可以与氧化层(例如，氧化硅)的抛光一起使用。
返回图1A和图1B，控制系统200可以存储或接收抛光配方，其包括表示基准去除速率、基准温度、基准抛光液流速和基准抛光时间中的一个或多个的数据。在正常操作模式下，控制算法可以设置机器控制参数，使得抛光系统在整个抛光操作过程中按基准温度和基准流动速率运行。例如，控制系统200可以使用来自温度传感器的反馈来控制阀122或142以控制加热或冷却流体到抛光垫上的分配速率，从而实现基准温度。类似地，控制系统200可以控制液体流动速率控制器60，以便按基准流动速率分配抛光液。如有必要，控制系统200可修改其他机器参数，例如，由承载头施加的压力，以实现基准抛光速率和/或基准抛光时间。
然而，控制系统200还可以被配置成选择抛光操作的至少一部分，在此部分期间，抛光液流动速率将从基准流动速率降低，但温度将被修改为使得所得去除速率保持等于基准去除速率或相对于基准去除速率增加。在一些实施方式中，抛光操作的部分基本上对应于体抛光操作，即，在底层暴露之前如此。在一些实施方式中，在开始抛光之后，所选部分从设定点(设定时间或总预期抛光时间的设定百分比)开始。或者，所选部分可在抛光操作开始时开始。在一些实施方式中，在预期抛光终点之前，所选部分在设定点(设定时间或总预期抛光时间的设定百分比)处结束。确定预期终点可考虑下文论述的调整抛光速率和抛光时间。或者，所选部分可扩展至操作结束，例如，在由时间确定或由基于原位监测系统的终点侦测确定。
为了确定更改后的温度和流动速率，控制系统200可选择修改后的温度T控制。特别地，使用上述多变量函数，控制器200可以找到修改后的温度TMOD，在当前基准流动速率FR0下，温度TMOD将去除速率从基准去除速率RR0增加到修改后的去除速率RRT-MOD。例如，控制器可以尝试最大化基准流动速率FR0的去除速率。这可能受到各种限制，例如，操作员安全性或温度控制系统的温度范围容量。控制器可以计算由修改后的温度T控制导致的去除速率的增加。去除速率增加的范围可为1-100％。
随后，控制系统200可以计算最大流动速率减小量，使得由此导致的去除速率减小量不大于由修改后的温度导致的去除速率增加量。使用上述多变量函数，控制系统可以找到所得到的去除RRT,FR-MOD等于或大于基准去除速率RR0的减小的抛光液流动速率FRT-MOD。抛光液流动速率的减小范围可为1-99％，例如15-60％。
为了去除相同目标量的层，可以将总基准抛光时间调整为例如，TMOD＝T0*RR0/RRT-MOD(假设温度控制应用于整个抛光操作)。
温度受控CMP处理中的总浆体消耗量(SCMOD)为FRT-MOD*TMOD，低于基准浆体消耗量SC0＝FR0*T0。通过温度受控的CMP处理提供的总浆体节省百分比为SCMOD/SC0。
在一些情况下，温度受控CMP处理的去除速率可低于基准去除速率，前提是(i)温度受控处理中的总浆体消耗量仍然低于基准浆体消耗量，并且(ii)整个CMP工具的吞吐量没有受到负面影响。
作为确定修改后的温度和流动速率的替代方法，控制系统可以确定减少的抛光流动速率，基于第二个函数计算减小的抛光流动速率导致的去除速率减小量，并根据第一个函数计算最小温度变化，以补偿去除速率减小量。
控制系统200及其功能操作可以在数字电子电路系统、有形体现的计算机软件或固件、计算机硬件或它们中的一个或多个的组合中实现。计算机软件可以实现为一个或多个计算机程序，即编码在有形非暂时性存储介质上的计算机程序指令的一个或多个模块，用于由数据处理设备的处理器执行或控制其操作。电子电路系统和数据处理设备可以包括通用可编程处理器、可编程数字处理器和/或多个数字处理器或计算机，以及专用逻辑电路系统，例如FPGA(现场可编程门阵列)或ASIC(专用集成电路)。
对于“被配置成”执行特定操作或动作的控制系统，意味着系统在其上安装了软件、固件、硬件或它们的组合，这些软件、固件、硬件或组合在运行中导致系统执行操作或动作。对于被配置成执行特定操作或动作的一个或多个计算机程序，意味着此一个或多个程序包括当由数据处理装置执行时使装置执行操作或动作的指令。
已经描述许多实施例。但是，应当理解，可以进行各种修改。因此，其他实施例落在以下权利要求的范围内。

Claims (23)

1.一种化学机械抛光系统，包括：
平台，用于支撑抛光垫；
承载头，用于保持基板与所述抛光垫接触；
电动机，用于在所述平台与所述承载头之间产生相对运动；
抛光液输送系统，包括用于将抛光液分配至所述抛光垫上的端口以及在所述出口与抛光液供应器之间的流动线中的液体流动控制器，所述液体流动控制器用于控制所述抛光液到所述端口的流动速率；
温度控制系统，包括在所述平台上方延伸的臂以及在喷嘴与蒸汽出口之间的流动线中的阀，所述臂具有至少一个开口以将除所述抛光液外的加热或冷却流体输送到所述抛光垫上，所述阀用于将所述喷嘴与所述蒸汽出口可控地连接和断开；以及
控制系统，耦接至所述液体流动控制器和所述阀，所述控制系统被配置成：
获得基准去除速率值，
获得基准温度值和基准抛光液流动速率值，
存储将去除速率与抛光液流动速率和温度相关的函数，
使用所述函数，确定减小的抛光液流动速率值和调整后的温度值，使得所得去除速率值等于或大于所述基准去除速率值，以及
控制所述液体流动控制器，以按所述减小的抛光液流动速率值分配所述抛光液，并且控制所述阀以控制所述加热流体或冷却流体的流动，使得抛光处理温度达到所述调整后的温度值。
2.如权利要求1所述的系统，包括被定位以测量所述抛光垫的温度的温度传感器，并且其中所述控制器被配置成接收温度测量值并且控制所述加热流体或冷却流体的流动速率以实现所述调整后的温度值。
3.如权利要求1所述的系统，其中所述控制器被配置成确定减小的抛光流动速率，基于所述函数计算由所述减小的抛光流动速率导致的去除速率的减小量，并基于所述函数计算最小温度变化，以补偿所述去除速率的减小量。
4.如权利要求3所述的系统，其中用于计算所述去除速率的减小量的所述指令包括用于计算去除速率的减小百分比的指令。
5.如权利要求1所述的系统，其中所述控制器被配置成确定修改后温度，基于所述函数计算由所述修改后温度导致的去除速率的增加量，以及基于所述函数计算最大流动速率减小量，使得所得去除速率的减小量不大于由所述修改后温度导致的所述去除速率的增加量。
6.如权利要求5所述的系统，其中用于计算所述去除速率的增加量的所述指令包括用于计算去除速率的增加百分比的指令。
7.如权利要求1所述的系统，其中所述函数包括去除速率随着温度的升高而单调增加的温度范围。
8.如权利要求1所述的系统，其中所述函数包括去除速率随着温度的升高而单调降低的温度范围。
9.如权利要求1所述的系统，其中所述函数包括存储在查找表中的值。
10.如权利要求9所述的系统，其中所述控制器被配置成通过所述查找表中的所述值之间的线性插值来计算去除速率的变化。
11.如权利要求1所述的系统，温度控制系统包括被配置成将加热流体分配至所述抛光垫上的加热系统。
12.如权利要求11所述的系统，其中所述加热流体包括蒸汽。
13.如权利要求1所述的系统，温度控制系统包括被配置成将冷却剂分配至所述抛光垫上的冷却系统。
14.如权利要求13所述的系统，其中所述开口包括喷嘴，所述喷嘴被配置成随着所述冷却剂通过所述喷嘴而降低所述冷却剂的温度。
15.一种化学机械抛光系统，包括：
平台，用于支撑抛光垫；
承载头，用于保持基板与所述抛光垫接触；
电动机，用于在所述平台与所述承载头之间产生相对运动；
抛光液输送系统，包括用于将抛光液分配至所述抛光垫上的端口以及在所述出口与抛光液供应器之间的流动线中的液体流动控制器，所述液体流动控制器用于控制所述抛光液在所述端口处的流动速率；
温度控制系统，用于控制所述抛光垫的温度；以及
控制系统，耦接至所述液体流动控制器和所述阀，所述控制系统被配置成：
获得基准去除速率值，
获得基准温度值和基准抛光液流动速率值，
存储将去除速率与抛光液流动速率和温度相关的函数，
使用所述函数，确定减小的抛光液流动速率值和调整后的温度值，使得所得去除速率值等于或大于所述基准去除速率值，以及
控制所述液体流动控制器，以按所述减小的抛光液流动速率值分配所述抛光液，并且控制所述温度控制系统使得抛光处理温度达到所述调整后的温度值。
16.如权利要求15所述的系统，其中所述温度控制系统包括加热系统。
17.如权利要求16所述的系统，其中所述加热系统包括所述平台中的电阻加热器、被定位以将热引导至所述抛光垫上的加热灯或将除了所述抛光液之外的加热流体输送至所述抛光垫上的分配器中的一个或多个。
18.如权利要求15所述的系统，其中所述温度控制系统包括冷却系统。
19.如权利要求18所述的系统，其中所述冷却系统包括延伸穿过所述平台的冷却剂通道、所述平台上的热电冷却器、或用于将除了所述抛光液之外的冷却剂流体输送至所述抛光垫上的分配器中的一个或多个。
20.如权利要求15所述的系统，包括被定位以测量所述抛光垫的温度的温度传感器，并且其中所述控制器被配置成接收温度测量值，并控制所述温度控制系统以实现所述调整后的温度值。
21.如权利要求15所述的系统，其中所述控制器被配置成确定减小的抛光流动速率，基于所述函数计算由所述减小的抛光流动速率导致的去除速率的减小量，并基于所述函数计算最小温度变化，以补偿所述去除速率的减小量。
22.如权利要求15所述的系统，其中所述控制器被配置成确定修改后温度，基于所述函数计算由所述修改后温度导致的去除速率的增加量，以及基于所述函数计算最大流动速率减小量，使得所得去除速率的减小量不大于由所述修改后温度导致的所述去除速率的增加量。
23.一种计算机程序产品，包括具有导致一个或多个处理器进行以下步骤的非暂时性计算机可读介质：
获得抛光处理的基准去除速率值；
获得所述抛光处理的基准温度值和基准抛光液流动速率值；
存储将去除速率与抛光液流动速率和温度相关的函数；
使用所述函数，确定减小的抛光液流动速率值和调整后的温度值，使得所得去除速率值等于或大于所述基准去除速率值；
控制液体流动控制器以按所述减小的抛光液流动速率将抛光液分配至抛光垫上，以及控制温度控制系统使得抛光处理温度达到所述调整后的温度值。
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