CN115060044A - 应用于cmp的干燥单元优化方法及干燥单元 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种应用于CMP的干燥单元优化方法及干燥单元，属于半导体制造领域。采用本发明提供的一种应用于CMP的干燥单元优化方法，在CMP作业过程中，通过改进壳体的挡板结构来增加进风，即通过设置的进气结构来增加壳体内的气体流动，从而实现增氧效果，进而在快速上量阶段，避免缺氧造成的产生SiO2小球的问题，从而提高品控效果，减少返厂率。
Description
技术领域
本发明实施例涉及半导体制造领域，特别涉及一种应用于CMP的干燥单元优化方法及干燥单元。
背景技术
化学机械抛光(CMP)是集成电路制造过程中实现晶圆表面平坦化的关键工艺。CMP工艺是通过表面化学作用和机械研磨的技术结合来实现晶圆表面不同材料的去除，从而达到晶圆表面纳米级平坦化，使下一步的光刻工艺得以进行。
对于CMP的作业过程，晶圆干进干出，其中起到干燥作用的主要是干燥单元。然而随着快速上量，品质出现问题，返厂率很高,检查结果主要表示存在规格为原型的SiO2小球。
究其原因是由于CMP清洗单元所使用的化学剂大量存在NH4OH,在快速上量中，铵根离子在清洗单元富集而此时反应气体不足，导致产生SiO2小球。
发明内容
本发明实施例提供了一种应用于CMP的干燥单元优化方法及干燥单元，能够解决相关技术中CMP作业过程由于气体不足产生SiO2小球的问题。所述技术方案如下：
一方面，本发明实施例提供了一种应用于CMP的干燥单元优化方法，所述方法包括：
壳体内，通过Spin Dry结构对晶圆进行吹干处理；
根据所述壳体内的气体流动场，控制进气结构的开闭，其中，所述进气结构设置于所述壳体的挡板处。
可选的，所述根据所述壳体内的气体流动场，控制进气结构的开闭，包括：
响应于所述气体流动场内含氧量低于预设阈值，控制所述进气结构打开。
可选的，所述进气结构设有网格板；
所述响应于所述气体流动场内含氧量低于预设阈值，控制所述进气结构打开，包括：
响应于所述气体流动场内含氧量低于预设阈值，控制所述网格板打开。
可选的，所述网格板还配有控制件；
所述响应于所述气体流动场内含氧量低于预设阈值，控制所述网格板打开，包括：
响应于所述气体流动场内含氧量低于预设阈值，通过所述控制件操控所述网格板打开。
另一方面，本发明实施例提供了一种应用于CMP的干燥单元，所述应用于CMP的干燥单元由上述优化方法得到，所述干燥单元包括：壳体、Spin Dry结构和进气结构；
所述壳体内形成气体流动场；所述Spin Dry结构位于所述壳体内，所述Spin Dry结构用于干燥作用；所述进气结构设置于所述壳体的挡板处，且所述进气结构为所述壳体增加腔体进风量。
可选的，所述进气结构设有网格板，所述网格板用于打开后进风。
可选的，所述网格板还配有控制件，所述控制件用于操控所述网格板开闭。
本发明的带来的技术效果：
采用本发明提供的一种应用于CMP的干燥单元优化方法及干燥单元，在CMP作业过程中，通过改进壳体的挡板结构来增加进风，即通过设置的进气结构来增加壳体内的气体流动，从而实现增氧效果，进而在快速上量阶段，避免缺氧造成的产生SiO2小球的问题，从而提高品控效果，减少返厂率。
附图说明
图1示出了发明示例性实施例示出的应用于CMP的干燥单元优化方法的流程示意图。
图2示出了图1对应的一种干燥单元的结构示意图；
图3示出了本发明示例性实施例示出的一种进气结构的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。
在本文中提及的“多个”是指两个或两个以上。“和/或”，描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。字符“/”一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
实施例1
请参考图1，其示出了本发明示例性实施例示出的一种应用于CMP的干燥单元优化方法的流程示意图，图2示出了图1对应的一种干燥单元的结构示意图。该方法包括：
步骤101，壳体内，通过Spin Dry结构对晶圆进行吹干处理。
如图2所示，对应的干燥单元包括壳体201、Spin Dry结构202和进气结构203。壳体201内形成气体流动场；Spin Dry结构202位于壳体201内，Spin Dry结构202用于干燥作用。
步骤102，根据壳体内的气体流动场，控制进气结构的开闭，其中，进气结构设置于壳体的挡板处。
如图2所示，进气结构203设置于壳体的挡板处，且进气结构203为壳体201增加腔体进风量。
综上所述，采用本发明提供的一种应用于CMP的干燥单元优化方法及干燥单元，在CMP作业过程中，通过改进壳体的挡板结构来增加进风，即通过设置的进气结构来增加壳体内的气体流动，从而实现增氧效果，进而在快速上量阶段，避免缺氧造成的产生SiO2小球的问题，从而提高品控效果，减少返厂率。
实施例2
请参考图3，其示出了本发明示例性实施例示出的一种进气结构的结构示意图，在本申请实施例中，对进气结构作进一步的阐述。
可选的，步骤101进一步阐述为：
响应于气体流动场内含氧量低于预设阈值，控制进气结构打开。
在一种可能的实施方式中，考虑长期打开进气结构会影响清洁和干燥效果，根据气体流动场内含氧量来决策是否打开进气结构。
如图3所示，进气结构203设有网格板301，则步骤101还可以进一步阐述为：
响应于气体流动场内含氧量低于预设阈值，控制网格板打开。
如图3所示，网格板301还配有控制件302，则步骤101还可以进一步阐述为：
响应于气体流动场内含氧量低于预设阈值，通过控制件操控网格板打开。
在本申请实施例中，进一步阐述了进气结构的内容，考虑长期打开进气结构会影响清洁和干燥效果，根据气体流动场内含氧量来决策是否打开进气结构，使得在解决产生SiO2小球问题同时，也不影响清洁和干燥的品质。
以上所述仅为本发明的可选实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (7)
1.一种应用于CMP的干燥单元优化方法，其特征在于，所述方法包括：
壳体内，通过Spin Dry结构对晶圆进行吹干处理；
根据所述壳体内的气体流动场，控制进气结构的开闭，其中，所述进气结构设置于所述壳体的挡板处。
2.根据权利要求1所述的应用于CMP的干燥单元优化方法，其特征在于，所述根据所述壳体内的气体流动场，控制进气结构的开闭，包括：
响应于所述气体流动场内含氧量低于预设阈值，控制所述进气结构打开。
3.根据权利要求2所述的应用于CMP的干燥单元优化方法，其特征在于，所述进气结构设有网格板；
所述响应于所述气体流动场内含氧量低于预设阈值，控制所述进气结构打开，包括：
响应于所述气体流动场内含氧量低于预设阈值，控制所述网格板打开。
4.根据权利要求3所述的应用于CMP的干燥单元优化方法，其特征在于，所述网格板还配有控制件；
所述响应于所述气体流动场内含氧量低于预设阈值，控制所述网格板打开，包括：
响应于所述气体流动场内含氧量低于预设阈值，通过所述控制件操控所述网格板打开。
5.一种应用于CMP的干燥单元，其特征在于，所述应用于CMP的干燥单元由上述权利要求1至4优化得到，所述干燥单元包括：壳体、Spin Dry结构和进气结构；
所述壳体内形成气体流动场；所述Spin Dry结构位于所述壳体内，所述Spin Dry结构用于干燥作用；所述进气结构设置于所述壳体的挡板处，且所述进气结构为所述壳体增加腔体进风量。
6.根据权利要求5所述的应用于CMP的干燥单元，其特征在于，所述进气结构设有网格板，所述网格板用于打开后进风。
7.根据权利要求6所述的应用于CMP的干燥单元，其特征在于，所述网格板还配有控制件，所述控制件用于操控所述网格板开闭。
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| CN113105865A (zh) * | 2021-03-22 | 2021-07-13 | 长江存储科技有限责任公司 | 晶圆研磨颗粒、抛光液及清洗系统 |
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2022
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