CN114994994A - 液晶显示面板和液晶显示面板制备方法 - Google Patents
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Abstract
本申请提供一种液晶显示面板和液晶显示面板制备方法，涉及液晶显示技术领域，其中，液晶显示面板包括相对设置的阵列基板和彩膜基板，以及位于阵列基板和彩膜基板之间的液晶层；其中，阵列基板包括显示区和非显示区，非显示区中位于衬底基板上的第一金属层上方设置有钝化层，钝化层上方设置有辅助金属层，辅助金属层上方设置有绝缘层；阵列基板的侧面设置有金属片，金属片连接第一金属层和辅助金属层。本申请提供的技术方案可以提高TFT‑LCD的充电率。
Description
技术领域
本申请涉及液晶显示技术领域，尤其涉及一种液晶显示面板和液晶显示面板制备方法。
背景技术
随着液晶显示技术的不断成熟，薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film TransistorLiquid Crystal Display，TFT-LCD)被越来越广泛地应用于各个领域。
对于TFT-LCD来说，刷新率的提升能够显著提升显示的流畅度，从而提升用户的观感，因此，高刷新率的显示器是液晶显示技术领域的一个重要研究分支。
TFT-LCD的刷新率越高，各行像素的充电时间就越短，即，越高刷新率的TFT-LCD就需要越高的充电率，因此，如何提高TFT-LCD的充电率是一个需要解决的问题。
发明内容
有鉴于此，本申请提供一种液晶显示面板和液晶显示面板制备方法，用于提高TFT-LCD的充电率。
为了实现上述目的，第一方面，本申请实施例提供一种液晶显示面板，包括：
相对设置的阵列基板和彩膜基板，以及位于所述阵列基板和所述彩膜基板之间的液晶层；
其中，所述阵列基板包括显示区和非显示区，所述非显示区中位于衬底基板上的第一金属层上方设置有钝化层，所述钝化层上方设置有辅助金属层，所述辅助金属层上方设置有绝缘层；
所述阵列基板的侧面设置有金属片，所述金属片连接所述第一金属层和所述辅助金属层。
作为本申请实施例一种可选的实施方式，所述第一金属层和所述辅助金属层的材质相同。
作为本申请实施例一种可选的实施方式，所述金属片与所述第一金属层的材质相同。
作为本申请实施例一种可选的实施方式，所述金属片覆盖所述阵列基板的至少两个侧面。
作为本申请实施例一种可选的实施方式，所述金属片的外侧设置有散热片。
作为本申请实施例一种可选的实施方式，所述金属片嵌设在所述散热片上。
作为本申请实施例一种可选的实施方式，所述散热片通过导热胶与所述金属片连接。
作为本申请实施例一种可选的实施方式，所述第一金属层和所述辅助金属层的侧边均与所述衬底基板的侧边齐平。
作为本申请实施例一种可选的实施方式，所述显示区中位于所述衬底基板上的第一金属层上方设置有钝化层，所述钝化层上方设置有辅助金属层，所述辅助金属层上方设置有绝缘层，所述显示区中的第一金属层与所述非显示区中的第一金属层或辅助金属层电连接，所述显示区中的辅助金属层与所述非显示区中的第一金属层或辅助金属层电连接。
第二方面，本申请实施例提供一种液晶显示面板制备方法，包括：
在衬底基板上依次形成第一金属层和第一钝化层，并在所述第一钝化层上形成辅助金属层；
在所述辅助金属层上依次形成绝缘层、有源层、欧姆接触层和第二金属层；
对所述第二金属层、所述欧姆接触层和所述有源层进行刻蚀后，在所述第二金属层上依次形成第二钝化层和像素电极层；
将所述衬底基板和彩膜基板对盒形成液晶盒；
切割所述液晶盒，使所述第一金属层和所述辅助金属层的侧边均与所述衬底基板的侧边齐平；
在切割后的所述液晶盒的侧面设置金属片，所述金属片分别与所述第一金属层和所述辅助金属层连接。
本申请实施例提供的液晶显示面板和液晶显示面板制备方法，包括相对设置的阵列基板和彩膜基板，以及位于阵列基板和彩膜基板之间的液晶层；其中，阵列基板包括显示区和非显示区，非显示区中位于衬底基板上的第一金属层上方设置有钝化层，钝化层上方设置有辅助金属层，辅助金属层上方设置有绝缘层；阵列基板的侧面设置有金属片，金属片连接第一金属层和辅助金属层。上述方案中，阵列基板的非显示区的第一金属层上方设置有钝化层，钝化层的上方设置有辅助金属层，第一金属层和辅助金属层通过阵列基板外侧的金属片互相连通，这样就可以增大第一金属层的厚度，也就是增大第一金属层的横截面积，从而降低第一金属层的阻抗，提高TFT-LCD的充电率。
附图说明
图1为本申请实施例提供的液晶显示面板的结构示意图；
图2为本申请实施例提供的阵列基板的结构示意图；
图3为本申请实施例提供的一种液晶显示器的结构示意图；
图4为本申请实施例提供的另一种液晶显示器的结构示意图；
图5为本申请实施例提供的金属片与散热片的连接关系示意图；
图6为本申请实施例提供的液晶显示面板制备方法的流程示意图；
图7-a到图7-f为图6中步骤S110到S170的流程结构示意图。
附图标记说明：
1-阵列基板； 2-彩膜基板；
3-液晶层； 4-印刷电路板；
5-覆晶薄膜； 6-间隔物；
1A-显示区； 1B-非显示区；
111-衬底基板； 112-第一金属层；
113-第一钝化层； 114-辅助金属层；
115-绝缘层； 116-有源层；
117-欧姆接触层； 118-第二金属层；
119-第二钝化层； 120-像素电极层；
121-金属片； 122-散热片；
1181源电极； 1182-漏电极；
1191-接触孔。
具体实施方式
图1为本申请实施例提供的液晶显示面板的结构示意图，如图1所示，本实施例提供的液晶显示面板可以包括：阵列基板1、彩膜基板2和液晶层3。
阵列基板1和彩膜基板2相对设置，液晶层3位于阵列基板1和彩膜基板2之间。
图2为本申请实施例提供的阵列基板的结构示意图，如图2所示，本实施例提供的阵列基板可以包括显示区1A和非显示区1B，其中，显示区1A可以包括：衬底基板111、第一金属层112、第一钝化层113、辅助金属层114、绝缘层115、有源层116、欧姆接触层117、第二金属层118、第二钝化层119以及像素电极层120。非显示区1B可以包括：衬底基板111、第一金属层112、第一钝化层113、辅助金属层114、绝缘层115、第二钝化层119以及位于阵列基板1侧面的金属片121。
阵列基板1的结构可以包括底栅结构、顶栅结构以及双栅结构等，本实施例以阵列基板1的结构为底栅结构为例进行示例性说明，即第一金属层112为栅极、第二金属层118为漏源金属层(包括源电极1181和漏电极1182)。
衬底基板111的材质可以是石英、玻璃、有机聚合物、硅、金属以及其他半导体材质。
首先对非显示区1B中的结构进行说明：
位于非显示区1B的第一金属层112和辅助金属层114连通，这样可以间接地增加第一金属层112的厚度，也就是增加第一金属层112的横截面积，减小第一金属层112的阻抗。另外，第一金属层112的厚度过厚，会增加其他层断线的风险，本实施例中，通过增加辅助金属层114的方式间接增加第一金属层112的厚度，相比于直接增加第一金属层112厚底的方式，能够降低第一金属层112的厚度对其他膜层断线风险的影响。
第一金属层112可以采用溅射工艺形成，第一金属层112可以是铝、钼、铜、银中的一种或多种，以上述材质形成的第一金属层112能够实现低阻抗、高附着的效果。
第一钝化层113设置在第一金属层112上方，第一钝化层113可以采用等离子体增强化学气相沉积工艺形成。第一钝化层113的材料有绝缘性质，第一钝化层113用于保护第一金属层112。
辅助金属层114设置在第一钝化层113上方，辅助金属层114可以采用溅射工艺形成，辅助金属层114可以是铝、钼、铜、银中的一种或多种，辅助金属层114和第一金属层可以采用相同的材质，以进一步降低第一金属层112的阻抗，辅助金属层114和第一金属层112也可以采用不同的材质，以降低成本。
绝缘层115设置在辅助金属层114上方。绝缘层115可以采用等离子体增强化学气相沉积工艺形成。
第二钝化层119覆盖绝缘层115，第二钝化层119可以采用等离子体增强化学气相沉积工艺形成，第二钝化层119用于保护下方的绝缘层115。
金属片121可以设置在阵列基板1的侧面，与第一金属层112和辅助金属层114连接，这样就可以通过简单的工艺使第一金属层112和辅助金属层114连通。
第一金属层112和辅助金属层114的侧边可以均与衬底基板111齐平，以方便金属片121能很好的绑定。
金属片121的材质可以包括铝、钼、铜、银中的一种或多种，其中，金属片121的材质可以与第一金属层112和辅助金属层114相同，以降低整体的阻抗；金属片121的材质也可以与第一金属层112和辅助金属层114不同，例如金属片121的材质可以是具有较好散热性质的青铜、黄铜或者铝合金等，这样就可以更好地散热，减小因TFT-LCD的温度过高而引起的关态电流(即漏电流)。
金属片121可以覆盖阵列基板1的多个侧面，以更好的传递第一金属层112和辅助金属层114的热量。图3和图4为本申请实施例提供的两种液晶显示器的结构示意图，如图3所示，为栅驱动集成类型的液晶显示器，印刷电路板(Printed Circuit Board，PCB)4通过覆晶薄膜(Chip On Flex，COF)5固定在阵列基板1的一侧，对应地，金属片121可以覆盖阵列基板1的另外三侧。如图4所示，为COF5类型的液晶显示器，PCB4通过COF5固定在阵列基板1的两侧，金属片121覆盖阵列基板1的另外两侧。
为更好的降低TFT-LCD的温度，金属片121的外侧还可以设置散热片122。为便于固定，散热片122可以直接固定在金属片121的外侧，金属片121也可以嵌设在散热片122中，使散热片122与金属片121的接触面积更大，这样可以更好的散热，图5为本申请实施例提供的金属片与散热片的连接关系示意图，如图5所示，金属片121可以嵌设在散热片122中部。
散热片122的材质可以是青铜、黄铜或者铝合金等。
散热片122可以通过导热胶和金属片121连接，以更好地传递热量。
散热片122可以覆盖在阵列基板1侧面的衬底基板111、绝缘层115和第二钝化层119上，通过增大与阵列基板1各层的接触面积，来更有效的降低TFT-LCD的温度。
散热片122还可以覆盖阵列基板1的多个侧面，以更好的散热。
下面对显示区1A中的结构进行说明：
显示区1A可以包括第一金属层112和辅助金属层114，第一金属层112可以与非显示区1B中的第一金属层112或辅助金属层114连通，辅助金属层114可以与非显示区1B中的第一金属层112或辅助金属层114连通，这样显示区1A的第一金属层112和辅助金属层114可以通过非显示区1B中相互连通的第一金属层112和辅助金属层114实现互相连通，从而就可以间接地增加显示区1A的第一金属层112的厚度，减小显示区1A中第一金属层112的阻抗，进一步降低第一金属层112的厚度对其他膜层断线风险的影响。
对于显示区1A中的第一金属层112和辅助金属层114，可以是第一金属层112与非显示区1B中的第一金属层112连通，显示区1A中的辅助金属层114与非显示区1B中的辅助金属层114连通；也可以是显示区1A的第一金属层112和辅助金属层114均与非显示区1B的第一金属层112连通，或者，显示区1A的第一金属层112和辅助金属层114均与非显示区1B的辅助金属层114112连通。
第一钝化层113可以采用等离子体增强化学气相沉积工艺形成。第一钝化层113用于保护第一金属层112。
绝缘层115、有源层116和欧姆接触层117依次设置在辅助金属层114112上。
绝缘层115、有源层116和欧姆接触层117可以采用等离子体增强化学气相沉积工艺形成。
欧姆接触层117的材质可以是三氢化磷掺杂的氢化非晶硅或者其他半导体材质，使用上述材质形成的欧姆接触层117，可以使有源层116与第二金属层118的金属电极之间形成良好的欧姆接触，降低有源层116与第二金属层118之间的接触电阻，提高电子的传输速率。
第二金属层118位于欧姆接触层117上方，第二金属层118可以包括源电极1181和漏电极1182，源电极1181和漏电极1182之间可以形成沟道区。
第二金属层118可以采用溅射工艺形成，第二金属层118的材质可以包括铝、钼、铜、银中的一种或多种，以上述材质形成的第二金属层118能够实现低阻抗、高附着的效果。
第二钝化层119覆盖绝缘层115、有源层116、欧姆接触层117和第二金属层118，第二钝化层119可以采用等离子体增强化学气相沉积工艺形成，第二钝化层119用于保护下方的绝缘层115、有源层116、欧姆接触层117和第二金属层118。
像素电极层120可以采用溅射工艺，在第二钝化层119背离第二金属层118的表面形成金属薄膜，然后对金属薄膜进行曝光显影形成。
第二钝化层119上可以有暴露漏电极1182的接触孔1191，像素电极层120可以通过接触孔1191与漏电极1182连接。
下面对液晶显示面板的制备方法进行说明：
图6为本申请实施例提供的液晶显示面板制备方法的流程示意图，如图6所示，本申请实施例提供的液晶显示面板制备方法可以包括如下步骤：
S110、在衬底基板上依次形成第一金属层和第一钝化层，并在第一钝化层上形成辅助金属层。
具体地，可以如图7-a所示，在衬底基板111上采用溅射工艺形成第一金属层112，在第一金属层112上方通过等离子体增强化学气相沉积工艺形成第一钝化层113，在第一钝化层113上方采用溅射工艺形成辅助金属层114。
衬底基板111的材质可以是石英、玻璃、有机聚合物、硅、金属以及其他半导体材质。
第一金属层112和辅助金属层114的材质可以是铝、钼、铜、银中的一种或多种，以上述材质形成的第一金属能够实现低阻抗、高附着的效果。
第一金属层112和辅助金属层114的材质可以相同，以进一步降低第一金属层112的阻抗，第一金属层112和辅助金属层114的材质也可以不同，以降低成本。
在形成第一金属层112和辅助金属层114时，可以对第一金属层112和辅助金属层114进行图案化处理，具体可以采用包括涂布光刻胶、曝光、显影、湿刻、去除光刻胶等工艺的方式等对第一金属层112和辅助金属层114进行图案化处理。
在对第一金属层112和辅助金属层114进行图案化处理时，第一金属层112和辅助金属层114可以采用同一道光罩，以减少制备过程中的光罩数量，第一金属层112和辅助金属层114也可以采用不同的光罩，以使第一金属层112和辅助金属层114形成的图案不同。
S120、在辅助金属层上依次形成绝缘层、有源层、欧姆接触层和第二金属层。
具体地，可以如图7-b所示，在辅助金属层114112上依次层叠形成绝缘层115、有源层116、欧姆接触层117以及第二金属层118。
绝缘层115、有源层116和欧姆接触层117可以采用等离子体增强化学气相沉积工艺形成。
欧姆接触层117的材质可以是三氢化磷掺杂的氢化非晶硅或者其他半导体材质，使用上述材质形成的欧姆接触层117，可以使有源层116与第二金属层118的金属电极之间形成良好的欧姆接触，降低有源层116与第二金属层118之间的接触电阻，提高电子的传输速率。
第二金属层118可以采用溅射工艺形成，第二金属层118的材质可以包括铝、钼、铜、银中的一种或多种，以上述材质形成的第二金属层118能够实现低阻抗、高附着的效果。
在形成有源层116、欧姆接触层117和第二金属层118时，可以分别对有源层116、欧姆接触层117和第二金属层118进行图案化处理，使有源层116、欧姆接触层117和第二金属层118在显示区1A形成图案。
S130、对第二金属层、欧姆接触层和有源层进行刻蚀后，在第二金属层上依次形成第二钝化层和像素电极层。
具体地，可以如图7-c所示，在先对第二金属层118进行刻蚀，去除第二金属层118的中间区域，形成源电极1181和漏电极1182，然后对中间区域的欧姆接触层117和有源层116进行刻蚀，形成沟道区。
在对第二金属层118、欧姆接触层117和有源层116刻蚀后，可以采用等离子体增强化学气相沉积工艺在第二金属层118、欧姆接触层117、有源层116和绝缘层115的外侧形成第二钝化层119，第二钝化层119用于保护下方的绝缘层115、有源层116、欧姆接触层117和第二金属层118。
然后可以采用溅射工艺，在第二钝化层119背离第二金属层118的表面形成金属薄膜，然后可以采用图案化处理的方式形成像素电极层120，使像素电极层120在显示区1A形成图案。
第二钝化层119上可以有暴露漏电极1182的接触孔1191，以使像素电极层120可以通过接触孔1191与漏电极1182连通。
S140、将衬底基板和彩膜基板对盒形成液晶盒。
具体地，可以如图7-d所示，先在衬底基板111上欲形成边框(未示出)和间隔物6的位置涂布连续的纯热固化胶，纯热固化胶固定后形成挡墙结构和间隔物6，挡墙结构的高度和/或宽度可以分别根据欲形成的边框的高度和/或宽度来确定，挡墙结构主要用于防止后续注入的液晶扩散外漏。间隔物6主要用于支撑衬底基板111和彩膜基板2。
在挡墙结构固定后，可以在挡墙结构所围成的区域内注入液晶，形成液晶层3。
然后可以在彩膜基板2上欲形成边框的位置涂布纯热固化胶，纯热固化胶用来对边框进行密封。
在形成边框后，可以将衬底基板111和彩膜基板2对盒，并按压衬底基板111和彩膜基板2，使得液晶盒更好的密闭。
接着可以对对盒后的液晶盒抽真空，使得液晶层3中不存在气体，然后，对彩膜基板2上的纯热固化胶进行热固化操作，使得彩膜基板2上的纯热固化胶与挡墙结构整体固化在一起，从而形成密封良好的液晶盒边框。
S150、切割液晶盒，使第一金属层和辅助金属层的侧边均与衬底基板的侧边齐平。
具体地，可以根据液晶盒的边框位置，切割液晶盒，在切割时，可以使第一金属层112和辅助金属层114的侧边均与衬底基板111的侧边齐平，以方便后续金属片121能很好的绑定。
S160、在切割后的液晶盒的侧面设置金属片，金属片分别与第一金属层和辅助金属层连接。
具体地，可以如图7-e所示，通过纯热固化胶将金属片121固化在阵列基板1的侧面，金属片121可以和第一金属层112和辅助金属层114连接。
金属片121的材质可以包括铝、钼、铜、银中的一种或多种，金属片121的材质可以与第一金属层112和辅助金属层114相同，以降低整体的阻抗；金属片121的材质也可以与第一金属层112和辅助金属层114不同，例如金属片121的材质可以是具有较好散热性质的青铜、黄铜或者铝合金等，这样就可以吸收第一金属层112和辅助金属层114的热量，减小因TFT-LCD的温度过高而引起的关态电流。
金属片121可以覆盖阵列基板1的多个侧面，以更好的吸收第一金属层和辅助金属层114112的热量。
S170、在金属片外侧设置散热片。
为更好的降低TFT-LCD的温度，还可以在金属片的外侧设置散热片。
具体地，可以如图7-f所示，将金属片121嵌设在散热片122中部，并通过导热胶固定金属片121和散热片122。散热片122可以覆盖阵列基板1的外侧的衬底基板111、绝缘层115和第二钝化层119，这样可以通过增大散热片122与阵列基板1各层的接触面积，来更有效的降低TFT-LCD的温度。
金属片121可以覆盖阵列基板1的多个侧面，以更好的吸收第一金属层112和辅助金属层114的热量。
本申请实施例提供的液晶显示面板和液晶显示面板制备方案，包括相对设置的阵列基板和彩膜基板，以及位于阵列基板和彩膜基板之间的液晶层；其中，阵列基板包括显示区和非显示区，非显示区中位于衬底基板上的第一金属层上方设置有钝化层，钝化层上方设置有辅助金属层，辅助金属层上方设置有绝缘层；阵列基板的侧面设置有金属片，金属片连接第一金属层和辅助金属层。上述方案中，阵列基板的非显示区的第一金属层上方设置有钝化层，钝化层的上方设置有辅助金属层，第一金属层和辅助金属层通过阵列基板外侧的金属片互相连通，这样就可以增大第一金属层的厚度，也就是增大第一金属层的横截面积，从而降低第一金属层的阻抗，提高TFT-LCD的充电率。
在本申请中出现的对步骤进行的命名或者编号，并不意味着必须按照命名或者编号所指示的时间/逻辑先后顺序执行方法流程中的步骤，已经命名或者编号的流程步骤可以根据要实现的技术目的变更执行次序，只要能达到相同或者相类似的技术效果即可。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述或记载的部分，可以参见其它实施例的相关描述。
在本申请所提供的实施例中，应该理解到，所揭露的装置/设备和方法，可以通过其它的方式实现。例如，以上所描述的装置/设备实施例仅仅是示意性的，例如，所述模块或单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通讯连接可以是通过一些接口，装置或单元的间接耦合或通讯连接，可以是电性，机械或其它的形式。
应当理解，当在本申请说明书和所附权利要求书中使用时，术语“包括”指示所描述特征、整体、步骤、操作、元素和/或组件的存在，但并不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元素、组件和/或其集合的存在或添加。
在本申请的描述中，除非另有说明，“/”表示前后关联的对象是一种“或”的关系，例如，A/B可以表示A或B；本申请中的“和/或”仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况，其中A，B可以是单数或者复数。
并且，在本申请的描述中，除非另有说明，“多个”是指两个或多于两个。“以下至少一项”或其类似表达，是指的这些项中的任意组合，包括单项或复数项的任意组合。例如，a，b，或c中的至少一项，可以表示：a，b，c，a-b，a-c，b-c，或a-b-c，其中a，b，c可以是单个，也可以是多个。
如在本申请说明书和所附权利要求书中所使用的那样，术语“如果”可以依据上下文被解释为“当...时”或“一旦”或“响应于确定”或“响应于检测到”。类似地，短语“如果确定”或“如果检测到[所描述条件或事件]”可以依据上下文被解释为意指“一旦确定”或“响应于确定”或“一旦检测到[所描述条件或事件]”或“响应于检测到[所描述条件或事件]”。
另外，在本申请说明书和所附权利要求书的描述中，术语“第一”、“第二”、“第三”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的实施例能够以除了在这里图示或描述的内容以外的顺序实施。
在本申请说明书中描述的参在本申请说明书中描述的参考“一个实施例”或“一些实施例”等意味着在本申请的一个或多个实施例中包括结合该实施例描述的特定特征、结构或特点。由此，在本说明书中的不同之处出现的语句“在一个实施例中”、“在一些实施例中”、“在其他一些实施例中”、“在另外一些实施例中”等不是必然都参考相同的实施例，而是意味着“一个或多个但不是所有的实施例”，除非是以其他方式另外特别强调。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本申请的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本申请进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例技术方案的范围。
Claims (10)
1.一种液晶显示面板，其特征在于，包括：
相对设置的阵列基板和彩膜基板，以及位于所述阵列基板和所述彩膜基板之间的液晶层；
其中，所述阵列基板包括显示区和非显示区，所述非显示区中位于衬底基板上的第一金属层上方设置有钝化层，所述钝化层上方设置有辅助金属层，所述辅助金属层上方设置有绝缘层；
所述阵列基板的侧面设置有金属片，所述金属片连接所述第一金属层和所述辅助金属层。
2.根据权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于，所述第一金属层和所述辅助金属层的材质相同。
3.根据权利要求2所述的液晶显示面板，其特征在于，所述金属片与所述第一金属层的材质相同。
4.根据权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于，所述金属片覆盖所述阵列基板的至少两个侧面。
5.根据权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于，所述金属片的外侧设置有散热片。
6.根据权利要求5所述的液晶显示面板，其特征在于，所述金属片嵌设在所述散热片上。
7.根据权利要求5所述的液晶显示面板，其特征在于，所述散热片通过导热胶与所述金属片连接。
8.根据权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于，所述第一金属层和所述辅助金属层的侧边均与所述衬底基板的侧边齐平。
9.根据权利要求1-8所述的液晶显示面板，其特征在于，所述显示区中位于所述衬底基板上的第一金属层上方设置有钝化层，所述钝化层上方设置有辅助金属层，所述辅助金属层上方设置有绝缘层，所述显示区中的第一金属层与所述非显示区中的第一金属层或辅助金属层电连接，所述显示区中的辅助金属层与所述非显示区中的第一金属层或辅助金属层电连接。
10.一种液晶显示面板制备方法，其特征在于，包括：
在衬底基板上依次形成第一金属层和第一钝化层，并在所述第一钝化层上形成辅助金属层；
在所述辅助金属层上依次形成绝缘层、有源层、欧姆接触层和第二金属层；
对所述第二金属层、所述欧姆接触层和所述有源层进行刻蚀后，在所述第二金属层上依次形成第二钝化层和像素电极层；
将所述衬底基板和彩膜基板对盒形成液晶盒；
切割所述液晶盒，使所述第一金属层和所述辅助金属层的侧边均与所述衬底基板的侧边齐平；
在切割后的所述液晶盒的侧面设置金属片，所述金属片分别与所述第一金属层和所述辅助金属层连接。
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|---|---|---|---|
| CN202210690070.9A CN114994994B (zh) | 2022-06-17 | 液晶显示面板和液晶显示面板制备方法 |
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