CN114989761B - 一种用于晶圆级芯片尺寸封装的底部填充胶组合物及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种适用于晶圆级芯片尺寸封装的底部填充胶组合物，包括60‑70份预处理球形硅微粉、3‑4份氨基环氧树脂、9‑10份双酚F环氧树脂、6‑7份萘环环氧树脂、15‑20份酸酐固化剂、0.3‑0.5份硅烷偶联剂、3‑5份促进剂、0.3‑0.5份表面处理剂、0.05‑0.4份色膏。本发明对微米级球形硅微粉进行筛分，降低粉体表面摩擦力，使底部填充胶组合物流动性好，流动过程不产生气泡；同时采用球磨干混的方法，使纳米粉体在微米粉体球表面均一附着，大幅降低粉体表面的摩擦力，提高流动性。优选加入氨基环氧树脂，极大的改善了底部填充胶组合物对硅表面的粘接力。

Description

一种用于晶圆级芯片尺寸封装的底部填充胶组合物及其制备 方法
技术领域
本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种适用于晶圆级芯片尺寸封装的底部填充胶组合物及其制备方法。
背景技术
随着科学技术的不断发展，电子设备逐渐成为人们工作和日常生活中不可或缺的重要工具。电子设备实现预设功能的主要部件是芯片，随着集成电路技术的不断进步，芯片的集成度越来越高，芯片的功能越来越强大，而芯片的尺寸越来越小，故芯片需要通过封装，形成封装结构，以便于芯片与外部电路电连接。
晶圆级芯片尺寸封装(WL-CSP)，是在衬底上完成封装集成制程，具有大幅减小封装结构面积的优势。传统的封装是在晶圆分割成单个芯片后完成的，而晶圆级芯片尺寸封装是一种在晶圆上进行芯片封装和测试的工艺过程。相比传统的封装过程，晶圆级的封装在成本上的节省是很可观的。
据IBT Research所整理的资料显示，晶圆级封装技术基于倒装芯片，由IBM率先启动开发。1964年，美国IBM公司在其M360计算器中最先采用了FCOB焊料凸点倒装芯片器件。1969年，美国Delco公司在汽车中使用了焊料凸点器件。二十世纪70年代，NEC、日立等日本公司开始在一些计算器和超级计算器中采用FCOB器件。到了1999年，晶圆凸点的制造公司开始给主要的封装配套厂家发放技术许可证。以此，倒装芯片和芯片尺寸封装也就逐渐在世界各地推广开来。
晶圆级芯片尺寸封装的一个技术难点是，由于组件中的各种材料的热膨胀系数不匹配，轻微的热变形就会导致应力存在于细小的焊点中，为了改善这种现象，提高组件的机械连接强度和热循环可靠性，需要对CSP的装配进行底部填充。目前，市场常见的底部填充物是以环氧树脂为主，添加硅微粉等材料制备得到的，其中，大部分底部填充物中硅微粉的添加量一般不超过20％。而上述现有底部填充物并不适用于晶圆级芯片尺寸封装，首先是因为其热膨胀系数较大，其次是因为这样的底部填充无法通过高温回流焊测试，高温回流后非常容易出现爆锡珠或者锡球严重变形的情况。
发明内容
为了改善现有技术的缺陷，本发明创造性地提供一种硅微粉含量在60％左右的底部填充胶组合物。所述底部填充胶组合物热膨胀系数较小，非常适用于晶圆级芯片尺寸封装，并且热循环性能好，3次回流焊接后锡球不会变形。并且发明人对硅微粉进行筛分，降低粉体表面摩擦力，使底部填充胶组合物流动性好，流动过程不产生气泡。其次，发明人在底部填充胶组合物中增加氨基环氧树脂，以此提高粘结力；并且通过向填充物中添加无机颗粒进一步降低底部填充物的热膨胀系数。
本发明包括如下技术方案：
第一方面，本发明提供一种底部填充胶组合物，所述组合物中含有预处理球形硅微粉，所述预处理球形硅微粉通过如下方法制备得到：
(1)将D50为2±0.2μm，D100为6±0.1μm的球形硅微粉烘干，过筛，控制D100≤4μm，得到粉体1；
(2)将D50为0.2±0.01μm，D100为0.5±0.02μm的球形硅微粉烘干，得到粉体2；
(3)将粉体1和粉体2按重量比(6-10):54加入球磨机中，球磨干混，转速200-500转/min，球磨4-6小时，得到预处理球形硅微粉。
本发明具体实施方式中使用的球形硅微粉可选自日本雅都玛公司的SE2050-SEJ、50SQ-E20、FE920A-SQ、SOE2、SE6050-SEG、SC-2500SMJ，SC220G-SQ；或者，日本龙森公司的PL-V6、AC-10V、AC-5VLD、AC-5V中的一种或两种以上的混合物。
优选的，所述底部填充胶组合物中还包括环氧树脂、酸酐固化剂、硅烷偶联剂、促进剂、表面处理剂和色膏，其中，所述环氧树脂包括双酚A环氧树脂、双酚F环氧树脂、双酚A/F混合环氧树脂、萘环环氧树脂、氨基环氧树脂中的一种或者两种以上的组合。
在本发明的具体实施方式中，所述环氧树脂为氨基环氧树脂与双酚A环氧树脂、双酚F环氧树脂、萘环环氧树脂中的一种或两种的组合。
在本发明的优选实施方式中，所述环氧树脂选自氨基环氧树脂与双酚F环氧树脂和萘环环氧树脂的组合。
在具体实施方式中，所述双酚A环氧树脂可选自DER332、EPIKOTL828EL、KE-8120、EXA-850CRP；
双酚F环氧树脂可选自YDF-8170、KF-8110、YL-983U；
双酚A/F混合环氧树脂可选自830LVP、EPO Tohto ZX1059、835LV；
萘环环氧树脂可选自HP-4032D；
氨基环氧树脂可选自苯胺环氧树脂EP-3980S、EP-3950S；聚氨酯改性双酚A型环氧树脂EPU-300S；缩水甘油胺型环氧树脂TGDDM(四缩水甘油基二氨基二苯甲烷)、TGIC(三缩水甘油基三异氰酸酯)。
优选的，本发明提供的底部填充胶组合物包括如下质量份数的组分：60-70份预处理球形硅微粉、3-4份氨基环氧树脂、9-10份双酚F环氧树脂、6-7份萘环环氧树脂、15-20份酸酐固化剂、0.3-0.5份硅烷偶联剂、3-5份促进剂、0.3-0.5份表面处理剂、0.05-0.4份色膏。
所述酸酐固化剂选自日本新理化的甲基四氢苯酐、甲基六氢苯酐(4-MeHHPA)、六氢苯酐(HHPA)、甲基纳迪克酸酐中的一种或两种以上的混合物。
所述促进剂选自四国化成的2E4MZ-CN、2MZ-A、2E4MZ-A，日本富士化成公司的FXR-1121，日本旭化成的HX-3921、HXA-3932、HX-3742中的一种或两种以上混合物。
所述硅烷偶联剂选自A1160、KH560、KH580、Y9669、A187、KBM803、A189中的一种或两种以上混合物。
所述表面处理剂选自毕克公司的BYK-163、BYK-W9010、BYK-2152，或者，味之素公司的Plenact TTS60、Plenact46B和Plenact55中的一种或两种以上混合物。
本发明所述的色膏是本领域技术人员根据需求选择添加的常规添加剂，如纳米炭黑等。
优选的，本发明提供的底部填充胶组合物还包括0.5-6份表面处理的碳纤维和/或表面处理的硅硼碳氮(SiBCN)陶瓷颗粒。
所述表面处理是指用硅烷偶联剂处理，硅烷偶联剂选自KH560或KH580，表面处理方法是本领域技术人员常用的方法。
所述碳纤维是长度为3-4mm，单丝直径为7-8μm的短切碳纤维，在本发明的具体实施例中，使用的碳纤维是Q-DJ03B。
本发明所述的SiBCN陶瓷颗粒根据如下方法制备得到：
按质量份数将10-12份硅粉、5-8石墨和1-6份六方氮化硼放入球磨机中球磨24-28小时，得到复合粉末，热压烧结，烧结温度为1400-1600℃，压力为40-80MPa，烧结气氛为真空或氮气，烧结时间为40-60min。烧结后置入球磨机中球磨，过筛，控制D50为1±0.05μm，得到SiBCN陶瓷颗粒。
在本发明的最优选实施方式中，所述底部填充胶组合物包括如下质量份数的组分：62份预处理球形硅微粉、3-4份氨基环氧树脂、9-10份双酚F环氧树脂、6-7份萘环环氧树脂、17-18份酸酐固化剂、0.5份硅烷偶联剂、3份咪唑类促进剂、0.3份表面处理剂、0.05份纳米炭黑、1-2份表面处理的SiBCN陶瓷颗粒。
第二方面，本发明提供了一种底部填充胶组合物的制备方法，所述方法包括如下步骤：
(1)将环氧树脂、色膏、预处理球形硅微粉和表面处理剂置于均质机中，真空条件下搅拌均匀，趁热刮壁，刮细度＜15μm；
(2)向上述体系中加入酸酐固化剂，真空条件下搅拌均匀，刮壁；
(3)再加入硅烷偶联剂、促进剂，真空条件下搅拌均匀，分封灌装。
优选的，所述步骤(1)中还包括加入表面处理的碳纤维和/或表面处理的SiBCN陶瓷颗粒。
第三方面，本发明提供一种底部填充胶组合物在晶圆级芯片尺寸封装中的应用。
本发明提供的底部填充胶组合物具有如下技术优势：
(1)本发明同时选择微米级和纳米级粉体的硅微球，并且采用球磨干混的方法使纳米粉体在微米粉体球表面均一附着，大幅降低了粉体表面的摩擦力，提高流动性；
(2)同时，本发明将微米级粉体过筛分选，减少底部填充胶组合物在流动过程中因大粒径带来的流动阻碍；
(3)发明人选用含N元素的环氧树脂，极大改善了胶体对硅表面的粘接力，显著提高底部填充胶组合物的高温粘接力，使之满足3次无铅回流焊接要求；
(4)更进一步，发明人选择在底部填充胶组合物中加入硅烷偶联剂处理的无机颗粒，进一步降低组合物的热膨胀系数。
附图说明
图1实施例4得到的底部填充胶3次回流焊接后局部截面图；
图2对比例1得到的底部填充胶3次回流焊接后局部截面图；
图3实施例4得到的底部填充胶流动性测试图；
图4对比例1得到的底部填充胶流动性测试图。
具体实施方式
下面将对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本发明的部分实施例，而不是全部。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
预处理球形硅微粉的制备
S1：将D50为2μm，D100为6μm的高纯球形硅FE920A-SQ于150℃真空烘箱中烘烤72小时，后关闭烘箱电源自然冷却至室温确保除水至极低含量，使用3500目震动筛子过筛，控制D90为3.5μm，D100≤4μm，得到粉体1；
S2：将D50为0.2μm，D100为0.5μm的高纯球形硅微粉SC220G-SQ于80℃真空烘箱中烘烤72小时，后关闭烘箱电源自然冷却至室温，确保除水至极低含量，得粉体2；
S3：将粉体1与粉体2按重量比8:54加入到球磨机中，球磨，控制转速200-500转/min，球磨4小时得到预处理球形硅微粉，干燥保存。
底部填充胶组合物的制备
实施例1
S1：将9.02份双酚A型环氧树脂DER332，9.15份双酚F型环氧树脂YDF-8170，0.05份纳米炭黑LB-1011，62份预处理球形硅微粉，0.3份表面处理剂BYK-2152，于均质机中，-0.1MPa真空条件下，以1800R/min搅拌3min，趁热刮壁后再搅拌3次，使物料充分均一，刮细度＜15μm；
S2：将12.5份4-MeHHPA、5.35份HHPA加入上述体系，于均质机中，在-0.1MPa真空条件下，以1200R/min搅拌3min，控温＜30℃，刮壁后再搅拌3次，使物料充分均一；
S3：将0.5份A187，3份HXA-3932加入上述体系，于均质机中，-0.1MPa真空条件下，以1000R/min搅拌3min，刮壁后再搅拌一次，使物料充分均一，分封灌装得底部填充胶。
实施例2
步骤S1中原料及制备方法同实施例1，区别在于将9.02份双酚A型环氧树脂DER332替换成3.06份苯胺环氧树脂EP-3980S和6.12份双酚A型环氧树脂DER332的组合。步骤S2和S3同实施例1。
实施例3
步骤S1中原料及制备方法同实施例1，区别在于将9.02份双酚A型环氧树脂DER332替换成3.06份苯胺环氧树脂EP-3980S和6.12份萘环环氧HP-4032D的组合。步骤S2和S3同实施例1。
实施例4
步骤S1同实施例3，具体为：将3.06份苯胺环氧树脂EP-3980S，6.12份萘环环氧HP-4032D，9.15份双酚F型环氧树脂YDF-8170，0.05份纳米炭黑LB-1011，62份预处理球形硅微粉，0.3份表面处理剂BYK-2152，于均质机中，-0.1MPa真空条件下，以1800R/min搅拌3min，趁热刮壁后再搅拌3次，使物料充分均一，刮细度＜15μm；
步骤S2加入酸酐固化剂的种类和量同实施例3；步骤S3同实施例3，区别仅在于将3份HXA-3932促进剂替换为0.5份2E4MZ-CN，具体为：将0.5份A187，0.5份2E4MZ-CN加入上述体系，于均质机中，-0.1MPa真空条件下，以1000R/min搅拌3min，刮壁后再搅拌一次，使物料充分均一，分封灌装得底部填充胶。
对比例1
S1：将9.02份双酚A型环氧树脂DER332，9.15份双酚F型环氧树脂YDF-8170，0.05份纳米炭黑LB-1011，54份D50为0.2μm，D100为0.5μm的高纯球形硅微粉SC220G-SQ，8份D50为2μm，D100为6μm的高纯球形硅粉FE920A-SQ，0.3份表面处理剂BYK-2152投于均质机中，-0.1MPa真空条件下，以1800R/min搅拌3min，趁热刮壁后再搅拌3次，使物料充分均一，刮细度＜15μm；
步骤S2和S3的原料和操作方法同实施例1，分封灌装得底部填充胶。
效果例1
试样制备：将实施例1-4和对比例1制备得到的底部填充胶，用气动点胶机点胶于PC8600剪切片，制备剪切样件，控制胶层厚度为0.1mm，固化。
检测参数：
粘度，测试条件：25℃/14#/20rpm。
流动性，检测装备如说明书附图3-4所示，载玻片之间添加80um塞尺，夹紧，在设置85℃的加热平台预热(传递到载玻片的实际温度为73℃左右)，点入0.3g填充胶，秒表记录胶水每流过5mm所需时间，总记录25mm所需时间，流动过程观测胶水是否会存在气泡。
玻璃化转变温度(Tg)，测试仪器：DSC。
热膨胀系数(CTE)，测试仪器：热膨胀仪。
芯片剪切推力(Die Shear)，每个试样测五组数据，去除最高及最低值，取平均值。
检测结果如下表所示：
表1底部填充胶的性能测试结果
Figure BDA0003719500740000081
Figure BDA0003719500740000091
对比例1与实施例1相比，区别点在于对比例1中添加的两种粒径的球形硅微粉没有经过筛分和球磨干混，通过附图3和4可以看到，对比例1制备的底部填充胶流动性较差，使得胶在流动过程中容易产生气泡。因此，将大粒径球形硅微粉进行筛分，并且将两种硅微粉进行干法球磨后，纳米粉体会均一附着在微米粉体表面，增加胶体流动性，降低胶体热膨胀系数。并且对比例1制备的底部填充胶在3次回流焊接测试中，锡球出现变形，如图2所示。相比较，实施例4制备的底部填充胶在3次回流焊接测试中锡球没有发生变形的情况，如图1所示。
实施例1-3之间的区别在于环氧树脂的种类不同，实施例1是双酚A型环氧树脂和双酚F型环氧树脂的组合，实施例2中还包括苯胺环氧树脂，实施例3是将双酚A型环氧树脂替换为苯胺环氧树脂和萘环环氧树脂。从上表数据可以看出，当环氧树脂中增加了苯胺环氧树脂后，对填充胶的粘结力影响较大，实施例1-3制备的填充胶Die Shear(Kg/25℃)分别为11.5、12.0和12.8，说明与双酚A型和双酚F型环氧树脂相比，苯胺环氧树脂和萘环环氧树脂都有利于提高填充胶的粘结力。
实施例3与实施例4相比，实施例4中使用的促进剂为咪唑类2E4MZ-CN，与促进剂HXA-3932相比，咪唑类促进剂与含N环氧树脂的附着力更强，显著增加填充胶的粘结力，DieShear(Kg/25℃)由12.8增加到14.7，Die Shear(Kg/2,60℃)由1.5增加到3.8，效果非常显著。
氨基环氧树脂种类优化
基于上述基本试验，发明人发现在底部填充胶中加入含N环氧树脂，如苯胺环氧树脂EP-3980S能改善填充胶的粘结力。接下来的试验，发明人欲对氨基环氧树脂的种类进行优化，具体过程如下：
Figure BDA0003719500740000101
根据效果例1描述的方法进行制样，并且检测粘度、流动性、玻璃化转变温度、热膨胀系数、芯片剪切推力等参数，检测结果如下表所示：
表2底部填充胶的性能测试结果
Figure BDA0003719500740000102
通过改变环氧树脂中氨基环氧树脂的种类，可以发现，当氨基环氧树脂为苯胺环氧树脂时，对于底部填充胶的粘结力改善最好，Die Shear(Kg/25℃)为14.7，Die Shear(Kg/260℃)为3.8。聚氨酯改性双酚A型环氧树脂EPU-300S虽然也是含N环氧树脂，但是聚氨酯改性的环氧树脂粘度较小，对填充胶粘结力的改善不如苯胺型环氧树脂，并且热循环稳定性不好，锡球会出现变形。另外一种氨基环氧树脂为缩水甘油胺型环氧树脂TGDDM对填充胶粘结性能的改善效果较好，并且粘度足够大，热稳定性较好，可以通过三次回流焊接测试。综合上述试验及分析，氨基环氧树脂最优选为苯胺环氧树脂，其次是缩水甘油胺型环氧树脂。
热膨胀性能优化
本发明提供的底部填充胶通常用于CSP或BGA封装，使用方法通常是将底部填充胶以点胶或印刷的方式沉积在基板上，或者元件四周，由于封装较为精细化，因此要求底部填充胶的热膨胀系数越小越好，在前述所有试验中，实施例4的热膨胀系数最小，CTE1/CTE2为24/90。发明人预料不到的发现，在底部填充胶中添加碳纤维和SiBCN陶瓷颗粒能在不影响底部填充胶的其他性能，特别是流动性并没有变劣，进一步降低胶体的热膨胀系数。
优化方案1
S1：将3.06份苯胺环氧树脂EP-3980S，6.12份萘环环氧HP-4032D，9.15份双酚F型环氧树脂YDF-8170，0.05份纳米炭黑LB-1011，62份预处理球形硅微粉，0.3份表面处理剂BYK-2152，2份短切碳纤维Q-DJ03B(表面硅烷偶联剂处理)，于均质机中，-0.1MPa真空条件下，以1800R/min搅拌3min，趁热刮壁后再搅拌3次，使物料充分均一，刮细度＜15μm；
S2：将12.5份4-MeHHPA、5.35份HHPA加入上述体系，于均质机中，在-0.1MPa真空条件下，以1200R/min搅拌3min，控温＜30℃，刮壁后再搅拌3次，使物料充分均一；
S3：将0.5份A187，0.5份2E4MZ-CN加入上述体系，于均质机中，-0.1MPa真空条件下，以1000R/min搅拌3min，刮壁后再搅拌一次，使物料充分均一，分封灌装得底部填充胶D。
优化方案2
原料及制备方法同优化方案1，区别仅在于将步骤S1中的2份短切碳纤维Q-DJ03B替换为2份SiBCN陶瓷颗粒(表面硅烷偶联剂处理)，步骤S2-S3同优化方案1，分封灌装得底部填充胶E。
本发明使用的SiBCN陶瓷颗粒根据如下方法制备得到：将10-份硅粉、5份石墨和2份六方氮化硼放入球磨机中球磨28小时，得到复合粉末，真空热压烧结，烧结温度为1600℃，压力为60MPa，烧结时间为1小时；球磨，过筛，控制D50为1±0.05μm，得到SiBCN陶瓷颗粒。
优化方案3
原料及制备方法同优化方案1，区别仅在于将步骤S1中的2份短切碳纤维Q-DJ03B替换为1份短切碳纤维Q-DJ03B和1份SiBCN陶瓷颗粒的组合，表面均由硅烷偶联剂处理，步骤S2-S3同优化方案1，分封灌装得底部填充胶F。
根据效果例1描述的方法进行制样，并且检测粘度、流动性、玻璃化转变温度、热膨胀系数、芯片剪切推力等参数，检测结果如下表所示：
表3底部填充胶的性能测试结果
Figure BDA0003719500740000121
Figure BDA0003719500740000131
从上表数据可以看到，向底部环氧胶中加入碳纤维或者SiBCN陶瓷颗粒，或者两者的组合，对填充胶的粘结性能影响很小，对粘度、硬度、流动性的影响也可以忽略不计，主要对热膨胀系数和玻璃化转变温度影响较大。与实施例4相比，玻璃化转变温度从147℃提高到150℃以上，最高可达到154℃；与实施例4相比，热膨胀系数由24/90最低可降至21/80。可以说明，本发明在底部填充胶中选择加入碳纤维和SiBCN陶瓷颗粒能显著改善胶体的热力学性能。对比填充胶D-F的参数，可以发现SiBCN陶瓷颗粒与碳纤维的组合对底部填充胶热膨胀系数的改善效果更优，更适用于晶圆级芯片尺寸封装的底部填充胶。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

Claims (5)

1.一种适用于晶圆级芯片尺寸封装的底部填充胶组合物，所述组合物包括如下质量份数的组分：60-70份预处理球形硅微粉、3-4份氨基环氧树脂、9-10份双酚F环氧树脂、6-7份萘环环氧树脂、15-20份酸酐固化剂、0.3-0.5份硅烷偶联剂、3-5份促进剂、0.3-0.5份表面处理剂、0.05-0.4份色膏，所述氨基环氧树脂为苯胺环氧树脂；
所述底部填充胶组合物还包括0.5-6份表面处理的碳纤维和/或表面处理的SiBCN陶瓷颗粒，表面处理是指用硅烷偶联剂处理；所述碳纤维是长度为3-4mm，单丝直径为7-8μm的短切碳纤维；
所述预处理球形硅微粉通过如下方法制备得到：
（1）将D50为2±0.2 μm，D100为6±0.1 μm的球形硅微粉烘干，过筛，控制D100≤4μm，得到粉体1；
（2）将D50为0.2±0.01 μm，D100为0.5±0.02 μm的球形硅微粉烘干，得到粉体2；
（3）将粉体1和粉体2按重量比(6-10):54加入球磨机中，球磨干混，转速200-500转/min，球磨4-6小时，得到预处理球形硅微粉。
2.根据权利要求1所述的底部填充胶组合物，其特征在于，所述的SiBCN陶瓷颗粒根据如下方法制备得到：按质量份数将10-12份硅粉、5-8石墨和1-6份六方氮化硼放入球磨机中球磨24-28小时，得到复合粉末，热压烧结，烧结温度为1400-1600℃，压力为 40-80MPa，烧结气氛为真空或氮气，烧结时间为40-60min，烧结后置入球磨机中球磨，过筛，控制D50为1±0.05 μm，得到SiBCN陶瓷颗粒。
3.根据权利要求1所述的底部填充胶组合物，其特征在于，所述底部填充胶组合物包括如下质量份数的组分：62份预处理球形硅微粉、3.06份苯胺环氧树脂、9.15份双酚F环氧树脂、6.12份萘环环氧树脂、17.85份酸酐固化剂、0.5份硅烷偶联剂、3份咪唑类促进剂、0.3份表面处理剂、0.05份纳米炭黑、1份表面处理的SiBCN陶瓷颗粒、1份表面处理的短切纤维。
4.一种权利要求1所述的底部填充胶组合物的制备方法，所述方法包括如下步骤：
（1）将环氧树脂、色膏、预处理球形硅微粉和表面处理剂置于均质机中，加入表面处理的碳纤维和/或表面处理的SiBCN陶瓷颗粒，真空条件下搅拌均匀，趁热刮壁，刮细度＜15μm；
（2）向上述体系中加入酸酐固化剂，真空条件下搅拌均匀，刮壁；
（3）再加入硅烷偶联剂、促进剂，真空条件下搅拌均匀，分封灌装。
5.一种权利要求1-3任一所述的底部填充胶组合物在晶圆级芯片尺寸封装中的应用。
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