CN1149749A - 回扫变压器 - Google Patents

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Abstract

本发明提供不用外壳和树脂注塑绝缘的昂贵的装在外部的高压电容，可以降低交变电场，因而价格便宜、能够高压绝缘，处理方便的回扫变压器。本发明回扫变压器采用将次级高压线圈分割为规定数目(6a至6d)，在各线圈(6a至6d)串联连接高压整流二极管(3a至3d)，在最后一级的二极管的阴极上连接高压电容(2)，其特征在于，将最外层同相高压线圈反向连接，将发生的反向脉冲叠加在最后一级二极管的阴极上的结构。

Description

回扫变压器
本发明涉及用于例如使用显象管的显示监控器等的回扫变压器(下面简称FTB)，更详细地说，是涉及能够降低从例如显象管的表面等透过的交变电场，而且能够省去价钱昂贵的装在外部的高压电容的FBT。
图6是表示在一般的显示监控器的FBT中，使用装在外部的高压电容器降低从显象管表面透过的交变电场的电路。这种已有方式是使用美国专利说明书第5218270号所述的发明的例子。
在同一图中，1是FBT，2是内藏高压电容器，3(3a、3b、3c、3d)是高压整流二极管，4是另一次级的反向脉冲发生线圈，5是装在外部的高压电容器，6(6a、6b、6c、6d)是高压线圈，7是偏转线圈，16是水平输出晶体管，17是初级线圈，18是波形比较控制器。
图7表示已有的交变电场降低系统的一个例子。在该图中，8是设置在内部的石墨膜，9是偏转线圈的静电电容，10是高压偏转电路，11是显象管。
图8表示图7所示的交变电场降低系统的一个例子的等价电路图。在该图中，12是面板透明导电膜的电阻，13是面板透明导电膜的表面电阻，14是面板透明导电膜的电容。
在这个等价电路中，以下述动作降低交变电场。驱动偏转线圈的水平脉冲VDY(1000Vpp)通过偏转线圈7的静电电容9(60pF)加在显象管11内部的石墨膜上，以此产生脉冲电压V′DY。脉冲电压V′DY借助于面板透明导电膜电容14和面板透明导电膜的表面电阻13，在面板透明导电膜12上产生阻抗分割的电压Vp，成为交变电场(VLEF)的发生源。
作为降低交变电场的一个例子，有通过FBT1的装在外部的高压电容器5(容量：CF＝200pF)，将用连接在FBT1的另一次级的反向脉冲发生线圈4(参照图6)得到的反向脉冲(-150Vpp)加在显象管内部的石墨膜8上的方法。借助于此，在显象管内部的石墨膜8上，脉冲电压V′DY被反向脉冲V′F所抵消，交变电场V′DY的幅度被降低。
这一关系用下式表示为：
K×CDY(60pF)×VDY(-1000Vpp)
    ＝-3×10E-8〔C〕
    ＝CF(200pF)×VFBT(-150Vpp)…………(1)
(式中K
Figure A9610359700041
)
图9是装在外部的高压电容器5的内部电路图，在图中的19是阳极帽，20是高压连接器，21是是接地端子，如图所示连接。
但是这种已有技术中，为了如图所示对FBT1的外部的高压电容器5施加绝缘，需要40毫米40毫米65毫米大的外壳，大量的注塑树脂(环氧树脂等)，价钱贵、而且受到显示监控器内部的设置场所的限制，结构处理上有困难。
还有，由于有必要进行高压连接，也有难以确保高压连接部的可靠性的问题。
本发明鉴于所示各点而作，目的在于提供不使用外壳和用树脂注塑绝缘的高价的装在外部的高压电容器而可以降低交变磁场，因而便宜而且易于高压绝缘，处理方便的回扫变压器。
为了达到上述目的，本发明以将次级高压线圈分割为规定的数目，在各线圈串联设置高压整流二极管，在最后一级的二极管的阴极连接高压电容器的回扫变压器为对象。
而以将最外层的同相高压线圈反向连接，而发生的反向脉冲叠加在最后一级二极管的阴极上的结构为特征。
在本发明中，和交变电场等价地成为同一振幅的、将次级的同相高压线圈反向连接产生的脉冲被叠加在最后一级高压整流二极管的阴极与内藏高压电容器的连接端上，以此可以有效地降低交变电场的振幅。
因此，不需要外箱和树脂注塑绝缘的高价的装在外部的电容器，便宜而且易于高压绝缘，处理又容易。
图1是本发明回扫变压器第1具体例的电路图。
图2表示该回扫变压器的反向脉冲发生用高压线圈的等价电路。
图3表示该回扫变压器的内部结构。
图4表示本发明的回扫变压器中的反向脉冲发生用线圈的绕线位置的变形例。
图5是本发明回扫变压器的第2具体例的电路图。
图6是已有的谋求降低交变电场的回扫变压器的电路图。
图7是用来说明在该回扫变压器中的降低交变电场的系统的示意图。
图8表示该降低交变电场的等价电路图。
图9是用于该回扫变压器的、装在外部的高压电容器的内部电路图。
图10是该装在外部的高压电容器的外形图。
下面根据附图对本发明的具体例子加以说明。图1是第1具体例的FBT电路图。和已有例一样，在被分割为规定数目的高压线圈6a至6d的输出侧(绕线终端部)分别连接高压整流二极管3a至3d，此外，将与高压线圈同相的反向脉冲发生线圈6e串联反向连接于内藏高压电容器2和显象管的中间。
图2表示该反向脉冲发生线圈6e的等价电路图。以发生于图1的水平输出晶体管16的集电极一侧的集电极脉冲为Vcp，设初级线圈17的匝数为N1，反向脉冲发生用的线圈6e的匝数为e2，则反向脉冲发生线圈6e两端的脉冲峰值ep如下式(2)所示：
ep＝-(Vcp×e2)/N1…………(2)
在图2，反向脉冲发生线圈6e两端的脉冲峰值ep由内藏高压电容器C1和显象管电容器C2分担电容量，发生于显象管11的阳极点15的脉冲峰值ex用下式(3)表达。
ex＝ep×〔C1/(C1+C2)〕×K′…………(3)
但是，在上式，常数K′随反向脉冲发生线圈6e的绕线位置和周围的线圈的分布电容而变化。
另一方面，在图7所示的交变电场降低系统中，在内部的石墨膜8的地方的交变电场V′DY用下式(4)表示。
K×CDY(60pF)×VDY(1000Vpp)
＝3×10E-8〔C〕…………………(4)
(式中 )
用于抵消交变电场而叠加的反向脉冲的发生线圈6e的反向脉冲峰值ex被选择为叠加的电荷量等于-3×10E-8C，这由所述(3)式的内藏高压电容器的电容量C1、显象管电容量C2、和反向脉冲发生线圈6e两端的脉冲峰值ep所决定。
考虑内藏高压电容器2的电容量，决定反向脉冲发生线圈6e的匝数，借助于在显象管的内部石墨膜8上叠加反向脉冲ex，降低交变电场V′DY的幅值。
但是，一旦增加反向脉冲发生线圈6e的匝数e2，损失将增加，因此，在决定内藏高压电容器的电容量C1、显象管电容量C2、和反向脉冲发生线圈6e的匝数e2时有必要将这些值加以适当的组合，使其成为合适的数值，以此抑制损失，并且能够抵消交变电场。
在图1的结构中，显象管11有结构上限制的电容量，内藏高压电容器2是为了修正显象管的电容量而设置在FBT的内部。该高压电容量(显象管电容量+内藏高压电容器的电容量)是用来使高压稳定化的，如果这一高压电容量小了，则会在显象管11的画面上引起弯曲等现象。
采用改变内藏高压电容2的电容量的办法，可以调整所加的反向脉冲发生线圈6e的脉冲峰值ep。亦即，加大电容量则脉冲峰值ep变大，减小电容量则脉冲峰值ep变小。
本发明可以兼备二种功能：将所述反向脉冲加在显象管阳极的作用的电容功能和用于高压稳定化的显象管电容功能。
图3是具体表示FBT1内部的线圈绕线位置的结构图。如该图所示，高压线圈6a至6d依序绕装，反向脉冲发生线圈6e相对于这些高压线圈6a至6d被绕装于大致当中的地方。
图4表示将反向脉冲发生线圈6e相对于高压线圈6a至6d绕装在一端部的例子。在该情况下也同样产生反向脉冲，得到相同的结果。在图3和图4高压整流二极管3被省略未图示。
反向脉冲发生线圈6e的绕装位置，采用图3所示的位置时，线圈两端的引出线(未图示)和下侧线圈6d之间的电位差为图4的情况一半左右，故对绝缘结构有利。
图5是本发明的第2具体例。如图所示，表示反向脉冲叠加用的电容22和内藏高压电容2分离的例子。其他结构和所述第1具体例相同。
采用本发明，将与交变电场等价地成为同一振幅的、和次级同相的高压线圈反向连接而得到的反向脉冲叠加于最后一级二极管的阴极和内藏高压电容的阳极的连接处，以此可以抵消在显象管内部的石墨膜上感应起的偏转线圈的水平脉冲。因此，可以提供不需要外壳和用树脂注塑绝缘的昂贵的装在外部的感应电容器，价格便宜、由于在高压部使用环氧树脂整体绝缘，在绝缘上可靠性高，而且结构上处理方便的回扫变压器。

Claims (1)

1.一种回扫变压器，其次级高压线圈被分割为规定数目，在各线圈上串联设置高压整流二极管，在最后一级二极管的阴极侧连接高压电容器，其特征在于，将最外层同相高压线圈逆向连接，将发生的反向脉冲叠加在所述最后一级二极管的阴极一侧。
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