CN114974131A - 像素电路、像素驱动方法和显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种像素电路、像素驱动方法和显示装置。所述像素电路包括发光元件、驱动单元、发光控制单元、驱动控制单元、储能单元、第一复位单元和第二复位单元，所述第一复位单元在复位控制线的控制下，控制第一电压线输出的第一电压写入所述驱动单元的第一端；第一复位单元包括的晶体管的有源层与驱动单元包括的晶体管的有源层相互独立；第一电压线与第一复位单元包括的晶体管的第一极位于不同层；第一复位单元包括的晶体管的第二极通过第一连接导电部与驱动单元包括的晶体管的第一极耦接。本发明在对相关的像素电路的布局改动不大的前提下设置第一复位单元的晶体管，布局方便。

Description

像素电路、像素驱动方法和显示装置
本申请为申请日为2018年12月5日的申请号为201811479299.8的中国专利申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种像素电路、像素驱动方法和显示装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)显示器是当今平板显示器研究领域的热点之一，与液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)相比，OLED显示器具有低能耗、生产成本低、自发光、宽视角及响应速度快等优点。在相关技术中，不能在对相关的像素电路的布局改动不大的前提下设置对驱动电路的第一端的电位进行复位的晶体管。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种像素电路、像素驱动方法和显示装置，解决现有技术中不能在对相关的像素电路的布局改动不大的前提下设置对驱动电路的第一端的电位进行复位的晶体管的问题。
为了达到上述目的，本发明提供了一种像素电路，包括发光元件、驱动单元、发光控制单元、驱动控制单元、储能单元、第一复位单元和第二复位单元，其中，
所述第一复位单元用于在复位控制线的控制下，控制第一电压线输出的第一电压写入所述驱动单元的第一端；
所述第二复位单元用于在复位控制线的控制下，控制初始电压线输出的初始电压写入所述发光元件的第一极；
所述发光控制单元用于在发光控制线的控制下，控制所述驱动单元的第一端与所述第一电压线之间导通或断开，控制所述驱动单元的第二端与所述发光元件的第一极之间导通或断开；所述发光元件的第二极与第二电压线连接；
所述驱动控制单元用于在栅线的控制下，控制数据线上的数据电压写入所述驱动单元的第一端，并控制所述驱动单元的控制端和所述驱动单元的第二端之间导通或断开；
所述储能单元用于维持所述驱动单元的控制端的电位；
所述驱动单元用于在所述控制端的控制下，驱动所述发光元件发光；
所述第一复位单元包括的晶体管的有源层与所述驱动单元包括的晶体管的有源层位于同一层并相互独立，所述第一复位单元包括的晶体管的有源层包括第一极、第二极和沟道区，所述驱动单元包括的晶体管的有源层包括第一极、第二极和沟道区。
可选的，所述第一电压线与所述第一复位单元包括的晶体管的第一极位于不同层；
所述第一复位单元包括的晶体管的第二极通过第一连接导电部与所述驱动单元包括的晶体管的第一极耦接；所述第一电压线与所述第一复位单元包括的晶体管的第一极耦接；
所述第一连接导电部与所述第一复位单元包括的晶体管的有源层位于不同层。
可选的，所述像素电路包含于的显示基板包括衬底基板，以及，沿着远离所述衬底基板的方向依次层叠设置的半导体层和源漏金属层；
所述有源层包含于所述半导体层，所述第一连接导电部包含于所述源漏金属层。
可选的，所述源漏金属层包括第一源漏金属层和第二源漏金属层；所述第一源漏金属层设置于所述半导体层与所述第二源漏金属层之间；
所述第一电压线包含于所述源漏金属层，所述第一连接导电部包含于的所述源漏金属层与第一电压线包含于的源漏金属层不是同一层。
可选的，所述发光控制单元包括第一发光控制晶体管；所述驱动电路包括的晶体管的有源层包括第一极、沟道区和第二极；
所述第一复位单元包括的晶体管的第二极通过第一连接导电部与所述第一发光控制晶体管的第二极耦接，所述第一复位晶体管的第二极与所述驱动电路包括的晶体管的第一极邻近且相互连通，以使得所述第一复位单元包括的晶体管的第二极与所述驱动电路包括的晶体管的第一极连接。
可选的，所述像素电路包含于的显示基板包括的半导体层；
所述驱动单元包括的晶体管的有源层、所述发光控制单元包括的晶体管的有源层、所述驱动控制单元包括的晶体管的有源层和第二复位单元包括的晶体管的有源层相互连续；
所述驱动单元包括的晶体管的有源层、所述发光控制单元包括的晶体管的有源层、所述驱动控制单元包括的晶体管的有源层和第二复位单元包括的晶体管的有源层包含于所述半导体层。
可选的，所述像素电路包含于的显示基板包括衬底基板，以及，沿着远离所述衬底基板的方向依次层叠设置的半导体层和第一源漏金属层；
所述第一复位单元包括的晶体管的有源层在所述衬底基板上的正投影，位于所述数据线在所述衬底基板上的正投影靠近所述第一电压线在所述衬底基板上的正投影的一侧；
所述有源层包含于所述半导体层，所述第一电压线与所述数据线包含于同一源漏金属层。
可选的，所述储能单元包括存储电容；
所述像素电路包含于的显示基板包括衬底基板，以及，沿着远离所述衬底基板的方向依次层叠设置的半导体层、第一栅金属层、第二栅金属层和第一源漏金属层；
所述复位控制线、所述栅线和所述发光控制线都包含于所述第一栅金属层；
所述驱动单元包括的晶体管的栅极复用为所述存储电容的第一极板；
所述存储电容的第二极板和所述初始电压线都包含于所述第二栅金属层；
可选的，所述第二复位单元包括第二复位晶体管和第三复位晶体管；
所述第二复位晶体管的有源层包括第一极、沟道区和第二极，所述第三复位晶体管的有源层包括第一极、沟道区和第二极；
所述第三复位晶体管的第二极通过第二连接导电部与所述初始电压线耦接，所述第二复位晶体管的第一极通过第三连接导电部与所述驱动电路包括的晶体管的栅极耦接；
所述第二连接导电部和所述第三连接导电部都包含于所述第一源漏金属层。
可选的，所述初始电压线、所述复位控制线、所述栅线和所述发光控制线都沿第一方向延伸；
所述数据线和所述第一电压线沿第二方向延伸；所述第一方向与所述第二方向相交；
所述初始电压线、所述复位控制线和所述发光控制线沿第二方向依次排列。
可选的，所述第一复位单元包括第一复位晶体管；
所述第一复位晶体管的栅极与所述复位控制线连接，所述第一复位晶体管的第一极与所述第一电压线连接，所述第一复位晶体管的第二极与所述驱动单元的第一端连接。
可选的，所述第二复位单元还用于在所述复位控制线的控制下，控制将所述初始电压线输出的初始电压写入所述驱动电路的控制端。
可选的，所述第二复位单元包括第二复位晶体管；
所述第二复位晶体管的栅极与所述复位控制线连接，所述第二复位晶体管的第一极与所述驱动单元的控制端连接，所述第二复位晶体管的第二极与所述初始电压线连接。
可选的，所述驱动单元包括驱动晶体管；
所述驱动晶体管的栅极为所述驱动单元的控制端，所述驱动晶体管的第一极为所述驱动单元的第一端，所述驱动晶体管的第二极为所述驱动单元的第二端。
可选的，所述发光控制单元包括第一发光控制晶体管和第二发光控制晶体管，其中，
所述第一发光控制晶体管的栅极与所述发光控制线连接，所述第一发光控制晶体管的第一极与所述第一电压线连接，所述第一发光控制晶体管的第二极与所述驱动单元的第一端连接；
所述第二发光控制晶体管的栅极与所述发光控制线连接，所述第二发光控制晶体管的第一极与所述驱动单元的第二端连接，所述第二发光控制晶体管的第二极与所述发光元件的第一极连接。
可选的，所述储能单元包括存储电容，所述存储电容的第一极板与所述驱动单元的控制端连接，所述存储电容的第二极板与所述第一电压线连接；
所述发光元件包括有机发光二极管，所述有机发光二极管的阳极为所述发光元件的第一极，所述有机发光二极管的阴极为所述发光元件的第二极。
可选的，所述驱动控制单元包括第一驱动控制晶体管和第二驱动控制晶体管，其中，
所述第一驱动控制晶体管的栅极与所述栅线连接，所述第一驱动控制晶体管的第一极与所述驱动单元的第一端连接，所述第一驱动控制晶体管的第二极与所述数据线连接；
所述第二驱动控制晶体管的栅极与所述栅线连接，所述第二驱动控制晶体管的第一极与所述驱动单元的控制端连接，所述第二驱动控制晶体管的第二极与所述驱动单元的第二端连接。
可选的，所述第二复位单元包括第三复位晶体管；
所述第三复位晶体管的栅极与所述复位控制线连接，所述第三复位晶体管的第一极与所述发光元件的第一极连接，所述第三复位晶体管的第二极与所述初始电压线连接。
本发明实施例还提供一种像素驱动方法，应用于上述的像素电路，所述像素驱动方法包括：
在复位阶段，第一复位单元在复位控制线的控制下，控制第一电压线输出的第一电压写入驱动单元的第一端，以对所述驱动单元的第一端的电位进行复位，第二复位单元在所述复位控制线的控制下，控制初始电压线输出的初始电压写入发光元件的第一极，以对所述发光元件的第一极的电位进行复位。
可选的，显示周期包括依次设置的复位阶段、驱动控制阶段和发光阶段；所述驱动单元包括驱动晶体管，所述驱动晶体管的栅极为所述驱动单元的控制端，所述驱动晶体管的第一极为所述驱动单元的第一端，所述驱动晶体管的第二极为所述驱动单元的第二端；所述像素驱动方法还包括：
在所述驱动控制阶段，在栅线的控制下，驱动控制单元控制数据线上的数据电压Vdata写入所述驱动晶体管的第一极，所述驱动控制单元控制所述驱动晶体管的栅极与所述驱动晶体管的第二极连接，所述驱动晶体管导通，第一电压线输出的第一电压向储能单元充电；
在所述发光阶段，在发光控制线的控制下，发光控制单元控制所述第一电压线与所述驱动晶体管的第一极之间导通，并控制所述驱动晶体管的第二极与所述发光元件的第一极之间导通，驱动晶体管导通以驱动发光元件发光。
可选的，所述像素驱动方法还包括：在所述复位阶段，在所述复位控制线的控制下，控制所述初始电压线输出的初始电压写入所述驱动电路的控制端，以对所述驱动电路的控制端的电位进行复位。
本发明实施例还提供一种显示装置，包括上述的像素电路。
与现有技术相比，本发明所述的像素电路、像素驱动方法和显示装置增加了第一复位单元。在本发明实施例所述的像素电路中，第一复位单元包括的晶体管的有源层与所述驱动单元包括的晶体管的有源层位于同一层，并相互独立，以在对相关的像素电路的布局改动不大的前提下设置第一复位单元的晶体管，布局方便。
附图说明
图1是现有的像素电路在由低灰阶显示至预定灰阶显示，以及由高灰阶显示至预定灰阶显示时的驱动晶体管的漏源电流变化趋势示意图；
图2是本发明实施例所述的像素电路的结构图；
图3是本发明另一实施例所述的像素电路的结构图；
图4是本发明实施例所述的像素电路的工作时序图；
图5是本发明所述的像素电路的一具体实施例的电路图；
图6是本发明所述的像素电路的至少一实施例的电路图；
图7是图6所示的像素电路的至少一实施例的布局图；
图8A和图8B是图7中的半导体层的布局图；
图9是图7中的第一栅金属层的布局图；
图10是图7中的第二栅金属层的布局图；
图11是图7中的第一源漏金属层的布局图；
图12是图7中的第二源漏金属层的布局图；
图13是在图7的基础上增加对过孔的标号的示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明所有实施例中采用的晶体管均可以为薄膜晶体管或场效应管或其他特性相同的器件。在本发明实施例中，为区分晶体管除栅极之外的两极，将其中一极称为第一极，另一极称为第二极。在实际操作时，所述第一极可以为漏极，所述第二极可以为源极；或者，所述第一极可以为源极，所述第二极可以为漏极。
在相关技术中，当OLED(有机发光二极管)显示面板显示黑白棋盘格画面一段时间之后，控制OLED显示面板的显示画面的灰阶统一切换至灰阶48，则由于现有的驱动晶体管的初始状态不一致(显示白画面的像素电路中的驱动晶体管的源极的初始电位为V_L255，显示黑画面的像素电路中的驱动晶体管的源极的初始电位为V_L0，其中，V_L255是灰阶255对应的数据电压，V_L0是灰阶0对应的数据电压)，由于驱动晶体管的响应速度问题，会导致达到相同亮度(例如对应于灰阶48的亮度)的时间延长，即写入相同数据电压时对应的电流不一致，导致显示亮度的不一致，形成了残像。
如图1所示，横轴为驱动晶体管的栅源电压Vgs，纵轴为驱动晶体管的漏源电流Ids，以实线绘制出的曲线为当初始状态为白画面显示状态(对应的栅源电压为V_L0)时，由白画面显示状态转换至显示灰阶48的变化曲线；以虚线绘制出的曲线为当初始状态为黑画面显示状态(对应的栅源电压为V_L255时，由黑画面显示状态转换至显示灰阶48的变化曲线，由图1可知，写入相应数据电压时对应的Ids的数值不同，也即相应的显示亮度不同，形成残像。在图1中，V_L48为灰阶48对应的数据电压。
如图2所示，本发明实施例所述的像素电路包括发光元件EL、驱动单元11、发光控制单元12、驱动控制单元13、储能单元14、第一复位单元15和第二复位单元16，其中，
所述第一复位单元15分别与复位控制线Reset、所述驱动单元11的第一端和第一电压线VT1连接，用于在所述复位控制线Reset的控制下，控制所述第一电压线VT1输出的第一电压V1写入所述驱动单元11的第一端；
所述第二复位单元16分别与所述复位控制线Reset、所述发光元件EL的第一极和初始电压线连接，用于在复位控制线Reset的控制下，控制所述初始电压线输出的初始电压Vinit写入所述发光元件EL的第一极；
所述发光控制单元12分别与发光控制线EM、所述驱动单元11的第一端、所述驱动单元11的第二端、所述第一电压线VT1和所述发光元件EL连接，用于在所述发光控制线EM的控制下，控制所述驱动单元11的第一端与所述第一电压线VT1之间导通或断开，控制所述驱动单元11的第二端与所述发光元件EL的第一极之间导通或断开；所述发光元件EL的第二极与第二电压线VT2连接；
所述驱动控制单元13分别与栅线Gate、数据线Data、所述驱动单元11的控制端、所述驱动单元11的第一端和所述驱动单元11的第二端连接，用于在所述栅线Gate的控制下，控制所述数据线Data上的数据电压Vdata写入所述驱动单元11的第一端，并控制所述驱动单元11的控制端和所述驱动单元11的第二端之间导通或断开；
所述储能单元14用于维持所述驱动单元11的控制端的电位；
所述驱动单元11用于在所述控制端的控制下，驱动所述发光元件EL发光；
所述第一复位单元15包括的晶体管的有源层与所述驱动单元11包括的晶体管的有源层位于同一层且相互独立，所述第一复位单元15包括的晶体管的有源层包括第一极、第二极和沟道区，所述驱动单元11包括的晶体管的有源层包括第一极、第二极和沟道区。
在本发明至少一实施例中，所述第一电压线VT1与所述第一复位单元15包括的晶体管的第一极位于不同层；
所述第一复位单元15包括的晶体管的第二极通过第一连接导电部与所述驱动单元11包括的晶体管的第一极耦接；所述第一电压线VT1与所述第一复位单元15包括的晶体管的第一极耦接；
所述第一连接导电部与所述第一复位单元15包括的晶体管的有源层位于不同层。
在图1所示的像素电路的至少一实施例中，所述储能单元14的第一端可以与所述驱动单元11的控制端连接，所述储能单元14的第二端可以与所述第一电压线VT1连接，
本发明实施例所述的像素电路增加了第一复位单元15，第一复位单元15在复位阶段对驱动单元11的第一端的电位进行复位，第二复位单元16在复位阶段对所述发光元件EL的第一极的电位进行复位。
在本发明实施例所述的像素电路中，第一复位单元15包括的晶体管的有源层与所述驱动单元11包括的晶体管的有源层位于同一层，并相互独立，第一复位单元15包括的晶体管的第二极通过第一连接导电部与所述驱动单元11包括的晶体管的第一极耦接，所述第一连接导电部与所述有源层位于不同层，以在对相关的像素电路的布局改动不大的前提下设置第一复位单元15的晶体管，布局方便。
在本发明实施例所述的像素电路中，所述第一电压线VT1与所述第一复位单元15包括的晶体管的第一极耦接；所述第一电压线VT1与所述第一复位单元15包括的晶体管的第一极位于不同层，并所述第一电压线VT1在衬底基板上的正投影与所述第一复位单元15包括的晶体管的第一极在所述衬底基板上的正投影之间存在交叠区域，所述第一电压线VT1与所述第一复位单元15包括的晶体管的第一极之间通过过孔相互耦接，该过孔在所述衬底基板上的正投影在所述交叠区域内。
本发明如图2所示的像素驱动电路的实施例在工作时，
在复位阶段，第一复位单元15在复位控制线Reset的控制下，控制第一电压线VT1输出的第一电压V1写入驱动单元11的第一端，以对所述驱动单元11的第一端的电位进行复位，第二复位单元16在所述复位控制线Reset的控制下，控制初始电压线输出的初始电压Vinit写入所述发光元件EL的第一极，以对所述发光元件EL的第一极的电位进行复位。
在本发明至少一实施例中，所述像素电路包含于的显示基板包括衬底基板，以及，沿着远离所述衬底基板的方向依次层叠设置的半导体层和源漏金属层；
所述有源层包含于所述半导体层，所述第一连接导电部包含于所述源漏金属层。
在具体实施时，所述有源层可以包含于半导体层，所述第一电压线可以包含于源漏金属层。
可选的，所述源漏金属层包括第一源漏金属层和第二源漏金属层；所述第一源漏金属层设置于所述半导体层与所述第二源漏金属层之间；
所述第一电压线包含于所述源漏金属层，所述第一连接导电部包含于所述源漏金属层；所述第一连接导电部包含于的源漏金属层与所述第一电压线包含于的源漏金属层不是同一层。
在具体实施时，所述显示基板可以包括两个源漏金属层，第一电压线可以包含于第一源漏金属层，第一连接导电部可以包含于第二源漏金属层，但不以此为限。在实际操作时，所述第一电压线和所述第一连接导电部也可以都包含于所述第一源漏金属层。
在本发明至少一实施例中，所述发光控制单元可以包括第一发光控制晶体管；所述驱动电路包括的晶体管的有源层包括第一极、沟道区和第二极；
所述第一复位单元包括的晶体管的第二极通过第一连接导电部与所述第一发光控制晶体管的第二极耦接，所述第一复位晶体管的第二极与所述驱动电路包括的晶体管的第一极邻近且相互连通，以使得所述第一复位单元包括的晶体管的第二极与所述驱动电路包括的晶体管的第一极连接。
在本发明至少一实施例中，所述像素电路包含于的显示基板包括半导体层；
所述驱动单元包括的晶体管的有源层、所述发光控制单元包括的晶体管的有源层、所述驱动控制单元包括的晶体管的有源层和第二复位单元包括的晶体管的有源层相互连续；
所述驱动单元包括的晶体管的有源层、所述发光控制单元包括的晶体管的有源层、所述驱动控制单元包括的晶体管的有源层和第二复位单元包括的晶体管的有源层包含于所述半导体层。
在具体实施时，所述像素电路包括的晶体管的有源层都包含于所述半导体层，并所述驱动单元包括的晶体管的有源层、所述发光控制单元包括的晶体管的有源层、所述驱动控制单元包括的晶体管的有源层和第二复位单元包括的晶体管的有源层相互连续，以便以上各晶体管的电极之间互相连接。
在本发明至少一实施例中，所述像素电路包含于的显示基板可以包括衬底基板，以及，沿着远离所述衬底基板的方向依次层叠设置的半导体层和第一源漏金属层；
所述第一复位单元包括的晶体管的有源层在所述衬底基板上的正投影，位于所述数据线在所述衬底基板上的正投影靠近所述第一电压线在所述衬底基板上的正投影的一侧；
所述有源层包含于所述半导体层，所述第一电压线与所述数据线包含于同一源漏金属层。
在具体实施时，所述第一电压线和所述数据线可以都包含于所述第一源漏金属层，并第一复位单元包括的晶体管的有源层可以设置于所述数据线靠近所述第一电压线的一侧，但不以此为限。
可选的，所述储能单元包括存储电容；
所述像素电路包含于的显示基板包括衬底基板，以及，沿着远离所述衬底基板的方向依次层叠设置的半导体层、第一栅金属层、第二栅金属层和第一源漏金属层；
所述复位控制线、所述栅线和所述发光控制线都包含于所述第一栅金属层；
所述驱动单元包括的晶体管的栅极复用为所述存储电容的第一极板；
所述存储电容的第二极板和所述初始电压线都包含于所述第二栅金属层。
在本发明至少一实施例中，所述像素电路包括的晶体管的栅极可以都包含于所述第一栅金属层，所述数据线和所述第一电压线可以都包含于所述第一源漏金属层。
在具体实施时，所述储能单元可以包括存储电容，驱动单元包括的晶体管的栅极复用为存储电容的第一极板，存储电容的第二极板和初始电压线都包含于第二栅金属层。
在本发明至少一实施例中，所述第二复位单元包括第二复位晶体管和第三复位晶体管；
所述第二复位晶体管的有源层包括第一极、沟道区和第二极，所述第三复位晶体管的有源层包括第一极、沟道区和第二极；
所述第三复位晶体管的第二极通过第二连接导电部与所述初始电压线耦接，所述第二复位晶体管的第一极通过第三连接导电部与所述驱动电路包括的晶体管的栅极耦接；
所述第二连接导电部和所述第三连接导电部都包含于所述第一源漏金属层。
在具体实施时，所述第二复位晶体管的有源层包含于半导体层，初始电压线包含于第二栅金属层，所述驱动电路包括的晶体管的栅极包含于第一栅金属层，第二连接导电部和第二连接导电部可以包含于第一源漏金属层，所述第二复位晶体管的第二极可以通过第二连接导电部与所述初始电压线耦接，所述第二复位晶体管的第一极可以通过第三连接导电部与所述驱动电路包括的晶体管的栅极耦接。
在本发明至少一实施例中，所述像素电路包括的晶体管的有源层可以都包含于所述半导体层。
在本发明至少一实施例中，所述初始电压线、所述复位控制线、所述栅线和所述发光控制线都沿第一方向延伸；
所述数据线和所述第一电压线沿第二方向延伸；所述第一方向与所述第二方向相交；
所述初始电压线、所述复位控制线和所述发光控制线沿第二方向依次排列。
可选的，所述第一方向可以为水平方向，所述第二方向可以为竖直方向，但不以此为限。
具体的，所述驱动单元可以包括驱动晶体管；
所述驱动晶体管的栅极为所述驱动单元的控制端，所述驱动晶体管的第一极为所述驱动单元的第一端，所述驱动晶体管的第二极为所述驱动单元的第二端。
在具体实施时，如图3所示，在图2所示的像素电路的实施例的基础上，所述驱动单元11包括驱动晶体管T3；
所述驱动晶体管T3的栅极为所述驱动单元11的控制端，所述驱动晶体管T3的源极为所述驱动单元11的第一端，所述驱动晶体管T3的漏极为所述驱动单元11的第二端；
所述第一电压线为输出高电压Vdd的高电压线，第一电压为高电压Vdd。
在图3所示的实施例中，T3为p型晶体管，但不以此为限。
如图4所示，本发明如图3所示的像素电路的实施例在工作时，显示周期包括依次设置的复位阶段S1、驱动控制阶段S2和发光阶段S3；
在复位阶段t1，第一复位单元15在复位控制线Reset的控制下，控制高电压线输出的高电压Vdd写入T3的源极，以对T3的源极的电位进行复位，第二复位单元16在所述复位控制线Reset的控制下，控制初始电压线输出的初始电压Vinit写入所述发光元件EL的第一极，以对所述发光元件EL的第一极的电位进行复位，以将所述发光元件EL的第一极的电位复位为初始电压，从而避免所述发光元件EL的第一极残留的电荷对显示的影响；
在驱动控制阶段t2，在栅线Gate的控制下，驱动控制单元13控制数据线Data上的数据电压Vdata写入T3的源极，所述驱动控制单元13控制T3的栅极与T3的漏极连接，T3导通，通过高电压线输出的高电压Vdd向储能单元14充电，以提升T3的栅极的电位，直至T3的栅极的电位为Vdata+Vth，T3关断，Vth为T3的阈值电压；
在发光阶段t3，在发光控制线EM的控制下，发光控制单元12控制所述高电压线与T3的源极之间导通，并控制T3的漏极与所述发光元件EL的第一极之间导通，驱动晶体管导通以驱动发光元件EL发光。
本发明如图3所示的像素电路的实施例通过增加第一复位单元15，以在复位阶段t1，通过第一复位单元15将T3的源极的电位复位为Vdd，通过第二复位单元16将所述发光元件EL的电位进行复位。
本发明实施例通过第一复位单元15在复位阶段将驱动单元11包括的驱动晶体管的源极的电位复位为Vdd，从而使得在发光阶段的驱动晶体管的漏源电流的变化处于几乎相同的一个变化趋势(无论从低灰阶到预定灰阶，还是从高灰阶到预定灰阶)，从而保证电流变化一致，画面显示没有差异，也即不存在明显残像。
具体的，所述第一复位单元可以包括第一复位晶体管；
所述第一复位晶体管的栅极与所述复位控制线连接，所述第一复位晶体管的第一极与所述第一电压线连接，所述第一复位晶体管的第二极与所述驱动单元的第一端连接。
可选的，所述第二复位单元还用于在所述复位控制线的控制下，控制将所述初始电压线输出的初始电压写入所述驱动电路的控制端。
具体的，所述第二复位单元可以包括第二复位晶体管；
所述第二复位晶体管的栅极与所述复位控制线连接，所述第二复位晶体管的第一极与所述驱动单元的控制端连接，所述第二复位晶体管的第二极与所述初始电压线连接。
具体的，所述发光控制单元可以包括第一发光控制晶体管和第二发光控制晶体管，其中，
所述第一发光控制晶体管的栅极与所述发光控制线连接，所述第一发光控制晶体管的第一极与所述第一电压线连接，所述第一发光控制晶体管的第二极与所述驱动单元的第一端连接；
所述第二发光控制晶体管的栅极与所述发光控制线连接，所述第二发光控制晶体管的第一极与所述驱动单元的第二端连接，所述第二发光控制晶体管的第二极与所述发光元件的第一极连接。
在具体实施时，所述储能单元包括存储电容，所述存储电容的第一极板与所述驱动单元的控制端连接，所述存储电容的第二极板与所述第一电压线连接；
所述发光元件包括有机发光二极管，所述有机发光二极管的阳极为所述发光元件的第一极，所述有机发光二极管的阴极为所述发光元件的第二极。
具体的，所述驱动控制单元可以包括第一驱动控制晶体管和第二驱动控制晶体管，其中，
所述第一驱动控制晶体管的栅极与所述栅线连接，所述第一驱动控制晶体管的第一极与所述驱动单元的第一端连接，所述第一驱动控制晶体管的第二极与所述数据线连接；
所述第二驱动控制晶体管的栅极与所述栅线连接，所述第二驱动控制晶体管的第一极与所述驱动单元的控制端连接，所述第二驱动控制晶体管的第二极与所述驱动单元的第二端连接。
具体的，所述第二复位单元可以包括第三复位晶体管；
所述第三复位晶体管的栅极与所述栅线连接，所述第三复位晶体管的第一极与所述发光元件的第一极连接，所述第三复位晶体管的第二极与所述初始电压线连接。
本发明实施例所述的像素电路包括发光元件、存储电容、驱动晶体管、第一复位晶体管、第二复位晶体管、第一发光控制晶体管、第二发光控制晶体管、第一驱动控制晶体管和第二驱动控制晶体管；
所述第一复位晶体管的栅极与复位控制线连接，所述第一复位晶体管的第一极与第一电压线连接，所述第一复位晶体管的第二极与所述驱动晶体管的第一极连接；
所述第二复位晶体管的栅极与所述复位控制线连接，所述第二复位晶体管的第一极与所述驱动晶体管的栅极连接，所述第二复位晶体管的第二极与初始电压线连接；
所述第一发光控制晶体管的栅极与发光控制线连接，所述第一发光控制晶体管的第一极与所述第一电压线连接，所述第一发光控制晶体管的第二极与所述驱动晶体管的第一极连接；
所述第二发光控制晶体管的栅极与所述发光控制线连接，所述第二发光控制晶体管的第一极与所述驱动晶体管的第二极连接，所述第二发光控制晶体管的第二极与所述发光元件的第一极连接；
所述存储电容的第一极板与所述驱动晶体管的栅极连接，所述存储电容的第二极板与所述第一电压线连接；
所述第一驱动控制晶体管的栅极与栅线连接，所述第一驱动控制晶体管的第一极与所述驱动晶体管的第一极连接，所述第一驱动控制晶体管的第二极与数据线连接；
所述第二驱动控制晶体管的栅极与所述栅线连接，所述第二驱动控制晶体管的第一极与所述驱动晶体管的栅极连接，所述第二驱动控制晶体管的第二极与所述驱动晶体管的第二极连接。
本发明实施例所述的像素电路增设了第一复位晶体管，第一复位晶体管在复位阶段对驱动晶体管的第一极的电位进行复位，与第二复位晶体管一起对驱动晶体管的栅极的电位和驱动晶体管的第一极的电位同时复位，使得驱动晶体管在数据电压写入前的初始状态固定，使能在驱动控制阶段(也即数据电压写入阶段)使得驱动晶体管处于稳定的状态，能够较大程度减小迟滞效应，达到改善残像的目的。
在具体实施时，本发明实施例所述的像素电路还可以包括第三复位晶体管；所述第三复位晶体管的栅极与所述复位控制线连接，所述第三复位晶体管的第一极与所述发光元件的第一极连接，所述第三复位晶体管的第二极与所述初始电压线连接。本发明实施例所述的像素电路通过采用第三复位晶体管，以在复位阶段对发光元件的第一极的电位进行复位。
下面通过一具体实施例来说明本发明所述的像素电路。
如图5所示，本发明所述的像素电路的一具体实施例包括有机发光二极管OLED、驱动单元、发光控制单元、驱动控制单元、储能单元、第一复位单元和第二复位单元，其中，
所述驱动单元包括驱动晶体管T3；所述第一复位单元包括第一复位晶体管T8；所述第二复位单元包括第二复位晶体管T1和第三复位晶体管T7；所述发光控制单元包括第一发光控制晶体管T5和第二发光控制晶体管T6；所述储能单元包括存储电容Cst；所述驱动控制单元包括第一驱动控制晶体管T4和第二驱动控制晶体管T2；
所述第一复位晶体管T8的栅极与所述复位控制线Reset连接，所述第一复位晶体管T8的源极与所述高电压线连接，所述第一复位晶体管T8的漏极与T3的源极连接；所述高电压线用于输出高电压Vdd；
所述第二复位晶体管T1的栅极与所述复位控制线Reset连接，所述第二复位晶体管T1的源极与所述驱动晶体管T3的栅极连接，所述第二复位晶体管T1的漏极与所述初始电压线连接；所述初始电压线用于输出初始电压Vinit；
所述第三复位晶体管T7的栅极与所述复位控制线Reset连接，所述第三复位晶体管T7的源极与所述有机发光二极管OLED的阳极连接，所述第三复位晶体管T7的漏极与所述初始电压线连接；
所述第一发光控制晶体管T5的栅极与所述发光控制线EM连接，所述第一发光控制晶体管T5的源极与所述高电压线连接，所述第一发光控制晶体管T5的漏极与所述驱动晶体管T3的源极连接；
所述第二发光控制晶体管T6的栅极与所述发光控制线EM连接，所述第二发光控制晶体管T6的源极与所述驱动晶体管T3的漏极连接，所述第二发光控制晶体管T6的漏极与OLED的阳极连接；
所述存储电容Cst的第一极板与所述驱动晶体管T3的栅极连接，所述存储电容Cst的第二极板与所述高电压线连接；
所述第一驱动控制晶体管T4的栅极与所述栅线Gate连接，所述第一驱动控制晶体管T4的源极与所述驱动晶体管T3的源极连接，所述第一驱动控制晶体管T4的漏极与所述数据线Data连接；
所述第二驱动控制晶体管T2的栅极与所述栅线Gate连接，所述第二驱动控制晶体管T2的源极与所述驱动晶体管T3的栅极连接，所述第二驱动控制晶体管T2的漏极与所述驱动晶体管T3的漏极连接；
OLED的阴极与低电压线连接，所述低电压线用于输出低电压Vss。
在图5所示的具体实施例中，所有的晶体管都为p型晶体管，但不以此为限。
如图4所示，本发明如图5所示的像素电路的具体实施例在工作时，显示周期包括依次设置的复位阶段t1、驱动控制阶段t2和发光阶段t3；
在复位阶段t1，Reset输出低电压，EM和Gate都输出高电压，T8打开，以控制高电压线输出的高电压Vdd写入T3的源极，以对T3的源极的电位进行复位，T1打开，以控制初始电压线输出的初始电压Vinit写入T3的栅极，以对T3的栅极的电位进行复位，T7打开，以控制将Vinit写入OLED的阳极，以对OLED的阳极的电位进行复位；
在驱动控制阶段t2，Gate输出低电压，EM和Reset都输出高电压，T2和T4都打开，以控制数据线Data上的数据电压Vdata写入T3的源极，并控制T3的栅极与T3的漏极连接，从而使得T3导通，通过高电压线输出的高电压Vdd向Cst充电，以提升T3的栅极的电位，直至T3的栅极的电位为Vdata+Vth，T3关断，Vth为T3的阈值电压；
在发光阶段t3，EM输出低电压，Gate和Reset都输出高电压，T5和T6都打开，以控制所述高电压线与T3的源极之间导通，并控制T3的漏极与所述OLED的阳极之间导通，T3导通以驱动OLED发光。
本发明如图5所示的像素电路的具体实施例通过增加T8，以在复位阶段t1，通过T8将T3的源极的电位复位为Vdd，通过T1将T3的栅极的电位复位为Vinit，使得T3的栅源电压Vgs在数据电压写入前固定，控制T3的初始状态固定，使得在驱动控制阶段(也即数据电压写入阶段)使得驱动晶体管T3处于稳定的状态，能够较大程度减小迟滞效应，达到改善残像的目的。
如图6所示，本发明所述的像素电路的一具体实施例包括有机发光二极管OLED、驱动单元、发光控制单元、驱动控制单元、储能单元、第一复位单元和第二复位单元，其中，
所述驱动单元包括驱动晶体管T3；所述第一复位单元包括第一复位晶体管T8；所述第二复位单元包括第二复位晶体管T1和第三复位晶体管T7；所述发光控制单元包括第一发光控制晶体管T5和第二发光控制晶体管T6；所述储能单元包括存储电容Cst；所述驱动控制单元包括第一驱动控制晶体管T4和第二驱动控制晶体管T2；
所述第一复位晶体管T8的栅极G8与所述复位控制线Reset连接，所述第一复位晶体管T8的第一极S8与高电压线ELVDD连接，所述第一复位晶体管T8的第二极D8与T3的源极连接；所述高电压线ELVDD用于输出高电压Vdd；
所述第二复位晶体管T1的栅极G1与所述复位控制线Reset连接，所述第二复位晶体管T1的第一极S1与所述驱动晶体管T3的栅极G3连接，所述第二复位晶体管T1的第二极D1与初始电压线I1连接；所述初始电压线I1用于输出初始电压Vinit；
所述第三复位晶体管T7的栅极G7与所述复位控制线Reset连接，所述第三复位晶体管T7的第一极S7与所述有机发光二极管OLED的阳极连接，所述第三复位晶体管T7的第二极D7与所述初始电压线I1连接；
所述第一发光控制晶体管T5的栅极G5与所述发光控制线EM连接，所述第一发光控制晶体管T5的第一极S5与所述高电压线ELVDD连接，所述第一发光控制晶体管T5的第二极D5与所述驱动晶体管T3的第一极S3连接；
所述第二发光控制晶体管T6的栅极G6与所述发光控制线EM连接，所述第二发光控制晶体管T6的第一极S6与所述驱动晶体管T3的第二极D3连接，所述第二发光控制晶体管T6的第二极D6与OLED的阳极连接；
所述存储电容Cst的第一极板Ca与所述驱动晶体管T3的栅极G3连接，所述存储电容Cst的第二极板Cb与所述高电压线ELVDD连接；
所述第一驱动控制晶体管T4的栅极G4与所述栅线Gate连接，所述第一驱动控制晶体管T4的源极与所述驱动晶体管T3的源极连接，所述第一驱动控制晶体管T4的漏极与所述数据线Data连接；
所述第二驱动控制晶体管T2的栅极与所述栅线Gate连接，所述第二驱动控制晶体管T2的第一极S2与所述驱动晶体管T3的栅极G3连接，所述第二驱动控制晶体管T2的第二极D2与所述驱动晶体管T3的第二极D3连接；
OLED的阴极与低电压线连接，所述低电压线用于输出低电压Vss。
在图6所示的像素电路的至少一实施例中，所述第一电压线为所述高电压线ELVDD，所述第二电压线为所述低电压线。
图7是图6所示的像素电路的至少一实施例的布局图，图8A和图8B是图7中的半导体层的布局图，图9是图7中的第一栅金属层的布局图，图10是图7中的第二栅金属层的布局图，图11是图7中的第一源漏金属层的布局图，图12是图7中的第二源漏金属层的布局图。
在图7-图12所示的至少一实施例中，所述第二复位晶体管T1和所述第二驱动控制晶体管T2为双栅晶体管，但不以此为限。
在图8B中，标号为CH11的为T1的第一沟道区，标号为CH12的为T1的第二沟道区，标号为CH21的为T2的第一沟道区，标号为CH22的为T2的第二沟道区。
在图7中，标号为ELVDD的为高电压线，标号为Data的为数据线，标号为I1的为初始电压线，标号为Reset的为复位控制线，标号为Gate的为栅线，标号为EM的为发光控制线，标号为L1的为第一连接导电部，标号为L2的为第二连接导电部，标号为L3的为第三连接导电部。
在图8A中，标号为S1的为T1的第一极，标号为D1的为T1的第二极，标号为S2的为T2的第一极，标号为D2的为T2的第二极，标号为S3的为T3的第一极，标号为D3的为T3的第二极，标号为S4的为T4的第一极，标号为D4的为T4的第二极，标号为S5的为T5的第一极，标号为D5的为T5的第二极，标号为S6的为T6的第一极，标号为D6的为T6的第二极，标号为S7的为T7的第一极，标号为D7的为T7的第二极，标号为S8的为T8的第一极，标号为D8的为T8的第二极。
在图8B中，标号为CH3的为T3的沟道区，标号为CH4的为T4的沟道区，标号为CH5的为T5的沟道区，标号为CH6的为T6的沟道区，标号为CH7的为T7的沟道区，标号为CH8的为T8的沟道区。
在图9中，标号为G11的为T1的第一栅极，标号为G12的为T1的第二栅极，标号为G21的为T2的第一栅极，标号为G22的为T2的第二栅极，标号为G3的为T3的栅极，标号为G4的为T4的栅极，标号为G5的为T5的栅极，标号为G6的为T6的栅极，标号为G7的为T7的栅极，标号为G8的为T8的栅极；T3的栅极G3复用为存储电容的第一极板；
在图9中，标号为Reset的为复位控制线，标号为Gate的为栅线，标号为EM的为发光控制线。
在图10中，标号为I1的为初始电压线，标号为Cb的为存储电容的第二极板。
在图11中，标号为ELVDD的为高电压线，标号为Data的为数据线，标号为L2的为第二连接导电部，标号为L3的为第三连接导电部。
在图12中，标号为L1的为第一连接导电部。
如图8A和图8B所示，第一复位晶体管T8的有源层和驱动晶体管T3的有源层都包含于半导体层，T8的有源层与T3的有源层相互独立；
T8的有源层包括T8的第一极S8、T8的第二极D8和T8的沟道区CH8；
T3的有源层包括T3的第一极S3、T3的第二极D3和T3的沟道区CH3；
如图7-图12所示，T8的第二极D8通过第一连接导电部L1与T5的第二极D5耦接，T5的第二极D5与T3的第一极S3邻近且相互连通，以使得T8的第二极D8与T3的第一极S3电连接；
T8的第一极S8通过第一过孔H1与所述高电压线ELVDD耦接。
如图7-图12所示，第一连接导电部L1包含于第二源漏金属层，所述高电压线ELVDD包含于第一源漏金属层，D8、D5和S3都包含于半导体层；
所述高电压线ELVDD在衬底基板上的正投影与S8在所述衬底基板上的正投影之间存在交叠区域，所述第一过孔H1在所述衬底基板上的正投影在所述交叠区域内。
如图7-图12所示，所述像素电路包含于显示基板，显示基板包括依次层叠设置的衬底基板、半导体层、第一栅金属层、第二栅金属层、第一源漏金属层和第二源漏金属层；
所述高电压线ELVDD包含于所述第一源漏金属层，所述第一连接导电部L1包含于所述第二源漏金属层。
如图8A和图8B所示，T1的有源层、T2的有源层、T3的有源层、T4的有源层、T5的有源层、T6的有源层和T7的有源层相互连续。
如图7-图12所示，T8的有源层在所述衬底基板上的正投影位于数据线Data在衬底基板上的正投影靠近所述高电压线ELVDD在所述衬底基板上的正投影的一侧。
如图7-图12所示，所述复位控制线Reset、所述栅线Gate和所述发光控制线EM都包含于所述第一栅金属层；
T1的第一栅极G11、T1的第二栅极G12、T2的第一栅极G21、T2的第二栅极G22、T3的栅极G3、T4的栅极G4、T5的栅极G5、T6的栅极、T7的栅极和T8的栅极都包含于所述第一栅金属层；
T3的栅极G3复用为所述存储电容Cst的第一极板Ca；
所述存储电容Cst的第二极板Cb和所述初始电压线I1都包含于所述第二栅金属层；
所述数据线Data和所述高电压线ELVDD都包含于所述第一源漏金属层。
如图7-图12所示，T1的有源层、T2的有源层、T3的有源层、T4的有源层、T5的有源层、T6的有源层、T7的有源层和T8的有源层都包含于半导体层；所述第二复位晶体管T1的有源层包括T1的第一极S1、T1的第一沟道区CH11、T1的第二沟道区CH12和T1的第二极D1，所述第三复位晶体管T7的有源层包括T7的第一极S7、T7的沟道区CH7和T7的第二极D7；
T1的第二极D1与T7的第二极D7邻近且相互连通；
T7的第二极D7通过第二连接导电部L2与所述初始电压线I1耦接，T7的第一极S7通过第三连接导电部L3与所述驱动晶体管T3的栅极G3耦接；
所述第二连接导电部L2和所述第三连接导电部L3都包含于所述第一源漏金属层。
如图7-图12所示，所述初始电压线I1、所述复位控制线Reset、所述栅线Gate和所述发光控制线EM都沿第一方向延伸；
所述数据线Data和所述高电压线ELVDD沿第二方向延伸；所述第一方向与所述第二方向相交；
所述初始电压线I1、所述复位控制线Reset、所述栅线Gate和所述发光控制线EM沿第二方向依次排列。
可选的，所述第一方向可以为水平方向，所述第二方向可以为竖直方向，但不以此为限。
本发明实施例所述的像素驱动方法，应用于上述的像素电路，所述像素驱动方法包括：
在复位阶段，第一复位单元在复位控制线的控制下，控制第一电压线输出的第一电压写入驱动单元的第一端，以对所述驱动单元的第一端的电位进行复位，第二复位单元在所述复位控制线的控制下，控制初始电压线输出的初始电压写入发光元件的第一极，以对所述发光元件的第一极的电位进行复位。
本发明实施例所述的像素驱动方法增加了第一复位单元，第一复位单元在复位阶段对驱动单元的第一端的电位进行复位，第二复位单元在复位阶段对所述发光元件的第一极的电位进行复位。
在具体实施时，显示周期包括依次设置的复位阶段、驱动控制阶段和发光阶段；所述驱动单元包括驱动晶体管，所述驱动晶体管的栅极为所述驱动单元的控制端，所述驱动晶体管的第一极为所述驱动单元的第一端，所述驱动晶体管的第二极为所述驱动单元的第二端；所述像素驱动方法还包括：
在所述驱动控制阶段，在栅线的控制下，驱动控制单元控制数据线上的数据电压Vdata写入所述驱动晶体管的第一极，所述驱动控制单元控制所述驱动晶体管的栅极与所述驱动晶体管的第二极连接，所述驱动晶体管导通，第一电压线输出的第一电压向储能单元充电；
在所述发光阶段，在发光控制线的控制下，发光控制单元控制所述第一电压线与所述驱动晶体管的第一极之间导通，并控制所述驱动晶体管的第二极与所述发光元件的第一极之间导通，驱动晶体管导通以驱动发光元件发光。
在具体实施时，所述像素驱动方法还包括：在所述复位阶段，在所述复位控制线的控制下，控制所述初始电压线输出的初始电压写入所述驱动电路的控制端，以对所述驱动电路的控制端的电位进行复位。
在本发明至少一实施例中，在复位阶段，第一复位单元与第二复位单元一起对驱动单元的控制端的电位和驱动单元的第一端的电位同时复位，使得驱动单元在数据电压写入前的初始状态固定，使能在驱动控制阶段(也即数据电压写入阶段)使得驱动单元处于稳定的状态，能够较大程度减小迟滞效应，达到改善残像的目的。
本发明实施例所述的显示装置包括上述的像素电路。
与现有的显示装置相比，本发明实施例所述的显示装置中的像素电路增加了第一复位晶体管，该第一复位晶体管的栅极与复位控制线连接，该第一复位晶体管的源极与第一电压线连接(在实际操作时所述第一电压线可以为输出Vdd的高电压线)，该第一复位晶体管的漏极与所述驱动晶体管的源极连接。
图7示出了本发明所述的显示装置中的第n行第m列像素电路(第n行第m列像素电路的结构可以如图6所示)的结构示意图；图7中示出了依次设置的半导体层、第一栅金属层、第二栅金属层第一源漏金属层和第二源漏金属层；m为正整数，n为大于1的正整数；
所述第一栅金属层与所述第二栅金属层之间设置有第一绝缘层(图7中未示出第一绝缘层)，所述第一栅金属层与所述半导体层之间设置有栅绝缘层(图7中未示出所述栅绝缘层)，所述第一源漏金属层和所述第二栅金属层之间设置有第二绝缘层(图7中未示出所述第二绝缘层)；
在图7中，标号为I1的为初始电压线；
如图9所示，所述第一栅金属层的图形包括复位控制线Reset、栅线Gate、发光控制线EM，以及，所述第n行第m列像素电路的具体实施例包括的所有晶体管的栅极；
如图10所示，所述第二栅金属层的图形包括初始电压线I1和存储电容的第二极板Cb；
在图9中，标号为G3的为T3的栅极，标号为G11的为T1的第一栅极，标号为G12的为T1的第二栅极，标号为G21的为T2的第一栅极，标号为G22的为T2的第二栅极，标号为G3的为T3的栅极，标号为G4的为T4的栅极，标号为G5的为T5的栅极，标号为G6的为T6的栅极，标号为G7的为T7的栅极，标号为G8的为T8的栅极。
在图11中，所述源漏金属层的图形包括数据线Data、高电压线ELVDD、第二导电连接部L2和第三导电连接部L3；
在图13中，在图7的基础上，标号为H1的为第一过孔，标号为H2的为第二过孔，标号为H3的为第三过孔，标号为H4的为第四过孔，标号为H5的为第五过孔，标号为H6的为第六过孔，标号为H7的为第七过孔，标号为H8的为第八过孔，标号为H9的为第九过孔，标号为H10的为第十过孔，标号为H11的为第十一过孔。
在图7至图12所示的至少一实施例中，T6的第二极D6通过第四连接导电部(图7中未示出)与OLED的阳极(图7中未示出)连接。
在图7所示的实施例中，所述第二复位晶体管T1的第一极D1通过第三连接导电部L3与所述驱动晶体管T3的栅极G3耦接，所述第三导电连接部L3包含于所述第一源漏金属层。
在具体实施时，本发明实施例在布局上与现有技术不同之处如下：ELVDD上的高电压从T8的源极写入，T8的漏极与T3的源极通过SD(源漏)走线(所述SD走线可以为第一连接导电部)连接。
本发明实施例所提供的显示装置可以为手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明所述原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (22)

1.一种像素电路，其特征在于，包括发光元件、驱动单元、发光控制单元、驱动控制单元、储能单元、第一复位单元和第二复位单元，其中，
所述第一复位单元用于在复位控制线的控制下，控制第一电压线输出的第一电压写入所述驱动单元的第一端；
所述第二复位单元用于在复位控制线的控制下，控制初始电压线输出的初始电压写入所述发光元件的第一极；
所述发光控制单元用于在发光控制线的控制下，控制所述驱动单元的第一端与所述第一电压线之间导通或断开，控制所述驱动单元的第二端与所述发光元件的第一极之间导通或断开；所述发光元件的第二极与第二电压线连接；
所述驱动控制单元用于在栅线的控制下，控制数据线上的数据电压写入所述驱动单元的第一端，并控制所述驱动单元的控制端和所述驱动单元的第二端之间导通或断开；
所述储能单元用于维持所述驱动单元的控制端的电位；
所述驱动单元用于在所述控制端的控制下，驱动所述发光元件发光；
所述第一复位单元包括的晶体管的有源层与所述驱动单元包括的晶体管的有源层位于同一层并相互独立，所述第一复位单元包括的晶体管的有源层包括第一极、第二极和沟道区，所述驱动单元包括的晶体管的有源层包括第一极、第二极和沟道区。
2.如权利要求1所述的像素电路，其特征在于，所述第一电压线与所述第一复位单元包括的晶体管的第一极位于不同层；
所述第一复位单元包括的晶体管的第二极通过第一连接导电部与所述驱动单元包括的晶体管的第一极耦接；所述第一电压线与所述第一复位单元包括的晶体管的第一极耦接；
所述第一连接导电部与所述第一复位单元包括的晶体管的有源层位于不同层。
3.如权利要求1所述的像素电路，其特征在于，所述像素电路包含于的显示基板包括衬底基板，以及，沿着远离所述衬底基板的方向依次层叠设置的半导体层和源漏金属层；
所述有源层包含于所述半导体层，所述第一连接导电部包含于所述源漏金属层。
4.如权利要求3所述的像素电路，其特征在于，所述源漏金属层包括第一源漏金属层和第二源漏金属层；所述第一源漏金属层设置于所述半导体层与所述第二源漏金属层之间；
所述第一电压线包含于所述源漏金属层，所述第一连接导电部包含于的所述源漏金属层与第一电压线包含于的源漏金属层不是同一层。
5.如权利要求1所述的像素电路，其特征在于，所述发光控制单元包括第一发光控制晶体管；所述驱动电路包括的晶体管的有源层包括第一极、沟道区和第二极；
所述第一复位单元包括的晶体管的第二极通过第一连接导电部与所述第一发光控制晶体管的第二极耦接，所述第一复位晶体管的第二极与所述驱动电路包括的晶体管的第一极邻近且相互连通，以使得所述第一复位单元包括的晶体管的第二极与所述驱动电路包括的晶体管的第一极连接。
6.如权利要求1所述的像素电路，其特征在于，所述像素电路包含于的显示基板包括的半导体层；
所述驱动单元包括的晶体管的有源层、所述发光控制单元包括的晶体管的有源层、所述驱动控制单元包括的晶体管的有源层和第二复位单元包括的晶体管的有源层相互连续；
所述驱动单元包括的晶体管的有源层、所述发光控制单元包括的晶体管的有源层、所述驱动控制单元包括的晶体管的有源层和第二复位单元包括的晶体管的有源层包含于所述半导体层。
7.如权利要求1所述的像素电路，其特征在于，所述像素电路包含于的显示基板包括衬底基板，以及，沿着远离所述衬底基板的方向依次层叠设置的半导体层和第一源漏金属层；
所述第一复位单元包括的晶体管的有源层在所述衬底基板上的正投影，位于所述数据线在所述衬底基板上的正投影靠近所述第一电压线在所述衬底基板上的正投影的一侧；
所述有源层包含于所述半导体层，所述第一电压线与所述数据线包含于同一源漏金属层。
8.如权利要求1所述的像素电路，其特征在于，所述储能单元包括存储电容；
所述像素电路包含于的显示基板包括衬底基板，以及，沿着远离所述衬底基板的方向依次层叠设置的半导体层、第一栅金属层、第二栅金属层和第一源漏金属层；
所述复位控制线、所述栅线和所述发光控制线都包含于所述第一栅金属层；
所述驱动单元包括的晶体管的栅极复用为所述存储电容的第一极板；
所述存储电容的第二极板和所述初始电压线都包含于所述第二栅金属层；
9.如权利要求8所述的像素电路，其特征在于，所述第二复位单元包括第二复位晶体管和第三复位晶体管；
所述第二复位晶体管的有源层包括第一极、沟道区和第二极，所述第三复位晶体管的有源层包括第一极、沟道区和第二极；
所述第三复位晶体管的第二极通过第二连接导电部与所述初始电压线耦接，所述第二复位晶体管的第一极通过第三连接导电部与所述驱动电路包括的晶体管的栅极耦接；
所述第二连接导电部和所述第三连接导电部都包含于所述第一源漏金属层。
10.如权利要求8所述的像素电路，其特征在于，所述初始电压线、所述复位控制线、所述栅线和所述发光控制线都沿第一方向延伸；
所述数据线和所述第一电压线沿第二方向延伸；所述第一方向与所述第二方向相交；
所述初始电压线、所述复位控制线和所述发光控制线沿第二方向依次排列。
11.如权利要求1至10中任一权利要求所述的像素电路，其特征在于，所述第一复位单元包括第一复位晶体管；
所述第一复位晶体管的栅极与所述复位控制线连接，所述第一复位晶体管的第一极与所述第一电压线连接，所述第一复位晶体管的第二极与所述驱动单元的第一端连接。
12.如权利要求1至10中任一权利要求所述的像素电路，其特征在于，所述第二复位单元还用于在所述复位控制线的控制下，控制将所述初始电压线输出的初始电压写入所述驱动电路的控制端。
13.如权利要求12所述的像素电路，其特征在于，所述第二复位单元包括第二复位晶体管；
所述第二复位晶体管的栅极与所述复位控制线连接，所述第二复位晶体管的第一极与所述驱动单元的控制端连接，所述第二复位晶体管的第二极与所述初始电压线连接。
14.如权利要求1至10中任一权利要求所述的像素电路，其特征在于，所述驱动单元包括驱动晶体管；
所述驱动晶体管的栅极为所述驱动单元的控制端，所述驱动晶体管的第一极为所述驱动单元的第一端，所述驱动晶体管的第二极为所述驱动单元的第二端。
15.如权利要求1至10中任一权利要求所述的像素电路，其特征在于，所述发光控制单元包括第一发光控制晶体管和第二发光控制晶体管，其中，
所述第一发光控制晶体管的栅极与所述发光控制线连接，所述第一发光控制晶体管的第一极与所述第一电压线连接，所述第一发光控制晶体管的第二极与所述驱动单元的第一端连接；
所述第二发光控制晶体管的栅极与所述发光控制线连接，所述第二发光控制晶体管的第一极与所述驱动单元的第二端连接，所述第二发光控制晶体管的第二极与所述发光元件的第一极连接。
16.如权利要求1至10中任一权利要求所述的像素电路，其特征在于，所述储能单元包括存储电容，所述存储电容的第一极板与所述驱动单元的控制端连接，所述存储电容的第二极板与所述第一电压线连接；
所述发光元件包括有机发光二极管，所述有机发光二极管的阳极为所述发光元件的第一极，所述有机发光二极管的阴极为所述发光元件的第二极。
17.如权利要求1至10中任一权利要求所述的像素电路，其特征在于，所述驱动控制单元包括第一驱动控制晶体管和第二驱动控制晶体管，其中，
所述第一驱动控制晶体管的栅极与所述栅线连接，所述第一驱动控制晶体管的第一极与所述驱动单元的第一端连接，所述第一驱动控制晶体管的第二极与所述数据线连接；
所述第二驱动控制晶体管的栅极与所述栅线连接，所述第二驱动控制晶体管的第一极与所述驱动单元的控制端连接，所述第二驱动控制晶体管的第二极与所述驱动单元的第二端连接。
18.如权利要求1至10中任一权利要求所述的像素电路，其特征在于，所述第二复位单元包括第三复位晶体管；
所述第三复位晶体管的栅极与所述复位控制线连接，所述第三复位晶体管的第一极与所述发光元件的第一极连接，所述第三复位晶体管的第二极与所述初始电压线连接。
19.一种像素驱动方法，应用于如权利要求1至18中任一权利要求所述的像素电路，其特征在于，所述像素驱动方法包括：
在复位阶段，第一复位单元在复位控制线的控制下，控制第一电压线输出的第一电压写入驱动单元的第一端，以对所述驱动单元的第一端的电位进行复位，第二复位单元在所述复位控制线的控制下，控制初始电压线输出的初始电压写入发光元件的第一极，以对所述发光元件的第一极的电位进行复位。
20.如权利要求19所述的像素驱动方法，其特征在于，显示周期包括依次设置的复位阶段、驱动控制阶段和发光阶段；所述驱动单元包括驱动晶体管，所述驱动晶体管的栅极为所述驱动单元的控制端，所述驱动晶体管的第一极为所述驱动单元的第一端，所述驱动晶体管的第二极为所述驱动单元的第二端；所述像素驱动方法还包括：
在所述驱动控制阶段，在栅线的控制下，驱动控制单元控制数据线上的数据电压Vdata写入所述驱动晶体管的第一极，所述驱动控制单元控制所述驱动晶体管的栅极与所述驱动晶体管的第二极连接，所述驱动晶体管导通，第一电压线输出的第一电压向储能单元充电；
在所述发光阶段，在发光控制线的控制下，发光控制单元控制所述第一电压线与所述驱动晶体管的第一极之间导通，并控制所述驱动晶体管的第二极与所述发光元件的第一极之间导通，驱动晶体管导通以驱动发光元件发光。
21.如权利要求20所述的像素驱动方法，其特征在于，所述像素驱动方法还包括：在所述复位阶段，在所述复位控制线的控制下，控制所述初始电压线输出的初始电压写入所述驱动电路的控制端，以对所述驱动电路的控制端的电位进行复位。
22.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1至18中任一权利要求所述的像素电路。
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