KR102343143B1 - 표시 장치 및 그의 구동 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 일 실시 예는 복수의 주사 신호가 전달되는 복수의 주사선, 복수의 데이터 신호가 전달되는 복수의 데이터선, 및 복수의 발광 제어 신호가 전달되는 복수의 발광 제어선에 각각 연결된 복수의 화소를 포함하는 표시부를 포함하고, 상기 복수의 화소 각각은, 유기 발광 다이오드, 상기 데이터 신호에 따른 구동 전류를 상기 유기 발광 다이오드에 전달하는 제1 트랜지스터, 데이터 기입 기간 동안 게이트 온 전압 레벨을 갖는 제1 주사 신호에 응답하여 상기 제1 트랜지스터로 상기 데이터 신호를 전달하는 제2 트랜지스터, 상기 제1 트랜지스터의 게이트 전극과 제1 전원 사이에 연결되는 제1 커패시터 및 상기 제1 트랜지스터의 소스 전극과 상기 제1 전원 사이에 연결되는 제2 커패시터를 포함하는 표시 장치를 개시한다.

Description

표시 장치 및 그의 구동 방법{Display Apparatus and Driving Method Thereof}
본 발명은 표시 장치 및 그의 구동 방법에 관한 것이다.
액정 표시 장치 또는 유기 발광 표시 장치와 같은 평판 표시 장치는 전자 제품의 휴대를 용이하게 하기 위해 소형화되기에 적합할 뿐만 아니라, 대형 화면이나 고해상도 화면을 구현하기에도 적합하다.
평판 표시 장치 중 유기 발광 표시 장치는 전자와 정공의 재결합에 의하여 빛을 방출하는 유기 발광 다이오드(organic light emitting diode)를 이용하여 영상을 표시한다. 유기 발광 표시 장치는 주사선들 및 데이터선들의 교차 지점에 행렬 형태로 배열되는 화소들을 구비한다.
본 발명의 실시 예들은 표시 장치 및 그의 구동 방법을 제공한다.
본 발명의 일 실시 예는 복수의 주사 신호가 전달되는 복수의 주사선, 복수의 데이터 신호가 전달되는 복수의 데이터선, 및 복수의 발광 제어 신호가 전달되는 복수의 발광 제어선에 각각 연결된 복수의 화소를 포함하는 표시부를 포함하고, 상기 복수의 화소 각각은, 유기 발광 다이오드, 상기 데이터 신호에 따른 구동 전류를 상기 유기 발광 다이오드에 전달하는 제1 트랜지스터, 데이터 기입 기간 동안 게이트 온 전압 레벨을 갖는 제1 주사 신호에 응답하여 상기 제1 트랜지스터로 상기 데이터 신호를 전달하는 제2 트랜지스터, 상기 제1 트랜지스터의 게이트 전극과 제1 전원 사이에 연결되는 제1 커패시터 및 상기 제1 트랜지스터의 소스 전극과 상기 제1 전원 사이에 연결되는 제2 커패시터를 포함하는 표시 장치를 개시한다.
본 실시 예에 있어서 상기 제1 트랜지스터의 게이트 전극은 제1 노드에 연결되고, 상기 제1 노드는 상기 제1 트랜지스터와 상기 제2 트랜지스터를 서로 연결할 수 있다.
본 실시 예에 있어서 초기화 기간 동안 게이트 온 전압 레벨을 갖는 제2 주사 신호에 응답하여 상기 제1 트랜지스터의 게이트 전극에 초기화 전압을 공급하여 상기 제1 트랜지스터의 특성을 초기화하는 제3 트랜지스터를 더 포함할 수 있다.
본 실시 예에 있어서 상기 제2 주사 신호는 상기 데이터 기입 기간 직전 단위 주사 기간 동안 게이트 온 전압 레벨을 가질 수 있다.
본 실시 예에 있어서 상기 제2 주사 신호는 상기 데이터 기입 기간 이전에 한 번 이상 단위 주사 기간 동안 게이트 온 전압 레벨을 가질 수 있다.
본 실시 예에 있어서 상기 제1 주사 신호는 상기 제2 주사 신호가 게이트 온 전압 레벨을 갖는 단위 주사 기간 이전에 단위 주사 기간 동안 게이트 온 전압 레벨을 가질 수 있다.
본 실시 예에 있어서 상기 제2 주사 신호는 상기 데이터 기입 기간 이전에 두 번 이상 단위 주사 기간 동안 게이트 온 전압 레벨을 갖고, 상기 제1 주사 신호는 상기 제2 주사 신호가 게이트 온 전압 레벨을 갖는 두 번 이상의 단위 주사 기간들 사이에 단위 주사 기간 동안 게이트 온 전압 레벨을 가질 수 있다.
본 실시 예에 있어서 상기 제2 주사 신호는 상기 데이터 기입 기간 이전에 두 번 이상 단위 주사 기간 동안 게이트 온 전압 레벨을 갖고, 상기 제2 주사 신호가 게이트 온 전압 레벨을 갖는 두 번 이상의 단위 주사 기간들 사이의 기간은 단위 주사 기간의 복수 배일 수 있다.
본 실시 예에 있어서 상기 제1 주사 신호는 상기 데이터 기입 기간 이전에 한 번 이상 단위 주사 기간 동안 게이트 온 전압 레벨을 갖고, 상기 제2 주사 신호는 상기 데이터 기입 기간 이전에 상기 제1 주사 신호가 게이트 온 전압 레벨을 갖는 단위 주사 기간의 직전 단위 주사 기간 및/또는 상기 제1 주사 신호가 게이트 온 전압 레벨을 갖는 단위 주사 기간의 직후 단위 주사 기간 동안에 게이트 온 전압 레벨을 가질 수 있다.
본 실시 예에 있어서 상기 초기화 기간은 상기 데이터 기입 기간 이전일 수 있다.
본 실시 예에 있어서 상기 복수의 화소 각각은, 상기 데이터 기입 기간 동안 상기 게이트 온 전압 레벨을 갖는 제1 주사 신호에 응답하여 상기 제1 트랜지스터를 다이오드 연결하는 제4 트랜지스터를 더 포함할 수 있다.
본 실시 예에 있어서 상기 복수의 화소 각각은, 제3 주사 신호에 응답하여 상기 유기 발광 다이오드의 애노드 전극에 상기 초기화 전압을 공급하는 제5 트랜지스터를 더 포함할 수 있다.
본 실시 예에 있어서 상기 제3 주사 신호는 상기 제1 주사 신호와 동일한 신호일 수 있다.
본 실시 예에 있어서 상기 복수의 화소 각각은, 상기 발광 제어 신호에 응답하여 스위칭되고, 상기 제2 커패시터와 병렬로 연결되는 제6 트랜지스터를 더 포함할 수 있다.
본 실시 예에 있어서 상기 복수의 화소 각각은, 상기 발광 제어 신호에 응답하여 상기 제1 트랜지스터와 상기 유기 발광 다이오드를 서로 연결하는 제7 트랜지스터를 더 포함할 수 있다.
본 실시 예에 있어서 상기 복수의 주사 신호를 전달하는 주사 구동부, 상기 복수의 데이터 신호를 전달하는 데이터 구동부 및 상기 복수의 발광 제어 신호를 전달하는 발광 구동부를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시 예는 복수의 화소를 포함하고, 상기 복수의 화소 각각은 유기 발광 다이오드, 상기 유기 발광 다이오드에 데이터 신호에 따른 구동 전류를 전달하는 제1 트랜지스터, 데이터 기입 기간 동안 게이트 온 전압 레벨을 갖는 제1 주사 신호에 응답하여 상기 제1 트랜지스터로 상기 데이터 신호를 전달하는 제2 트랜지스터, 상기 제1 트랜지스터의 게이트 전극과 제1 전원 사이에 연결되는 제1 커패시터, 상기 제1 트랜지스터의 소스 전극과 상기 제1 전원 사이에 연결되는 제2 커패시터, 및 게이트 온 전압 레벨을 갖는 제2 주사 신호에 응답하여 상기 제1 트랜지스터의 게이트 전극에 초기화 전압을 공급하는 제3 트랜지스터를 포함하는 표시 장치의 구동 방법에 있어서, 상기 제1 트랜지스터의 특성을 초기화하는 단계, 상기 제1 트랜지스터의 문턱 전압을 보상하고, 상기 제1 트랜지스터에 상기 데이터 신호를 전달하는 단계 및 상기 데이터 신호에 따른 구동 전류로 상기 유기 발광 다이오드가 발광하는 단계를 포함하고, 상기 제1 트랜지스터의 특성을 초기화하는 단계는, 상기 제1 주사 신호를 게이트 온 전압 레벨로 적어도 1회 전달하는 단계 및 상기 제2 주사 신호를 게이트 온 전압 레벨로 적어도 1회 전달하는 단계를 포함하는 표시 장치의 구동 방법을 개시한다.
본 실시 예에 있어서 상기 제1 주사 신호는 상기 제2 주사 신호가 게이트 온 전압 레벨을 갖는 단위 주사 기간 이전에 단위 주사 기간 동안 게이트 온 전압 레벨을 가질 수 있다.
본 실시 예에 있어서 상기 제1 주사 신호는 상기 제2 주사 신호가 게이트 온 전압 레벨을 갖는 두 번 이상의 단위 주사 기간들 사이에 단위 주사 기간 동안 게이트 온 전압 레벨을 가질 수 있다.
본 실시 예에 있어서 상기 제2 주사 신호는 두 번 이상 단위 주사 기간 동안 게이트 온 전압 레벨을 갖고, 상기 제2 주사 신호가 게이트 온 전압 레벨을 갖는 두 번 이상의 단위 주사 기간들 사이의 기간은 단위 주사 기간의 복수 배일 수 있다.
전술한 것 외의 다른 측면, 특징, 이점이 이하의 도면, 특허청구범위 및 발명의 상세한 설명으로부터 명확해질 것이다.
본 발명의 실시 예들에 관한 표시 장치는 응답 속도가 개선된다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 관한 표시 장치를 도시한 블록도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 관한 표시 장치의 화소 회로 구조를 나타내는 회로도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 관한 화소의 구동 동작을 나타내는 타이밍도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시 예에 관한 화소의 구동 동작을 나타내는 타이밍도이다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시 예에 관한 화소의 구동 동작을 나타내는 타이밍도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시 예에 따른 표시 장치의 응답 속도를 보여주는 파형도이다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시 예를 가질 수 있는 바, 특정 실시 예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시 예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
이하의 실시 예에서, 제1, 제2 등의 용어는 한정적인 의미가 아니라 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하는 목적으로 사용되었다.
이하의 실시 예에서, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
이하의 실시 예에서, 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다.
이하의 실시 예에서, 막, 영역, 구성 요소 등의 부분이 다른 부분 위에 또는 상에 있다고 할 때, 다른 부분의 바로 위에 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 있는 경우도 포함한다.
도면에서는 설명의 편의를 위하여 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 관한 표시 장치를 도시한 블록도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 관한 표시 장치(100)는 복수의 화소를 포함하는 표시부(10), 주사 구동부(20), 데이터 구동부(30), 발광 구동부(40), 제어부(50), 및 표시부(10)에 외부 전압을 공급하는 전원 공급부(60)를 포함한다.
복수의 화소 각각은 표시부(10)에 전달되는 복수의 주사선(S0 내지 Sn) 중 하나 이상의 주사선들과 연결된다. 예를 들어, 화소(70)는 해당 화소 라인에 대응하는 주사선과 그 이전 라인의 주사선에 연결될 수 있다.
복수의 화소 각각은 표시부(10)에 전달되는 복수의 데이터선(D1 내지 Dm) 중 하나의 데이터선, 표시부(10)에 전달되는 복수의 발광 제어선(EM1 내지 EMn) 중 하나의 발광 제어선에 연결된다.
주사 구동부(20)는 복수의 주사선(S0 내지 Sn)을 통해 각 화소에 하나 이상의 주사 신호를 생성하여 전달한다. 예를 들어, 주사 구동부(20)는 각 화소가 포함되는 화소 라인에 대응하는 주사선을 통해 제1 주사 신호를 전달하고, 해당 화소 라인의 이전 화소 라인에 대응하는 주사선을 통해 제2 주사 신호를 전달한다.
다른 예를 들어, 제n 화소 라인에 포함된 화소(70)는 제n 화소 라인에 대응하는 제n 주사선(Sn)과 제n 화소 라인 이전의 제n-1 화소 라인에 대응하는 제n-1 주사선(Sn-1)에 각각 연결될 수 있다. 화소(70)는 제n 주사선(Sn)을 통해 제1 주사 신호를 전달받을 수 있고, 제n-1 주사선(Sn-1)을 통해 제2 주사 신호를 전달받을 수 있다.
데이터 구동부(30)는 복수의 데이터선(D1 내지 Dm)을 통해 각 화소에 데이터 신호를 전달한다.
발광 구동부(40)는 복수의 발광 제어선(EM1 내지 EMn)을 통해 각 화소에 발광 제어 신호를 전달한다.
제어부(50)는 외부에서 전달되는 복수의 영상 신호(R, G, B)를 복수의 영상 데이터 신호(DR, DG, DB)로 변경하여 데이터 구동부(30)에 전달한다. 또한 제어부(50)는 수직동기신호(Vsync), 수평동기신호(Hsync), 및 클럭신호(MCLK)를 전달받아 주사 구동부(20), 데이터 구동부(30), 및 발광 구동부(40)의 구동을 제어하기 위한 제어 신호를 생성하여 각각에 전달한다. 즉, 제어부(50)는 주사 구동부(20)를 제어하는 주사 구동 제어 신호(SCS), 데이터 구동부(30)를 제어하는 데이터 구동 제어 신호(DCS), 및 발광 구동부(40)를 제어하는 발광 구동 제어 신호(ECS)를 각각 생성하여 전달한다.
또한, 표시부(10)는 복수의 주사선(S0 내지 Sn), 복수의 데이터선(D1 내지 Dm), 및 복수의 발광 제어선(EM1 내지 EMn)의 교차부에 위치되는 복수의 화소를 포함한다.
복수의 화소는 전원 공급부(60)로부터 제1 전원 전압(ELVDD), 제2 전원 전압(ELVSS), 초기화 전압(VINT) 등 외부 전압을 공급받는다. 제 1 전원 전압(ELVDD)은 제2 전원 전압(ELVSS)보다 높은 전압 레벨을 가진다.
표시부(10)는 행렬 형태로 배열된 복수의 화소를 포함한다. 복수의 주사선(S0 내지 Sn)은 화소들의 배열 형태에서 행 방향으로 뻗으며 서로가 거의 평행하고, 복수의 데이터선(D1 내지 Dm)은 열 방향으로 뻗으며 서로가 거의 평행하다.
복수의 화소 각각은 복수의 데이터선(D1 내지 Dm)을 통해 전달되는 데이터 신호에 따라 유기 발광 다이오드로 공급되는 구동 전류에 의해 발광한다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 관한 표시 장치의 화소 회로 구조를 나타내는 회로도이다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 화소(70)는 복수의 주사 신호가 전달되는 복수의 주사선에 연결된다. 예를 들어, 화소(70)는 데이터 기입 기간 동안 게이트 온 전압 레벨을 갖는 제1 주사 신호(S1)를 전달하는 제1 주사선, 초기화 기간 동안 게이트 온 전압 레벨을 갖는 제2 주사 신호(S2)를 전달하는 제2 주사선, 및 데이터 기입 기간 동안 게이트 온 전압 레벨을 갖는 제3 주사 신호(S3)를 전달하는 제3 주사선에 연결된다.
제1 주사선은 데이터 기입 기간 동안 제1 트랜지스터(T1)로 데이터 신호(DATA)를 전달하기 위한 제1 주사 신호(S1)를 전달한다. 제2 주사선은 초기화 기간 동안 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극에 초기화 전압(VINIT)을 공급하여 제1 트랜지스터(T1)의 특성을 초기화하기 위한 제2 주사 신호(S2)를 전달한다. 제3 주사선은 유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드 전극에 초기화 전압(VINIT)을 공급하기 위한 제3 주사 신호(S3)를 전달한다.
화소(70)는 데이터선(DATA) 및 발광 제어선(EM)에 각각 연결된다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 화소(70)는 유기 발광 다이오드, 복수의 트랜지스터, 및 복수의 커패시터를 포함한다. 예를 들어, 화소(70)는 유기 발광 다이오드(OLED), 유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드 전극에 연결된 제1 트랜지스터(T1), 제1 트랜지스터(T1)의 소스 전극에 연결된 제2 트랜지스터(T2), 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극이 연결된 제1 노드(N1)와 제1 전원 전압(ELVDD)을 제공하는 제1 전원 사이에 연결되는 제1 커패시터(C1), 제1 트랜지스터(T1)의 소스 전극이 연결된 제2 노드(N2)와 제1 전원 전압(ELVDD)을 제공하는 제1 전원 사이에 연결되는 제2 커패시터(C2)를 포함한다.
유기 발광 다이오드(OLED)는 애노드(anode) 전극과 캐소드(cathode) 전극을 포함하며, 데이터 신호에 응답하는 구동 전류에 의해 발광한다. 본 발명의 실시 예에 따른 구동 전류는 화소(70)의 구동 트랜지스터(driving transistor)의 문턱 전압에 영향을 받지 않도록 보상된다.
제1 트랜지스터(T1)는 제1 전원 전압(ELVDD)이 연결된 제2 노드(N2)에 연결되어 있는 소스 전극, 제3 노드(N3)에 연결된 드레인 전극, 및 제1 노드(N1)에 연결된 게이트 전극을 포함한다. 제1 트랜지스터(T1)는 제2 노드(N2)에 연결되어 있는 제2 트랜지스터(T2)를 통해 데이터 신호를 전달받을 수 있다.
제1 트랜지스터(T1)는 데이터 신호에 따른 구동 전류를 유기 발광 다이오드(OLED)에 전달할 수 있다. 구동 전류는 제1 트랜지스터(T1)의 소스 전극과 게이트 전극 사이의 전압차에 대응할 수 있다. 제1 트랜지스터(T1)는 화소(70)의 구동 트랜지스터로서 동작할 수 있다.
제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극은 제1 노드(N1)에 연결되고, 제1 노드(N1)는 제1 트랜지스터(T1)와 제2 트랜지스터(T2)를 서로 연결할 수 있다.
제2 트랜지스터(T2)는 데이터선에 연결되어 데이터 신호(DATA)가 전달되는 소스 전극, 제2 노드(N2)에 연결되는 드레인 전극, 및 제1 주사선에 연결되어 제1 주사 신호(S1)를 전달받는 게이트 전극을 포함한다. 제1 주사선을 통해 제1 주사 신호(S1)가 전달되어 제2 트랜지스터(T2)가 턴 온되면 데이터 신호(DATA)가 제2 노드(N2)에 전달되고, 데이터 신호(DATA)에 대응하는 데이터 전압(VDATA, 미도시됨)이 제1 트랜지스터(T1)의 소스 전극에 전달된다. 제1 주사 신호(S1)는 문턱 전압 보상 트랜지스터의 게이트 전극에도 동시에 전달될 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 화소(70)는 제1 노드(N1)와 초기화 전압(VINIT)을 제공하는 초기화 전원 사이에 연결되는 제3 트랜지스터(T3)를 더 포함한다.
제3 트랜지스터(T3)는 제2 주사선에 연결된 게이트 전극, 초기화 전압(VINIT)을 제공하는 초기화 전원에 연결되는 소스 전극, 및 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극에 연결되는 드레인 전극을 포함한다.
초기화 전압(VINIT)을 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극에 전달하는 제3 트랜지스터(T3)는 제2 주사 신호(S2)에 의해 스위칭 동작한다.
제3 트랜지스터(T3)는 초기화 기간 동안 게이트 온 전압 레벨을 갖는 제2 주사 신호(S2)에 응답하여 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극에 초기화 전압(VINIT)을 공급하여 제1 트랜지스터(T1)의 특성을 초기화할 수 있다.
초기화 기간은 데이터 기입 기간 이전일 수 있다. 초기화 기간은 제1 트랜지스터(T1)의 특성을 초기화하기 위한 기간을 의미할 수 있다. 초기화 기간 동안 주사 구동부(20)는 제1 주사 신호(S1) 및 제2 주사 신호(S2)를 각각 제1 트랜지스터(T1)에 적어도 1회 이상 전달할 수 있다.
예를 들어, 제2 주사 신호(S2)는 데이터 기입 기간 직전 단위 주사 기간 동안 게이트 온 전압 레벨을 가질 수 있다.
다른 예를 들어, 제2 주사 신호(S2)는 데이터 기입 기간 이전에 한 번 이상 단위 주사 기간 동안 게이트 온 전압 레벨을 가질 수 있다.
다른 예를 들어, 제1 주사 신호(S1)는 제2 주사 신호(S2)가 게이트 온 전압 레벨을 갖는 단위 주사 기간 이전에 단위 주사 기간 동안 게이트 온 전압 레벨을 가질 수 있다.
다른 예를 들어, 제2 주사 신호(S2)는 데이터 기입 기간 이전에 두 번 이상 단위 주사 기간 동안 게이트 온 전압 레벨을 가질 수 있다. 이때, 제1 주사 신호(S1)는 제2 주사 신호(S2)가 게이트 온 전압 레벨을 갖는 두 번 이상의 단위 주사 기간들 사이에 단위 주사 기간 동안 게이트 온 전압 레벨을 가질 수 있다. 또는, 이때, 제2 주사 신호(S2)가 게이트 온 전압 레벨을 갖는 두 번 이상의 단위 주사 기간들 사이의 기간은 단위 주사 기간의 복수 배일 수 있다.
다른 예를 들어, 제1 주사 신호(S1)는 데이터 기입 기간 이전에 한 번 이상 단위 주사 기간 동안 게이트 온 전압 레벨을 가질 수 있고, 제2 주사 신호(S2)는 데이터 기입 기간 이전에 제1 주사 신호(S1)가 게이트 온 전압 레벨을 갖는 단위 주사 기간의 직전 단위 주사 기간 및/또는 제1 주사 신호(S1)가 게이트 온 전압 레벨을 갖는 단위 주사 기간의 직후 단위 주사 기간 동안에 게이트 온 전압 레벨을 가질 수 있다.
이처럼, 게이트 온 전압 레벨을 갖는 제1 주사 신호(S1) 및 제2 주사 신호(S2)가 각각 적어도 하나 이상 제3 트랜지스터(T3)에 전달되는 동안, 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극에는 초기화 전압(VINIT)이 인가된다. 게이트 온 전압 레벨을 갖는 제1 주사 신호(S1) 및 제2 주사 신호(S2)가 각각 적어도 하나 이상 전달되는 기간 동안 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극은 초기화 전압으로 초기화된다.
게이트 온 전압 레벨을 갖는 제1 주사 신호(S1) 및 제2 주사 신호(S2)가 각각 적어도 하나 이상 전달되는 초기화 기간 동안, 제1 트랜지스터(T1)의 소스 전극에는 제1 전원 전압(ELVDD)이 인가되고 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극에는 초기화 전압(VINIT)이 인가되므로, 초기화 기간 동안 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 소스 전압(VGS)은 제1 전원 전압과 초기화 전압의 차(ELVDD-VINIT)로 제1 트랜지스터(T1)가 동작하는 기준 전압 이상의 전압 값을 가진다.
초기화 기간 동안 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 소스 전압(VGS)은 기준 전압 이상이므로, 제1 트랜지스터(T1)는 온 바이어스(ON bias) 상태가 된다. 이처럼, 표시부(10)에 포함된 복수의 화소 각각의 구동 트랜지스터가 온 바이어스 상태에서, 데이터 전압(VDATA)이 구동 트랜지스터에 기입되므로, 히스테리시스 특성이 개선될 수 있다.
복수의 구동 트랜지스터 각각은 직전 프레임의 데이터 전압이 인가되어 있으므로, 현재 프레임의 데이터 전압을 기입하기 전에 복수의 구동 트랜지스터 각각의 게이트 소스 전압은 서로 다른 레벨일 수 있다. 본 발명의 실시 예에 따르면, 초기화 기간 동안 모든 구동 트랜지스터의 게이트 소스 전압을 제1 전원 전압과 초기화 전압의 차(ELVDD-VINIT)로 만들어, 모든 구동 트랜지스터를 동일한 조건으로 온 바이어스 시킨다. 따라서 히스테리시스 특성에 영향을 받지 않고, 모든 화소(70)의 구동 트랜지스터들의 게이트 소스 전압이 동일한 조건에서 대응하는 현재 프레임의 데이터 전압에 따라 결정될 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 화소(70)는 제1 노드(N1)와 제1 트랜지스터(T1)의 드레인 전극 사이에 연결되는 제4 트랜지스터(T4)를 더 포함한다.
제4 트랜지스터(T4)는 데이터 기입 기간 동안 게이트 온 전압 레벨을 갖는 제1 주사 신호(S1)에 응답하여 제1 트랜지스터(T1)를 다이오드 연결할 수 있다. 제4 트랜지스터(T4)는 제1 트랜지스터(T1)를 다이오드 연결하여 제1 트랜지스터(T1)의 문턱 전압(VTH, Threshold Voltage)을 보상하는 문턱 전압 보상 트랜지스터로서 동작할 수 있다.
제4 트랜지스터(T4)는 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극과 드레인 전극 사이에 연결되고, 게이트 온 전압 레벨을 갖는 제1 주사 신호(S1)에 응답하여 턴 온되어 제1 트랜지스터(T1)를 다이오드 연결한다. 그리고, 제1 트랜지스터(T1)의 소스 전극에 인가된 데이터 전압(VDATA)에서 제1 트랜지스터(T1)의 문턱 전압(VTH)만큼 강하된 전압(VDATA-VTH)이 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극에 인가된다. 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극은 제1 커패시터(C1)의 일단에 연결되어 있으므로, 제1 커패시터(C1)에 의해 전압(VDATA-VTH)이 유지된다. 제1 트랜지스터(T1)의 문턱 전압(VTH)이 반영된 전압(VDATA-VTH)이 게이트 전극에 인가되어 유지되므로, 제1 트랜지스터(T1)에 흐르는 구동 전류는 제1 트랜지스터(T1)의 문턱 전압(VTH)에 따른 영향을 받지 않는다.
제1 커패시터(C1)는 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극이 연결된 제1 노드(N1)에 연결되어 있기 때문에 화소(70)의 구동 과정에 따라 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극의 전압 값을 저장한다.
제2 커패시터(C2)는 제1 트랜지스터(T1)의 소스 전극이 연결된 제2 노드(N2)에 연결되어 있기 때문에 화소(70)의 구동 과정에 따라 제1 트랜지스터(T1)의 소스 전극의 전압 값을 저장한다. 제2 커패시터(C2)가 제1 트랜지스터(T1)의 소스 전극과 제1 전원 전압(ELVDD)을 공급하는 제1 전원 사이에 연결됨으로써, 초기화 기간 동안 제1 트랜지스터(T1)의 소스 전극 전위가 일정하게 유지될 수 있기 때문에, 제1 트랜지스터(T1)는 온 바이어스(ON bias) 상태를 유지할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 화소(70)는 유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드 전극과 초기화 전압(VINIT)을 제공하는 초기화 전원 사이에 연결되는 제5 트랜지스터(T5)를 더 포함한다.
제5 트랜지스터(T5)는 제3 주사 신호(S3)에 응답하여 유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드 전극에 초기화 전압(VINIT)을 공급할 수 있다. 제3 주사 신호(S3)는 제1 주사 신호(S1)와 동일한 신호일 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 화소(70)는 유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드 전극에 연결되어 유기 발광 다이오드(OLED)의 구동 전류에 다른 발광을 조절하는 발광 제어 트랜지스터를 하나 이상 포함한다. 예를 들어, 화소(70)는 제1 트랜지스터(T1)와 제1 전원 전압(ELVDD)을 제공하는 제1 전원 사이에 연결되는 제6 트랜지스터(T6) 및 유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드 전극과 제1 트랜지스터(T1) 사이에 연결되는 제7 트랜지스터(T7)를 더 포함한다.
제6 트랜지스터(T6)는 발광 제어 신호(EM)에 응답하여 스위칭되고, 제2 커패시터(C2)와 병렬로 연결될 수 있다.
제6 트랜지스터(T6)는 발광 제어 신호(EM)를 전달받는 게이트 전극, 제1 전원전압(ELVDD)에 연결된 소스 전극, 및 제2 노드(N2)에 연결된 드레인 전극을 포함한다.
제7 트랜지스터(T7)는 발광 제어 신호(EM)에 응답하여 제1 트랜지스터(T1)와 유기 발광 다이오드(OLED)를 서로 연결할 수 있다.
제7 트랜지스터(T7)는 발광 제어 신호(EM)를 전달받는 게이트 전극, 제3 노드(N3)에 연결된 소스 전극, 및 유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드 전극에 연결된 드레인 전극을 포함한다.
게이트 온 전압 레벨을 갖는 발광 제어 신호(EM)가 전달되면, 제6 트랜지스터(T6) 및 제7 트랜지스터(T7)는 턴 온되고, 데이터 기입 기간 동안 제1 커패시터(C1)에 저장된 데이터 전압(VDATA)에 대응하는 구동 전류를 유기 발광 다이오드(OLED)에 전달하여 발광시킨다. 제1 커패시터(C1)에 저장된 데이터 전압(VDATA)은 문턱전압(VTH)이 고려된 전압 값(VDATA-VTH)이므로 구동 전류를 전달받아 발광할 때 문턱전압(VTH)의 영향이 배제될 수 있다.
도 2를 참고하여 PMOS 트랜지스터를 포함하는 화소(70)의 회로를 설명하였으나, 이에 제한되지 않으며 NMOS 트랜지스터로 구현될 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 관한 화소의 구동 동작을 나타내는 타이밍도이다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 화소(70, 도 2 참조)는 복수의 주사선에 연결되어 각각 복수의 주사 신호를 전달받아 동작한다.
도 3의 타이밍도는 PMOS 트랜지스터를 포함하는 화소(70, 도 2 참조)의 회로를 구동하기 위한 것이나, 이에 한정되는 것은 아니다.
초기화 기간(TINIT)에서 화소(70, 도 2 참조)는 제1 주사 신호(S1) 및 제2 주사 신호(S2)를 게이트 온 전압 레벨로 각각 적어도 1회 이상 전달받는다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면, 제2 주사 신호(S2)는 데이터 기입 기간(TDATA) 이전에 한 번 이상 단위 주사 기간 동안 게이트 온 전압 레벨을 가질 수 있다. 예를 들어, 제2 주사 신호(S2)는 초기화 기간(TINIT) 중에서 한 번 이상 예컨대, 제1 주사 기간(T1), 제2 주사 기간 (T2), 및 제3 주사 기간 (T3), 및 제4 주사 기간 (T4) 중 한 번 이상의 기간 동안 게이트 온 전압 레벨을 가질 수 있다.
데이터 기입 기간(TDATA) 이전은 초기화 기간(TINIT)을 의미할 수 있다.
초기화 기간(TINIT)은 기간이 단위 주사 기간(1H)을 포함할 수도 있고, 단위 주사 기간의 복수 배인 기간(nH)을 포함할 수도 있으나, 이에 한정되지 않는다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 초기화 기간은 단위 주사 기간(1H)인 제1 주사 기간(T1), 제2 주사 기간(T2), 및 제4 주사 기간(T4)과, 단위 주사 기간의 복수 배인 기간(nH)인 제3 주사 기간(T3)을 포함할 수 있다.
해당 신호는 해당 기간 동안 내내 게이트 온 전압 레벨을 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 다음에 전달되는 신호와 겹치지 않도록 하기 위해, 해당 신호는 해당 기간의 일부 동안만 게이트 온 전압 레벨을 가질 수도 있다.
본 발명의 다른 실시 예에 따르면, 제2 주사 신호(S2)는 데이터 기입 기간(TDATA) 직전 단위 주사 기간 동안 게이트 온 전압 레벨을 가질 수 있다. 예를 들어, 제2 주사 신호(S2)는 초기화 기간(TINIT) 중에서 데이터 기입 기간(TDATA) 직전의 단위 주사 기간인 제4 주사 기간(T4) 동안 게이트 온 전압 레벨을 가질 수 있다.
본 발명의 다른 실시 예에 따르면, 제2 주사 신호(S2)는 데이터 기입 기간(TDATA) 이전에 두 번 이상 단위 주사 기간 동안 게이트 온 전압 레벨을 갖고, 제1 주사 신호(S1)는 제2 주사 신호(S2)가 게이트 온 전압 레벨을 갖는 두 번 이상의 단위 주사 기간들 사이에 단위 주사 기간 동안 게이트 온 전압 레벨을 가질 수 있다. 예를 들어, 제2 주사 신호(S2)는 초기화 기간(TINIT) 중에서 두 번 이상의 기간 동안 예컨대, 제1 주사 기간 (T1), 제2 주사 기간 (T2), 및 제3 주사 기간(T3) 중 적어도 두 번 이상의 기간 동안 게이트 온 전압 레벨을 가질 수 있다. 이때, 제1 주사 신호(S1)는 제2 주사 신호(S2)가 게이트 온 전압 레벨을 갖는 제1 주사 기간(T1)과 제3 주사 기간(T3) 사이의 제2 주사 기간(T2) 동안 게이트 온 전압 레벨을 가질 수 있다.
본 발명의 다른 실시 예에 따르면, 제1 주사 신호(S1)는 데이터 기입 기간(TDATA) 이전에 한 번 이상 단위 주사 기간 동안 게이트 온 전압 레벨을 가질 수 있다. 이때, 제2 주사 신호(S2)는 데이터 기입 기간(TDATA) 이전에 제1 주사 신호(S1)가 게이트 온 전압 레벨을 갖는 단위 주사 기간의 직전 단위 주사 기간 동안에 게이트 온 전압 레벨을 가질 수도 있고, 데이터 기입 기간(TDATA) 이전에 제1 주사 신호(S1)가 게이트 온 전압 레벨을 갖는 단위 주사 기간의 직후 단위 주사 기간 동안에 게이트 온 전압 레벨을 가질 수도 있으며, 이에 한정되지 않는다. 예컨대, 제1 주사 신호(S1)는 초기화 기간(TINIT) 중에서 제2 주사 기간(T2) 동안 게이트 온 전압 레벨을 가질 수 있다. 이때, 제2 주사 신호(S2)는 제1 주사 기간(T1) 또는 제3 주사 기간(T3) 동안에 게이트 온 전압 레벨을 가질 수도 있으며, 제1 주사 기간(T1) 및 제3 주사 기간(T3) 동안에 게이트 온 전압 레벨을 가질 수도 있다.
이와 같은 초기화 기간(TINIT) 동안 제1 트랜지스터(T1)의 소스 전극에는 제2 커패시터(C2)를 통해 하이 레벨의 제1 전원 전압(ELVDD)이 인가되고, 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극에는 제3 트랜지스터(T3)를 통해 초기화 전압(VINIT)이 인가된다.
이러한 초기화 기간(TINIT) 동안 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 소스 전압(VGS)은 ELVDD-VINIT로 유지된다. 이때 초기화 전압(VINIT)이 로우 레벨이므로 게이트 소스 전압(VGS)은 제1 트랜지스터(T1)를 동작시키는 최소의 기준 전압 이상일 수 있다. 따라서 각 프레임에서 제1 트랜지스터(T1)의 문턱 전압(VTH)이 보상되고 데이터 기입 기간(TDATA) 전에 모든 화소에 포함된 제1 트랜지스터(T1)가 온 바이어스 상태가 되므로, 표시 장치(100, 도 1 참조)는 제1 트랜지스터(T1)의 히스테리시스 특성에 영향을 받지 않고 목적하는 계조로 표현되는 영상을 구현할 수 있다.
데이터 기입 기간(TDATA)에는 제1 주사 신호(S1)가 게이트 온 전압 레벨을 갖는다. 게이트 온 전압 레벨을 갖는 제1 주사 신호(S1)에 응답하여, 제2 트랜지스터(T2) 및 제4 트랜지스터(T4)가 턴 온 되면, 데이터 기입 기간(TDATA) 동안 제1 트랜지스터(T1)의 소스 전극에는 제2 트랜지스터(T2)를 통해 데이터 신호(DATA)에 따른 데이터 전압(VDATA)이 전달되고, 제1 트랜지스터(T1)는 제4 트랜지스터(T4)에 의해 다이오드 연결된다.
따라서 데이터 기입 기간(TDATA) 동안 제1 커패시터(C1)의 일단에 연결된 제1 노드(N1)에 유지되는 전압은 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 소스 전압(VGS)으로서, 데이터 전압(VDATA)에서 제1 트랜지스터(T1)의 문턱전압(VTH)만큼 하강된 전압 값(VDATA-VTH)이다.
초기화 기간(TINIT) 동안 제1 트랜지스터(T1)가 온 바이어스 되어 히스테리시스 특성을 개선하였으므로 데이터 전압(VDATA)에 따른 계조 표현 시 응답 속도의 지연 문제를 해결할 수 있다.
이어서, 발광 제어 기간(TEM) 에는 발광 제어 신호(EM)가 게이트 온 전압 레벨을 갖는다. 게이트 온 전압 레벨을 갖는 발광 제어 신호(EM)에 응답하여, 제6 트랜지스터(T6) 및 제7 트랜지스터(T7)가 턴 온 되면, 유기 발광 다이오드(OLED)로 제1 커패시터(C1)에 저장된 데이터 신호(DATA)에 따른 데이터 전압(VDATA)의 구동 전류가 전달되어, 유기 발광 다이오드(OLED)가 발광한다. 이때, 구동 전류에 대응되는 전압은 제1 트랜지스터(T1)의 문턱전압(VTH)의 영향이 배제된 전압 값(ELVDD-VDATA)이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시 예에 관한 화소의 구동 동작을 나타내는 타이밍도이다.
이하에서는 앞서 도 3을 참조하여 설명한 부분과 동일한 부분에 대한 설명은 생략한다.
도 4를 참조하면, 초기화 기간(TINIT)에서 화소(70, 도 2 참조)는 제1 주사 신호(S1) 및 제2 주사 신호(S2)를 게이트 온 전압 레벨로 각각 적어도 1회 이상 전달받는다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 초기화 기간은 단위 주사 기간(1H)인 제1 주사 기간(T1), 및 제3 주사 기간(T3)과, 단위 주사 기간의 복수 배인 기간(nH)인 제2 주사 기간(T2)을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면, 제2 주사 신호(S2)는 데이터 기입 기간(TDATA) 이전에 한 번 이상 단위 주사 기간 동안 게이트 온 전압 레벨을 가질 수 있다. 예를 들어, 제2 주사 신호(S2)는 초기화 기간(TINIT) 중에서 한 번 이상 예컨대, 제2 주사 기간(T2) 및 제3 주사 기간(T3) 중 한 번 이상의 단위 주사 기간 동안 게이트 온 전압 레벨을 가질 수 있다.
본 발명의 다른 실시 예에 따르면, 제2 주사 신호(S2)는 데이터 기입 기간(TDATA) 직전 단위 주사 기간 동안 게이트 온 전압 레벨을 가질 수 있다. 예를 들어, 제2 주사 신호(S2)는 초기화 기간(TINIT) 중에서 데이터 기입 기간(TDATA) 직전의 단위 주사 기간인 제3 주사 기간(T3) 동안 게이트 온 전압 레벨을 가질 수 있다.
본 발명의 다른 실시 예에 따르면, 제1 주사 신호(S1)는 제2 주사 신호(S2)가 게이트 온 전압 레벨을 갖는 단위 주사 기간 이전에 단위 주사 기간 동안 게이트 온 전압 레벨을 가질 수 있다. 예를 들어, 제1 주사 신호(S1)는 제1 주사 기간(T1) 동안 게이트 온 전압 레벨을 갖고, 제2 주사 신호(S2)는 제2 주사 기간(T2)과 제3 주사 기간(T3) 동안 각각 게이트 온 전압 레벨을 가질 수 있다.
본 발명의 다른 실시 예에 따르면, 제1 주사 신호(S1)는 데이터 기입 기간(TDATA) 이전에 한 번 이상 단위 주사 기간 동안 게이트 온 전압 레벨을 가질 수 있다. 이때, 제2 주사 신호(S2)는 데이터 기입 기간(TDATA) 이전에 제1 주사 신호(S1)가 게이트 온 전압 레벨을 갖는 단위 주사 기간의 직전 단위 주사 기간 동안에 게이트 온 전압 레벨을 가질 수도 있고, 데이터 기입 기간(TDATA) 이전에 제1 주사 신호(S1)가 게이트 온 전압 레벨을 갖는 단위 주사 기간의 직후 단위 주사 기간 동안에 게이트 온 전압 레벨을 가질 수도 있으며, 이에 한정되지 않는다. 예컨대, 제1 주사 신호(S1)는 초기화 기간(TINIT) 중에서 제1 주사 기간(T1) 동안 게이트 온 전압 레벨을 가질 수 있다. 이때, 제2 주사 신호(S2)는 제2 주사 기간(T2) 또는 제3 주사 기간(T3) 동안에 게이트 온 전압 레벨을 가질 수도 있으며, 제2 주사 기간(T2) 및 제3 주사 기간(T3) 동안에 게이트 온 전압 레벨을 가질 수도 있다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시 예에 관한 화소의 구동 동작을 나타내는 타이밍도이다.
도 5를 참조하면, 초기화 기간(TINIT)에서 화소(70, 도 2 참조)는 제1 주사 신호(S1) 및 제2 주사 신호(S2)를 게이트 온 전압 레벨로 각각 적어도 1회 이상 전달받는다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 초기화 기간은 단위 주사 기간(1H)인 제11 주사 기간(T11), 제12 주사 기간(T12), 제21 주사 기간(T21), 제22 주사 기간(T22), 및 제3 주사 기간(T3)과, 단위 주사 기간의 복수 배인 기간(nH)인 제13 주사 기간(T13), 및 제23 주사 기간(T23)을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면, 제2 주사 신호(S2)는 데이터 기입 기간(TDATA) 이전에 한 번 이상 단위 주사 기간 동안 게이트 온 전압 레벨을 가질 수 있다. 예를 들어, 제2 주사 신호(S2)는 초기화 기간(TINIT) 중에서 한 번 이상 기간 동안 예컨대, 제11 주사 기간(T11), 제13 주사 기간(T13), 제21 주사 기간(T21), 제23 주사 기간(T23), 및 제3 주사 기간(T3) 중 한 번 이상의 기간 동안 게이트 온 전압 레벨을 가질 수 있다.
본 발명의 다른 실시 예에 따르면, 제2 주사 신호(S2)는 데이터 기입 기간(TDATA) 직전 단위 주사 기간 동안 게이트 온 전압 레벨을 가질 수 있다. 예를 들어, 제2 주사 신호(S2)는 초기화 기간(TINIT) 중에서 데이터 기입 기간(TDATA) 직전의 단위 주사 기간인 제3 주사 기간(T3) 동안 게이트 온 전압 레벨을 가질 수 있다.
본 발명의 다른 실시 예에 따르면, 제1 주사 신호(S1)는 데이터 기입 기간(TDATA) 이전에 한 번 이상 단위 주사 기간 동안 게이트 온 전압 레벨을 가질 수 있다. 이때, 제2 주사 신호(S2)는 데이터 기입 기간(TDATA) 이전에 제1 주사 신호(S1)가 게이트 온 전압 레벨을 갖는 단위 주사 기간의 직전 단위 주사 기간 동안에 게이트 온 전압 레벨을 가질 수도 있고, 데이터 기입 기간(TDATA) 이전에 제1 주사 신호(S1)가 게이트 온 전압 레벨을 갖는 단위 주사 기간의 직후 단위 주사 기간 동안에 게이트 온 전압 레벨을 가질 수도 있으며, 이에 한정되지 않는다. 예컨대, 제1 주사 신호(S1)는 초기화 기간(TINIT) 중에서 제12 주사 기간(T12) 및 제21 주사 기간(T21) 중 적어도 하나의 기간 동안 게이트 온 전압 레벨을 가질 수 있다. 이때, 제2 주사 신호(S2)는 제11 주사 기간(T11) 또는 제13 주사 기간(T13) 동안에 게이트 온 전압 레벨을 가질 수도 있으며, 제11 단위 주사 기간(T11) 및 제13 단위 주사 기간(T13) 동안에 게이트 온 전압 레벨을 가질 수도 있다. 제2 주사 신호(S2)는 제21 단위 주사 기간(T21) 또는 제23 단위 주사 기간(T23) 동안에 게이트 온 전압 레벨을 가질 수도 있으며, 제21 단위 주사 기간(T21) 및 제23 단위 주사 기간(T23) 동안에 게이트 온 전압 레벨을 가질 수도 있다.
앞서 도 3 내지 도 5를 참조하여 설명한 바와 같이, 본 발명의 실시 예들에 따르면, 구동 트랜지스터의 상태가 온 바이어스인 시간 즉, 초기화 기간(TINIT)이 길어지므로 구동 트랜지스터의 히스테리시스 특성을 개선할 수 있다. 또한, 본 발명의 실시 예들에 따르면, 제1 주사 신호(S1)와 제2 주사 신호(S2)를 번갈아 이용하여 구동 트랜지스터를 온 바이어스 상태로 유지하기 때문에, 패널에 얼룩이 발생하거나, 주사 구동부를 지속적으로 구동시켜 소비 전력이 증가하는 위험을 방지할 수 있다.
도 6은 본 발명의 일 실시 예에 따른 표시 장치의 응답 속도를 보여주는 파형도이다.
도 6을 참조하면, 화소에서 계조 표현 시 히스테리시스로 인하여 응답 속도가 지연된다. 예를 들어, 블랙 데이터 신호(Black)에 따라 장시간 블랙 휘도로 표시된 화소가 화이트 데이터 신호(White)를 전달받으면, 화이트 데이터 신호(White)에 따른 휘도의 목표치로 바로 발광하지 않는다. 화소는 데이터 신호를 전달받은 시점으로부터 적어도 한 프레임이 경과한 시점부터 휘도의 목표치로 발광할 수 있다. 응답 속도는 B에 대한 A의 백분율을 의미할 수 있다.
도 3 내지 도 5를 참조하여 설명한 초기화 기간(TINIT) 중에서, 데이터 기입 기간(TDATA) 직전 단위 주사 기간에 한하여 게이트 온 전압 레벨을 갖는 주사 신호를 수신한 경우보다, 본 발명의 실시 예들에 따라서, 데이터 기입 기간(TDATA) 이전 한 번 이상 단위 주사 기간 동안 게이트 온 전압 레벨을 갖는 주사 신호를 수신한 경우가 보다 빠른 응답 속도를 갖는다. 즉, 본 발명의 다양한 실시 예들에 따라 초기화 기간을 연장시킴으로써 화소의 히스테리시스를 개선할 수 있다.
이와 같이 본 발명은 도면에 도시된 일 실시 예를 참고로 하여 설명하였으나 이는 예시적인 것에 불과하며 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 실시예의 변형이 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
100: 표시 장치
10: 표시부
20: 주사 구동부
30: 데이터 구동부
40: 발광 구동부
50: 제어부
60: 전원 공급부
70: 화소

Claims (20)

  1. 복수의 주사 신호가 전달되는 복수의 주사선, 복수의 데이터 신호가 전달되는 복수의 데이터선, 및 복수의 발광 제어 신호가 전달되는 복수의 발광 제어선에 각각 연결된 복수의 화소를 포함하는 표시부를 포함하고,
    상기 복수의 화소 각각은,
    유기 발광 다이오드;
    상기 데이터 신호에 따른 구동 전류를 상기 유기 발광 다이오드에 전달하는 제1 트랜지스터;
    데이터 기입 기간 동안 게이트 온 전압 레벨을 갖는 제1 주사 신호에 응답하여 상기 제1 트랜지스터로 상기 데이터 신호를 전달하는 제2 트랜지스터;
    상기 데이터 기입 기간 이전의 초기화 기간 동안 게이트 온 전압 레벨을 갖는 제2 주사 신호에 응답하여 상기 제1 트랜지스터의 게이트 전극에 초기화 전압을 공급하는 제3 트랜지스터;
    상기 제1 트랜지스터의 게이트 전극과 제1 전원 사이에 연결되는 제1 커패시터; 및
    상기 제1 트랜지스터의 소스 전극과 상기 제1 전원 사이에 연결되는 제2 커패시터를 포함하고,
    상기 초기화 기간 동안 상기 제1 주사 신호와 상기 제2 주사 신호는 각각 적어도 1회 게이트 온 전압 레벨을 갖는, 표시 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 트랜지스터의 게이트 전극은 제1 노드에 연결되고, 상기 제2 트랜지스터는 상기 제1 트랜지스터를 통해 상기 제1 노드에 연결되는, 표시 장치.
  3. 삭제
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제2 주사 신호는 상기 데이터 기입 기간 직전 단위 주사 기간 동안 게이트 온 전압 레벨을 갖는 표시 장치.
  5. 삭제
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제1 주사 신호는 상기 제2 주사 신호가 게이트 온 전압 레벨을 갖는 단위 주사 기간 이전에 단위 주사 기간 동안 게이트 온 전압 레벨을 갖는 표시 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 제2 주사 신호는 상기 데이터 기입 기간 이전에 두 번 이상 단위 주사 기간 동안 게이트 온 전압 레벨을 갖고,
    상기 제1 주사 신호는 상기 제2 주사 신호가 게이트 온 전압 레벨을 갖는 두 번 이상의 단위 주사 기간들 사이에 단위 주사 기간 동안 게이트 온 전압 레벨을 갖는 표시 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 제2 주사 신호는 상기 데이터 기입 기간 이전에 두 번 이상 단위 주사 기간 동안 게이트 온 전압 레벨을 갖고,
    상기 제2 주사 신호가 게이트 온 전압 레벨을 갖는 두 번 이상의 단위 주사 기간들 사이의 기간은 단위 주사 기간의 복수 배인 표시 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 제1 주사 신호는 상기 데이터 기입 기간 이전에 한 번 이상 단위 주사 기간 동안 게이트 온 전압 레벨을 갖고,
    상기 제2 주사 신호는 상기 데이터 기입 기간 이전에 상기 제1 주사 신호가 게이트 온 전압 레벨을 갖는 단위 주사 기간의 직전 단위 주사 기간 및/또는 상기 제1 주사 신호가 게이트 온 전압 레벨을 갖는 단위 주사 기간의 직후 단위 주사 기간 동안에 게이트 온 전압 레벨을 갖는 표시 장치.
  10. 삭제
  11. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 화소 각각은,
    상기 데이터 기입 기간 동안 상기 게이트 온 전압 레벨을 갖는 제1 주사 신호에 응답하여 상기 제1 트랜지스터를 다이오드 연결하는 제4 트랜지스터를 더 포함하는 표시 장치.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 화소 각각은,
    제3 주사 신호에 응답하여 상기 유기 발광 다이오드의 애노드 전극에 상기 초기화 전압을 공급하는 제5 트랜지스터를 더 포함하는 표시 장치.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 제3 주사 신호는 상기 제1 주사 신호와 동일한 신호인 표시 장치.
  14. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 화소 각각은,
    상기 발광 제어 신호에 응답하여 스위칭되고, 상기 제2 커패시터와 병렬로 연결되는 제6 트랜지스터를 더 포함하는 표시 장치.
  15. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 화소 각각은,
    상기 발광 제어 신호에 응답하여 상기 제1 트랜지스터와 상기 유기 발광 다이오드를 서로 연결하는 제7 트랜지스터를 더 포함하는 표시 장치.
  16. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 주사 신호를 전달하는 주사 구동부;
    상기 복수의 데이터 신호를 전달하는 데이터 구동부; 및
    상기 복수의 발광 제어 신호를 전달하는 발광 구동부를 더 포함하는 표시 장치.
  17. 복수의 화소를 포함하고, 상기 복수의 화소 각각은 유기 발광 다이오드, 상기 유기 발광 다이오드에 데이터 신호에 따른 구동 전류를 전달하는 제1 트랜지스터, 데이터 기입 기간 동안 게이트 온 전압 레벨을 갖는 제1 주사 신호에 응답하여 상기 제1 트랜지스터로 상기 데이터 신호를 전달하는 제2 트랜지스터, 상기 제1 트랜지스터의 게이트 전극과 제1 전원 사이에 연결되는 제1 커패시터, 상기 제1 트랜지스터의 소스 전극과 상기 제1 전원 사이에 연결되는 제2 커패시터, 및 게이트 온 전압 레벨을 갖는 제2 주사 신호에 응답하여 상기 제1 트랜지스터의 게이트 전극에 초기화 전압을 공급하는 제3 트랜지스터를 포함하는 표시 장치의 구동 방법에 있어서,
    상기 제1 트랜지스터의 특성을 초기화하는 단계;
    상기 제1 트랜지스터의 문턱 전압을 보상하고, 상기 제1 트랜지스터에 상기 데이터 신호를 전달하는 단계; 및
    상기 데이터 신호에 따른 구동 전류로 상기 유기 발광 다이오드가 발광하는 단계를 포함하고,
    상기 제1 트랜지스터의 특성을 초기화하는 단계는,
    상기 제1 주사 신호를 게이트 온 전압 레벨로 적어도 1회 전달하는 단계; 및
    상기 제2 주사 신호를 게이트 온 전압 레벨로 적어도 1회 전달하는 단계를 포함하는 표시 장치의 구동 방법.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 제1 주사 신호는 상기 제2 주사 신호가 게이트 온 전압 레벨을 갖는 단위 주사 기간 이전에 단위 주사 기간 동안 게이트 온 전압 레벨을 갖는 표시 장치의 구동 방법.
  19. 제17항에 있어서,
    상기 제1 주사 신호는 상기 제2 주사 신호가 게이트 온 전압 레벨을 갖는 두 번 이상의 단위 주사 기간들 사이에 단위 주사 기간 동안 게이트 온 전압 레벨을 갖는 표시 장치의 구동 방법.
  20. 제17항에 있어서,
    상기 제2 주사 신호는 두 번 이상 단위 주사 기간 동안 게이트 온 전압 레벨을 갖고,
    상기 제2 주사 신호가 게이트 온 전압 레벨을 갖는 두 번 이상의 단위 주사 기간들 사이의 기간은 단위 주사 기간의 복수 배인 표시 장치의 구동 방법.
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