CN114957229B - 一种芳胺化合物及其应用 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种芳胺化合物及其应用。所述化合物在螺环结构特定位点引入芳胺基团，增强了分子的稳定性和空穴传输特性；使其作为空穴传输材料应用于有机电致发光器件中时，可提高器件的发光效率和寿命。
Description
技术领域
本发明涉及光电材料领域，特别涉及一种芳胺化合物及其应用。
背景技术
OLED全称为有机发光二极管，又称为有机电激光显示、有机发光半导体，OLED显示技术是继LCD以后新一代平板显示技术，相对LCD显示，OLED显示技术具备省电、轻薄、可视角度大、柔性等优点，逐渐成为中小尺寸显示面板的主流方案。
OLED是以多种有机材料为基础制造的将电能直接转换成光能的有机发光器件。OLED材料基本结构包括阴极、阳极、空穴传输层、电子传输层和发光层，OLED在外加电场的作用下，电子从阴极注入，空穴从阳极注入，注入的电子和空穴分别从电子传输层和空穴传输层向发光层迁移；电子和空穴注入到发光层后，形成电子空穴对，即激子，激子辐射跃迁退激，发出光子而使OLED发光。由此可见，OLED材料直接决定了面板的发光特性，包括发光效率、寿命等，因此OLED核心关键材料的开发至关重要。
在OLED中，空穴传输层的基本作用就是提高空穴在器件中的传输效率，并将电子阻挡在发光层内，实现载流子的最大复合。空穴传输层的存在可以降低空穴在注入过程中的势垒，增加空穴注入效率，提高器件的亮度和寿命。寻求新型性能优良的空穴传输材料一直是研究的热点，当前，基于三芳胺制备的空穴传输材料有TBD、NPB等，但现有的小分子三芳胺化合物由于成膜性差、热稳定性低或空穴迁移率低等问题导致制备的器件发光效率低、器件寿命短。
因此，新型高性能的空穴传输材料还需进一步研发。
发明内容
本发明的目的在于提供一种芳胺化合物，该芳胺化合物可作为空穴传输材料用于电子器件的功能层中，延长器件发光效率和使用寿命。
为实现本发明目的的技术解决方案，本发明提供一种芳胺化合物，如通式(I)所示：
其中:
Z选自O或S；
R1、R2每次出现，独立选自-H、-D、具有1至20个C原子的直链烷基、具有3至20个C原子的支链烷基、具有3至20个C原子的环状烷基、取代或未取代的具有6至30个环原子的芳香基团、或取代或未取代的具有5至30个环原子的杂芳香基团，或这些基团的组合；
n选自0、1、2、3或4；
m选自0、1、2、3或4；
L1、L2、L3独立选自单键、或取代或未取代的具有环原子数为6-30的芳香基团、或取代或未取代的具有的环原子数为5-30的杂芳香基团；
Ar1、Ar2独立选自取代或未取代的具有环原子数为6-60的芳香基团、或取代或未取代的具有的环原子数为5-60的杂芳香基团。
相应的，本发明还提供一种混合物，包含有至少一种以上所述的芳胺化合物，以及至少另一种有机功能材料，其中至少另一种的有机功能材料可选于空穴注入材料(HIM)、空穴传输材料(HTM)、电子传输材料(ETM)、电子注入材料(EIM)、电子阻挡材料(EBM)、空穴阻挡材料(HBM)、发光客体材料(Emitter)、发光主体材料(Host)或有机染料。
相应的，本发明还提供一种组合物，包含至少一种如上所述的芳胺化合物或混合物，及至少一种有机溶剂。
相应的，本发明还提供一种有机电子器件，包括至少一功能层，所述功能层包含有至少一种上述芳胺化合物或如上述的混合物或由上述的组合物制备而成。
本发明与现有技术相比，其显著优点是：
本发明所述的芳胺化合物，在螺环结构特定位点引入芳胺基团，增强了分子的稳定性和空穴传输性能，作为空穴传输材料应用于有机发光器件中时，提高了器件的发光效率和寿命。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本申请保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请，并不用于限制本申请。在本申请中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指器件实际使用或工作状态下的上和下。另外，在本申请的描述中，术语“包括”是指“包括但不限于”，术语“多个”是指“两个或两个以上”，术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。本申请的各种实施例可以以一个范围的形式存在；应当理解，以一范围形式的描述仅仅是因为方便及简洁，不应理解为对本申请范围的硬性限制；因此，应当认为所述的范围描述已经具体公开所有可能的子范围以及该范围内的单一数值。例如，应当认为从1到6的范围描述已经具体公开子范围，例如从1到3，从1到4，从1到5，从2到4，从2到6，从3到6等，以及所述范围内的单一数字，例如1、2、3、4、5及6，此不管范围为何皆适用。另外，每当在本文中指出数值范围，是指包括所指范围内的任何引用的数字(分数或整数)。
本文所使用的术语“和/或”、“或/和”、“及/或”的选择范围包括两个或两个以上相关所列项目中任一个项目，也包括相关所列项目的任意的和所有的组合，所述任意的和所有的组合包括任意的两个相关所列项目、任意的更多个相关所列项目、或者全部相关所列项目的组合。需要说明的是，当用至少两个选自“和/或”、“或/和”、“及/或”的连词组合连接至少三个项目时，应当理解，在本申请中，该技术方案毫无疑问地包括均用“逻辑与”连接的技术方案，还毫无疑问地包括均用“逻辑或”连接的技术方案。比如，“A及/或B”包括A、B和A+B三种并列方案。又比如，“A，及/或，B，及/或，C，及/或，D”的技术方案，包括A、B、C、D中任一项(也即均用“逻辑或”连接的技术方案)，也包括A、B、C、D的任意的和所有的组合，也即包括A、B、C、D中任两项或任三项的组合，还包括A、B、C、D的四项组合(也即均用“逻辑与”连接的技术方案)。
在本发明中，芳香基团，芳香族，芳香环系具有相同的含义，可以互换。
在本发明中，杂芳香基团，杂芳香族，杂芳香环系具有相同的含义，可以互换。
在本发明中，“杂原子”为非碳原子，可以为N原子、O原子、S原子等。
在本发明中，“取代”表示被取代基中的一个或多个氢原子被取代基所取代。
在本发明中，“单取代”表示被一个取代基取代，“双取代”表示被两个取代基取代，“三取代”表示被三个取代基取代，“四取代”表示被四个取代基取代，“五取代”表示被五个取代基取代。
在本发明中，同一取代基多次出现时，可独立选自不同基团。如通式含有多个R，则R可独立选自不同基团。
在本发明中，“取代或未取代”表示所定义的基团可以被取代，也可以不被取代。当所定义的基团为被取代时，应理解为所定义的基团可以被一个或多个取代基R取代，所述R选自但不限于：氘原子、氰基、异氰基、硝基或卤素，含有1-20个C原子的烷基、含有3-20个环原子的杂环基、含有6-20个环原子的芳香基团、含有5-20个环原子的杂芳香基团、-NR’R”、硅烷基、羰基、烷氧基羰基、芳氧基羰基、氨基甲酰基、卤甲酰基、甲酰基、异氰酸酯基、硫氰酸酯基、异硫氰酸酯基、羟基、三氟甲基，且上述基团也可以进一步被本领域可接受取代基取代；可理解的，-NR’R”中R’和R”分别独立选自但不限于：H、氘原子、氰基、异氰基、硝基或卤素、含有1-10个C原子的烷基、含有3-20个环原子的杂环基、含有6-20个环原子的芳香基团、含有5-20个环原子的杂芳香基团。优选地，R选自但不限于：氘原子、氰基、异氰基、硝基或卤素、含有1-10个C原子烷基、含有3-10个环原子的杂环基、含有6-20个环原子的芳香基团、含有5-20个环原子的杂芳香基团、硅烷基、羰基、烷氧基羰基、芳氧基羰基、氨基甲酰基、卤甲酰基、甲酰基、异氰酸酯基、硫氰酸酯基、异硫氰酸酯基、羟基、三氟甲基，且上述基团也可以进一步被本领域可接受取代基取代。
在本发明中，“环原子数”表示原子键合成环状而得到的结构化合物(例如，单环化合物、稠环化合物、交联化合物、碳环化合物、杂环化合物)的构成该环自身的原子之中的原子数。该环被取代基所取代时，取代基所包含的原子不包括在成环原子内。关于以下所述的“环原子数”，在没有特别说明的条件下也是同样的。例如，苯环的环原子数为6，萘环的环原子数为10，噻吩基的环原子数为5。
“芳基或芳香基团”是指在芳香环化合物的基础上除去一个氢原子衍生的芳族烃基，可以为单环芳基、或稠环芳基、或多环芳基，对于多环的环种，至少一个是芳族环系。例如，“取代或未取代的具有6至40个环原子的芳基”是指包含6至40个环原子的芳基，优选取代或未取代的具有6至30个环原子的芳基，更优选取代或未取代的具有6至18个环原子的芳基，特别优选取代或未取代的具有6至14个环原子的芳基，且芳基上任选进一步被取代；合适的实例包括但不限于：苯基、联苯基、三联苯基、萘基、蒽基、菲基、荧蒽基、三亚苯基、芘基、苝基、并四苯基、芴基、二萘嵌苯基、苊基及其衍生物。可以理解地，多个芳基也可以被短的非芳族单元间断(例如<10％的非H原子，比如C、N或O原子)，具体如苊、芴，或者9,9-二芳基芴、三芳胺、二芳基醚体系也应该包含在芳基的定义中。
“杂芳基或杂芳香基团”是指在芳基的基础上至少一个碳原子被非碳原子所替代，非碳原子可以为N原子、O原子、S原子等。例如，“取代或未取代的具有5至40个环原子的杂芳基”是指具有5至40个环原子的杂芳基，，优选取代或未取代的具有6至30个环原子的杂芳基，更优选取代或未取代的具有6至18个环原子的杂芳基，特别优选取代或未取代的具有6至14个环原子的杂芳基，且杂芳基任选进一步被取代，合适的实例包括但不限于：噻吩基、呋喃基、吡咯基、二唑基、三唑基、咪唑基、吡啶基、联吡啶基、嘧啶基、三嗪基、吖啶基、哒嗪基、吡嗪基、喹啉基、异喹啉基、喹唑啉基、喹喔啉基、酞嗪基、吡啶并嘧啶基、吡啶并吡嗪基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、吲哚基、吡咯并咪唑基、吡咯并吡咯基、噻吩并吡咯基、噻吩并噻吩基、呋喃并吡咯基、呋喃并呋喃基、噻吩并呋喃基、苯并异噁唑基、苯并异噻唑基、苯并咪唑基、邻二氮萘基、菲啶基、伯啶基、喹唑啉酮基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、咔唑基及其衍生物。
在本发明中，“烷基”可以表示直链、支链和/或环状烷基。烷基的碳数可以为1至50、1至30、1至20、1至10或1至6。包含该术语的短语，例如，“C1-C 9烷基”是指包含1～9个碳原子的烷基，每次出现时，可以互相独立地为C1烷基、C2烷基、C3烷基、C4烷基、C5烷基、C6烷基、C7烷基、C8烷基或C9烷基。烷基的非限制性实例包括甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、叔丁基、异丁基、2-乙基丁基、3，3-二甲基丁基、正戊基、异戊基、新戊基、叔戊基、环戊基、1-甲基戊基、3-甲基戊基、2-乙基戊基、4-甲基-2-戊基、正己基、1-甲基己基、2-乙基己基、2-丁基己基、环己基、4-甲基环己基、4-叔丁基环己基、正庚基、1-甲基庚基、2，2-二甲基庚基、2-乙基庚基、2-丁基庚基、正辛基、叔辛基、2-乙基辛基、2-丁基辛基、2-己基辛基、3，7-二甲基辛基、环辛基、正壬基、正癸基、金刚烷基、2-乙基癸基、2-丁基癸基、2-己基癸基、2-辛基癸基、正十一烷基、正十二烷基、2-乙基十二烷基、2-丁基十二烷基、2-己基十二烷基、2-辛基十二烷基、正十三烷基、正十四烷基、正十五烷基、正十六烷基、2-乙基十六烷基、2-丁基十六烷基、2-己基十六烷基、2-辛基十六烷基、正十七烷基、正十八烷基、正十九烷基、正二十烷基、2-乙基二十烷基、2-丁基二十烷基、2-己基二十烷基、2-辛基二十烷基、正二十一烷基、正二十二烷基、正二十三烷基、正二十四烷基、正二十五烷基、正二十六烷基、正二十七烷基、正二十八烷基、正二十九烷基、正三十烷基等。
术语“烷氧基”是指结构为“-O-烷基”的基团，即如上所定义的烷基经由氧原子连接至其它基团。包含该术语的短语，合适的实例包括但不限于：甲氧基(-O-CH3或-OMe)、乙氧基(-O-CH2CH3或-OEt)和叔丁氧基(-O-C(CH3)3或-OtBu)。
本发明中，与单键相连的“*”表示连接或稠合位点；
本发明中，基团中未指明连接位点时，表示基团中任选可连接位点作为连接位点；
本发明中，当同一基团上含有多个相同符号的取代基时，各取代基可以彼此相同或不同，例如苯环上6个R可以彼此相同或不同。
本发明中，取代基相连的单键贯穿相应的环，表述该取代基可与环的任选位置连接，例如中R与苯环的任一可取代位点相连。
本发明中所使用的“其组合”、“其任意组合”、“基团的组合”、“组合”等中包括所列基团中任两个或任两个以上项目的所有合适的组合方式。
本发明中，“进一步”、“更进一步”、“特别”等用于描述目的，表示内容上的差异，但并不应理解为对本发明保护范围的限制。
本发明中，“可选地”、“可选的”、“可选”，指可有可无，也即指选自“有”或“无”两种并列方案中的任一种。如果一个技术方案中出现多处“可选”，如无特别说明，且无矛盾之处或相互制约关系，则每项“可选”各自独立。
本发明中，以开放式描述的技术特征中，包括所列举特征组成的封闭式技术方案，也包括包含所列举特征的开放式技术方案。
一种芳胺化合物，如通式(I)所示：
其中:
Z选自O或S；
R1、R2每次出现，独立选自-H、-D、具有1至20个C原子的直链烷基、具有3至20个C原子的支链烷基、具有3至20个C原子的环状烷基、取代或未取代的具有6至30个环原子的芳香基团、或取代或未取代的具有5至30个环原子的杂芳香基团，或这些基团的组合；
n选自0、1、2、3或4；
m选自0、1、2、3或4；
L1、L2、L3独立选自单键、或取代或未取代的具有环原子数为6-30的芳香基团、或取代或未取代的具有的环原子数为5-30的杂芳香基团；
Ar1、Ar2独立选自取代或未取代的具有环原子数为6-60的芳香基团、或取代或未取代的具有的环原子数为5-60的杂芳香基团。
在一实施例中，L1、L2、L3独立选自单键、或取代或未取代的具有环原子数为6-20的芳香基团、或取代或未取代的具有的环原子数为6-20的杂芳香基团。
在一实施例中，L1、L2、L3独立选自单键或以下基团：
其中：
X每次出现，独立选自CR3或N；
R3每次出现，独立选自-H、-D、具有1至20个C原子的直链烷基、具有3至20个C原子的支链烷基、具有3至20个C原子的环状烷基、取代或未取代的具有6至30个环原子的芳香基团、或取代或未取代的具有5至30个环原子的杂芳香基团，或这些基团的组合。
当X为连接位点时，X选自C原子。
在某一具体地实施例中，L1、L2、L3独立选自单键或以下基团：
其中：*表示连接位点.
在一实施例中，Ar1、Ar2独立选自取代或未取代的具有环原子数为6-30的芳香基团、或取代或未取代的具有的环原子数为6-30的杂芳香基团。
在一实施例中，Ar1、Ar2独立选自取代或未取代的具有环原子数为6-20的芳香基团、或取代或未取代的具有的环原子数为6-20的杂芳香基团。
在一实施例中，Ar1、Ar2独立选自取代或未取代的具有环原子数为6-13的芳香基团、或取代或未取代的具有的环原子数为6-13的杂芳香基团。
在某一具体地实施例中，Ar1、Ar2选自如下基团：
其中：
V每次出现，独立选自CR4或N；
Y每次出现，独立选自CR5R6、NR7、SiR5R6、O、S、Se、S＝O、S(＝O)2、或PR7；
R4-R7每次出现，独立选自-H、-D、或具有1至20个碳原子的直链烷基、或具有1至20个碳原子的直链烷氧基或具有1至20个碳原子的直链硫代烷氧基、或具有3至20个碳原子的支链烷基、或具有3至20个碳原子的环状烷基、或具有3至20个碳原子的支链烷氧基、或具有3至20个碳原子的环状烷氧基、或具有3至20个碳原子的支链硫代烷氧基、或具有3至20个碳原子的环状硫代烷氧基、或甲硅烷基、或具有1至20个碳原子的酮基、或具有2至20个碳原子的烷氧基羰基、或具有7至20个碳原子的芳氧基羰基、氰基、氨基甲酰基、卤甲酰基、甲酰基、异氰基、异氰酸酯基、硫氰酸酯基或异硫氰酸酯基、羟基、硝基、-CF3、-Cl、-Br、-F、-I、或具有6至60个环原子的芳香基团、或取代的具有6至60个环原子的芳香基团、或具有5至60个环原子的杂芳香基团、或取代的具有5至60个环原子的杂芳香基团或具有6至60个环原子的芳氧基基团、或具有5至60个环原子的杂芳氧基基团、或这些基团的组合；
相邻的R4相互成环或不成环；
当V为连接位点时，V选自C原子；当Y为连接位点时，Y选自N原子。
更优选的，Ar1，Ar2独立的选自以下基团：
其中：*表示连接位点。
在一实施例中，所述通式(I)选自通式(II-1)-(II-7)：
其中：o选自0、1、2、3、4或5；
q选自0、1、2、3或4；
p选自0、1、2、3、4、5、6或7。
在某一实施例中，V选自CR4；R4每次出现，独立选自-H、-D、或具有1至8个碳原子的直链烷基、或具有3至8个碳原子的支链烷基、或具有3至8个碳原子的环状烷基、或苯基、或联苯基、或三联苯基、或萘基、或菲基、或二苯并呋喃基、或二苯并噻吩基、或苯基取代的咔唑基、或被具有1-4个C原子的烷基取代的芴基，或这些基团的组合。
按照本申请所述的有机化合物，可选自但不仅限于以下化合物：
按照本发明的芳胺化合物，可以作为功能材料用于有机电子器件的有机功能层中。有机功能层包括，但不限于，空穴注入层(HIL),空穴传输层(HTL),电子传输层(ETL),电子注入层(EIL),电子阻挡层(EBL),空穴阻挡层(HBL),发光层(EML)。
在一实施例中，按照本发明的芳胺化合物用于空穴传输层中，更进一步，按照本发明的芳胺化合物用于绿光有机电子器件的空穴传输层中。
本发明进一步涉及一种混合物，包含有至少一种以上所述的芳胺化合物，及至少另一种有机功能材料，所述至少另一种的有机功能材料可选于空穴注入材料(HIM)，空穴传输材料(HTM)，电子传输材料(ETM)，电子注入材料(EIM)，电子阻挡材料(EBM)，空穴阻挡材料(HBM)，发光客体材料(Emitter)，发光主体材料(Host)或有机染料。例如在WO2010135519A1、US20090134784A1和WO2011110277A1中对各种有机功能材料有详细的描述，特此将此3篇专利文件中的全部内容并入本文作为参考。
在一实施例中，所述另一种有机功能材料选自电子传输材料，作为共主体运用于有机电子器件中。
本发明还涉及一种组合物，包含至少一种如上所述的芳胺化合物或混合物，及至少一种有机溶剂；所述的至少一种的有机溶剂选自芳族或杂芳族、酯、芳族酮或芳族醚、脂肪族酮或脂肪族醚、脂环族或烯烃类化合物，或硼酸酯或磷酸酯类化合物，或两种及两种以上溶剂的混合物。
在一个优选的实施例中，按照本发明的一种组合物，其特征在于，所述的至少的一种有机溶剂选自基于芳族或杂芳族的溶剂。
适合本发明的基于芳族或杂芳族溶剂的例子有，但不限制于：对二异丙基苯、戊苯、四氢萘、环己基苯、氯萘、1,4-二甲基萘、3-异丙基联苯、对甲基异丙苯、二戊苯、三戊苯、戊基甲苯、邻二乙苯、间二乙苯、对二乙苯、1,2,3,4-四甲苯、1,2,3,5-四甲苯、1,2,4,5-四甲苯、丁苯、十二烷基苯、二己基苯、二丁基苯、对二异丙基苯、环己基苯、苄基丁基苯、二甲基萘、3-异丙基联苯、对甲基异丙苯、1-甲基萘、1,2,4-三氯苯、4,4-二氟二苯甲烷、1,2-二甲氧基-4-(1-丙烯基)苯、二苯甲烷、2-苯基吡啶、3-苯基吡啶、N-甲基二苯胺、4-异丙基联苯、α，α-二氯二苯甲烷、4-(3-苯基丙基)吡啶、苯甲酸苄酯、1,1-双(3,4-二甲基苯基)乙烷、2-异丙基萘、喹啉、异喹啉、2-呋喃甲酸甲酯、2-呋喃甲酸乙酯等；
适合本发明的基于芳族酮溶剂的例子有，但不限制于：1-四氢萘酮，2-四氢萘酮，2-(苯基环氧)四氢萘酮，6-(甲氧基)四氢萘酮，苯乙酮、苯丙酮、二苯甲酮、及它们的衍生物，如4-甲基苯乙酮、3-甲基苯乙酮、2-甲基苯乙酮、4-甲基苯丙酮、3-甲基苯丙酮、2-甲基苯丙酮等；
适合本发明的基于芳族醚溶剂的例子有，但不限制于：3-苯氧基甲苯、丁氧基苯、对茴香醛二甲基乙缩醛、四氢-2-苯氧基-2H-吡喃、1,2-二甲氧基-4-(1-丙烯基)苯、1,4-苯并二噁烷、1,3-二丙基苯、2,5-二甲氧基甲苯、4-乙基本乙醚、1,3-二丙氧基苯、1,2,4-三甲氧基苯、4-(1-丙烯基)-1,2-二甲氧基苯、1,3-二甲氧基苯、缩水甘油基苯基醚、二苄基醚、4-叔丁基茴香醚、反式-对丙烯基茴香醚、1,2-二甲氧基苯、1-甲氧基萘、二苯醚、2-苯氧基甲醚、2-苯氧基四氢呋喃、乙基-2-萘基醚；
在一些优选的实施例中，按照本发明的组合物，所述的至少一种的有溶剂可选自：脂肪族酮，例如，2-壬酮、3-壬酮、5-壬酮、2-癸酮、2,5-己二酮、2,6,8-三甲基-4-壬酮、葑酮、佛尔酮、异佛尔酮、二正戊基酮等；或脂肪族醚，例如，戊醚、己醚、二辛醚、乙二醇二丁醚、二乙二醇二乙醚、二乙二醇丁基甲醚、二乙二醇二丁醚、三乙二醇二甲醚、三乙二醇乙基甲醚、三乙二醇丁基甲醚、三丙二醇二甲醚、四乙二醇二甲醚等。
在另一些优选的实施例中，按照本发明的组合物，所述的至少一种的有溶剂可选自基于酯的溶剂：辛酸烷酯、癸二酸烷酯、硬脂酸烷酯、苯甲酸烷酯、苯乙酸烷酯、肉桂酸烷酯、草酸烷酯、马来酸烷酯、烷内酯、油酸烷酯等。特别优选辛酸辛酯、癸二酸二乙酯、邻苯二甲酸二烯丙酯、异壬酸异壬酯。
所述的溶剂可以是单独使用，也可以是作为两种或多种有机溶剂的混合物使用。
在某些优选的实施例中，按照本发明的一种组合物，其特征在于，包含至少一种如上所述的有机化合物或高聚物或混合物及至少一种有机溶剂，还可进一步包含另一种有机溶剂。另一种有机溶剂的例子包括(但不限于)：甲醇、乙醇、2-甲氧基乙醇、二氯甲烷、三氯甲烷、氯苯、邻二氯苯、四氢呋喃、苯甲醚、吗啉、甲苯、邻二甲苯、间二甲苯、对二甲苯、1,4二氧杂环己烷、丙酮、甲基乙基酮、1,2二氯乙烷、3-苯氧基甲苯、1,1,1-三氯乙烷、1,1,2,2-四氯乙烷、醋酸乙酯、醋酸丁酯、二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺、二甲基亚砜、四氢萘、萘烷、茚和/或它们的混合物。
一些优选的实施例中，特别适合本发明的溶剂是汉森(Hansen)溶解度参数在以下范围内的溶剂：
δd(色散力)在17.0～23.2MPa1/2的范围，尤其是在18.5～21.0MPa1/2的范围；
δp(极性力)在0.2～12.5MPa1/2的范围，尤其是在2.0～6.0MPa1/2的范围；
δh(氢键力)在0.9～14.2MPa1/2的范围，尤其是在2.0～6.0MPa1/2的范围。
按照本发明的组合物，其中有机溶剂在选取时需考虑其沸点参数。本发明中，所述的有机溶剂的沸点≥150℃；优选为≥180℃；较优选为≥200℃；更优为≥250℃；最优为≥275℃或≥300℃。这些范围内的沸点对防止喷墨印刷头的喷嘴堵塞是有益的。所述的有机溶剂可从溶剂体系中蒸发，以形成包含功能材料薄膜。
在一个优选的实施方案中，按照本发明的组合物是一溶液。
在另一个优选的实施方案中，按照本发明的组合物是一悬浮液。
本发明实施例中的组合物中可以包括0.01至10wt％的按照本发明的化合物或混合物，较好的是0.1至8wt％，更好的是0.2至5wt％，最好的是0.25至3wt％。
本发明还涉及所述组合物作为涂料或印刷油墨在制备有机电子器件时的用途，特别优选的是通过打印或涂布的制备方法。
其中，适合的打印或涂布技术包括(但不限于)喷墨打印，喷印(NozzlePrinting)，活版印刷，丝网印刷，浸涂，旋转涂布，刮刀涂布，辊筒印花，扭转辊印刷，平版印刷，柔版印刷，轮转印刷，喷涂，刷涂或移印，狭缝型挤压式涂布等。首选的是凹版印刷，喷印及喷墨印刷。溶液或悬浮液可以另外包括一个或多个组份例如表面活性化合物，润滑剂，润湿剂，分散剂，疏水剂，粘接剂等，用于调节粘度，成膜性能，提高附着性等。有关打印技术，及其对有关溶液的相关要求，如溶剂及浓度，粘度等。
本发明还提供一种如上所述的芳胺化合物、混合物或组合物在有机电子器件中的应用，所述的有机电子器件可选于，但不限于，有机发光二极管(OLED)，有机光伏电池(OPV)，有机发光电池(OLEEC)，有机场效应管(OFET)，有机激光器，有机自旋电子器件，有机传感器及有机等离激元发射二极管(Organic Plasmon Emitting Diode)等，特别优选为OLED。本发明实施例中，优选将所述有机化合物用于OLED器件的空穴传输层。
本发明进一步涉及一种有机电子器件，包含第一电极、第二电极、位于第一电极和第二电极之间的一个或多个有机功能层，所述有机功能层包含如上所述的芳胺化合物、混合物或由上述的组合物制备而成。
按照本发明所述的有机功能层可选自但不限于空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发光层(EML)、电子阻挡层(EBL)、电子注入层(EIL)、电子传输层(ETL)、空穴阻挡层(HBL)。适合用于这些功能层中的材料在上面及在WO2010135519A1、US20090134784A1和WO2011110277A1中有详细的描述，特此将此3篇专利文件中的全部内容并入本文作为参考。具体地：
基板可以是透明或不透明。一个透明的基板可以用来制造一个透明的发光元器件。例如可参见，Bulovic等Nature 1996,380,p29，和Gu等，Appl.Phys.Lett.1996,68,p2606。基板还可以是刚性的或弹性的。在一实施例中，基板是塑料、金属、半导体晶片或玻璃。最好是基板有一个平滑的表面，无表面缺陷的基板是特别理想的选择。在一个优选的实施例中，基板是柔性的，可选于聚合物薄膜或塑料，其玻璃化温度Tg为150℃以上，较好是超过200℃，更好是超过250℃，最好是超过300℃。合适的柔性基板的例子有聚(对苯二甲酸乙二醇酯)(PET)和聚乙二醇(2,6-萘)(PEN)。
阳极是注入空穴的电极，且阳极可以容易地注入空穴到空穴注入层、或空穴传输层、或发光层中。阳极可包含一导电金属、导电金属氧化物、或导电聚合物。在一个的实施例中，阳极的功函数和发光层中的发光体或作为HIL或HTL或电子阻挡层(EBL)的p型半导体材料的HOMO能级或价带能级的差的绝对值小于0.5eV，较好是小于0.3eV，最好是小于0.2eV。阳极材料的例子包含但不限于：Al、Cu、Au、Ag、Mg、Fe、Co、Ni、Mn、Pd、Pt、ITO、铝掺杂氧化锌(AZO)等。其它合适的阳极材料是已知的，本领域普通技术人员可容易地选择使用。阳极材料可以使用任何合适的技术沉积，如一合适的物理气相沉积法，包含射频磁控溅射，真空热蒸发，电子束(e-beam)等。在某些实施例中，阳极是图案结构化的。图案化的ITO导电基板可在市场上买到，并且可以用来制备根据本申请的器件。
阴极是注入电子的电极，且阴极可以容易地注入电子到电子注入层、或电子传输层、或发光层中。阴极可包含一导电金属或导电金属氧化物。在一个实施例中，阴极的功函数和发光层中发光体或作为电子注入层(EIL)或电子传输层(ETL)或空穴阻挡层(HBL)的n型半导体材料的LUMO能级或导带能级的差的绝对值小于0.5eV，较好是小于0.3eV，最好是小于0.2eV。原则上，所有可用作有机电子器件的阴极的材料都可能作为本申请有机电子器件的阴极材料。阴极材料的例子包含但不限于：Al、Au、Ag、Ca、Ba、Mg、LiF/Al、MgAg合金、BaF2/Al、Cu、Fe、Co、Ni、Mn、Pd、Pt、ITO等。阴极材料可以使用任何合适的技术沉积，如一合适的物理气相沉积法，包含射频磁控溅射，真空热蒸发，电子束(e-beam)等。
空穴注入层是用于促进将空穴从阳极注入至发光层的层，并且空穴注入材料是可以在低电压下熟练地接收从正电极注入的空穴的材料，并且优选的是，空穴注入材料的最高占据分子轨道(HOMO)在正电极材料的功函数与周围有机材料层的HOMO之间。空穴注入材料的具体实例包括金属卟啉、低聚噻吩、基于芳基胺的有机材料、基于六腈六氮杂苯并菲的有机材料(HATCN)、等，但不限于此。
电子阻挡层可以设置在空穴传输层与发光层之间。作为电子阻挡层，可以使用基于芳胺的化合物或本领域已知的材料。
所述发光层可以发射红光、绿光或蓝光，并且可以由磷光材料或荧光材料构成。发光材料是可以接收分别来自空穴传输层和电子传输层的空穴和电子，并使空穴和电子结合以发射可见光区域内的光的材料，并且优选为对荧光或磷光具有良好量子效率的材料。
用于发光层的主体材料的实例包括稠合芳族环衍生物或含杂环的化合物等。具体地，稠合芳族环衍生物的实例包括蒽衍生物、芘衍生物、萘衍生物、并五苯衍生物、菲化合物、荧蒽化合物等，含杂环的化合物的实例包括咔唑衍生物、二苯并呋喃衍生物、梯子型呋喃化合物、嘧啶衍生物等，但其实例不限于此。
当发光层发出红光时，可以使用以下作为发光客体材料：磷光材料，例如双(1-苯基异喹啉)乙酰丙酮铱(PIQIr(acac))、双(1-苯基喹啉)乙酰丙酮铱(PQIr(acac))、三(1-苯基喹啉)铱(PQIr)或八乙基卟啉铂(PtOEP)；或荧光材料，例如三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)、但不限于此。当发光层发出绿光时，可以使用磷光材料如面式三(2-苯基吡啶)铱(Ir(ppy)3)、GD1或荧光材料如三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)作为发光掺杂剂，但不限于此。当发光层发出蓝光时，可以使用以下作为发光掺杂剂：磷光材料，例如(4,6-F2ppy)2Irpic；或者荧光材料，例如螺-DPVBi、螺-6P、联苯乙烯基苯(DSB)、联苯乙烯基亚芳基(DSA)、基于芘的芳胺化合物、硼氮化合物、基于PFO的聚合物或基于PPV的聚合物，但不限于此。
电子传输层可以用于顺利地传输电子。电子传输材料合适为具有高电子迁移率的材料，其可以熟练地接收从负电极注入的电子并将电子转移至发光层。其具体实例可以包括但不限于：8-羟基喹啉的Al配合物、包含Alq3的配合物、有机自由基化合物、羟基黄酮-金属配合物、8-羟基喹啉锂(LiQ)、ET1和基于苯并咪唑的化合物中的至少一种。
电子注入层可以用于顺利地注入电子。电子注入材料优选为：具有传输电子的能力，具有注入来自负电极的电子的效应，并具有将电子注入到发光层或发光材料中的优异效应，防止由发光层产生的激子移动至空穴注入层，并且还具有优异的形成薄膜的能力。其具体实例包括芴酮、蒽醌二甲烷、联苯醌、噻喃二氧化物、唑、二唑、三唑、咪唑、苝四羧酸、亚芴基甲烷、蒽酮等及其衍生物，金属配合物化合物，含氮5元环衍生物等，但不限于此。
有机电子器件的发光波长在300到1000nm之间，较好的是在350到900nm之间，更好的是在400到800nm之间。
在一实施例中所述有机功能层至少包含一空穴传输层，所述空穴传输层包含如上所述的芳胺化合物。
本发明还涉及按照本发明的电致发光器件在各种电子设备中的应用，包含，但不限于，显示设备，照明设备，光源，传感器等等。
下面将结合优选实施例对本发明进行了说明，但本发明并不局限于下述实施例，应当理解，所附权利要求概括了本发明的范围在本发明构思的引导下本领域的技术人员应意识到，对本发明的各实施例进行的一定的改变，都将被本发明的权利要求书的精神和范围所覆盖。
化合物制备如下:
实施例1：化合物4合成路线
化合物1-1的合成：
准确称取1,5-二溴萘(28.6g,0.1mol),四三苯基膦钯(3.47g,3mmol),碳酸钾(20.7g,0.15mol)依次加入1000mL的三口烧瓶中，加入二氧六环约300mL，水约100mL，抽通充氮气三次后缓缓向体系滴加2-(甲氧基羰基)苯硼酸(18g,0.1mol溶于150m二氧六环),缓缓升温至90℃反应4小时。待原料反应完全后减压蒸馏除去多余的二氧六环，然后水洗，乙酸乙酯萃取三遍，合并有机相后无水硫酸钠干燥，减压蒸馏除去多余的溶剂，硅胶拌样柱层析，淋洗剂为PE:EA＝3:1(体积比)的化合物1-1约22.8g，收率66.8％。Ms:342.20
化合物1-2的合成：
准确称取化合物1-1(22.5g,66mmol)加入500mL的三口烧瓶中，加入甲基磺酸约200mL，抽通充氮气三次后升温至60℃反应1小时，待原料完全反应后将反应液冷却至室温，加入等体积的水稀释后抽滤，滤饼用水洗涤三次，滤饼用甲苯重结晶得到化合物2-2约15.3g，收率75.0％。Ms:310.16
化合物1-3的合成：
准确称取2-碘二苯醚(14g,47mmol)加入500mL干燥的三口烧瓶中，加入无水四氢呋喃约150mL，抽通充氮气三次后降温至-78℃，然后缓缓向体系滴加正丁基锂(2.5M18.8mL)，-78℃反应1小时后，待原料完全反应，缓缓向反应体系滴加化合物1-2(14.5g，47mmol溶于150mL四氢呋喃),-78℃反应一小时后自然升温至室温，待原料反应完全后加水淬灭，乙酸乙酯萃取三遍，合并有机相，无水硫酸钠干燥后减压蒸馏除去多余的溶剂，然后向单口瓶中加入200mL的冰醋酸,50mL的盐酸，升温至70℃反应过夜。待反应完全后降温至室温，加水稀释后抽滤，滤饼用水洗涤三遍，固体用乙酸乙酯和甲醇打浆，得到化合物1-3约12.5g，收率57.6％。
Ms:462.36
化合物1-4的合成：
准确称取1-溴二苯并噻吩(26.3g,0.1mol),苯胺(9.3g，0.1mol),三(二亚苄基丙酮)二钯(1.73g，3mmol),叔丁醇钠(14.4g,0.15mol)依次加入500mL的三口烧瓶中，加入无水甲苯约300mL，抽通充氮气三后向反应体系中滴加三叔丁基膦(质体比10％12mL)，然后升温至100℃反应6小时。待反应完全后过硅胶，用乙酸乙酯多淋洗两遍。合并有机相，旋干后用石油醚打浆，得到化合物1-4约21.2g，收率：77％。Ms:276.37
化合物4的合成：
准确称取化合物1-3(12.5g,27mmol),化合物1-4(7.4g,27mmol),三(二亚苄基丙酮)二钯(0.47g，0.81mmol),叔丁醇钠(3.9g,40.5mmol)依次加入500mL的三口烧瓶中，加入无水甲苯约200mL，抽通充氮气三后向反应体系中滴加三叔丁基膦(质体比10％3.3mL)，然后升温至100℃反应6小时。待原料完全反应后冷却至室温，加水稀释后乙酸乙酯萃取三遍，合并有机相，旋干后硅胶拌样柱层析，淋洗剂为PE:DCM＝5:1(体积比)。得到化合物4约14.4g，收率：81.3％。Ms:656.82
实施例2：化合物61合成路线
化合物2-1的合成：
准确称取2-溴二苯并噻吩(26.3g,0.1mol),2-氨基萘(14.3g，0.1mol),三(二亚苄基丙酮)二钯(1.73g，3mmol),叔丁醇钠(14.4g,0.15mol)依次加入500mL的三口烧瓶中，加入无水甲苯约300mL，抽通充氮气三后向反应体系中滴加三叔丁基膦(质体比10％12mL)，然后升温至100℃反应6小时。待反应完全后过硅胶，用乙酸乙酯多淋洗两遍。合并有机相，旋干后用石油醚打浆，得到目标产物约26.7g，收率：82.2％。Ms:326.43
化合物7的合成：
准确称取化合物1-3(12.5g,27mmol),化合物2-1(8.8g,27mmol),三(二亚苄基丙酮)二钯(0.47g，0.81mmol),叔丁醇钠(3.9g,40.5mmol)依次加入500mL的三口烧瓶中，加入无水甲苯约200mL，抽通充氮气三后向反应体系中滴加三叔丁基膦(质体比10％3.3mL)，然后升温至100℃反应6小时。待原料完全反应后冷却至室温，加水稀释后乙酸乙酯萃取三遍，合并有机相，旋干后硅胶拌样柱层析，淋洗剂为PE:DCM＝5:1(体积比)。得到化合物61约15.9g，收率：83.5％。Ms:706.88
实施例3：化合物13合成路线
化合物3-1的合成：
准确称取化合物1-3(23g,50mmol),4-溴苯硼酸(10g,50mmol),四三苯基膦钯(1.7g,1.5mmol),碳酸钾(13.8g,100mmol)，依次加入1000mL的三口烧瓶中，加入二氧六环约300mL，水60mL，抽通充氮气三次后升温至100℃反应4小时，待2底物完全反应后降温至室温，加水稀释后乙酸乙酯萃取三遍，合并有机相，无水硫酸钠干燥后减压蒸馏除去多余的溶剂，硅胶拌样柱层析，淋洗剂为PE:EA＝10:1(体积比)得到化合物3-1约17.8g，收率：66.2％。Ms:538.46
化合物3-2的合成：
准确称取化合物3-1(16.1g,30mmol)苯胺(2.8g,30mmol),三(二亚苄基丙酮)二钯(0.52g，0.90mmol),叔丁醇钠(4.3g,45mmol)依次加入500mL的三口烧瓶中，加入无水甲苯约200mL，抽通充氮气三后向反应体系中滴加三叔丁基膦(质体比10％3.3mL)，然后升温至100℃反应6小时，待原料完全反应后冷却至室温，加水稀释后，乙酸乙酯萃取三遍，合并有机相，无水硫酸钠干燥后硅胶拌样柱层析。淋洗剂为PE:EA＝10:1(体积比)，得到目标化合物3-2约14g。
收率：85％。Ms:550.67
化合物13的合成：
准确称取化合物3-2(11g,20mmol),4-溴二苯并噻吩(5.3g,20mmol),三(二亚苄基丙酮)二钯(0.35g，0.6mmol),叔丁醇钠(3.8g,40mmol)依次加入500mL的三口烧瓶中，加入无水甲苯约150mL，抽通充氮气三后向反应体系中滴加三叔丁基膦(质体比10％2.5mL)，然后升温至100℃反应6小时，待原料完全反应后冷却至室温，加水稀释后，乙酸乙酯萃取三遍，合并有机相，无水硫酸钠干燥后硅胶拌样柱层析。淋洗剂为PE:EA＝10:1(体积比)，得到目标化合物13约11.5g。收率：78.6％。Ms:732.91
实施例4：化合物20合成路线
化合物4-1的合成：
准确称取二苯并噻吩-1-硼酸(22.8g,100mmol),1,4-二溴萘(28.6g,100mmol),四三苯基膦钯(1.7g,1.5mmol),碳酸钾(20.7g,150mmol)，依次加入1000mL的三口烧瓶中，加入二氧六环约500mL，水100mL，抽通充氮气三次后升温至100℃反应4小时，待底物完全反应后降温至室温，加水稀释后乙酸乙酯萃取三遍，合并有机相，无水硫酸钠干燥后减压蒸馏除去多余的溶剂，硅胶拌样柱层析，淋洗剂为PE:EA＝10:1(体积比)得到化合物4-1约28g，收率：72％。Ms:390.31。
化合物4-2的合成：
准确称取化合物1-3(23g,50mmol),苯胺(4.65g,50mmol),三(二亚苄基丙酮)二钯(0.86g，1.5mmol),叔丁醇钠(9.6g,100mmol)依次加入500mL的三口烧瓶中，加入无水甲苯约250mL，抽通充氮气三后向反应体系中滴加三叔丁基膦(质体比10％6mL)，然后升温至100℃反应6小时，待原料完全反应后冷却至室温，加水稀释后，乙酸乙酯萃取三遍，合并有机相后无水硫酸钠干燥后减压蒸馏除去多余的溶剂，用甲苯石油醚打浆得到化合物6-1约18.9g收率：79.8％。Ms:474.58
化合物20的合成：
准确称取化合物4-1(7.8g,20mmol)化合物4-2(9.5g,20mmol),三(二亚苄基丙酮)二钯(0.35g，0.6mmol),叔丁醇钠(3.8g,40mmol)依次加入500mL的三口烧瓶中，加入无水甲苯约200mL，抽通充氮气三后向反应体系中滴加三叔丁基膦(质体比10％2.5mL)，然后升温至100℃反应6小时，待原料完全反应后冷却至室温，加水稀释后，乙酸乙酯萃取三遍，合并有机相，无水硫酸钠干燥后硅胶拌样柱层析。淋洗剂为PE:EA＝10:1(体积比)，得到目标化合物20约12.3g。收率：78.6％。Ms:782.97
实施例5：化合物27合成路线
化合物5-1的合成：
准确称取化2-氨基9,9-二甲基芴(20.9g,100mmol),2-溴二苯并噻吩(26.3g,100mmol),三(二亚苄基丙酮)二钯(1.73g，3mmol),叔丁醇钠(14.4g,0.15mol)依次加入1000mL的三口烧瓶中，加入无水甲苯约500mL，抽通充氮气三后向反应体系中滴加三叔丁基膦(质体比10％12mL)，然后升温至100℃反应6小时。待反应完全后过硅胶，用乙酸乙酯多淋洗两遍。合并有机相，旋干后用石油醚打浆，得到化合物5-1约33.3g，收率：85.1％。Ms:392.53
化合物27的合成：
准确称取化合物5-1(7.8g,20mmol),化合物1-3(9.2g,20mmol),三(二亚苄基丙酮)二钯(0.35g，0.6mmol),叔丁醇钠(3.8g,40mmol)依次加入500mL的三口烧瓶中，加入无水甲苯约200mL，抽通充氮气三后向反应体系中滴加三叔丁基膦(质体比10％2.5mL)，然后升温至100℃反应6小时，待原料完全反应后冷却至室温，加水稀释后，乙酸乙酯萃取三遍，合并有机相，无水硫酸钠干燥后硅胶拌样柱层析。淋洗剂为PE:EA＝10:1(体积比)，得到目标化合物27约12.5g。
收率：80.9％。Ms:772.98.
实施例6：化合物2合成路线
化合物2的合成：
准确称取化合物4-2(14.2g,30mmol),4-溴二苯并噻吩(7.9g,30mmol)三(二亚苄基丙酮)二钯(0.29g，0.15mmol),叔丁醇钠(5.8g,60mmol)依次加入500mL的三口烧瓶中，加入无水甲苯约200mL，抽通充氮气三后向反应体系中滴加三叔丁基膦(质体比10％2.1mL)，然后升温至100℃反应6小时，待原料完全反应后冷却至室温，加水稀释后，乙酸乙酯萃取三遍，合并有机相，无水硫酸钠干燥后硅胶拌样柱层析。淋洗剂为PE:EA＝10:1(体积比)，得到目标化合物2约15.3g，收率：77.8％。Ms:656.82
实施例7：化合物6合成路线
化合物7-1的合成：
准确称取化合物1-3(23g,50mmol),4-氨基联苯(8.46g,50mmol),三(二亚苄基丙酮)二钯(0.86g，1.5mmol),叔丁醇钠(9.6g,100mmol)依次加入500mL的三口烧瓶中，加入无水甲苯约250mL，抽通充氮气三后向反应体系中滴加三叔丁基膦(质体比10％6mL)，然后升温至100℃反应6小时，待原料完全反应后冷却至室温，加水稀释后，乙酸乙酯萃取三遍，合并有机相后无水硫酸钠干燥后减压蒸馏除去多余的溶剂，用甲苯石油醚打浆得到化合物7-1约20.9g收率：76％。Ms:550.67
化合物6的合成：
准确称取化合物7-1(16.5g,30mmol),2-溴二苯并噻吩(7.9g,30mmol),三(二亚苄基丙酮)二钯(0.86g，1.5mmol),叔丁醇钠(5.8g,60mmol)依次加入500mL的三口烧瓶中，加入无水甲苯约250mL，抽通充氮气三后向反应体系中滴加三叔丁基膦(质体比10％6mL)，然后升温至100℃反应6小时，待原料完全反应后冷却至室温，加水稀释后，乙酸乙酯萃取三遍，合并有机相，无水硫酸钠干燥后硅胶拌样柱层析。淋洗剂为PE:EA＝10:1(体积比)，得到目标化合物6约16.7g，收率：76.1％。Ms:732.91
实施例8：化合物63合成路线
化合物8-1的合成：
准确称取2-碘二苯硫醚(31.2g,100mmol)加入1000mL干燥的三口烧瓶中，加入无水四氢呋喃约300mL，抽通充氮气三次后降温至-78℃，然后缓缓向体系滴加正丁基锂(2.5M40mL)，-78℃反应1小时后，待原料完全反应，缓缓向反应体系滴加化合物1-2(30.9g，100mmol溶于300mL四氢呋喃),-78℃反应一小时后自然升温至室温，待原料反应完全后加水淬灭，乙酸乙酯萃取三遍，合并有机相，无水硫酸钠干燥后减压蒸馏除去多余的溶剂，然后向单口瓶中加入400mL的冰醋酸,100mL的盐酸，升温至70℃反应过夜。待反应完全后降温至室温，加水稀释后抽滤，滤饼用水洗涤三遍，固体用乙酸乙酯和甲醇打浆，得到化合物8-1约29.8g，收率62.4％。Ms:478.42
化合物8-2的合成：
准确称取化合物8-1(28.6g,60mmol),4-氨基联苯(10.2g,60mmol),三(二亚苄基丙酮)二钯(1.73g，3mmol),叔丁醇钠(11.5g,120mmol)依次加入1000mL的三口烧瓶中，加入无水甲苯约250mL，抽通充氮气三后向反应体系中滴加三叔丁基膦(质体比10％12mL)，然后升温至100℃反应6小时，待原料完全反应后冷却至室温，加水稀释后，乙酸乙酯萃取三遍，合并有机相后无水硫酸钠干燥后减压蒸馏除去多余的溶剂，用甲苯石油醚打浆得到化合物8-2约25.7g收率：75.7％。Ms:566.73
化合物63的合成：
准确称取化合物8-2(11.3g,20mmol)1-溴萘(4.1g,20mmol),三(二亚苄基丙酮)二钯(0.6g，1mmol),叔丁醇钠(3.8g,40mmol)依次加入500mL的三口烧瓶中，加入无水甲苯约250mL，抽通充氮气三后向反应体系中滴加三叔丁基膦(质体比10％4.2mL)，然后升温至100℃反应6小时，待原料完全反应后冷却至室温，加水稀释后，乙酸乙酯萃取三遍，合并有机相，无水硫酸钠干燥后硅胶拌样柱层析。淋洗剂为PE:EA＝10:1(体积比)，得到目标化合物63约9.6g，收率：69.3％。Ms:692.89
实施例9：化合物67合成路线
化合物9-1的合成：
准确称取4-氯苯硼酸(15.6g,100mmol),9-溴菲(25.7g,100mmol),四三苯基膦钯(3.5g,3mmol),碳酸钾(27.6g,200mmol)依次加入1000mL的三口烧瓶中，加入二氧六环约400mL，水约100mL，抽通充氮气三次后升温至80℃反应4小时。待原料完全反应后，将反应液冷却至室温后加水稀释，抽滤得到化合物9-1约20.8g，收率72％。Ms:289.77
化合物67的合成：
准确称取化合物8-2(11.3g,20mmol)化合物9-1(5.8g,20mmol),三(二亚苄基丙酮)二钯(0.6g，1mmol),叔丁醇钠(3.8g,40mmol)依次加入500mL的三口烧瓶中，加入无水甲苯约200mL，抽通充氮气三后向反应体系中滴加三叔丁基膦(质体比10％4.2mL)，然后升温至100℃反应6小时，待原料完全反应后冷却至室温，加水稀释后，乙酸乙酯萃取三遍，合并有机相，无水硫酸钠干燥后硅胶拌样柱层析。淋洗剂为PE:EA＝10:1(体积比)，得到目标化合物67约9.6g，收率：58.7％。Ms:819.05
实施例10：化合物71合成路线
化合物71的合成：
准确称取化合物8-2(11.3g,20mmol)9，9-二甲基-2-溴芴(5.5g,20mmol),三(二亚苄基丙酮)二钯(0.6g，1mmol),叔丁醇钠(3.8g,40mmol)依次加入500mL的三口烧瓶中，加入无水甲苯约200mL，抽通充氮气三后向反应体系中滴加三叔丁基膦(质体比10％4.2mL)，然后升温至100℃反应6小时，待原料完全反应后冷却至室温，加水稀释后，乙酸乙酯萃取三遍，合并有机相，无水硫酸钠干燥后硅胶拌样柱层析。淋洗剂为PE:EA＝10:1(体积比)，得到目标化合物71约9.5g，收率：62.7％。Ms:759.00
器件制备：
下面通过具体实施例来详细说明包括上述化合物的OLED器件的制备过程。器件1的制备步骤如下：
(1)对ITO(铟锡氧化物)导电玻璃基片使用各种溶剂(例如去离子水、氯仿、丙酮或异丙醇中的一种或几种)清洗15分钟，然后进行紫外臭氧等离子处理。
(2)将ITO导电玻璃基片移入真空气相沉积设备中，通过真空蒸镀方式蒸镀空穴注入层材料HATCN，厚度为5nm。
(3)在空穴注入层上，通过真空蒸镀方式蒸镀空穴传输材料化合物4，厚度80nm，形成空穴传输层。
(4)在空穴传输层上，蒸镀化合物HT1，厚度20nm，形成电子阻挡层。
(5)在电子阻挡层上蒸镀发光层，选用GH1作为主体材料，GD1作为掺杂材料，GD1和GH1的质量比为1:9，厚度30nm。
(6)在发光层上，蒸镀ET1和LiQ，质量比例为5：5，厚度30nm，形成电子传输层。
(7)在电子传输层上，真空蒸镀LiQ，厚度2nm，形成电子注入层。
(8)在电子注入层上，真空蒸镀阴极Al层，厚度80nm，形成阴极。
(9)器件在氮气手套箱中用紫外线硬化树脂封装。
器件采用真空蒸镀的方式制备，蒸镀环境为1*10-5Pa，空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、电子传输层、电子注入层的蒸镀速率为阴极层的蒸镀速率为
器件中所涉及的化合物结构如下：
器件2：与器件1的制备方法相同，区别在于：空穴传输层材料选用化合物61。
器件3：与器件1的制备方法相同，区别在于：空穴传输层材料选用化合物13
器件4：与器件1的制备方法相同，区别在于：空穴传输层材料选用化合物20
器件5：与器件1的制备方法相同，区别在于：空穴传输层材料选用化合物27
器件6:与器件1的制备方法相同，区别在于：空穴传输层材料选用化合物2
器件7：与器件1的制备方法相同，区别在于：空穴传输层材料选用化合物6
器件8：与器件1的制备方法相同，区别在于：空穴传输层材料选用化合物63
器件9：与器件1的制备方法相同，区别在于：空穴传输层材料选用化合物67
器件10：与器件1的制备方法相同，区别在于：空穴传输层材料选用化合物71
对比例器件1：与器件1的制备方法相同，区别在于：空穴传输层材料选用Ref1
对比例器件2：与器件1的制备方法相同，区别在于：空穴传输层材料选用Ref2
Ref1、Ref2结构式分别为：
对实施例1～10和对比例1-2中所提供的有机电致发光器件进行测试
采用表征设备测试器件实施例1-10和对比例1-2的有机发光二极管的电流电压(J-V)特性，同时记录重要的参数如寿命及外部量子效率。发光效率是电流密度为10mA/cm2时所得相对值，LT95@1000nits是在恒定电流下，亮度由初始亮度1000nits下降到初始亮度的95％的时间。所有外量子效率和寿命都是相对对比例1的有机发光二极管的相对值。表征结果如表1所示，可见，基于本发明的实施例的效率和寿命均有明显程度的提升，尤其是基于器件5的发光效率和寿命在同类型器件中是最高的。
表1
从表1可以看出相比对例，本发明的化合物作为空穴传输层可以有效的提高机电致发光器件率和寿命。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (8)
1.一种芳胺化合物，其特征在于，如通式(I)所示：
其中，
Z选自O或S；
R1、R2每次出现，独立选自-H、-D、具有1至6个C原子的直链烷基、具有3至6个C原子的支链烷基；
n选自0或1；
m选自0或1；
L1、L2、L3独立选自单键、或以下基团：
其中：*表示连接位点；
Ar1、Ar2选自如下基团：
其中：
V每次出现，独立选自CR4；
Y每次出现，独立选自CR5R6、O或S；
R4、R5、R6每次出现，独立选自-H、-D、或具有1至6个碳原子的直链烷基、或具有3至6个碳原子的支链烷基。
2.根据权利要求1所述的芳胺化合物，其特征在于，所述通式(I)选自通式(II-1)-(II-7)：
其中：o选自0、1、2、3、4或5；
q选自0、1、2、3或4；
p选自0、1、2、3、4、5、6或7。
3.根据权利要求1或2所述的一种芳胺化合物，其特征在于，R4每次出现，独立选自-H、-D、甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、叔丁基或异丁基。
4.一种芳胺化合物，其特征在于，选自如下结构：
5.一种混合物，其特征在于，所述混合物包括至少一种权利要求1-4任一项所述的芳胺化合物以及至少另一种有机功能材料，其中至少另一种的有机功能材料选于空穴注入材料、空穴传输材料、电子传输材料、电子注入材料、电子阻挡材料、空穴阻挡材料、发光客体材料、发光主体材料或有机染料。
6.一种组合物，其特征在于，所述组合物包含权利要求1-4任一项所述的芳胺化合物或权利要求5所述的混合物，及至少一种有机溶剂。
7.一种有机电子器件，包括至少一功能层，其特征在于，所述功能层中包括权利要求1-4任一项所述的一种芳胺化合物或如权利要求5所述的混合物，或所述功能层由权利要求6所述组合物制备而成。
8.根据权利要求7所述的有机电子器件，其特征在于，所述功能层选自空穴传输层。
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