CN114944361A - 阵列基板制备方法、阵列基板和显示面板 - Google Patents
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Abstract
本申请提供一种阵列基板制备方法、阵列基板和显示面板，涉及液晶显示技术领域，其中，该方法包括：先在衬底基板上依次形成第一金属层、第一绝缘层、有源层、欧姆接触层和第二金属层，然后在第二金属层上形成光刻胶层，对第二金属层、欧姆接触层和有源层依次进行第一次湿法刻蚀、第一次干法刻蚀、第二次湿法刻蚀和第二次干法刻蚀，形成沟道区，最后去除光刻胶层，在第二金属层上形成钝化层，在钝化层上形成像素电极层，其中，在进行目标干法刻蚀前，采用三氟化氮与氧气的混合气体对所述光刻胶层进行预处理，目标干法刻蚀包括第一次干法刻蚀和第二次干法刻蚀。本申请提供的技术方案能够减少阵列基板的铜工艺制作工程中产生的金属硫化物残留。
Description
技术领域
本申请涉及液晶显示技术领域，尤其涉及阵列基板制备方法、阵列基板和显示面板。
背景技术
随着液晶显示技术的不断成熟，薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film TransistorLiquid Crystal Display，TFT-LCD)广泛应用于各个领域，其中，阵列基板作为像素的开关，控制着液晶的旋转使得液晶显示器呈现不同的色彩，为了追求更高刷新率，阵列基板的制作过程会用到铜工艺。
阵列基板的铜工艺制作过程中，先采用半色调光罩(Half-Tone Mask，HTM)曝光工艺，然后采用2W2D蚀刻工艺对沉积后的绝缘层和金属层进行刻蚀，其中，HTM曝光工艺，会使得阵列基板沟道区的光刻胶(Photoresist，PR)残留厚度不易控制。
如果PR残留厚度过薄，会造成在后续进行刻蚀时产生金属硫化物残留，导致进一步产生欧姆接触层的残留，造成局部短路，影响TFT-LCD的显示性能。
发明内容
有鉴于此，本申请提供一种阵列基板制备方法、阵列基板和显示面板，以减少阵列基板的铜工艺制作过程中产生的金属硫化物残留，提高TFT-LCD的显示性能。
为了实现上述目的，第一方面，本申请实施例提供一种阵列基板制备方法，包括：
在衬底基板上形成第一金属层；
在所述第一金属层上依次形成第一绝缘层、有源层、欧姆接触层和第二金属层；
在所述第二金属层上形成光刻胶层，所述光刻胶层包括第一区域和第二区域，所述第一区域的光刻胶层厚度小于所述第二区域的光刻胶层厚度；
以所述光刻胶层为掩体，对所述第二金属层进行第一次湿法刻蚀，去除所述第二金属层两侧的区域；
采用三氟化氮与氧气的混合气体去除所述第一区域的光刻胶层；
对所述有源层和所述欧姆接触层进行第一次干法刻蚀，去除所述有源层和所述欧姆接触层两侧未被所述光刻胶层覆盖的区域；
以所述第二区域的光刻胶层为掩体，对所述第二金属层进行第二次湿法刻蚀，去除所述第二金属层未被所述光刻胶层覆盖的区域；
采用三氟化氮与氧气的混合气体去除所述第二区域的光刻胶层；
对所述欧姆接触层进行所述第二次干法刻蚀，去除未被覆盖的欧姆接触层，形成沟道区；
去除所述光刻胶层，在所述第二金属层上形成钝化层；
在所述钝化层上形成像素电极层。
作为本申请实施例一种可选的实施方式，所述第一次干法刻蚀和所述第二次干法刻蚀采用的气体均为三氟化氮与氯气的混合气体。
作为本申请实施例一种可选的实施方式，所述在衬底基板上形成第一金属层，包括：
在所述衬底基板上设置第一金属；
在所述第一金属的第三区域设置保护层，所述第三区域为所述第一金属的中间区域；
对所述第一金属进行湿法刻蚀，去除未被所述保护层覆盖的第一金属；
去除所述保护层，所述保护层覆盖的第一金属为所述第一金属层。
作为本申请实施例一种可选的实施方式，所述第一金属层为栅极层，所述第二金属层为漏源金属层。
作为本申请实施例一种可选的实施方式，所述第一金属层和所述第二金属层的材质包括铝、钼、铜和银中的至少一种。
作为本申请实施例一种可选的实施方式，所述欧姆接触层的材质为三氢化磷掺杂的氢化非晶硅。
作为本申请实施例一种可选的实施方式，所述第一金属层、所述第二金属层和所述像素电极层均采用溅射工艺形成。
作为本申请实施例一种可选的实施方式，所述第一绝缘层、所述有源层、所述欧姆接触层、所述光刻胶层和所述钝化层均采用等离子体增强化学气相沉积工艺形成。
第二方面，本申请实施例提供一种阵列基板，所述阵列基板是基于上述第一方面或第一方面任一项所述的方法制备的。
第三方面，本申请实施例提供一种显示面板，所述显示面板包括上述第二方面所述的阵列基板，与所述阵列基板对向设置的彩膜基板，以及位于所述阵列基板和所述彩膜基板之间的液晶层。
本申请实施例提供的阵列基板制备方案，包括在衬底基板上形成第一金属层；在第一金属层上依次形成第一绝缘层、有源层、欧姆接触层和第二金属层；在第二金属层上形成光刻胶层，光刻胶层包括第一区域和第二区域，第一区域的光刻胶层厚度小于第二区域的光刻胶层厚度；以光刻胶层为掩体，对第二金属层进行第一次湿法刻蚀，去除第二金属层两侧的区域；采用三氟化氮与氧气的混合气体去除第一区域的光刻胶层；对有源层和欧姆接触层进行第一次干法刻蚀，去除有源层和欧姆接触层两侧未被光刻胶层覆盖的区域；以第二区域的光刻胶层为掩体，对第二金属层进行第二次湿法刻蚀，去除第二金属层未被光刻胶层覆盖的区域；采用三氟化氮与氧气的混合气体去除第二区域的光刻胶层；对欧姆接触层进行第二次干法刻蚀，去除未被覆盖的欧姆接触层，形成沟道区；去除光刻胶层，在第二金属层上形成钝化层；在钝化层上形成像素电极层。本申请实施例提供的阵列基板制备方案，在第一次干法刻蚀和第二次干法刻蚀前采用三氟化氮与氧气的混合气体去除残留的光刻胶，这样就可以减少阵列基板的铜工艺制作过程中产生的金属硫化物残留，从而进一步减少欧姆接触层的残留，减小因为残留物产生的局部短路的风险，提高TFT-LCD的显示性能。
附图说明
图1为本申请实施例提供的阵列基板制备方法的流程示意图；
图2-a到图2-f到为图1中步骤S140到S190的流程结构示意图；
图3为本申请实施例提供的阵列基板的结构示意图；
图4为本申请实施例提供的显示面板的结构示意图。
附图标记说明：
1-衬底基板； 2-第一金属层；
3-第一绝缘层； 4-有源层；
5-欧姆接触层； 6-第二金属层；
7-光刻胶层； 8-钝化层；
9-像素电极层； 10-阵列基板；
11-彩膜基板； 12-液晶层；
61-源电极； 62-漏电极；
81-第一钝化层； 82-第二钝化层；
83-第三钝化层。
具体实施方式
下面结合本申请实施例中的附图对本申请实施例进行描述。本申请实施例的实施方式部分使用的术语仅用于对本申请的具体实施例进行解释，而非旨在限定本申请。下面这几个具体的实施例可以相互结合，对于相同或相似的概念或过程可能在某些实施例不再赘述。
图1为本申请实施例提供的阵列基板制备方法的流程示意图，如图1所示，本申请实施例提供的阵列基板制备方法可以包括如下步骤：
S110、在衬底基板上形成第一金属层。
阵列基板作为TFT-LCD的核心器件，控制着液晶的旋转使得TFT-LCD呈现不同的色彩，阵列基板从功能上定义是实现开关功能的三端器件，三端包括源极、漏极以及栅极。
在制备阵列基板时，首先提供一个衬底基板，衬底基板的材料可以是石英、玻璃、有机聚合物、硅、金属以及其他半导体材料，本实施例以衬底基板的材料为玻璃为例进行示例性说明。
具体地，可以先在衬底基板上设置第一金属，然后在第一金属的第三区域涂覆保护层，第三区域可以位于第一金属的中间区域，第三区域的宽度可以是预设的固定值，也可以根据衬底基板的宽度进行调整，本实施例对此不作具体限制。
在涂覆完保护层之后，可以对第一金属进行湿法刻蚀，去除未被保护层覆盖的第一金属。
最后可以去除保护层，漏出被保护层覆盖的第一金属层。
第一金属可以采用溅射工艺形成，第一金属可以是铝、钼、铜、银中的一种或多种，以上述材料形成的第一金属能够实现低阻抗、高附着以及图在案化处理时加工工艺简单的效果。
需说明的是，衬底基板若选用导电材料时，则需要在衬底基板上形成阵列基板的构件前，先在衬底基板上形成绝缘层，以免衬底基板与阵列基板的构件之间发生短路。
S120、在第一金属层上依次形成第一绝缘层、有源层、欧姆接触层和第二金属层。
具体地，在形成第一金属层之后，可以在第一金属层上依次层叠形成第一绝缘层、有源层、欧姆接触层以及第二金属层。
第二金属层可以采用溅射工艺形成，第二金属层的材料可以包括铝、钼、铜、银中的一种或多种，以上述材料形成的第二金属层能够实现低阻抗、高附着以及图在案化处理时加工工艺简单的效果。
第一绝缘层、有源层和欧姆接触层可以采用等离子体增强化学气相沉积工艺形成。
欧姆接触层的材料可以是三氢化磷掺杂的氢化非晶硅或者其他半导体材料，使用上述材料形成的欧姆接触层，可以使有源层与第二金属层的金属电极之间形成良好的欧姆接触，降低有源层与第二金属层之间的接触电阻，提高电子的传输速率，此外，欧姆接触层也起到空穴阻挡层的作用。
在形成第一金属层之后还可以先对第一金属层进行图案化处理，然后在经过图案化处理后的第一金属层上方形成第一绝缘层，具体可以采用涂布光刻胶、曝光、显影、湿刻、去除光刻胶的方式等对第一金属层进行图案化处理。
阵列基板的结构可以包括底栅结构、顶栅结构以及双栅结构等，本实施例以阵列基板的结构为底栅结构为例进行示例性说明，即第一金属层为栅极，第一绝缘层为栅极绝缘层、第二金属层为漏源金属层(包括源极和漏极)。
S130、在第二金属层上形成光刻胶层。
光刻胶层可以采用等离子体增强化学气相沉积工艺形成。光刻胶层可以包括第一区域和第二区域，第一区域的光刻胶层厚度小于第二区域的光刻胶层厚度。
具体地，可以在第二金属层背离欧姆接触层的表面涂布光刻胶，并通过第一光罩对光刻胶进行曝光并显影，以形成光刻胶层，其中，光刻胶层可以包含第一区域和第二区域，第一区域的光刻胶层厚度可以小于第二区域的光刻胶层厚度，这样，第一区域的光刻胶层在被去除后，第二区域的光刻胶层可以继续保护被覆盖的阵列基板，从而可以使第一区域下暴露的阵列基板的构件被刻蚀，第二区域下覆盖的阵列基板不被刻蚀，而形成沟道区。
光刻胶的成分可以包含酚醛树脂、感光剂、溶剂以及部分添加剂等。
在涂布光刻胶之前，还可以对第二金属层背离欧姆接触层的表面进行清洗和烘干，以保证第二金属层的表面的洁净度，从而使得在涂布光刻胶时，不会因为有异物附着在衬底基板上，而导致后续刻蚀时刻蚀液渗入刻蚀，金属配线断线。
在形成光刻胶层后，还可以对形成的光刻胶层进行清洗和后烘，以加强光刻胶层覆盖区域的阵列基板的耐腐蚀性。
S140、以光刻胶层为掩体，对第二金属层进行第一次湿法刻蚀，去除第二金属层两侧的区域。
具体地，可以采用第一刻蚀液对第二金属层两侧未被光刻胶覆盖的区域进行第一次湿法刻蚀，如图2中的(a)所示，第一次湿法刻蚀去除了第二金属层两侧多余的部分。第一刻蚀液的成分可以包含大量的醋酸、少量的硝酸和磷酸以及微量的添加剂等，其中醋酸起到缓冲液的作用，用于调节刻蚀剂的浓度，硝酸使金属氧化成金属氧化物，磷酸使金属氧化物溶解。
由于部分第二金属层背离欧姆接触层的表面覆盖有光刻胶，所以在第一次湿法刻蚀时，该该部分第二金属层可以被光刻胶层保护而不被刻蚀掉。
S150、采用三氟化氮与氧气的混合气体去除第一区域的光刻胶层。
三氟化氮与氧气的混合气体会同时灼烧第一区域和第二区域的光刻胶层，由于第一区域的光刻胶层厚度小于第二区域的光刻胶层厚度，所以第一区域的光刻胶层会先被灼烧完，如图2中的(b)所示，第一区域的光刻胶层被灼烧完，暴露出下面的第二金属层，第二区域的光刻胶层未被完全灼烧，剩余的部分可以继续保护覆盖的第二金属层在第一次干法刻蚀时，不被刻蚀。
同时，混合气体中的氧气与第二金属层两侧和顶部未被光刻胶覆盖区域的金属会产生化学反应，生成金属氧化物薄膜，以减少后续第一次干法刻蚀时，氯气对金属的腐蚀，从而降低因第二金属层两侧被过分腐蚀而产生的断线风险。
混合气体中氧气的浓度可以适当加大，这样有利于在第二金属层两侧生成金属氧化物薄膜。
S160、对有源层和欧姆接触层进行第一次干法刻蚀，去除有源层和欧姆接触层两侧未被光刻胶层覆盖的区域。
具体地，可以采用三氟化氮和氯气的混合气体对有源层和欧姆接触层两侧未被光刻胶覆盖的区域进行第一次干法刻蚀，如图2中的(c)所示，欧姆接触层和有源层两侧未被覆盖的区域被去除。采用三氟化氮和氯气的混合气体进行刻蚀可以降低金属硫化物的生成，减少后续第二次湿法刻蚀时，清除金属硫化物的时间，使得第二次湿法刻蚀的时间更易控制，同时也可以降低残留的金属硫化物剥落的风险。
S170、以第二区域的光刻胶层为掩体，对第二金属层进行第二次湿法刻蚀，去除第二金属层未被光刻胶层覆盖的区域。
具体地，可以通过第二刻蚀液对暴露的第二金属层进行第二次湿法刻蚀，如图2中的(d)所示，暴露区域的第二金属层被去除，形成源电极和漏电极，同时下方的欧姆接触层暴露出来。
第二刻蚀液的成分主要是大量的醋酸、少量的硝酸和磷酸以及微量的添加剂等，其中醋酸起到缓冲液的作用，用于调节刻蚀剂的浓度，硝酸使金属氧化成金属氧化物，磷酸使金属氧化物溶解。
S180、采用三氟化氮与氧气的混合气体去除第二区域多余的光刻胶。
具体地，可以采用三氟化氮与氧气的混合气体灼烧第二区域中的光刻胶层，使得第二区域的光刻胶层不再遮挡暴露出来的欧姆接触层，如图2中的(e)所示，第二区域多余的光刻胶被去除后，不再遮挡暴露出来的欧姆接触层，同时，混合气体中的氧气可以与源电极和漏电极两侧的金属产生化学反应，生成金属氧化物薄膜，减少后续第二次干法刻蚀时，氯气对金属的腐蚀；而且，采用三氟化氮与氧气的混合气体不会产生金属硫化物残留。
S190、对有源层和欧姆接触层进行第二次干法刻蚀，去除未被覆盖的欧姆接触层，形成沟道区。
具体地，可以采用三氟化氮和氯气的混合气体对暴露的欧姆接触层进行第二次干法刻蚀，以去除暴露的欧姆接触层，如图2中的(f)所示，欧姆接触层被去除后，暴露出下方的有源层，并在源电极和漏电极之间形成沟道区。
可以理解的是，在第二次干法刻蚀时，可能会由于刻蚀速度快，混合气体还没有完全消耗掉，混合气体会与欧姆接触层下方暴露的有源层进行反应，对有源层进行部分刻蚀。
S200、去除光刻胶层，在第二金属层上形成钝化层。
在形成沟道区之后，可以先剥离源电极和漏电极上方的光刻胶层，暴露出源电极和漏电极，然后可以采用等离子体增强化学气相沉积工艺，在源电极和漏电极背离欧姆接触层的表面分别沉积钝化层材料，对钝化层材料进行曝光并显影，形成第一钝化层和第二钝化层，其中，第一钝化层可以形成于源电极的上方，第二钝化层可以形成于漏电极的上方。
进一步，还可以在沟道区上方形成第三钝化层，使第一钝化层、第三钝化层和第二钝化层为连续结构，以保护阵列基板。
S210、在钝化层上形成像素电极层。
具体地，可以采用溅射工艺，在第二钝化层背离第二金属层的表面形成金属薄膜，然后对金属薄膜进行曝光并显影，形成像素电极层，其中，第二钝化层上可以有暴露漏电极的接触孔，像素电极层可以通过接触孔与漏电极连接。
本申请实施例提供的阵列基板制备方案，包括在衬底基板上形成第一金属层；在第一金属层上依次形成第一绝缘层、有源层、欧姆接触层和第二金属层；在第二金属层上形成光刻胶层，光刻胶层包括第一区域和第二区域，第一区域的光刻胶层厚度小于第二区域的光刻胶层厚度；以光刻胶层为掩体，对第二金属层进行第一次湿法刻蚀，去除第二金属层两侧的区域；采用三氟化氮与氧气的混合气体去除第一区域的光刻胶层；对有源层和欧姆接触层进行第一次干法刻蚀，去除有源层和欧姆接触层两侧未被光刻胶层覆盖的区域；以第二区域的光刻胶层为掩体，对第二金属层进行第二次湿法刻蚀，去除第二金属层未被光刻胶层覆盖的区域；采用三氟化氮与氧气的混合气体去除第二区域的光刻胶层；对欧姆接触层进行第二次干法刻蚀，去除未被覆盖的欧姆接触层，形成沟道区；去除光刻胶层，在第二金属层上形成钝化层；在钝化层上形成像素电极层。本申请实施例提供的阵列基板制备方案，在第一次干法刻蚀和第二次干法刻蚀前采用三氟化氮与氧气的混合气体去除残留的光刻胶，这样就可以减少阵列基板的铜工艺制作过程中产生的金属硫化物残留，从而进一步减少欧姆接触层的残留，减小因为残留物产生的局部短路的风险，提高TFT-LCD的显示性能。
基于同一发明构思，本申请实施例还提供了一种阵列基板。图3为本申请实施例提供的阵列基板的结构示意图，如图3所示，本实施例提供的阵列基板可以包括：衬底基板1、于衬底基板1上依次层叠的第一金属层2、第一绝缘层3、有源层4、欧姆接触层5、第二金属层6、钝化层8以及像素电极层9。
第二金属层6可以包括源电极61和漏电极62，钝化层8可以包括第一钝化层81和第二钝化层82，源电极61和漏电极62之间可以形成沟道区，钝化层8还可以包括第三钝化层83，第三钝化层83可以覆盖于沟道区上，并与第一钝化层81和第二钝化层82连接，以保护阵列基板。
第一钝化层81可以形成于源电极61的上方，第二钝化层82可以形成于漏电极62的上方，第二钝化层82上可以有暴露漏电极的接触孔(未示出)，像素电极层9可以通过接触孔与漏电极62连接。
本实施例提供的阵列基板是基于上述阵列基板的制备方法制成，即本实施例中的阵列基板具有上述阵列基板的制备方法的实施例中所有技术特征以及技术效果，具体参照上述实施例，在此不再进行赘述。
基于同一发明构思，本申请实施例还提供了一种显示面板，图4为本申请实施例提供的显示面板的结构示意图，如图4所示，本实施例提供的阵列基板可以包括：包括上述实施例中的阵列基板10、彩膜基板11和液晶层12。
其中，阵列基板10与彩膜基板11对向设置，液晶层12位于阵列基板10和彩膜基板11之间。
由于本实施例中的显示面板包括上述实施例中阵列基板，而上述实施例中的阵列基板是基于上述阵列基板的制备方法制成，即本实施例中的显示面板具有上述阵列基板的制造方法的实施例的所有技术特征以及技术效果，具体参照上述实施例，在此不再进行赘述。
在本申请中出现的对步骤进行的命名或者编号，并不意味着必须按照命名或者编号所指示的时间/逻辑先后顺序执行方法流程中的步骤，已经命名或者编号的流程步骤可以根据要实现的技术目的变更执行次序，只要能达到相同或者相类似的技术效果即可。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述或记载的部分，可以参见其它实施例的相关描述。
在本申请所提供的实施例中，应该理解到，所揭露的装置/设备和方法，可以通过其它的方式实现。例如，以上所描述的装置/设备实施例仅仅是示意性的，例如，所述模块或单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通讯连接可以是通过一些接口，装置或单元的间接耦合或通讯连接，可以是电性，机械或其它的形式。
应当理解，当在本申请说明书和所附权利要求书中使用时，术语“包括”指示所描述特征、整体、步骤、操作、元素和/或组件的存在，但并不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元素、组件和/或其集合的存在或添加。
在本申请的描述中，除非另有说明，“/”表示前后关联的对象是一种“或”的关系，例如，A/B可以表示A或B；本申请中的“和/或”仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况，其中A，B可以是单数或者复数。
并且，在本申请的描述中，除非另有说明，“多个”是指两个或多于两个。“以下至少一项”或其类似表达，是指的这些项中的任意组合，包括单项或复数项的任意组合。例如，a，b，或c中的至少一项，可以表示：a，b，c，a-b，a-c，b-c，或a-b-c，其中a，b，c可以是单个，也可以是多个。
如在本申请说明书和所附权利要求书中所使用的那样，术语“如果”可以依据上下文被解释为“当...时”或“一旦”或“响应于确定”或“响应于检测到”。类似地，短语“如果确定”或“如果检测到[所描述条件或事件]”可以依据上下文被解释为意指“一旦确定”或“响应于确定”或“一旦检测到[所描述条件或事件]”或“响应于检测到[所描述条件或事件]”。
另外，在本申请说明书和所附权利要求书的描述中，术语“第一”、“第二”、“第三”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的实施例能够以除了在这里图示或描述的内容以外的顺序实施。
在本申请说明书中描述的参在本申请说明书中描述的参考“一个实施例”或“一些实施例”等意味着在本申请的一个或多个实施例中包括结合该实施例描述的特定特征、结构或特点。由此，在本说明书中的不同之处出现的语句“在一个实施例中”、“在一些实施例中”、“在其他一些实施例中”、“在另外一些实施例中”等不是必然都参考相同的实施例，而是意味着“一个或多个但不是所有的实施例”，除非是以其他方式另外特别强调。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本申请的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本申请进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例技术方案的范围。
Claims (10)
1.一种阵列基板制备方法，其特征在于，包括：
在衬底基板上形成第一金属层；
在所述第一金属层上依次形成第一绝缘层、有源层、欧姆接触层和第二金属层；
在所述第二金属层上形成光刻胶层，所述光刻胶层包括第一区域和第二区域，所述第一区域的光刻胶层厚度小于所述第二区域的光刻胶层厚度；
以所述光刻胶层为掩体，对所述第二金属层进行第一次湿法刻蚀，去除所述第二金属层两侧的区域；
采用三氟化氮与氧气的混合气体去除所述第一区域的光刻胶层；
对所述有源层和所述欧姆接触层进行第一次干法刻蚀，去除所述有源层和所述欧姆接触层两侧未被所述光刻胶层覆盖的区域；
以所述第二区域的光刻胶层为掩体，对所述第二金属层进行第二次湿法刻蚀，去除所述第二金属层未被所述光刻胶层覆盖的区域；
采用三氟化氮与氧气的混合气体去除所述第二区域的光刻胶层；
对所述欧姆接触层进行所述第二次干法刻蚀，去除未被覆盖的欧姆接触层，形成沟道区；
去除所述光刻胶层，在所述第二金属层上形成钝化层；
在所述钝化层上形成像素电极层。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一次干法刻蚀和所述第二次干法刻蚀采用的气体均为三氟化氮与氯气的混合气体。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在衬底基板上形成第一金属层，包括：
在所述衬底基板上设置第一金属；
在所述第一金属的第三区域设置保护层，所述第三区域为所述第一金属的中间区域；
对所述第一金属进行湿法刻蚀，去除未被所述保护层覆盖的第一金属；
去除所述保护层，所述保护层覆盖的第一金属为所述第一金属层。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一金属层为栅极层，所述第一绝缘层为栅极绝缘层，所述第二金属层为漏源金属层。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一金属层和所述第二金属层的材质包括铝、钼、铜和银中的至少一种。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述欧姆接触层的材质为三氢化磷掺杂的氢化非晶硅。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一金属层、所述第二金属层和所述像素电极层均采用溅射工艺形成。
8.根据权利要求1-7任一项所述的方法，其特征在于，所述第一绝缘层、所述有源层、所述欧姆接触层、所述光刻胶层和所述钝化层均采用等离子体增强化学气相沉积工艺形成。
9.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板是基于权利要求1-8任一项所述的方法制备的。
10.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求9所述的阵列基板，与所述阵列基板对向设置的彩膜基板，以及位于所述阵列基板和所述彩膜基板之间的液晶层。
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2022
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