CN117215148B - 阵列基板的制备方法、阵列基板及显示面板 - Google Patents

Abstract

本申请提供一种阵列基板的制备方法、阵列基板及显示面板，其中，该方法包括在钝化层上形成图案化的光刻胶层，光刻胶层包括光刻胶保留区、光刻胶半保留区和光刻胶完全去除区；通过第一次干法刻蚀在光刻胶完全去除区形成第一过孔和第二过孔，去除光刻胶半保留区的光刻胶层，减小光刻胶保留区的光刻胶层的厚度；对光刻胶半保留区对应的钝化层进行第二次干法刻蚀，使钝化层的离子转移至光刻胶保留区的光刻胶层上形成簇状物后，以簇状物为掩膜，对光刻胶保留区进行灰化处理，形成绒状结构；沉积导电薄膜，去除光刻胶保留区的光刻胶层和导电薄膜，形成第一像素电极层和第二像素电极层。本申请提供的技术方案可以降低生产成本。

Description

阵列基板的制备方法、阵列基板及显示面板

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板制备方法、阵列基板及显示面板。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示装置（Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，TFT-LCD）具有画质好、体积小、重量轻、低驱动电压、低功耗、无辐射和制造成本相对较低的优点，在显示领域中占据主导地位。

在制作TFT-LCD的阵列基板时，传统是采用5道光刻技术进行制备，即至少需要使用5道掩模版，为了降低生产成本，目前一般是采用4道光刻技术进行制备。然而，这种方式需要4道掩模版，依然存在生产成本较高的问题。

发明内容

有鉴于此，本申请提供一种阵列基板制备方法、阵列基板及显示面板，用于降低生产成本。

为了实现上述目的，第一方面，本申请实施例提供一种阵列基板的制备方法，该方法包括：

在衬底基板上依次形成栅极层、绝缘层、半导体层、源漏极层以及钝化层，其中，所述栅极层包括栅极和所述栅极同层设置的公共电极；

在所述钝化层上涂布光刻胶，对所述光刻胶进行图案化处理，形成光刻胶层，其中，所述光刻胶层包括光刻胶保留区、光刻胶半保留区和光刻胶完全去除区，光刻胶完全去除区分布在源漏极过孔区域和公共电极区域上方，光刻胶半保留区对应像素电极区域，光刻胶保留区分布在源漏极上方，以及，像素电极区域与公共电极区域之间；所述光刻胶半保留区的光刻胶层的厚度小于所述光刻胶保留区的光刻胶层的厚度；

以所述光刻胶层为掩膜进行第一次干法刻蚀，在所述光刻胶完全去除区形成贯穿所述钝化层的第一过孔和贯穿所述钝化层与所述绝缘层的第二过孔，并去除所述光刻胶半保留区的光刻胶层，减小所述光刻胶保留区的光刻胶层的厚度，其中，所述第一过孔位于所述源漏极上方，所述第二过孔位于所述公共电极区域上方；

对所述光刻胶半保留区对应的钝化层进行第二次干法刻蚀，使所述钝化层的离子转移至所述光刻胶保留区的光刻胶层上形成簇状物后，以所述簇状物为掩膜，对所述光刻胶保留区进行灰化处理，形成绒状结构；

在光刻胶保留区、光刻胶半保留区对应的钝化层、所述第一过孔和所述第二过孔上方沉积导电薄膜后，采用剥离液去除所述光刻胶保留区的光刻胶层和导电薄膜，形成第一像素电极层和第二像素电极层，所述第一像素电极层通过所述第一过孔与所述源漏极层连接，所述第二像素电极层通过所述第二过孔与公共电极连接。

在第一方面的一种可能的实施方式中，所述对所述光刻胶进行图案化处理，包括：

利用半色调掩模版对所述光刻胶进行曝光，其中，所述半色调掩模版包括遮光区、半透光区以及透光区，所述遮光区对应所述光刻胶保留区，所述透光区对应所述光刻胶完全去除区；

对所述光刻胶进行显影。

在第一方面的一种可能的实施方式中，所述以所述光刻胶层为掩膜进行第一次干法刻蚀，在所述光刻胶完全去除区形成贯穿所述钝化层的第一过孔和贯穿所述钝化层与所述绝缘层的第二过孔，并去除所述光刻胶半保留区的光刻胶层，减小所述光刻胶保留区的光刻胶层的厚度，包括：

以所述光刻胶层为掩膜，采用混合气体对所述光刻胶完全去除区进行第一次干法刻蚀，形成贯穿所述钝化层的第一过孔和贯穿所述钝化层与所述绝缘层的第二过孔；

采用等离子氧气对所述光刻胶保留区和所述光刻胶半保留区进行灰化处理，去除所述光刻胶半保留区的光刻胶层，减小所述光刻胶保留区的光刻胶层的厚度。

在第一方面的一种可能的实施方式中，所述混合气体为下列气体中多种气体形成的混合气体：三氟化氮、六氟化硫、氯气和氧气。

在第一方面的一种可能的实施方式中，所述第二次干法刻蚀的刻蚀速率小于所述第一次干法刻蚀的刻蚀速率。

在第一方面的一种可能的实施方式中，所述第二次干法刻蚀采用的刻蚀气体包括氩气、氮气以及氢气中的至少一种。

在第一方面的一种可能的实施方式中，对所述光刻胶保留区进行灰化处理采用的气体为等离子氧气。

在第一方面的一种可能的实施方式中，所述钝化层的材料为氮化硅。

第二方面，本申请实施例提供一种阵列基板，该阵列基板是基于上述第一方面或第一方面任一项所述的方法制备的。

第三方面，本申请实施例提供一种显示面板，所述显示面板包括上述第二方面所述的阵列基板，与所述阵列基板对向设置的彩膜基板，以及位于所述阵列基板和所述彩膜基板之间的液晶层。

本申请实施例提供的阵列基板制备方法，包括在衬底基板上依次形成栅极层、绝缘层、半导体层、源漏极层以及钝化层，其中，栅极层包括栅极和栅极同层设置的公共电极；在钝化层上涂布光刻胶，对光刻胶进行图案化处理，形成光刻胶层，其中，光刻胶层包括光刻胶保留区、光刻胶半保留区和光刻胶完全去除区，光刻胶完全去除区分布在源漏极过孔区域和公共电极区域上方，光刻胶半保留区对应像素电极区域，光刻胶保留区分布在源漏极上方，以及，像素电极区域与公共电极区域之间；光刻胶半保留区的光刻胶层的厚度小于光刻胶保留区的光刻胶层的厚度；以光刻胶层为掩膜进行第一次干法刻蚀，在光刻胶完全去除区形成贯穿钝化层的第一过孔和贯穿钝化层与绝缘层的第二过孔，并去除光刻胶半保留区的光刻胶层，减小光刻胶保留区的光刻胶层的厚度；其中，第一过孔位于源漏极上方，第二过孔位于公共电极区域上方；对光刻胶半保留区对应的钝化层进行第二次干法刻蚀，使钝化层的离子转移至光刻胶保留区的光刻胶层上形成簇状物后，以簇状物为掩膜，对光刻胶保留区进行灰化处理，形成绒状结构；在光刻胶保留区、光刻胶半保留区对应的钝化层、第一过孔和第二过孔上方沉积导电薄膜后，采用剥离液去除光刻胶保留区的光刻胶层和导电薄膜，形成第一像素电极层和第二像素电极层，第一像素电极层通过第一过孔与源漏极层连接，第二像素电极层通过第二过孔与公共电极连接。本申请实施例提供的阵列基板的制备方法，通过第一道掩模版制程形成栅极层，通过第二道掩模版制程形成源漏极层，通过第三道掩模版制程形成钝化层及像素电极层，这样只使用三道掩模版就可以完成阵列基板的制备，从而可以减少掩模版的使用和图案化处理的次数，进而可以降低生产成本。

附图说明

图1为本申请实施例提供的阵列基板制备方法的流程示意图；

图2-a到图2-f到为图1中步骤S110到S150的流程结构示意图；

图3为本申请实施例提供的光刻胶保留区的示意图；

图4为本申请实施例提供的光刻胶保留区形成簇状物后的示意图；

图5为本申请实施例提供的显示面板的结构示意图。

附图标记说明：

1-衬底基板；2-栅极层；21-栅极；22-公共电极；

3-绝缘层；4-半导体层；5-源漏极层；6-钝化层；61-第一过孔；62-第二过孔；

7-光刻胶层；71-光刻胶保留区；72-光刻胶半保留区；73-光刻胶完全去除区；

8-簇状物；9-像素电极层；91-第一像素电极层；92-第二像素电极层；

10-阵列基板；11-彩膜基板；12-液晶层。

具体实施方式

下面结合本申请实施例中的附图对本申请实施例进行描述。本申请实施例的实施方式部分使用的术语仅用于对本申请的具体实施例进行解释，而非旨在限定本申请。下面这几个具体的实施例可以相互结合，对于相同或相似的概念或过程可能在某些实施例不再赘述。

图1为本申请实施例提供的阵列基板制备方法流程示意图，如图1所示，该方法可以包括如下步骤：

步骤S110、在衬底基板上依次形成栅极层、绝缘层、半导体层、源漏极层以及钝化层。

如图2-a所示，在制备阵列基板时，首先，可以提供一个衬底基板1，在衬底基板1上形成第一金属层（图中未示出）。衬底基板1可以为透明基板，材料可以是石英、玻璃、有机聚合物、硅、金属以及其他半导体材料。

需要说明的是，衬底基板1的材料若选择导电材料，为了提高阵列基板的可靠性，可以在衬底基板1上形成一层绝缘保护层，以减少短路情况的发生。

第一金属层可以采用溅射工艺形成，材料可以是铝、钼、铜、银中的一种或多种，以实现低阻抗、高附着的效果。

在形成第一金属层之前，可以先对衬底基板1进行清洗和烘干处理，以提高衬底基板1表面的洁净度，进而提高第一金属层的附着力。

在形成第一金属层后，可以采用第一道掩模版对第一金属层进行图案化处理，形成栅极层2。其中，栅极层2可以包括栅极21以及与栅极21同层设置的公共电极22。具体地，在第一金属层上涂布光刻胶，然后可以通过第一道掩模版对光刻胶进行曝光和显影，通过湿法刻蚀去除未被光刻胶覆盖的第一金属层，从而可以限定栅极层的图案。在去除光刻胶后，形成栅极层2。

光刻胶的成分可以包含酚醛树脂、感光剂、溶剂以及部分添加剂等。在对光刻胶进行曝光和显影后，还可以对光刻胶进行清洗和烘烤，以降低光刻胶中的溶剂含量，提高光刻胶的稳定性以及光刻胶与第一金属层的粘附力，这样提高光刻胶覆盖区域的阵列基板的耐腐蚀性。光刻胶可以选择正性光刻胶，即曝光的部分会发生光化学反应并在显影阶段可以被去除，本申请实施例中对光刻胶选择正性光刻胶还是负性光刻胶并不做特别限定。

如图2-b所示，在形成栅极层2后，可以在栅极层2上依次形成覆盖在栅极层2及衬底基板1上的绝缘层3、半导体材料层与以及第二金属层。其中，绝缘层3的材料可以为氧化物、氮化物或者氮氧化合物中的任意一种，为便于说明，下面均以绝缘层3为氮化硅为例进行说明。半导体材料层的材料可以为氢化非晶硅，在实际应用中，还可以根据实际需要选择绝缘层3和半导体材料层的材料，本申请对此并不做特别限定。通过在栅极层2及衬底基板1上覆盖绝缘层3，可以避免栅极层2与之后形成的半导体层4之间发生短路，提高阵列基板的可靠性。第二金属层的形成方式和材料可以和第一金属层相同，从而可以简化生产流程。

在形成第二金属层后，可以在第二金属层上涂布光刻胶。利用第二道掩模版对光刻胶进行曝光并显影，第二道掩模版可以是半色调掩模版（Half Tone Mask，HTM）或者灰阶掩模版。然后采用两次湿法蚀刻及两次干法蚀刻（2W2D）去除未被光刻胶覆盖的区域，在去除光刻胶后，形成与栅极层2对应设置的半导体层4及形成于半导体层4上的源漏极层5。

在制备半导体层4以及源漏极层5后，在源漏极层5以及未被源漏极层5覆盖的衬底基板1上形成钝化层6。钝化层6可以采用等离子体增强化学气相沉积工艺形成，钝化层6的材料可以和绝缘层3的材料相同。通过形成钝化层6，不仅可以防止水汽、钠离子、及氧离子等杂质的侵入半导体层4和源漏极层5，还可以防止源漏极层5被氧化。

步骤S120、在钝化层上涂布光刻胶，对光刻胶进行图案化处理，形成光刻胶层。

示例性的，如图2-c所示，在形成钝化层6后，可以在钝化层6上涂布一层光刻胶，然后可以使用第三道掩模版对光刻胶进行曝光和显影，形成图案化的光刻胶层7，光刻胶层7包括光刻胶保留区71、光刻胶半保留区72以及光刻胶完全去除区73。其中，其中，光刻胶完全去除区73可以分布在源漏极过孔区域（在源漏极上方待形成过孔的区域）和公共电极区域上方，光刻胶半保留区72可以对应像素电极区域，光刻胶保留区71可以分布在源漏极上方以及像素电极区域（待形成与源漏极层5连接的电极层所在的区域）与公共电极区域（待形成与公共电极连接的电极层所在区域）之间。光刻胶半保留区72的光刻胶层的厚度可以小于光刻胶保留区71的光刻胶层的厚度。

通过在像素电极区域与公共电极区域之间设置光刻胶保留区71，这样可以在后续形成像素电极层时，使得像素电极区域的像素电极和公共电极区域的像素电极层之间间断，从而不会发生信号传输冲突，进而提高阵列基板的可靠性。

第三道掩模版可以为半色调掩模板或灰色调掩模板。以第三道掩模版为半色调掩模版为例，在钝化层6上涂布的光刻胶层7为正性光刻胶的情况下，在曝光过程中，光刻胶完全去除区73对应掩膜板的位置可以为完全透光区，即在曝光过程中，该区域中的透光率为100%；光刻胶半保留区72对应的掩膜板位置可以为部分透光区，即在曝光过程中，该区域中的光线不能完全通过，例如，该区域的透光率可以为50%；光刻胶保留区71对应的掩膜板位置可以为完全不透光区，即在曝光过程中，该区域中的光线不能通过。

在钝化层6涂布的光刻胶为负性光刻胶的情况下，在曝光过程中，光刻胶完全去除区73对应掩膜板的位置可以为完全不透光区；光刻胶半保留区72对应掩膜板的位置可以为部分透光区；光刻胶保留区71对应的掩膜板位置可以为完全透光区。

通过这样的实施方式，不仅暴露需要进行刻蚀的源漏极过孔区域和公共电极区域，还可以减小像素电极区域的光刻胶层的厚度，从而缩短后续去除像素电极区域的光刻胶所需的时间，进而可以加快制备流程，提高生产效率。

步骤S130、以光刻胶层为掩膜进行第一次干法刻蚀，在光刻胶完全去除区形成贯穿钝化层的第一过孔和贯穿钝化层与绝缘层的第二过孔，并去除光刻胶半保留区的光刻胶层，减小光刻胶保留区的光刻胶层的厚度。

参阅图2-c和图2-d，作为一种可选的实施方式，刻蚀气体可以包括三氟化氮、六氟化硫和氯气的至少一种。示例性的，在形成光刻胶层7后，以光刻胶层7为掩膜，使用刻蚀气体对无光刻胶覆盖（即光刻胶完全去除区73）的钝化层6进行刻蚀，刻蚀气体可以钝化层6上刻蚀形成贯穿钝化层6的第一过孔61，第一过孔61可以位于源漏极层5上方，从而暴露源漏极层5的源极或漏极，并且，可以在钝化层6和绝缘层3的公共电极区域刻蚀形成第二过孔62，第二过孔62可以位于公共电极区域上方，从而暴露公共电极22。

在形成第一过孔61和第二过孔62后，可以采用等离子氧气对光刻胶保留区71和光刻胶半保留区72进行灰化处理，去除光刻胶半保留区72的光刻胶层，减小光刻胶保留区71的光刻胶层的厚度，这样可以在钝化层6上只保留源漏极上方以及像素电极区域与公共电极区域之间的光刻胶。

作为另一种可选的实施方式，考虑到光刻胶完全去除区73可能还会残留光刻胶在钝化层6上，从而影响第一次干法刻蚀。在进行第一干法刻蚀时，使用的刻蚀气体可以为三氟化氮、六氟化硫、氯气和氧气的混合气体。通过调整刻蚀气体中的氧气含量，可以在形成第一过孔61和第二过孔62的同时灰化光刻胶层7，去除光刻胶半保留区72的光刻胶，减小光刻胶保留区71的光刻胶的厚度，从而可以简化制备流程，提高生产效率。

步骤S140、对光刻胶半保留区对应的钝化层进行第二次干法刻蚀，使钝化层的离子转移至光刻胶保留区的光刻胶层上形成簇状物后，以簇状物为掩膜，对光刻胶保留区进行灰化处理，形成绒状结构。

第二次干法刻蚀为物理刻蚀，使用的刻蚀气体可以包括氩气、氮气以及氢气中的至少一种。可以利用刻蚀气体轰击光刻胶半保留区72对应的钝化层6表面，使得钝化层6表面的离子（氮化硅离子）可以在plasma气氛下被转移至光刻胶保留区71的光刻胶上，在光刻胶上形成簇状物8。

图3为本申请实施例提供的光刻胶保留区的示意图，图4为本申请实施例提供的光刻胶保留区形成簇状物后的示意图。如图3和图4所示，光刻胶保留区形成的簇状物之间存在空隙，具有较大的表面积。

第二次干法刻蚀的刻蚀速率可以小于第一次干法刻蚀的刻蚀速率，从而可以减小对钝化层6造成的损伤。第二次干法刻蚀的刻蚀速率和刻蚀时间可以根据需要进行选择，本申请对此并不做特别限定。

如图2-e所示，在第二次干法刻蚀结束后，可以将光刻胶层7上的簇状物8作为掩膜，对光刻胶保留区71的光刻胶进行灰化处理，灰化处理采用的气体可以为等离子氧气。等离子氧气在轰击光刻胶时，被簇状物8覆盖的光刻胶无法被灼烧。未被簇状物8覆盖的光刻胶可以被正常灰化，示例性的，相较于去除光刻胶半保留区72时的灰化速率，本申请实施例可以通过控制等离子氧气的含量，降低等离子氧气灰化光刻胶的灰化速率，使得等离子氧气可以通过簇状物8之间的空隙对光刻胶层7进行横向和纵向灰化，从而形成具有大量空隙和镂空区域的绒状结构。

步骤S150、在光刻胶保留区、光刻胶半保留区对应的钝化层、第一过孔和第二过孔上方沉积导电薄膜后，采用剥离液去除光刻胶保留区的光刻胶层和导电薄膜，形成第一像素电极层和第二像素电极层。

参阅图2-c和图2-f，示例性地，可以通过物理气相沉积的方式沉积导电材料，其中，光刻胶半保留区72对应的钝化层6上方、第一过孔61以及第二过孔62上方均可以形成均匀的导电薄膜。而光刻胶保留区71的光刻胶在灰化后结构松散，且簇状物8的表面积较大，簇状物8表面无法被导电薄膜完全覆盖，从而在该区域沉积形成的导电薄膜存在大量的缝隙。这样可以使得后续在执行使用剥离液剥离光刻胶的操作时，剥离液可以通过该区域导电薄膜的缝隙中进入光刻胶内部进行溶解剥离，沉积在簇状物8表面的导电材料也被同步剥离，从而只保留光刻胶半保留区72对应的钝化层上方、第一过孔以及第二过孔上方的导电薄膜，形成像素电极层9。其中，像素电极层9包括第一像素电极层91和第二像素电极层92，第一像素电极层91可以通过第一过孔61与源漏极层5连接，第二像素电极层92可以通过第二过孔62与公共电极22连接。

另外，沉积在簇状物8和光刻胶上的导电薄膜在被剥离后，由于固体颗粒较小，可以减少堵塞过滤器及喷淋管路的情况，从而保障设备的正常运行，进而提高生产效率。

本申请实施例提供的阵列基板制备方法，包括在衬底基板上依次形成栅极层、绝缘层、半导体层、源漏极层以及钝化层，其中，栅极层包括栅极和栅极同层设置的公共电极；在钝化层上涂布光刻胶，对光刻胶进行图案化处理，形成光刻胶层，其中，光刻胶层包括光刻胶保留区、光刻胶半保留区和光刻胶完全去除区，光刻胶完全去除区分布在源漏极过孔区域和公共电极区域上方，光刻胶半保留区对应像素电极区域，光刻胶保留区分布在源漏极上方，以及，像素电极区域与公共电极区域之间；光刻胶半保留区的光刻胶层的厚度小于光刻胶保留区的光刻胶层的厚度；以光刻胶层为掩膜进行第一次干法刻蚀，在光刻胶完全去除区形成贯穿钝化层的第一过孔和贯穿钝化层与绝缘层的第二过孔，并去除光刻胶半保留区的光刻胶层，减小光刻胶保留区的光刻胶层的厚度；其中，第一过孔位于源漏极上方，第二过孔位于公共电极区域上方；对光刻胶半保留区对应的钝化层进行第二次干法刻蚀，使钝化层的离子转移至光刻胶保留区的光刻胶层上形成簇状物后，以簇状物为掩膜，对光刻胶保留区进行灰化处理，形成绒状结构；在光刻胶保留区、光刻胶半保留区对应的钝化层、第一过孔和第二过孔上方沉积导电薄膜后，采用剥离液去除光刻胶保留区的光刻胶层和导电薄膜，形成第一像素电极层和第二像素电极层，第一像素电极层通过第一过孔与源漏极层连接，第二像素电极层通过第二过孔与公共电极连接。本申请实施例提供的阵列基板制备方案，通过第一道掩模版制程形成栅极层，通过第二道掩模版制程形成源漏极层，通过第三道掩模版制程形成钝化层及像素电极层，这样只使用三道掩模版就可以完成阵列基板的制备，从而可以减少掩模版的使用和图案化处理的次数，进而可以降低生产成本。

本领域技术人员可以理解，以上实施例是示例性的，并非用于限定本申请。在可能的情况下，以上步骤中的一个或者几个步骤的执行顺序可以进行调整，也可以进行选择性组合，得到一个或多个其他实施例。本领域技术人员可以根据需要从上述步骤中任意进行选择组合，凡是未脱离本申请方案实质的，都落入本申请的保护范围。

基于同一发明构思，本申请实施例还提供了一种阵列基板。如图2-f所示，本实施例提供的阵列基板可以包括：形成于衬底基板1上的栅极层2、覆盖在栅极层2及衬底基板1上的绝缘层3、在绝缘层3上与栅极层2的栅极21对应设置的半导体层4以及形成于半导体层4上的源漏极层5、钝化层6以及像素电极层9，其中，栅极层2可以包括栅极21以及与栅极21同层设置公共电极层22，像素电极层9可以包括第一像素电极层91以及第二像素电极层92。

阵列基板还可以包括第一过孔和第二过孔。第一过孔贯穿钝化层6，第一像素电极层91可以通过第一过孔与源漏极层5连接。第二过孔贯穿钝化层6和绝缘层3，第二像素电极层92可以通过第二过孔与公共电极22连接。

本实施例提供的阵列基板是基于上述阵列基板的制备方法制成，即本实施例中的阵列基板具有上述阵列基板的制备方法的实施例中所有技术特征以及技术效果，具体参照上述实施例，在此不再进行赘述。

基于同一发明构思，本申请实施例还提供了一种显示面板，图5为本申请实施例提供的显示面板的结构示意图，如图5所示，本实施例提供的阵列基板可以包括上述实施例中的阵列基板10、彩膜基板11和液晶层12。

其中，阵列基板10与彩膜基板11对向设置，液晶层12位于阵列基板10和彩膜基板11之间。

由于本实施例中的显示面板包括上述实施例中阵列基板，而上述实施例中的阵列基板是基于上述阵列基板的制备方法制成，即本实施例中的显示面板具有上述阵列基板的制造方法的实施例的所有技术特征以及技术效果，具体参照上述实施例，在此不再进行赘述。

在本申请中出现的对步骤进行的命名或者编号，并不意味着必须按照命名或者编号所指示的时间/逻辑先后顺序执行方法流程中的步骤，已经命名或者编号的流程步骤可以根据要实现的技术目的变更执行次序，只要能达到相同或者相类似的技术效果即可。

在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述或记载的部分，可以参见其它实施例的相关描述。

在本申请所提供的实施例中，应该理解到，所揭露的装置/设备和方法，可以通过其它的方式实现。例如，以上所描述的装置/设备实施例仅仅是示意性的，例如，所述模块或单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通讯连接可以是通过一些接口，装置或单元的间接耦合或通讯连接，可以是电性，机械或其它的形式。

应当理解，当在本申请说明书和所附权利要求书中使用时，术语“包括”指示所描述特征、整体、步骤、操作、元素和/或组件的存在，但并不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元素、组件和/或其集合的存在或添加。

在本申请的描述中，除非另有说明，“/”表示前后关联的对象是一种“或”的关系，例如，A/B可以表示A或B；本申请中的“和/或”仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况，其中A，B可以是单数或者复数。

并且，在本申请的描述中，除非另有说明，“多个”是指两个或多于两个。“以下至少一项”或其类似表达，是指的这些项中的任意组合，包括单项或复数项的任意组合。例如，a，b，或c中的至少一项，可以表示：a，b，c，a-b，a-c，b-c，或a-b-c，其中a，b，c可以是单个，也可以是多个。

如在本申请说明书和所附权利要求书中所使用的那样，术语“如果”可以依据上下文被解释为“当...时”或“一旦”或“响应于确定”或“响应于检测到”。类似地，短语“如果确定”或“如果检测到[所描述条件或事件]”可以依据上下文被解释为意指“一旦确定”或“响应于确定”或“一旦检测到[所描述条件或事件]”或“响应于检测到[所描述条件或事件]”。

另外，在本申请说明书和所附权利要求书的描述中，术语“第一”、“第二”、“第三”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的实施例能够以除了在这里图示或描述的内容以外的顺序实施。

在本申请说明书中描述的参考“一个实施例”或“一些实施例”等意味着在本申请的一个或多个实施例中包括结合该实施例描述的特定特征、结构或特点。由此，在本说明书中的不同之处出现的语句“在一个实施例中”、“在一些实施例中”、“在其他一些实施例中”、“在另外一些实施例中”等不是必然都参考相同的实施例，而是意味着“一个或多个但不是所有的实施例”，除非是以其他方式另外特别强调。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本申请的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本申请进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例技术方案的范围。

Claims (8)

1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：

在衬底基板上依次形成栅极层、绝缘层、半导体层、源漏极层以及钝化层，其中，所述栅极层包括栅极和所述栅极同层设置的公共电极；

在所述钝化层上涂布光刻胶，对所述光刻胶进行图案化处理，形成光刻胶层，其中，所述光刻胶层包括光刻胶保留区、光刻胶半保留区和光刻胶完全去除区，光刻胶完全去除区分布在源漏极过孔区域和公共电极区域上方，光刻胶半保留区对应像素电极区域，光刻胶保留区分布在源漏极上方，以及，像素电极区域与公共电极区域之间；所述光刻胶半保留区的光刻胶层的厚度小于所述光刻胶保留区的光刻胶层的厚度；

以所述光刻胶层为掩膜进行第一次干法刻蚀，在所述光刻胶完全去除区形成贯穿所述钝化层的第一过孔和贯穿所述钝化层与所述绝缘层的第二过孔，并去除所述光刻胶半保留区的光刻胶层，减小所述光刻胶保留区的光刻胶层的厚度，其中，所述第一过孔位于所述源漏极上方，所述第二过孔位于所述公共电极区域上方；

对所述光刻胶半保留区对应的钝化层进行第二次干法刻蚀，使所述钝化层的离子转移至所述光刻胶保留区的光刻胶层上形成簇状物后，以所述簇状物为掩膜，对所述光刻胶保留区进行灰化处理，形成绒状结构；其中，所述第二次干法刻蚀的刻蚀速率小于所述第一次干法刻蚀的刻蚀速率；所述第二次干法刻蚀采用的刻蚀气体包括氩气、氮气以及氢气中的至少一种；

在光刻胶保留区、光刻胶半保留区对应的钝化层、所述第一过孔和所述第二过孔上方沉积导电薄膜后，采用剥离液去除所述光刻胶保留区的光刻胶层和导电薄膜，形成第一像素电极层和第二像素电极层，所述第一像素电极层通过所述第一过孔与所述源漏极层连接，所述第二像素电极层通过所述第二过孔与公共电极连接。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述光刻胶进行图案化处理，包括：

利用半色调掩模版对所述光刻胶进行曝光，其中，所述半色调掩模版包括遮光区、半透光区以及透光区，所述遮光区对应所述光刻胶保留区，所述透光区对应所述光刻胶完全去除区；

对所述光刻胶进行显影。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述以所述光刻胶层为掩膜进行第一次干法刻蚀，在所述光刻胶完全去除区形成贯穿所述钝化层的第一过孔和贯穿所述钝化层与所述绝缘层的第二过孔，并去除所述光刻胶半保留区的光刻胶层，减小所述光刻胶保留区的光刻胶层的厚度，包括：

以所述光刻胶层为掩膜，采用混合气体对所述光刻胶完全去除区进行第一次干法刻蚀，形成贯穿所述钝化层的第一过孔和贯穿所述钝化层与所述绝缘层的第二过孔；

采用等离子氧气对所述光刻胶保留区和所述光刻胶半保留区进行灰化处理，去除所述光刻胶半保留区的光刻胶层，减小所述光刻胶保留区的光刻胶层的厚度。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述混合气体为下列气体中多种气体形成的混合气体：三氟化氮、六氟化硫、氯气和氧气。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述光刻胶保留区进行灰化处理采用的气体为等离子氧气。

6.根据权利要求1-5任一项所述的方法，其特征在于，所述钝化层的材料为氮化硅。

7.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板是基于权利要求1-6任一项所述的方法制备的。

8.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求7所述的阵列基板，与所述阵列基板对向设置的彩膜基板，以及位于所述阵列基板和所述彩膜基板之间的液晶层。