CN114927485A - 一种元器件的导电储热传热方法 - Google Patents
一种元器件的导电储热传热方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN114927485A CN114927485A CN202210475156.XA CN202210475156A CN114927485A CN 114927485 A CN114927485 A CN 114927485A CN 202210475156 A CN202210475156 A CN 202210475156A CN 114927485 A CN114927485 A CN 114927485A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- heat
- conductive
- component
- substrate
- base material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 238000005338 heat storage Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 72
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 46
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims abstract description 27
- 238000002788 crimping Methods 0.000 claims description 5
- 238000005476 soldering Methods 0.000 claims description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 claims description 2
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 abstract 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 9
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 5
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- JRBRVDCKNXZZGH-UHFFFAOYSA-N alumane;copper Chemical compound [AlH3].[Cu] JRBRVDCKNXZZGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 150000002466 imines Chemical class 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/367—Cooling facilitated by shape of device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
- H01L23/3735—Laminates or multilayers, e.g. direct bond copper ceramic substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
- H01L23/3736—Metallic materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
- H01L23/3737—Organic materials with or without a thermoconductive filler
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0201—Thermal arrangements, e.g. for cooling, heating or preventing overheating
- H05K1/0203—Cooling of mounted components
- H05K1/0204—Cooling of mounted components using means for thermal conduction connection in the thickness direction of the substrate
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/14—Thermal energy storage
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
Abstract
本发明涉及一种元器件的导电储热传热方法，包括：形成具有导电导热面的基材，并将元器件电连接于所述基材的导电导热面上，以使所述元器件产生的热量和电流先传导至所述基材内，所述基材传导电流，并进行储热；在所述基材远离导电导热面的一面上形成第一绝缘层，并在所述第一绝缘层上形成散热层，所述基材内的热量经过所述第一绝缘层传导至所述散热层内。本发明的技术方案是先形成基材，再在基材上连接元器件和形成第一绝缘层，在第一绝缘层上形成散热层，尺寸较大的基材可以承受更大电流，起到储热和散热的作用，同时基材内的热量通过第一绝缘层直接传导至散热层内，传热效率高，即可快速降低元器件的温度，加长了元器件的使用寿命。
Description
技术领域
本发明涉及元器件的导电和散热领域，特别是涉及一种元器件的导电储热传热方法。
背景技术
在元器件的导电和散热领域，元器件的散热设计决定了元器件的可靠使用寿命，元器件的导电性能决定了功能模块的性能。其中，元器件常见散热方式是将热量传导至基材内，依靠基材的蓄热和散热性能进行降温，但是现有技术中，元器件的热量需要先通过绝缘层再传导至基材，导热率受绝缘层导热系数限制，导热效果较差。常见导电设计为：采用元器件电连接面导电，流经元器件的电流通过PCB铜箔或外加导电部件形成回路，由于PCB铜箔厚度较小，无法承受较大的电流。因此，现有设计中无法兼顾导热性能和导电性能，实用性较差。
发明内容
本发明的目的在于提供一种元器件的导电储热传热方法，所述元器件的导电储热传热方法具有可以承受较大电流、散热性较好等特点，具有较好的适用性。
为实现上述目的，本发明采用了如下技术方案：
一种元器件的导电储热传热方法，包括：形成具有导电导热面的基材，并将元器件电连接于所述基材的导电导热面上，以使所述元器件产生的热量和电流先传导至所述基材内，所述基材传导电流，并进行储热；在所述基材远离导电导热面的一面上形成第一绝缘层，并在所述第一绝缘层上形成散热层，所述基材内的热量经过所述第一绝缘层传导至所述散热层内。
优选地，将元器件电连接于基材的导电导热面上步骤中，通过焊接或压接将元器件电连接于基材的导电导热面上。
优选地，在所述基材远离导电导热面的一面上形成第一绝缘层步骤中，所述第一绝缘层为导热硅胶垫。
优选地，所述基材的厚度为0.5-3.0mm。
优选地，在形成具有导电导热面的基材前，先在所述基材上凸出形成有凸台，在所述凸台上形成所述导电导热面，再将所述元器件电连接于所述导电导热面上。
优选地，在所述基材上凸出形成有凸台，在所述凸台上形成所述导电导热面之后，在所述导电导热面上形成连接层，再将所述元器件通过所述连接层电连接于所述导电导热面上。
优选地，在基材上形成具第二绝缘层，将所述导电层设置于所述第二绝缘层上；形成具有导电性的引脚，将所述引脚的一端与所述导电层连接，另一端与所述元器件连接；所述基材、所述元器件、所述引脚和所述导电层之间形成电流通路。
相比现有技术，本发明的有益效果在于：
本发明采用导电导热的基材，将元器件电连接在该基材的导电导热面，元器件热量直接传导至基材，而且元器件与基材支架形成电流通路，基材替代PCB铜箔或外加导电部件，从而实现了基材既导电又导热的作用，使得性能得到大大提升。
其中，元器件内部热量直接传导至导电导热的基材内，由于基材的尺寸较大，基材可以储存较多的热量，使得元器件的温升大幅降低；元器件温升的降低，可以让元器件长时间工作在其最大安全工作参数范围内，提升元器件的可靠性。
其中，导电导热的基材厚度为铜箔的几十倍，基材可以承受更大的电流，基材承担的导电功能可减少PCB尺寸及外加的导电部件，降低成本；元器件的大电流路径符合大电流走线宽、短、直的原则，降低了EMC干扰影响。
附图说明
图1为本发明实施例提供的元器件的导电储热传热方法的原理图。
图2为本发明实施例提供的元器件的导电储热传热方法的示意图。
图3为本发明实施例提供的元器件的导电储热传热方法的电流和热量流向示意图。
1、基材；11、凸台；2、第二绝缘层；3、导电层；4、元器件；5、引脚；6、连接层；7、散热层；8、第一绝缘层。
具体实施方式
以下将结合附图，对本发明进行更为详细的描述，需要说明的是，下参照附图对本发明进行的描述仅是示意性的，而非限制性的。各个不同实施例之间可以进行相互组合，以构成未在以下描述中示出的其他实施例。
请参阅图1，本发明实施例中提供了一种元器件的导电储热传热方法，包括：
形成具有导电导热面的基材1，并将元器件4电连接于所述基材1的导电导热面上，以使所述元器件4产生的热量和电流先传导至所述基材1内，所述基材1传导电流，并进行储热；
在所述基材1远离导电导热面的一面上形成第一绝缘层8，并在所述第一绝缘层8上形成散热层7，所述基材1内的热量经过所述第一绝缘层8传导至所述散热层7内。
可以想到的是，一方面，所述元器件4与所述基材1之间形成电流通路，而尺寸较大的所述基材1可以承受更大的电流，极大地降低了导电及散热系统的电流负荷，减小了发热量。另一方面，通电后的所述元器件4会产生较多的热量，由于所述基材1和所述元器件4之间直接相连，且基材1的尺寸较大，具有较好的传热性能和储热性能，因此所述元器件4产生的热量可快速传导至所述基材1内，所述基材1先对热量进行储存，降低所述元器件4的温度，使得所述元器件4在正常温度范围内工作。同时，所述基材1内的热量通过所述第一绝缘层8传导至所述散热层7内，通过所述散热层7进行散热。总得来说，尺寸较大的所述基材1可以承受较大的电流，且可以实现储热和传热的作用，继而降低所述元器件4的温度，并且所述元器件4的热量可直接传导至所述基材1内，所述基材1内的热量通过所述第一绝缘层8即可传导至所述散热层7内，热量的传导效率较高。
请参阅图2至图3，将具有良好的导热性和导电性的材料制成所述基材1，所述基材1的形状和尺寸不做限定，一般来说，所述基材1的厚度在0.5-3.0mm之间，优选为1.5mm，但是当本申请的元器件的导电储热传热方法应用于不同的领域时，所述基材1的形状和尺寸只需满足可导电和储热传热的功能即可。另外，所述基材1的材质优选为铜或者铜铝合金，但是当本申请的元器件的导电储热传热方法应用于不同的领域时，所述基材1的材质只需具有良好的导热性和导电性，满足实际使用需求即可。
在现有技术中，均通过铜箔进行导电，但是铜箔的厚度大多在0.035-0.140mm之间，厚度较小，因此较薄的铜箔只能承受较小的电流，具有一定的局限性。因此为了增强导电性能，现有技术中均需要增加外部的导电件，增加了成本。
而本申请构思巧妙，直接将所述元器件4与所述基材1进行电连接，所述元器件4和所述基材1形成电流通路，在原有的结构上做出了重大改进，解决了现有的元器件无法传导较大电流和导热性能差的两个问题，具有较好的实用性。且所述基材1的尺寸在厚度为0.5-3.0mm之间，具体为1.5mm，所述基材1的厚度大约是铜箔的几十倍，因此厚度更大的所述基材1相比于厚度跟小的铜箔可以承受更大的电流，极大地降低了导电及散热系统的电流负荷，减小了发热量。并且也无需增加外部的导电件，节省了成本，其次，所述元器件4的大电流路径符合大电流走线宽、短、直的原则，降低了EMC干扰影响。
接着将所述元器件4电连接于所述基材1的导电导热面上，所述元器件4具体可以为MOSFET、IGBT等，所述基材1和所述元器件4可为焊接固定或者压接固定，但是应用于不同的领域内时，对所述元器件4的种类并不做限定，所述基材1和所述元器件4之间的连接方式也并不局限于上述情况，只要满足所述基材1和所述元器件4之间既可以形成电流通路，又可以满足热量传输的连接方式均可。
具体安装时，MOSFET、IGBT的漏级与所述基材1电连接，使得MOSFET、IGBT与所述基材1之间既可以导电，也可以传热。MOSFET、IGBT的栅极和源级与所述引脚5连接。
值得注意的是，在形成所述基材1时，可以在所述基材1的一侧面上凸出形成凸台11，并将导电导热面形成于所述凸台11远离所述基材1的侧面上，此时，可以将所述元器件4电连接于所述凸台11的导电导热面上。
当所述基材1和所述元器件4为焊接固定或者压接固定时，可在所述凸台11和所述元器件4之间设置连接层6，所述连接层6需要具有良好的导电性和导热性。
具体的，当所述基材1和所述元器件4为焊接固定时，所述连接层6具体可以为锡层，锡层不会影响所述元器件4的电流和热量传导至所述基材1内。需要说明的是，所述连接层6的材质并不局限于上述情况，也可以是其它的具有导电性和导热性的焊接材料。
具体的，当所述基材1和所述元器件4为压接固定时，所述连接层6可以为压接材料。
可以想到的是，当所述元器件4的热量要传导至所述基材1内时，需要先通过所述连接层6，但是由于所述连接层6具有良好的导热性能，因此所述元器件4产生的热量通过所述连接层6至所述基材1内的导热性仍然较好，不会影响所述元器件4的散热。
然后在所述基材1远离所述元器件4的侧面上形成所述第一绝缘层8，所述第一绝缘层8优选为导热硅胶垫，当然应用于不同的领域内时，所述第一绝缘层8的材质并不局限于上述情况，只需所述第一绝缘层8具有较好的导热性和不导电性即可。
其次在所述第一绝缘层8上形成散热层7，所述散热层7不可与所述基材1连接。所述散热层7具有良好的散热性，可实现快速散热。
在此基础上，可以在所述基材1上形成第二绝缘层2，具体形成方式可以为焊接，所述第二绝缘层2一般采用绝缘布、导热陶瓷片、导热绝缘亚胺膜等。当然，由于应用的领域不同，所述基材1上形成第二绝缘层2也可以采用其它的连接方式，所述第二绝缘层2的材质也并不局限于上述情况，可以根据实际情况而进行调整。
形成具有导电性的导电层3，将所述导电层3设置于所述第二绝缘层2上，具体形成方式可以为焊接，值得注意的是，所述导电层3和所述凸台11之间具有预设距离，即所述凸台11与所述导电层3之间不可导电，防止短路。当然，由于应用的领域不同，所述导电层3设置于所述第二绝缘层2上也可以采用其它的连接方式。
形成具有导电性的引脚5，将所述引脚5的一端与所述导电层3连接，另一端与所述元器件4连接，具体形成方式可以为焊接，使得所述基材1、所述元器件4、所述引脚5和所述导电层3之间形成电流通路。当然，由于应用的领域不同，所述引脚5与所述导电层3、所述元器件4也可以采用其它的连接方式。
综上，本发明提供的元器件的导电储热传热系统直接将所述元器件4和所述基材1电连接，所述元器件4与所述基材1之间形成电流回路，尺寸较大的所述基材1可以承受更大的电流，极大地降低了导电及散热系统的电流负荷，减小了发热量。其次，尺寸较大的所述基材1可以起到更好的储热作用，所述元器件4产生的热量可快速传导至所述基材1内，保证所述元器件4在正常温度范围内工作。而且所述元器件4产生的热量可直接传导至所述基材1内或者只需要通过所述连接层6，所述基材1内的热量传导至所述散热层7只需经过所述第一绝缘层8，而所述连接层6具有良好的导电性和导热性，所述第一绝缘层8具有良好的导热性，因此整体的导热性能非常优异，保证所述元器件4长时间工作在其最大安全工作参数范围内，提升所述元器件4的可靠性和使用寿命。
需要说明的是，附图仅作为理解使用，元器件的导电储热传热系统的各部件的尺寸、空间位置关系等并不局限于附图。
上述实施方式仅为本发明的优选实施方式，不能以此来限定本发明保护的范围，本领域的技术人员在本发明的基础上所做的任何非实质性的变化及替换均属于本发明所要求保护的范围。
Claims (7)
1.一种元器件的导电储热传热方法，其特征在于，包括：
形成具有导电导热面的基材(1)，并将元器件(4)电连接于所述基材(1)的导电导热面上，以使所述元器件(4)产生的热量和电流先传导至所述基材(1)内，所述基材(1)传导电流，并进行储热；
在所述基材(1)远离导电导热面的一面上形成第一绝缘层(8)，并在所述第一绝缘层(8)上形成散热层(7)，所述基材(1)内的热量经过所述第一绝缘层(8)传导至所述散热层(7)内。
2.如权利要求1所述的导电储热传热方法，其特征在于，将元器件(4)电连接于基材(1)的导电导热面上步骤中，通过焊接或压接将所述元器件(4)电连接于所述基材(1)的导电导热面上。
3.如权利要求1所述的导电储热传热方法，其特征在于，在所述基材(1)远离导电导热面的一面上形成第一绝缘层(8)步骤中，所述第一绝缘层(8)为导热硅胶垫。
4.如权利要求1所述的导电储热传热方法，其特征在于，所述基材(1)的厚度为0.5-3.0mm。
5.如权利要求1所述的导电储热传热方法，其特征在于，在形成具有导电导热面的基材(1)前，先在所述基材(1)上凸出形成有凸台(11)，在所述凸台(11)上形成所述导电导热面，再将所述元器件(4)电连接于所述导电导热面上。
6.如权利要求5所述的导电储热传热方法，其特征在于，在所述基材(1)上凸出形成有凸台(11)，在所述凸台(11)上形成所述导电导热面之后，在所述导电导热面上形成连接层(6)，再将所述元器件(4)通过所述连接层(6)电连接于所述导电导热面上。
7.如权利要求1所述的导电储热传热方法，其特征在于，在基材(1)上形成具第二绝缘层(2)，将所述导电层(3)设置于所述第二绝缘层(2)上；形成具有导电性的引脚(5)，将所述引脚(5)的一端与所述导电层(3)连接，另一端与所述元器件(4)连接；所述基材(1)、所述元器件(4)、所述引脚(5)和所述导电层(3)之间形成电流通路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210475156.XA CN114927485A (zh) | 2022-04-29 | 2022-04-29 | 一种元器件的导电储热传热方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210475156.XA CN114927485A (zh) | 2022-04-29 | 2022-04-29 | 一种元器件的导电储热传热方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN114927485A true CN114927485A (zh) | 2022-08-19 |
Family
ID=82806369
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202210475156.XA Pending CN114927485A (zh) | 2022-04-29 | 2022-04-29 | 一种元器件的导电储热传热方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN114927485A (zh) |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101472449A (zh) * | 2007-12-26 | 2009-07-01 | 华信精密股份有限公司 | 散热器与电路的结合结构及结合方法 |
| CN101556941A (zh) * | 2009-05-13 | 2009-10-14 | 重庆三祥汽车电控系统有限公司 | 贴片式大功率元件的散热结构 |
| CN102017135A (zh) * | 2008-04-28 | 2011-04-13 | 罗伯特·博世有限公司 | 带有在多个接触平面中的元器件的基板电路模块 |
| CN203167425U (zh) * | 2013-01-18 | 2013-08-28 | 深圳市鼎燊电子有限公司 | 金属印刷电路板 |
| JP2014103354A (ja) * | 2012-11-22 | 2014-06-05 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 回路基板、ｌｅｄモジュール、及び回路基板の製造方法 |
| CN204067432U (zh) * | 2014-09-05 | 2014-12-31 | 佛山市国星光电股份有限公司 | 一种微型led器件 |
-
2022
- 2022-04-29 CN CN202210475156.XA patent/CN114927485A/zh active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101472449A (zh) * | 2007-12-26 | 2009-07-01 | 华信精密股份有限公司 | 散热器与电路的结合结构及结合方法 |
| CN102017135A (zh) * | 2008-04-28 | 2011-04-13 | 罗伯特·博世有限公司 | 带有在多个接触平面中的元器件的基板电路模块 |
| CN101556941A (zh) * | 2009-05-13 | 2009-10-14 | 重庆三祥汽车电控系统有限公司 | 贴片式大功率元件的散热结构 |
| JP2014103354A (ja) * | 2012-11-22 | 2014-06-05 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 回路基板、ｌｅｄモジュール、及び回路基板の製造方法 |
| CN203167425U (zh) * | 2013-01-18 | 2013-08-28 | 深圳市鼎燊电子有限公司 | 金属印刷电路板 |
| CN204067432U (zh) * | 2014-09-05 | 2014-12-31 | 佛山市国星光电股份有限公司 | 一种微型led器件 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5106519B2 (ja) | 熱伝導基板及びその電子部品実装方法 | |
| US11862531B2 (en) | Power device, power device assembly, and related apparatus | |
| JP2004047883A (ja) | 電力半導体装置 | |
| CN109616452B (zh) | 一种散热组件、相应的散热装置以及相应的电路板 | |
| JP2005116702A (ja) | パワー半導体モジュール | |
| CN109588023B (zh) | 散热结构及相关设备 | |
| CN220417604U (zh) | 控制板、电控组件及空调器 | |
| JP5227716B2 (ja) | 発熱部品搭載回路基板 | |
| JP2001144403A (ja) | 電気部品の放熱実装構造及び電気部品の実装方法 | |
| JP2000156439A (ja) | パワー半導体モジュール | |
| CN114927485A (zh) | 一种元器件的导电储热传热方法 | |
| CN114867188A (zh) | 一种元器件的导电储热传热系统 | |
| CN212115767U (zh) | 电路板组件和电子设备 | |
| CN210868582U (zh) | Bms装置和mos模块的散热结构 | |
| CN210575922U (zh) | 一种功率半导体器件的封装结构 | |
| CN214672591U (zh) | 一种功率器件封装结构 | |
| CN217217231U (zh) | 一种散热装置 | |
| CN214152892U (zh) | 一种功率器件的封装结构 | |
| CN216087104U (zh) | 一种散热结构及具有该散热结构的电源 | |
| CN111341740A (zh) | 一种新型电源管理芯片封装系统 | |
| CN217387139U (zh) | 用于功率模块的支撑件及功率模块 | |
| CN111284331A (zh) | 内建有分流电阻和功率晶体管的马达控制装置 | |
| CN219917171U (zh) | 功率器件和功率模块 | |
| CN220753407U (zh) | 一种功率管组件及pcb组件 | |
| CN216902900U (zh) | 电路板和控制装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20220819 |
|
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |